JP2018097151A - リソグラフィ装置、物品の製造方法、および計測装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明に係る第1実施形態の露光装置100について、図1を参照しながら説明する。図1は、第1実施形態の露光装置100を示す概略図である。露光装置100は、例えば、マスクステージ2と、照明光学系3と、投影光学系4と、基板ステージ6(ステージ)と、複数の計測部7(計測装置)と、制御部8とを含み、FPD用ガラス基板などの基板5を露光して当該基板上にパターン(潜像)を形成する。制御部8は、例えばCPUやメモリを有するコンピュータによって構成され、露光装置100の各部を制御する(基板5を露光する処理を制御する)。また、本実施形態では、投影光学系4から射出された光の光軸と平行な方向をZ方向とし、当該光軸に垂直かつ互いに直交する2つの方向をX方向およびY方向とする。即ち、基板ステージ6により保持された基板5の上面と平行かつ互いに直交する2つの方向をX方向およびY方向とする。
本発明に係る第2実施形態の露光装置について説明する。第1実施形態では、補正値が記憶されていない面取り量を有する基板5が基板ステージ6によって保持された場合、補正値を新たに取得し、新たに取得した補正値を当該基板5の面取り量に対応付けて記憶する例について説明した。しかしながら、新たに取得した補正値を記憶するのではなく、新たに取得した補正値と既に記憶されている補正値との差分値を記憶してもよい。第2実施形態では、処理部73が当該差分値を記憶する例について説明する。ここで、第2実施形態の露光装置は、第1実施形態の露光装置100と装置構成が同様であるため、ここでは装置構成の説明を省略する。
α=(A’−C’)−(A−C) ・・・(1)
A’−C’=(A−C)+α ・・・(2)
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置(露光装置)を用いて基板上にパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程(酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等)を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも1つにおいて有利である。
Claims (11)
- 基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
基板を保持して移動可能なステージと、
前記ステージにより保持された基板の側方から当該基板の端部に第1光を照射する照射部と、
前記照射部により前記第1光が照射される基板の端部の下方に配置され、当該端部で反射された前記第1光の光強度分布を検出する検出部と、
前記第1光の光強度分布から得られた前記基板のエッジの位置情報を補正値により補正した結果に基づいて、前記基板のエッジ位置を決定する処理部と、
を含み、
前記照射部および前記検出部は、前記ステージに設けられ、
前記処理部は、前記ステージにより保持された基板の端部に前記第1光を照射した状態で前記検出部により検出された前記第1光の光強度分布と、下方向に射出された第2光の光路内に当該端部を配置した状態で前記検出部により検出された前記第2光の光強度分布とに基づいて、前記補正値を生成する、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。 - 前記処理部は、前記第1光の光強度分布と前記第2光の光強度分布とに基づいて生成された前記補正値を、基板の端部の面取り量に対応付けて記憶する、ことを特徴とする請求項1に記載のリソグラフィ装置。
- 前記処理部は、補正値が記憶されていない面取り量の端部を有する基板が前記ステージによって保持された場合に、当該基板に対応する補正値を新たに生成する、ことを特徴とする請求項2に記載のリソグラフィ装置。
- 前記処理部は、前記ステージにより保持された基板の端部の面取り量情報を取得し、当該面取り量情報に基づいて補正値を新たに生成するか否かを判断する、ことを特徴とする請求項3に記載のリソグラフィ装置。
- 前記処理部は、端部の面取り量が同じである複数の基板に対して共通の補正値を適用する、ことを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 前記ステージには、複数の前記照射部および複数の前記検出部が設けられ、
前記処理部は、複数の前記検出部でそれぞれ得られた位置情報に対して共通の補正値を適用する、ことを特徴とすることを特徴とする請求項1乃至5のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 光またはビームを基板に照射して当該基板上にパターンを形成する形成部を更に含み、
前記ステージは、前記形成部の下方を移動可能に構成されている、ことを特徴とする請求項1乃至6のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。 - 下方向に前記第2光を射出する射出部を更に含み、
前記射出部は、前記形成部の側方に配置されている、ことを特徴とする請求項7に記載のリソグラフィ装置。 - 前記処理部は、前記第1光の光強度分布から得られた基板のエッジの第1位置情報と、前記第2光の光強度分布から得られた基板のエッジの第2位置情報との差に基づいて補正値を生成する、ことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置。
- 請求項1乃至9のうちいずれか1項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。 - ステージによって保持された基板のエッジ位置を計測する計測装置であって、
基板の側方から当該基板の端部に第1光を照射する照射部と、
前記照射部により前記第1光が照射される基板の端部の下方に配置され、当該端部で反射された前記第1光の光強度分布を検出する検出部と、
前記第1光の光強度分布から得られた前記基板のエッジの位置情報を補正値により補正した結果に基づいて、前記基板のエッジ位置を決定する処理部と、
を含み、
前記照射部および前記検出部は、前記ステージに設けられ、
前記処理部は、基板の端部に前記第1光を照射した状態で前記検出部により検出された前記第1光の光強度分布と、下方向に射出された第2光の光路内に当該端部を配置した状態で前記検出部により検出された前記第2光の光強度分布とに基づいて、前記補正値を生成する、
ことを特徴とする計測装置。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7222660B2 (ja) * | 2018-10-30 | 2023-02-15 | キヤノン株式会社 | ステージ装置、リソグラフィ装置、および物品の製造方法 |
JP7469864B2 (ja) * | 2019-10-21 | 2024-04-17 | キヤノン株式会社 | 位置決め装置、露光装置、および物品の製造方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09186061A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nikon Corp | 位置決め方法 |
JPH1064979A (ja) * | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 光学式プリアライメント装置および該プリアライメント装置を備えた露光装置 |
JP2003282427A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Toshiba Corp | 基板のアライメント装置 |
JP2008210951A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Toshiba Corp | 位置検出装置および位置検出方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001194320A (ja) * | 2000-01-06 | 2001-07-19 | Advantest Corp | 表面状態測定装置及び方法 |
JP2001241921A (ja) | 2000-03-01 | 2001-09-07 | Nippon Electric Glass Co Ltd | 板ガラスの寸法測定方法 |
KR100516405B1 (ko) * | 2003-02-28 | 2005-09-22 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치 |
EP1617209A4 (en) * | 2003-03-04 | 2010-10-06 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | DEVICE FOR INSPECTING THE END SURFACE OF A TRANSPARENT SUBSTRATE AND METHOD OF INSPECTING THE SAME |
JP2010117323A (ja) * | 2008-11-14 | 2010-05-27 | Nikon Corp | 表面検査装置 |
DE102009044294A1 (de) * | 2009-10-20 | 2011-05-05 | Kla-Tencor Mie Gmbh | Koordinatenmessmaschine zur Bestimmung der Lage von Strukturen auf einer Maske |
CN102402127B (zh) * | 2010-09-17 | 2014-01-22 | 上海微电子装备有限公司 | 一种硅片预对准装置及方法 |
US9841299B2 (en) * | 2014-11-28 | 2017-12-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Position determining device, position determining method, lithographic apparatus, and method for manufacturing object |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09186061A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Nikon Corp | 位置決め方法 |
JPH1064979A (ja) * | 1996-08-19 | 1998-03-06 | Nikon Corp | 光学式プリアライメント装置および該プリアライメント装置を備えた露光装置 |
JP2003282427A (ja) * | 2002-03-27 | 2003-10-03 | Toshiba Corp | 基板のアライメント装置 |
JP2008210951A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Toshiba Corp | 位置検出装置および位置検出方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111750774A (zh) * | 2019-03-29 | 2020-10-09 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 光学测量装置及方法 |
CN111750774B (zh) * | 2019-03-29 | 2021-09-24 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 光学测量装置及方法 |
Also Published As
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