CN110750038A - 掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法 - Google Patents

掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法 Download PDF

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Abstract

掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法。本发明公开了一种光刻系统对准图形误差补偿方法，包括利用设计制造掩模版制造两片标准片，将两片标准片分别使用同一组晶圆对准图形的第一掩膜版对准图形和第二掩膜版对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移第二预设距离后曝光显影；分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差，获得第一误差和第二误差；将第一误差和第二误差的差值作为掩膜版对准图形的机台补正参数。本发明具有通用性、准确性和便利性，很低的成本下能快速准确的获得光刻系统对准误差误补偿量。

Description

掩膜版和标准片及对准图形误差补偿方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种用于光刻系统对准图形误差补偿测量的掩模版版图。本发明还涉及一种由所述掩模版版图制造用于光刻系统对准图形误差补偿测量的标准片。本发明还涉及一种通过所述晶圆对准组对光刻系统对准图形误差进行补偿的方法。
背景技术
光刻系统(Mask Aligner)又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统等。常用的光刻系统是掩膜对准光刻，所以叫Mask Alignment System。光刻系统的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度，对准精度是半导体生产过程中光刻系统的重要指标。
光刻系统的光路系统能通过激光校正，将掩膜版平台和计测平台坐标系进行统一定位。计测平台上的Fidicual Mark由于破损需要切换至Backup Mark后，使用A/B两种十字对准Reticle Alignment Mark的产品，由于激光测量误差，导致产品之间套刻精度将会发生相对偏移。另外，光刻系统激光(Laser)长期使用，会逐步衰减也会造成对准图形Alignment Mark测量误差变大，影响产品套刻精度。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念,该简化形式的概念均为本领域现有技术简化，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
本发明要解决的技术问题是提供一种用于光刻系统对准图形误差补偿测量的掩模版版图。
本发明要解决的另一技术问题是提供一种由所述掩模版版图制造用于光刻系统对准图形误差补偿测量的标准片。
本发明要解决的再一技术问题是提供一种利用所述标准片的光刻系统对准图形误差补偿方法。
为解决上述技术问题，本发明提供用于光刻系统对准误差测量的掩膜版，包括：
该掩膜版上形成有多块的重复区域，所述重复区域彼此之间在光刻系统Y方向上间隔第一预设距离，每块重复区域内沿光刻系统Y方向顺序形成第一嵌套图形、掩膜版对准图形、晶圆对准图形和第二嵌套图形。
可选择，进一步改进所述的掩膜版，第一预设距离为大于等于100um。
可选择，进一步改进所述的掩膜版，所述第一嵌套图形(即当前层内框)和第二嵌套图形(即前层外框)能形成嵌套。
本发明提供一种利用所述掩膜版制造的标准片，该标准片由所述掩膜版曝光显影刻蚀去胶形成。
本发明提供一种利用所述标准片的光刻系统对准图形误差补偿方法，包括以下步骤：
S1，制造两片所述标准片；
S2，将两片标准片分别使用同一组晶圆对准图形的第一掩膜版对准图形和第二掩膜版对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移第二预设距离后曝光显影；
S3，分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差，获得第一误差和第二误差；
S4，将第一误差和第二误差的差值作为掩膜版对准图形的机台补正参数。
可选择，进一步改进所述的光刻系统对准图形误差补偿方法，所述第二预设距离为大于等于100um。
可选择，进一步改进所述的光刻系统对准图形误差补偿方法，实施步骤S2时，将两片标准片分别使用同一组掩膜版对准图形的第一晶圆对准图形和第二晶圆对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移第二预设距离后曝光显影；
实施步骤S3时，分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差，获得第一误差和第二误差；
实施步骤S4时，将第一误差和第二误差的差值作为晶圆对准图形的机台补正参数。
可选择，进一步改进所述的光刻系统对准图形误差补偿方法，所述第二预设距离为大于等于100um。
可选择，进一步改进所述的光刻系统对准图形误差补偿方法，所述光刻系统包括波长365nm、波长248nm和波长193nm的光刻系统。
本发明设计了一种具有多块的重复区域的掩膜版，该掩膜版的重复区域彼此之间在光刻系统Y方向上间隔第一预设距离，该掩膜版的每块重复区域内沿光刻系统Y方向顺序形成第一嵌套图形、掩膜版对准图形、晶圆对准图形和第二嵌套图形。通过所述掩模版制造两片标准片，将两片标准片分别使用同一组晶圆对准图形的第一掩膜版对准图形和第二掩膜版对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移第二预设距离后曝光显影；分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差，获得第一误差和第二误差；将第一误差和第二误差的差值作为掩膜版对准图形的机台补正参数。即，通过测量嵌套图形的相对偏移差来获得掩膜版对准图形或晶圆对准图形的相对偏移差，进而通过机台实现补偿。
附图说明
本发明附图旨在示出根据本发明的特定示例性实施例中所使用的方法、结构和/或材料的一般特性，对说明书中的描述进行补充。然而，本发明附图是未按比例绘制的示意图，因而可能未能够准确反映任何所给出的实施例的精确结构或性能特点，本发明附图不应当被解释为限定或限制由根据本发明的示例性实施例所涵盖的数值或属性的范围。下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明：
图1是光刻系统的结构示意图。
图2是本发明掩膜版第一实施例结构示意图。
图3是本发明掩膜版重复区域结构示意图。
图4是本发明光刻系统对准图形误差补偿方法原理示意图。
具体实施方式
以下通过特定的具体实施例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所公开的内容充分地了解本发明的其他优点与技术效果。本发明还可以通过不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点加以应用，在没有背离发明总的设计思路下进行各种修饰或改变。需说明的是，在不冲突的情况下，以下实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明下述示例性实施例可以多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的具体实施例。应当理解的是，提供这些实施例是为了使得本发明的公开彻底且完整，并且将这些示例性具体实施例的技术方案充分传达给本领域技术人员。
除非另有定义，否则这里所使用的全部术语(包括技术术语和科学术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常理解的意思相同的意思。还将理解的是，除非这里明确定义，否则诸如在通用字典中定义的术语这类术语应当被解释为具有与它们在相关领域语境中的意思相一致的意思，而不以理想的或过于正式的含义加以解释。
如图2所示，本发明提供用于光刻系统对准图形测量误差法人掩膜版第一实施例，包括：该掩膜版上形成有多块的重复区域，所述重复区域彼此之间在光刻系统Y方向上间隔第一预设距离，参考图3所示，每块重复区域内沿光刻系统Y方向顺序形成第一嵌套图形、掩膜版对准图形、晶圆对准图形和第二嵌套图形。
其中，第一预设距离为大于等于100um，所述第一嵌套图形(即当前层内框)和第二嵌套图形(即前层外框)能形成嵌套。
本发明提供一种利用所述掩膜版制造的标准片一可行实施例，该标准片采用阿斯麦光刻机/尼康光刻机利用所述掩膜版曝光显影刻蚀去胶形成。
如图4所示，本发明提供一种利用所述标准片的光刻系统对准图形误差补偿方法第一实施例，包括以下步骤：
首先，制造一个掩模版，该掩膜版上形成有多块的重复区域，所述重复区域彼此之间在光刻系统Y方向上间隔100um，参考图3所示，每块重复区域内沿光刻系统Y方向顺序形成第一嵌套图形(即当前层内框)、掩膜版对准图形、晶圆对准图形和第二嵌套图形(即前层外框)。
S1，采用阿斯麦光刻机利用所述掩膜版曝光显影制造两片标准片。
S2，将两片标准片分别使用同一组晶圆对准图形的第一掩膜版对准图形和第二掩膜版对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移100um后曝光显影,确保Overlay当层内框和前层外框能套嵌。其中，第一掩膜版对准图形和第二掩膜版对准图形不相同；例如分别为三角形和方形。
S3，分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差(理论上内框应位于外框中心，通过测量内框相对偏移获得误差)，获得第一误差和第二误差；
S4，将第一误差和第二误差的差值作为掩膜版对准图形的机台补正参数。
本发明提供一种利用所述标准片的光刻系统对准图形误差补偿方法第二实施例，包括以下步骤：
首先，制造一个掩模版，该掩膜版上形成有多块的重复区域，所述重复区域彼此之间在光刻系统Y方向上间隔100um，参考图3所示，每块重复区域内沿光刻系统Y方向顺序形成第一嵌套图形(即当前层内框)、掩膜版对准图形、晶圆对准图形和第二嵌套图形(即前层外框)。
S1，采用阿斯麦光刻机利用所述掩膜版曝光显影制造两片标准片。
S2，将两片标准片分别使用同一组掩膜版对准图形的第一晶圆对准图形和第二晶圆对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移100um后曝光显影；确保Overlay当层内框和前层外框能套嵌。其中，第一晶圆对准图形和第二晶圆对准图形不相同；例如分别为三角形和方形。
实施步骤S3时，分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差(理论上内框应位于外框中心，通过测量内框相对偏移获得误差)，获得第一误差和第二误差；
实施步骤S4时，将第一误差和第二误差的差值作为晶圆对准图形的机台补正参数。
以上通过具体实施方式和实施例对本发明进行了详细的说明，但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下，本领域的技术人员还可做出许多变形和改进，这些也应视为本发明的保护范围。

Claims (9)

1.一种掩膜版，其用于光刻系统对准误差测量，其特征在于：
该掩膜版上形成有多块的重复区域，所述重复区域彼此之间在光刻系统Y方向上间隔第一预设距离，每块重复区域内沿光刻系统Y方向顺序形成第一嵌套图形、掩膜版对准图形、晶圆对准图形和第二嵌套图形。
2.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：第一预设距离为大于等于100um。
3.如权利要求1所述的掩膜版，其特征在于：所述第一嵌套图形和第二嵌套图形能形成嵌套。
4.一种利用权利要求1所述掩膜版制造的标准片，其特征在于：由所述掩膜版曝光显影刻蚀去胶形成。
5.一种利用权利要求4所述标准片的光刻系统对准图形误差补偿方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1，制造两片所述标准片；
S2，将两片标准片分别使用同一组晶圆对准图形的第一掩膜版对准图形和第二掩膜版对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移第二预设距离后曝光显影；
S3，分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差，获得第一误差和第二误差；
S4，将第一误差和第二误差的差值作为掩膜版对准图形的机台补正参数。
6.如权利要求5所述的光刻系统对准图形误差补偿方法，其特征在于：所述第二预设距离为大于等于100um。
7.如权利要求5所述的光刻系统对准图形误差补偿方法，其特征在于：
实施步骤S2时，将两片标准片分别使用同一组掩膜版对准图形的第一晶圆对准图形和第二晶圆对准图形沿光刻系统Y方向整体偏移第二预设距离后曝光显影；
实施步骤S3时，分别测量第一标准片和第二标准片某个重复区域嵌套的第一嵌套图形和第二嵌套图形之间相对偏移误差，获得第一误差和第二误差；
实施步骤S4时，将第一误差和第二误差的差值作为晶圆对准图形的机台补正参数。
8.如权利要求7所述的光刻系统对准图形误差补偿方法，其特征在于：所述第二预设距离为大于等于100um。
9.如权利要求1-8任意一项所述的光刻系统对准图形误差补偿方法，其特征在于：所述光刻系统包括波长365nm、波长248nm和波长193nm的光刻系统。
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