TW202419985A - 基於相關關係的套刻鍵標定心系統及其方法 - Google Patents

Abstract

本發明公開了一種能夠精確地尋找套刻鍵標圖案的中心座標，以能夠精確地測量和檢查形成在晶圓上的精細圖案的對準狀態的基於相關關係的套刻鍵標定心系統及其方法。所述基於相關關係的套刻鍵標定心方法包括粗略搜索步驟和精確搜索步驟，在所述粗略搜索步驟中，將套刻目標圖像的尺寸調整為預設尺寸，並且藉由在調整後的圖像中計算第一相關關係值來計算粗略中心座標的步驟，在所述精確搜索步驟中，在套刻目標圖像的原始圖像中以粗略中心座標為基準來計算第二相關關係值，從而計算精確中心座標。

Description

基於相關關係的套刻鍵標定心系統及其方法

本發明關於半導體製程，更具體地，關於一種在半導體製程中基於相關關係對套刻鍵標進行定心（centering）的套刻鍵標定心系統及其方法。

在半導體製程中，在晶圓的表面形成感光膜（Photo Resist），並在使用步進器（stepper）的曝光製程中，轉移至倍縮式光罩（reticle）上的晶圓表面上的感光膜，並對已完成曝光製程的感光膜進行顯影。之後，對於顯影後的感光膜，使用蝕刻遮罩（mask）並藉由蝕刻晶圓表面的微影（Photolithography）製程，在晶圓表面形成電路圖案，並藉由重複微影製程，在晶圓上形成具有電路圖案的多層膜，從而製造半導體器件。

在半導體製程中，為了在半導體基板上形成精細圖案而進行的曝光製程具體如下：在半導體基板上塗覆光阻劑（Photo-Resist），並對塗覆有光阻劑的半導體基板施加熱量的同時，使形成於遮罩的圖案與半導體基板表面上的圖案一致後，使部分光線透過，從而對相應區域的光阻劑進行曝光，並在曝光製程後，噴射顯影液，從而基於化學作用來去除曝光時光線透過的部分或光線不透過的部分，並且在半導體基板上形成圖案後，測定對準狀態，並測量垂直對準精度。

另一方面，為了在晶圓上製作半導體晶片的上部薄膜層和下部薄膜層的垂直對準精度稱為套刻精度（overlay），對於光學套刻測量設備而言，使用套刻鍵標（overlay key）來檢查形成於半導體基板上的圖案和在當前製程中形成的圖案的對準狀態，以檢測出微小缺陷和半導體製程中的缺陷。

在測定和檢查半導體基板的精細圖案的對準狀態的套刻製程中，為了確認在半導體基板上由多層組成的多個薄膜層中形成的下部薄膜層圖案和上部薄膜層圖案是否精確對準而使用套刻標記（overlay mark），由此確認上部薄膜層和下部薄膜層的對準狀態。

光學套刻測定測量設備在半導體製程中以超高精度測定如下內容：使用套刻標記來測定電路圖案是否很好地對準，即以多層堆疊的半導體基板上的由多層組成的多個薄膜層中形成的下部薄膜層圖案和上部薄膜層圖案是否精確對準。

為了測量套刻標記的對準精度，必須先執行圖案識別（Pattern Recognition，PR）操作（Action）。

當將工件台（Stage）移動至輸入到配方（Recipe）中的套刻鍵標（Overlay Key）位置（Position）時，由於硬體（機器人、工件台等）的可重複性（Repeatability）的影響，在尋找精確位置方面存在限制。

PR操作是一種彌補這一問題的技術，其將註冊到配方中的模型圖像與視場（Field of View，FOV）上的即時（Live）圖像相匹配（Matching）的位置檢測為中心（Center），並額外進行與偏移量（offset）相等的工件台移動（Stage Move）。

然而，對於藉由圖像之間的一對一匹配來額外進行工件台移動的方法而言，在配方中註冊的圖像可以代表晶圓整體的所有目標（target）的圖像時是可行的。

在由於製程上的影響而套刻鍵標圖像之間的偏差（Variation）嚴重的情況下，則可能會發生PR失敗（Fail）。

因此，需要一種可彌補PR失敗而能夠尋找套刻鍵標的中心座標並精確地對套刻鍵標的中心座標進行定心的技術。

[先前技術文獻] [專利文獻] 專利文獻1：韓國授權專利KR10-1604789（2016年3月14日）。

[發明要解決的技術問題]

本發明要解決的技術問題在於，提供一種基於相關關係的套刻鍵標定心系統及其方法，其能夠克服因製程上的原因而發生的套刻鍵標圖像之間的偏差（Variation）並執行圖案識別（Pattern Recognition，PR）。

本發明的目的並不局限於以上提及的目的，本發明中未提及的其他目的和優點可以藉由以下的說明得以被理解，並且藉由本發明的實施例將更清楚地被理解。另外，顯而易見的是，本發明的目的和優點可以藉由申請專利範圍中記載的手段和其組合來實現。 [用於解決技術問題的手段]

根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標定心系統，其包括套刻測量設備，所述套刻測量設備包括至少一個處理器，所述處理器接收套刻目標（overlay target）圖像，並且將套刻目標圖像的尺寸調整為小於整個圖像的尺寸，而且藉由計算調整後的圖像中的第一相關關係值來計算粗略（rough）中心座標，在套刻目標圖像的原始圖像內以所述粗略中心座標為基準計算第二相關關係值，並計算精確（fine）中心座標。

根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標定心方法，其包括粗略搜索（rough search）步驟和精確搜索（Fine Search）步驟，在所述粗略搜索步驟中，將套刻目標（overlay target）圖像的尺寸調整為預設尺寸，並且在調整後的圖像內計算第一相關關係值並計算粗略中心座標，在所述精確搜索步驟中，在套刻目標圖像的原始圖像內以粗略中心座標為基準計算第二相關關係值，從而計算精確中心座標。 [發明效果]

根據本發明的實施例，藉由基於相關關係能夠精確地對套刻鍵標進行定心，由此能夠精確地測量和檢查半導體基板的精細圖案的對準狀態。

並且，根據本發明的實施例，可以精確地尋找套刻鍵標圖案的座標，從而能夠提高套刻測量的精度。

並且，根據本發明的實施例，可以防止在每個套刻鍵標的變化（Variation）嚴重的情況下可能會發生的圖案識別（Pattern Recognition，PR）失敗。

並且，根據本發明的實施例，可以彌補在對PR參數敏感反應的層（layer）的情況下可能會發生的PR誤讀（Misreading）。

除了上述效果之外，以下將說明用於實施本發明的具體事項，並記述本發明的具體效果。

將參照圖式詳細描述上述目的、手段和效果，由此，本發明所屬領域的技術人員將能夠容易地實施本發明的技術思想。在對本發明進行說明時，如果判斷對與本發明相關的已知技術的具體說明會不必要地使本發明的主旨模糊，將省略對其的詳細說明。以下，將參照圖式詳細說明根據本發明的較佳實施例。在圖式中，相同的元件符號用於表示相同或相似的構成要素。

以下，公開一種基於相關關係的套刻鍵標定心系統及其方法，以克服因製程上的原因而發生的套刻鍵標圖像之間的偏差（Variation）並執行圖案識別（Pattern Recognition，PR）。

在說明根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標定心方法之前，定義本說明書中使用的術語的含義。

在說明書中，套刻精度（overlay）可以被定義為用於在晶圓上製造半導體晶片的上部薄膜層和下部薄膜層的垂直對準精度。

在說明書中，套刻鍵標（overlay key）可以被定義為用於在光學套刻測量設備中藉由檢查形成於半導體基板上的圖案與在當前製程中形成的圖案的對準狀態來檢測微小缺陷和檢測半導體製程中的缺陷。

在說明書中，PRU是為了實施套刻測量而識別套刻鍵標的步驟，其包括在視場（Field of View，FOV）內對套刻鍵標進行定心的步驟。

在說明書中，目標尋找器（target finder）可以在搭載有處理器的PC終端、套刻測量設備中實現。作為一示例，目標尋找器可以是基於相關關係計算套刻鍵標的中心座標的應用程式。

圖1是用於說明圖案識別（Pattern Recognition，PR）操作（action）的圖。

當將工件台（stage）移動至目標（套刻鍵標（Overlay Key））位置時，因測量設備的可重複性（Repeatability）的影響在尋找精確位置的方面上存在限制。

PR操作是一種彌補這一問題的技術，其將註冊到配方中的模型圖像和FOV上的即時圖像相匹配的位置檢測為中心，並且額外進行相當於偏移量的工件台移動（Stage Move）。

然而，對於藉由圖像之間的一對一（1:1）匹配來額外進行工件台移動的方法而言，在註冊於配方中的圖像可以代表晶圓整體的所有目標的圖像時是可以進行的。

在因製程上的影響而套刻鍵標圖像之間的偏差（Variation）嚴重的情況下，可能會發生PR失敗（Fail）。

為此，本實施例利用模板匹配函數來檢測出套刻鍵標的中心位置，所述模板匹配函數用於在輸入影像中尋找與具有較小尺寸的模板影像一致的部分。作為一示例，本發明可以利用模板匹配函數來檢測出中心位置，所述模板匹配函數用於對作為輸入影像的即時影像、即測量的同時所獲得的影像尋找與模板影像一致的部分。

另一方面，將用於在晶圓上製作半導體晶片的上部薄膜層和下部薄膜層的垂直對準精度稱為套刻精度（overlay），對於光學套刻測量設備而言，使用套刻鍵標（overlay key）來對形成於半導體基板上的圖案和在當前製程中所形成的圖案的對準狀態進行檢測，由此檢測出微細缺陷並檢測出半導體製程中的缺陷。

在根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標定心系統及其方法中，可以使用能夠測量輸入函數和目標函數之間存在相似之處的工具來測量相似性。作為一示例，可以利用如下工具來推導出相關關係值，所述工具在應用於圖像的情況下能夠測量兩個圖像之間的相似程度。

在概率論和統計學中所使用的相關分析（Correlation Analysis）是一種分析兩個變數之間的線性關係的方法。此時，兩個變數之間的關係強度稱為相關關係（相關性（Correlation）或相關係數（Correlation Coefficient））。

在統計性相關關係的分析中存在有皮爾遜相關係數（Pearson Correlation Coefficient）分析、斯皮爾曼相關係數（Spearman Correlation Coefficient）分析等多種技術。

在本發明的實施例中，可以利用用於在輸入影像中尋找與具有較小尺寸的模板影像一致的部分的模板匹配函數。

模板匹配原理如下：將模板（template）與從輸入影像的左上角到右下角的所有部分進行比較來掃描。

模板匹配函數可以包括基於用於表示相關關係值的方法的多種模板匹配函數。

圖2是根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標尋找方法的流程圖。

參照圖2，基於相關關係的套刻鍵標定心方法包括粗略搜索步驟S10和精確搜索步驟S50。

首先，在粗略搜索步驟S10中，將套刻目標圖像的尺寸調整為預設尺寸，並且基於調整後的圖像來計算第一相關關係值，從而計算出粗略中心座標。

對粗略搜索步驟S10進行說明如下。

將套刻目標圖像調整為預設尺寸（步驟S20）。作為一示例，目標尋找器可以從測量設備接收套刻目標圖像，並將套刻目標圖像的尺寸減小為1/2。這能夠使模板匹配函數的處理時間最小化。此處，目標尋找器可以是基於相關關係來計算套刻鍵標的中心座標的應用程式、或具備處理器的計算終端。

隨後，在調整後的圖像中定義出第一模板、第二模板和第一相關搜索區域，並在第一相關搜索區域中計算第一模板和第二模板之間的第一相關關係值（步驟S30）。

圖3至圖5是示出了圖2中的相關關係搜索區域的圖。

參照圖3至圖5，作為一示例，第一相關搜索區域可以被定義為調整後的圖像的整個區域。

第一模板（template）1和第二模板2可以被定義為：具有預設尺寸的水平值和垂直值，並且彼此以對角線為基準對稱。

作為一示例，在本發明的實施例中，可以藉由將第一模板1的圖像與旋轉了180度的第二模板2的圖像進行比較，從而將相似度表示為相關關係值。作為另一示例，可以藉由將以第一模板1和第二模板2之間的對角線為基準翻轉第一模板1的圖像而得到的圖像與第二模板2的圖像進行比較，從而將相似度表示為相關關係值。

作為一示例，在本發明的實施例中，第一模板1和第二模板2的相似度越高，相關關係值可以表示得越高。

圖6是示出了圖2中的基於相關關係尋找套刻鍵標的中心的方法的圖。

參照圖2和圖6，基於第一模板1和第二模板2的第一相關關係值在調整圖像的整個區域內計算粗略中心座標（步驟S40）。

對粗略中心座標的計算進行具體說明如下：尋找與第一相關關係值中最大的相關關係值相對應的第一模板1和第二模板2，並且利用第一模板1和第二模板2的座標（X1，Y1）來計算粗略中心座標（Cx，Cy）。

作為一示例，粗略中心座標Cx可以由X1+模板橫寬（或寬度）計算，粗略中心座標Cy可以由Y1+模板縱寬（或高度）計算。

接著，在精確搜索步驟S50中，在套刻目標圖像的原始圖像中，以粗略中心座標為基準來計算第二相關關係值，從而計算精確中心座標。

對精確搜索步驟S50進行說明如下。

精確搜索步驟S50包括導入原始圖像的步驟S60。作為一示例，可以導入原使圖像的全(full)圖像。

圖7是示出了圖2中的用於計算相關關係的模板的定義的圖。

參照圖7，在原始圖像中，以粗略中心座標為基準來定義第二相關關係搜索區域。作為一示例，第二相關關係區域被定義為：以粗略中心座標為基準，具有第一模板1或第二模板2的寬度和高度的兩倍的值。

在原始圖像中，以粗略中心座標為基準來定義第三模板區域和第四模板區域。作為一示例，第三模板和第四模板可以被定義為以經過粗略中心座標的對角線為基準彼此對稱的區域。

然後，在原始圖像的第二相關關係搜索區域內計算第三模板和第四模板的第二相關關係值（步驟S70）。

作為一示例，可以藉由將第三模板的圖像與旋轉了180度的第四模板的圖像進行比較，從而計算基於相似度的第二相關關係值。作為一示例，可以將第三模板的圖像與翻轉了第四模板的圖像而獲得的圖像進行比較，從而計算基於相似度的第二相關關係值。

然後，基於第二相關關係值來計算所述精確中心座標（步驟S80）。

計算精確中心座標的過程如下：尋找與第二相關關係值中最大的相關關係值相對應的第三模板和第四模板，並且利用尋找到的第三模板或第四模板的座標來計算精確中心座標。

圖8是根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標定心系統及其方法的流程圖。

參照圖8，目標尋找器藉由粗略搜索步驟來計算粗略中心座標，並藉由精確搜索步驟來計算精確中心座標。

在粗略搜索步驟中，為了使處理（processing）時間最小化，縮小整個圖像的尺寸。作為一示例，將整個圖像的尺寸調整大小（Resize）為1/2的尺寸，或調整大小為1/4的尺寸。當然，並不限於此，可以在能夠使用於計算中心座標的處理時間最小化的技術思想內實施變更。

在被調整大小(或被縮小)的圖像中，如圖5所示那樣定義第一模板1和第二模板2。將調整大小後的圖像的整個區域定義為第一相關關係搜索區域。

計算第一相關關係搜索區域內的第一模板1和第二模板2之間的相關關係值。尋找相關關係值最大的模板，並利用其來計算粗略中心座標。

以在精確中心座標粗略搜索中尋找到的粗略中心座標為基準來定義原始圖像中第二相關關係區域。在原始圖像的第二相關關係區域內計算第一模板1和第二模板2之間的相關關係值。

尋找相關關係值最大的模板，並利用其來計算精確中心座標。

作為一示例，套刻測量設備可以在其內部具備目標尋找器，從而將計算出的精確中心座標註冊到配方中，或者利用已註冊的配方的精確中心座標來將工件台移動至目標中心。此時，作為第一種情形，套刻測量設備可以利用目標尋找器來將PRU圖像註冊到配方中。作為第二種情形，套刻測量設備可以利用目標尋找器來在編輯配方（Edit Recipe）中將工件台移動至目標中心。

如此，根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標定心系統包括套刻測量設備，所述套刻測量設備包括至少一個處理器，所述至少一個處理器接收套刻目標（overlay target）圖像，並且將套刻目標圖像的尺寸調整為小於整個圖像的尺寸，而且藉由計算調整後的圖像中的第一相關關係值來計算粗略中心座標；在套刻目標圖像的原始圖像中，以所述粗略中心座標為基準來計算第二相關關係值，從而計算精確中心座標。

在套刻測量設備中，處理器在計算粗略中心座標的情況下執行如下處理：將套刻目標圖像的尺寸調整為預設尺寸，並且在調整後的圖像中定義第一模板、第二模板和第一相關搜索區域，而且在第一相關搜索區域中計算第一模板和第二模板之間的第一相關關係值，並基於第一相關關係值來計算粗略中心座標。

第一相關搜索區域由調整後的圖像的整個區域被定義。

第一模板和第二模板被定義為：具有預設尺寸的水平值和垂直值，並且以對角線為基準彼此對稱。

處理器尋找與第一相關關係值中最大的相關關係值相對應的第一模板和第二模板，並利用尋找到的第一模板或第二模板的座標來計算粗略中心座標。

處理器在計算精確中心座標的情況下執行如下處理：以粗略中心座標為基準來定義第二相關關係搜索區域，並且在原始圖像的第二相關關係搜索區域內計算第三模板和第四模板的第二相關關係值，而且基於第二相關關係值來計算精確中心座標。

處理器尋找與第二相關關係值中最大的相關關係值相對應的第三模板和第四模板，並利用第三模板或第四模板的座標來計算精確中心座標。

套刻測量設備基於精確中心座標而將已定心的套刻鍵標的圖像註冊於配方中。

然後，根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標定心方法包括粗略搜索步驟和精確搜索步驟，在所述粗略搜索步驟中，將套刻目標圖像的尺寸調整為預設尺寸，並藉由在調整後的圖像中計算第一相關關係值來計算粗略中心座標，在所述精確搜索步驟中，藉由在套刻目標圖像的原始圖像中以粗略中心座標為基準來計算第二相關關係值，從而計算精確中心座標。

粗略搜索步驟包括：將套刻目標圖像的尺寸調整為預設尺寸的步驟；在調整後的圖像中定義第一模板、第二模板和第一相關搜索區域的步驟；在第一相關搜索區域中計算第一模板和第二模板之間的第一相關關係值的步驟；以及基於第一相關關係值來計算粗略中心座標的步驟。

第一相關搜索區域由調整後的圖像的整個區域被定義。

第一模板和所述第二模板被定義為：具有預設尺寸的水平值和垂直值，並且以對角線為基準彼此對稱。

粗略搜索步驟包括：尋找與第一相關關係值中最大的相關關係值相對應的第一模板和第二模板的步驟；以及利用尋找到的第一模板或第二模板的座標來計算粗略中心座標的步驟。

精確搜索步驟包括：以粗略中心座標為基準來定義第二相關關係搜索區域的步驟；在原始圖像的第二相關關係搜索區域內計算第三模板和第四模板的第二相關關係值的步驟；以及以第二相關關係值為基準來計算所述精確中心座標的步驟。

精確檢索步驟包括：尋找與第二相關關係值中最大的相關關係值相對應的第三模板和第四模板的步驟；以及利用尋找到的第三模板或第四模板的座標來計算精確中心座標的步驟。

基於相關關係的套刻鍵標定心方法還包括：基於精確中心座標而將已定心的套刻鍵標的圖像註冊於配方中的步驟。

基於相關關係的套刻鍵標定心方法還包括：基於精確中心座標將工件台移動至目標位置，以對套刻鍵標進行定心的步驟。

根據本發明的實施例，藉由基於相關關係而能夠精確地對套刻鍵標進行定心，由此可以精確地測量和檢查半導體基板的精細圖案的對準狀態。

並且，根據本發明的實施例，可以藉由精確地尋找套刻鍵標圖案的中心座標來提高半導體製程的精度。

並且，根據本發明可以防止在每套刻鍵標的變化嚴重的情況下可能會發生的圖案識別（Pattern Recognition，PR）失敗。

並且，在對PR參數敏感反應的層的情況下，可以彌補可能會發生的PR誤讀。

如上所述，參照例示的圖式對本發明進行了說明，但本發明不限於本說明書中公開的實施例和圖式，本領域技術人員可以在本發明的技術思想的範圍內進行各種修改是顯而易見的。並且，雖然在說明本發明的實施例時沒有藉由明確記載來說明根據本發明的技術方案的作用效果，但應當承認基於相應的技術方案而可預測的效果。

1:第一模板 2:第二模板 S10、S20、S30、S40、S50、S60、S70、S80:步驟

圖1是用於說明圖案識別（Pattern Recognition，PR）操作（action）的圖。

圖2是根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標尋找方法的流程圖。

圖3至圖5是示出了圖2中的相關關係搜索區域的圖。

圖6是示出了圖2中的基於相關關係尋找套刻鍵標的中心的方法的圖。

圖7是示出了用於計算圖2中的相關關係的模板的定義的圖。

圖8是根據一實施例的基於相關關係的套刻鍵標定心方法的流程圖。

1:第一模板

2:第二模板

Claims (16)

1. 一種基於相關關係的套刻鍵標定心系統，所述套刻鍵標定心系統包括套刻測量設備，所述套刻測量設備包括至少一個處理器，並且利用套刻目標圖像檢查下部薄膜層圖案和上部薄膜層圖案的對準狀態， 所述處理器執行以下處理： 接收所述套刻目標圖像，並且將所述套刻目標圖像的尺寸調整為小於整個圖像的尺寸； 在調整後的圖像中，定義以對角線為基準彼此對稱的第一模板和第二模板； 藉由計算第一相關關係值來計算粗略中心座標，所述第一相關關係值用於表示所述第一模板的圖像和所述第二模板的圖像之間的以所述對角線為基準對稱的相似度； 在所述套刻目標圖像的原始圖像中，定義以經過所述粗略中心座標的對角線為基準對稱的第三模板和第四模板； 藉由計算第二相關關係值來計算精確中心座標，所述第二相關關係值用於表示所述第三模板的圖像和所述第四模板的圖像之間的以所述對角線為基準對稱的相似度；及 基於所述精確中心座標，將工件台移動至目標位置並對套刻鍵標進行定心。
2. 如請求項1所述之基於相關關係的套刻鍵標定心系統，其中，所述處理器在計算所述粗略中心座標時執行以下處理： 在調整後的所述圖像中還定義第一相關搜索區域，並且在所述第一相關搜索區域內計算所述第一模板的圖像和所述第二模板的圖像之間的所述第一相關關係值。
3. 如請求項2所述之基於相關關係的套刻鍵標定心系統，其中，所述第一相關搜索區域由調整後的所述圖像的整個區域定義。
4. 如請求項3所述之基於相關關係的套刻鍵標定心系統，其中，所述第一模板和所述第二模板具有預設尺寸的水平值和垂直值。
5. 如請求項2所述之基於相關關係的套刻鍵標定心系統，其中，所述處理器尋找與所述第一相關關係值中最大的相關關係值相對應的第一模板和第二模板，並且利用尋找到的所述第一模板或所述第二模板的座標來計算所述粗略中心座標。
6. 如請求項1所述之基於相關關係的套刻鍵標定心系統，其中，所述處理器在計算所述精確中心座標時還執行以下處理： 在所述原始圖像中以所述粗略中心座標為基準定義第二相關關係搜索區域，並且在所述第二相關關係搜索區域內計算所述第三模板的圖像和所述第四模板的圖像之間的所述第二相關關係值。
7. 如請求項6所述之基於相關關係的套刻鍵標定心系統，其中，所述處理器尋找與所述第二相關關係值中最大的相關關係值相對應的第三模板和第四模板，並且利用尋找到的所述第三模板或所述第四模板的座標來計算所述精確中心座標。
8. 如請求項1所述之基於相關關係的套刻鍵標定心系統，其中，所述處理器基於所述精確中心座標將已定心的套刻鍵標的圖像註冊於配方中。
9. 一種基於相關關係的套刻鍵標定心方法，其包括以下步驟： 粗略搜索步驟，在所述粗略搜索步驟中，將用於檢查下部薄膜層圖案和上部薄膜層圖案的對準狀態的套刻目標圖像的尺寸調整為小於整個圖像的尺寸，並且在調整後的圖像中定義以對角線為基準彼此對稱的第一模板和第二模板，而且藉由計算第一相關關係值來計算粗略中心座標，所述第一相關關係值用於表示所述第一模板的圖像和所述第二模板的圖像之間的以所述對角線為基準對稱的相似度； 精確搜索步驟，在所述精確搜索步驟中，在所述套刻目標圖像的原始圖像中定義以經過所述粗略中心座標的對角線為基準對稱的第三模板和第四模板，並且藉由計算第二相關關係值來計算精確中心座標，所述第二相關關係值用於表示所述第三模板的圖像和所述第四模板的圖像之間的以所述對角線為基準對稱的相似度；以及 基於所述精確中心座標，將工件台移動至目標位置並對套刻鍵標進行定心的步驟。
10. 如請求項9所述之基於相關關係的套刻鍵標定心方法，其中，所述粗略搜索步驟還包括以下步驟： 在調整後的所述圖像中定義第一相關搜索區域的步驟；以及 在所述第一相關搜索區域內計算所述第一模板的圖像和所述第二模板的圖像之間的所述第一相關關係值的步驟。
11. 如請求項10所述之基於相關關係的套刻鍵標定心方法，其中，所述第一相關搜索區域由調整後的所述圖像的整個區域定義。
12. 如請求項11所述之基於相關關係的套刻鍵標定心方法，其中，所述第一模板和所述第二模板具有預設尺寸的水平值和垂直值。
13. 如請求項10所述之基於相關關係的套刻鍵標定心方法，其中，所述粗略搜索步驟還包括以下步驟： 尋找與所述第一相關關係值中最大的相關關係值相對應的第一模板和第二模板的步驟；以及 利用尋找到的所述第一模板或所述第二模板的座標來計算所述粗略中心座標的步驟。
14. 如請求項9所述之基於相關關係的套刻鍵標定心方法，其中，所述精確搜索步驟包括以下步驟： 在所述原始圖像中，以所述粗略中心座標為基準來定義第二相關關係搜索區域的步驟；以及 在所述第二相關關係搜索區域內計算所述第三模板的圖像和所述第四模板的圖像之間的所述第二相關關係值的步驟。
15. 如請求項14所述之基於相關關係的套刻鍵標定心方法，其中，所述精確搜索步驟還包括以下步驟： 尋找與所述第二相關關係值中最大的相關關係值相對應的第三模板和第四模板的步驟；以及 利用尋找到的所述第三模板或所述第四模板的座標來計算所述精確中心座標的步驟。
16. 如請求項9所述之基於相關關係的套刻鍵標定心方法，其還包括以下步驟： 基於所述精確中心座標將已定心的套刻鍵標的圖像註冊於配方中的步驟。