CN117631467A - 信息处理装置、信息处理方法、存储介质、曝光装置、曝光方法和物品制造方法 - Google Patents

Abstract

公开了信息处理装置、信息处理方法、存储介质、曝光装置、曝光方法和物品制造方法。本发明提供了一种信息处理装置，所述信息处理装置包括被配置为生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息的图显示像信息的生成器：与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息；指示在多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及指示通过对多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

Description

信息处理装置、信息处理方法、存储介质、曝光装置、曝光方法 和物品制造方法

技术领域

本发明涉及信息处理装置、信息处理方法、存储介质、曝光装置、曝光方法和物品制造方法。

背景技术

作为半导体设备的制造工艺(光刻工艺)中使用的装置之一，已知通过利用来自投影光学系统的光扫描基板来曝光基板上的多个压射区域(shot region)中的每一个的曝光装置。在曝光装置中，在每个压射区域的曝光处理中，在用光照射之前执行基板的表面位置的测量(聚焦/倾斜测量)的同时，基于测量结果来执行关于基板的高度和姿势中的至少一个的控制(聚焦/倾斜控制)。

在基板上的每个压射区域的曝光处理完成之后，曝光装置的用户有时检查每个压射区域的曝光精度是否满足期望的精度。如果存在曝光精度不满足期望的精度的压射区域，则确认其原因(理由)对于对后续的基板精确地执行曝光处理是重要的。日本专利公开No.2006-165122公开了一种在每个压射区域的曝光处理期间图形化表示基板的表面位置的控制误差(误差z)和姿势的控制误差(误差倾斜(X)、误差倾斜(Y))的技术。

曝光精度的降低有时是由基板上的压射区域的布局以及曝光处理期间的基板上的控制误差引起的。例如，如果在基板上的多个压射区域之间布局具有高度差，则在多个压射区域之间基板的驱动量有时增加，导致基板中的控制残差的增加。日本专利公开No.2006-165122中公开的方法不允许曝光装置的用户确认曝光精度的降低的原因是压射区域的布局。

发明内容

本发明例如提供了有利于允许曝光装置的用户确认曝光精度的降低的原因的技术。

根据本发明的一方面，提供了一种信息处理装置，所述信息处理装置包括生成器，所述生成器被配置为生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示各自通过曝光装置执行曝光处理的基板上的多个压射区域当中的第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及指示通过对所述多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

根据本发明的另一方面，提供了一种处理曝光装置的信息的信息处理方法，所述曝光装置对基板上的多个压射区域中的每一个执行曝光处理，所述方法包括：从所述曝光装置获得信息；以及基于从所述曝光装置获得的信息，生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示各自通过曝光装置执行曝光处理的基板上的多个压射区域当中的第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及指示通过对所述多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

根据本发明的另一方面，提供了一种对基板上的多个曝光区域中的每一个执行曝光处理的曝光装置，所述曝光装置包括：测量设备，所述测量设备被配置为在所述多个压射区域当中的第一压射区域的曝光处理完成之后，测量所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的表面位置；以及控制器，所述控制器被配置为在所述第二压射区域的曝光处理中，基于由所述测量设备获得的测量结果来控制基板的高度和姿势中的至少一个，其中，所述控制器被配置为生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示所述第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及指示通过对多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

根据本发明的另一方面，提供了一种对基板上的多个压射区域中的每一个执行曝光处理的曝光方法，所述方法包括：在所述多个压射区域当中的第一压射区域的曝光处理完成之后，测量所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的表面位置；在所述第二压射区域的曝光处理中，基于所述第二压射区域的表面位置的测量结果来控制基板的高度和姿势中的至少一个；以及生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示所述第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及指示通过对多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

根据本发明的另一方面，提供了一种物品制造方法，包括：对基板上的多个曝光区域中的每一个执行曝光处理；处理在所述曝光中曝光的基板；以及从在所述处理中处理的基板制造物品，其中，所述曝光包括：在所述多个压射区域当中的第一压射区域的曝光处理完成之后，测量所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的表面位置；在所述第二压射区域的曝光处理中，基于所述第二压射区域的表面位置的测量结果来控制基板的高度和姿势中的至少一个；以及生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示所述第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及指示通过对多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

根据参考附图的示例性实施例的以下描述，本发明的其他特征将变得清楚。

附图说明

图1是示出了曝光装置的配置的示例的示意图；

图2是示出了关于第一压射区域和第二压射区域中的每一个的曝光处理要执行的操作的示例的视图；

图3是示出了关于第一压射区域和第二压射区域中的每一个的曝光处理要执行的操作的示例的视图；

图4是示出了关于第一压射区域和第二压射区域中的每一个的曝光处理要执行的操作的示例的视图；

图5是示出了聚焦/倾斜差异的示例的曲线图；

图6是示出了在显示单元上显示差异信息的示例的视图；

图7是示出了曝光装置中的操作过程的流程图；

图8是示出了信息处理装置中的处理过程的流程图；

图9是示出了在显示单元上显示统计信息的示例的视图；

图10A是示出了在显示单元上显示校正值的示例的视图；

图10B是示出了显示聚焦/倾斜差异的预测结果的示例的视图；以及

图11是示出了在第一压射区域和第二压射区域中的每一个的曝光处理期间要执行的操作的示例的视图。

具体实施方式

下文中，将参考附图来详细地描述实施例。注意的是，以下实施例不旨在限制要求保护的本发明的范围。在实施例中描述了多个特征，但是并不限制需要所有这样的特征的发明，并且可以适当地组合多个这样的特征。此外，在附图中，相同的附图标记被赋予相同或相似的配置，并且省略其冗余描述。

在说明书和附图中，将在与基板的表面(上表面)平行的方向被定义为X-Y平面的XYZ坐标系上指示方向。与XYZ坐标系的X轴、Y轴和Z轴平行的方向分别是X方向、Y方向和Z方向。绕X轴的旋转、绕Y轴的旋转和绕Z轴的旋转分别是θX、θY和θZ。关于X轴、Y轴和Z轴的控制或驱动(移动)分别是指关于与X轴平行的方向、与Y轴平行的方向和与Z轴平行的方向的控制或驱动(移动)。另外，关于θX轴、θY轴和θZ轴的控制或驱动分别是指关于绕与X轴平行的轴的旋转、绕与Y轴平行的轴的旋转以及绕与Z轴平行的轴的旋转的控制或驱动。

<第一实施例>

将描述根据本发明的第一实施例的系统S。图1是示出了根据该实施例的系统S的配置的示例的示意图。根据实施例的系统S可以包括曝光装置100和信息处理装置200。曝光装置100用于半导体设备等的制造工艺(光刻工艺)，并且对基板上的多个压射区域中的每一个执行曝光处理。根据实施例的曝光装置100是在通过步进和扫描方法扫描基板的同时对基板上的多个压射区域中的每一个执行曝光处理的扫描曝光装置。在这样的曝光处理中，通过关于从投影光学系统发射的曝光光(狭缝光或图案光)扫描基板来对基板上的压射区域执行扫描曝光，并且原件的图案可以被转印到基板上的压射区域上。下面将举例说明中间掩模(reticle)LT被用作原件并且晶片WF被用作基板的情况。然而，注意的是，说明书中的术语“基板”与晶片WF同义。

首先，将描述曝光装置100的配置的示例。曝光装置100可以包括照明光学系统8、中间掩模台4、投影光学系统9、晶片台7、对准检测器10、聚焦/倾斜测量设备11和控制器12。

照明光学系统8将从光源(未示出)发射的光成形为狭缝光，并且用狭缝光照明中间掩模LT。中间掩模LT由石英玻璃等制成，并且形成有要转印到晶片WF上的每个压射区域上的图案(例如，电路图案)。中间掩模台4包括保持中间掩模LT的卡盘，并且可以在X轴方向和Y轴方向中的至少一个上移动。在晶片WF上的每个压射区域的曝光处理期间，沿着与投影光学系统9的光轴AX垂直的Y方向扫描中间掩模台4。曝光处理可以被定义为在晶片WF上的压射区域被用从投影光学系统9发射的曝光光(狭缝光)照射而被曝光的时段期间的处理。

投影光学系统9将用来自照明光学系统8的光照明的中间掩模LT上的图案的图像以预定的倍率(例如，1/2至1/5)投影到晶片WF上。晶片WF是表面涂覆有抗蚀剂(光敏剂)的由例如单晶硅制成的基板。晶片台7包括保持晶片WF的卡盘，并且可以在X、Y和Z轴方向以及作为绕各个轴的旋转方向的θX、θY和θZ方向上移动(旋转)。在晶片WF上的每个压射区域的曝光处理期间，沿着与投影光学系统9的光轴AX垂直的Y方向扫描晶片台7。

对准检测器10例如包括将检测光投影在晶片WF上的参考标记上的投影系统、以及接收来自参考标记的反射光的光接收系统，并且检测晶片WF在X方向和Y方向上的位置(对准位置)。在该实施例中，对准检测器10被配置为可以在不经由投影光学系统9的情况下光学地检测晶片WF上的参考标记的离轴对准检测系统。

聚焦/倾斜测量设备11执行由晶片台7保持的晶片WF的表面位置的测量(聚焦/倾斜测量)。可以通过在多个点处执行聚焦测量来测量晶片WF的倾斜(姿势、倾斜度)。聚焦/倾斜测量设备11可以被理解为焦平面检测设备。根据该实施例的聚焦/倾斜测量设备11被配置为将光倾斜地施加到晶片WF的倾斜入射型，并且可以包括将用于测量的多个光束投影到晶片WF上的投影单元11a、以及接收由投影单元投影到晶片WF上并被晶片WF反射的多个光束的光接收单元11b。聚焦/倾斜测量设备11可以测量多个光束通过投影单元11a进入的晶片WF上的多个部分中的每一个处的表面位置(表面高度)。

控制器12由例如包括诸如中央处理单元(CPU)之类的处理器和诸如存储器之类的存储单元的计算机配置，并且可以全面地控制曝光装置100的各个构成元件的操作、调整等。控制器12经由线路连接到曝光装置100的每个构成元件，并且可以通过根据存储在存储单元中的程序等控制每个构成元件来对晶片WF上的每个压射区域执行曝光处理。例如，控制器12以与投影光学系统9的投影倍率对应的速度比相对地扫描中间掩模台4和晶片台7，同时利用晶片台7控制指示晶片WF的高度和姿势(倾斜)中的至少一个的基板状态。这使得可以使用来自投影光学系统9的曝光光照射的照射区域(即，通过投影光学系统9投影中间掩模LT的图案的图像的区域)在晶片WF上的压射区域上移动，由此将中间掩模LT的图案转印到压射区域上。可以通过对晶片WF上的各个压射区域顺次地执行这样的曝光处理(扫描曝光)来完成单个晶片WF的曝光处理。注意的是，指示晶片WF的高度和姿势(倾斜)中的至少一个的基板状态在下文中有时被称为“聚焦/倾斜”。

接下来，将描述信息处理装置200的配置的示例。信息处理装置200与曝光装置100可通信地连接，并且可以包括处理器13、显示单元17(显示设备)和输入单元18(输入设备)。处理器13由包括诸如CPU(中央处理单元)之类的处理器和诸如存储器之类的存储单元的计算机配置。根据该实施例的处理器13可以包括从曝光装置100获得信息的获得单元14(获得器)、基于由获得单元14获得的信息来控制显示单元17的显示控制单元15、以及向曝光装置100供应(发送、提供)信息的供应单元16(供应器)。显示控制单元15用作基于由获得单元14获得的信息来生成要在显示单元17上显示的图像信息的生成单元(生成器)，并且在下文中有时被称为“生成单元15”。获得单元14和供应单元16可以被理解为形成通过通信向曝光装置100发送信息并从曝光装置100接收信息的通信单元的单元。显示单元17例如是显示器，并且在显示控制单元15的控制下显示信息。输入单元18例如是鼠标或键盘，并且接受来自用户的指令输入。显示单元17和输入单元18可以被理解为形成用户界面的单元。

根据该实施例的信息处理装置200与曝光装置100分开配置(在单独的壳体中)。然而，信息处理装置200可以与曝光装置100的其他部分一体地配置(在同一壳体中)作为曝光装置100的构成元件。在这种情况下，曝光装置100的控制器12可以具有信息处理装置200的处理器13的功能。该实施例举例说明了信息处理装置200包括显示单元17和显示控制单元15的情况。然而，显示单元17和显示控制单元15可以设置在信息处理装置200的外部，并且可以设置在例如曝光装置100或外部计算机中。在这种情况下，位于信息处理装置200外部的显示控制单元15基于由设置在信息处理装置200中的生成单元15生成的图像信息来控制显示单元17上的显示。尽管该实施例举例说明了信息处理装置200包括输入单元18的情况，但输入单元18可以设置在信息处理装置200的外部。

[每个压射区域的曝光处理]

接下来，将参考图2至图4描述晶片WF上的多个压射区域中的每一个的曝光处理(扫描曝光)。按预定的顺序对晶片WF上的多个压射区域中的每一个顺次地执行曝光处理。出于容易理解的缘故，将使下面的描述关注于晶片WF上的多个压射区域当中的按曝光处理的顺序连续的两个压射区域(第一压射区域21和第二压射区域22)。第一压射区域21和第二压射区域22不指示晶片WF上的特定的压射区域，而是简单地指示从晶片WF上的多个压射区域中任意选择的压射区域。即，第一压射区域21指示第二压射区域之前的一个区域的第(i-1)个压射区域(先前的压射区域)。第二压射区域22指示在第一压射区域21之后执行曝光处理的第i个压射区域(后续的压射区域)。注意的是，“i”代表自然数。

图2至图4示出了关于第一压射区域21和第二压射区域22中的每一个的曝光处理要执行的操作的示例。图2至图4除了第一压射区域21和第二压射区域22之外还示出了用来自投影光学系统9的曝光光照射的照射区域23和多个测量点24，聚焦/倾斜测量设备11在每个测量点24处执行聚焦/倾斜测量。聚焦/倾斜测量是表面位置的测量。参考图2至图4，虚线箭头P指示照射区域23和多个测量点24相对于晶片WF(第一压射区域21和第二压射区域22)的移动路径。根据该实施例的曝光装置100(控制器12)在每个压射区域的曝光处理中在用曝光光进行照射区域23的照射之前，在多个测量点24处执行聚焦测量，并且基于测量结果来同时执行晶片WF的聚焦/倾斜控制。

如图2中所示，在第一压射区域21的曝光处理中，在+Y方向上扫描晶片WF，并且在用曝光光进行照射区域23的照射之前，通过使用多个测量点24当中的测量点24a，顺次地执行聚焦/倾斜测量。基于测量点24a处的测量结果顺次地控制晶片WF的聚焦/倾斜，以便将照射区域23内的晶片表面(基板表面)放置在投影光学系统9的最佳聚焦位置(图像形成位置)处。在第一压射区域21的曝光处理完成之后，如图3中所示，晶片WF步进地移动，以将照射区域23放置在第二压射区域22的曝光处理开始的位置(曝光开始位置)。

如图4中所示，在第二压射区域22的曝光处理中，在-Y方向上扫描晶片WF，并且在用曝光光进行照射区域23的照射之前，通过使用多个测量点24当中的测量点24b，顺次地执行聚焦/倾斜测量。基于测量点24b处的测量结果顺次地控制晶片WF的聚焦/倾斜，以便将照射区域23内的晶片表面放置在投影光学系统9的最佳聚焦位置处。当在晶片WF的步进移动中(参见图3)测量点24b进入第二压射区域22时，开始测量点24b处的聚焦/倾斜测量以及基于测量结果的晶片WF的聚焦/倾斜控制。

[差异信息的显示]

在晶片WF上的每个压射区域的曝光处理完成之后，曝光装置100的用户有时检查每个压射区域的曝光精度(例如，重叠精度或线宽)是否满足期望的精度。如果存在曝光精度不满足期望的精度的压射区域，则确认其原因(理由)对于对后续的晶片WF精确地执行曝光处理是重要的。

曝光精度的降低的一个原因是第一压射区域21(先前的压射区域)的曝光处理的结束时间与第二压射区域22(后续的压射区域)的曝光处理的开始时间之间的聚焦/倾斜差异。取决于这样的聚焦/倾斜差异，在第一压射区域21的曝光处理的结束时间与第二压射区域22的曝光处理的开始时间之间，晶片WF(基板)的驱动量增加。因此，在第二压射区域22的曝光处理的开始之后，晶片WF中的控制残差可能增加，导致曝光精度的降低。

例如，图5示出了第一压射区域21的曝光处理的结束时间t1与第二压射区域22的曝光处理的开始时间t2之间的晶片WF中的聚焦/倾斜差异的示例。如上所述，在第二压射区域22的曝光处理中，当测量点24b进入第二压射区域22时，开始测量点24b处的聚焦测量和晶片WF的聚焦/倾斜控制。因此，取决于聚焦/倾斜差异，需要急剧地驱动晶片WF。这可能在第二压射区域22的曝光处理中增加晶片WF中的控制残差。

在根据该实施例的信息处理装置200中，处理器13(生成单元15)生成用于使显示单元17显示差异信息(显示信息)的图像信息，该差异信息是与指示第一压射区域21的高度和姿势中的至少一个的第一信息和指示第二压射区域22的高度和姿势中的至少一个的第二信息之间的差异对应的信息。在该实施例中，将描述以下示例：第一信息是指示在第一压射区域21的曝光处理(扫描曝光)的结束时间基板状态的信息，并且第二信息是指示在第二压射区域22的曝光处理(扫描曝光)的开始时间基板状态的信息。差异信息可以是指示第一信息与第二信息本身之间的差异的信息，或者可以是通过处理(计算或修改)该差异而获得的信息。

如上所述，基板状态是基板(晶片WF)的高度和姿势中的至少一个，并且有时被称为“聚焦/倾斜”。因此，根据该实施例的差异信息是指示第一压射区域21的曝光处理的结束时间的聚焦/倾斜与第二压射区域22的曝光处理的开始时间的基于聚焦/倾斜测量设备11的测量结果而控制的聚焦/倾斜之间的差异的信息。通过将这样的差异信息作为图像信息显示在显示单元17上，曝光装置100的用户可以确认曝光精度的降低的原因是否是第一压射区域21的曝光处理的结束时间与第二压射区域22的曝光处理的开始时间之间的聚焦/倾斜差异。注意的是，在下面的描述中，第一压射区域21的曝光处理的结束时间与第二压射区域22的曝光处理的开始时间之间的聚焦/倾斜差异有时被简单地称为“聚焦/倾斜差异”。

在该实施例中，第一信息是指示第一压射区域21的曝光处理的结束时间的基板状态的信息，并且第二信息是指示第二压射区域22的曝光处理的开始时间的基板状态的信息。然而，这不是排他性的，并且例如，第二信息可以是指示从开始第一压射区域21的曝光处理直到开始第二压射区域22的曝光处理为止测量的第二压射区域22的测量结果的信息。在这种情况下，差异信息可以是与指示第一压射区域21的曝光处理的结束时间的基板状态的第一信息和指示从开始第一压射区域21的曝光处理直到开始第二压射区域22的曝光处理为止测量的第二压射区域22的测量结果的第二信息之间的差异对应的信息。也可以结合以上描述。测量结果是通过测量基板的表面位置而获得的基板的高度和姿势(倾斜)中的至少一个，并且例如通过由聚焦/倾斜测量设备11测量基板的表面位置来获得。基板状态可以基于通过测量基板的表面位置而获得的测量结果(测量值)本身来确定，或者可以基于基板的表面位置的目标值本身来确定。基板状态可以基于目标值与测量值之间的偏差来确定，或者可以基于根据偏差生成的用于驱动晶片台7的命令值(在高度方向、倾斜方向或旋转方向上的驱动命令值)来确定。

此外，第一信息可以是指示第一压射区域21的测量结果的信息，并且第二信息可以是指示第二压射区域22的测量结果的信息。在这种情况下，差异信息可以是与指示第一压射区域21的测量结果的第一信息和指示第二压射区域22的测量结果的第二信息之间的差异对应的信息。例如，差异信息可以是与指示第一压射区域21的曝光处理结束的位置处的测量结果的第一信息和指示第二压射区域22的曝光处理开始的位置处的测量结果的第二信息之间的差异对应的信息。测量结果具有与以上相同的定义，并且可以是例如通过由聚焦/倾斜测量设备11测量基板的表面位置而获得的基板的高度和姿势中的至少一个。

根据该实施例的曝光开始时间(即，曝光处理的开始时间)不需要与压射区域的曝光开始的定时一致。类似地，根据该实施例的曝光开始位置(即，曝光处理开始的位置)不需要与压射区域的曝光开始的压射区域的开始边缘的位置一致。例如，在压射区域具有畸变的情况下，曝光开始位置可以被设置为相对于开始边缘的压射区域内的位置，并且曝光开始时间可以被设置为曝光开始位置被曝光的定时。可替换地，曝光开始位置可以被设置为在压射区域的曝光开始之后晶片台7的稳定驱动开始的位置，并且曝光开始时间可以被设置为曝光开始位置被曝光的定时。可替换地，在由于聚焦/倾斜测量设备11的采样时段(即，测量时段)而导致测量基板的表面位置的位置偏离了压射区域的开始边缘的位置的情况下，曝光开始位置可以被设置为偏离开始边缘的位置，并且曝光开始时间可以被设置为曝光开始位置被曝光的定时。

以这种方式，根据该实施例的曝光开始位置可以被设置为曝光开始的压射区域的开始边缘的位置，或者可以位于其附近。根据该实施例的曝光开始时间可以被设置为压射区域的曝光开始的定时，或者可以是从其偏移的定时。曝光结束时间(即，曝光处理的结束时间)和曝光结束位置(即，曝光处理结束的位置)可以以与曝光开始时间和曝光开始位置相同的方式设置。根据该实施例的曝光结束位置可以被设置为曝光结束的压射区域的结束边缘的位置，或者可以位于其附近。根据该实施例的曝光结束时间可以被设置为压射区域的曝光结束的定时，或者可以是从其偏移的定时。

关于曝光开始位置和曝光结束位置中的每一个，将详细描述容许的偏差量。例如，曝光开始位置可以是从压射区域的开始边缘的位置到扫描方向上的压射区域的长度的1/3(优选地，1/5)的位置的范围内的任何位置。曝光开始时间可以是执行在该范围内确定的曝光开始位置的曝光的定时。此外，例如，曝光结束位置可以是从相对于压射区域的开始边缘的位置的扫描方向上的压射区域的长度的2/3(优选地，4/5)的位置到压射区域的结束边缘的位置的范围内的任何位置。换句话说，曝光结束位置可以是从压射区域的结束边缘的位置到扫描方向上的压射区域的长度的1/3(优选地，1/5)的位置的范围内的任何位置。曝光结束时间可以是执行在该范围内确定的曝光结束位置的曝光的定时。注意的是，“曝光”可以被定义为用来自投影光学系统9的光照射基板，并且“曝光处理”可以被定义为用来自投影光学系统9的光照射压射区域的处理。

在该实施例中，处理器13(获得单元14)可以获得由曝光装置100的控制器12获得的差异信息(即，指示聚焦/倾斜差异的信息)。在这种情况下，处理器13(生成单元15)使显示单元17显示从曝光装置100获得的差异信息。即，生成单元15生成用于使显示单元17显示从曝光装置100获得的差异信息的图像信息。然而，处理器13(获得单元14)可以获得指示第一压射区域21的高度和姿势中的至少一个的第一信息和指示第二压射区域22的高度和姿势中的至少一个的第二信息。在这种情况下，处理器13(生成单元15)基于从曝光装置100获得的第一信息和第二信息来生成差异信息，并且使显示单元17显示生成的差异信息。即，生成单元15基于从曝光装置100获得的第一信息和第二信息来生成差异信息，并且生成用于使显示单元17显示生成的差异信息的图像信息。

图6示出了显示单元17上的差异信息的显示示例。图6中的示例将根据晶片WF上的多个压射区域SH的布局在晶片WF上的压射区域SH的各个位置处以颜色浓度表示聚焦/倾斜差异的大小的分布作为差异信息显示。差异信息的显示除了与晶片WF上的多个压射区域SH的布局相匹配的显示以外还可以包括以表格等形式的显示。此外，差异信息的显示除了按不同的颜色浓度的显示以外还可以包括按颜色类型、数值等的显示以及按叠加有数值的不同的颜色浓度和类型的显示。即，只要用户可以视觉地识别差异信息，就可以使用任何类型的显示。生成单元15生成要由显示单元17显示的差异信息的图像信息，以便使得用户能够通过使用以上显示示例中的至少一个视觉地识别差异信息。

另外，在多个晶片WF(基板)上方执行曝光处理的情况下，生成单元15可以在压射区域的各个位置处将多个晶片WF中的聚焦/倾斜差异的代表值作为差异信息显示在显示单元17上。即，生成单元15可以生成用于使显示单元17在压射区域的各个位置处将多个晶片WF中的聚焦/倾斜差异的代表值作为差异信息显示的图像信息。代表值包括例如平均值、中值、最大值和众数值。

在差异信息中的聚焦/倾斜差异大的情况下，在第一压射区域21的曝光处理的结束时间和第二压射区域22的曝光处理的开始时间之间(即，在晶片WF的步进移动期间)的晶片WF的驱动量增加。当驱动量大时，如上所述，这引起第二压射区域22的曝光处理开始之后的晶片WF中的控制残差和聚焦/倾斜测量设备11中的误差的增加。另外，在压射区域位于晶片WF的边缘部分的情况下，可能引起诸如检测晶片WF的倾斜分量失败和由于有限数量的测量点而导致聚焦/倾斜测量精度的降低之类的问题。由于这样的问题作为差异信息被显示在显示单元17上，因此曝光装置100的用户可以通过经由显示单元17检查差异信息来容易且适当地确认曝光精度的降低的原因。

在该实施例中，作为差异信息，已举例说明与第一压射区域21的曝光结束时间和第二压射区域22的曝光开始时间之间的基板状态或测量结果的差异对应的信息。然而，这不是排他性的，并且例如，差异信息可以是与扫描方向上的第一压射区域21的中央部分和扫描方向上的第二区域22的中央部分之间的基板状态或测量结果的差异对应的信息。即，差异信息可以是与在第一压射区域21的曝光处理期间基板状态和在第二压射区域22的曝光处理期间基板状态之间的差异对应的信息。另外，差异信息不是基于压射区域中的位置，而是可以是与通过测量第一压射区域21的内部而获得的测量结果和通过测量第二压射区域22的内部而获得的测量结果之间的差异对应的信息。可替换地，差异信息可以是与通过对第一压射区域21中的多个位置处的基板状态或测量结果进行平均而获得的聚焦/倾斜值和通过对第二压射区域22中的多个位置处的基板状态或测量结果进行平均而获得的聚焦/倾斜值之间的差异对应的信息。注意的是，中央部分可以被定义为相对于压射区域的重心(中心)在扫描方向上以及其相反方向上具有预定的宽度的范围。预定宽度可以被设置为扫描方向上的压射区域的长度的1/3(优选地，1/5)。

在该实施例中，已描述将作为曝光处理的扫描曝光中的差异信息显示到显示单元17的示例，但可以将作为曝光处理的步进曝光中的差异信息显示到显示单元17。在这种情况下，如上所述，差异信息可以是与指示在第一压射区域21的曝光处理(步进曝光)期间基板状态的第一信息和指示在第二压射区域22的曝光处理(步进曝光)期间基板状态的第二信息之间的差异对应的信息。可替换地，差异信息不是基于压射区域中的位置，而是可以是与指示通过测量第一压射区域21的内部而获得的测量结果的第一信息和指示通过测量第二压射区域22的内部而获得的测量结果的第二信息之间的差异对应的信息。在每个压射区域中多次获得基板状态或测量结果的情况下，差异信息可以是与第一压射区域21和第二压射区域22之间的每个压射区域中的中央部分处获得的基板状态或测量结果中的差异对应的信息。差异信息可以是与当获得差异时变为最大的组合的差异对应的信息。可替换地，差异信息可以是与指示通过对第一压射区域21中的多个位置处的基板状态或测量结果进行平均而获得的聚焦/倾斜值的第一信息和指示通过对第二压射区域22中的多个位置处的基板状态或测量结果进行平均而获得的聚焦/倾斜值的第二信息之间的差异对应的信息。

根据晶片WF上的多个压射区域的布局显示差异信息允许用户视觉地确认受到由于晶片WF中发生的起伏、晶片WF的接合等引起的结构特性影响的地方。即，用户可以适当地识别聚焦/倾斜差异对晶片WF的制造工艺的影响。这可以造成制造工艺的改善。

另外，除了聚焦/倾斜差异之外，曝光精度的降低的原因还可以包括例如晶片WF的起伏、透镜相关的焦点位置误差、空气条件的影响和传输到曝光装置的振动。然而，如在该实施例中，通过关注于聚焦/倾斜差异并且显示指示聚焦/倾斜差异的差异信息，用户可以从聚焦/倾斜差异的观点容易且适当地确认曝光精度的降低的原因。即，从聚焦/倾斜差异的观点确认原因有助于改善晶片WF的制造工艺。

[校正值的生成]

根据该实施例的曝光装置100可以获得(确定)用于校正聚焦/倾斜以减小聚焦/倾斜差异的校正值。对于压射区域的各个位置计算校正值，并且可以将校正值应用到后续的晶片WF(第二基板)上的各个压射区域。

例如，在通过使用第一晶片WF(第一基板)获得聚焦/倾斜差异的情况下，控制器12计算(生成)用于驱动晶片(晶片台7)以在步进移动期间减小聚焦/倾斜差异的校正值。该实施例中的校正值校正第二压射区域22的曝光处理的开始时间的基板状态的高度(聚焦)和姿势(姿态、倾斜)中的至少一个。在该实施例中，在将校正值被应用时的第二压射区域22的曝光处理的开始时的基板状态设置为目标值(目标聚焦值、目标倾斜值)时，驱动晶片(晶片台7)。注意的是，校正值可以被配置为校正第二压射区域22的曝光处理的开始时间的晶片台7(基板保持单元)上的基板的高度(聚焦)和姿势(姿态、倾斜)中的至少一个。即，校正值是要被用于校正晶片台7的目标值(例如，目标位置、目标坐标、目标聚焦值或目标倾斜值)或基板状态的值。

对于压射区域的各个位置计算校正值并且将校正值存储在存储单元中。控制器12可以将校正值应用到在第一晶片WF之后执行曝光处理的第二晶片WF(第二基板)上的每个压射区域。更具体地，在第二晶片WF中的先前的压射区域(第一压射区域21)的曝光处理结束之后并且后续的区域(第二压射区域22)上的聚焦/倾斜测量开始之前，基于校正值来控制第二晶片WF的聚焦/倾斜。即，基于第一晶片WF的曝光处理中的聚焦/倾斜(其驱动历史)而获得的校正值是用于校正关于第二晶片WF的曝光处理的基板状态或晶片台7的目标值的值。

通过以这种方式应用校正值，可以在聚焦/倾斜测量开始之前开始聚焦/倾斜控制。与在聚焦/倾斜测量开始之后开始聚焦/倾斜控制而不应用校正值的情况相比，这使得可以减少晶片的急剧驱动。即，应用校正值可以减少曝光处理中的晶片中的控制残差。

控制器12可以通过使用第一晶片WF对于压射区域的各个位置获得校正值，并且将对于第一晶片WF上的多个压射区域当中的由用户选择的压射区域而获得的校正值应用到第二晶片WF。例如，信息处理装置200的显示控制单元15使显示单元17根据晶片WF上的压射区域的布局对于压射区域的各个位置显示差异信息，从而允许用户选择是否要对压射区域的各个位置应用校正值。即，生成单元15生成用于使显示单元17根据晶片WF上的压射区域的布局来对于压射区域的各个位置显示差异信息以允许用户选择是否要对于压射区域的各个位置应用校正值的图像信息。在这种情况下，用户可以通过参考对于压射区域的各个位置在显示单元17上显示的差异信息，经由输入单元18选择应该应用校正值的压射区域的位置。由供应单元16将由用户选择的压射区域的位置信息供应到曝光装置100(控制器12)。这使得曝光装置100的控制器12能够将校正值应用到后续的第二晶片WF上的多个压射区域当中的、位于与由用户选择的压射区域的位置相同的位置处的给定的压射区域。

控制器12可以在用户不进行选择的情况下确定要被应用到第二晶片WF的校正值。更具体地，控制器12可以将对于第一晶片WF上的多个压射区域当中的、具有等于或大于阈值的聚焦/倾斜差异的压射区域获得的校正值应用到第二晶片WF。这使得可以将校正值仅应用到预测曝光精度大幅降低的压射区域。换句话说，由于校正值的应用，这可以减少将校正值应用到表现出曝光精度的降低的可能性高的压射区域。

注意的是，控制器12可以通过使用机器学习来选择校正值。然而，机器学习不提供100％的结果。因此，为了提高精度，用户期望选择校正值。在该实施例中，如上所述，差异信息作为使得用户能够选择校正值的用于确定的信息(评估指数)被显示在显示单元17上。另外，尽管机器学习需要足够的学习数据，但因为晶片的预处理和曝光条件顺次地改变，所以难以准备足够的学习数据。在该实施例中，由于差异信息被显示在显示单元17上，因此用户可以选择将要应用校正值的压射区域，从而消除了对使用需要足够的学习数据的机器学习的需要。

[曝光装置中的操作过程]

将参考图7描述根据该实施例的曝光装置100中的操作过程。图7是示出了根据该实施例的曝光装置100中的操作过程的流程图。图7中的流程图中的每个步骤都可以由控制器12执行。在图7中的流程图开始之前，通过使用晶片传送机构(未示出)将晶片WF传送到晶片台7上。

在步骤S11中，控制器12通过晶片台7执行晶片WF的步进移动，以便将目标压射区域布置到曝光开始位置。目标压射区域是晶片WF上的多个压射区域当中的要执行曝光处理的压射区域。预先设置晶片WF上的多个压射区域中的每一个的曝光处理的顺序。在步骤S12中，控制器12对目标压射区域执行曝光处理。在曝光处理中，如上所述，控制器12在用曝光光进行照射区域23的照射之前使聚焦/倾斜测量设备11执行聚焦/倾斜测量，并且同时基于测量结果来控制晶片WF的聚焦/倾斜。在步骤S13中，控制器12将在步骤S12中获得的聚焦/倾斜测量的测量结果存储在存储单元中。

在步骤S14中，控制器12获得作为步骤S12中的曝光处理的开始时间的聚焦/倾斜与先前的压射区域的曝光处理的结束时间的聚焦/倾斜之间的差异的聚焦/倾斜差异作为差异信息。以上已经描述聚焦/倾斜差异，因此将省略其详细描述。在已对多个晶片WF执行曝光处理的情况下，可以获得多个晶片WF中的聚焦/倾斜差异的代表值(例如，平均值)作为差异信息。另外，关于晶片WF上的多个压射区域当中的、要第一次执行曝光处理的压射区域，不能获得聚焦/倾斜差异，因此可以省略步骤S14。

在步骤S15中，控制器12确定是否存在尚未执行曝光处理的任何压射区域(下文中有时被称为下一个压射区域)。如果存在下一个压射区域，则在下一个压射区域被设置为目标区域之后，处理前进至步骤S11。与此相反，如果不存在下一个压射区域，即，已对晶片WF上的所有压射区域执行了曝光处理，则处理前进至步骤S16。

在步骤S16中，控制器12基于在步骤S14中获得的聚焦/倾斜差异来获得用于校正聚焦/倾斜以减小聚焦/倾斜差异的校正值。对于压射区域的各个位置获得校正值。如上所述，多个压射区域当中的、由用户根据差异信息的显示而选择的压射区域的校正值可以被应用到后续的晶片。可替换地，多个压射区域当中的、聚焦/倾斜差异等于或大于阈值的压射区域的校正值可以被应用到后续的晶片。每当重复晶片的曝光处理时，对于压射区域的各个位置，可以顺次地改变校正值。

在步骤S17中，控制器12确定是否存在尚未执行曝光处理的任何晶片(下文中有时被称为下一个晶片WF)。如果存在下一个晶片WF，则在通过使用晶片传送机构(未示出)改变(替换)晶片台7上的晶片WF之后，处理前进至步骤S11。与此相比，如果不存在下一个晶片WF，则在通过使用晶片传送机构(未示出)从晶片台7卸载晶片WF之后，流程图结束。

[信息处理装置中的处理过程]

将参考图8描述根据该实施例的信息处理装置200中的处理过程。图8是示出了根据该实施例的信息处理装置200中的处理过程的流程图。图8中的流程图中的每个步骤可以由处理器13执行。例如，图8中的流程图可以在每当在图7中的流程图中完成一个晶片的曝光处理时执行。

在步骤S21中，处理器13(获得单元14)对于压射区域的各个位置从曝光装置100获得在曝光装置100中确定的差异信息。在步骤S22中，处理器13(显示控制单元15)将对于压射区域位置的各个位置在步骤S21中获得的差异信息显示在显示单元17上。即，生成单元15生成用于将对于压射区域的各个位置在步骤S21中获得的差异信息显示在显示单元17上的图像信息。例如，处理器13可以根据晶片WF上的压射区域的布局对于压射区域的各个位置将差异信息显示在显示单元17上、或者可以生成用于显示这样的差异信息的图像信息。这使得用户能够适当地确认曝光精度的降低的原因是否是聚焦/倾斜差异。

在步骤S23中，处理器13确定是否存在用户经由输入单元18选择的任何压射区域。如果存在由用户选择的压射区域，则处理前进至步骤S24。在步骤S24中，处理器13(供应单元16)将由用户选择的压射区域的位置信息供应(发送)到曝光装置100。这使得曝光装置100能够将校正值仅应用到后续的晶片(基板)中的多个压射区域当中的、位于与由用户选择的压射区域相同的位置处的压射区域。即，可以根据来自用户的请求将校正值应用到后续的晶片上的每个压射区域。

如上所述，根据该实施例的信息处理装置200生成用于使显示单元17显示差异信息(显示信息)的图像信息，差异信息是与指示第一压射区域21(先前的压射区域)的高度和姿势中的至少一个的第一信息和指示第二压射区域22(后续的压射区域)的高度和姿势中的至少一个的第二信息之间的差异对应的信息。这使得曝光装置100的用户能够基于显示单元17上显示的信息来适当地确认曝光精度的降低的原因是否是聚焦/倾斜差异。

该实施例已举例说明通过测量基板的表面位置而获得的测量结果和基板状态。然而，这些信息对应于晶片台7(基板保持单元)的状态(基板保持单元状态)。晶片台7的状态是当晶片台7被驱动时的聚焦/倾斜的状态或位置。即，显示信息可以是作为指示第一压射区域21的曝光处理的结束时间的基板保持单元状态与第二压射区域的曝光处理的开始时间的基板保持单元状态之间的差异的信息而生成的差异信息。基板保持单元状态指示晶片台7(基板保持单元)的状态。可替换地，显示信息可以是作为指示第一压射区域21的曝光处理的结束时间的基板保持单元状态与从第一压射区域21的曝光处理的开始直到第二压射区域22的曝光处理的开始为止测量的第二曝光区域22的测量结果之间的差异的信息而生成的差异信息。

<第二实施例>

将描述根据本发明的第二实施例。该实施例将描述以下示例：在多个晶片WF上方执行曝光处理，并且在压射区域的各个位置处，在显示单元17上显示指示多个晶片WF中的聚焦/倾斜差异的离散度的统计信息(离散度信息、第二信息)。在该示例中，在多个晶片WF上方执行曝光处理的情况下，生成单元15在压射区域的各个位置处生成用于使显示单元17显示指示多个晶片WF中的聚焦/倾斜差异的离散度的统计信息的图像信息。注意的是，该实施例基本上继承了第一实施例，并且除了下面描述的事项之外的事项可以符合第一实施例。

图9示出了显示单元17上的统计信息的显示示例。在图9中的示例中，统计信息由圆的大小表示，并且在显示单元17上被重叠在差异信息(显示信息)上。统计信息中的聚焦/倾斜差异的离散度包括标准差和偏度。以这种方式显示统计信息使得用户能够进一步适当地确认曝光精度的降低的原因是否是聚焦/倾斜差异并且进一步正确地选择将要应用校正值的压射区域。例如，用户可以基于统计信息的显示来确定校正值是否优选地不应用到表现出相对大的离散度的压射区域的位置处。另外，显示包括差异信息和统计信息的多条信息使得用户能够基于该多条信息来进一步正确地识别聚焦/倾斜差异对晶片WF的制造工艺的影响。这可以造成制造工艺的改善。

在图9中的示例中，差异信息用颜色浓度来表示，并且统计信息用圆的大小来表示。然而，这不是排他性的，并且差异信息和统计信息可以用其他显示形式来表示。例如，差异信息可以用颜色类型来表示，并且统计信息可以用气泡图来表示。另外，差异信息和统计信息可以单独地显示在显示单元17上。

<第三实施例>

将描述根据本发明的第三实施例。该实施例将描述对于压射区域的各个位置计算的校正值被显示在显示单元17上的示例。在该示例中，生成单元15生成用于使显示单元17显示对于压射区域的各个位置计算的校正值的图像信息。注意的是，该实施例基本上继承了第一实施例，并且除了下面描述的事项之外的事项可以符合第一实施例。第二实施例可以应用到第三实施例。

图10A示出了显示单元17上的校正值的显示示例。在图10A中的示例中，根据晶片WF上的多个压射区域SH的布局，对于压射区域的各个位置用颜色浓度来表示校正值(即，用于聚焦/倾斜校正的晶片的驱动量)的大小。校正值的显示不限于与晶片WF上的多个压射区域SH的布局相匹配的显示，并且可以使用表格等来显示。校正值的显示不限于使用颜色浓度的显示，并且可以是使用颜色类型、数值等的显示或具有重叠在颜色浓度和类型上的数值的显示。

显示控制单元(生成单元)15可以对于压射区域的各个位置预测当校正值被应用到后续的晶片WF(第二基板)时残余的聚焦/倾斜差异，并且将预测结果显示在显示单元17上。即，生成单元15可以对于压射区域的各个位置预测当校正值被应用到后续的晶片WF(第二基板)时残余的聚焦/倾斜差异，并且生成用于将预测结果显示在显示单元17上的图像信息。图10B示出了当校正值被应用到后续的晶片WF上的各个压射区域SH时残余的聚焦/倾斜差异的预测结果的显示示例。这使得用户能够基于预测结果的显示来确认当校正值被应用到后续的晶片WF时聚焦/倾斜差异减小了多少以及聚焦/倾斜差异残留了多少。即，用户还可以基于预测结果的显示经由输入单元18进一步适当地选择应该应用校正值的压射区域。

在这种情况下，除了当校正值被应用时的聚焦/倾斜差异的预测结果(图10B)之外，控制器12还可以将校正值没有被应用时的聚焦/倾斜差异的预测结果显示在显示单元17上。在这种情况下，用户可以将应用校正值时的预测结果与没有应用校正值时的预测结果进行比较，因此可以识别通过应用校正值而获得的效果。即，用户可以直观地理解校正值的有效性，并且还使用该有效性来确定是否要将校正值应用到后续的晶片。

<第四实施例>

将描述根据本发明的第四实施例。注意的是，该实施例基本上继承了第一实施例，并且除了下面描述的事项之外的事项可以符合第一实施例。第二实施例和第三实施例可以应用到第四实施例。

在以上第一实施例中，压射区域的各个位置的差异信息被表示为一个指标。然而，差异信息(显示信息)可以被划分成多个方向分量并且显示在显示单元17上。例如，显示控制单元(生成单元)15可以将差异信息中的聚焦/倾斜差异划分成Z方向聚焦分量、θX方向倾斜分量和θY方向倾斜分量，并且分别将各个分量显示在显示单元17上。即，生成单元15可以将差异信息中的聚焦/倾斜差异划分成Z方向聚焦分量、θX方向倾斜分量和θY方向倾斜分量，并且生成用于使显示单元17分别显示各个分量的图像信息。例如，聚焦分量的大小可以用颜色浓度或类型来表示。倾斜分量的大小也可以用颜色浓度或类型来表示。倾斜分量的方向可以通过对于倾斜的方向变化提供灰度来表示。每个方向分量可以显示在整个压射区域中，但可以仅显示在由聚焦/倾斜测量设备11测量的部分中。这使得用户能够确定在聚焦/倾斜差异中哪个方向分量的影响大。

<第五实施例>

将描述根据本发明的第五实施例。注意的是，该实施例基本上继承了第一实施例，并且除了下面描述的事项之外的事项可以符合第一实施例。第二实施例至第四实施例可以应用到第五实施例。

以上实施例中的聚焦/倾斜差异(差异信息、显示信息)可以是从先前的压射区域的曝光处理的结束时间到下一个压射区域的曝光处理的开始时间驱动的晶片WF的聚焦/倾斜量。可替换地，以上实施例中的聚焦/倾斜差异可以是通过使用外部测量装置而不使用聚焦/倾斜测量设备11来测量先前的压射区域的结束边缘与后续的压射区域的开始边缘之间的差异的结果。

<第六实施例>

将描述根据本发明的第六实施例。注意的是，该实施例基本上继承了第一实施例，并且除了下面描述的事项之外的事项可以符合第一实施例。第二实施例至第五实施例可以应用到第六实施例。

在该实施例中，控制器12可以将校正值仅应用(反映)到基于显示单元17上显示的信息(差异信息、统计信息、显示信息)由用户选择的压射区域。例如，基于显示单元17上显示的信息，用户可以排除表现出大的离散度的压射区域，并且仅选择可以有效地使用校正值的压射区域作为校正值被应用的压射区域。

例如，因为晶片的结构，在包括接合部分和抗蚀剂的涂覆不均匀倾向于发生的部分的压射区域中倾向于出现大的离散度，并且将校正值应用到这样的压射区域有时违背预期地降低了曝光精度。在显示单元17上显示差异信息或统计信息使得用户能够在检查信息的同时适当地选择要应用校正值的压射区域。即使用户不理解晶片的这样的结构特征，用户也可以基于离散度作为指标来选择压射区域。在显示单元17上显示差异信息(代表值)和统计信息(离散度)使得用户能够基于信息的大小来确定是否可以有效地使用校正值。例如，即使给定的压射区域中的离散度大到某种程度，只要平均值足够大，通过应用校正值也预期获得好的结果。还可以确定是否要选择和应用倾向于受到基于时间轴的过滤影响的从一个晶片获得的各个压射区域的校正值中的最新校正值。

另外，选择多个晶片而不是同一晶片使得可以从较高的视角检查保持晶片的晶片台7(包括基板卡盘的基板保持单元)的影响的程度。例如，可以确定晶片对表现出大的平均值的部分的影响高于卡盘的影响。这使得除了有效地应用校正值以外可以检验例如是否要改变压射区域的布局。

另外，在诸如晶片的中心附近的部分之类的高度差异相对小的晶片部分处，有时可以在不使用任何校正值的情况下确保足够的曝光精度。在布置在这样的部分中的压射区域中，可以在不应用任何校正值的情况下预期可以提高曝光精度。即，用户可以基于显示单元17上的显示来确定是否要应用校正值，同时检查例如晶片的中心附近的范围。

<第七实施例>

将描述根据本发明的第七实施例。注意的是，该实施例基本上继承了第一实施例，并且除了下面描述的事项之外的事项可以符合第一实施例。第二实施例至第六实施例可以应用到第七实施例。

在该实施例中，同时显示曝光精度的测量结果(检查结果)和差异信息(显示信息)。更具体地，由测量装置(检查装置)等获得的测量结果(检查结果)和差异信息被重叠并显示在显示单元17上、或者被显示在显示单元17上允许进行比较的位置处。这使得用户能够容易地将曝光精度与差异信息进行比较。生成单元15生成用于使显示单元17同时显示曝光精度的测量结果(检查结果)和差异信息的图像信息。显示控制单元15控制显示单元17同时显示曝光精度的测量结果(检查结果)和差异信息。

<第八实施例>

将描述根据本发明的第八实施例。注意的是，该实施例基本上继承了第一实施例，并且除了下面描述的事项之外的事项可以符合第一实施例。第二实施例至第七实施例可以应用到第八实施例。例如，如以上实施例中描述的生成用于显示差异信息的图像信息的操作可以被重写为生成用于显示在该实施例中描述的信息的图像信息。

根据该实施例的生成单元15生成用于将在以上实施例中描述的差异信息、指示在多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个(即，基板状态)的信息、和指示通过对多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息中的一个显示在显示单元17上的图像信息。测量结果可以被定义为指示基板的高度和姿势中的至少一个。

例如，在多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板状态可以是多个压射区域中的每一个的曝光开始时间的基板状态、或者可以是当每个压射区域内的特定位置被曝光时的多个压射区域中的每一个的基板状态。另外，例如，多个压射区域中的每一个的测量结果可以是通过测量多个压射区域中的每一个的曝光开始位置而获得的测量结果、或者可以是对多个压射区域中的每一个通过测量每个压射区域内的特定位置而获得的测量结果。此外，如图11中所示，测量结果可以是在用曝光光进行照射区域23的照射之前由测量点24a或24b执行的聚焦/倾斜测量的结果、或者可以是由布置在照射区域23中的测量点24c执行的聚焦/倾斜测量的结果。图11对应于图2，并且示出了聚焦/倾斜测量设备11的测量点24c布置在照射区域23内部的示例。

根据该实施例，可以将图像信息显示在显示单元17上，该图像信息是从差异信息、指示在多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个(即，基板状态)的信息、和指示通过对多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息中选择的信息。这也允许曝光装置100的用户确认曝光精度的降低的原因。

<第九实施例>

将描述根据本发明的第九实施例。注意的是，该实施例基本上继承了第一实施例，并且除了下面描述的事项之外的事项可以符合第一实施例。第二实施例至第八实施例可以应用到第九实施例。

根据该实施例的生成单元15的特征在于，生成用于将基于从外部检查设备获得的检查结果的显示信息显示在显示单元17上的图像信息。外部检查装置例如是可以检测基板上的多个压射区域中的每一个的高度的高度检测装置。曝光装置100或信息处理装置200基于由检测装置检测的信息来生成显示信息。然后，生成单元15生成用于将生成的显示信息显示在显示单元17上的图像信息。

该实施例中的显示信息可以是与第一压射区域21的测量结果和第二压射区域22的测量结果之间的差异对应的信息。可替换地，显示信息可以是多个压射区域中的每一个的测量结果本身。测量结果指示基板的高度和姿势中的至少一个。

<物品制造方法的实施例>

根据本发明的实施例的物品制造方法适于制造物品，例如，诸如半导体器件之类的微器件和具有微结构的器件。根据该实施例的物品制造方法包括通过使用上述曝光装置(曝光方法)在基板上的感光剂上形成潜像图案的步骤(曝光基板的步骤)、处理(显影)形成有潜像图案的基板的步骤和从经处理的基板制造物品的步骤。制造方法还包括其他已知步骤(氧化、膜形成、沉积、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂去除、切片、接合、封装等)。该实施例的物品制造方法在物品的性能、质量、生产率和生产成本中的至少一个上比传统方法有利。

<其他实施例>

本发明的(一个或多个)实施例还可以通过读出并执行记录在存储介质(也可以被更完整地称为“非瞬态计算机可读存储介质”)上的计算机可执行指令(例如，一个或多个程序)以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或包括用于执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能一个或多个电路(例如，专用集成电路(ASIC))的系统或装置的计算机来实现，以及通过例如从存储介质读出并执行计算机可执行指令以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能和/或控制一个或多个电路以执行上述(一个或多个)实施例中的一个或多个实施例的功能而通过由系统或装置的计算机执行的方法来实现。计算机可以包括一个或多个处理器(例如，中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU))，并且可以包括单独计算机或单独处理器的网络，以读出并执行计算机可执行指令。计算机可执行指令可以例如从网络或存储介质提供到计算机。存储介质可以包括例如硬盘、随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、分布式计算系统的存储装置、光盘(诸如紧凑盘(CD)、数字多功能盘(DVD)或蓝光盘(BD)^TM)、闪存设备、存储卡等中的一个或多个。

其他实施例

本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。

虽然已参考示例性实施例描述了本发明，但要理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。随附权利要求的范围将被赋予最宽泛的解释，以包含所有这样的修改形式以及等同的结构和功能。

Claims (24)

1.一种信息处理装置，所述信息处理装置包括生成器，所述生成器被配置为生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：

与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示各自通过曝光装置执行曝光处理的基板上的多个压射区域当中的第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；

指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及

指示通过对所述多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

2.根据权利要求1所述的信息处理装置，其中，

所述第一信息是指示在所述第一压射区域的曝光处理的结束时间基板的高度和姿势中的至少一个的信息，并且

所述第二信息是指示在所述第二压射区域的曝光处理的开始时间基板的高度和姿势中的至少一个的信息。

3.根据权利要求1所述的信息处理装置，其中，

所述第一信息是指示在所述第一压射区域的曝光处理的结束时间基板的高度和姿势中的至少一个的信息，并且

所述第二信息是指示通过直到所述第二压射区域的曝光处理的开始时间为止对所述第二压射区域测量基板的表面位置而获得的基板的高度和姿势中的至少一个的信息。

4.根据权利要求1所述的信息处理装置，其中，

所述第一信息是指示通过对所述第一压射区域测量基板的表面位置而获得的基板的高度和姿势中的至少一个的信息，并且

所述第二信息是指示通过对所述第二压射区域测量基板的表面位置而获得的基板的高度和姿势中的至少一个的信息。

5.根据权利要求1所述的信息处理装置，其中，所述生成器被配置为生成用于使所述显示单元对于基板上的压射区域的各个位置显示表示所述显示信息的分布的图像信息。

6.根据权利要求1所述的信息处理装置，其中，所述生成器被配置为生成通过颜色浓度、颜色类型和数值中的至少一个指示所述显示信息以便使得用户能够对于基板上的压射区域的各个位置视觉地识别所述显示信息的图像信息。

7.根据权利要求1所述的信息处理装置，其中，在已对多个基板中的每一个执行曝光处理的情况下，所述生成器被配置为生成用于使所述显示单元对于压射区域的各个位置显示关于所述多个基板的所述显示信息的代表值的图像信息。

8.根据权利要求1所述的信息处理装置，其中，在已对多个基板中的每一个执行曝光处理的情况下，所述生成器被配置为生成用于使所述显示单元对于压射区域的各个位置显示指示关于所述多个基板的所述显示信息的离散度的统计信息的图像信息。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，还包括被配置为从所述曝光装置获得信息的获得器，

其中，所述生成器被配置为生成用于使所述显示单元基于由所述获得器从所述曝光装置获得的信息显示所述显示信息的图像信息。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，还包括被配置为从所述曝光装置获得信息的获得器，

其中，所述获得器被配置为从所述曝光装置获得所述显示信息，并且

其中，所述生成器被配置为生成用于使所述显示单元显示由所述获得器获得的所述显示信息的图像信息。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，其中，所述生成器被配置为生成用于使所述显示单元在将所述显示信息划分成多个方向分量时显示所述显示信息的图像信息。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，其中，所述生成器被配置为生成用于使所述显示单元对于压射区域的各个位置显示所述显示信息以便使得用户能够选择是否要对于压射区域的各个位置应用用于减小所述差异的校正值的图像信息。

13.根据权利要求12所述的信息处理装置，还包括：

输入单元，所述输入单元被配置为接受来自所述用户的指令输入；以及

供应器，所述供应器被配置为向所述曝光装置供应经由所述输入单元由所述用户选择的压射区域的位置信息。

14.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，其中，所述生成器被配置为在用于减小所述差异的校正值被应用到后续的基板的情况下，预测所述后续的基板上的每个压射区域的曝光处理的开始时间的残差，并且生成用于使所述显示单元显示所述残差的预测结果以便使得用户能够选择是否要对于压射区域的各个位置应用校正值的图像信息。

15.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，其中，所述曝光装置是被配置为在扫描基板的同时执行曝光处理的扫描曝光装置，以及被配置为在所述第二压射区域的曝光处理中测量所述第二压射区域的表面位置并且同时基于所述表面位置的测量结果来控制所述第二压射区域的位置和倾斜中的至少一个。

16.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，其中，所述信息处理装置与所述曝光装置可通信地连接。

17.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，其中，所述信息处理装置与所述曝光装置一体地形成为所述曝光装置的构成元件。

18.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，其中，所述生成器被配置为生成用于使所述显示单元同时显示所述显示信息和曝光处理的关于曝光精度的检查结果的图像信息。

19.根据权利要求1至8中任一项所述的信息处理装置，其中，所述显示信息是基于由位于所述信息处理装置外部的检查装置获得的检查结果的信息。

20.一种处理曝光装置的信息的信息处理方法，所述曝光装置对基板上的多个压射区域中的每一个执行曝光处理，所述方法包括：

从所述曝光装置获得信息；以及

基于从所述曝光装置获得的信息，生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：

与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示各自通过曝光装置执行曝光处理的基板上的多个压射区域当中的第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；

指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及

指示通过对所述多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

21.一种存储程序的非暂态计算机可读存储介质，所述程序用于使计算机执行根据权利要求20所述的信息处理方法。

22.一种对基板上的多个曝光区域中的每一个执行曝光处理的曝光装置，所述曝光装置包括：

测量设备，所述测量设备被配置为在所述多个压射区域当中的第一压射区域的曝光处理完成之后，测量所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的表面位置；以及

控制器，所述控制器被配置为在所述第二压射区域的曝光处理中，基于由所述测量设备获得的测量结果来控制基板的高度和姿势中的至少一个，

其中，所述控制器被配置为生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：

与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示所述第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；

指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及

指示通过对多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

23.一种对基板上的多个压射区域中的每一个执行曝光处理的曝光方法，所述方法包括：

在所述多个压射区域当中的第一压射区域的曝光处理完成之后，测量所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的表面位置；

在所述第二压射区域的曝光处理中，基于所述第二压射区域的表面位置的测量结果来控制基板的高度和姿势中的至少一个；以及

生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：

与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示所述第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；

指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及

指示通过对多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。

24.一种物品制造方法，包括：

对基板上的多个曝光区域中的每一个执行曝光处理；

处理在所述曝光中曝光的基板；以及

从在所述处理中处理的基板制造物品，

其中，所述曝光包括：

在所述多个压射区域当中的第一压射区域的曝光处理完成之后，测量所述多个压射区域当中的在所述第一压射区域之后执行曝光处理的第二压射区域的表面位置；

在所述第二压射区域的曝光处理中，基于所述第二压射区域的表面位置的测量结果来控制基板的高度和姿势中的至少一个；以及

生成用于使显示单元将以下中的任一个作为显示信息显示的图像信息：

与第一信息和第二信息之间的差异对应的差异信息，所述第一信息指示所述第一压射区域的高度和姿势中的至少一个，并且所述第二信息指示所述第二压射区域的高度和姿势中的至少一个；

指示在所述多个压射区域中的每一个的曝光处理期间基板的高度和姿势中的至少一个的信息；以及

指示通过对多个压射区域中的每一个测量基板的表面位置而获得的测量结果的信息。