KR100644068B1 - 포토리소그라피용 마스크 - Google Patents

Abstract

기준 샷(shot)의 로우 레프트 코너(low left corner)를 용이하게 파악할 수 있는 포토리소그라피용 마스크에 관한 것으로, 본 발명의 실시예에 따른 포토리소그라피용 마스크는, 복수의 다이들을 구비하는 샷; 상기 샷들을 구획하는 스크라이브 라인; 및 상기 샷들 중에서 기준 샷의 로우 레프트 코너에 구비된 스크라이브 라인에 제공되는 위치 확인용 더미 패턴;을 포함하며, 상기 위치 확인용 더미 패턴은 상기 로우 레프트 코너로부터 각 다이까지의 거리를 표시한다.

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Description

포토리소그라피용 마스크{MASK FOR PHOTO LITHOGRAPHY}

도 1은 종래 기술에 따른 포토리소그라피용 마스크의 개략적인 구성을 나타내는 도면이고,

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 포토리소그라피용 마스크의 개략적인 구성을 나타내는 도면이다.

본 발명은 포토리소그라피용 마스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는 기준 샷(shot)의 로우 레프트 코너(low left corner)를 용이하게 파악할 수 있는 포토리소그라피용 마스크에 관한 것이다.

반도체 제조 공정 중 포토리소그라피 공정은 감광막을 이용하여 웨이퍼상에 실제로 필요한 회로 패턴을 형성하는 공정으로서, 상기한 포토리소그라피 공정은 설계하고자 하는 회로 패턴을 웨이퍼상에 도포된 감광막에 전사하는 노광 공정과, 노광 공정에 의해 감광된 웨이퍼상의 감광막의 일부 패턴을 제거하는 현상 공정을 포함한다.

이 중에서 상기 노광 공정에서는 디바이스(device) 설계자가 설계한 레이아 웃(layout)을 웨이퍼상에 전사하기 위해 마스크를 사용하는데, 상기 마스크에는 복수의 샷(shot)이 구비되고, 상기 각각의 샷에는 복수의 다이가 구비된다.

상기한 구성의 마스크를 이용하여 포토리소그라피 공정을 진행한 후에는 해당 공정의 이상 유무를 확인할 수 있는 오버레이(overlay) 및 CD(critical dimension) 측정과 마스크 검사를 실시한다. 이때, 측정 및 검사 장비를 위해 레서피(recipe)를 작성할 필요가 있는데, 이 경우 최소 4배율에서 정렬 위치 및 기준점을 찾아야 한다.

보통의 경우, 오버레이 마크(overlay mark)나 CD 바아(critical dimension bar), 마스크 ID(mask ID) 등은 기준 샷의 로우 레프트 코너를 기준으로 형성되기 때문에 로우 레프트 코너를 정렬 포인트로 설정한다. 그리고, 이 포인트를 정렬 포인트로 설정하지 않더라도 측정 포인트를 찾기 위해서는 로우 레프트 코너의 위치를 쉽게 파악할 수 있어야 한다.

도 1에는 종래 기술에 따른 마스크의 일례를 개략적으로 도시하고 있다.

상기 도 1에서, 미설명 도면부호 102는 기준 샷의 로우 레프트 코너를 나타내고, 도면부호 104는 다이를 나타내며, 도면부호 106은 샷의 경계를 형성하는 스크라이브 라인을 나타낸다.

그러나, 종래에는 상기 도 1에 도시한 바와 같이 기준 샷의 로우 레프트 코너(102)에 이를 확인하기 위한 별도의 표시가 구비되어 있지 않으므로, 다이(104) 수가 많거나 복잡한 소자의 경우, 기준점이 되는 샷의 로우 레프트 코너(102)를 파악하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 그 목적은 기준 샷(shot)의 로우 레프트 코너(low left corner)를 용이하게 식별할 수 있는 포토리소그라피용 마스크를 제공함에 있다.

상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,

복수의 다이들을 구비하는 샷;

상기 샷들을 구획하는 스크라이브 라인; 및

상기 샷들 중에서 기준 샷의 로우 레프트 코너에 구비된 스크라이브 라인에 제공되는 위치 확인용 더미 패턴;

을 포함하는 포토리소그라피용 마스크를 제공한다.

여기에서, 상기 위치 확인용 더미 패턴은 한 개의 샷에 포함되어 있는 다이 수에 따라 필요한 최소한의 위치 확인용 더미 패턴을 삽입하는 것이 바람직하며, 이 경우, 상기 로우 레프트 코너로부터 각 다이까지의 거리를 표시하도록 구성할 수 있다.

이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 2는 본 발명의 실시예에 따른 포토리소그라피용 마스크의 개략적인 구성도를 도시한 것이다.

본 발명의 실시예에 따른 포토리소그라피용 마스크는 도시하지 않은 투명 기 판을 포함한다. 상기 투명 기판에는 복수의 다이(14)들로 이루어진 샷들이 스크라이브 라인(16)을 경계로 하여 복수개 제공된다.

이러한 구성의 마스크에는 도시하지 않은 오버레이 마크와 CD 바아(critical dimension bar), 마스크 ID(mask ID) 등이 기준 샷의 로우 레프트 코너(12)를 기준으로 형성되어 있으며, 상기 로우 레프트 코너(12)의 스크라이브 라인(16)에는 위치 확인용 더미 패턴(18)이 형성되어 있다.

상기 위치 확인용 더미 패턴(18)은 한 개의 샷에 포함되어 있는 다이(14) 수에 따라 필요한 최소한의 갯수로 삽입하는 것이 바람직한데, 그 이유는 상기한 더미 패턴으로 인해 화학기계적 연마 공정에 악영향을 미치는 것을 방지하기 위한 것이다.

본 실시예에서는 도 2에 도시한 바와 같이, 한 개의 샷 내에 포함되어 있는 다이 수에 따라 상기 로우 레프트 코너(12)로부터 각 다이(14)까지의 거리를 표시하도록 더미 패턴을 구성하고 있다.

이러한 구성에 의하면, 기준 샷의 로우 레프트 코너를 용이하게 파악할 수 있으므로, 해당 공정의 이상 유무를 확인할 수 있는 오버레이(overlay) 및 CD(critical dimension) 측정과 마스크 검사를 실시하기 위한 레서피(recipe)를 용이하게 작성할 수 있다.

또한, 마이크로스코우프(microscope)를 통한 육안 검사시에도 샷 대 샷 변화(variation)을 쉽게 파악할 수 있다.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 설명하였지만, 본 발명은 첨 부된 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명은 포토리소그라피용 마스크에 기준 샷의 로우 레프트 코너 확인을 위한 더미 패턴이 형성되어 있으므로, 상기 로우 레프트 코너를 용이하게 파악할 수 있다. 따라서, 오버레이(overlay) 및 CD(critical dimension) 측정과 마스크 검사를 실시하기 위한 레서피(recipe)를 용이하게 작성할 수 있다.

또한, 마이크로스코우프(microscope)를 통한 육안 검사시에도 샷 대 샷 변화(variation)을 쉽게 파악할 수 있다.

Claims (2)

1. 복수의 다이들을 구비하는 샷;

   상기 샷들을 구획하는 스크라이브 라인; 및

   상기 샷들 중에서 기준 샷의 로우 레프트 코너에 구비된 스크라이브 라인에 제공되며, 상기 로우 레프트 코너로부터 각 다이까지의 거리를 표시하는 위치 확인용 더미 패턴;

   을 포함하는 포토리소그라피용 마스크.
2. 삭제

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