KR102555768B1 - 노광 방법, 노광 장치, 물품 제조 방법 및 계측 방법 - Google Patents

노광 방법, 노광 장치, 물품 제조 방법 및 계측 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 원판과 기판을 주사 방향으로 이동시키면서 기판을 노광하는 노광 방법을 제공하며, 상기 방법은 기판에 존재하는 오목-볼록부의 위치를 특정하는 단계와, 기판을 노광할 때, 특정된 오목-볼록부의 위치와, 기판을 주사 방향으로 이동시키면서 복수의 계측점 각각에 광 빔이 사입사하게 함으로써 얻어지는 각각의 계측점의 높이 방향의 위치의 계측값에 기초하여, 기판의 높이 방향의 위치가 목표 위치가 되도록 기판을 구동하는 단계를 포함한다.

Description

노광 방법, 노광 장치, 물품 제조 방법 및 계측 방법{EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE, AND MEASUREMENT METHOD}
본 발명은 노광 방법, 노광 장치, 물품 제조 방법 및 계측 방법에 관한 것이다.
IC 또는 LSI 등의 반도체 디바이스, 액정 표시 디바이스, CCD 등의 촬상 디바이스, 전자기 헤드 등과 같은 디바이스를 제조할 때에, 원판의 패턴을 기판에 투영하는 투영 광학계를 포함하는 노광 장치가 사용된다. 노광 장치에서 원판의 패턴을 기판에 정확하게 전사하기 위해서는, 기판의 표면 형상에 의한 영향을 거의 받지 않는 기준면을 결정하고, 이러한 기준면을 투영 광학계의 결상면에 고정밀도로 배치하는 것이 중요하다.
스텝-앤드-스캔 노광 장치(스캐너)에서는, 기판을 보유지지하는 기판 스테이지를 주사 방향으로 구동하면서, 기판 스테이지에 의해 보유지지된 기판을 노광한다. 이 동작 동안, 투영 광학계의 결상면과 기판의 기준면 사이의 거리를 포커스 센서에 의해 계측하고, 기판 스테이지를 결상면에 직교하는 방향으로 구동함으로써 기준면을 결상면에 대해 순차적으로 조정하여 일치시키는 추종 및 구동 동작이 행해진다. 이러한 추종 및 구동 동작은 기판 스테이지가 주사되는 동안 노광 위치의 전방에서 투영 광학계의 결상면과 기판의 기준면 사이의 거리를 포커스 센서(사전 판독 센서)가 미리 계측(사전에 판독)하는 것을 필요로 한다.
추종 및 구동 동작에서는, 기본적으로 기판의 표면 형상이 평탄할 것을 전제로 하고 있다. 한편, 근년에는, 기판이 종종 다층 패턴으로 형성된다. 이러한 기판의 표면(하층)은 오목-볼록부를 포함하는 단차 구조를 갖기 때문에, 오목-볼록부를 추종하도록 기판 스테이지를 구동하면 기판 스테이지의 구동량의 급격한 변화에 의해 추종 오차가 발생하고 포커스 정밀도가 저하된다.
따라서, 단차 구조를 갖는 기판에 추종 및 구동 동작을 적용하기 위해서는, 표면의 오목-볼록부에 대한 조치가 필요하다. 단차 구조를 갖는 기판에 대한 추종 및 구동 동작을 개선하기 위해서, 일본 특허 공개 공보 제9-45608호는 오목-볼록부에 의해 발생하는 기준면에 대한 계측 오프셋값을 각각의 계측점마다 관리함으로써, 기판 스테이지의 구동량의 급격한 변화를 억제하는 기술을 제안하고 있다.
그러나, 노광 장치에서는 일반적으로 사입사 포커스 센서가 사용되기 때문에, 포커스 센서로부터 기판까지의 거리(포커스 방향의 위치)가 변화하면, 각각의 계측점이 수평 방향으로 시프트될 것이다. 따라서, 종래 기술의 방식으로 포커스 방향의 위치에서 계측 오프셋값을 구하면, 포커스 방향의 위치가 변화한 경우, 계측점의 시프트에 기인하여 오목-볼록부에 의해 발생하는 기준면에 대한 계측 오프셋값이 정확하게 반영되지 않기 때문에, 추종 오차가 발생할 것이다. 이와 같이, 종래 기술은 계측점의 시프트의 영향에 대하여 포커스 정밀도의 저하를 억제하기 위한 유효한 수단을 제공하지 않는다.
본 발명은 포커스 정밀도의 점에서 유리한 노광 방법을 제공한다.
본 발명의 일 양태에 따르면, 원판과 기판을 주사 방향으로 이동시키면서 상기 기판을 노광하는 노광 방법이 제공되며, 상기 방법은, 상기 기판의 높이 방향의 복수의 위치 각각에 상기 기판을 위치시키고, 상기 복수의 위치 각각에 대해서, 상기 기판을 상기 주사 방향으로 이동시키면서 상기 기판 상의 복수의 계측점 각각에 광 빔을 사입사시켜서 상기 기판 상의 복수의 계측점 각각의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제1 계측값을 취득하는 제1 단계와, 상기 제1 단계에서 취득한 상기 복수의 위치 각각에서의 각 계측점의 상기 제1 계측값에 기초하여, 상기 기판의 표면 형상을 구함으로써 상기 기판에 존재하는 오목-볼록부의 위치를 특정하는 제2 단계와, 상기 기판을 노광할 때에, 상기 제2 단계에서 특정한 상기 오목-볼록부의 상기 위치와, 상기 기판을 상기 주사 방향으로 이동시키면서 상기 복수의 계측점 각각에 광 빔이 사입사하게 함으로써 얻어지는 각각의 계측점의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제2 계측값에 기초하여, 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치가 목표 위치가 되도록 상기 기판을 구동하는 제3 단계를 포함한다.
본 발명의 추가적인 양태는 첨부된 도면을 참고한 예시적인 실시형태에 대한 이하의 설명으로부터 명확해질 것이다.
도 1은 본 발명의 일 양태로서의 노광 장치의 배치를 도시하는 개략도이다.
도 2는 기판과 포커스 계측 유닛의 계측광 빔 사이의 위치 관계를 도시하는 도면이다.
도 3a 및 도 3b는 투영 광학계의 결상면과, 기판의 기준면과, 계측광 빔 사이의 위치 관계를 각각 도시하는 도면이다.
도 4는 기판 상의 계측점의 시프트를 설명하기 위한 도면이다.
도 5a 및 도 5b는 투영 광학계의 결상면과, 기판의 기준면과, 계측광 빔 사이의 위치 관계를 각각 도시하는 도면이다.
도 6a 내지 도 6d는 기판 상의 계측점의 예를 도시하는 도면이다.
도 7a 및 도 7b는 기판 상의 각각의 계측점의 계측값의 보정을 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 기판 상의 계측점과 기판의 표면 사이의 관계를 도시하는 도면이다.
도 9a 내지 도 9c는 기판 스테이지의 목표 위치의 보정을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 1에 도시하는 노광 장치의 동작을 설명하기 위한 흐름도이다.
본 발명의 바람직한 실시형태를 첨부의 도면을 참고하여 이하에서 설명한다. 도면 전체에서 동일한 참조 번호는 동일한 부재를 나타내며, 반복적인 설명은 주어지지 않는다는 것에 유의한다.
도 1은 본 발명의 일 양태로서의 노광 장치(100)의 배치를 도시하는 개략도이다. 노광 장치(100)는, 원판(1)과 기판(5)을 이동시키면서 기판(5)을 노광(주사 노광 동작을 행함)함으로써 원판(1)의 패턴을 기판 상에 전사하는 스텝-앤드-스캔 노광 장치(스캐너)이다. 노광 장치(100)는, 도 1에 도시한 바와 같이, 원판 스테이지(2), 제1 계측 유닛(3), 투영 광학계(4), 기판 홀더(6), 기판 스테이지(7), 제2 계측 유닛(8), 제3 계측 유닛(9), 제어 유닛(10), 및 포커스 계측 유닛(30)을 포함한다.
또한, 본 실시형태에서는, 기판(5)의 표면에 평행한 방향을 X-Y 평면으로서 설정하는 XYZ 좌표계에 의해 방향을 나타낸다. XYZ 좌표계의 X 축, Y 축 및 Z 축에 평행한 방향이 각각 X 방향, Y 방향 및 Z 방향인 것으로 한다. θX, θY 및 θZ이 각각 X 축 둘레의 회전, Y 축 둘레의 회전 및 Z 축 둘레의 회전을 나타내는 것으로 한다.
원판 스테이지(2)는 기판(5)에 전사되는 미세한 패턴이 형성되는 원판(1)을 보유지지한다. 원판 스테이지(2)는 예를 들어 원판(1)을 흡착하기 위한 흡착 유닛(도시되지 않음)을 포함하고, 흡착 유닛에 의해 원판(1)을 진공 흡착함으로써 원판(1)을 보유지지한다. 원판 스테이지(2)는 Y 방향으로 이동하기 위한 액추에이터(도시되지 않음)를 포함하고, 리니어 모터가 액추에이터로서 주로 사용된다.
제1 계측 유닛(3)은, 예를 들어 간섭계 또는 광학식 리니어 인코더를 포함하고, Y 방향에서의 원판 스테이지(2)의 위치를 계측한다. 또한, 원판 스테이지(2)에 대해 틸트 제어가 행해지도록 하기 위해서, 제1 계측 유닛(3)은 원판 스테이지(2)의 측면에 제공된 계측면의 적어도 3개의 위치를 계측함으로써 원판 스테이지(2)의 틸트 성분을 취득한다. 제1 계측 유닛(3)에 의해 계측된 원판 스테이지(2)의 각각의 위치는 제어 유닛(10)에 입력된다.
원판 스테이지(2)에 의해 보유지지된 원판(1)은 조명 광학계(도시되지 않음)에 의해 조명된다. 원판(1)의 패턴의 상은 투영 광학계(4)에 의해 축소되어 기판(5)에 전사된다.
기판 스테이지(7)는 기판 홀더(6)를 통해서 기판(5)을 보유지지한다. 기판 스테이지(7)는, 기판(5) 및 기판 홀더(6)를 흡착(진공 흡착)하기 위한 흡착 유닛(도시되지 않음)을 포함한다. 기판 홀더(6)의 기판 스테이지측 표면 및 기판측 표면은 기판(5)의 오목-볼록부를 감소시키기 위해서 평탄화되었다. 또한, 기판 홀더(6)는 온도 변화에 의한 변형을 경감하기 위해서 세라믹 등의 온도 안정성이 높은 재료로 형성되어 있다. 기판 스테이지(7)는, X 방향, Y 방향 및 Z 방향으로 이동하기 위한 액추에이터를 포함하고, 액추에이터로서 리니어 모터 또는 보이스 코일 모터가 사용된다.
제2 계측 유닛(8)은, X 방향 및 Y 방향에서의 기판 스테이지(7)의 위치를 계측한다. 제3 계측 유닛(9)은 Z 방향에서의 기판 스테이지(7)의 위치를 계측한다. 또한, 원판 스테이지(2)와 마찬가지로, 기판 스테이지(7)에 대해 틸트 제어가 행해지도록 하기 위해서, 제2 계측 유닛(8)은 기판 스테이지(7)의 측면에 제공된 계측면의 적어도 3개의 위치를 계측한다. 제2 계측 유닛(8) 및 제3 계측 유닛(9)에 의해 계측된 기판 스테이지(7)의 각 위치는 제어 유닛(10)에 입력된다.
제어 유닛(10)은, CPU, 메모리 등을 포함하는 컴퓨터로 형성되고, 저장 유닛에 저장된 프로그램에 따라서 노광 장치(100)의 유닛을 통괄적으로 제어함으로써 노광 장치(100)가 동작하게 한다. 제어 유닛(10)은, 기판 상의 복수의 샷 영역의 각각에 패턴을 전사하기 위해서, 원판 스테이지(2) 및 기판 스테이지(7)를 제어한다. 또한, 제어 유닛(10)은, 패턴을 정확하게 결상하기 위해서, 주사 노광 동작을 행하는 동안, 포커스 계측 유닛(30)으로부터, 투영 광학계(4)의 결상면과 기판(5) 사이의 거리, 기울기 및 기판(5)의 기준면에 관한 정보를 취득한다. 제어 유닛(10)은, 후속하여 기판 스테이지(7)를 Z 방향으로 구동하여, 기판(5)의 기준면을 투영 광학계(4)의 결상면에 대해 순차적으로 조정 및 일치시키는 추종 및 구동 동작을 행한다.
포커스 계측 유닛(30)은, 광원(11), 투영 렌즈(12), 반사 미러(13 및 14), 수광 렌즈(15), 실린드리컬 렌즈(16), 라인 센서(17), 및 연산 처리 유닛(18)을 포함한다. 광원(11)으로부터의 광은 슬릿(도시되지 않음)에 투사된다. 슬릿으로부터의 광 빔(슬릿에 의해 형성된 투영 마크)은, 투영 렌즈(12) 및 반사 미러(13)를 통해서 기판(5)의 복수의 위치에 미리결정된 각도로 입사(사입사)한다. 기판(5)에 의해 반사된 광 빔은, 반사 미러(14) 및 수광 렌즈(15)를 통해서 실린드리컬 렌즈(16)에 입사한다. 투영 렌즈(12) 및 수광 렌즈(15)는 텔레센트릭 렌즈로 구성된다. 실린드리컬 렌즈(16)에 입사한 광 빔은 1차원적으로 적산되고, 라인 센서(17)는 각 화소 위치에서의 광 강도 정보를 취득한다. 각각의 라인 센서(17)는, CCD, CMOS 센서 등으로 형성되며, 기판(5)에 의해 반사된 광을 검출한다. 복수의 라인 센서(17)는 슬릿에 의해 형성되는 투영 마크의 수에 따라서 배치된다. 연산 처리 유닛(18)은, 라인 센서(17)에 의해 취득된 광 강도 정보에 기초하여, 포커스 계측 유닛(30)과 기판(5) 사이의 거리와, 기울기와, 기판(5)의 기준면을 계산하고, 계산 결과를 제어 유닛(10)에 입력한다.
도 2는, 기판(5)과 포커스 계측 유닛(30)의 계측광 빔(반사 미러(13)에 의해 반사되어 기판(5)에 입사하는 광 빔) 사이의 위치 관계를 도시하는 도면이다. 노광 장치(100)는, 기판(5)을 주사 방향(Y 방향)으로 전후로 주사(구동)하면서 기판(5)을 노광한다. 그러므로, 포커스 계측 유닛(30)은, 노광 위치(노광 영역)에서 포커스를 계측하기 위한 계측광 빔(SC)과 주사 방향에 대해 노광 위치로부터 떨어진 위치에서 포커스를 계측(미리 판독)하기 위한 계측광 빔(SF 및 SB)이 기판(5)에 입사하게 한다. 여기서, 포커스는 기판(5)의 높이 방향의 위치, 예를 들어 투영 광학계(4)의 결상면과 기판(5)의 기준면 사이의 거리를 포함한다.
도 3a 및 도 3b는 투영 광학계(4)의 결상면과, 기판(5)의 기준면과, 계측광 빔(SC, SF 및 SB) 사이의 위치 관계를 각각 도시하는 도면이다. 도 3a 및 도 3b는, 노광 주사 동작 동안의 상태를 나타내며, 기판 스테이지(7)는 +Y 방향(기판(5)의 높이 방향(Z 방향)에 직교하는 방향)으로 주사되고, 미리 판독 계측을 행하기 위해 계측광 빔(SF)이 사용되는 것이 상정된다.
도 3a에 도시하는 바와 같이, 기판 스테이지(7)의 주사 동안, 투영 광학계(4)의 결상면과 기판(5)의 기준면 사이의 거리(ΔZ)를 계측광 빔(SF)에 의해 계측한다. 후속하여, 도 3b에 도시하는 바와 같이, 기판 스테이지(7)는 계측광 빔(SF)에 의해 계측된 기판 상의 계측점(MP)이 노광 위치(C)에 도달할 때까지 거리(ΔZ) 동안만 +Z 방향으로 구동되고, 계측점(MP)이 노광 위치(C)에 도달하면 노광이 개시된다. 또한, 기판 상의 계측점(MP)의 노광과 동시에 계측광 빔(SC)에 의해 노광 위치(C)에서의 포커스 오차가 계측된다. 이들 동작을 기판 상의 계측점의 위치를 변경하면서 연속적으로 행함으로써 주사 노광 동작이 행해질 수 있다.
포커스 계측 유닛(30)은 사입사 포커스 센서이기 때문에, 도 4에 도시한 바와 같이 포커스 계측 유닛(30)과 기판(5) 사이의 거리가 변화하면, 기판 상의 계측점이 X 방향으로 시프트될 것이다. 예를 들어, 계측광 빔이 +X 방향으로부터 입사각(θ)으로 기판(5)에 입사하는 경우, 기판(5)의 위치가 -Z 방향으로 거리(ΔZ)만큼 변화하면, 계측점(MP)은 계측점(MP')에 의해 도시된 바와 같이 -X 방향으로 ΔX(=ΔZ/tanθ)만큼 시프트될 것이다.
도 5a 및 도 5b는, 기판 상의 계측점의 시프트를 상세하게 설명하기 위한 도면이며, 투영 광학계(4)의 결상면과, 기판(5)의 기준면과, 계측광 빔(SC, SF 및 SB) 사이의 위치 관계를 도시한다. 도 5a 및 도 5b는 노광 주사 동작 동안의 상태를 나타내며, 기판 스테이지(7)가 +Y 방향으로 주사되고, 미리 판독 계측을 행하기 위해 계측광 빔(SF)이 사용되는 것이 상정된다.
도 5a에 도시하는 바와 같이, 거리(ΔZ1)가 투영 광학계(4)의 결상면과 기준면 사이의 거리인 경우와, 거리(ΔZ2)가 투영 광학계(4)의 결상면과 기준면 사이의 거리인 경우의 기판 상의 계측점은, 각각 참조 부호 X (ΔZ1) 및 X (ΔZ2)로 나타낸 바와 같이 상이하다. 여기서, 종래 기술과 같이, 기판(5)의 오목-볼록부(단차)(19)에 의해 발생하는 기준면의 계측 오프셋값을 구하는 경우를 생각한다. 예를 들어, 투영 광학계(4)의 결상면과 기준면 사이의 거리(ΔZ2)를 사용함으로써 계측 오프셋값이 구해지는 것을 상정한다. 이 경우, 투영 광학계(4)의 결상면과 기준면 사이의 거리(ΔZ1)로부터 추종 및 구동 동작을 행하면, 기판(5)의 오목-볼록부(19)의 계측 오프셋값(ΔZ')이 반영되지 않고, 도 5b에 도시하는 바와 같이 기판 스테이지(7)의 구동량(ΔZ)에 오차가 발생할 것이다. 또한, 투영 광학계(4)의 결상면과 기준면 사이의 거리(ΔZ1)를 사용하여 계측 오프셋값을 구하고 투영 광학계(4)의 결상면과 기준면 사이의 거리(ΔZ2)로부터 추종 및 구동 동작을 행하는 경우 마찬가지로 기판 스테이지(7)의 구동량(ΔZ)에 오차가 발생할 것이다.
그러므로, 본 실시형태는, 기판(5)에 오목-볼록부(19)가 존재하는 경우에도, 주사 노광 동작시에 고정밀도로 추종 및 구동 동작을 실현함으로써 포커스 정밀도의 점에서 유리한 기술을 제공한다.
<제1 실시형태>
도 6a는, 기판 스테이지(7)(기판(5))의 Z 방향의 복수의 위치에서, 포커스 계측 유닛(30)에 의해 계측되는 기판 상의 계측점(백색 도트)을 도시하는 도면이다. 도 6a에서는, 도 2에 도시하는 계측광 빔(SF, SC 및 SB)에 대응하는 기판 상의 계측점(흑색 도트) 중, 계측광 빔(SF)에 대응하는 기판 상의 계측점이 도시되어 있다.
본 실시형태에서는, 주사 노광 동작을 개시하기 전에, 먼저 기판 스테이지(7)(기판(5))가 Z 위치(Z 방향의 위치)(Z(0))에 위치하도록 기판 스테이지(7)를 구동한다. 후속하여, 기판 스테이지(7)를 +Y 방향으로 주사하면서 기판 상의 각 계측점에서 포커스를 계측한다. 이 경우, Z 위치(Z(0))에서의 기판 상의 계측점은 도 6b에 도시하는 바와 같이 (Y(0), Z(0)), (Y(1), Z(0)), ..., 및 (Y(4), Z(0))이다. 또한, 포커스 계측 유닛(30)은 각각의 계측점에 대응하는 계측값(FZ(FZ(Y(0), Z(0)), FZ(Y(1), Z(0)), ..., 및 FZ(Y(4), Z(0)))을 취득한다.
이어서, 기판 스테이지(7)가 Z 위치 Z(1)에 위치하도록 기판 스테이지(7)가 구동된다. 후속하여, 기판 스테이지(7)를 +Y 방향으로 주사하면서 기판 상의 각 계측점에서 포커스를 계측한다. 이 경우, Z 위치(Z(1))에서의 기판 상의 계측점은 도 6c에 도시하는 바와 같이 (Y(0), Z(1)), (Y(1), Z(1)), ..., 및 (Y(4), Z(1))이다. 또한, 포커스 계측 유닛(30)은 각각의 계측점에 대응하는 계측값(FZ(FZ(Y(0), Z(1)), FZ(Y(1), Z(1)), ..., 및 FZ(Y(4), Z(1)))을 취득한다.
마찬가지로, 기판 스테이지(7)가 Z 위치(Z(2))에 위치하도록 기판 스테이지(7)를 구동한다. 후속하여, 기판 스테이지(7)를 +Y 방향으로 주사하면서 기판 상의 각 계측점에서 포커스를 계측한다. 이 경우, Z 위치(Z(2))에서의 기판 상의 계측점은 도 6d에 도시하는 바와 같이 (Y(0), Z(2)), (Y(1), Z(2)), ..., 및 (Y(4), Z(2))이다. 또한, 포커스 계측 유닛(30)은 각각의 계측점에 대응하는 계측값(FZ(FZ(Y(0), Z(2)), FZ(Y(1), Z(2)), ..., 및 FZ(Y(4), Z(2)))을 취득한다.
이와 같이, 기판 스테이지(7)(기판(5)) 상의 Z 위치를 변화시킴으로써, 기판 상의 계측점이 X 방향으로 시프트된다. 따라서, 기판(5) 상에 복수의 Z 위치가 위치될 수 있고, 복수의 Z 위치 각각에 대해서 각각의 계측점의 계측값(FZ)을 취득함으로써 Z 위치를 기준으로 한 기판(5)의 표면 형상을 구해서 오목-볼록부(19)의 위치를 특정할 수 있다.
각각의 Z 위치에 대해서 기판 상의 각각의 계측점의 계측값(FZ)(제1 계측값)을 취득한 후에, 이하에 도시된 바와 같이 각각의 계측점마다 계측값(FZ)과 기판 스테이지(7)(기판(5))의 Z 위치 사이의 차분(ΔFZ)(계측 오프셋값)을 구한다.
ΔFZ((Y(0), Z(0)) = FZ((Y(0), Z(0)) - Z(0)
ΔFZ((Y(1), Z(0)) = FZ((Y(1), Z(0)) - Z(0)
...
ΔFZ((Y(4), Z(0)) = FZ((Y(4), Z(0)) - Z(0)
ΔFZ((Y(0), Z(1)) = FZ((Y(0), Z(1)) - Z(1)
ΔFZ((Y(1), Z(1)) = FZ((Y(1), Z(1)) - Z(1)
...
ΔFZ((Y(4), Z(1)) = FZ((Y(4), Z(1)) - Z(1)
ΔFZ((Y(0), Z(2)) = FZ((Y(0), Z(2)) - Z(2)
ΔFZ((Y(1), Z(2)) = FZ((Y(1), Z(2)) - Z(2)
...
ΔFZ((Y(4), Z(2)) = FZ((Y(4), Z(2)) - Z(2)
도 7a는 포커스 계측 유닛(30)에 의해 계측된 기판 상의 각각의 계측점의 계측값(FZ)과 제3 계측 유닛(9)에 의해 계측된 기판 스테이지(7) 상의 각각의 Z 위치 사이의 관계를 도시하는 도면이다. 도 7a에서, 종축은 기판 상의 각 계측점의 계측값(FZ)을 나타내며, 횡축은 기판 스테이지(7)의 Z 위치를 나타낸다. 도 7a를 참조하면, 기판(5)의 형상이 편평한 계측점에서는, 계측값(FZ)과 Z 위치가 선형적으로 변화하는 것을 볼 수 있다. 한편, 기판(5)에 존재하는 오목-볼록부(19)에 위치하는 계측점(Y(2), Z(2)) 에서는, 계측값(FZ(Y(2), Z(2)))과 Z 위치(Z(2)) 사이의 차분(ΔFZ(Y(2), Z(2)))이 발생한다.
도 7b는, 주사 노광 동작시에 Y 위치(Y 방향의 위치)(Y(2))에서 기판(5)에 존재하는 오목-볼록부(19)를 계측한다고 가정한 경우에서, 기판 상의 각 계측점의 계측값(FZ)의 보정을 개념적으로 도시하는 도면이다. 주사 노광 동작을 개시한 후에 기판 상의 각 계측점에서 포커스를 계측함으로써 취득된 계측값(FZ)(제2 계측값)과 차분(ΔFZ)에 기초하여 각 계측점의 계측값(FZ)을 보정한다.
예를 들어, 기판 스테이지(7)를 Y 위치(Y(0) 및 Y(1)) 각각에 위치시킴으로써 포커스를 계측할 때에 기판 스테이지(7)의 Z 위치가 Z(0)의 근방에 위치되는 경우를 생각한다. 이 경우, 이하에 도시된 바와 같이, 기판 상의 각각의 계측점의 계측값(FZ)으로부터 각 계측점((Y(0), Z(0)) 및 (Y(1), Z(0)))의 차분(ΔFZ)을 차감하여 얻은 값을 보정된 계측값(FZ')으로서 취득한다.
FZ'(Y(0), Z(0)) = FZ(Y(0), Z(0)) - ΔFZ(Y(0), Z(0))
FZ'(Y(1), Z(0)) = FZ(Y(1), Z(0)) - ΔFZ(Y(1), Z(0))
이어서, Y 위치(Y(2))에 기판 스테이지(7)를 위치시킴으로써 포커스를 계측할 때 기판 스테이지(7)의 Z 위치가 Z(2) 부근에 위치되는 경우를 생각한다. 이 경우, 이하에 나타낸 바와 같이, 계측값(FZ)은 보정된 계측값(FZ')을 취득하도록 계측점((Y(2), Z(2)))의 차분(ΔFZ)에 의해 보정된다.
FZ'(Y(2), Z(2)) = FZ(Y(2), Z(2)) - ΔFZ(Y(2), Z(2))
계측값(FZ(Y(2), Z(2)))은 기판(5)에 존재하는 오목-볼록부(19)에 의한 계측 오차를 포함하지만, 차분(ΔFZ(Y(2), Z(2)))을 차감함으로써 계측 오차가 제거된다.
이어서, Y 위치(Y(3) 및 Y(4))의 각각에 기판 스테이지(7)를 위치시킴으로써 포커스를 계측할 때에 기판 스테이지(7)의 Z 위치가 Z(0) 부근에 위치되는 경우를 생각한다. 이 경우, 이하에 나타낸 바와 같이, 기판 상의 각각의 계측점의 계측값(FZ)으로부터 각각의 계측점((Y(3), Z(0)) 및 (Y(4), Z(0)))의 차분(ΔFZ)을 차감함으로써 획득되는 값이 보정된 계측값(FZ')으로서 취득된다.
FZ'(Y(3), Z(0)) = FZ(Y(3), Z(0)) - ΔFZ(Y(3), Z(0))
FZ'(Y(4), Z(0)) = FZ(Y(4), Z(0)) - ΔFZ(Y(4), Z(0))
그러므로, 기판 상의 각각의 계측점의 보정된 계측값(FZ')은 이하와 같이 표현된다.
FZ'(Y(0), Z(0)) = FZ(Y(0), Z(0)) - ΔFZ(Y(0), Z(0))
FZ'(Y(1), Z(0)) = FZ(Y(1), Z(0)) - ΔFZ(Y(1), Z(0))
FZ'(Y(2), Z(2)) = FZ(Y(2), Z(2)) - ΔFZ(Y(2), Z(2))
FZ'(Y(3), Z(0)) = FZ(Y(3), Z(0)) - ΔFZ(Y(3), Z(0))
FZ'(Y(4), Z(0)) = FZ(Y(4), Z(0)) - ΔFZ(Y(4), Z(0))
본 실시형태에 따르면, 주사 노광 동작시에 기판 상의 계측점이 오목-볼록부(19)로 시프트되는 경우에도, 주사 노광 동작 전에 구한 차분(ΔFZ)을 사용하여 계측값(FZ)을 보정함으로써 계측 오차를 제거할 수 있다. 이러한 종류의 보정은, 도 2에 도시하는 바와 같이 계측광 빔(SF, SC 및 SB) 각각이 입사하는 기판 상의 각 계측점에 대하여 행해진다. 따라서, 노광 장치(100)에서는, 기판(5)에 대한 주사 노광 동작이 행해질 때에, 기판 스테이지(7)를 Z 방향으로 구동해서 기판(5)(기준면)을 투영 광학계(4)의 결상면에 대해 순차적으로 조정 및 일치시키는 추종 및 구동 동작을 고정밀도로 행할 수 있기 때문에, 포커스 정밀도의 저하를 억제할 수 있다.
<제2 실시형태>
본 실시형태는, 주사 노광 동작 전에 구한 차분(ΔFZ)에 기초하여, 주사 노광 동작 시의 기판 스테이지(7)의 목표 위치를 보정하는 경우를 설명한다. 기판 스테이지(7)의 목표 위치를 결정하기 위해서는, 기판 상의 각 계측점의 계측값(FZ)에 기초하여 기판(5)의 표면 형상을 구할 필요가 있다.
일반적으로, 기판(5)의 표면 형상을 구하기 위해서 최소 제곱법이 사용된다. 도 8은 기판 상의 계측점과 기판(5)의 표면(표면 형상) 사이의 관계를 도시하는 도면이다. 도 8에서는, 기판(5)의 표면이 1차 근사면인 것으로 상정한다. (X0, Y0, Z0), (X1, Y1, Z1), 및 (X2, Y2, Z2)을 각각 기판 상의 계측점으로 하면, 근사면은 표면(S = ax + by + c)과 계측점 사이의 각각의 거리(Δz0, Δz1, 및 Δz2)를 최소화하는 계수(a, b, 및 c)를 결정함으로써 구해질 수 있다.
도 9a는, 도 2에 도시하는 계측광 빔(SF)의 계측 위치(S(0), S(1), 및 S(2))를 도시하는 도면이다. 상술한 바와 같이, 주사 노광 동작을 개시하기 전에, 기판 스테이지(7)(기판)(5)가 Z 위치(Z(0), Z(1) 및 Z(2))의 각각에 위치하도록 기판 스테이지(7)를 구동한다. 그리고, 각각의 Z 위치에서, 기판 스테이지(7)를 +Y 방향으로 주사하면서 Y 위치(Y(0), Y(1), Y(2), 및 Y(3)) 각각에서 포커스를 계측한다. 이어서, 계측점((Y(0), Z(0)), (Y(1), Z(1)), ..., 및 (Y(4), Z(2)))의 계측값으로부터 기판(5)의 표면 형상(20)을 구한다.
도 9b는 Y 위치(Y(2))에서의 1차의 근사면과, 계측 위치(S(0), S(1), 및 S(2))와, 기판 스테이지(7)의 Z 방향의 구동량 사이의 관계를 도시하는 도면이다. 참조 부호 S가 계측점((Y(2), Z(2)))을 제외하는 계측점으로부터 구해지는 기판(5)의 근사면을 나타내는 것으로 상정한다. 근사면(S)은 기판(5)에 존재하는 오목-볼록부(19)의 영향을 받지 않기 때문에, 기판(5)의 기준면으로서 사용된다. 도 9b를 참조하면, 기판 스테이지(7)의 구동량은 투영 광학계(4)의 결상면과 기판(5)의 기준면 사이의 차분(ΔZo)이며, 주사 노광 동작 시에 기판 스테이지(7)는 +Z 방향으로 ΔZo만큼 구동된다.
한편, 계측점(Y(2), Z(2))은 기판(5)에 존재하는 오목-볼록부(19)의 영향을 받기 때문에, 계측 위치(S(0))의 계측값과 기판(5)의 기준면 사이에 차분(ΔFZ(Y(2), Z(2)))이 발생한다. 결과적으로, 근사면은 틸트 성분(θ)을 포함하는 근사면(S')이 될 것이다. 이 경우, Y 위치(Y(2))에서의 기판 스테이지(7)의 구동량은, 투영 광학계(4)의 결상면과 기판(5)의 기준면 사이의 차분(ΔZo)에 차분(ΔFZ'(Y(2), Z(2)))을 가산함으로써 획득되는 값이다.
도 9c는, 투영 광학계(4)의 결상면을 추종하기 위한 기판 스테이지(7)의 목표 위치에 대해 행해지는 보정을 개념적으로 도시하는 도면이다. 여기서, 기판 스테이지(7)의 목표 위치를 TZ로 하면, 각 계측점에서 목표 위치(TZ)로부터 차분(ΔFZ')을 차감하여 구한 값이 보정된 목표 위치(TZ')가 될 것이다.
예를 들어, 기판 스테이지(7)의 Z 위치가 Z(0)인 경우, 기판 스테이지(7)의 목표 위치(TZ')는 이하에 나타내는 바와 같이 Z 위치(Z(0))에서 포커스를 계측함으로써 얻어지는 각각의 계측값에 기초하여 결정된다.
TZ'(Y(0), Z(0)) = TZ(Y(0)) - ΔFZ'(Y(0), Z(0))
TZ'(Y(1), Z(0)) = TZ(Y(1)) - ΔFZ'(Y(1), Z(0))
TZ'(Y(2), Z(0)) = TZ(Y(2)) - ΔFZ'(Y(2), Z(0))
TZ'(Y(3), Z(0)) = TZ(Y(3)) - ΔFZ'(Y(3), Z(0))
TZ'(Y(4), Z(0)) = TZ(Y(4)) - ΔFZ'(Y(4), Z(0))
기판(5)의 표면 형상(20)이 편평할 경우, 차분(ΔFZ')은 제로가 될 것이기 때문에, Y 위치(Y(0), Y(1), Y(3) 및 Y(4))에서의 목표 위치(TZ)와 보정된 목표 위치(TZ')는 일치할 것이다.
기판 스테이지(7)의 Z 위치가 Z(1)인 경우에도 상술한 것과 동일한 결과가 얻어진다. 한편, 기판 스테이지(7)의 Z 위치가 Z(2)인 경우, 기판 스테이지(7)의 목표 위치(TZ')는 이하에 나타낸 바와 같이 결정된다.
TZ'(Y(0), Z(2)) = TZ(Y(0)) - ΔFZ'(Y(0), Z(2))
TZ'(Y(1), Z(2)) = TZ(Y(1)) - ΔFZ'(Y(1), Z(2))
TZ'(Y(2), Z(2)) = TZ(Y(2)) - ΔFZ'(Y(2), Z(2))
TZ'(Y(3), Z(2)) = TZ(Y(3)) - ΔFZ'(Y(3), Z(2))
TZ'(Y(4), Z(2)) = TZ(Y(4)) - ΔFZ'(Y(4), Z(2))
이와 같이, 기판 상의 계측점((Y(2), Z(2)))에서는 기판(5)에 존재하는 오목-볼록부(19)에 기인하여 기판 스테이지(7)의 구동량에 오차가 발생하지만, 주사 노광 동작 전에 구한 차분(ΔFZ'(Y(2), Z(2)))에 의해 목표 위치를 보정함으로써 오차를 제거할 수 있다. 따라서, 노광 장치(100)에서는, 기판(5)에 대해 주사 노광 동작을 행할 때에, 기판 스테이지(7)를 Z 방향으로 구동함으로써 기판(5)(의 기준면)을 투영 광학계(4)의 결상면에 대해 순차적으로 조정 및 일치시키는 추종 및 구동 동작이 고정밀도로 행해질 수 있기 때문에, 포커스 정밀도의 저하를 억제할 수 있다. 본 실시형태는 기판 스테이지(7)의 Z 방향의 목표 위치의 보정에 대해서 설명했지만, 기판 스테이지(7)의 틸트의 목표 위치의 보정에도 본 발명을 적용할 수 있다.
이하, 도 10을 참조하여, 노광 장치(100)의 동작, 더 구체적으로는 기판(5)의 반입으로부터 주사 노광 동작의 완료까지의 동작에 대해서 설명한다. 노광 장치(100)에서 주사 노광 동작을 개시하기 전에, 복수의 Z 방향의 위치 각각에 대해서 기판(5)을 주사하면서 포커스를 계측함으로써 계측 오프셋값을 결정한다.
단계 S1002에서는, 노광 장치(100)에 기판(5)을 반입하고, 기판 스테이지(7)는 기판(5)을 보유지지하게 된다. 단계 S1004에서는, 기판 상의 계측될 계측점을 포커스 계측 유닛(30)에 설정한다. 더 구체적으로는, 기판 상의 계측점으로서 Y 위치((Y(0), ..., Y(N)))와 Z 위치((Z(0), ..., Z(m)))의 조합을 설정한다.
단계 S1006에서는, 포커스 계측 유닛(30)은 상술한 바와 같이 기판 스테이지(7)를 주사하면서 단계 S1004에서 설정한 기판 상의 각 계측점에서 포커스를 계측한다. 결과적으로, 기판 상의 각 계측점의 계측값(FZ)이 얻어진다.
단계 S1008에서는, 단계 S1006에서 얻어진 계측값(FZ)에 기초하여, 기판(5)의 기준면을 생성한다. 본 실시형태에서는, 투영 광학계(4)의 결상면 근방의 각각의 Z 위치에서의 각각의 계측점의 계측값에 기초하여 기판(5)의 기준면을 생성한다. 단계 S1010에서는, 기판 상의 각각의 계측점마다, 단계 S1006에서 얻어진 각각의 계측값(FZ)과 기판 스테이지(7)의 Z 위치 사이의 차분(ΔFZ)을 구한다.
단계 S1012에서는, 주사 노광 동작을 개시한다. 주사 노광 동작에서는, 기판 스테이지(7)를 주사 방향으로 주사하면서, 포커스 계측 유닛(30)이, 기판 상의 각각의 계측점이 노광 위치에 도달하기 전에 포커스를 계측해서 각각의 계측값을 취득한다. 후속하여, 기판 상의 각각의 계측점이 노광 위치에 도달하기 전에 기판 스테이지(7)(기판(5))의 Z 위치가 목표 위치에 위치하도록 기판 스테이지(7)가 구동된다(즉, 기판(5)의 기준면을 투영 광학계(4)의 결상면에 대해 순차적으로 조정 및 일치시키는 추종 및 구동 동작이 행해진다).
단계 S1014에서는, 주사 노광 동작 시의 기판 스테이지(7)의 현재의 Y 및 Z 위치 각각에 대하여 근방 점(Y(k1) 및 Z(k2))을 결정한다. 본 실시형태에서는 근방 점(Y(k1) 및 Z(k2))을 결정하지만, 근방 점(Y(k1) 및 Z(k2))을 결정하는 대신에 기판 스테이지(7)의 현재의 Y 및 Z 위치를 취득할 수 있다.
단계 S1016에서는, 주사 노광 동작 동안에 포커스 계측 유닛(30)에 의해 얻어진 차분(ΔFZ)을 이용하여 계측값(FZ)을 보정하면서 기판 스테이지(7)의 추종 및 구동 동작을 행한다. 더 구체적으로는, 단계 S1010에서 구한 차분(ΔFZ) 중, 단계 S1014에서 결정된 근방 점(Y(k1) 및 Z(k2))에 대응하는 차분(ΔFZ(Y(k1), Z(k2)))을 선택한다. 후속하여, 상술한 바와 같이, 계측값(FZ(Y(k1), Z(k2)))을 차분(ΔFZ(Y(k1), Z(k2)))을 사용하여 보정하면서 기판 스테이지(7)의 추종 및 구동 동작을 행한다.
단계 S1018에서는, 기판(5)에 대해 행해지는 주사 노광 동작이 완료되었는지의 여부를 판정한다. 기판(5)에 대한 주사 노광 동작이 완료되었다고 판정되는 경우, 처리는 단계 S1020로 이행된다. 한편, 기판(5)에 대한 주사 노광 동작이 완료되지 않았다고 판정되는 경우에는, 처리는 단계 S1014로 이행되어 주사 노광 동작을 계속한다.
단계 S1020에서는, 노광 장치(100)에 모든 기판(5)이 반입되었는지의 여부가 판정된다. 노광 장치(100)에 모든 기판(5)이 반입된 경우에는, 동작을 종료한다. 한편, 노광 장치(100)에 모든 기판(5)이 반입되지 않은 경우에는, 처리는 단계 S1022로 이행된다.
단계 S1022에서는, 노광 장치(100)에 다음 기판(5)이 반입되고, 기판 스테이지(7)가 기판(5)을 보유지지하게 되며, 처리는 주사 노광 동작을 개시하기 위해서 단계 S1012로 이행된다. 동일한 하층 처리가 행해진 일련의 기판(예를 들어, 1개의 로트에 속하는 기판)에 대해 주사 노광 동작을 행하는 경우, 각각의 기판의 하층 사이에 변동은 거의 없는 것으로 생각할 수 있다. 따라서, 본 실시형태에서는, 일련의 기판의 제1 기판(예를 들어, 로트 내의 제1 기판)에 대하여 차분(ΔFZ)을 구하고, 제1 기판 이외의 각각의 기판의 계측값을 보정하기 위해 제1 기판에 대해 구한 차분(ΔFZ)을 사용할 것이다. 이 경우, 모든 기판에 대하여 포커스를 계측해서 차분(ΔFZ)을 구하는 경우에 비하여 처리 시간을 단축할 수 있다. 그러나, 동일한 하층 처리가 행해진 일련의 기판을 사용하는 경우에도, 모든 기판에 대해 포커스를 계측하고 차분(ΔFZ)을 구하도록 구성될 수 있다(처리는 단계 S1020의 아니오로부터 단계 S1004로 이행될 수 있다).
기판 상의 계측점에 관해서는, 처리에 요하는 시간 및 정밀도의 영향을 고려하여 기판 상의 계측점의 위치 및 수를 설정하는 것이 바람직하다. 또한, 기판 스테이지(7)의 추종 및 구동 동작을 더 정확하게 제어하기 위해서, 각각의 계측점의 위치 및 차분(ΔFZ)을 사용하여 1차의 다항식 보간 또는 2차 이상의 다항식 보간을 행함으로써 내삽을 구하는 것이 가능하다. 또한, 기판 스테이지(7)가 구동될 수 있는 축을 증가시킴으로써 더 많은 수의 위치 조합으로부터 계측점을 설정할 수 있다.
포커스 계측 유닛(30)에 관해서는, 라인 센서(17) 각각의 특성을 고려하여 라인 센서(17) 각각에 대해 차분(ΔFZ)을 구하는 것이 바람직하다. 이에 의해, 라인 센서(17)의 특성에 변동이 있는 경우에도, 차분(ΔFZ)을 정확하게 구하는 것이 가능하게 되고, 기판 스테이지(7)에 대해 고정밀 추종 및 구동 동작을 실현하는 것이 가능해진다.
본 실시형태는 임의의 기판으로부터 구한 차분(ΔFZ)을 동일한 두께를 갖는 기판에 적용하는 경우에 대해서 설명했지만, 각각의 기판의 두께의 영향을 고려하여 차분(ΔFZ)을 결정할 수 있다.
본 발명의 실시형태에 따른 물품 제조 방법은 예를 들어 디바이스(반도체 소자, 자기 저장 매체, 액정 소자 등), 컬러 필터, 광학 부품, MEMS 등의 물품을 제조하는데 적합하다. 물품 제조 방법은, 노광 장치(100)를 사용하여, 상술한 실시형태에 따른 노광 방법에 의해, 감광제가 도포된 기판을 노광하는 단계와, 노광된 감광제를 현상하는 단계를 포함한다. 또한, 현상된 감광제 패턴을 마스크로서 사용하여 기판에 대하여 에칭 단계 및 이온 주입 단계를 행함으로써 기판에 대해 회로 패턴을 형성한다. 이들 노광, 현상, 에칭 등의 단계를 반복함으로써 기판 상에 복수의 층으로 이루어지는 회로 패턴이 형성된다. 후속 단계에서, 회로 패턴이 형성된 기판에 대하여 다이싱(가공)을 행하고, 칩을 마운팅, 본딩, 및 검사하는 단계를 행한다. 또한, 물품 제조 방법은 다른 주지의 단계(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 레지스트 제거 등)를 포함할 수 있다. 본 실시형태에 따른 물품 제조 방법은 종래 기술의 방법에 비하여 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 비용 중 적어도 하나에서 유리하다.
본 발명은 스텝-앤드-스캔 노광 장치뿐만 아니라 스텝-앤드-리피트 노광 장치(스테퍼)에도 적용가능하다. 오목-볼록부를 포함하는 기판의 표면 형상을 계측하는 계측 방법도 본 발명의 일 양태를 형성한다. 계측 방법에서는, 기판의 높이 방향의 복수의 위치 각각에 대해서, 기판을 높이 방향에 직교하는 방향으로 이동시키면서 기판 상의 각 계측점의 높이 방향의 위치의 계측값을 취득한다. 후속하여, 기판 상의 각각의 계측점의 계측값에 기초하여 기판에 존재하는 오목-볼록부의 위치를 특정함으로써 기판의 표면 형상을 구한다.
본 발명을 예시적인 실시형태를 참고하여 설명하였지만, 본 발명은 개시된 예시적인 실시형태로 한정되지 않음을 이해해야 한다. 이하의 청구항의 범위는 이러한 모든 변형과 동등한 구조 및 기능을 포함하도록 최광의로 해석되어야 한다.

Claims (12)

  1. 원판과 기판을 주사 방향으로 이동시키면서 상기 기판을 노광하는 노광 방법이며, 상기 방법은,
    상기 기판의 높이 방향의 복수의 위치 각각에 상기 기판을 위치시키고, 상기 복수의 위치 각각에 대해서, 상기 기판을 상기 주사 방향으로 이동시키면서 상기 기판 상의 복수의 계측점 각각에 광 빔이 사입사되게 함으로써 상기 기판 상의 상기 복수의 계측점 각각의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제1 계측값을 취득하는 제1 단계와;
    상기 제1 단계에서 취득한 상기 복수의 위치 각각에서의 각각의 계측점의 상기 제1 계측값에 기초하여, 상기 기판의 표면 형상을 구함으로써 상기 기판에 존재하는 오목-볼록부의 위치를 특정하는 제2 단계와;
    상기 기판을 노광할 때에, 상기 제2 단계에서 특정한 상기 오목-볼록부의 상기 위치와, 상기 기판을 상기 주사 방향으로 이동시키면서 상기 복수의 계측점 각각에 상기 광 빔이 사입사하게 함으로써 얻어지는 각각의 계측점의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제2 계측값에 기초하여, 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치가 목표 위치가 되도록 상기 기판을 구동하는 제3 단계를 포함하고,
    상기 제3 단계에서, 상기 제2 단계에서 특정한 상기 오목-볼록부의 상기 위치에 의해 상기 제2 계측값에 발생하는 계측 오류를 보정하도록, 상기 제2 계측값 및 상기 목표 위치 중 하나가 보정되는, 노광 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 위치 각각의 상기 제1 계측값에 기초하여, 상기 제2 단계에서 특정된 상기 오목-볼록부의 위치에 기인해서 상기 제2 계측값에 발생하는 계측 오차를 보정하기 위한 각각의 계측점의 오프셋값을 구하는 제4 단계를 더 포함하며,
    상기 제3 단계에서는, 상기 오프셋값 중, 상기 제2 계측값을 취득했을 때의 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치에 대응하는 오프셋값을 사용하여, 상기 제2 계측값 및 상기 목표 위치 중 하나를 보정하는 노광 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제4 단계에서는, 상기 복수의 위치 각각에서의 각각의 계측점의 상기 제1 계측값과 상기 복수의 위치 각각 사이의 차분을 상기 오프셋값으로서 구하는 노광 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 제3 단계에서는, 각각의 계측점의 상기 제2 계측값과 상기 제2 계측값을 취득할 때의 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치에 대응하는 각각의 계측점의 상기 오프셋값 사이의 차분에 기초하여, 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치가 상기 목표 위치가 되도록 상기 기판을 구동하는 노광 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 제3 단계에서는, 상기 목표 위치와 상기 제2 계측값을 취득할 때의 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치에 대응하는 각각의 계측점 사이의 차분을 새로운 목표 위치로서 설정하며, 상기 제2 계측값에 기초하여 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치가 상기 새로운 목표 위치에 설정되도록 상기 기판을 구동하는 노광 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제3 단계에서는, 상기 복수의 계측점 각각이 노광 위치에 도달하기 전에 각각의 계측점의 상기 제2 계측값을 취득하고, 각각의 계측점이 상기 노광 위치에 도달할 때까지 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치가 상기 목표 위치로 설정되도록 상기 기판을 구동하는 노광 방법.
  7. 제1항에 있어서, 복수의 기판을 노광하는 경우에,
    상기 복수의 기판 중, 제1 기판에 대해서는 상기 제1 단계, 상기 제2 단계 및 상기 제3 단계를 행하고,
    상기 복수의 기판 중, 상기 제1 기판 이외의 기판에 대해서는, 상기 제1 기판에 대해 행해진 상기 제2 단계에서 특정된 상기 오목-볼록부의 상기 위치를 사용하여 상기 제3 단계를 행하는 노광 방법.
  8. 원판과 기판을 주사 방향으로 이동시키면서 상기 기판을 노광하는 노광 장치이며,
    상기 기판 상의 복수의 계측점 각각에 광 빔이 사입사하게 하고 각각의 계측점의 상기 기판의 높이 방향의 위치의 계측값을 취득하도록 구성되는 계측 유닛과;
    상기 기판을 노광하는 처리를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 기판의 상기 높이 방향의 복수의 위치 각각에 상기 기판을 위치시키고, 상기 복수의 위치 각각에 대해서, 상기 기판을 상기 주사 방향으로 이동시키면서 상기 기판 상의 복수의 계측점을 상기 계측 유닛이 계측하게 함으로써 상기 기판 상의 상기 복수의 계측점 각각의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제1 계측값을 취득하고,
    상기 취득된 복수의 위치 각각에서의 각각의 계측점의 상기 제1 계측값에 기초하여, 상기 기판의 표면 형상을 구함으로써 상기 기판에 존재하는 오목-볼록부의 위치를 특정하며,
    상기 기판을 노광할 때에, 특정된 상기 오목-볼록부의 위치와, 상기 기판을 상기 주사 방향으로 이동시키면서 상기 복수의 계측점을 상기 계측 유닛이 계측하게 함으로써 얻어지는 각각의 계측점의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제2 계측값에 기초하여, 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치가 목표 위치가 되도록 상기 기판을 구동하며,
    상기 제2 계측값이 측정될 때의 상기 오목-볼록부의 상기 위치에 의해 상기 제2 계측값에 발생하는 계측 오류를 보정하도록, 상기 제2 계측값 및 상기 목표 위치 중 하나를 보정하는, 노광 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제어 유닛은, 상기 복수의 위치 각각에 대한 상기 제1 계측값에 기초하여, 상기 오목-볼록부의 상기 위치에 기인해서 상기 제2 계측값에 발생하는 계측 오차를 보정하기 위한 각각의 계측점의 오프셋값을 구하며,
    상기 오프셋값 중, 상기 제2 계측값을 얻을 때의 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치에 대응하는 오프셋값을 사용하여 상기 제2 계측값 및 상기 목표 위치 중 하나를 보정하는 노광 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 계측 유닛은, 상기 복수의 계측점에 의해 반사된 광 빔을 검출하도록 구성되는 복수의 센서를 포함하며,
    상기 오프셋값은 상기 복수의 센서 각각에 대해 구해지는 노광 장치.
  11. 물품 제조 방법이며,
    노광 장치를 사용하여 기판을 노광하는 단계와;
    노광된 상기 기판을 현상하는 단계와;
    현상된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 단계를 포함하고,
    상기 노광 장치는 원판과 상기 기판을 주사 방향으로 이동시키면서 상기 기판을 노광하는 노광 장치이며,
    상기 기판 상의 복수의 계측점 각각에 광 빔이 사입사하게 하고, 각각의 계측점의 상기 기판의 높이 방향의 위치의 계측값을 취득하도록 구성되는 계측 유닛과,
    상기 기판을 노광하는 처리를 제어하도록 구성되는 제어 유닛을 포함하고,
    상기 제어 유닛은,
    상기 기판의 상기 높이 방향의 복수의 위치 각각에 상기 기판을 위치시키고, 상기 복수의 위치 각각에 대해서, 상기 기판을 상기 주사 방향으로 이동시키면서 상기 기판 상의 복수의 계측점을 상기 계측 유닛이 계측하게 함으로써 상기 기판 상의 상기 복수의 계측점 각각의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제1 계측값을 취득하고,
    상기 취득된 복수의 위치 각각에서의 각각의 계측점의 상기 제1 계측값에 기초하여, 상기 기판의 표면 형상을 구함으로써 상기 기판에 존재하는 오목-볼록부의 위치를 특정하며,
    상기 기판을 노광할 때에, 특정된 상기 오목-볼록부의 위치와, 상기 기판을 상기 주사 방향으로 이동시키면서 상기 복수의 계측점을 상기 계측 유닛이 계측하게 함으로써 얻어지는 각각의 계측점의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제2 계측값에 기초하여, 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치가 목표 위치가 되도록 상기 기판을 구동하며,
    상기 제2 계측값이 측정될 때의 상기 오목-볼록부의 상기 위치에 의해 상기 제2 계측값에 발생하는 계측 오류를 보정하도록, 상기 제2 계측값 및 상기 목표 위치 중 하나를 보정하는, 물품 제조 방법.
  12. 오목-볼록부를 포함하는 기판의 표면 형상을 계측하는 계측 방법이며, 상기 방법은,
    상기 기판의 높이 방향의 복수의 위치 각각에 상기 기판을 위치시키고, 상기 복수의 위치 각각에 대해서, 상기 기판을 상기 높이 방향에 직교하는 방향으로 이동시키면서 상기 기판 상의 상기 복수의 계측점 각각에 광 빔이 사입사하게 함으로써 상기 기판 상의 복수의 계측점 각각의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제1 계측값을 취득하는 제1 단계와;
    상기 제1 단계에서 취득한 상기 복수의 위치 각각에서의 각각의 계측점의 상기 제1 계측값에 기초하여, 상기 기판의 표면 형상을 구함으로써 상기 기판에 존재하는 오목-볼록부의 위치를 특정하는 제2 단계와;
    상기 기판을 노광할 때에, 상기 제2 단계에서 특정한 상기 오목-볼록부의 상기 위치와, 상기 기판을 상기 높이 방향에 직교하는 방향으로 이동시키면서 상기 복수의 계측점 각각에 상기 광 빔이 사입사하게 함으로써 얻어지는 각각의 계측점의 상기 높이 방향의 상기 위치의 제2 계측값에 기초하여, 상기 기판의 상기 높이 방향의 상기 위치가 목표 위치가 되도록 상기 기판을 구동하는 제3 단계를 포함하고,
    상기 제3 단계에서, 상기 제2 단계에서 특정한 상기 오목-볼록부의 상기 위치에 의해 상기 제2 계측값에 발생하는 계측 오류를 보정하도록, 상기 제2 계측값 및 상기 목표 위치 중 하나가 보정되고,
    상기 제2 단계에서, 상기 기판의 표면 형상을 구하는 것은 상기 제1 단계에서 취득된 상기 복수의 위치 각각에서의 각각의 계측점의 상기 제1 계측값에 기초하여 상기 오목-볼록부의 위치를 특정하는 것을 포함하는 계측 방법.
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