JP2009218588A - リソグラフィ装置及び方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の第一の態様によれば、基板上に提供された層上にアラインメントマークを提供するリソグラフィ方法が開示され、方法は、上に層が提供されている基板の表面に対して特定の角度範囲内に配向された層の区域に、アラインメントマークを提供することを含む。
【選択図】図5
Description
− 放射ビームPB(例えばUV放射、DUV放射又はEUV放射)を調節する照明システム(イルミネータ)ILと、
− パターニングデバイス(例えばマスク)MAを支持し、アイテムPLに対してパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第一位置決め装置PMに接続された支持構造(例えば支持構造)MTと、
− 基板(例えばレジストコートウェーハ)Wを保持し、アイテムPLに対して基板を正確に位置決めするように構成された第二位置決め装置PWに接続された基板テーブル(例えばウェーハテーブル)WTと、
− パターニングデバイスMAによって放射ビームPBに与えられたパターンを基板Wのターゲット部分C(例えば1つ又は複数のダイを含む)に結像するように構成された投影システム(例えば屈折投影レンズシステム)PLと、
− リソグラフィ装置の少なくとも一部を制御して、アラインメントマークを含む層上に提供された1つ又は複数の層の厚さ又は屈折率、又はこれらの層の平坦度、又はアラインメントマークを含む層の平坦度を考慮に入れる制御装置CRとを備える。
APD≒TH(α/n)
ここで、THは第二層16の厚さである。第二層16の厚さが、さらに入射放射ビーム18の屈折率n及び入射角が一定である場合、アラインメントマーク14の決定された位置DPの逸脱APDも、基板10全体で一定で、一貫している。つまり、アラインメントマークの決定された位置DPを使用して、基板10上に提供された層にパターンを適用する場合、例えば1つ又は複数の要素を逸脱APDに比例する、又はそれに対応する量だけ移動させることによって、逸脱APDを考慮することができる。
APD≒(TH+dTH)α/n
又は言い換えると、図3と比較して、逸脱APDは下式の量だけ増加している。
APDの増加≒(dTH)α/n
厚さの変化dTHが第二層16の全体で一定であった場合は、再び逸脱APDを考慮に入れた補正が、基板及び第二層16の全体で一定になる。しかし、厚さの変化が一定になる可能性は低く、例えば回転付着効果(spinning deposition effects)、又は機械的又は化学的研磨プロセスなどの処理状態により、基板全体で変化することがある。つまり、補正が必要な逸脱APDが、実際には基板10全体で一定ではない。予想される一定の逸脱APDに対して一定の補正をすると、実際には基板全体で(及び異なる基板にわたって)様々な程度のオーバレイ誤差が生じることになる。
APD≒TH(α/n+2θ)
したがって、基板が提供されている1つ又は複数の層が均一の厚さではないか、基板に対して平坦ではなく、これらの不均一性が基板全体で変化する場合、アラインメントマーク14の決定された位置DPと実際の位置RPとの間の逸脱APDも、基板全体で変化することが分かる。
Claims (31)
- 基板上に提供された層上にアラインメントマークを提供するリソグラフィ方法であって、
前記層の少なくとも一部の方向の角度を決定し、
前記基板の表面に対して指定された角度範囲内に配向されている前記層の前記一部の部分を配置し、
前記配置された部分に前記アラインメントマークを提供すること、
を含む方法。 - 前記配向角度を決定することが、前記アラインメントマークを提供する前に、前記層の前記少なくとも一部の微細構造を決定することを含む、
請求項1に記載の方法。 - 前記微細構造を決定することが、前記層の複数部分の微細構造を決定することを含み、
前記部分を配置することが、微細構造を決定した前記複数の部分から前記部分を選択することを含む、
請求項2に記載の方法。 - 前記指定された角度範囲が0から300μラジアンである、
請求項1に記載の方法。 - 前記指定された角度範囲が0から50μラジアンである、
請求項4に記載の方法。 - リソグラフィ装置であって、
放射のビームを提供する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記リソグラフィ装置の少なくとも一部を制御して、前記基板上に提供される層の区域に提供されるアラインメントマークが、前記層が提供される前記基板の表面に対して特定の角度範囲内に配向された区域上に提供されることを保証するように構成された制御装置と、
を備えるリソグラフィ装置。 - 基板上に提供されている第一層上に提供されたアラインメントマークを使用するリソグラフィ方法であって、
複数のアラインメントマークの方向を決定し、
前記複数のアラインメントマークのうち、上に前記第一層が提供された前記基板の表面に対して指定された角度範囲内に配向されたアラインメントマークを使用し、
前記複数のアラインメントマークのうち、前記指定された角度範囲の外に配向されたアラインメントマークを排除すること、
を含む方法。 - 前記第一層上に提供された前記アラインメントマークが第二層で覆われる、
請求項7に記載の方法。 - 上に前記アラインメントマークが提供された前記第一層の微細構造が、前記第二層の厚さ、及び前記第一層と接触していない前記第二層の表面の前記微細構造を示す情報を取得することにより決定される、
請求項8に記載の方法。 - 上に前記アラインメントマークが提供された前記第一層の微細構造が、前記第一層上に提供された複数のアラインメントマークの決定された位置間の関係から決定される、
請求項8に記載の方法。 - 前記角度範囲が0から300μラジアンである、
請求項7に記載の方法。 - 前記角度範囲が0から50μラジアンである、
請求項11に記載の方法。 - 放射のビームを提供する照明システムと、
放射ビームの断面にパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
リソグラフィ装置に少なくとも一部を制御して、使用時に、
前記基板上に提供された前記第一層上に設けられ、上に前記第一層が提供されている前記基板の表面に対して特定の角度範囲内に配向されたアラインメントマークが使用され、
前記基板上に提供された前記第一層上に設けられ、前記指定された角度範囲外に配向されたアラインメントマークが使用されないことを保証するように構成された制御装置と、
を備えるリソグラフィ装置。 - 基板に提供されている第一層上に提供されたアラインメントマークを使用するリソグラフィ方法であって、
リソグラフィ装置の少なくとも一部を制御して、前記アラインメントマークを使用する場合に上に前記第一層が提供されている前記基板の表面に対して前記アラインメントマークが配向されている角度を考慮に入れること、
を含む方法。 - 前記アラインメントマークを使用する前に、上に前記第一層が提供された前記基板の前記表面に対して、前記アラインメントマークの方向の角度を決定することを含む、
請求項14に記載の方法。 - 前記第一層が複数のアラインメントマークを備え、
上に前記第一層が提供されている前記基板の表面に対して特定の角度範囲内に配向された前記複数のアラインメントマークを使用し、
上に前記第一層が提供されている前記基板の表面に対して特定の角度範囲外に配向された前記複数のアラインメントマークを使用しないことを含む、請求項14に記載の方法。 - 前記第一層上に提供された前記アラインメントマークが、第二層で覆われる、
請求項14に記載の方法。 - 上に前記アラインメントマークが提供された前記第一層の微細構造が、前記第二層の厚さ、及び前記第一層と接触していない前記第二層の表面の前記微細構造を示す情報を取得することにより決定される、
請求項17に記載の方法。 - 上に前記アラインメントマークが提供された前記第一層の微細構造が、前記第一層上に提供された複数のアラインメントマークの決定された位置間の関係から決定される、
請求項17に記載の方法。 - 前記角度範囲が0から300μラジアンである、
請求項16に記載の方法。 - 前記角度範囲が0から50μラジアンである、
請求項20に記載の方法。 - リソグラフィ装置であって、
放射のビームを提供する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記リソグラフィ装置の少なくとも一部を制御して、アラインメントマークを使用する場合に、上に前記層が提供されている前記基板の表面に対して、前記基板上に提供された第一層上に提供されている前記アラインメントマークの配向の方向を考慮に入れるように構成された制御装置と、
を備えるリソグラフィ装置。 - 基板上に提供されている第一層上に提供されたアラインメントマークを使用するリソグラフィ方法であって、前記アラインメントマークが第二層で覆われ、
リソグラフィ装置の構成部品を制御して、前記アラインメントマークの位置を決定する場合に、前記第二層の厚さを考慮に入れることを含む方法。 - 前記リソグラフィ装置の前記構成部品を制御する前に、前記第二層の前記厚さを決定することを含む、
請求項23に記載の方法。 - 前記第一層と接触していない前記第二層の表面の微細構造を決定することを含む、
請求項23に記載の方法。 - 前記リソグラフィ装置の前記構成部品を制御する前に、前記微細構造を決定することを含む、
請求項25に記載の方法。 - リソグラフィ装置であって、
放射のビームを提供する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記リソグラフィ装置の少なくとも一部を制御して、前記基板上に提供されて第二層に覆われた第一層上に提供されているアラインメントマークの位置を決定する場合に、前記基板上に提供された材料の前記第二層の厚さを考慮に入れるように構成された制御装置と、
を備えるリソグラフィ装置。 - 基板上に提供されている第一層上に提供されたアラインメントマークを使用するリソグラフィ方法であって、前記アラインメントマークが第二層に覆われ、
リソグラフィ装置の構成部品を制御して、前記アラインメントマークの位置を決定する場合に、前記第二層の屈折率を考慮に入れること、
を含む方法。 - 前記リソグラフィ装置の前記構成部品を制御する前に、前記第二層の前記屈折率を決定することを含む、
請求項28に記載の方法。 - リソグラフィ装置であって、
放射のビームを提供する照明システムと、
前記放射ビームの断面にパターンを与える働きをするパターニングデバイスを支持する支持構造と、
基板を保持する基板テーブルと、
前記パターン付き放射ビームを前記基板のターゲット部分に投影する投影システムと、
前記リソグラフィ装置の少なくとも一部を制御して、前記基板上に提供されて第二層で覆われた第一層上に提供されているアラインメントマークの位置を決定する場合に、前記基板上に提供された材料の前記第二層の屈折率を考慮に入れるように構成された制御装置と、
を備えるリソグラフィ装置。 - 前記層が平坦でない表面を有する、
請求項1に記載の方法。
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