CN105759563B - 光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法 - Google Patents

Abstract

本申请提供了一种光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法。该光罩包括版图，版图包括对准标记，对准标记的个数不少于三个。在进行晶圆的光刻时，光刻机根据不少于三个的对准标记处的光罩膨胀系数与光罩旋转系数计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数，这样得出的晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数更加准确，能够及时、灵敏地反应出晶圆或光罩的沾污问题，进而避免了由于沾污造成器件失效需要返工的问题，提高了器件的产率及良率。

Description

光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法

技术领域

本申请涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法。

背景技术

为了使晶圆上的器件功能正常，需要避免晶圆制作中的沾污。随着器件关键尺寸缩小，对沾污的控制要求变得越来越严格。

光罩或晶圆的污染会导致晶圆的叠对偏移及散焦问题。现有技术中，光罩上版图的对准标记的个数为两个，如图1所示。在进行晶圆的光刻时，光刻机会计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数来进行对准光刻，根据两个对准标记计算得出的光罩膨胀系数与光罩旋转系数并不准确，不能准确地判断出光罩或晶圆是否存在污染。在后期的检测过程中我们只在每批晶圆中抽出一个晶圆进行检测，如果此晶圆不存在叠对偏移，则我们就认为此批晶圆均不存在异常。事实上，如果光罩或者其他晶圆存在沾污问题，此批晶圆必定存在叠对偏移的晶圆，最极端的情况就是同批次其他24个晶圆都出现叠对偏移，这样检测的判断就是错误的，最终导致晶圆的成品率低、可靠性低。

另外，如果一个批次的晶圆出现叠对偏移，需要增加检测来提前预防其他批次的晶圆出现叠对偏移。这就需要工艺工程师有很敏捷的反应能力，如果工艺工程师的反应较慢，则光罩被污染而影响的晶圆的批次数量将大幅增加，此方法不利于光罩与晶圆沾污检测的灵敏度的提高，进而不利于提高晶圆的可靠性与晶圆的成品率。

发明内容

本申请旨在提供一种光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法，以解决现有技术中光罩或晶圆沾污检测灵敏度低的问题。

为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种光罩，包括版图，上述版图包括对准标记，上述对准标记的个数不少于三个。

进一步地，上述版图包括六个对准标记：第一对准标记、第二对准标记、第三对准标记、第四对准标记、第五对准标记、第六对准标记，相邻对准标记的最小间距为20mm～30mm。

进一步地，上述版图具有经过中心点的第一定位线、第二定位线和第三定位线，上述第一定位线与上述第三定位线以上述第二定位线为对称轴对称设置，上述第一对准标记和上述第二对准标记以上述中心点为对称中心对称设置在上述第一定位线上，上述第三对准标记和上述第四对准标记以上述中心点为对称中心对称设置在上述第二定位线上，上述第五对准标记和上述第六对准标记以上述中心点为对称中心对称设置在上述第三定位线上。进一步地，上述对准标记距离上述版图边缘的最小距离在1mm～6mm之间。

根据本发明的另一个方面，提供了一种光罩或晶圆沾污的检测方法，上述检测方法包括：步骤S1，检测一批晶圆中的各个晶圆对应的上述光罩的光罩膨胀系数；以及步骤S2，比较各上述光罩膨胀系数，如果光罩膨胀系数出现异常则判断该光罩膨胀系数对应的光罩或晶圆出现沾污。

进一步地，上述步骤S1包括：步骤S11，将上述晶圆分别放置在晶圆承载台上，并在上述晶圆的远离上述晶圆承载台的表面上设置光刻胶；步骤S12，利用上述光罩作为光刻掩膜版对各个上述晶圆上的上述光刻胶进行曝光，形成光刻胶对准标记；以及步骤S13，读取各个上述晶圆的上述光罩的光罩膨胀系数。

进一步地，上述步骤S21，计算上述一批晶圆的光罩膨胀系数平均值；步骤S22，计算各上述膨胀系数与膨胀系数平均值的差值的绝对值，得到一组第一绝对值；以及步骤S23，比较上述各上述第一绝对值与第一标准值，其中大于上述第一标准值的第一绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。

进一步地，上述第一标准值在8nm～12nm之间。

进一步地，上述检测方法还包括：在上述步骤S1中读取上述晶圆的上述光罩的光罩旋转系数；以及在上述步骤S2中比较各上述光罩旋转系数，如果光罩旋转系数出现异常则判断该光罩旋转系数对应的光罩或晶圆出现沾污。

进一步地，利用上述光罩旋转系数判断上述沾污的过程包括：步骤A，计算上述一批晶圆的光罩旋转系数平均值；步骤B，计算各上述光罩旋转系数与旋转系数平均值的差值的绝对值，得到一组第二绝对值；以及步骤C，比较各上述第二绝对值与第二标准值，大于上述第二标准值的上述第二绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。

进一步地，上述第二标准值在0.8μrad～1.2μrad间。

进一步地，上述检测方法还包括：步骤S3，建立上述第一绝对值与晶圆叠对偏移值的第一对应关系；步骤S4，通过第一对应关系得到上述第一绝对值对应的晶圆叠对偏移值；以及步骤S5，将上述晶圆叠对偏移值与上述晶圆的下一制程的景深进行比较，若上述晶圆的叠对偏移值大于上述景深，将上述晶圆返工，否则进入上述下一制程。

进一步地，上述步骤S3包括：步骤a，设定晶圆叠对偏移值，检测上述晶圆叠对偏移值对应的第一绝对值，得到一组对应的晶圆叠对偏移值和第一绝对值；步骤b，改变上述晶圆叠对偏移值，重复上述步骤a，得到多组对应的晶圆叠对偏移值和第一绝对值；以及步骤c，以上述步骤a和上述步骤b得到的上述晶圆叠对偏移值与对应的上述第一绝对值建立第一对应关系。

进一步地，上述检测方法还包括：步骤S6，建立上述第二绝对值与晶圆叠对偏移值的第二对应关系；步骤S7，通过第二对应关系得到上述第二绝对值对应的晶圆叠对偏移值；以及步骤S8，将上述晶圆叠对偏移值与上述晶圆的下一制程的景深进行比较，若上述晶圆的叠对偏移值大于上述景深，将上述晶圆返工，否则进入上述下一制程。

进一步地，上述步骤S6包括：步骤d，设定晶圆叠对偏移值，检测上述晶圆叠对偏移值对应的第二绝对值，得到一组对应的晶圆叠对偏移值和上述第二绝对值；步骤e，改变上述晶圆叠对偏移值，重复上述步骤d，得到多组对应的晶圆叠对偏移值和上述第二绝对值；以及步骤f，以上述步骤d和上述步骤e得到的上述晶圆叠对偏移值与对应的上述第二绝对值建立第二对应关系。

应用本申请的技术方案，在进行晶圆的光刻时，光刻机会根据上述不少于三个的对准标记处的光罩膨胀系数与光罩旋转系数计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数，这样得出的晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数更加准确，能够及时、灵敏地反应出晶圆或光罩的沾污问题，进而避免了由于沾污造成器件失效需要返工的问题，提高了器件的产率及良率。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1示出现有技术中只有两个对准标记的光罩版图；

图2示出了本申请一种优选的光罩版图；以及

图3示出了图2所示光罩版图的对准标记的设置方式。

具体实施方式

应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。

需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用属于“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。

为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。

正如背景技术所介绍的，现有方法对晶圆或者光罩沾污的检测不灵敏且不精确：第一，在对准光刻时，由于光罩上版图中只有两个标记，机台读取的光罩膨胀系数与光罩旋转系数并不准确，不能准确地判断出光罩或晶圆是否存在污染；第二，在后期的检测过程中，只对一个晶圆进行检测来判断整批晶圆的叠对偏移情况，不能准确地判断整批次中其他晶圆是否存在异常，第三，现有检测中依赖人的反应能力，不够灵敏、准确。现有技术中的检测方法不利于光罩与晶圆沾污检测的灵敏度的提高，进而不利于提高晶圆的可靠性与晶圆的成品率。

在本申请一种优选的实施方式中，提供了一种光罩，该光罩包括版图，该版图包括对准标记，该对准标记的个数不少于三个。

如图1所示的现有技术中光罩的版图只有两个对准标记，在进行晶圆的光刻时，光刻机会计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数来进行对准光刻，根据两个对准标记计算得出的光罩膨胀系数与光罩旋转系数并不准确。而由于上述光罩版图的对准标记不少于三个，在进行晶圆的光刻时，光刻机根据上述不少于三个的对准标记处的光罩膨胀系数与光罩旋转系数计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数，这样得出的晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数更加准确，能够灵敏地反应出晶圆或光罩的沾污问题，进而避免了由于沾污造成器件失效需要返工的问题，提高了器件的产率及良率。

为了使光刻机计算出的晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数更加精确，进而能够灵敏地检测晶圆或光罩是否存在沾污，如图2所示，申请优选上述版图包括六个对准标记：第一对准标记11、第二对准标记12、第三对准标记13、第四对准标记14、第五对准标记15、第六对准标记16，相邻对准标记的最小间距为20mm～30mm。

为了使光罩版图上的对准标记分布均匀，如图3所示，优选上述版图具有经过中心点O的第一定位线1、第二定位线2和第三定位线3，上述第一定位线1与上述第三定位线3以上述第二定位线2为对称轴对称设置，上述第一对准标记11和上述第二对准标记12以上述中心点O为对称中心对称设置在上述第一定位线1上，上述第三对准标记13和上述第四对准标记14以上述中心点O为对称中心对称设置在上述第二定位线2上，上述第五对准标记15和上述第六对准标记16以上述中心点O为对称中心对称设置在上述第三定位线3上。对准标记分布均匀可以使其更全面、灵敏地检测晶圆或光罩是否存在沾污。

为了能够检测到晶圆或光罩边缘的沾污，进而可以全面地检测到晶圆或光罩的沾污，本申请优选上述对准标记距离上述版图边缘的最小距离在1mm～6mm之间。

在本申请又一种优选的实施方式中，提供了一种光罩或晶圆沾污的检测方法，上述检测方法包括：步骤S1，检测一批晶圆中的各个晶圆对应的光罩的光罩膨胀系数，其中，上述光罩为上述的光罩；以及步骤S2，比较各上述光罩膨胀系数，如果光罩膨胀系数出现异常则判断该光罩膨胀系数对应的光罩或晶圆出现沾污。

相比现有技术中的依赖人眼的沾污检测、抽取一个晶圆的沾污检测与利用光刻机读取的数据的沾污检测，本申请的技术方案通过不少于三个对准标记的光罩膨胀系数，可以更加准确地计算出晶圆的光罩膨胀系数，进而能够更加灵敏地判断晶圆或光罩是否被沾污。

为了能够更准确地判断晶圆或者光罩是否被污染，优选上述步骤S1包括：步骤S11，将上述晶圆分别放置在晶圆承载台上，并在上述晶圆的远离上述晶圆承载台的表面上设置光刻胶；步骤S12，利用上述光罩作为光刻掩膜版对各个上述晶圆上的上述光刻胶进行曝光，形成光刻胶对准标记；以及步骤S13，读取各个上述晶圆的上述光罩的光罩膨胀系数。

本申请的又一种优选的实施方式中，优选上述步骤S2包括：步骤S21，计算上述一批晶圆的光罩膨胀系数平均值；步骤S22，计算各上述膨胀系数与膨胀系数平均值的差值的绝对值，得到一组第一绝对值；以及步骤S23，比较上述各上述第一绝对值与第一标准值，其中大于上述第一标准值的第一绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。通过计算各晶圆的膨胀系数与所有晶圆的膨胀系数平均值的差值的绝对值，得出各个晶圆的第一绝对值，再将各个晶圆的第一绝对值与第一标准值进行比较，根据比较的结果判断晶圆或光罩是否被沾污。通过严谨的数学计算与比较进行判断，使得判断结果更加精确。

光罩或晶圆的沾污对工艺的影响大小取决于工艺的精确度要求、器件的性能要求等，因此上述第一标准值的大小可以依据实际工艺和器件需求进行设定，本申请为了满足大多数工艺和器件的需求，优选上述第一标准值在8nm～12nm之间。

在本申请又一种优选的实施方式中，上述检测方法步骤S1还包括读取上述晶圆的上述光罩的光罩旋转系数，上述步骤S2还包括比较各上述光罩旋转系数，如果光罩旋转系数出现异常则判断该光罩旋转系数对应的光罩或晶圆出现沾污。通过读取各晶圆的光罩旋转系数，不仅可以判断晶圆或光罩表面是否有沾污，还可以判断晶圆或光罩的侧壁上是否存在沾污，这样可以全面地检测晶圆或光罩的沾污。

为了更加精确地检测晶圆或者光罩的沾污,优选利用上述光罩旋转系数判断上述沾污的过程包括：步骤A，计算上述一批晶圆的光罩旋转系数平均值；步骤B，计算各上述光罩旋转系数与旋转系数平均值的差值的绝对值，得到一组第二绝对值；以及步骤C，比较各上述第二绝对值与第二标准值，大于上述第二标准值的上述第二绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。

同第一标准值的范围设置的原理相同，本申请为了满足大多数工艺和器件的需求，优选上述第二标准值在0.8μrad～1.2μrad之间。

在本申请又一种优选的实施方式中，上述检测方法还包括步骤S3，建立上述第一绝对值与晶圆叠对偏移值的第一对应关系；步骤S4，通过第一对应关系得到上述第一绝对值对应的晶圆叠对偏移值；以及步骤S5，将上述晶圆叠对偏移值与上述晶圆的下一制程的景深进行比较，若上述晶圆的叠对偏移值大于上述景深，将上述晶圆返工，否则进入上述下一制程。

上述实施方式利用第一绝对值与晶圆叠对偏移值的第一对应关系，可以在得到第一绝对值后能够快速得到晶圆叠对偏移值，进而能够快速进行下一步骤的判断；且建立上述第一对应关系所需要的第一绝对值与晶圆叠对偏移值可以取自现有大量经验数据，因此第一对应关系建立比较方便。

在本申请又一种优选的实施方式中，上述步骤S3包括:设定晶圆叠对偏移值，检测上述晶圆叠对偏移值对应的第一绝对值，得到一组对应的晶圆叠对偏移值和第一绝对值；步骤b，改变上述晶圆叠对偏移值，重复上述步骤a，得到多组对应的晶圆叠对偏移值和第一绝对值；以及步骤c，以上述步骤a和上述步骤b得到的上述晶圆叠对偏移值与对应的上述第一绝对值建立第一对应关系。利用上述步骤得到的第一对应关系较为准确，进而以此为基础取得的判断结果也比较准确。

在本申请又一种优选的实施方式中，上述检测方法还包括步骤S6，建立上述第二绝对值与晶圆叠对偏移值的第二对应关系；步骤S7，通过第二对应关系得到上述第二绝对值对应的晶圆叠对偏移值；以及步骤S8，将上述晶圆叠对偏移值与上述晶圆的下一制程的景深进行比较，若上述晶圆的叠对偏移值大于上述景深，将上述晶圆返工，否则进入上述下一制程。

上述实施方式利用第二绝对值与晶圆叠对偏移值的第二对应关系，可以在得到第二绝对值后能够快速得到晶圆叠对偏移值，进而能够快速进行下一步骤的判断；且建立上述第二对应关系所需要的第二绝对值与晶圆叠对偏移值可以取自现有大量经验数据，因此第二对应关系建立比较方便。

在本申请又一种优选的实施方式中，上述步骤S6包括：步骤d，设定晶圆叠对偏移值，检测上述晶圆叠对偏移值对应的第二绝对值，得到一组对应的晶圆叠对偏移值和上述第二绝对值；步骤e，改变上述晶圆叠对偏移值，重复上述步骤d，得到多组对应的晶圆叠对偏移值和上述第二绝对值；以及步骤f，以上述步骤d和上述步骤e得到的上述晶圆叠对偏移值与对应的上述第二绝对值建立第二对应关系。同上述第一对应关系的建立方法相同，利用上述步骤得到的第二对应关系较为准确，进而以此为基础取得的判断结果也比较准确。

为了使本领域技术人员更加清晰的了解本申请的实施方案，现在，将参照附图更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员，在附图中，为了清楚起见，扩大了层和区域的厚度，并且使用相同的附图标记表示相同的器件，因而将省略对它们的描述。

以具有图2所示的版图为例，利用具有该版图的光罩对一批包含25片半径为100mm的晶圆及光罩的沾污进行检测，将整批晶圆分为四组，前三组均包含8个晶圆，最后一组有一个晶圆。

首先将该晶圆将放置在晶圆承载台上，并在晶圆远离晶圆承载台的表面上设置光刻胶；利用上述光罩作为光刻掩膜版，对上述晶圆进行扫描曝光；读取晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数，对应表如表1所示。

表1

表1中，第一组晶圆的光罩旋转系数均为11.49μrad，光罩膨胀系数均为-15nm；第二组晶圆的光罩旋转系数均为11.45μrad，光罩膨胀系数均为-32nm；第三组晶圆的光罩旋转系数均为11.46μrad，光罩膨胀系数均为-35nm；第四组晶圆的光罩旋转系数为11.51μrad，光罩膨胀系数为-32nm。由此可以计算出第一、第二、第三与第四组晶圆的光罩旋转系数平均值为11.4684μrad，第一、二、三和四组的第二绝对值分别是0.0216μrad、0.0184μrad、0.0084μrad、0.0416μrad，均小于1.0μrad，由此可判断出，此批晶圆或光罩侧壁不存在沾污。同时由所有晶圆的光罩膨胀系数可以计算出第一、第二、第三与第四组晶圆的光罩膨胀系数平均值为27.52nm，第一、二、三和四组的第一绝对值分别是12.52nm、4.48nm、7.48nm、4.48nm，其中只有第一组的第一绝对值12.52nm大于第一标准值10nm，由此判断出第一组晶圆或其光罩存在侧边沾污；其他组晶圆或其光罩不存在沾污。根据大量数据得到第一对应关系为晶圆的叠对偏移值等于光罩膨胀系数，由此计算得出第一组晶圆的叠对偏移值为20nm。

如本领域技术人员所公知的，沾污的存在会影响器件制作的不同刻蚀过程，比如影响栅极(P)制作中的光刻、过孔(CT)的光刻、金属布线层(METAL)的光刻、以及N阱(NW)的光刻，而每一步骤的光刻对应的聚景深度(DOF)不同，将此叠对偏移值与晶圆的下一制程的景深进行比较，若叠对偏移值大于下一制程的景深，将此组晶圆返工，否则进入下一制程。

从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施例实现了如下技术效果：

1)本申请中光罩版图的对准标记不少于三个，在进行晶圆的光刻时，光刻机根据上述不少于三个的对准标记处的光罩膨胀系数与光罩旋转系数计算出晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数，这样得出的晶圆的光罩膨胀系数与光罩旋转系数更加准确，能够及时、灵敏地反应出光罩或晶圆的沾污问题，进而避免了由于沾污造成器件失效需要返工的问题，提高了器件的产率及良率。

2)相比现有技术中的依赖人眼的沾污检测、抽取一个晶圆的沾污检测与利用光刻机读取的数据的沾污检测，本申请的技术方案通过不少于三个对准标记的光罩膨胀系数，可以更加准确地计算出晶圆的光罩膨胀系数，进而能够更加灵敏地判断光罩或晶圆是否被沾污。

以上上述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。

Claims (13)

1.一种光罩或晶圆沾污的检测方法，其特征在于，所述检测方法包括：

步骤S1，检测一批晶圆中的各个晶圆对应的光罩的光罩膨胀系数，所述光罩包括版图，所述版图包括对准标记，所述对准标记的个数不少于三个；以及

步骤S2，比较各所述光罩膨胀系数，如果光罩膨胀系数出现异常则判断该光罩膨胀系数对应的光罩或晶圆出现沾污；

所述步骤S2包括：

步骤S21，计算所述一批晶圆的光罩膨胀系数平均值；

步骤S22，计算各所述膨胀系数与膨胀系数平均值的差值的绝对值，得到一组第一绝对值；以及

步骤S23，比较上述各所述第一绝对值与第一标准值，其中大于所述第一标准值的第一绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述版图包括六个对准标记：

第一对准标记(11)、第二对准标记(12)、第三对准标记(13)、第四对准标记(14)、第五对准标记(15)、第六对准标记(16)，相邻所述对准标记的最小间距为20mm～30mm。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述版图具有经过中心点(O)的第一定位线(1)、第二定位线(2)和第三定位线(3)，所述第一定位线(1)与所述第三定位线(3)以所述第二定位线(2)为对称轴对称设置，所述第一对准标记(11)和所述第二对准标记(12)以所述中心点(O)为对称中心对称设置在所述第一定位线(1)上，所述第三对准标记(13)和所述第四对准标记(14)以所述中心点(O)为对称中心对称设置在所述第二定位线(2)上，所述第五对准标记(15)和所述第六对准标记(16)以所述中心点(O)为对称中心对称设置在所述第三定位线(3)上。

4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，各所述对准标记距离所述版图边缘的最小距离在1mm～6mm之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S1包括：

步骤S11，将所述晶圆分别放置在晶圆承载台上，并在所述晶圆的远离所述晶圆承载台的表面上设置光刻胶；

步骤S12，利用所述光罩作为光刻掩膜版对各个所述晶圆上的所述光刻胶进行曝光，形成光刻胶对准标记；以及

步骤S13，读取各个所述晶圆的所述光罩的光罩膨胀系数。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述第一标准值为8nm～12nm。

7.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：

在所述步骤S1中读取所述晶圆的所述光罩的光罩旋转系数；以及

在所述步骤S2中比较各所述光罩旋转系数，如果光罩旋转系数出现异常则判断该光罩旋转系数对应的光罩或晶圆出现沾污。

8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，利用所述光罩旋转系数判断所述沾污的过程包括：

步骤A，计算所述一批晶圆的光罩旋转系数平均值；

步骤B，计算各所述光罩旋转系数与旋转系数平均值的差值的绝对值，得到一组第二绝对值；以及

步骤C，比较各所述第二绝对值与第二标准值，大于所述第二标准值的所述第二绝对值对应的光罩或晶圆出现沾污。

9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述第二标准值为0.8μrad～1.2μrad。

10.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：

步骤S3，建立所述第一绝对值与晶圆叠对偏移值的第一对应关系；

步骤S4，通过第一对应关系得到所述第一绝对值对应的晶圆叠对偏移值；以及

步骤S5，将所述晶圆叠对偏移值与所述晶圆的下一制程的景深进行比较，若所述晶圆的叠对偏移值大于所述景深，将所述晶圆返工，否则进入所述下一制程。

11.根据权利要求10所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S3包括：

步骤a，设定晶圆叠对偏移值，检测所述晶圆叠对偏移值对应的第一绝对值，得到一组对应的晶圆叠对偏移值和第一绝对值；

步骤b，改变所述晶圆叠对偏移值，重复所述步骤a，得到多组对应的晶圆叠对偏移值和第一绝对值；以及

步骤c，以所述步骤a和所述步骤b得到的所述晶圆叠对偏移值与对应的所述第一绝对值建立第一对应关系。

12.根据权利要求10所述的检测方法，其特征在于，所述检测方法还包括：

步骤S6，建立所述第二绝对值与晶圆叠对偏移值的第二对应关系；

步骤S7，通过第二对应关系得到所述第二绝对值对应的晶圆叠对偏移值；以及

步骤S8，将所述晶圆叠对偏移值与所述晶圆的下一制程的景深进行比较，若所述晶圆的叠对偏移值大于所述景深，将所述晶圆返工，否则进入所述下一制程。

13.根据权利要求12所述的检测方法，其特征在于，所述步骤S6包括：

步骤d，设定晶圆叠对偏移值，检测所述晶圆叠对偏移值对应的第二绝对值，得到一组对应的晶圆叠对偏移值和所述第二绝对值；

步骤e，改变所述晶圆叠对偏移值，重复所述步骤d，得到多组对应的晶圆叠对偏移值和所述第二绝对值；以及

步骤f，以所述步骤d和所述步骤e得到的所述晶圆叠对偏移值与对应的所述第二绝对值建立第二对应关系。

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