JP6916616B2

JP6916616B2 - リソグラフィ装置、物品の製造方法、および計測装置

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Description

本発明は、リソグラフィ装置、物品の製造方法、および計測装置に関する。

ＦＰＤ（Flat Panel Display）や半導体デバイスなどの製造には、ガラスプレートやウェハなどの基板にパターンを形成するリソグラフィ装置が用いられる。このようなリソグラフィ装置では、基板に形成されたマークの位置の検出結果に基づいて基板を高精度に位置決めする前に、ステージによって保持された基板のエッジ位置を計測して基板の位置を把握する、いわゆるプリアライメントが行われる。

基板のエッジ位置を計測する計測装置としては、例えば、基板の端部に光を照射して基板のエッジ位置を計測する光学式の計測装置がある。特許文献１には、ステージによって保持された基板の端部に光を照射し、当該端部で反射された光を検出することによって基板のエッジ位置を計測する、いわゆる反射光式の計測装置が開示されている。

特開２００１−２４１９２１号公報

特許文献１に記載された反射光式の計測装置では、基板の端部に面取り処理が施されていると、基板の端部で反射された光に基づいて基板のエッジ位置を計測した結果に計測誤差（計測だまされ）が生じうる。

そこで、本発明は、基板のエッジ位置を精度よく計測するために有利なリソグラフィ装置を提供することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのリソグラフィ装置は、第１基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、前記第１基板を保持して移動可能なステージと、前記ステージにより保持された前記第１基板の側方から当該前記第１基板の端部に第１光を照射する照射部と、前記照射部により前記第１光が照射される前記第１基板の端部の下方に配置され、当該端部で反射された前記第１光を受光して、前記第１基板の上面と平行な方向における前記第１光の光強度分布を検出する検出部と、前記第１光の光強度分布から得られた前記第１基板のエッジの位置情報を補正値により補正した結果に基づいて、前記第１基板のエッジ位置を決定する処理部と、を含み、前記照射部および前記検出部は、前記ステージに設けられ、前記補正値は、前記第１基板とは異なる第２基板を前記ステージに保持させた状態において、前記第２基板の端部に前記第１光を照射したときに前記検出部により検出された前記第１光の光強度分布と、下方向に射出された第２光の光路内に前記第２基板の当該端部を配置したときに前記検出部により検出された前記第２光の光強度分布とに基づいて事前に生成される、ことを特徴とする。

本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される好ましい実施形態によって明らかにされるであろう。

本発明によれば、例えば、基板のエッジ位置を精度よく計測するために有利なリソグラフィ装置を提供することができる。

第１実施形態の露光装置を示す概略図である。複数の計測部の配置を示す図である。計測部の構成を示す図である。第１光の光強度分布を示す図である。基板のエッジ位置を計測する方法を示すフローチャートである。射出部から射出された第２光の光路内に検出部を配置した状態を示す図である。第２光の光強度分布を示す図である。第１光の光強度分布と第２光の光強度分布とを重ねた図である。第１光の光強度分布と第２光の光強度分布とを重ねた図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。

以下の実施形態では、リソグラフィ装置として、基板を露光する露光装置を用いて説明するが、それに限られるものではない。例えば、モールドを用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント装置や、荷電粒子線（ビーム）を基板に照射して当該基板にパターンを形成する描画装置などのリソグラフィ装置においても、本発明を適用することができる。ここで、リソグラフィ装置は、光またはビームを基板に照射して当該基板にパターンを形成する形成部を含む。露光装置では、光を用いてマスクのパターン像を基板に投影する投影光学系が形成部に相当しうる。インプリント装置では、モールドを保持し且つモールドを介して基板に光を照射するインプリントヘッドが形成部に相当しうる。また、描画装置では、基板に荷電粒子線（ビーム）を照射する鏡筒が形成部に相当しうる。

＜第１実施形態＞
本発明に係る第１実施形態の露光装置１００について、図１を参照しながら説明する。図１は、第１実施形態の露光装置１００を示す概略図である。露光装置１００は、例えば、マスクステージ２と、照明光学系３と、投影光学系４と、基板ステージ６（ステージ）と、複数の計測部７（計測装置）と、制御部８とを含み、ＦＰＤ用ガラス基板などの基板５を露光して当該基板上にパターン（潜像）を形成する。制御部８は、例えばＣＰＵやメモリを有するコンピュータによって構成され、露光装置１００の各部を制御する（基板５を露光する処理を制御する）。また、本実施形態では、投影光学系４から射出された光の光軸と平行な方向をＺ方向とし、当該光軸に垂直かつ互いに直交する２つの方向をＸ方向およびＹ方向とする。即ち、基板ステージ６により保持された基板５の上面と平行かつ互いに直交する２つの方向をＸ方向およびＹ方向とする。

照明光学系３は、光源（不図示）から射出された光を用いて、マスクステージ２によって保持されたマスク１を照明する。投影光学系４は、所定の倍率を有し、マスク１に形成されたパターンを基板５に投影する。マスク１および基板５は、マスクステージ２および基板ステージ６によってそれぞれ保持されており、投影光学系４を介して光学的にほぼ共役な位置（投影光学系４の物体面および像面）に配置される。

基板ステージ６は、基板５の端部が露出するように基板５を保持し、投影光学系４（形成部）の下方を移動可能に構成される。具体的には、基板ステージ６は、真空吸着などにより基板５を保持するチャック６ａと、チャック６ａ（基板５）を駆動する駆動部６ｂとを有する。チャック６ａは、基板５の端部がチャック６ａから露出するように（即ち、基板５の端部がチャック６ａからはみ出す（突出する）ように）基板５の中央部を保持する。駆動部６ｂは、チャック６ａ（基板５）をＸＹ方向に駆動するように構成されうるが、それに限られず、例えばＺ方向やθ方向（Ｚ軸周りの回転方向）などにチャック６ａ（基板５）を駆動するように構成されてもよい。

また、基板ステージ６の位置は、位置検出部９によって検出される。位置検出部９は、例えばレーザ干渉計を含み、基板ステージ６に設けられた反射板６ｃにレーザ光を照射し、反射板６ｃで反射されたレーザ光に基づいて基板ステージ６の基準位置からの変位を求める。これにより、位置検出部９は、基板ステージ６の位置を検出することができ、制御部８は、位置検出部９による検出結果に基づいて、基板ステージ６の位置を制御することができる。

このように構成された露光装置１００には、基板ステージ６によって保持された基板５の位置を把握するため（例えば、基板ステージ６に対する基板５の位置を把握するため）、複数の計測部７が基板ステージ６に設けられる。複数の計測部７はそれぞれ、基板５の端部に光を照射し、当該端部５で反射された光を検出した結果に基づいて基板５のエッジ位置を計測する。複数の計測部７は、ＸＹ方向およびθ方向における基板５の位置（例えば、基板自体の位置）を求めることができるように、基板５の端部における互いに異なる箇所のエッジ位置を計測するように配置されることが好ましい。例えば、図２に示すように、計測部７ａが、基板５のＹ方向側のエッジ位置を計測するように配置され、計測部７ｂおよび７ｃが、基板５のＸ方向側における互いに異なるエッジ位置を計測するように配置されうる。図２は、基板５を保持した状態の基板ステージ６（チャック６ａ）を上方（Ｚ方向）から見た図である。このように複数（３つ）の計測部７を配置することにより、ＸＹ方向およびθ方向の基板５の位置を求めることができる。ここで、本実施形態では、各計測部７が基板ステージ６のチャック６ａによって支持されているが、それに限られるものではなく、例えば各計測部７が基板ステージ６の駆動部６ｂによって支持されていてもよい。即ち、各計測部７は、基板ステージ６に設けられていればよい。

次に、計測部７の構成について、図３を参照しながら説明する。図３は、計測部７の構成を示す図である。計測部７は、照射部７１と、検出部７２と、処理部７３とを含みうる。照射部７１は、基板ステージ６（チャック６ａ）によって保持された基板５の側方から当該基板５の端部５ａに第１光１１を照射する。また、検出部７２は、照射部７１により第１光１１が照射される基板５の端部５ａの下方に位置し、当該端部５ａで反射された第１光１１の光強度分布を検出する。

照射部７１は、例えば、光源７１ａと、コリメーションレンズ７１ｂと、ミラー７１ｃとを有する。照射部７１は、光源７１ａから射出された例えば５００〜１２００ｎｍ程度の波長の光（第１光１１）を、コリメーションレンズ７１ｂで平行光にし、ミラー７１ｃで反射させて、基板５の端部５ａを照射する。照射部７１が基板５の端部５ａに照射する第１光１１の光束径φ_１は、基板５の厚さより大きいことが好ましい。また、検出部７２は、例えば、複数のレンズ７２ａ、７２ｂと、受光素子７２ｃとを有し、基板５の端部５ａで反射された第１光１１を複数のレンズ７２ａ、７２ｂを介して受光素子７２ｃにより受光し、第１光１１の光強度分布を検出する（生成する）。受光素子７２ｃは、例えば、ＣＣＤやＣＭＯＳなどによって構成されたエリアセンサ（またはラインセンサ）を含みうる。ここで、図３に示す例では、照射部７１は、水平方向（基板５の上面と平行な方向（−Ｙ方向））に第１光１１を射出して基板５の端部５ａに照射するように構成されている。しかしながら、それに限られるものではなく、例えば、基板５の端部５ａに斜め側方から第１光を照射するように構成されてもよい。

処理部７３は、検出部７２（受光素子７２ｃ）によって検出された第１光１１の光強度分布のデータを受光素子７２ｃから取得し、第１光１１の光強度分布から得られた基板５のエッジの位置情報に基づいて、基板５のエッジ位置を決定する。ここで、本実施形態では、第１光１１の光強度分布における光強度のピーク位置に基づいて基板５のエッジの位置情報を求める例について説明する。しかしながら、それに限られるものではなく、例えば、第１光１１の光強度分布における光強度が所定の強度となる位置に基づいて当該位置情報を求めてもよい。また、本実施形態では、処理部７３を計測部７の構成要素としているが、それに限られるものではなく、例えば、制御部８の構成要素としてもよい。

このように構成された計測部７では、基板ステージ６によって保持された基板５の端部５ａに面取り処理が施されていると、当該端部５ａで反射された第１光に基づいて基板５のエッジ位置を計測した結果に計測誤差（計測だまされ）が生じうる。図４は、基板５の厚さより大きい光束径φ_１を有する第１光１１を基板５の端部５ａに照射したときに検出部７２によって検出された第１光１１の光強度分布２１を示す図である。図４には、第１光１１の光強度分布と、Ｙ方向における基板５の端部５ａの位置との対応関係が分かるように、基板５の端部５ａも併せて図示している。

基板５の端部５ａに面取り処理が施されていると、基板５のエッジでの反射光は受光素子７２ｃにほとんど入射せず、図４の矢印２２で示すように、基板５のエッジとは異なる箇所での反射光が受光素子７２ｃに入射する。そのため、検出部７２（受光素子７２ｃ）で検出された第１光１１の光強度分布２１における光強度のピーク位置Ａが、基板５のエッジに対応する位置Ｂからずれてしまい、光強度のピーク位置Ａから基板５のエッジ位置を精度よく求めることが困難になりうる。また、このような光強度のピーク位置Ａと基板５のエッジに対応する位置Ｂとのずれ（以下、「ピーク位置ずれ」と称する）は、図４の破線２３で示すように、基板５の端部５ａの面取り量に応じて変化する。

そこで、本実施形態の処理部７３は、射出部１０から下方向に射出された第２光１２の光路内に基板５の端部５ａと検出部７２とを配置して検出部７２に第２光１２の光強度分布を検出させ、第２光１２の光強度分布に基づいて補正値を事前に生成する。補正値は、ピーク位置ずれに起因する計測誤差を補正するためのものである。そして、処理部７３は、第１光１１の光強度分布から得られた基板５のエッジの位置情報（光強度のピーク位置を示す情報）を、事前に生成された補正値により補正し、その結果に基づいて基板５のエッジ位置を決定する。これにより、基板５の端部５ａで反射された第１光１１に基づいて基板５のエッジ位置を計測した結果に生じる計測誤差を低減し、基板５のエッジ位置を精度よく決定することができる。ここで、射出部１０は、例えば、図１に示すように投影光学系４の側方に設けられ、投影光学系４（形成部）、または投影光学系４を支持する支持部材によって支持されうる。また、本実施形態では、射出部１０から下方向に射出された第２光１２を用いて補正値を生成するが、それに限られるものではなく、例えば、投影光学系４から下方向に射出された光を第２光１２として用いて補正値を生成してもよい。即ち、投影光学系４を射出部１０として用いてもよい。このように投影光学系４からの光を第２光１２として用いる場合では、照明光学系３と投影光学系４との間の光路上にマスク１が配置されていない状態であることが好ましい。

以下に、本実施形態における基板５のエッジ位置を計測する方法について、図５を参照しながら説明する。図５は、基板５のエッジ位置を計測する方法を示すフローチャートである。以下の説明では、図５に示すフローチャートの各工程が処理部７３によって行われるものとして説明するが、制御部８によって行われてもよい。

Ｓ１１では、処理部７３は、基板ステージ６によって保持された基板５の端部５ａの面取り量情報を取得する。例えば、処理部７３は、面取り量情報を、露光装置１００に設けられた入力部（マウスやキーボード）などのユーザインターフェースを介して取得してもよいし、通信Ｉ／Ｆを介して外部のコンピュータから取得してもよい。また、処理部７３は、基板５の識別ＩＤと面取り量情報とを記憶しておき、基板ステージ６によって保持された基板５の識別ＩＤを読み込んで面取り量情報を取得してもよい。ここで、基板５の端部５ａの面取り量は、面取り処理を行う際に用いられた工具によって決まり、同じ工具を用いて面取り処理が行われた複数の基板では、面取り量がほぼ同じになりうる。したがって、同じ工具を用いて面取り処理が行われた複数の基板では、同じ面取り量情報を用いることができる（即ち、共通の補正値を適用することができる）。

Ｓ１２では、処理部７３は、Ｓ１１で取得した面取り量情報に対応する補正値が記憶されているか否かを判断する。Ｓ１１で取得した面取り量情報に対応する補正値が記憶されていない場合には、補正値を新たに生成する工程（Ｓ１３〜Ｓ１７）を行う。一方、Ｓ１１で取得した面取り量情報に対応する補正値が記憶されている場合には、記憶されている補正値を取得してＳ１８に進む。

Ｓ１３〜Ｓ１７は、補正値を新たに生成する工程である。Ｓ１３〜Ｓ１７の工程は、前述のＳ１１〜Ｓ１２の工程を経ることにより、例えば、ロットの最初の基板に対して行われうる。

Ｓ１３では、処理部７３は、図６に示すように、複数の計測部７のうち所定の１つの計測部７における検出部７２（および基板５の端部５ａ）が、射出部１０から射出された第２光１２の光路内に配置されるように基板ステージ６を移動させる。Ｓ１４では、処理部７３は、所定の計測部７における検出部７２が第２光１２の光路内に配置されている状態で（即ち、基板５の端部５ａの上方から当該端部５に第２光１２を照射している状態で）、当該検出部７２に第２光１２の光強度分布を検出させる。

図７は、光束径φ_２を有する第２光１２を基板５の端部５ａの上方から当該端部５ａに照射したときに検出部７２によって検出された第２光１２の光強度分布３１を示す図である。図７には、第２光１２の光強度分布と、Ｙ方向における基板５の端部５ａの位置との対応関係が分かるように、基板５の端部５ａも併せて図示している。図７における領域Ｉは、面取り処理が行われていない基板５（ガラス基板）の領域であり、領域ＩＩは、面取り処理が行われた基板５の領域であり、領域ＩＩＩは、基板５が配置されていない領域である。検出部７２によって検出された第２光１２の光強度分布では、図７に示すように、領域Ｉにおける光強度が領域ＩＩＩにおける光強度より小さくなり、領域ＩＩにおける光強度が領域Ｉにおける光強度より小さくなる。そして、領域ＩＩと領域ＩＩＩとの境界では、光強度が急激に変化する。したがって、処理部７３は、例えば、検出部７２で検出された第２光１２の光強度分布において光強度が最も変化する位置Ｃ（即ち、光強度の微分値が最大となる位置Ｃ）を、基板５のエッジを示す位置情報（第２位置情報）として求めることができる。本実施形態では、第２光１２の光強度分布において微分値が最大となる位置を第２位置情報として求めているが、それに限られるものではなく、例えば、他の指標値に基づいて第２位置情報を求めてもよい。

ここで、第２光１２の光強度分布から得られた第２位置情報は、上述したように基板５のエッジ位置を表しているため、当該第２位置情報を第２光１２の光強度分布から求めれば、基板５のエッジ位置を精度よく計測することができる。しかしながら、基板ステージ６を移動させて、第２光１２の光路内に検出部７２を配置する工程を、複数の検出部７２の各々について順次行うことは、スループット（生産性）の点で不利になりうる。また、射出部１０を基板ステージ６に設けてしまうと、投影光学系４（形成部）と基板ステージ６（基板５）との間の空間が狭く、当該空間に射出部１０を配置することができないため、基板ステージ６の移動を制限させてしまうこととなりうる。そのため、本実施形態では、射出部１０から射出された第２光１２を、補正値を求めるためだけに用いている。

Ｓ１５では、処理部７３は、Ｓ１４で第２位置情報を求めた所定の計測部７において、照射部７１によって基板５の端部５ａに第１光１１を照射し、当該端部５ａで反射された第１光１１の光強度分布を検出部７２に検出させる。そして、処理部７３は、図４を用いた前述の説明のように、検出部７２によって検出された第１光１１の光強度分布におけるピーク位置に基づいて、基板５のエッジの位置情報（第１位置情報）を求める。Ｓ１６では、処理部７３は、Ｓ１４で求めた第２位置情報とＳ１５で求めた第１位置情報との差を、補正値として生成する。Ｓ１７では、処理部７３は、Ｓ１６で生成した補正値を、基板５の面取り量と対応付けて記憶する。Ｓ１７が終了したらＳ１８に進む。

図８は、Ｓ１４において検出部７２により検出された第２光１２の光強度分布３１と、Ｓ１５において検出部７２により検出された第１光１１の光強度分布２１とを重ねて示した図である。処理部７３は、例えば、第１光１１の光強度分布における光強度のピーク位置Ａを第１位置情報として求めるとともに、第２光１２の光強度分布における光強度の微分値が最大となる位置Ｃを第２位置情報として求める。これにより、処理部７３は、第１位置情報と第２位置情報との差（Ａ−Ｃ）を補正値として求めることができる。

Ｓ１８では、処理部７３は、複数の計測部７の各々に第１光１１の光強度分布を検出させる。具体的には、処理部７３は、複数の計測部７の各々において、照射部７１によって基板５の端部５ａに第１光１１を照射し、当該端部５ａで反射した第１光１１の光強度分布を検出部７２に検出させる。Ｓ１９では、処理部７３は、複数の計測部７の各々で得られた第１光１１の光強度分布に基づいて、基板５のエッジの位置情報をそれぞれ求める。Ｓ２０では、処理部７３は、複数の計測部７の各々について、Ｓ１９で得られた基板５のエッジの位置情報を、Ｓ１２またはＳ１６で得られた補正値によって補正し、その補正した結果に基づいて基板５のエッジ位置を決定する。このとき、処理部７３は、複数の計測部７の各々で得られた基板５のエッジの位置情報に対して、共通の補正値を適用しうる。このような工程を経ることにより、基板５の位置を精度よく求めることができる。

上述のように、本実施形態の露光装置１００は、基板５の端部５ａの側方から当該端部５ａに第１光１１を照射し、当該端部５ａで反射された第１光１１の光強度分布を検出する。そして、第１光１１の光強度分布から得られた基板５のエッジの位置情報を、事前に生成された補正値により補正し、その結果に基づいて基板５のエッジ位置を決定する。これにより、基板５の端部５ａで反射された第１光１１に基づいて基板５のエッジ位置を計測した結果に生じる計測誤差を低減し、基板５のエッジ位置を精度よく計測することができる。

＜第２実施形態＞
本発明に係る第２実施形態の露光装置について説明する。第１実施形態では、補正値が記憶されていない面取り量を有する基板５が基板ステージ６によって保持された場合、補正値を新たに取得し、新たに取得した補正値を当該基板５の面取り量に対応付けて記憶する例について説明した。しかしながら、新たに取得した補正値を記憶するのではなく、新たに取得した補正値と既に記憶されている補正値との差分値を記憶してもよい。第２実施形態では、処理部７３が当該差分値を記憶する例について説明する。ここで、第２実施形態の露光装置は、第１実施形態の露光装置１００と装置構成が同様であるため、ここでは装置構成の説明を省略する。

例えば、図８に示すように、第１光１１の光強度分布における光強度のピーク位置Ａ（第１位置情報）と、第２光１２の光強度分布における光強度の微分値が最大となる位置Ｃ（第２位置情報）との差が補正値として処理部７３に既に記憶されているものとする。そして、補正値が記憶されていない面取り量を有する新規の基板５が基板ステージ６によって保持された場合、処理部７３は、図７に示すフローチャートにおけるＳ１３〜Ｓ１６の工程を行う。このときに取得された第１光１１の光強度分布２１’と第２光１２の光強度分布３１’とを図９に示す。図９に示す例では、第１光１１の光強度分布における光強度のピーク位置Ａ’に基づいて第１位置情報が求められ、第２光１２の光強度分布における光強度の微分値が最大となる位置Ｃ’に基づいて第２位置情報が求められる。

この場合、処理部７３は、既に記憶されている補正値（Ａ−Ｃ）と新たに求めた補正値（Ａ’−Ｃ’）との差分値αを以下の式（１）によって求め、Ｓ１７において、新たに求めた補正値の代わりに、差分値αを、新規の基板５の面取り量と対応付けて記憶する。そして、処理部７３は、新規の基板に対して補正値（Ａ’−Ｃ’）を適用する際には、当該補正値を式（２）によって求める。ここで、処理部７３は、差分値αが所定の閾値より小さい場合には、既に記憶されている補正値を新規の基板５の面取り量と対応付けて記憶してもよい。
α＝（Ａ’−Ｃ’）−（Ａ−Ｃ）・・・（１）
Ａ’−Ｃ’＝（Ａ−Ｃ）＋α ・・・（２）

＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかかる物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、上記のリソグラフィ装置（露光装置）を用いて基板上にパターンを形成する工程と、かかる工程でパターンを形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。

１：マスク、２：マスクステージ、３：照明光学系、４：投影光学系、５：基板、６：基板ステージ、７：計測部、７１：照射部、７２：検出部、７３：処理部、８：制御部、１０：射出部、１００：露光装置

Claims

第１基板にパターンを形成するリソグラフィ装置であって、
前記第１基板を保持して移動可能なステージと、
前記ステージにより保持された前記第１基板の側方から当該前記第１基板の端部に第１光を照射する照射部と、
前記照射部により前記第１光が照射される前記第１基板の端部の下方に配置され、当該端部で反射された前記第１光を受光して、前記第１基板の上面と平行な方向における前記第１光の光強度分布を検出する検出部と、
前記第１光の光強度分布から得られた前記第１基板のエッジの位置情報を補正値により補正した結果に基づいて、前記第１基板のエッジ位置を決定する処理部と、
を含み、
前記照射部および前記検出部は、前記ステージに設けられ、
前記補正値は、前記第１基板とは異なる第２基板を前記ステージに保持させた状態において、前記第２基板の端部に前記第１光を照射したときに前記検出部により検出された前記第１光の光強度分布と、下方向に射出された第２光の光路内に前記第２基板の当該端部を配置したときに前記検出部により検出された前記第２光の光強度分布とに基づいて事前に生成される、
ことを特徴とするリソグラフィ装置。
前記処理部は、前記第２基板を用いて前記第１光の光強度分布と前記第２光の光強度分布とに基づいて生成された前記補正値を、前記第２基板の端部の面取り量に対応付けて記憶する、ことを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ装置。
前記処理部は、補正値が記憶されていない面取り量の端部を有する基板が前記ステージによって保持された場合に、当該基板の面取り量に対応する補正値を新たに生成する、ことを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィ装置。
前記処理部は、前記ステージにより保持された基板の端部の面取り量情報を取得し、当該面取り量情報に基づいて補正値を新たに生成するか否かを判断する、ことを特徴とする請求項３に記載のリソグラフィ装置。
前記処理部は、端部の面取り量が同じである複数の基板に対して共通の補正値を適用する、ことを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
前記ステージには、複数の前記照射部および複数の前記検出部が設けられ、
前記処理部は、複数の前記検出部でそれぞれ得られた位置情報に対して共通の補正値を適用する、ことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
前記ステージにより保持された前記第１基板に光またはビームを照射して当該第１基板上にパターンを形成する形成部を更に含み、
前記ステージは、前記形成部の下方を移動可能に構成されている、ことを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
下方向に前記第２光を射出する射出部を更に含み、
前記射出部は、前記形成部の側方に配置されている、ことを特徴とする請求項７に記載のリソグラフィ装置。
前記射出部は、前記形成部の側部に設けられている、ことを特徴とする請求項８に記載のリソグラフィ装置。
前記補正値は、前記第１光の光強度分布から得られた前記第２基板のエッジの位置情報と、前記第２光の光強度分布から得られた前記第２基板のエッジの位置情報との差に基づいて生成される、ことを特徴とする請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
前記第１基板の端部と前記第２基板の端部とは、同じ面取り量を有する、ことを特徴とする請求項１乃至１０のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置。
請求項１乃至１１のうちいずれか１項に記載のリソグラフィ装置を用いてパターンを基板に形成する工程と、
前記工程で前記パターンが形成された前記基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
ステージによって保持された第１基板のエッジ位置を計測する計測装置であって、
前記第１基板の側方から前記第１基板の端部に第１光を照射する照射部と、
前記照射部により前記第１光が照射される前記第１基板の端部の下方に配置され、当該端部で反射された前記第１光を受光して、前記第１基板の上面と平行な方向における前記第１光の光強度分布を検出する検出部と、
前記第１光の光強度分布から得られた前記第１基板のエッジの位置情報を補正値により補正した結果に基づいて、前記第１基板のエッジ位置を決定する処理部と、
を含み、
前記照射部および前記検出部は、前記ステージに設けられ、
前記補正値は、前記第１基板とは異なる第２基板の端部に前記第１光を照射したときに前記検出部により検出された前記第１光の光強度分布と、下方向に射出された第２光の光路内に前記第２基板の当該端部を配置したときに前記検出部により検出された前記第２光の光強度分布とに基づいて事前に生成される、
ことを特徴とする計測装置。