CN108614392A - 平版印刷装置、物品的制造方法以及测量装置 - Google Patents

平版印刷装置、物品的制造方法以及测量装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供平版印刷装置、物品的制造方法及测量装置。提供对于高精度测量基板边缘位置有利的平版印刷装置。将图案形成于基板的平版印刷装置包括载置台,能保持基板而移动;照射部,从由载置台保持的基板侧方对该基板端部照射第一光;检测部,配置于被照射部照射第一光的基板端部下方,检测在该端部反射的第一光的光强度分布;处理部,根据由校正值校正从第一光的光强度分布得到的基板边缘位置信息的结果,决定基板边缘位置,照射部及检测部设置于载置台,处理部根据在对由载置台保持的基板端部照射第一光的状态下由检测部检测的第一光光强度分布和在将该端部配置于向下方向上射出的第二光光路内状态下由检测部检测的第二光光强度分布生成校正值。

Description

平版印刷装置、物品的制造方法以及测量装置
技术领域
本发明涉及平版印刷装置、物品的制造方法以及测量装置。
背景技术
在FPD(Flat Panel Display,平板显示器)、半导体器件等的制造中,使用将图案形成于玻璃平板、晶片等基板的平版印刷装置。在这样的平版印刷装置中,进行在根据形成于基板的标志的位置的检测结果对基板高精度地进行定位之前测量利用载置台保持的基板的边缘位置来掌握基板的位置的所谓预对准。
作为测量基板的边缘位置的测量装置,例如有对基板的端部照射光来测量基板的边缘位置的光学式测量装置。在专利文献1中公开有通过对利用载置台保持的基板的端部照射光并检测在该端部反射的光从而测量基板的边缘位置的所谓反射光式测量装置。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2001-241921号公报
发明内容
在专利文献1记载的反射光式测量装置中,在对基板的端部实施倒角处理时,有可能在根据在基板的端部反射的光来测量基板的边缘位置而得到的结果中产生测量误差(测量失误)。
因此,本发明的目的在于提供一种对于高精度地测量基板的边缘位置有利的平版印刷装置。
为了达成上述目的,作为本发明的一个方面的平版印刷装置是将图案形成于基板的平版印刷装置,该平版印刷装置的特征在于,包括:载置台,能够保持基板而移动;照射部,从由所述载置台保持的基板的侧方对该基板的端部照射第一光;检测部,配置于被所述照射部照射所述第一光的基板的端部的下方,检测在该端部反射的所述第一光的光强度分布;以及处理部,根据利用校正值校正从所述第一光的光强度分布得到的所述基板的边缘的位置信息而得到的结果,决定所述基板的边缘位置,所述照射部以及所述检测部设置于所述载置台,所述处理部根据在对由所述载置台保持的基板的端部照射所述第一光的状态下由所述检测部检测出的所述第一光的光强度分布和在将该端部配置于向下方向上射出的第二光的光路内的状态下由所述检测部检测出的所述第二光的光强度分布,生成所述校正值。
为了达成上述目的,作为本发明的一个方面的物品的制造方法,其特征在于,包括:使用平版印刷装置将图案形成于基板的工序;以及对在所述工序中形成有所述图案的所述基板进行加工的工序,所述平版印刷装置包括:载置台,能够保持基板而移动;照射部,从由所述载置台保持的基板的侧方对该基板的端部照射第一光;检测部,配置于被所述照射部照射所述第一光的基板的端部的下方,检测在该端部反射的所述第一光的光强度分布;以及处理部,根据利用校正值校正从所述第一光的光强度分布得到的所述基板的边缘的位置信息而得到的结果,决定所述基板的边缘位置,所述照射部以及所述检测部设置于所述载置台,所述处理部根据在对由所述载置台保持的基板的端部照射所述第一光的状态下由所述检测部检测出的所述第一光的光强度分布和在将该端部配置于向下方向上射出的第二光的光路内的状态下由所述检测部检测出的所述第二光的光强度分布,生成所述校正值。
为了达成上述目的,作为本发明的一个方面的测量装置是测量由载置台保持的基板的边缘位置的测量装置,该测量装置的特征在于,包括:照射部,从基板的侧方对该基板的端部照射第一光;检测部,配置于被所述照射部照射所述第一光的基板的端部的下方,检测在该端部反射的所述第一光的光强度分布;以及处理部,根据利用校正值校正从所述第一光的光强度分布得到的所述基板的边缘的位置信息而得到的结果,决定所述基板的边缘位置,所述照射部以及所述检测部设置于所述载置台,所述处理部根据在对基板的端部照射所述第一光的状态下由所述检测部检测出的所述第一光的光强度分布和在将该端部配置于向下方向上射出的第二光的光路内的状态下由所述检测部检测出的所述第二光的光强度分布,生成所述校正值。
本发明的进一步的目的或者其它方面根据以下参照附图进行说明的优选实施方式能更加明确。
根据本发明,例如能够提供对于高精度地测量基板的边缘位置有利的平版印刷装置。
附图说明
图1是示出第一实施方式的曝光装置的概略图。
图2是示出多个测量部的配置的图。
图3是示出测量部的结构的图。
图4是示出第一光的光强度分布的图。
图5是示出测量基板的边缘位置的方法的流程图。
图6是示出在从射出部射出的第二光的光路内配置有检测部的状态的图。
图7是示出第二光的光强度分布的图。
图8是将第一光的光强度分布和第二光的光强度分布重叠的图。
图9是将第一光的光强度分布和第二光的光强度分布重叠的图。
(符号说明)
1:掩模;2:掩模载置台;3:照明光学系统;4:投影光学系统;5:基板;6:基板载置台;7:测量部;71:照射部;72:检测部;73:处理部;8:控制部;10:射出部;100:曝光装置。
具体实施方式
以下,参照附图说明本发明的优选实施方式。此外,在各图中,对同一部件或者要素附加同一参照编号,省略重复的说明。
在以下的实施方式中,作为平版印刷装置使用对基板进行曝光的曝光装置来进行说明,但不限于此。例如,在使用模具在基板上形成压印材料的图案的压印装置、对基板照射带电粒子射线(射束)而将图案形成于该基板的描绘装置等平版印刷装置中,也能够应用本发明。在此,平版印刷装置包括对基板照射光或者射束而将图案形成于该基板的形成部。在曝光装置中,使用光将掩模的图案像投影到基板的投影光学系统可相当于形成部。在压印装置中,保持模具并且隔着模具对基板照射光的压印头可相当于形成部。另外,在描绘装置中,对基板照射带电粒子射线(射束)的镜筒可相当于形成部。
<第一实施方式>
参照图1,说明本发明所涉及的第一实施方式的曝光装置100。图1是示出第一实施方式的曝光装置100的概略图。曝光装置100例如包括掩模载置台2、照明光学系统3、投影光学系统4、基板载置台6(载置台)、多个测量部7(测量装置)以及控制部8,对FPD用玻璃基板等基板5进行曝光而在该基板上形成图案(潜像)。控制部8由例如具有CPU、存储器的计算机构成,控制曝光装置100的各部分(控制对基板5进行曝光的处理)。另外,在本实施方式中,将与从投影光学系统4射出的光的光轴平行的方向设为Z方向,将与该光轴垂直并且相互正交的两个方向设为X方向以及Y方向。即,将与由基板载置台6保持的基板5的上表面平行并且相互正交的两个方向设为X方向以及Y方向。
照明光学系统3使用从光源(未图示)射出的光,对由掩模载置台2保持的掩模1进行照明。投影光学系统4具有预定的倍率,将形成于掩模1的图案投影到基板5。掩模1以及基板5分别被掩模载置台2以及基板载置台6保持,隔着投影光学系统4配置于光学上大致共轭的位置(投影光学系统4的物面以及像面)。
基板载置台6以使基板5的端部露出的方式保持基板5,构成为能够在投影光学系统4(形成部)的下方移动。具体而言,基板载置台6具有通过真空吸附等保持基板5的卡盘6a、和驱动卡盘6a(基板5)的驱动部6b。卡盘6a以使基板5的端部从卡盘6a露出的方式(即以使基板5的端部从卡盘6a超出(突出)的方式)保持基板5的中央部。驱动部6b可构成为在XY方向上驱动卡盘6a(基板5),但不限于此,也可以构成为例如在Z方向、θ方向(绕Z轴的旋转方向)等方向上驱动卡盘6a(基板5)。
另外,利用位置检测部9检测基板载置台6的位置。位置检测部9例如包括激光干扰计,对设置于基板载置台6的反射板6c照射激光,根据被反射板6c反射的激光而求出基板载置台6的相对于基准位置的变位。由此,位置检测部9能够检测基板载置台6的位置,控制部8能够根据由位置检测部9检测的结果,控制基板载置台6的位置。
在这样构成的曝光装置100中,为了掌握由基板载置台6保持的基板5的位置(例如为了掌握基板5相对基板载置台6的位置),多个测量部7被设置于基板载置台6。多个测量部7分别对基板5的端部照射光,根据检测在该端部5反射的光而得到的结果,测量基板5的边缘位置。多个测量部7为了能够求出XY方向以及θ方向上的基板5的位置(例如基板自身的位置),优选配置成测量基板5的端部处的相互不同的部位的边缘位置。例如,如图2所示,测量部7a可被配置成测量基板5的Y方向侧的边缘位置,测量部7b以及7c可被配置成测量基板5的X方向侧的相互不同的边缘位置。图2是从上方(Z方向)观察保持基板5的状态的基板载置台6(卡盘6a)的图。通过这样配置多个(三个)测量部7,能够求出XY方向以及θ方向的基板5的位置。在此,在本实施方式中,由基板载置台6的卡盘6a支撑各测量部7,但不限于此,也可以例如由基板载置台6的驱动部6b支撑各测量部7。即,只要各测量部7设置于基板载置台6即可。
接下来,参照图3,说明测量部7的结构。图3是示出测量部7的结构的图。测量部7可包括照射部71、检测部72以及处理部73。照射部71从由基板载置台6(卡盘6a)保持的基板5的侧方对该基板5的端部5a照射第一光11。另外,检测部72位于被照射部71照射第一光11的基板5的端部5a的下方,检测在该端部5a反射的第一光11的光强度分布。
照射部71例如具有光源71a、准直透镜71b以及反射镜71c。照射部71用准直透镜71b使从光源71a射出的例如500nm~1200nm左右的波长的光(第一光11)成为平行光,并由反射镜71c反射而对基板5的端部5a进行照射。照射部71对基板5的端部5a照射的第一光11的光束直径φ1优选大于基板5的厚度。另外,检测部72例如具有多个透镜72a、72b和受光元件72c,经由多个透镜72a、72b由受光元件72c对在基板5的端部5a反射的第一光11进行接收,检测(生成)第一光11的光强度分布。受光元件72c例如可包括由CCD、CMOS等构成的区域传感器(或者线传感器)。在此,在图3所示的例子中,照射部71构成为在水平方向(与基板5的上表面平行的方向(-Y方向))上射出第一光11而照射到基板5的端部5a。然而,不限于此,例如,也可以构成为从倾斜侧方对基板5的端部5a照射第一光。
处理部73从受光元件72c取得由检测部72(受光元件72c)检测出的第一光11的光强度分布的数据,根据从第一光11的光强度分布得到的基板5的边缘的位置信息来决定基板5的边缘位置。在此,在本实施方式中,说明根据第一光11的光强度分布中的光强度的峰值位置求出基板5的边缘的位置信息的例子。然而,不限于此,例如,也可以根据第一光11的光强度分布中的光强度成为预定的强度的位置,求出该位置信息。另外,在本实施方式中,将处理部73作为测量部7的构成要素,但不限于此,例如,也可以作为控制部8的构成要素。
在这样构成的测量部7中,在对由基板载置台6保持的基板5的端部5a实施倒角处理后,在根据在该端部5a反射的第一光测量基板5的边缘位置而得到的结果中可能产生测量误差(测量失误)。图4是示出在对基板5的端部5a照射具有比基板5的厚度大的光束直径φ1的第一光11时由检测部72检测出的第一光11的光强度分布21的图。在图4中还一并图示出基板5的端部5a,以使得判明第一光11的光强度分布和Y方向上的基板5的端部5a的位置的对应关系。
在对基板5的端部5a实施倒角处理后,基板5的边缘处的反射光几乎不入射到受光元件72c,如图4的箭头22所示,基板5的与边缘不同的部位处的反射光入射到受光元件72c。因此,用检测部72(受光元件72c)检测出的第一光11的光强度分布21中的光强度的峰值位置A偏离与基板5的边缘对应的位置B,可能难以根据光强度的峰值位置A高精度地求出基板5的边缘位置。另外,这样的光强度的峰值位置A和与基板5的边缘对应的位置B之间的偏离(以下称为“峰值位置偏离”)如图4的虚线23所示,根据基板5的端部5a的倒角量而变化。
因此,本实施方式的处理部73在从射出部10向下方向上射出的第二光12的光路内配置基板5的端部5a和检测部72并使检测部72检测第二光12的光强度分布,根据第二光12的光强度分布事先生成校正值。校正值是用于校正峰值位置偏离所引起的测量误差的值。另外,处理部73利用事先生成的校正值校正根据第一光11的光强度分布得到的基板5的边缘的位置信息(表示光强度的峰值位置的信息),根据其结果决定基板5的边缘位置。由此,能够降低在根据在基板5的端部5a反射的第一光11测量基板5的边缘位置而得到的结果中产生的测量误差,高精度地决定基板5的边缘位置。在此,射出部10例如如图1所示设置于投影光学系统4的侧方,可由投影光学系统4(形成部)或者支撑投影光学系统4的支撑部件支撑。另外,在本实施方式中,使用从射出部10向下方向上射出的第二光12来生成校正值,但不限于此,例如,也可以将从投影光学系统4向下方向上射出的光用作第二光12而生成校正值。即,也可以将投影光学系统4用作射出部10。在这样将来自投影光学系统4的光用作第二光12的情况下,优选为在照明光学系统3与投影光学系统4之间的光路上未配置掩模1的状态。
以下,参照图5,说明本实施方式中的测量基板5的边缘位置的方法。图5是示出测量基板5的边缘位置的方法的流程图。在以下的说明中,设为由处理部73进行图5所示的流程图的各工序来进行说明,但也可以通过控制部8进行。
在S11中,处理部73取得由基板载置台6保持的基板5的端部5a的倒角量信息。例如,处理部73既可以经由对曝光装置100设置的输入部(鼠标、键盘)等用户接口取得倒角量信息,也可以经由通信I/F从外部的计算机取得倒角量信息。另外,处理部73也可以存储基板5的识别ID和倒角量信息,读入由基板载置台6保持的基板5的识别ID并取得倒角量信息。在此,通过在进行倒角处理时使用的工具决定基板5的端部5a的倒角量,在使用相同的工具进行倒角处理后的多个基板中,倒角量可大致相同。因此,在使用相同的工具来进行倒角处理后的多个基板中,能够使用相同的倒角量信息(即能够应用共同的校正值)。
在S12中,处理部73判断是否存储有与在S11中取得的倒角量信息对应的校正值。在未存储有与在S11中取得的倒角量信息对应的校正值的情况下,进行新生成校正值的工序(S13~S17)。另一方面,在存储有与在S11中取得的倒角量信息对应的校正值的情况下,取得所存储的校正值并进入到S18。
S13~S17是新生成校正值的工序。通过经由上述S11~S12的工序,例如能针对批量中的最初的基板,进行S13~S17的工序。
在S13中,处理部73如图6所示,以使多个测量部7中的预定的一个测量部7中的检测部72(以及基板5的端部5a)配置于从射出部10射出的第二光12的光路内的方式,使基板载置台6移动。在S14中,处理部73在预定的测量部7中的检测部72配置于第二光12的光路内的状态下(即在从基板5的端部5a的上方对该端部5照射第二光12的状态下),使该检测部72检测第二光12的光强度分布。
图7是示出在从基板5的端部5a的上方对该端部5a照射具有光束直径φ2的第二光12时由检测部72检测出的第二光12的光强度分布31的图。在图7中还一并图示有基板5的端部5a,以使得判明第二光12的光强度分布和Y方向上的基板5的端部5a的位置的对应关系。图7中的区域I是未进行倒角处理的基板5(玻璃基板)的区域,区域II是进行倒角处理后的基板5的区域,区域III是未配置基板5的区域。在由检测部72检测出的第二光12的光强度分布中,如图7所示,区域I中的光强度小于区域III中的光强度,区域II中的光强度小于区域I中的光强度。另外,在区域II和区域III的边界,光强度急剧发生变化。因此,处理部73例如能够求出在用检测部72检测出的第二光12的光强度分布中光强度变化最大的位置C(即光强度的微分值为最大的位置C)来作为表示基板5的边缘的位置信息(第二位置信息)。在本实施方式中,求出在第二光12的光强度分布中微分值为最大的位置来作为第二位置信息,但不限于此,例如,也可以根据其它指标值求出第二位置信息。
在此,从第二光12的光强度分布得到的第二位置信息如上所述表示基板5的边缘位置,所以如果根据第二光12的光强度分布求出该第二位置信息,则能够高精度地测量基板5的边缘位置。然而,关于多个检测部72的各个依次进行使基板载置台6移动而在第二光12的光路内配置检测部72的工序在吞吐量(生产率)这点上可能会不利。另外,在将射出部10设置于基板载置台6时,投影光学系统4(形成部)与基板载置台6(基板5)之间的空间窄,无法在该空间配置射出部10,所以可能会限制基板载置台6的移动。因此,在本实施方式中,将从射出部10射出的第二光12仅用于求出校正值。
在S15中,在S14中求出第二位置信息的预定的测量部7中,利用照射部71对基板5的端部5a照射第一光11,处理部73使检测部72检测在该端部5a反射的第一光11的光强度分布。然后,如使用图4的上述说明那样,处理部73根据由检测部72检测出的第一光11的光强度分布中的峰值位置求出基板5的边缘的位置信息(第一位置信息)。在S16中,处理部73生成在S14中求出的第二位置信息和在S15中求出的第一位置信息之差来作为校正值。在S17中,处理部73将在S16中生成的校正值与基板5的倒角量对应起来存储。如果S17结束,则进入到S18。
图8是重叠示出在S14中由检测部72检测出的第二光12的光强度分布31和在S15中由检测部72检测出的第一光11的光强度分布21的图。处理部73例如将第一光11的光强度分布中的光强度的峰值位置A作为第一位置信息来求出,并且将第二光12的光强度分布中的光强度的微分值为最大的位置C作为第二位置信息来求出。由此,处理部73能够将第一位置信息和第二位置信息之差(A-C)作为校正值来求出。
在S18中,处理部73使多个测量部7分别检测第一光11的光强度分布。具体而言,处理部73在多个测量部7的各个测量部中,通过照射部71对基板5的端部5a照射第一光11,使检测部72检测在该端部5a反射的第一光11的光强度分布。在S19中,处理部73根据由多个测量部7分别得到的第一光11的光强度分布分别求出基板5的边缘的位置信息。在S20中,处理部73关于多个测量部7的各个测量部,利用在S12或者S16中得到的校正值校正在S19中得到的基板5的边缘的位置信息,根据该校正后的结果,决定基板5的边缘位置。此时,处理部73能针对由多个测量部7分别得到的基板5的边缘的位置信息应用共同的校正值。通过经由这样的工序,能够高精度地求出基板5的位置。
如上所述,本实施方式的曝光装置100从基板5的端部5a的侧方对该端部5a照射第一光11,检测在该端部5a反射的第一光11的光强度分布。然后,利用事先生成的校正值来校正根据第一光11的光强度分布得到的基板5的边缘的位置信息,根据其结果来决定基板5的边缘位置。由此,能够降低在根据在基板5的端部5a反射的第一光11测量基板5的边缘位置而得到的结果中产生的测量误差,高精度地测量基板5的边缘位置。
<第二实施方式>
说明本发明所涉及的第二实施方式的曝光装置。在第一实施方式中,说明了如下例子:在利用基板载置台6保持具有未被存储有校正值的倒角量的基板5的情况下,新取得校正值,并将新取得的校正值与该基板5的倒角量对应起来存储。然而,也可以不是存储新取得的校正值而是存储新取得的校正值和已经存储的校正值的差分值。在第二实施方式中,说明处理部73存储该差分值的例子。在此,第二实施方式的曝光装置的装置结构与第一实施方式的曝光装置100相同,所以在此省略装置结构的说明。
例如,如图8所示,设为已经将第一光11的光强度分布中的光强度的峰值位置A(第一位置信息)和第二光12的光强度分布中的光强度的微分值为最大的位置C(第二位置信息)之差作为校正值存储到处理部73。另外,在利用基板载置台6保持具有未被存储有校正值的倒角量的新的基板5的情况下,处理部73进行图7所示的流程图中的S13~S16的工序。图9示出此时取得的第一光11的光强度分布21’和第二光12的光强度分布31’。在图9所示的例子中,根据第一光11的光强度分布中的光强度的峰值位置A’求出第一位置信息,根据第二光12的光强度分布中的光强度的微分值为最大的位置C’求出第二位置信息。
在该情况下,处理部73通过以下式(1)求出已经存储的校正值(A-C)和新求出的校正值(A’-C’)的差分值α,在S17中,代替新求出的校正值,将差分值α与新的基板5的倒角量对应起来存储。然后,处理部73在针对新的基板应用校正值(A’-C’)时,通过式(2)求出该校正值。在此,处理部73在差分值α小于预定的阈值的情况下,也可以将已经存储的校正值与新的基板5的倒角量对应起来存储。
α=(A’-C’)-(A-C)…(1)
A’-C’=(A-C)+α…(2)
<物品的制造方法的实施方式>
本发明的实施方式所涉及的物品的制造方法例如适合于制造半导体器件等微型器件、具有微细构造的元件等物品。本实施方式的物品的制造方法包括使用上述平版印刷装置(曝光装置)在基板上形成图案的工序和加工在上述工序中形成图案后的基板的工序。进而,上述制造方法包括其它公知的工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、键合、封装等)。本实施方式的物品的制造方法相比于以往的方法,在物品的性能、品质、生产率、生产成本的至少一个方面是有利的。
以上,说明了本发明的优选的实施方式,但本发明当然不限定于这些实施方式,能够在其要旨的范围内进行各种变形以及变更。

Claims (11)

1.一种平版印刷装置,将图案形成于基板,其特征在于,包括:
载置台,能够保持基板而移动;
照射部,从由所述载置台保持的基板的侧方对该基板的端部照射第一光;
检测部,配置于被所述照射部照射所述第一光的基板的端部的下方,检测在该端部反射的所述第一光的光强度分布;以及
处理部,根据利用校正值校正从所述第一光的光强度分布得到的所述基板的边缘的位置信息而得到的结果,决定所述基板的边缘位置,
所述照射部以及所述检测部设置于所述载置台,
所述处理部根据在对由所述载置台保持的基板的端部照射所述第一光的状态下由所述检测部检测出的所述第一光的光强度分布和在将该端部配置于向下方向上射出的第二光的光路内的状态下由所述检测部检测出的所述第二光的光强度分布,生成所述校正值。
2.根据权利要求1所述的平版印刷装置,其特征在于,
所述处理部将根据所述第一光的光强度分布和所述第二光的光强度分布生成的所述校正值与基板的端部的倒角量对应起来存储。
3.根据权利要求2所述的平版印刷装置,其特征在于,
所述处理部在由所述载置台保持具有未被存储有校正值的倒角量的端部的基板的情况下,新生成与该基板对应的校正值。
4.根据权利要求3所述的平版印刷装置,其特征在于,
所述处理部取得由所述载置台保持的基板的端部的倒角量信息,根据该倒角量信息判断是否新生成校正值。
5.根据权利要求1所述的平版印刷装置,其特征在于
所述处理部针对端部的倒角量相同的多个基板应用共同的校正值。
6.根据权利要求1所述的平版印刷装置,其特征在于,
所述载置台设置有多个所述照射部以及多个所述检测部,
所述处理部针对利用多个所述检测部分别得到的位置信息应用共同的校正值。
7.根据权利要求1所述的平版印刷装置,其特征在于,还包括:
形成部,对基板照射光或者射束而将图案形成在该基板上,
所述载置台构成为能够在所述形成部的下方移动。
8.根据权利要求7所述的平版印刷装置,其特征在于,
还包括射出部,该射出部向下方向上射出所述第二光,
所述射出部配置于所述形成部的侧方。
9.根据权利要求1所述的平版印刷装置,其特征在于,
所述处理部根据从所述第一光的光强度分布得到的基板的边缘的第一位置信息和从所述第二光的光强度分布得到的基板的边缘的第二位置信息之差,生成校正值。
10.一种物品的制造方法,其特征在于,包括:
使用平版印刷装置将图案形成于基板的工序;以及
对在所述工序中形成有所述图案的所述基板进行加工的工序,
所述平版印刷装置包括:
载置台,能够保持基板而移动;
照射部,从由所述载置台保持的基板的侧方对该基板的端部照射第一光;
检测部,配置于被所述照射部照射所述第一光的基板的端部的下方,检测在该端部反射的所述第一光的光强度分布;以及
处理部,根据利用校正值校正从所述第一光的光强度分布得到的所述基板的边缘的位置信息而得到的结果,决定所述基板的边缘位置,
所述照射部以及所述检测部设置于所述载置台,
所述处理部根据在对由所述载置台保持的基板的端部照射所述第一光的状态下由所述检测部检测出的所述第一光的光强度分布和在将该端部配置于向下方向上射出的第二光的光路内的状态下由所述检测部检测出的所述第二光的光强度分布,生成所述校正值。
11.一种测量装置,测量由载置台保持的基板的边缘位置,其特征在于,包括:
照射部,从基板的侧方对该基板的端部照射第一光;
检测部,配置于被所述照射部照射所述第一光的基板的端部的下方,检测在该端部反射的所述第一光的光强度分布;以及
处理部,根据利用校正值校正从所述第一光的光强度分布得到的所述基板的边缘的位置信息而得到的结果,决定所述基板的边缘位置,
所述照射部以及所述检测部设置于所述载置台,
所述处理部根据在对基板的端部照射所述第一光的状态下由所述检测部检测出的所述第一光的光强度分布和在将该端部配置于向下方向上射出的第二光的光路内的状态下由所述检测部检测出的所述第二光的光强度分布,生成所述校正值。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111123658A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 佳能株式会社 载置台装置、光刻装置及物品的制造方法
CN112764319A (zh) * 2019-10-21 2021-05-07 佳能株式会社 定位装置、曝光装置以及物品的制造方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111750774B (zh) * 2019-03-29 2021-09-24 上海微电子装备(集团)股份有限公司 光学测量装置及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545279B1 (en) * 2000-01-06 2003-04-08 Adramtest Corp. Surface state monitoring method and apparatus
US20110090483A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Kla-Tencor Mie Gmbh Apparatus for the optical inspection of wafers
CN102402127A (zh) * 2010-09-17 2012-04-04 上海微电子装备有限公司 一种硅片预对准装置及方法
US20160153811A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Position determining device, position determining method, lithographic apparatus, and method for manufacturing object

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3590916B2 (ja) * 1995-12-28 2004-11-17 株式会社ニコン 位置決め方法
JP4048385B2 (ja) * 1996-08-19 2008-02-20 株式会社ニコン 光学式プリアライメント装置および該プリアライメント装置を備えた露光装置
JP2001241921A (ja) 2000-03-01 2001-09-07 Nippon Electric Glass Co Ltd 板ガラスの寸法測定方法
JP3795820B2 (ja) * 2002-03-27 2006-07-12 株式会社東芝 基板のアライメント装置
KR100516405B1 (ko) * 2003-02-28 2005-09-22 삼성전자주식회사 웨이퍼의 에지 노광 영역 검사 장치
EP1617209A4 (en) 2003-03-04 2010-10-06 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd DEVICE FOR INSPECTING THE END SURFACE OF A TRANSPARENT SUBSTRATE AND METHOD OF INSPECTING THE SAME
JP4886549B2 (ja) * 2007-02-26 2012-02-29 株式会社東芝 位置検出装置および位置検出方法
JP2010117323A (ja) 2008-11-14 2010-05-27 Nikon Corp 表面検査装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6545279B1 (en) * 2000-01-06 2003-04-08 Adramtest Corp. Surface state monitoring method and apparatus
US20110090483A1 (en) * 2009-10-20 2011-04-21 Kla-Tencor Mie Gmbh Apparatus for the optical inspection of wafers
CN102402127A (zh) * 2010-09-17 2012-04-04 上海微电子装备有限公司 一种硅片预对准装置及方法
US20160153811A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 Canon Kabushiki Kaisha Position determining device, position determining method, lithographic apparatus, and method for manufacturing object

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111123658A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 佳能株式会社 载置台装置、光刻装置及物品的制造方法
CN112764319A (zh) * 2019-10-21 2021-05-07 佳能株式会社 定位装置、曝光装置以及物品的制造方法

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