CN110209016B - 曝光装置、曝光方法和制造物品的方法 - Google Patents

曝光装置、曝光方法和制造物品的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110209016B
CN110209016B CN201910132118.2A CN201910132118A CN110209016B CN 110209016 B CN110209016 B CN 110209016B CN 201910132118 A CN201910132118 A CN 201910132118A CN 110209016 B CN110209016 B CN 110209016B
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
stage
optical axis
correction
axis direction
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201910132118.2A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110209016A (zh
Inventor
西村光英
远藤正俊
本岛顺一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN110209016A publication Critical patent/CN110209016A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110209016B publication Critical patent/CN110209016B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7026—Focusing
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70641—Focus
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2008—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image characterised by the reflectors, diffusers, light or heat filtering means or anti-reflective means used
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491—Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70516—Calibration of components of the microlithographic apparatus, e.g. light sources, addressable masks or detectors
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70591—Testing optical components
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G03F7/70725—Stages control
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70758—Drive means, e.g. actuators, motors for long- or short-stroke modules or fine or coarse driving
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
    • G03F9/7034—Leveling

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

公开了曝光装置、曝光方法和制造物品的方法。提供了曝光基板的曝光装置。曝光装置包括：台，被配置成保持并且移动基板；和控制器，被配置成基于为了针对基板上的投射区域的台的聚焦驱动而取得的测量值和校正值来控制台的聚焦驱动。控制器被配置成根据曝光时的视角来确定校正值。

Description

曝光装置、曝光方法和制造物品的方法
技术领域
本发明涉及曝光装置、曝光方法和制造物品的方法。
背景技术
作为在半导体器件等的制造处理(光刻处理)中使用的装置，存在将掩模图案转移到基板的曝光装置。在这种曝光装置中，基板的表面需要准确地布置在投影光学系统的像面(焦平面)上使得掩模图案将以高精度与基板上的投射区域(shot region)重叠。
日本专利特许公开No.2015-130407对于通过扫描基板执行曝光处理的扫描曝光装置提出了校正基板表面的未对准的方法，未对准是由于控制系统的制造误差、测量设备的测量误差、控制系统的控制误差等造成的。日本专利特许公开No.2004-111995对于采用步进重复(step-and-repeat)方法的曝光装置提出了校正基板表面在与投影光学系统的光轴平行的方向(Z方向)上的未对准的方法，未对准是由于在与光轴垂直的方向(X-Y方向)上驱动基板台而造成的。日本专利特许公开No.2000-208391对于采用步进重复方法的曝光装置提出了在到达曝光区域之前准确地执行聚焦测量的方法。
一般而言，在曝光装置中，通过反馈控制执行在焦平面上布置基板表面的聚焦操作以增大精度。另一方面，提高聚焦操作的速度是提高吞吐量的重要需求。为了提高吞吐量，能够考虑使用诸如增大基板台移动的加速度、通过放松基板台的稳定容差而提前执行聚焦测量等之类的方法。但是，在这种情况下，由于将在相对于目标位置存在基板台的偏差的状态下执行聚焦测量，因此测量误差会增大。因此，需要更有效的校正。
发明内容
本发明例如提供有利于提高聚焦精度的曝光装置。
本发明的第一方面提供一种曝光基板的曝光装置，包括：台，被配置成保持并且移动基板；投影光学系统，被配置成将标记的图案投影到被所述台保持的基板上；和控制器，被配置成在执行所述台的步进移动和控制在沿着所述投影光学系统的光轴在第一方向上所述台的位置的同时，基于步进重复方法控制基板的曝光，其中，控制器被配置成获取步进移动的步进大小，并根据获取的步进大小来确定用于校正在第一方向上所述台的位置的校正值。
本发明的第二方面提供一种通过曝光装置来执行的曝光基板的曝光方法，所述曝光装置具有被配置成保持并且移动基板的台、以及被配置成将标记的图案投影到被所述台保持的基板上的投影光学系统，所述曝光装置在执行所述台的步进移动和控制所述台在沿着所述投影光学系统的光轴在第一方向上的位置的同时，基于步进重复方法执行基板的曝光，该曝光方法包括：获取步进移动的步进大小；根据获取的步进大小来确定用于校正所述台在第一方向上的位置的校正值；在利用获取的步进大小执行步进移动之后，测量所述台在第一方向上的位置；确定关于用于控制所述台在第一方向上的位置的所述台的驱动命令值的校正值；基于在所述测量中获取的测量值以及反映所确定的校正值的驱动命令值，执行所述台在第一方向上的位置的控制；以及在完成所述台在第一方向上的位置的控制之后对投射区域进行曝光。
本发明的第三方面提供一种制造物品的方法，包括：通过使用在第一方面中定义的曝光装置来对基板进行曝光；以及对在所述曝光中曝光的基板进行显影，其中，物品是由显影的基板制造的。
根据对示例性实施例的以下描述(参考附图)，本发明的其它特征将变得清楚。
附图说明
图1是示出根据实施例的曝光装置的布置的视图；
图2是示出布置在目标曝光区域上的测量点的示例的视图；
图3是根据实施例的聚焦校正公式计算处理的流程图；
图4是用于确定曝光视角的处理的流程图；
图5是示出从不同视角取得的投射布局的示例的视图；
图6是示出校正公式计算处理的流程图；
图7是示出曝光处理的流程图；
图8是示出曝光处理中的校正公式计算处理的流程图；
图9是示出每个视角的校正公式结果的显示示例的视图；以及
图10是用于说明实施例的效果的曲线图。
具体实施方式
以下将参考附图详细描述本发明的各种示例性实施例、特征和方面。
以下将参考附图详细描述本发明的实施例。要注意的是，以下实施例仅仅是本发明实施例的具体示例，并且不限制本发明。此外，并非以下实施例中描述的典型特征的所有组合对于解决本发明的问题都是必不可少的。
图1是示出根据实施例的采用步进重复方法的缩小投影曝光装置的布置的视图。投影光学系统1缩小并投影中间掩模(reticle)(未示出)的电路图案并在焦平面上形成电路图案图像。此外，投影光学系统1的光轴AX与图1中的Z轴方向成平行关系。其上涂有光致抗蚀剂并且通过先前的曝光处理形成了相同图案的多个曝光目标区域(投射区域)布置在基板2上。保持基板2的基板台3包括在垂直于Z轴的X轴方向上移动的X台、在垂直于Z轴和X轴的Y轴方向上移动的Y台、以及在Z轴方向上移动并围绕平行于X、Y和Z轴方向的转轴旋转的Z台。因此，通过驱动基板台3，可以在投影光学系统1的光轴AX的方向上以及在沿着垂直于光轴AX的平面的方向上调节基板2的表面位置，并且相对于焦平面(即电路图案图像)的倾斜也可以被调节。
标号4至11表示为了检测基板2的位置和倾斜而设置的检测光学系统的元件。标号4表示具有高亮度的照明光源(诸如发光二极管、半导体激光器等)，标号5表示照明透镜。从照明光源4发射的光被照明透镜5转换成平行光束，经由掩模6被转换成多个光束，经由成像透镜7进入弯曲反射镜8，并在其方向被弯曲反射镜8改变之后进入基板2的表面。即，成像透镜7和弯曲反射镜8在基板2上形成掩模6的多个针孔图像。如图2中所示，通过这多个针孔的光束照射包括基板2的目标曝光区域100的中心(与光轴AX对应的位置)在内的五个测量点71、72、73、74和75，并且光束在各个点处被反射。在图2所示的示例中，测量点71位于与光轴AX相交的目标曝光区域100的中心处，并且其它测量点72、73、74和75以距离作为中心的测量点71的相等间隔被定位。由目标曝光区域100中的五个测量点71、72、73、74和75反射的每个光束的方向被弯曲反射镜9改变，并且光束随后经由检测透镜10进入位置灵敏检测器11，元件被二维地布置在位置灵敏检测器11上。以这种方式，成像透镜7、弯曲反射镜8、基板2、弯曲反射镜9和检测透镜10在位置灵敏检测器11上形成掩模6的针孔图像。因此，掩模6、基板2和位置灵敏检测器11位于彼此光学共轭的位置处。
虽然在图1中示意性示出了位置灵敏检测器11，但是在难以实现诸如图1所示的光学布置之类的光学布置的情况下，多个位置灵敏检测器11可以与针孔对应地布置。例如，位置灵敏检测器11由二维CCD等形成，并且能够分别检测经由多个针孔入射在位置灵敏检测器11的光接收表面上的多个光束的位置。沿光轴AX的基板2相对于投影光学系统1的位置改变可以被检测为多个光束在位置灵敏检测器11上的入射位置的移位。从基板2的目标曝光区域100中的五个测量点71至75取得的基板2的表面的光轴AX方向位置信息被作为输出信号经由表面位置检测设备14从位置灵敏检测器11输入到控制设备13。
基板台3在X轴方向和Y轴方向上的位移可以通过使用布置在基板台3上的基准反射镜15和激光干涉仪17由已知的方法来测量。指示出基板台3的位移量的信号被经由信号线从激光干涉仪17输入到控制设备13。台驱动设备12控制基板台3的移动。台驱动设备12经由信号线接收来自控制设备13的指令信号，并响应于这个信号而通过伺服驱动来驱动基板台3。台驱动设备12包括第一驱动单元和第二驱动单元。第一驱动单元调节在垂直于基板2的光轴AX的面中的位置x和y以及旋转θ，并且第二驱动单元调节与基板2的光轴AX方向(Z方向)相关的位置z、倾斜α和倾斜β。表面位置检测设备14基于来自位置灵敏检测器11的每个输出信号(表面位置数据)来检测基板2的表面位置，并将检测结果传送到控制设备13。基于由表面位置检测设备14取得的检测结果，控制设备13发送预定的指令信号以使台驱动设备12的第二驱动单元操作，并调节与基板2的光轴AX方向相关的位置和倾斜。存储设备18可以存储对台进行驱动所需的数据。要注意的是，存储设备18可以是在控制设备13中形成的存储器。用户界面19可以包括供用户进行与参数设定相关的操作的控制台单元、用于显示与台驱动相关的参数的显示单元等。
如上所述，控制设备13通过在Z方向上驱动基板台3时将基板表面布置在焦平面上来经由台驱动设备12执行反馈控制。在这种情况下，为了提高吞吐量，可以考虑诸如增大基板台3的移动的加速度、通过放松基板台3的稳定容差而提前执行聚焦测量等之类的操作。但是，在这种情况下，因为将在相对于目标位置存在基板台3的偏差的状态下执行聚焦测量，所以测量误差会增大。因此，控制设备13需要校正指令值并将校正后的指令值输出到台驱动设备12。以上述方式相对于目标值存在的基板台的测量值的偏差在这里被称为“聚焦残差”。根据发明人所做的考察，清楚的是，这个聚焦残差取决于曝光视角(步进大小)而改变。同样清楚的是，聚焦残差取决于步进方向和曝光目标投射区域在基板上的位置而改变。因此，在这个实施例中，控制设备13将取得与视角、步进方向和目标投射区域在基板上的位置对应的校正公式。因此，控制设备13将执行计算聚焦校正公式的处理。
图3是由控制设备13执行的聚焦校正公式计算处理的流程图。虽然在曝光处理之前执行这个处理，但是这个处理不一定紧接在曝光处理之前执行，而是控制设备13仅需要将与计算出的校正公式相关的信息存储在存储设备18中。
在步骤S101中，控制设备13确定多个视角，每个视角是用于计算校正公式的条件。图4是为确定多个候选视角而执行的处理的流程图。在步骤S201中，控制设备13确定要被设定为候选的视角当中的最小值和最大值，并且在步骤S202中确定所确定的最小视角与最大视角之间的视角节距。这些值可以由用户确定。在步骤S203中，控制设备13基于根据在步骤S201和S202中确定的视角的最小值、最大值和节距而取得的多个视角中的每个视角来确定投射布局。所确定的多个视角和/或投射布局被存储在存储设备18中。图5示出视角A的投射布局的示例和小于视角A的视角B的投射布局的示例。示出在图4中计算的校正公式计算的布局的示例。由于视角B小于视角A，因此由视角B形成的投射区域的数量大于由视角A形成的投射区域的数量。
将返回参考图3来进行描述。在步骤S102中，将基板2传送到装置中并安装在基板台3上。在步骤S103中，控制设备13根据在步骤S101中确定的视角来在步骤S103中改变曝光布局。控制设备13在步骤S104中执行对准测量，驱动基板台3(相对于像面在水平方向上驱动基板台)以使得在步骤S105中目标投射区域将到达聚焦测量位置，并且在步骤S106中执行聚焦测量。在步骤S107中，控制设备13根据在步骤S106中测得的聚焦目标值和聚焦测量值来执行聚焦驱动操作(相对于像面在垂直方向上驱动基板台)。在步骤S108中，控制设备13计算聚焦测量值与聚焦目标值的差值作为聚焦残差。在步骤S109中，控制设备13将目标投射区域的标识号与在步骤S108中计算出的聚焦残差相关联，并将相关联的标识号和聚焦残差存储在存储设备18中。投射区域在基板上的位置可以基于投射区域的标识号来指定。在步骤S110中，控制设备13确定是否针对所有投射区域完成了测量。如果测量尚未完成，那么对下一个投射区域重复步骤S105至S109的处理。如果已经针对所有投射区域完成了测量，那么在步骤S111中控制设备13确定是否针对在步骤S101中确定的所有布局完成了测量。如果测量尚未完成，那么处理将返回到步骤S103以重复测量下一布局的处理。如果已经针对所有布局完成了测量，那么控制设备13在步骤S112中计算校正公式。
图6是示出在步骤S112中执行的校正公式计算处理的流程图。在步骤S301中，控制设备13取得在步骤S101中确定的多个视角。在步骤S302中，控制设备13从所取得的多个视角中确定要被设定为处理目标的视角。将在步骤S303至S306的以下处理中执行与在步骤S302中确定的视角相关的处理。在步骤S303中，控制设备13取得存储在存储设备18中的每个投射区域的聚焦残差的信息。接下来，在步骤S304中，控制设备13根据基板台3的步进方向(正方向/负方向)对所取得的每个投射区域的聚焦残差的信息进行分类。在步骤S305中，控制设备13对于每个步进方向执行投射区域与聚焦残差之间的关系的多项式近似，并将取得的结果存储在存储设备18中(S306)。在步骤S307中，控制设备13确定是否已经针对所有视角执行了处理。如果尚未针对所有视角完成处理，那么处理返回到步骤S303，并且针对下一个视角重复该处理。以这种方式针对每个视角计算校正公式。
返回参考图3，在步骤S113中，卸载基板，并且处理结束。为了总结在曝光处理之前执行的校正公式计算处理的关键点，校正公式计算处理包括以下测量处理。(a)执行聚焦测量以取得用于基板台的聚焦驱动操作的测量值的处理(步骤S106)。(b)根据所取得的测量值执行聚焦驱动操作的处理(步骤S107)。(c)在完成聚焦驱动操作之后执行聚焦测量并且计算通过聚焦测量所取得的测量值相对于目标值的残差的处理。在测量处理中，对于多个视角中的每个视角，针对每个投射区域重复上述处理(a)至(c)。此外，在校正公式计算处理中，基于借由上述测量处理而对于多个视角中的每个视角取得的每个投射区域的残差来计算多个校正公式(步骤S112)。
接下来将参考图7的流程图来描述根据实施例的曝光处理。首先，在步骤S401中，控制设备13计算与曝光布局对应的校正公式。图8示出在步骤S401中执行的校正公式计算处理的流程图。在步骤S501中，控制设备13从目标曝光配方(recipe)取得曝光时的视角(即布局)信息。在步骤S502中，控制设备13确定是否可以校正所取得的布局。例如，这是通过判断在取得校正公式时设定的布局和曝光条件下基板台的主驱动方向是否相同来确定的。如果确定不能校正所取得的布局，那么将0设定为校正公式的系数。如果确定可以校正所取得的布局，那么控制设备13在步骤S503中确认在步骤S501中取得的曝光时的视角是否落在在步骤S101中确定的多个视角中的最大值和最小值之间的范围外。如果在步骤S501中取得的视角落在该范围外，那么将在步骤S504中从在步骤S101中确定的多个视角中取得最接近曝光视角的视角的校正公式。即，在曝光时的视角小于多个视角中的最小视角的情况下，将用于最小视角的校正公式确定为用于曝光时的视角的校正公式。此外，在曝光时的视角大于多个视角中的最大视角的情况下，将用于最大视角的校正公式确定为用于曝光时的视角的校正公式。
另一方面，如果在步骤S501中取得的视角落在该范围内，那么将在步骤S505中取得用于在曝光视角前后的两个视角的校正公式。例如，如果已经以1.0mm的节距取得在步骤S101中确定的多个视角并且在步骤S501中取得的曝光视角与22.5mm对应，那么将取得用于在与22.5mm对应的曝光视角前后的与23.0mm和22.0mm对应的两个视角的校正公式。在步骤S506中，控制设备13执行用于在步骤S505中取得的两个视角的校正公式的参数的插值。在步骤S507中，控制设备13使用插值后的参数确定与曝光时的视角对应的校正公式。
在以下示例中，为了描述方便，校正公式将是1阶的，并且将通过使用在所取得的曝光视角前后的两个视角来执行线性近似以计算校正公式。当要取得与22.5mm对应的曝光视角的校正公式时，根据与23.0mm对应的视角的校正公式(Z＝5.0X+10.0)和与22.0mm对应的视角的校正公式(Z＝10.0X+20.0)来计算插值校正公式。但是，假设X是投射区域在基板的X方向上的位置，Z是Z方向校正值。对两个校正公式的系数进行线性插值，并对截距进行线性插值。因此，与22.5mm对应的曝光视角的校正公式是Z＝7.5X+15。
返回参考图7，在步骤S402中加载基板，并且在步骤S403中执行对准测量。在步骤S404中，控制设备13根据与在步骤S401中计算出的曝光视角对应的校正公式来计算每个投射区域的Z方向校正值。在步骤S405中，控制设备13执行聚焦测量。在步骤S406中，控制设备13将在步骤S404中取得的校正值作为偏移量反映在基板台的指令值上，并且控制设备13在步骤S407中执行聚焦驱动。在完成聚焦驱动之后，控制设备13在步骤S408中执行曝光处理。在步骤S409中，控制设备13在曝光处理期间执行聚焦测量，并且在步骤S410中存储(学习)聚焦残差。
在步骤S411中，控制设备13确定是否所有曝光目标投射区域已经曝光。如果尚未针对所有投射区域完成曝光处理，那么处理返回到步骤S404，并且对尚未曝光的下一个投射区域重复处理。当针对所有投射区域完成曝光处理时，与在步骤S412中卸载基板同时地，在步骤S413中计算新使用的曝光视角的校正公式。以与在图6中取得并存储校正公式相同的方式存储新计算的校正公式。因此，提高了插值校正公式计算精度。
图9示出由用户界面19显示的在步骤S112中计算出的每个视角的校正公式结果的示例。项91示出视角。项92和93各自示出基板台的步进方向。项94示出计算出的校正系数。通过函数近似取得的校正公式的每个系数被表示为“系数”，并且每个截距表示为“截距”。
图10是示出根据实施例的校正结果的图表。在图10中，横坐标指示出已取得聚焦残差的视角，并且纵坐标指示出在基板表面内的聚焦残差3σ。如图10中所示，由于根据此实施例可以对所有曝光视角执行聚焦残差校正，因此可以提高每个视角的聚焦精度。
<制造物品的方法的实施例>
根据本发明实施例的制造物品的方法适用于制造物品，例如，诸如半导体器件或具有微结构的元件之类的微设备。根据此实施例的制造物品的方法包括使用上述曝光装置在涂到基板上的光致抗蚀剂上形成潜像图案的步骤(曝光基板的步骤)，以及显影具有在上述步骤中形成的潜像图案的基板的步骤。制造方法还包括其它已知的步骤(例如，氧化、沉积、气相沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂去除、划片、粘合和包装)。与常规方法相比，根据此实施例的制造物品的方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个方面是有利的。
其它实施例
本发明的(一个或多个)实施例还可以通过读出并执行记录在存储介质(其也可以被更完整地称为“非瞬态计算机可读存储介质”)上的计算机可执行指令(例如，一个或多个程序)以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或包括用于执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能的一个或多个电路(例如，专用集成电路(ASIC))的系统或装置的计算机来实现，以及通过例如从存储介质读出并执行计算机可执行指令以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或控制一个或多个电路执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能而通过由系统或装置的计算机执行的方法来实现。计算机可以包括一个或多个处理器(例如，中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU))，并且可以包括单独计算机或单独处理器的网络以读出并执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供给计算机。存储介质可以包括例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储装置、光盘(诸如紧凑盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)TM)、闪存设备、存储卡等。
其它实施例
本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。
虽然已经参考示例性实施例描述了本发明，但是应当理解的是，本发明不限于所公开的示例性实施例。以下权利要求的范围将被赋予最广泛的解释，以便涵盖所有此类修改以及等同的结构和功能。

Claims (30)

1.一种曝光基板的曝光装置，包括：
台，被配置成保持并且移动基板；
投影光学系统，被配置成将标记的图案投影到被所述台保持的基板上；和
控制器，被配置成在执行所述台的步进移动和控制在沿着所述投影光学系统的光轴在第一方向上所述台的位置的同时，基于步进重复方法控制基板的曝光，
其中，控制器被配置成获取步进移动的步进大小，并根据获取的步进大小来确定用于校正在第一方向上所述台的位置的校正值。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，控制器被配置成基于与多个步进大小对应的多个校正公式来确定所述步进大小的校正公式，并且通过使用所确定的校正公式来确定校正值。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述多个校正公式包括表示步进大小、投射区域的位置和校正值之间关系的校正公式。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述多个校正公式包括表示步进方向、步进大小和校正值之间关系的校正公式。
5.根据权利要求2所述的装置，其中，控制器被配置成通过对所述多个步进大小当中的步进大小前后的两个步进大小的校正公式的参数进行插值来确定步进大小的校正公式。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述步进大小小于所述多个步进大小中的最小步进大小的情况下，控制器将最小步进大小的校正公式确定为所述步进大小校正公式，并且
在所述步进大小大于所述多个步进大小中的最大步进大小的情况下，控制器将最大步进大小的校正公式确定为所述步进大小的校正公式。
7.根据权利要求1所述的装置，其中，控制器被配置成根据基板上投射区域的位置来确定所述校正值。
8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述控制器被配置成根据步进移动的步进方向来确定所述校正值。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述步进移动包括在与第一方向相交的第二方向上所述台的移动，以将所述基板的投射区域移动到用于在第一方向上测量的位置。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，通过控制第一方向上所述台的位置，以使所述台的位置接近目标位置并且在所述控制之后检查所述目标位置和第一方向上所述台的位置之间的差，预先获取与多个步进大小中的每个对应的多个校正公式，以及，基于多个校正公式中的至少一个来确定与所获取的步进大小对应的校正值。
11.一种通过曝光装置来执行的曝光基板的曝光方法，所述曝光装置具有被配置成保持并且移动基板的台、以及被配置成将标记的图案投影到被所述台保持的基板上的投影光学系统，所述曝光装置在执行所述台的步进移动和控制所述台在沿着所述投影光学系统的光轴在第一方向上的位置的同时，基于步进重复方法执行基板的曝光，该曝光方法包括：
获取步进移动的步进大小；
根据获取的步进大小来确定用于校正所述台在第一方向上的位置的校正值；
在利用获取的步进大小执行步进移动之后，测量所述台在第一方向上的位置；
确定关于用于控制所述台在第一方向上的位置的所述台的驱动命令值的校正值；
基于在所述测量中获取的测量值以及反映所确定的校正值的驱动命令值，执行所述台在第一方向上的位置的控制；以及
在完成所述台在第一方向上的位置的控制之后对投射区域进行曝光。
12.根据权利要求11所述的方法，还包括：基于与多个步进大小对应的多个校正公式来预先确定所述步进大小的校正公式，并通过使用所确定的校正公式来确定校正值。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述多个校正公式包括表示步进大小、投射区域的位置和校正值之间关系的校正公式。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，确定校正值包括：
对于所述多个步进大小中的每个，针对每个投射区域执行实际测量，该实际测量重复地执行以下操作：
(a)在利用所述步进大小执行步进移动之后，测量所述台在第一方向上的位置，
(b)基于所述测量的结果在第一方向上控制所述台的驱动，以使所述台的位置接近目标位置，和
(c)在完成所述控制之后测量在第一方向上所述台的位置并且计算所述第一方向上所述台的位置和目标位置之间的差的驱动残差，以及
基于通过实际测量而针对所述多个步进大小中的每个取得的每个投射区域的驱动残差来计算所述多个校正公式。
15.根据权利要求11所述的方法，其中，通过控制第一方向上所述台的位置，以使所述台的位置接近目标位置并且在所述控制之后检查所述目标位置和第一方向上所述台的位置之间的差，预先获取与多个步进大小中的每个对应的多个校正公式，以及，基于多个校正公式中的至少一个来确定与所获取的步进大小对应的校正值。
16.一种制造物品的方法，包括：
通过使用根据权利要求1至6中任一项所述的曝光装置来对基板进行曝光；以及
对在所述曝光中曝光的基板进行显影，
其中，物品是由显影的基板制造的。
17.一种用于根据步进重复方法通过曝光装置曝光第一基板的曝光方法，所述曝光方法包括：
移动步骤，其执行所述曝光装置的台的步进移动，其中，在所述曝光装置上保持第二基板；
第一检测步骤，其在所述步进移动之后，检测光轴方向上所述台的第二基板的位置，所述光轴方向是沿着所述曝光装置的投影光学系统的光轴的方向；
第一控制步骤，其基于在第一检测步骤中检测的在所述光轴方向上所述第二基板的位置，控制在所述光轴方向上所述台的位置，以使所述第二基板在所述光轴方向上接近目标位置；
第二检测步骤，其在第一控制步骤之后，检测所述光轴方向上所述第二基板的位置；
确定步骤，其基于在第二检测步骤中检测的在光轴方向上所述第二基板的位置和所述目标位置之间的差，确定用于获取校正值的校正公式，其中，所述校正值被用来控制光轴方向上所述台的位置；
第三检测步骤，其执行保持所述第一基板的所述台的步进移动，并且在所述步进移动之后检测在所述光轴方向上所述台上的第一基板的位置；
第二控制步骤，其基于在第三检测步骤中检测的在光轴方向上所述第一基板的位置和在确定步骤中确定的通过使用所述校正公式获取的校正值，控制在所述光轴方向上所述台的位置，以使所述第一基板在所述光轴方向上接近所述目标位置；以及
曝光步骤，其在第二控制步骤之后曝光所述第一基板。
18.根据权利要求17所述的曝光方法，其中，所述校正公式是用于基于第一基板的平面中曝光区域的位置来获取校正值的校正公式。
19.根据权利要求17所述的曝光方法，其中，在移动步骤中改变所述步进移动的步进大小时，重复所述移动步骤、所述第一检测步骤、所述第一控制步骤和所述第二检测步骤，以及，所述确定步骤根据所述步进大小确定多个校正公式。
20.根据权利要求19所述的曝光方法，其中，所述第二控制步骤基于所述多个校正公式中与保持所述第一基板的所述台的步进移动的步进大小对应的校正公式，控制所述台的位置。
21.根据权利要求19所述的曝光方法，其中，所述第二控制步骤基于所述多个校正公式中与保持所述第一基板的所述台的步进移动的步进大小最接近的步进大小对应的校正公式，控制所述台的位置。
22.根据权利要求19所述的曝光方法，其中，所述第二控制步骤基于所述多个校正公式中与保持所述第一基板的所述台的步进移动的第一步进大小对应的第一校正公式，控制所述台的位置，其中，基于第二校正公式与大于所述第一步进大小的第二步进大小对应的第二校正公式以及与小于所述第一步进大小的第三步进大小对应的第三校正公式，获取所述第一校正公式。
23.根据权利要求22所述的曝光方法，其中，通过使用所述第二校正公式和第三校正公式进行插值来获取所述第一校正公式。
24.根据权利要求17所述的曝光方法，其中，在所述移动步骤中改变步进移动的步进方向的时，重复所述移动步骤、所述第一检测步骤、所述第一控制步骤和所述第二检测步骤，以及所述确定步骤根据所述步进方向确定多个校正公式。
25.根据权利要求24所述的曝光方法，其中，所述第二控制步骤基于所述多个校正公式中与保持所述第一基板的所述台的步进移动的步进方向对应的校正公式，控制所述台的位置。
26.根据权利要求17所述的曝光方法，其中，重复所述移动步骤、所述第一检测步骤、所述第一控制步骤和所述第二检测步骤，以使得所述第一检测步骤和第二检测步骤检测在光轴方向上在第二基板平面中多个位置处的第二基板的位置，以及所述确定步骤基于与所述多个位置对应的多个差来确定多个校正公式。
27.根据权利要求17所述的曝光方法，其中，所述台在沿着与所述光轴方向垂直的平面的方向上执行步进移动。
28.一种曝光装置，其根据步进重复方法曝光第一基板，所述曝光装置包括：
台，被配置成保持并且移动基板；
投影光学系统，被配置成将标记的图案投影到被所述台保持的基板上；
检测器，被配置成检测在所述台上保持的所述基板的投影光学系统的光轴方向上的位置；以及
控制器，被配置成控制所述基板的曝光；
其中，所述控制器被配置成：
控制保持第二基板的所述台以执行步进移动；
在所述步进移动之后，执行第一检测，用于在沿投影光学系统的光轴的方向的光轴方向上，检测在所述台上的第二基板的位置；
基于在所述光轴方向上第二基板的检测位置，执行第一控制，用于控制在所述光轴方向上所述台的位置，以使所述第二基板在所述光轴方向上接近目标位置；
在所述第一控制之后，执行第二检测，用于检测在所述光轴方向上第二基板的位置；
基于在第二检测中检测的在光轴方向上所述第二基板的位置和所述目标位置之间的差，确定用于获取校正值的校正公式，其中，所述校正值被用来控制光轴方向上所述台的位置；
执行第三检测，用于执行保持所述第一基板的所述台的步进移动，并且在所述步进移动之后检测在所述光轴方向上所述台上的第一基板的位置；
执行第二控制，用于基于在第三检测中检测的在光轴方向上所述第一基板的位置和通过使用确定的所述校正公式获取的校正值，控制在所述光轴方向上所述台的位置，以使所述第一基板在所述光轴方向上接近所述目标位置；以及
在第二控制步骤之后曝光所述第一基板。
29.用于确定用来获取校正值的校正公式的确定方法，所述校正值被用于基于步进重复方法控制用于曝光基板的曝光装置的投影光学系统的光轴方向上台的位置，所述确定方法包括：
移动步骤，其执行在保持基板的所述台的步进移动；
第一检测步骤，其在步进移动之后，检测在光轴方向上所述台的基板的位置；
第一控制步骤，其基于第一检测步骤中检测的在光轴方向上所述基板的位置，控制在光轴方向上所述台的位置，使得所述基板接近光轴方向的目标位置；
第二检测步骤，其在第一控制步骤之后，检测在光轴方向上所述基板的位置；以及
确定步骤，其基于在第二检测步骤中检测的在光轴方向上所述基板的位置和目标位置之间的差来确定所述校正公式。
30.一种物品制造方法，其用于基于步进重复方法通过曝光装置曝光第一基板，以及从第一基板制造物品，所述物品制造方法包括：
移动步骤，其执行所述曝光装置的台的步进移动，其中，在所述曝光装置上保持第二基板；
第一检测步骤，其在所述步进移动之后，检测光轴方向上所述台的第二基板的位置，所述光轴方向是沿着所述曝光装置的投影光学系统的光轴的方向；
第一控制步骤，其基于在第一检测步骤中检测的在所述光轴方向上所述第二基板的位置，控制在所述光轴方向上所述台的位置，以使所述第二基板在所述光轴方向上接近目标位置；
第二检测步骤，其在第一控制步骤之后，检测所述光轴方向上所述第二基板的位置；
确定步骤，其基于在第二检测步骤中检测的在光轴方向上所述第二基板的位置和所述目标位置之间的差，确定用于获取校正值的校正公式，其中，所述校正值被用来控制光轴方向上所述台的位置；
第三检测步骤，其执行保持所述第一基板的所述台的步进移动，并且在所述步进移动之后检测在所述光轴方向上所述台上的第一基板的位置；
第二控制步骤，其基于在第三检测步骤中检测的在光轴方向上所述第一基板的位置和在确定步骤中确定的通过使用所述校正公式获取的校正值，控制在所述光轴方向上所述台的位置，以使所述第一基板在所述光轴方向上接近所述目标位置；以及
曝光步骤，其在第二控制步骤之后曝光所述第一基板；
显影步骤，其显影在曝光步骤中曝光的第一基板；
制造步骤，其制造在显影步骤中显影的第一基板。
CN201910132118.2A 2018-02-28 2019-02-22 曝光装置、曝光方法和制造物品的方法 Active CN110209016B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018035418A JP6688330B2 (ja) 2018-02-28 2018-02-28 露光方法、露光装置、決定方法および物品製造方法
JP2018-035418 2018-02-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110209016A CN110209016A (zh) 2019-09-06
CN110209016B true CN110209016B (zh) 2021-09-28

Family

ID=65365870

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910132118.2A Active CN110209016B (zh) 2018-02-28 2019-02-22 曝光装置、曝光方法和制造物品的方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10635005B2 (zh)
EP (1) EP3534212B1 (zh)
JP (1) JP6688330B2 (zh)
KR (1) KR102459126B1 (zh)
CN (1) CN110209016B (zh)
SG (1) SG10201901269PA (zh)
TW (1) TWI712072B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20230211436A1 (en) * 2021-12-30 2023-07-06 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165216A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Nikon Corp 評価方法、走査露光方法及び走査型露光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000208391A (ja) 1999-01-11 2000-07-28 Canon Inc 露光装置および方法ならびにデバイス製造方法
JP4480339B2 (ja) * 2003-04-03 2010-06-16 新光電気工業株式会社 露光装置および露光方法、ならびに描画装置および描画方法
JP2004111995A (ja) 2003-12-17 2004-04-08 Canon Inc 投影露光装置および方法
US7113256B2 (en) * 2004-02-18 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method with feed-forward focus control
KR101133490B1 (ko) * 2004-09-14 2012-04-23 가부시키가이샤 니콘 보정 방법 및 노광 장치
JP2008288347A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Canon Inc 露光装置及びデバイス製造方法
JP5498243B2 (ja) * 2010-05-07 2014-05-21 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法及びデバイス製造方法
CN103782238B (zh) 2011-08-31 2016-08-17 Asml荷兰有限公司 确定聚焦位置修正的方法、光刻处理元和器件制造方法
US8755045B2 (en) * 2012-01-06 2014-06-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Detecting method for forming semiconductor device
JP6071628B2 (ja) * 2013-02-22 2017-02-01 キヤノン株式会社 露光装置、露光方法及びデバイスの製造方法
JP6327861B2 (ja) 2014-01-07 2018-05-23 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、リソグラフィ方法、および物品の製造方法
JP2017090817A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 キヤノン株式会社 露光装置、及び物品の製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165216A (ja) * 2004-12-07 2006-06-22 Nikon Corp 評価方法、走査露光方法及び走査型露光装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019152685A (ja) 2019-09-12
KR20190103974A (ko) 2019-09-05
JP6688330B2 (ja) 2020-04-28
CN110209016A (zh) 2019-09-06
SG10201901269PA (en) 2019-09-27
EP3534212A1 (en) 2019-09-04
TWI712072B (zh) 2020-12-01
KR102459126B1 (ko) 2022-10-26
US10635005B2 (en) 2020-04-28
EP3534212B1 (en) 2023-05-10
US20190265599A1 (en) 2019-08-29
TW201937549A (zh) 2019-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8472009B2 (en) Exposure apparatus and device manufacturing method
US9639008B2 (en) Lithography apparatus, and article manufacturing method
US9910371B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US20240027365A1 (en) Detection apparatus, detection method, exposure apparatus, exposure system, and article manufacturing method
KR102078079B1 (ko) 노광 장치, 노광 방법, 및 물품의 제조 방법
JP2016129212A (ja) 計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
KR20200007721A (ko) 노광 장치 및 물품 제조 방법
CN110209016B (zh) 曝光装置、曝光方法和制造物品的方法
JP2008016828A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2020109531A (ja) 露光装置、露光方法、および物品製造方法
JP2020177149A (ja) 露光装置および物品の製造方法
JP2019138957A (ja) 露光装置の制御方法、露光装置、及び物品製造方法
CN111413850B (zh) 曝光装置、用于控制曝光装置的方法、以及物品制造方法
US11194257B2 (en) Exposure method, exposure apparatus, method of manufacturing article, and measurement method
JP2018081238A (ja) 走査露光装置およびその制御方法ならびに物品製造方法
JP2024066628A (ja) 露光装置、露光方法、及び物品の製造方法
JP2017090778A (ja) 露光方法及び物品の製造方法
TW202314403A (zh) 曝光裝置及物品之製造方法
JP2022088199A (ja) 露光装置、露光方法、決定方法、プログラム及び物品の製造方法
JP2023077924A (ja) 露光装置、露光方法、および物品製造方法
CN117631467A (zh) 信息处理装置、信息处理方法、存储介质、曝光装置、曝光方法和物品制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant