KR20060066798A - 오버레이 정렬 마크를 구비한 마스크 및 반도체 웨이퍼 - Google Patents

오버레이 정렬 마크를 구비한 마스크 및 반도체 웨이퍼 Download PDF

Info

Publication number
KR20060066798A
KR20060066798A KR1020040105267A KR20040105267A KR20060066798A KR 20060066798 A KR20060066798 A KR 20060066798A KR 1020040105267 A KR1020040105267 A KR 1020040105267A KR 20040105267 A KR20040105267 A KR 20040105267A KR 20060066798 A KR20060066798 A KR 20060066798A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
overlay
mark
wafer
pattern
alignment
Prior art date
Application number
KR1020040105267A
Other languages
English (en)
Inventor
한광운
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020040105267A priority Critical patent/KR20060066798A/ko
Publication of KR20060066798A publication Critical patent/KR20060066798A/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70681—Metrology strategies
    • G03F7/70683—Mark designs
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7073—Alignment marks and their environment
    • G03F9/7076—Mark details, e.g. phase grating mark, temporary mark
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/544—Marks applied to semiconductor devices or parts, e.g. registration marks, alignment structures, wafer maps

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Abstract

마스크 및 반도체 웨이퍼는 오버레이의 정도를 확인하기 위한 오버레이 마크 및 상기 오버레이의 측정시 웨이퍼의 정렬에 사용되는 오버레이 정렬 마크를 갖는다. 상기 오버레이 마크 및 오버레이 정렬 마크는 상기 마스크에서 선택적으로 광을 투과시켜 반도체 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 패턴 영역의 주변을 따라 형성되며 상기 광을 차단하는 주변 영역에 형성되며, 상기 반도체 웨이퍼에서 스크라이브 레인 영역에 형성된다. 상기 오버레이 마크 및 오버레이 정렬 마크는 서로 다른 형태를 갖는다.

Description

오버레이 정렬 마크를 구비한 마스크 및 반도체 웨이퍼{Mask and semiconductor wafer having overlay align mark}
도 1은 종래 기술에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼를 설명하기 위한 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 회로 패턴 영역 120 : 주변 영역
130 : 오버레이 마크 140 : 오버레이 정렬 마크
210 : 회로 패턴 영역 220 : 스크라이브 레인 영역
230 : 오버레이 마크 240 : 오버레이 정렬 마크
본 발명은 마스크 광을 선택적으로 투과시켜 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 마스크에 관한 것으로, 보다 상세하게는 상기 패턴이 형성된 웨이퍼의 오버레 이 측정시 상기 웨이퍼의 정렬을 용이하게 하기 위한 마스크에 관한 것이다.
현재의 반도체 장치에 대한 연구는 보다 많은 데이터를 단시간 내에 처리하기 위하여 고집적 및 고성능을 추구하는 방향으로 진행되고 있다. 반도체 장치의 고집적화 및 고성능화를 이루기 위해서는 반도체 웨이퍼 상에 박막 패턴을 정확하게 형성하는 박막 증착 기술이 무엇보다 중요하다.
일반적으로 반도체 장치는 반도체 웨이퍼 위에 다층의 막을 형성하고, 마스크 상의 패턴을 반도체 웨이퍼 위에 옮기는 공정을 수차례에서 수십 차례 반복하여 형성된다. 통상적으로 마스크 상의 패턴을 반도체 웨이퍼 위에 옮기는 공정을 포토리소그래피 공정이라 한다.
포토리소그래피 공정은 반도체 웨이퍼의 전면에 포토레지스트를 도포하는 단계, 상기 반도체 웨이퍼의 전면에 도포된 포토레지스트의 균일도 유지를 위해 열을 가하는 베이크 단계, 마스크에 형성된 패턴을 반도체 웨이퍼 표면의 패턴과 일치시킨 후 자외선 빛을 부분적으로 투과시켜 해당부위의 포토레지스트를 노광하는 단계, 노광이 끝난 반도체 웨이퍼에 현상 용액을 분사시켜 노광 시 빛을 받은 부분이나 빛을 받지 않은 부분을 화학작용에 의해 제거하는 단계, 현상된 상태와 정열(Align)된 상태를 오버레이하고 결함(Defect)을 검사하는 단계로 진행된다.
특히, 검사하는 단계에서는 선폭 전자 주사빔 현미경(Critical Dimension Scanning Electronic beam Microscope : CD SEM)을 이용해서 반도체 웨이퍼 상에 전사된 패턴의 폭이 원하는 크기로 형성되었는지를 확인하는 것과 함께, 오버레이(overlay) 측정 장치를 이용하여 이전 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 패턴과 현재 수행된 포토리소그래피 공정에 의해 형성된 패턴과의 위치 정렬이 제대로 이루어졌는지를 확인한다.
반도체 웨이퍼의 종류가 다양해지고 적층되는 막이 증가함에 따라 반도체 웨이퍼의 각 셀들에 형성되는 패턴 층들은 갈수록 복잡해지고, 상기 패턴 층들의 중첩도(alignment)를 측정하는 것도 복잡해졌다.
일반적으로 반도체 웨이퍼의 스크라이브 레인(scribe lane) 상에는 오버레이 마크가 형성되는데, 상기 오버레이 마크를 이용하면 상기 패턴들의 중첩된 정도를 용이하게 측정할 수 있다.
도 1은 종래 기술에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면이다.
도 1을 참조하면, 마스크는 선택적으로 광을 투과시켜 반도체 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 패턴 영역(10), 상기 셀 영역의 주변을 따라 형성되며 상기 광을 차단하는 주변 영역(20) 및 상기 주변 영역에 형성되며, 상기 패턴과 상기 반도체 웨이퍼 상에 기 형성된 패턴을 오버레이 정도를 확인하기 위한 오버레이 마크(30)를 포함한다.
상기와 같은 마스크를 이용하여 웨이퍼 상에 소정의 패턴을 형성하게 된다. 상기 패턴 형성 공정이 반복되면 상기 웨이퍼 상에 다수의 패턴이 중첩된다. 상기 웨이퍼 상에 형성된 다수의 패턴들이 정렬된 상태를 확인하기 위해 상기 웨이퍼에 형성된 오버레이 마크를 이용하여 오버레이 계측 장치에서 오버레이 계측 공정을 진행하게 된다.
상기 오버레이 계측을 위해서는 우선 웨이퍼의 정렬이 정확하게 이루어져야 한다. 이때 상기 웨이퍼 내의 특별한 이미지를 이용하여 웨이퍼를 정렬하게 된다.
한편 최근 반도체 디바이스의 증가로 인해 오버레이 계측 장치의 레시피 설정에 많은 시간이 소요된다. 이를 해결하기 위해 웨이퍼 없이 레시피를 설정할 수 있는 웨이퍼리스(waferless) 레시피 설정 기능을 개발되었다.
그러나 웨이퍼 없이 레시피 설정을 진행하는 경우, 웨이퍼 정렬시 사용하는 이미지에 대한 정보가 확실하지 않아 웨이퍼의 정렬 오류가 빈번하게 발생하는 문제점이 있다. 즉, 각 레이어에 따라 웨이퍼 상으로 전사되는 이미지가 달라지므로 각 레이어에 걸쳐 동일한 이미지를 이용하여 웨이퍼를 정렬할 수 없는 문제점이 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은 오버레이 계측시 웨이퍼의 정렬을 용이하게 할 수 있는 마크를 구비한 마스크를 제공하는데 있다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 다른 목적은 오버레이 계측시 웨이퍼의 정렬을 용이하게 할 수 있는 마크를 구비한 반도체 장치를 제공하는데 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 마스크는 선택적으로 광을 투과시켜 반도체 웨이퍼 상에 패턴을 형성하기 위한 패턴 영역과 상기 패턴 영역의 주변을 따라 형성되며 상기 광을 차단하는 주변 영역을 포함한다. 오버레이 마크는 상기 주변 영역에 형성되며 상기 패턴과 상기 반 도체 웨이퍼 상에 기 형성된 패턴을 오버레이 정도를 확인하는데 사용되고, 오버레이 정렬용 마스크는 상기 주변 영역에 상기 광을 투과시키도록 형성되며 오버레이 측정 장치에서 반도체 웨이퍼의 정렬을 위해 사용된다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 상기 마스크를 이용하여 반도체 웨이퍼 상에 오버레이 정렬용 마크를 형성할 수 있다. 상기 오버레이 정렬용 마크를 이용하여 웨이퍼리스 레시피 설정에 따른 웨이퍼 정렬 오류를 방지할 수 있다.
상기 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 일 실시예에 의하면, 반도체 웨이퍼는 매트릭스 형태로 정렬되는 다수의 회로 패턴 영역과 상기 다수의 회로 패턴 영역을 서로 분리하는 스크라이브 레인 영역을 포함한다. 오버레이 마크는 상기 스크라이브 레인 영역에 형성되며 상기 회로 패턴 영역에 형성된 층들의 오버레이 정도를 확인하기 위한 것이며, 오버레이 정렬용 마크는 상기 스크라이브 레인에 형성되며 오버레이 측정 장치에서 상기 웨이퍼의 정렬을 위한 것이다.
이와 같이 구성된 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼를 이용하여 웨이퍼리스 레시피 설정에 따른 웨이퍼 정렬 오류를 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예에 마스크 및 반도체 웨이퍼에 대해 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 마스크를 설명하기 위한 도면이다.
도 2를 참조하면, 마스크(100)는 회로 패턴 영역(110), 주변 영역(120), 오버레이 마크(130) 및 오버레이 정렬 마크(140)를 포함한다.
일반적으로 마스크(100)는 노광 장치의 광원으로부터 제공되는 빛을 투과시키는 플레이트와 상기 플레이트의 상면에 형성되어 상기 광을 선택적으로 투과시키기 위한 패턴으로 구성된다. 상기 플레이트의 재질로는 유지 재질이나 석영 재질이 사용되며, 상기 패턴의 재질로는 크롬 금속이 사용된다.
상기 회로 패턴 영역(110)은 상기 마스크(100)의 중앙 부위에 격자 형태로 4 개가 배치된다. 상기 각각의 회로 패턴 영역(110)에는 상기 광을 선택적으로 투과시키기 위한 회로 패턴이 형성된다. 상기 회로 패턴 영역(110)은 웨이퍼 상으로 전사되어 포토레지스트 상에 소정의 회로 패턴을 형성한다.
상기 주변 영역(120)은 상기 마스크(100)의 가장 자리 부위 및 상기 각각의 회로 패턴 영역(110) 사이에 형성된다. 상기 주변 영역(120)은 상기 회로 패턴 영역(110)을 감싸도록 배치되며, 상기 주변 영역(120)에 의해 상기 회로 패턴 영역(110)이 네 개로 구분된다. 상기 주변 영역(120)은 웨이퍼 상으로 전사되어 포토레지스트 상에 스크라이브 레인을 형성한다.
상기 오버레이 마크(130)는 상기 주변 영역(120)에 형성된다. 상기 오버레이 마크(130)는 상기 마스크(100)를 이용하여 상기 웨이퍼 상에 포토레지스트 패턴을 형성할 때 상기 포토레지스트 패턴의 하부에 형성된 패턴과의 얼라인 정도를 확인하기 위한 것이다.
구체적으로 설명하면, 상기 웨이퍼 상에는 다수의 패턴이 적층된다. 이때 하부 패턴 상에 형성되는 상부 패턴의 하부 패턴 상의 소정 위치에 정렬되어 형성되어야 한다. 예를 들면 상기 상부 패턴은 상기 하부 패턴과 완전히 겹치도록 형성되 거나 혹은 겹치지 않도록 형성될 수 있다. 또는 상기 상부 패턴은 상기 하부 패턴과 일부가 겹치도록 형성될 수도 있다. 그러나 상기 하부 패턴과 상부 패턴의 정렬이 어긋나는 경우 완성된 반도체 장치의 품질에 이상이 발생하게 된다.
상기 오버레이 마크(130)는 상기 웨이퍼 상에 패턴을 형성할 때마다 형성되며, 상기 하부 패턴과 상부 패턴의 얼라인 정도를 확인하는데 사용된다.
상기 오버레이 마크(130)의 형태로는 프레임 형태, 바 형태, 사각 띠 형태 등이 사용될 수 있다. 상기 오버레이 마크(130)의 형태는 상기 프레임 형태, 바 형태 및 사각 띠 형태가 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 오버레이 정렬 마크(140)는 상기 주변 영역(120)에 형성된다. 상기 오버레이 정렬 마크(140)는 상기 오버레이 마크(130)와 중첩되지 않도록 구비되는 것이 바람직하다. 상기 오버레이 정렬 마크(140)는 상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 얼라인 상태를 확인하기 위한 오버레이 계측 장치에서 상기 웨이퍼를 얼라인 하기 위한 것이다.
구체적으로 설명하면, 상기 웨이퍼 상에 형성된 오버레이 마크(130)를 이용하여 상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 얼라인 정도를 확인하기 위해서는 오버레이 계측 장비에서의 계측이 필요하다. 상기 오버레이 계측 장비에서의 오버레이 계측시 우선 웨이퍼의 정렬이 중요하다. 상기 웨이퍼 내의 특별한 이미지를 이용하여 웨이퍼를 정렬하게 되는데 이 때 상기 오버레이 정렬 마크(140)가 사용된다.
한편 웨이퍼 없이 레시피를 설정할 수 있는 웨이퍼리스(waferless) 레시피 설정시에도 웨이퍼 정렬시 사용하는 이미지에 나타나는 상기 오버레이 정렬 마크 (140)를 이용하여 상기 웨이퍼를 용이하게 정렬할 수 있다.
구체적으로는 상기 오버레이 정렬 마크(140)는 각각의 층에 따라 다른 회로 패턴 영역(110)을 갖는 마스크(100)에 동일한 형태로 형성된다. 따라서 상기 각각의 층에 따라 상기 웨이퍼 상으로 전사되는 회로 패턴 영역(110)의 이미지가 달라지더라도 상기 주변 영역(120)의 오버레이 정렬 마크(140)의 이미지는 동일하게 나타난다. 따라서 상기 웨이퍼의 이미지에 포함된 상기 오버레이 정렬 마크(140)의 이미지를 이용하여 웨이퍼리스 레시피 설정하는 경우에도 웨이퍼를 상기 오버레이 계측 장치에 정확하게 정렬할 수 있다.
상기 오버레이 정렬 마크(140)는 상기 오버레이 마크(130)와 서로 다른 형태로 형성된다. 즉 상기 오버레이 정령 마크(140)는 상기 오버레이 마크(130)와 구별되어야 한다. 상기 오버레이 마크(130)의 형태로는 'L'자 형태를 갖는 것이 바람직하다.
상기 오버레이 정렬 마크(140)의 형태는 상기와 같이 'L'자 형태를 갖는 것이 바람직하지만, 상기 오버레이 마크(130)의 형태와 다르기만 해도 무방하다. 일예로 상기 오버레이 마크(130)가 사각 띠 형태인 경우 상기 오버레이 정렬 마크(140)는 바 형태로 형성될 수 있다. 즉 상기 오버레이 정렬 마크(140)는 상기 오버레이 마크(130)와 구별이 되는 형태이면 어떤 형태라도 상관없다.
한편, 상기 마스크(100)는 상기 플레이트의 상면에 형성된 패턴을 보호하기 위한 프레임 및 펠리클을 더 포함할 수 있다. 상기 프레임은 상기 플레이트의 가장자리를 따라 상기 패턴을 둘러싸도록 구비되며, 상기 펠리클은 상기 패턴이 오염물 질에 의해 오염되지 않도록 상기 패턴을 커버하고, 상기 프레임 상에 접착된다.
도 3은 본 발명의 바람직한 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참조하면, 반도체 웨이퍼(200)는 다수의 회로 패턴 영역(210), 스크라이브 레인 영역(220), 오버레이 마크(230) 및 오버레이 정렬 마크(240)를 포함한다.
상기 회로 패턴 영역(210)은 매트릭스 형태로 정렬된다. 각각의 상기 회로 패턴 영역(210)에는 상기 회로 패턴이 중첩되어 형성되며, 상기 중첩된 회로 패턴들이 하나의 반도체 칩을 형성한다.
상기 스크라이브 레인 영역(220)은 메트릭스 형태로 정렬된 상기 회로 패턴 영역(210) 사이에 위치하며, 상기 회로 패턴 영역(210)을 서로 분리한다.
상기 오버레이 마크(230)는 상기 스크라이브 레인 영역(220)에 형성된다. 상기 오버레이 마크(230)는 상기 회로 패턴 영역(210)에 형성된 다수의 패턴들 사이의 얼라인 정도를 확인하기 위한 것이다.
구체적으로 설명하면, 상기 회로 패턴 영역(210)에는 다수의 패턴이 적층된다. 이때 하부 패턴 상에 형성되는 상부 패턴의 하부 패턴 상의 소정 위치에 정렬되어 형성되어야 한다. 예를 들면 상기 상부 패턴은 상기 하부 패턴과 완전히 겹치도록 형성되거나 혹은 겹치지 않도록 형성될 수 있다. 또는 상기 상부 패턴은 상기 하부 패턴과 일부가 겹치도록 형성될 수도 있다. 그러나 상기 하부 패턴과 상부 패턴의 정렬이 어긋나는 경우 완성된 반도체 장치의 품질에 이상이 발생하게 된다.
상기 오버레이 마크(230)는 상기 회로 패턴 영역(210)에 패턴을 형성할 때마다 형성되며, 상기 하부 패턴과 상부 패턴의 얼라인 정도를 확인하는데 사용된다.
상기 오버레이 마크(230)의 형태로는 프레임 형태, 바 형태, 사각 띠 형태 등이 사용될 수 있다. 상기 오버레이 마크(230)의 형태는 상기 프레임 형태, 바 형태 및 사각 띠 형태가 혼합되어 사용될 수 있다.
상기 오버레이 정렬 마크(240)는 상기 스크라이브 레인 영역(220)에 형성된다. 상기 오버레이 정렬 마크(240)는 상기 오버레이 마크(230)와 중첩되지 않도록 구비되는 것이 바람직하다. 상기 오버레이 정렬 마크(240)는 상기 회로 패턴 영역(210)에 형성된 회로 패턴들의 얼라인 상태를 확인하기 위한 오버레이 계측 장치에서 상기 반도체 웨이퍼(200)를 얼라인 하기 위한 것이다.
구체적으로 설명하면, 상기 스크라이브 레인 영역(220)에 형성된 오버레이 마크(130)를 이용하여 상기 회로 패턴 영역(210)에 형성된 패턴들의 얼라인 정도를 확인하기 위해서는 오버레이 계측 장비에서의 계측이 필요하다. 상기 오버레이 계측 장비에서의 오버레이 계측시 우선 반도체 웨이퍼(200)의 정렬이 중요하다. 상기 반도체 웨이퍼(200) 내의 특별한 이미지를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(200)를 정렬하게 되는데 이때 상기 오버레이 정렬 마크(240)가 사용된다.
한편 반도체 웨이퍼 없이 레시피를 설정할 수 있는 웨이퍼리스(waferless) 레시피 설정시에도 웨이퍼 정렬시 사용하는 이미지에 나타나는 상기 오버레이 정렬 마크(240)를 이용하여 상기 반도체 웨이퍼(200)를 용이하게 정렬할 수 있다.
구체적으로는 상기 오버레이 정렬 마크(240)는 각각의 층에 따라 상기 회로 패턴 영역(210)의 형태가 달라지더라도 상기 스크라이브 레인 영역(220)에 동일한 형태로 형성된다. 따라서 상기 각각의 층에 따라 상기 회로 패턴 영역(210)의 이미지가 달라지더라도 상기 스크라이브 레인 영역(220)의 오버레이 정렬 마크(240)의 이미지는 동일하게 나타난다. 따라서 상기 반도체 웨이퍼(200)의 이미지에 포함된 상기 오버레이 정렬 마크(240)의 이미지를 이용하여 웨이퍼리스 레시피 설정하는 경우에도 웨이퍼를 상기 오버레이 계측 장치에 정확하게 정렬할 수 있다.
상기 오버레이 정렬 마크(240)는 상기 오버레이 마크(230)와 서로 다른 형태로 형성된다. 즉 상기 오버레이 정령 마크(240)는 상기 오버레이 마크(230)와 구별되어야 한다. 상기 오버레이 마크(230)의 형태로는 'L'자 형태를 갖는 것이 바람직하다.
상기 오버레이 정렬 마크(240)의 형태는 상기와 같이 'L'자 형태를 갖는 것이 바람직하지만, 상기 오버레이 마크(230)의 형태와 다르기만 해도 무방하다. 일예로 상기 오버레이 마크(230)가 사각 띠 형태인 경우 상기 오버레이 정렬 마크(240)는 바 형태로 형성될 수 있다. 즉 상기 오버레이 정렬 마크(240)는 상기 오버레이 마크(230)와 구별이 되는 형태이면 어떤 형태라도 상관없다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 마스크 및 반도체 장치에는 오버레이 정도를 확인할 수 있는 오버레이 마크 및 상기 오버레이의 계측시 웨이퍼의 정렬을 위한 오버레이 정렬 마크가 구비된다. 따라서 오버레이 계측 장치에서 오버레이 계측시 웨이퍼를 오류 없이 정확한 위치에 정렬할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (6)

  1. 선택적으로 광을 투과시켜 반도체 웨이퍼 상에 회로 패턴을 형성하기 위한 회로 패턴 영역;
    상기 회로 패턴 영역의 주변을 따라 형성되며 상기 광을 차단하는 주변 영역;
    상기 주변 영역에 형성되며, 상기 회로 패턴과 상기 반도체 웨이퍼 상에 기 형성된 회로 패턴을 오버레이 정도를 확인하기 위한 오버레이 마크; 및
    상기 주변 영역에 상기 광을 투과시키도록 형성되며, 오버레이 측정 장치에서 반도체 웨이퍼의 정렬을 위해 사용되는 오버레이 정렬용 마크를 포함하는 마스크.
  2. 제1항에 있어서, 상기 오버레이 정렬 마크와 상기 오버레이 마크는 서로 다른 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
  3. 제1항에 있어서, 상기 오버레이 정렬 마크는 'L'자 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
  4. 매트릭스 형태로 정렬되는 다수의 회로 패턴 영역;
    상기 다수의 회로 패턴 영역을 서로 분리하는 스크라이브 레인 영역;
    상기 스크라이브 레인 영역에 형성되며 상기 회로 패턴 영역에 형성된 층들의 오버레이 정도를 확인하기 위한 오버레이 마크; 및
    상기 스크라이브 레인에 형성되며 오버레이 측정 장치에서 상기 웨이퍼의 정렬을 위해 사용되는 오버레이 정렬용 마크를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼.
  5. 제4항에 있어서, 상기 오버레이 정렬 마크와 상기 오버레이 마크는 서로 다른 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼.
  6. 제4항에 있어서, 상기 오버레이 정렬 마크는 'L'자 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼.
KR1020040105267A 2004-12-14 2004-12-14 오버레이 정렬 마크를 구비한 마스크 및 반도체 웨이퍼 KR20060066798A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040105267A KR20060066798A (ko) 2004-12-14 2004-12-14 오버레이 정렬 마크를 구비한 마스크 및 반도체 웨이퍼

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020040105267A KR20060066798A (ko) 2004-12-14 2004-12-14 오버레이 정렬 마크를 구비한 마스크 및 반도체 웨이퍼

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060066798A true KR20060066798A (ko) 2006-06-19

Family

ID=37161479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020040105267A KR20060066798A (ko) 2004-12-14 2004-12-14 오버레이 정렬 마크를 구비한 마스크 및 반도체 웨이퍼

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20060066798A (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100800783B1 (ko) * 2006-12-26 2008-02-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조를 위한 오버레이 마크
KR101010817B1 (ko) * 2008-08-12 2011-01-25 주식회사 동부하이텍 반도체 웨이퍼용 마스크
CN104506869A (zh) * 2015-01-12 2015-04-08 深圳市江机实业有限公司 基于块匹配在不同分辨率下视频序列的运动估计方法
CN110750038A (zh) * 2019-11-25 2020-02-04 上海华力微电子有限公司 掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100800783B1 (ko) * 2006-12-26 2008-02-01 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 소자 제조를 위한 오버레이 마크
KR101010817B1 (ko) * 2008-08-12 2011-01-25 주식회사 동부하이텍 반도체 웨이퍼용 마스크
CN104506869A (zh) * 2015-01-12 2015-04-08 深圳市江机实业有限公司 基于块匹配在不同分辨率下视频序列的运动估计方法
CN110750038A (zh) * 2019-11-25 2020-02-04 上海华力微电子有限公司 掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法
CN110750038B (zh) * 2019-11-25 2022-06-14 上海华力微电子有限公司 掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI411523B (zh) 壓印設備和製造產品的方法
US7288848B2 (en) Overlay mark for measuring and correcting alignment errors
US7939224B2 (en) Mask with registration marks and method of fabricating integrated circuits
US6803292B2 (en) Method for manufacturing a semiconductor device and semiconductor device with overlay mark
US6737205B2 (en) Arrangement and method for transferring a pattern from a mask to a wafer
US7927768B2 (en) Alignment mark of mask
KR20060066798A (ko) 오버레이 정렬 마크를 구비한 마스크 및 반도체 웨이퍼
KR100699109B1 (ko) 반도체 제조용 노광장비의 정렬도 측정마크 및 측정방법
KR100271125B1 (ko) 정렬마크를 갖는 마스크 및 이를 이용한 마스크간 정렬도 측정방법
KR20030000990A (ko) 반도체 기판의 오버레이 측정방법
CN105759563B (zh) 光罩以及光罩或晶圆沾污的检测方法
JPH10312049A (ja) レチクル
KR100644068B1 (ko) 포토리소그라피용 마스크
KR20090074554A (ko) 포토마스크의 결함 수정 방법
KR20040059251A (ko) 하나의 레이어에 다수의 박스형 마크를 갖는 중첩측정용정렬마크
KR100187663B1 (ko) 반도체 소자 제조용 래티클
KR20010028305A (ko) 위치정합 보정 방법
KR100284101B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 오버레이 마크
KR100611071B1 (ko) 반도체 공정에서 마크 형성 방법
KR100558572B1 (ko) 반도체 소자의 오버레이 측정설비
KR20090106902A (ko) 블랭크마스크 및 이를 이용한 포토마스크 제조방법
JPH10288835A (ja) レチクル
KR100577556B1 (ko) 반도체 제조용 노광장치의 매칭방법
KR20060039638A (ko) 반도체소자의 제조방법
KR20070005810A (ko) 웨이퍼 얼라인먼트 방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination