JP2001110697A - 露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法 - Google Patents

露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法

Info

Publication number
JP2001110697A
JP2001110697A JP28250699A JP28250699A JP2001110697A JP 2001110697 A JP2001110697 A JP 2001110697A JP 28250699 A JP28250699 A JP 28250699A JP 28250699 A JP28250699 A JP 28250699A JP 2001110697 A JP2001110697 A JP 2001110697A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
work
mask
mark
alignment
position coordinates
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP28250699A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoneta Tanaka
米太 田中
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Original Assignee
Ushio Denki KK
Ushio Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ushio Denki KK, Ushio Inc filed Critical Ushio Denki KK
Priority to JP28250699A priority Critical patent/JP2001110697A/ja
Priority to TW089117527A priority patent/TW460920B/zh
Priority to EP00121522A priority patent/EP1091255A2/en
Priority to KR1020000058180A priority patent/KR20010039990A/ko
Publication of JP2001110697A publication Critical patent/JP2001110697A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7092—Signal processing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0008—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits for aligning or positioning of tools relative to the circuit board
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0073—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces
    • H05K3/0082—Masks not provided for in groups H05K3/02 - H05K3/46, e.g. for photomechanical production of patterned surfaces characterised by the exposure method of radiation-sensitive masks

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Image Analysis (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ワークマーク等の形状がプロセス欠損等によ
り変形した場合でも精度良くマスクとワークの位置合わ
せを行うことができるようにすること。 【解決手段】 ワークＷ上にはアライメント顕微鏡１０
の１視野内に入るように複数のワークマークＷＡＭが近
接して設けられており、アライメント顕微鏡１０で受像
された複数個のワークマーク像は、演算装置１１に送ら
れる。演算装置１１は複数のワークマークＷＡＭのそれ
ぞれの位置座標を検出しその位置座標を平均化する。そ
して、上記平均化により求まった位置座標に対して、マ
スクマークＭＡＭが所定の位置関係になるようにワーク
ステージＷＳ（もしくはマスクステージＭＳ）を移動さ
せ、マスクＭとワークＷの位置合わせを行う。なお、各
複数のワークマークＷＡＭのそれぞれの位置座標の信頼
性を検証し、要求されるアライメント精度を確保できる
ワークマークのみを選択することもできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、露光装置におい
て、マスクに形成されたマスク・アライメントマーク
（以下、マスクマークという）と、ワークに形成された
ワーク・アライメントマーク（以下、ワークマーク）と
の位置座標を画像処理によって検出し、検出した位置座
標に基づきマスクとワークの位置合わせを行うマスクと
ワークの位置合わせ方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子、プリント基板、液晶基板等
のパターンをフォトリソグラフィにより製造する工程に
おいて、露光装置が使用される。該露光装置は、マスク
パターンを形成したマスクとワークを位置合わせして、
マスクを介して露光光を含む光を照射し、ワークにマス
クパターンを露光（転写）する。上記露光装置として
は、マスクの像を投影レンズ等でワーク上に結像させワ
ーク上にマスクパターンを露光する投影露光装置、マス
クとワークの間にわずかな間隙を設けた状態で平行光を
マスクに照射してワーク上にマスクパターンを露光する
プロキシミティ露光装置、マスクとワークを密着させた
状態で平行光をマスクに照射してワーク上にマスクパタ
ーンを露光するコンタクト露光装置が知られている。
【０００３】上記した露光装置におけるマスクとワーク
の位置合せは、次のようにして行なわれる。マスクに形
成されたマスクマークと、ワークに形成されたワークマ
ークとを、アライメント顕微鏡によって検出する。検出
データを画像処理し、それぞれの位置座標を求め、両者
の位置があらかじめ設定された位置関係になるように、
マスクまたはワークを移動させて行なう。図８に、ワー
クマークを検出するアライメント顕微鏡１０の概略構成
を示す。なお、ここでは投影露光装置におけるワークマ
ークの検出について説明するが、プロキシミティ露光装
置、コンタクト露光装置におけるワークマークの検出、
マスクマークの検出も同様に行われる。図８において、
アライメント顕微鏡１０は、ハーフミラー１０ａ、レン
ズＬ１、Ｌ２とＣＣＤカメラ１０ｂから構成されてい
る。１１は画像処理等を行なう演算装置、１２はモニ
タ、ＷはワークマークＷＡＭが形成されたワークであ
る。
【０００４】同図において、ワークマークＷＡＭの検出
（パターンサーチ）は以下のようにして行なう。 （１）ワークマークの登録 演算装置１１にワークマークＷＡＭを登録する。ワーク
マークＷＡＭとしては、例えば図９（ａ）に示す十字形
のマークが使用され、演算装置１１には、図９（ｂ）に
示すように、モニタの画素を単位としたワークマークの
パターンが登録される。なお同図では説明を容易にする
ために、画素数を５×５としている。上記、ワークマー
クの登録について、更に具体的に説明する。まず、アラ
イメント顕微鏡（例えば倍率３倍）１０によって、登録
するワークマークＷＡＭを検出する。モニタ１２には、
アライメント顕微鏡１０が取り込んで演算装置１１が画
像処理できる範囲（例えば図１０に示すように１５ｍｍ
×１５ｍｍの範囲）が写し出される。
【０００５】次に、登録するワークマークＷＡＭ全体が
入るように、ワークマーク登録用の仮想線（図１０の点
線）によってワークマークＷＡＭを囲み、演算装置１１
にワークマークＷＡＭを登録する。演算装置１１は上記
仮想線に囲まれた画素を単位として、そのコントラスト
によりワークマークＷＡＭを記憶する。これにより、ワ
ークマークＷＡＭの登録作業が終了する。なお、ワーク
マークの大きさは、ワークの種類、ユーザ、工程によっ
て様々である。例えば、ワークマークＷＡＭを囲む仮想
線の大きさが、図１０に示すように２００μｍ〜７００
μｍになるものがしばしば使われる。また、ワークマー
クＷＡＭの形状もまた、上記と同じ理由でさまざまであ
り、図９に示したような十字型には限られない。図１１
（ａ）に示すように丸型のものや、同図（ｂ）に示すよ
うに規則的なパターンを１組としてアライメントマーク
にしたものなど多数ある。いずれにせよ、１つのワーク
マークのパターン全体が含まれるように、登録範囲を設
定する。
【０００６】（２）パターンサーチ 図８に示すように、アライメントユニット１０のハーフ
ミラー１０ａを介して照明光をワークＷ上のワークマー
クＷＡＭに照射し、ＣＣＤカメラ１０ｂによりワークマ
ークＷＡＭを受像する。そしてモニタ１２に映し出され
たワークマークＷＡＭの像を演算装置１１に入力し、モ
ニタ１２の画素を単位として座標データに変換する。演
算装置１１は、前記した登録パターンと、受像したワー
クマークＷＡＭの像を比較する。例えば、受像したワー
クマークＷＡＭの像（検出パターン）が、図９（ｃ）に
示す検出パターンＡの場合、登録パターンと６０％一致
しているので、スコア（相関値）６０として認識する。
【０００７】また同様に、受像したワークマークＷＡＭ
の像（検出パターン）が、図９（ｄ）に示す検出パター
ンＢの場合、登録パターンと８０％一致しているので、
スコア８０として認識する。さらに、受像したワークマ
ークＷＡＭの像（検出パターン）が、図９（ｅ）に示す
検出パターンＣの場合、スコア１００として認識する。
上記のようにして、モニタに映し出された全領域をパタ
ーンサーチし、スコアが最も１００に近い（最も高い）
検出パターンを、ワークマークＷＡＭとして認識し、そ
の位置座標をワークマークの位置座標として記憶する。
【０００８】次に、上記パターンサーチについて、さら
に具体的に説明する。 図１２に示すように、ワーク上ＷのワークマークＷ
ＡＭが設けられている付近を、アライメントユニット１
０によって観察する。上記と同じ範囲（１５ｍｍ×１５
ｍｍの範囲）が写し出される。 上記、仮想線で囲い登録した範囲を、アライメント
顕微鏡によって写し出されている範囲（１５ｍｍ×１５
ｍｍの範囲）の全領域に渡って、各画素に対応してスキ
ャンさせ、各位層においてスコアを求める。 登録されたワークマーク以外に、コントラストを生
じる原因がなければ、ワークマークが形成されている位
置（Ａ）以外のスコアは０となる。しかし、画像処理を
行なう領域内（１５ｍｍ×１５ｍｍの範囲）には、例え
ば、（Ｂ）のようにワークマーク以外のパターンが形成
されている場合もあるし、また、（Ｃ）のようにごみが
付着している場合もある。したがって、比較的スコアの
高い位置が、画像処理領域内に複数検出される場合があ
る。
【０００９】しかし、登録されたワークマークが存在す
る位置（Ａ）が最もスコアが高くなるはずなので、最も
高いスコアが検出された位置をワークマークの位置とし
て検出し、その位置座標を演算装置１１に記憶する。な
お、上記のように入力された画像と、予め用意されたテ
ンプレート画像を比較してその類似度を判定する手法は
種々知られており、必要なら例えば、江尻正員監修「画
像処理産業応用総覧、上巻、（基礎・システム技術
編）」、１９９４年１月１７日、株式会社フジ・テクノ
システム発行、初版、ｐ２６−ｐ２７，ｐ５０−ｐ５
２、等を参照されたい。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記したマ
スクとワークの位置合わせにおいて、次のような要因で
位置合わせ精度が低下する。 （１）ワークマークは、次のような偶然の要素で、形状
が変形したり、位置がずれたりする。ワークマークの形
状の変形、位置ずれの原因としては、以下のものがあ
る。 ワークマークを露光によって形成する場合、ワーク
上にマスクパターンを形成する場合と同様、マスクに形
成されたアライメントマークのパターンを、ワーク上に
塗布されたレジストに転写し現像することにより形成さ
れる。このため、例えば、マスクのマスクパターンを形
成した部分に、微小なごみが付着した場合、ワーク上の
その部分は露光されない。このため、露光された部分が
現像液に溶けるポジレジストの場合、現像後ごみが付着
した部分のレジストが残ってしまい図１３に示すように
ワークマークのパターンが「出っ張る」。また、ネガレ
ジストの場合であれば、逆に「へこむ（欠ける）」。
【００１１】 ワーク上のワークマークの部分に、微
小なごみが付着した場合、アライメントユニットを通し
て検出されるワークマーク像は、ごみが付着した部分の
パターンが「出っ張る」。 ワークマークがポジレジストのパターンで形成され
る場合、現像時、ワーク搬送時何らかの衝撃が加わるこ
とによって、レジストがはがれ、ワークマークが「欠け
る」。さらに、露光条件や現像条件が何らかの原因で変
わり、ワークマークのパターンが全体的に変形する（パ
ターンが崩れる）こともある。これらを総じて「プロセ
ス欠損」と言い、「プロセス欠損」によりワークマーク
のパターン形状が変形することが度々ある。
【００１２】以上の様なワークマークの形状の変形、位
置ずれによって次のような問題が生ずる。演算装置に登
録される登録パターンが、図１４（ａ）に示す十字形で
あるとする。同図において、十字形のなかに示した四角
形は個々の画素を示し、この場合は４５個の画素があり
画素は黒いとする。また、黒星印はパターンの中心であ
る。ワークに、これと同一の形状のワークマークを形成
しようとしたが、プロセス欠損により、図１４（ｂ）の
太線で示したような形状に変形したとする。「 ×」の部
分が欠けた部分、斜線の部分が出っ張った部分である。
また、点線は本来のマークを示し、白星印は本来のワー
クマークの中心である。パターンサーチを行なった時、
ワークマークに変形がなければ黒星印と白星印が一致し
た時に前記スコアが最も高くなり、その位置をワークマ
ークとして検出する。しかしながら、図１４（ｂ）のよ
うにワークマークが変形した場合、以下のようになる。
【００１３】白星印と黒星印が一致している状態を図１
５（ａ）に示す。この場合、黒くなるべき４５の画素の
内３５が黒くなる（同図の丸印の画素）。したがってス
コアは３５／４５＝０. ７８（７８）である。一方、上
記の位置から右上に登録パターンを移動させ、図１５
（ｂ）の状態にすると、４５の画素の内３８が黒くな
り、スコアが３８／４５＝０. ８４（８４）になる。し
たがって、演算装置はこの位置をワークマークの位置と
して認識してしまう。以上のように、ワークマークの形
状に変形、位置ずれ等があると、本来のワークマークの
位置とは異なる位置を、ワークマークの位置として認識
することになる。このため、マスクとワークの位置合せ
を行なう時に、その分誤差が生じ、位置合せ精度が悪化
する。
【００１４】（２）以上はワークマークの場合である
が、プロキシミティ露光装置、コンタクト露光装置の場
合には、ワークマークだけでなく、マスクマークの位置
の検出の際にも同様な問題が生ずる。プロキシミティ露
光装置、コンタクト露光装置においては、マスクとワー
クの位置合わせを行う際、マスクとワークが接近してい
る。このため、アライメント顕微鏡によりマスクマーク
を観察する際、マスクの下にあるワーク上のパターンま
で見えてしまう。したがって、マスクマークの下にワー
クマークがあると、両者が重なりあたかもマスクマーク
が変形したかのような形状で検出され、前記したように
マスクマークの検出精度（信頼性）が低下する場合があ
る。
【００１５】本発明は上記した事情に鑑みなされたもの
であって、本発明の第１の目的は、アライメントマーク
等の形状が変形したり、設定値に対して位置ずれが生じ
た場合であっても、マスクとワークの位置合せ精度の低
下を軽減することができ、精度良くマスクとワークの位
置合わせを行うことができる露光装置におけるマスクと
ワークの位置合わせ方法を提供することである。本発明
の第２の目的は、アライメントマークの位置座標の信頼
性を検証し、信頼性の高いアライメントマークのみを選
択して、マスクとワークの位置合わせを行うことによ
り、要求されるアライメント精度を確保したアライメン
トを可能とすることである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明においては、次の
ようにして上記課題を解決する。 （１）アライメント顕微鏡の視野内（ワークマークをサ
ーチする領域内）に入るように近接してワークマークを
ある相対関係を持って複数設ける。マスクとワークの位
置合わせに際しては、パターンサーチにより上記複数個
のワークマークの位置座標を検出し、該位置座標から平
均化され位置座標を求め、該平均化された位置座標に対
して、マスクマークが所定の位置関係になるように、マ
スクまたはワークを移動させてマスクとワークの位置合
せを行なう。 （２）上記（１）において、複数のワーク・アライメン
トマークのそれぞれの位置座標を平均化した位置座標
と、各複数のワーク・アライメントマークの位置座標と
の相対位置関係から、要求されるアライメント精度を確
保できるワーク・アライメントマークを選択し、上記精
度が確保できることが確認された後、マスク・アライメ
ントマークの位置座標が、複数のワーク・アライメント
マークのそれぞれの位置座標から求めた位置座標に対し
て所定の位置関係になるように位置合わせする。 （３）上記手法をプロキシミティ露光装置もしくはコン
タクト露光装置のマスクマークの検出に適用する。
【００１７】
【発明の実施の形態】図１は本発明の適用対象の一つで
ある投影露光装置の構成を示す図である。同図におい
て、ＭＳはマスクステージであり、マスクステージＭＳ
にマスクマークＭＡＭとマスクパターンが形成されたマ
スクＭが載置される。光照射装置１から放出される露光
光は、マスクＭ、投影レンズ２を介して、ワークステー
ジＷＳ上に載置されたワークＷ上に照射され、マスクＭ
上に形成されたマスクパターンがワークＷ上に投影さ
れ、ワークＷ上にマスクパターンが露光される。投影レ
ンズ２とワークＷの間には、同図の矢印方向に移動可能
なアライメント顕微鏡１０が２個所に設けられており、
マスクＭに形成されたマスクパターンをワークＷ上に露
光する前に、アライメント顕微鏡１０を図示の位置に挿
入し、マスクＭとワークＷの位置合わせを行う。図１に
おいては一方のアライメント顕微鏡のみを示す。アライ
メント顕微鏡１０は、前記したように、ハーフミラー１
０ａ、レンズＬ１、Ｌ２とＣＣＤカメラ１０ｂから構成
されている。
【００１８】図１において、マスクＭとワークＷの位置
合わせは次のように行われる。 光照射装置１から露光光もしくは図示しないアライ
メント光源からアライメント光（非露光光）を照射して
マスクＭ上に形成されたマスクマーク像をアライメント
顕微鏡１０のＣＣＤカメラ１０ｂにより受像し演算装置
１１に送る。演算装置１１は上記マスクマーク像を位置
座標に変換し記憶する。なお、マスクマークの検出方法
は種々の方法が提案されており、必要なら例えば特開平
９−８２６１５号公報等を参照されたい。 次いで、前記したようにパターンサーチを行い、ワ
ークＷ上のワークマーク像を検出する。ここで、本実施
例においては、従来例のようにワークマークが一つでは
なく、アライメント顕微鏡の１視野内に入るように同一
形状の複数のワークマークＷＡＭがワークＷ上に近接し
て設けられている。演算装置１１は前記したパターンサ
ーチにより、複数のワークマークＷＡＭのそれぞれの位
置座標を検出する。なお、ワークＷ上に形成されている
個々のワークマーク像は予め登録されているとする。
【００１９】 演算装置１１は、検出した複数のワー
クマーク像の位置座標を後述するように平均化して、マ
スクマークＭＡＭと位置合わせをするための基準となる
位置座標（以下、ワークマーク平均位置座標という）を
求め、求めたワークマーク平均位置座標に対して、記憶
されているマスクマークＭＡＭの位置座標が所定の位置
関係になるようにワークステージＷＳ（もしくはマスク
ステージＭＳ）を移動させ、マスクＭとワークＷの位置
合わせを行う。なお、上記位置合わせを行う際、後述す
るように複数のワークマークの位置座標から求めた上記
ワークマーク平均位置座標と、各複数のワークマークの
それぞれの位置座標との相対位置関係に基づき、検出さ
れたワークマークの位置座標の信頼性を検証し、要求さ
れるアライメント精度を確保できるワークマークのみを
選択するようにしてもよい。これにより、要求されるア
ライメント精度を確保することが可能となる。
【００２０】次に、本発明の実施例をさらに具体的に説
明する。 （１）ワークマークの配置例とワークマーク平均位置座
標の算出方法 (a) ワークマークを複数個設け、ワークマークの位置座
標を平均化しワークマーク平均位置座標を求める方法 例えば、アライメント顕微鏡１０の同一視野内（ワーク
マークをサーチする領域）に入るように、同一形状のワ
ークマークを４個設ける。マスクマークとの位置合せを
行なう位置は、該４個のワークマークの、位置座標を
（Ｘ座標、Ｙ座標それぞれにおいて）平均化した位置座
標とする。以下、図２により本実施例を説明する。 ４個のワークマークＷＡＭ１〜ＷＡＭ４を、図２
（ａ）に示すように（Ｘ．Ｙ）座標で（１０，６），
（６，１０）（２，６）（６，２）の位置に設けるよう
に設計する。そして、ワークＷ上にワークマークを上記
のように形成する。実際には、前記したように「プロセ
ス欠損」等によりワークマークの位置がずれることもあ
り、図２（ａ）は設計値通りに設けられた場合である。
【００２１】 マスクＭとワークＷの位置合わせに際
し、前記したようにアライメント顕微鏡１０によって、
ワークＷ上のワークマークＷＡＭ１〜ＷＡＭ４が形成さ
れた部分の画像データが、演算装置１１（画像処理装
置）に取り込まれる。演算装置１１によって該画像デー
タのパターンサーチが行われ、登録マークに対してスコ
アの高いものから上位４つの位置座標を演算し、該４つ
の位置座標を各ワークマークの位置座標として認識す
る。ここでは、図２（ａ）に示すようにそれぞれの位置
座標が（１０，６），（６，１０）（２，６）（６，
２）であると認識されたとする。 演算装置１１において、ワークマークＷＡＭ１，Ｗ
ＡＭ２，ＷＡＭ３，ＷＡＭ４の位置座標を、Ｘ座標、Ｙ
座標それぞれについて平均化する。この場合は、平均化
した位置座標の値は、図２（ａ）に示すように（６，
６）となる。この平均化によって求められた座標位置
（前記したワークマーク平均位置座標）に対して、マス
クマークの位置合せを行なう。
【００２２】ここで、一個のワークマークが変形または
位置ずれして、認識された位置が本来の位置からずれた
とする。例えば、図２（ｂ）に示すように、ワークマー
クＷＡＭ１を、Ｘ座標、Ｙ座標それぞれについて１ずつ
ずれた位置である位置座標（１１，７）として認識した
とする。前記したように、従来の１個のワークマークに
対してマスクの位置を合せる方法であれば、同図右のワ
ークマークＷＡＭ１のような認識位置のずれが生じた場
合、該位置ずれ（Ｘ座標、Ｙ座標それぞれ１ずつずれ）
がそのまま位置合せ精度に影響した。しかし、ワークマ
ークＷＡＭ１，ＷＡＭ２，ＷＡＭ３およびＷＡＭ４の位
置座標を平均化すると、図２（ｂ）に示すようにワーク
マーク平均位置座標は（６．２５，６. ２５）となり、
この位置に対してマスクを位置合せするので、位置ずれ
をＸ座標、Ｙ座標それぞれについて、１個のワークマー
クを用いる場合に比べ、１／４のずれに軽減することが
できる。同様にして、設けるワークマークの数を、増や
せば、ワークマークの認識位置のずれによる位置合せ精
度の悪化をより軽減することができる。
【００２３】以上のようにワークマークを複数個設け、
その平均値によりワークマーク平均位置座標を求めるこ
とにより、ワークマークが一つの場合に比べ、位置決め
精度を向上させることができる。なお、上記実施例にお
いて、ワークマークの数をさらに増やし、位置認識した
ワークマークの内、スコアが低いものを除いた残りのワ
ークマークについて、ワークマークの位置座標の平均値
を求めるようにしてもよい。このようすれば、位置合わ
せ精度を一層向上させることができる。すなわち、前記
したプロセス欠損により位置ずれ等が生じたワークマー
クはスコアが低いことが想定されるので、このようなス
コアの低いワークマークを除いて平均値を取れば、位置
ずれが生じた可能性の高いワークマークを除外してワー
クマーク平均位置座標を求めることができる。
【００２４】また、上記のように複数個のワークマーク
を用いてワークマーク平均位置座標を求めることによ
り、次のような利点がある。例えば、複数個のワークマ
ークの内１個が、設けられる位置精度の問題、あるい
は、ワークがワークステージに搬送される際の搬送停止
や位置決め精度の問題で、アライメント顕微鏡１０の視
野（サーチ領域）から外れてしまった場合、あるいは、
プロセス欠損がはなはだしく、ワークマークがワークか
らはがれてしまう場合であっても、アライメント顕微鏡
１０の視野内にある利用可能な残りのワークマークを利
用してワークマーク平均位置座標を求めることができ
る。
【００２５】(b) 複数個のワークマークを円周上に配置
して、少なくとも３個のワークマークを用いてワークマ
ーク平均位置座標を求める方法 複数のワークマークを同一の円周上に設け、ワークマー
クの内、スコアの高いものから３個選んで、該３個の位
置座標から、該３点が外接する円の中心を演算し、求め
られた円の中心位置座標に対して、マスクの位置合わせ
を行なうようにする。以下図３を用いて本実施例を説明
する。図３に、円周上に８個のワークマークＷＡＭ１〜
８を設けた場合を示す。この８個のワークマークＷＡＭ
１〜ＷＡＭ８を前記したようにアライメント顕微鏡１０
により検出し、検出したワークマークＷＡＭ１〜８の
内、３個を選び、該３個が形成する三角形の外接円の中
心Ｏ１を求める。
【００２６】３点の座標から該３点に外接する円の中心
は、次の式によって求めることができる。３点(x1,y1)
(x2,y2)(x3,y3) を通る円の中心座標Ｏ１を(o1x,o1y)
とすると、(o1x,o1y) は下記の式で表される。 o1x=｛(y3-y2)(x1x1+y1y1)+(y1-y3)(x2x2+y2y2)+(y2-y
1)(x3x3+y3y3) ｝/(-L) o1y=｛(x3-x2)(x1x1+y1y1)+(x1-x3)(x2x2+y2y2)+(x2-x
1)(x3x3+y3y3) ｝/(L) ここで、L=（x1y2-x1y3+x2y3-x2y1+x3y1-x3y2)*2であ
る。
【００２７】上記計算を行なうことにより求められる中
心Ｏ１の位置座標（ｏ１ｘ，ｏ１ｙ）は、前記（１）で
説明した平均化された座標位置と同様に、３個のワーク
マークの位置座標を平均化したものである。以上のよう
に、３個のワークマークの位置座標から中心Ｏ１の位置
座標を求めることにより、前記（１）と同様、ワークマ
ークの認識される位置が設計値からずれていても、位置
合せ精度の悪化を軽減することができる。同様に、上記
３個のワークマークとは異なる組合せで、３個のワーク
マークを選択し、該３個が形成する三角形の外接円の中
心Ｏ２を上記と同様に求め、以下同様に、他のワークマ
ークの組み合わせにより、三角形の外接円の中心Ｏ３，
Ｏ４を計算する。ワークマークが設計値通りに形成され
ているとすれば、上記Ｏ１，Ｏ２，…のの位置は一致す
るはずであるから、これらの位置座標をさらに平均化す
ることにより、前記（１）と同様に位置合わせ精度を向
上させることができる。
【００２８】なお、前記（１）と同様、本実施例におい
ても、検出したワークマークの内、スコアが低いものを
除いた残りのワークマークについて、ワークマークの位
置座標の平均値を求めるようにしてもよい。このように
すれば、位置合わせ精度を一層向上させることができ
る。また、上記のように複数個のワークマークを用いて
ワークマーク平均位置座標を求めることにより、前記
（１）と同様に次のような利点が得られる。
【００２９】例えば、図３において、８個のワークマー
クの内１個が、設けられる位置精度の問題で、アライメ
ント顕微鏡の視野（サーチ領域）から外れてしまった場
合、あるいは、プロセス欠損がはなはだしく、ワークマ
ークがワークからはがれてしまう場合であっても、利用
可能な残りのワークマークを利用してワークマーク平均
位置座標を求めることができる。さらに、本実施例にお
いては、３個のワークマークの組み合わせを変えること
により外接円の中心座標を複数求めることができるの
で、ワークマークが失われたり、ワークマーク群の一部
がアライメント顕微鏡の視野外になった場合でも柔軟に
対応することができる。
【００３０】（２）ワークマークの位置座標の検証と、
要求されるアライメント精度を確保できるワーク・アラ
イメントマークを選択 上記のようにワークマークを複数設けると、位置合せ精
度の悪化の軽減以外に、次のようにして、前工程のプロ
セス評価を行なうこともできる。ワークマーク間の距離
は、設計値より既知である。また、実際にワークに設け
られたワークマーク間の距離も、それぞれの位置座標が
求まるので計算可能である。したがって、各ワークごと
に、ワークに設けられたワークマーク間の距離と、設計
値とを比較するようにしておけば、ワークマーク間距離
の異常を検知することができる。前工程において、ワー
クマークの位置が異常になるようなプロセス上の不具合
が生じた場合、より早くこれを検知し、前工程の製造プ
ロセスを見直すことができる。そして、後工程で不良製
品を作ることを防ぐことができる。
【００３１】また、次のようにして要求されるアライメ
ント精度を確保できるワークマークを選択することもで
きる。以下、上記したアライメント精度を確保できるワ
ークマークを選択する方法について説明する。ワークマ
ークの位置が本来あるべき位置（設計位置）に対して、
正規分布を持ってばらついていると仮定する。図４
（ａ）に示すように、理想的な正規分布の場合、その標
準偏差をσ１とすると、各データ（この場合ワークマー
ク位置座標）は±３σ１の範囲に９９％以上の確率で入
ることとなる。すなわち、ワークマークの位置座標が本
来あるべき位置からずれたとしても、そのずれ量の最大
値は９９％以上の確率で３σ１以内である（ここでは、
この３σ１をワークマークの精度とよぶこととする）。
したがって、ワークマークの位置座標の標準偏差がσ１
のとき、このワークマークに対してアライメントを行う
と、そのアライメント精度：±Ａは９９％以上の確率
で、上記ワークマークの精度±３σ１と一致することと
なる（ここでは、アライメント精度がワークマークの位
置精度のみに依存すると考える）。すなわち、ワークマ
ークの個数が１個でその標準偏差がσ１の場合には、
〔要求されるアライメント精度：±Ａ〕が〔ワークマー
クの精度：±３σ１〕よりも小さければ、要求されるア
ライメント精度±Ａを達成できない。
【００３２】しかし、設けられるワークマークの精度が
±３σ１であっても、ワークマークが複数あり、それを
平均化することにより求めた前記ワークマーク平均位置
座標のずれ量は前記したように小さくなる。このため、
上記平均化することにより得たワークマーク平均位置座
標に対してアライメントを行えば、アライメント精度は
向上することになる。例えば、標準偏差σ１であるＮ個
のデータ群（例えば図４（ａ）で示されるデータ群）か
ら、任意の２個のデータを取り出して平均化する。この
ようにして平均化して求めたデータにより新しいデータ
群を構成すると、その分布は、図４（ｂ）に示すように
図４（ａ）よりも狭くなり、例えば、標準偏差σ２≒
０．７σ１となる。さらに上記と同様に図４（ａ）のデ
ータ群から、任意の３個のデータを取り出して平均化
し、その平均化して求めたデータの分布は、図４（ｃ）
に示すように図４（ｂ）よりもさらに狭くなり、例え
ば、標準偏差σ３≒０．６σ１となる。このようにデー
タを平均化することにより、標準偏差が小さくなること
を、ここでは平均化効果と呼ぶこととする。
【００３３】図５は平均化するワークマークの個数と平
均化効果の関係の一例を示す図である。横軸はワークマ
ークの個数、縦軸はｎ個のワークマークを平均化したデ
ータ群の標準偏差σｎを、元々のデータ群の標準偏差で
あるσ１によって割った値、すなわちσｎ／σ１であ
る。なお、図５自体は、適当に発生させた乱数表を元デ
ータ群として平均化効果を計算したものである。図５に
よれば、例えば２個のワークマーク（標準偏差σ１）の
位置座標を平均化した場合、上記平均化効果により２個
のワークマークの位置座標の平均値の標準偏差σ２は約
０．７σ１になる。すなわち、元々のワークマークの標
準偏差がσ１であっても、２個のワークマークの位置座
標の平均値を用いてアライメントを行えば、アライメン
ト精度±Ａは３×（０．７σ１）＝２．１σ１まで達成
できることになる。さらに、３個のワークマークの位置
座標を平均化すれば、その標準偏差σ３は約０．６σ１
になり、アライメント精度±Ａは３×（０．６σ１）＝
１．８σ１まで達成できることとなる。
【００３４】以上に基づき、本実施例においては、次に
ようにしてアライメント精度を確保できるワークマーク
を選択する。 ワークマークを複数個サンプルとして製作し、本来
あるべき位置（設計位置）に対するずれ量を測定する。
該ずれ量よりワークマークを製作する際のずれ量を測定
し、該ずれ量より、ワークマークを製作する際のワーク
マークの位置座標のばらつき、すなわち前記した標準偏
差σ１を求める。 複数のワークマークを平均化する方法（複数のワー
クマークの平均位置座標を求める計算式）を定め、図５
のような平均化効果のグラフを求める。なお、図５に示
したグラフの形状は、ワークマークの平均位置座標を求
める計算式に応じて定まるので、上記平均位置座標を求
める計算式に応じて図５に示すグラフを作成する必要が
ある。 要求されるアライメント精度：±Ａと、上記求めた
平均化効果のグラフに基づき、何個のワークマークを用
いて平均化すれば、要求されるアライメント精度：±Ａ
を達成できるかを求める。仮にｎ１個のワークマークを
平均化することにより、要求されるアライメント精度：
±Ａを達成できることがわかり、アライメント顕微鏡の
視野内にｎ１個以上のワークマークが検出できていれ
ば、ｎ１個またはそれ以上のワークマークの位置座標か
ら、ワークマークの平均位置座標を計算し、該平均位置
座標に対して位置合わせを行う。
【００３５】平均化するワークマークの数は、例えば次
のようにして求めることができる。元々のワークマーク
の標準偏差が例えばσ１＝１μｍのとき、〔要求される
アライメント精度〕＝±１．２μｍを達成しようとする
場合は、以下の手順で平均化するワークマークの個数を
求める。 i)まず、要求されるアライメント精度：±Ａを確保する
ことができるワークマークの標準偏差σｎを求める。こ
こで、σｎはｎ個のワークマークを前記したように平均
化して求めた標準偏差である。この場合、要求されるア
ライメント精度が１．２であるから、標準偏差σｎは３
×σｎ＝１．２、すなわち、σｎ＝１．２／３となる。
ついで、Ｘ＝σｎ／σ１を満足するＸを求める。なお、
Ｘ（＝σｎ／σ１）は図５における縦軸に相当する。こ
の例の場合、元々のワークマークの標準偏差σ１はσ１
＝１μｍであり、ｎ個のワークマークを平均化して求め
た標準偏差σｎは１．２／３以下でなければならないか
ら、Ｘ＝σｎ／σ１＝１．２／３＝０．４となる。 ii) 前記で作成した平均化効果のグラフを用いて、平
均化するワークマークの個数を求める。例えば、前記
で作成した平均化効果のグラフが図５に示す形状であっ
たとすると、Ｘ（＝σｎ／σ１）＝０．４のとき、平均
化するワークマークの個数は８個であるから、〔要求さ
れるアライメント精度〕≦±１．２μｍを達成するには
８個以上のワークマークを平均化すればよい。
【００３６】ここで、前記したようにワークマークの配
置は、設計値より既知であるので、設計値のワークマー
クの位置座標を平均化して得たワークマーク平均位置座
標（アライメント時の基準となる位置座標）と各ワーク
マークとの距離はわかっている。そこで、検出した各ワ
ークマークの位置座標とその平均位置座標との距離と、
本来あるべきワークマークの位置座標とその平均位置座
標との距離のずれ量を計算する。そのずれ量が、ある程
度以上大きければ、そのワークマークの位置座標は平均
化する対象からはずす。このようにすれば、例えばワー
クに付着したごみをワークマークとして誤認識すること
により、平均化効果が阻害されることを防ぐことができ
る。
【００３７】上記ずれ量がどの程度大きければ、平均化
から除外するかはワークマークの製作サンプルのばらつ
き等から適宜設定すればよい。上記ずれ量の大きいワー
クマーク（もしくはずれ量が大きいと誤認しているワー
クマーク）を除いても、要求されるアライメント精度を
達成できる数のワークマークが残っていれば、該残りの
ワークマークの位置座標より、平均位置座標を求めて位
置合わせを行う。もしも、ずれ量の大きいワークマーク
を除いた、残りのワークマークを平均化したのでは、要
求されるアライメント精度を達成できないという場合
は、アライメントを中止する。
【００３８】（３）その他の適用例 (a) プロキシミティ露光装置、コンタクト露光装置にお
けるマスクマークへの適用 以上では、複数個のワークマークを用いたマスクとワー
クの位置合わせについて説明したが、プロキシミティ露
光装置、コンタクト露光装置におけるマスクマークに適
用することもできる。前記したように、プロキシミティ
露光装置、コンタクト露光装置においては、アライメン
ト顕微鏡によりマスクマークを観察する際、マスクマー
クの下にワークマーク等のパターンがあると、両者が重
なりあたかもマスクマークが変形したかのような形状で
検出され、前記したようにマスクマークの検出精度（信
頼性）が低下する場合がある。
【００３９】以下、これを図６に示すプロキシミティ露
光装置を例にとって説明する。同図において、ＭＳはマ
スクステージであり、マスクステージＭＳにマスクマー
クＭＡＭとマスクパターンが形成されたマスクＭが載置
される。またＷＳはワークステージであり、ワークステ
ージＷＳにはワークマークＷＡＭが形成されたワークが
載置される。１は光照射装置であり、 光照射装置１か
ら放出される露光光は、マスクＭを介して、ワークステ
ージＷＳ上に載置されたワークＷ上に照射され、マスク
Ｍ上に形成されたマスクパターンがワークＷ上に投影さ
れ、ワークＷ上にマスクパターンが露光される。マスク
Ｍ上には同図の矢印方向に移動可能なアライメント顕微
鏡１０が設けられており、マスクＭに形成されたマスク
パターンをワークＷ上に露光する前に、アライメント顕
微鏡１０を図示の位置に挿入し、マスクＭとワークＷの
位置合わせを行う。アライメント顕微鏡１０は、前記図
８に示したように、ハーフミラー、レンズ、ＣＣＤカメ
ラ等から構成されている。
【００４０】図６において、マスクＭとワークＷの位置
合わせは次のように行われる。 ワークステージＷＳを上昇させてマスクＭとワーク
Ｗを接触させ、マスクＭとワークＷの傾きを一致させた
のち、ワークステージＷＳを微小量下降させる。これに
よりマスクＭとワークＷは平行にかつその間隙が一定に
設定される。 アライメント顕微鏡１０を同図に示す位置に挿入
し、マスクマークＭＡＭとワークマークを観察する。そ
して、マスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭが一致
するようにワークステージＷＳを移動させる。
【００４１】上記の工程において、アライメント顕微
鏡１０によりマスクマークＭＡＭとワークマークＷＡＭ
を観察する際、マスクＭとワークＷが接近しているとマ
スクマーク像と、ワークマークＷＡＭ等のワークＷ上の
パターンが共にアライメント顕微鏡１０で受像される。
このため、ワークＷの表面の状態によってはマスクマー
クＭＡＭの形状が変化したように見える場合があり、マ
スクマークＭＡＭの検出精度が低下し、アライメント精
度が低下する。
【００４２】上記問題は、前記したアライメントマーク
を複数個配置する手法をマスクマークに適用することに
より解決することができる。すなわち、図７に示すよう
にアライメント顕微鏡の１視野内に入るように近接して
マスクマークＭＡＭ１〜ＭＡＭ４を配置する。そして、
前記したように検出したマスクマークＭＡＭ１〜ＭＡＭ
４のスコアを求め、スコアが低いものを除いた残りのマ
スクマークを用いてアライメントを行う。これにより、
図７に示すようにマスクマークＭＡＭの下にワークマー
クＷＡＭが重なり形状が変化して見えるもの（図７のマ
スクマークＭＡＭ３）があっても、このマスクマークＭ
ＡＭ３を除外してアライメントを行うことができ、精度
よくアライメントを行うことができる。なお、マスクマ
ークＭＡＭ１〜４に対応させて複数個のワークマークＷ
ＡＭをワークＷ上に設けて、両者の平均位置座標が一致
するようにマスクＭとワークＷの位置合わせを行っても
よいし、また、ワークＷ上にワークマークＷＡＭを１個
設け、複数個のマスクマークＭＡＭ１〜４の位置を前記
したように平均化して、上記ワークマークＷＡＭと位置
合わせをする基準となるマスクマーク平均位置座標を求
め、該マスクマーク平均位置座標とワークマークＷＡＭ
が一致するようにマスクＭとワークＷを位置合わせする
ようにしてもよい。
【００４３】(b) レーザ加工によるプリント基板のビア
ホール加工への適用 上記実施例では、ワークマークを露光によって設ける場
合を例にして説明したが、プリント基板等の製造におい
ては、例えば配線用のビアホールのパターンを、ワーク
マークとして利用する場合がある。上記ビアホールは、
例えばレーザ光による加工によって設けられる。ビアホ
ールの直径は、通常１５０から２００μｍである。ま
た、レーザ加工による加工位置精度は、現状では約±２
０μｍであり、その範囲でワークマーク（この場合はビ
アホール）の位置がばらつく。そこで、ワークマークと
してのビアホールを複数用い、前記したように複数のビ
アホールの位置座標から平均位置座標を求め、この平均
位置座標を基準として、プリント基板の位置合わせを行
う。これにより、ビアホールの加工位置精度のばらつき
による位置合わせ精度の低下を回避することができる。
【００４４】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
以下の効果を得ることができる。 （１）複数のワークマークを設け、各位層座標を平均化
した位置座標に対してマスクの位置合せを行なうので、
ワークマークの変形や、位置ずれにより、ワークマーク
の認識位置のずれが生じても、該ずれによるマスクとワ
ークの位置合せ精度の悪化を軽減できる。また、あるワ
ークマークが失われたり、一連のワークマーク群の一部
がアライメント顕微鏡の視野（サーチ領域) 外になって
も、マスクとワークの位置合わせを行なうことができ
る。特に、複数のワークマークを同一の円周上に設け、
該円の中心位置に対してマスクの位置合せを行うように
すれば、任意に選んだ３個のワークマークにより上記中
心位置を求めることができるので、ワークマークが失わ
れたり、ワークマーク群の一部がアライメント顕微鏡の
視野外になった場合でも柔軟に対応することができる。 （２）検出された位置座標より計算したワークマーク間
の距離を、設計値のワークマーク間距離と比較するよう
にすれば、前工程におけるワークマークの位置を異常に
してしまうようなプロセス上の不具合が生じたことを発
見することができる。また、複数のワーク・アライメン
トマークのそれぞれの位置座標を平均化した位置座標
と、各複数のワーク・アライメントマークの位置座標と
の相対位置関係から、要求されるアライメント精度を確
保できるワーク・アライメントマークを選択することが
できるので、要求されるアライメント精度を保証したア
ライメントを行うことができる。 （３）本発明の手法をプロキシミティ露光装置、密着露
光装置におけるマスクマークに適用することにより、マ
スクマークの位置座標の検出精度の向上を図ることもで
きる。さらに、プリント基板のビアホール加工に適用す
ることにより、ビアホールをワークマークとして用いた
プリント基板の位置合わせの精度も向上させることがで
きる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の適用対象の一例である投影露光装置の
構成例を示す図である。
【図２】ワークマークの位置座標の平均化を説明する図
である。
【図３】円周上にワークマークを配置した場合を説明す
る図である。
【図４】ワークマークの「ずれ量」の分布およびアライ
メント精度と３σ１の関係を説明する図である。
【図５】平均化するワークマークの個数と平均化効果の
関係を示す図である。
【図６】プロキシミティ露光装置の構成例を示す図であ
る。
【図７】マスクマークの下にワークマークが重なって見
える場合を説明する図である。
【図８】アライメント顕微鏡の概略構成を示す図であ
る。
【図９】従来のパターンサーチ方法を説明する図であ
る。
【図１０】アライメント顕微鏡により受像されモニタに
表示されるワークマークの一例を示す図である。
【図１１】ワークマークの形状例を示す図である。
【図１２】パターンサーチを説明する図である。
【図１３】プロセス欠損によるワークマークの変形例を
示す図である。
【図１４】ワークマークが変形した状態を説明する図で
ある。
【図１５】ワークマークが変形した場合のスコアを説明
する図である。
【符号の説明】
１ 光照射装置 ２ 投影レンズ １０ アライメント顕微鏡 １０ａ ハーフミラー １０ｂ ＣＣＤカメラ １１ 演算装置 １２ モニタ ＭＳ マスクステージ ＭＡＭ マスクマーク ＷＡＭ ワークマーク Ｍ マスク Ｗ ワーク ＷＳ ワークステージ

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マスク・アライメントマークが設けられ
    たマスクと、 アライメント顕微鏡の１視野内に入るように近接して設
    けられた上記マスクと対応する複数のワーク・アライメ
    ントマークが設けられたワークとを位置合わせする露光
    装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法であっ
    て、 アライメント顕微鏡の視野内の、複数のワーク・アライ
    メントマークのそれぞれの位置座標を検出し、該位置座
    標から求めた平均位置座標に対して、マスク・アライメ
    ントマークの位置座標が所定の位置関係になるように位
    置合わせをすることを特徴とするマスクとワークの位置
    合わせ方法。
  2. 【請求項２】 複数のワーク・アライメントマークのそ
    れぞれの位置座標を平均化した位置座標と、各複数のワ
    ーク・アライメントマークの位置座標との相対位置関係
    から、要求されるアライメント精度を確保できるワーク
    ・アライメントマークを選択し、 上記精度が確保できることが確認された後、マスク・ア
    ライメントマークの位置座標が、複数のワーク・アライ
    メントマークのそれぞれの位置座標から求めた位置座標
    に対して所定の位置関係になるように位置合わせするこ
    とを特徴とする請求項１のマスクとワークの位置合わせ
    方法。
  3. 【請求項３】 アライメント顕微鏡の１視野内に入るよ
    うに近接して設けられた複数のマスク・アライメントマ
    ークが設けられたマスクと、 上記マスクとワーク・アライメントマークが設けられた
    ワークとを位置合わせするプロキシミティもしくはコン
    タクト露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方
    法であって、 アライメント顕微鏡の視野内の複数のマスク・アライメ
    ントマークのそれぞれの位置座標を検出し、 上記複数のマスク・アライメントマークの位置座標と上
    記ワーク・アライメントマークの位置座標に基づき、マ
    スクとワークが所定の位置関係になるように位置合わせ
    をすることを特徴とするマスクとワークの位置合わせ方
    法。
JP28250699A 1999-10-04 1999-10-04 露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法 Pending JP2001110697A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28250699A JP2001110697A (ja) 1999-10-04 1999-10-04 露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法
TW089117527A TW460920B (en) 1999-10-04 2000-08-29 Method of aligning mask and workpiece in exposure device
EP00121522A EP1091255A2 (en) 1999-10-04 2000-09-30 Method of aligning mask and workpiece in exposure device
KR1020000058180A KR20010039990A (ko) 1999-10-04 2000-10-04 노광장치에서의 마스크와 워크의 위치맞춤 방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP28250699A JP2001110697A (ja) 1999-10-04 1999-10-04 露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2001110697A true JP2001110697A (ja) 2001-04-20

Family

ID=17653338

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP28250699A Pending JP2001110697A (ja) 1999-10-04 1999-10-04 露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法

Country Status (4)

Country Link
EP (1) EP1091255A2 (ja)
JP (1) JP2001110697A (ja)
KR (1) KR20010039990A (ja)
TW (1) TW460920B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009218588A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び方法
JP2010117632A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Ushio Inc アライメントマークの検出方法及び装置
JP2015228463A (ja) * 2014-06-02 2015-12-17 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
KR20190046897A (ko) 2016-09-09 2019-05-07 우시오덴키 가부시키가이샤 기판 모서리 위치 특정 방법
CN112087887A (zh) * 2019-06-12 2020-12-15 奥特斯科技(重庆)有限公司 通过组合评估垫型和孔型对准标记来对准部件承载件结构

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4351955B2 (ja) * 2004-06-03 2009-10-28 日立ビアメカニクス株式会社 基準点の位置決定方法
CN102566338B (zh) * 2010-12-28 2013-11-13 上海微电子装备有限公司 光刻对准系统中对对准位置进行修正的方法
JP7310472B2 (ja) * 2019-09-13 2023-07-19 信越化学工業株式会社 反射型マスクブランクの製造方法
CN113791588A (zh) * 2021-08-11 2021-12-14 宁波帅特龙集团有限公司 一种产线监测系统及其控制方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009218588A (ja) * 2008-03-12 2009-09-24 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及び方法
US8576374B2 (en) 2008-03-12 2013-11-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
JP2010117632A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Ushio Inc アライメントマークの検出方法及び装置
KR101373930B1 (ko) * 2008-11-14 2014-03-12 우시오덴키 가부시키가이샤 얼라인먼트 마크의 검출 방법 및 장치
JP2015228463A (ja) * 2014-06-02 2015-12-17 キヤノン株式会社 インプリント装置、および物品の製造方法
KR20190046897A (ko) 2016-09-09 2019-05-07 우시오덴키 가부시키가이샤 기판 모서리 위치 특정 방법
CN112087887A (zh) * 2019-06-12 2020-12-15 奥特斯科技(重庆)有限公司 通过组合评估垫型和孔型对准标记来对准部件承载件结构

Also Published As

Publication number Publication date
TW460920B (en) 2001-10-21
KR20010039990A (ko) 2001-05-15
EP1091255A2 (en) 2001-04-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7590280B2 (en) Position detection apparatus and exposure apparatus
US20110075123A1 (en) Method for detecting work alignment mark and exposure apparatus using the same
JPH08250399A (ja) 走査型露光装置
JPH07253311A (ja) パターン検査装置の較正方法、パターン検査方法、パターン位置決定方法、および半導体装置の製造方法
JP5298792B2 (ja) アライメントマークの検出方法
US10416578B2 (en) Substrate pre-alignment method
JPH07321012A (ja) 位置合わせ方法及びそれを用いた素子の製造方法
JP2001110697A (ja) 露光装置におけるマスクとワークの位置合わせ方法
US6600561B2 (en) Apparatus and method for measuring pattern alignment error
US5978094A (en) Alignment device and method based on imaging characteristics of the image pickup system
JP2007281126A (ja) 位置計測方法、位置計測装置及び露光装置
JP2006215077A (ja) パターン特定方法およびパターン特定装置
US20060274935A1 (en) Method for measuring registration of overlapping material layers of an integrated circuit
JPH08181053A (ja) 位置検出方法
KR20060043068A (ko) 노광장치 및 위치맞춤 방법
CN113611650A (zh) 对准晶片图案的方法
JP2000137003A (ja) パターン検査方法及びその装置
JPH104044A (ja) パターン検出方法ならびにアライメントマーク検出方法およびそれを用いた光学装置
JP3365166B2 (ja) 合わせずれ測定装置および合わせずれ測定方法
JP2024071335A (ja) 相関関係に基づくオーバーレイキーのセンタリングシステム及びその方法
JP4300802B2 (ja) マーク位置検出装置、マーク位置検出方法、重ね合わせ測定装置、および、重ね合わせ測定方法
KR20060106379A (ko) 오버레이 키 및 그를 이용한 오버레이 계측방법
TW202419985A (zh) 基於相關關係的套刻鍵標定心系統及其方法
JPH02152220A (ja) 位置合せ方法
JPH10186634A (ja) フォトマスク