CN114488704B - 一种基于dmd的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，包括线路图形设计；拼接重叠区域设定；拼接图形设计；线路图形曝光显影；拼接图形曝光显影；重合线条判断；DMD偏移位置判断；DMD位置补偿；上述检测与修正方法，将基准图形和偏移图形分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域内进行曝光，判断非基准DMD曝光的偏移图形与基准DMD曝光的基准图形的重合线条，根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移，有偏移则根据线条预设间距值调整非基准DMD的位置，可节省测量时间，提高了检测效率，同时避免受测量仪器的误差影响，以及图形拼接误差测量不精准带来的干扰。
Description
技术领域
本发明涉及PCB板的技术领域，具体为一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法。
背景技术
激光直接成像设备的成像系统由若干个数字微镜器件（Digtial MicromirrorDevices，DMD）组成。数字微镜器件（Digtial Micromirror Devices，DMD）是基于半导体制造技术，由高速数字式光反射开关阵列组成，通过控制微镜片绕固定（轭）的旋转和时域响应（决定光线的反射角度和停滞时间）来决定成像图形和其特性。它是一种新型、全数字化的平面显示器件，应用MEMS的工艺将反射微镜阵列和CMOS SRAM集成在同一块芯片上。
在印制电路板光刻领域中，一类基于DMD的光刻机都采用精密平台的运动与DMD曝光图形输出的匹配进行成像。在此类设备中，通常采用多个DMD且来回进行多次拼接扫描完成整个版图的曝光。在此成像过程中，需要严格管控设备图形拼接误差。如果DMD间拼接错位幅度过大，会导致拼接区域的图形曝光不良，进而产生线路扭曲或开短路现象。因此，需要定期进行设备图形拼接误差的检测与修正，以保证产品图形成像的准确性。现有检测方法是设计线路图形，该线路图形长度为设备生产最大尺寸宽度；再把该图形使用基于DMD的光刻机曝光在已贴感光材料的PCB板上；并在显影后找到DMD拼接位置，再确认相邻两个DMD拼接位置上下左右是否错位，以及错位大小。在此测量方法中，受显影参数影响曝光后图形边缘不清晰；同时受测量仪器的误差影响，图形拼接误差测量不精准，且流程长，效率低。
发明内容
基于此，有必要提供一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法。
一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，包括
S1、线路图形设计，设计预设数量和尺寸的线路图形，线路图形的长度大于等于设备的最大宽度；
S2、拼接重叠区域设定，根据线路图形在透明片上预曝光显影的线路图形确定相邻DMD的拼接重叠区域；
S3、拼接图形设计，分别在拼接重叠区域的X轴方向和Y轴方向设计至少具有若干线条的基准图形和偏移图形，使基准图形与偏移图形的对应线条之间具有预设间距值且基准线条重合或处于同一条直线上；
S4、线路图形曝光显影，将线路图形利用DMD的光刻机在透明片上进行曝光，并进行显影定影处理；
S5、拼接图形曝光显影，将基准图形和偏移图形分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域内进行曝光，并进行显影定影处理；
S6、重合线条判断，判断非基准DMD曝光的偏移图形与基准DMD曝光的基准图形的重合线条；
S7、DMD偏移位置判断，根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移，是则根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置；
S8、DMD位置补偿，光刻机根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置，使之无偏移。
在其中一个实施例中，拼接图形的设计方法为：
S21、分别在拼接重叠区域的X轴方向和Y轴方向设计至少具有若干线条的基准图形和偏移图形；
S22、X轴方向线条与线路图形平行、Y轴方向线条与线路图形垂直；
S23、确定基准图形和偏移图形分别在X轴方向和Y轴方向的基准线条；
S24、使基准线条重合或在同一条直线上；
S25、基准图形和偏移图形其余对应线条以基准线条为基准按预设间距值分布在基准线条两侧；
S26、基准图形和偏移图形的对应线条的预设间距值随着对应线条远离基准线条而按一定的数列关系增加。
在其中一个实施例中，所述基准图形和偏移图形对应线条之间的预设间距值的数列关系为等差数列。
在其中一个实施例中，DMD偏移位置判断方法为：
S41、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD；
S42、确定基准DMD曝光的基准图形；
S43、确定与基准DMD相邻的非基准DMD曝光的偏移图形；
S44、将基准图形与偏移图形的线条进行比对后确定重合线条；
S45、确定重合线条的重合方向及预设间距值；
S46、根据重合线条的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移；
S47、后DMD始终以前DMD为基准DMD，并根据DMD的性质曝光基准图形或偏移图形并进行重合线条比对；
S48、直至完成所有DMD的偏移方向及偏移位移的判断。
在其中一个实施例中，DMD偏移位置判断方法为：
S51、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD；
S52、确定基准DMD曝光的基准图形；
S53、确定除基准DMD之外的非基准DMD曝光的至少一个偏移图形；
S54、将基准图形与偏移图形的线条进行逐一比对后确定重合线条；
S55、确定重合线条图形的重合方向及预设间距值；
S56、根据重合线条图形的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移；
S57、完成所有非基准DMD偏移方向及偏移位移的判断。
在其中一个实施例中，在S8后，按照上述方法重新对偏移DMD位置进行检测，直至基准线条重合或处于同一条直线上。
在其中一个实施例中，所述基准图形和偏移图形的对应线条的预设间距值小于等于3um。
在其中一个实施例中，所述基准图形和偏移图形的线宽为50um-70um。
在其中一个实施例中，所述透明片为银盐片或贴有感光膜的重氮片中的一种。
在其中一个实施例中，压合感光膜重氮片的压合参数为：压辘温度110℃±5℃，压力6kg±0.5kg，输送速度0.8m/min±0.2m/min。
上述基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，将基准图形和偏移图形分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域内进行曝光，判断非基准DMD曝光的偏移图形与基准DMD曝光的基准图形的重合线条，根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移，有偏移则根据线条预设间距值调整非基准DMD的位置，可节省测量时间，提高了检测效率，同时避免受测量仪器的误差影响，以及图形拼接误差测量不精准带来的干扰，使检测结果更加准确。
附图说明
图1为本发明的基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法的流程图；
图2为本发明的基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法的线路图形和拼接图形的结构示意图；
图3为本发明的基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法的拼接图形的放大结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反，当元件被称作“直接”与另一元件连接时，不存在中间元件。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施方式的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
如图1和图2所示，一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，包括
S1、线路图形设计，设计预设数量和尺寸的线路图形100，线路图形100的长度大于等于设备的最大宽度；
S2、拼接重叠区域400设定，根据线路图形100在透明片上预曝光显影的线路图形确定相邻DMD的拼接重叠区域400；
S3、拼接图形设计，分别在拼接重叠区域的X轴方向和Y轴方向设计至少具有若干线条的基准图形200和偏移图形300，使基准图形200与偏移图形300的对应线条之间具有预设间距值且基准线条重合或处于同一条直线上；
S4、线路图形100曝光显影，将线路图形100利用DMD的光刻机在透明片上进行曝光，并进行显影定影处理；
S5、拼接图形曝光显影，将基准图形200和偏移图形300分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域400内进行曝光，并进行显影定影处理；
S6、重合线条判断，判断非基准DMD曝光的偏移图形300与基准DMD曝光的基准图形200的重合线条；
S7、DMD偏移位置判断，根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移，是则根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置；
S8、DMD位置补偿，光刻机根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置，使之无偏移。
在其中一个实施例中，拼接图形的设计方法为：
S21、分别在拼接重叠区域400的X轴方向和Y轴方向设计至少具有若干线条的基准图形200和偏移图形300；
S22、X轴方向线条与线路图形100平行、Y轴方向线条与线路图形100垂直；
S23、确定基准图形200和偏移图形300分别在X轴方向和Y轴方向的基准线条；
S24、使基准线条重合或在同一条直线上；
S25、基准图形200和偏移图形300其余对应线条以基准线条为基准按预设间距值分布在基准线条两侧；
S26、基准图形200和偏移图形300的对应线条的预设间距值随着对应线条远离基准线条而按一定的数列关系增加。
在其中一个实施例中，所述基准图形200和偏移图形300对应线条之间的预设间距值的数列关系为等差数列。
在其中一个实施例中，DMD偏移位置判断方法为：
S41、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD；
S42、确定基准DMD曝光的基准图形；
S43、确定与基准DMD相邻的非基准DMD曝光的偏移图形；
S44、将基准图形200与偏移图形300的线条进行比对后确定重合线条；
S45、确定重合线条的重合方向及预设间距值；
S46、根据重合线条的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移；
S47、后DMD始终以前DMD为基准DMD，并根据DMD的性质曝光基准图形或偏移图形并进行重合线条比对；
S48、直至完成所有DMD的偏移方向及偏移位移的判断。
在其中一个实施例中，DMD偏移位置判断方法为：
S51、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD；
S52、确定基准DMD曝光的基准图形200；
S53、确定除基准DMD之外的非基准DMD曝光的至少一个偏移图形300；
S54、将基准图形200与偏移图形300的线条进行逐一比对后确定重合线条；
S55、确定重合线条图形的重合方向及预设间距值；
S56、根据重合线条图形的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移；
S57、完成所有非基准DMD偏移方向及偏移位移的判断。
在其中一个实施例中，在S8后，按照上述方法重新对偏移DMD位置进行检测，直至基准线条重合或处于同一条直线上。
在其中一个实施例中，所述基准图形200和偏移图形300的对应线条的预设间距值小于等于3um。
在其中一个实施例中，所述基准图形和偏移图形的线宽为50um-70um。
在其中一个实施例中，所述透明片为银盐片或贴有感光膜的重氮片中的一种。
在其中一个实施例中，压合感光膜重氮片的压合参数为：压辘温度110℃±5℃，压力6kg±0.5kg，输送速度0.8m/min±0.2m/min。
实施例1：
一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，包括
S1、线路图形设计，设计预设数量和尺寸的线路图形100，线路图形100的长度大于等于设备的最大宽度；
S2、拼接重叠区域400设定，根据线路图形100在透明片上预曝光显影的线路图形确定相邻DMD的拼接重叠区域400；
S3、拼接图形设计，分别在拼接重叠区域400的X轴方向和Y轴方向设计具有若干线条的基准图形200和偏移图形300，使基准图形200与偏移图形300的对应线条之间具有预设间距值且基准线条重合或处于同一条直线上；
S4、线路图形100曝光显影，将线路图形100利用DMD的光刻机在透明片上进行曝光，并进行显影定影处理；
S5、拼接图形曝光显影，将基准图形200和偏移图形300分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域400内进行曝光，并进行显影定影处理；
S6、重合线条判断，判断非基准DMD曝光的偏移图形300与基准DMD曝光的基准图形200的重合线条；
S7、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD；
S8、确定基准DMD曝光的基准图形200；
S9、确定与基准DMD相邻的非基准DMD曝光的偏移图形300；
S10、将基准图形200与偏移图形300的线条进行比对后确定重合线条；
S11、确定重合线条的重合方向及预设间距值；
S12、根据重合线条的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移；
S13、后DMD始终以前DMD为基准DMD，并根据DMD的性质曝光基准图形或偏移图形并进行重合线条比对；
S14、直至完成所有DMD的偏移方向及偏移位移的判断。
S15、DMD位置补偿，光刻机根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置，使之无偏移。
如图3所示，例如：本实施的光刻机设备具有4个DMD，分别为第一DMD、第二DMD、第三DMD、第四DMD，相邻DMD拼接重叠区域400宽度为0.8mm。设计5组线距为50um的线路图形，5组线路图形为平行设置，先将第一DMD、第二DMD、第三DMD、第四DMD在透明片的线路图形100上进行预曝光，确定拼接重叠区域400，在拼接重叠区域400的X轴方向分别设定三组基准图形200与偏移图形300，基准图形200与偏移图形300的对应线条预设间距值分别为0um，±2um，±4um，±6um，±8um，±10um，即基准图形200与偏移图形300的基准线条重合并居中，以基准线条为基准，其余非基准线条以基准线条为中心进行分布，基准图形200的第二线条210分布在基准图形200的基准线条的上方，偏移图形300的第二线条310位于基准图形200的第二线条210下方2um处，基准图形200的第三线条220分布在基准图形200的基准线条的下方，偏移图形300的第三线条320位于基准图形200的第二线条210上方2um处，以此类推，完成其他间距值的线条的设置。在拼接重叠区域400的Y轴方向分别设定三组基准图形200与偏移图形300，基准图形200与偏移图形300的对应线条预设间距值分别为0um，±2um，±4um，±6um，±8um，±10um，即基准图形200与偏移图形300的基准线条重合并居中，以基准线条为基准，其余非基准线条以基准线条为中心进行分布，基准图形200的第四线条230分布在基准图形200的基准线条的上方，偏移图形300的第四线条330位于基准图形200的第四线条230右方2um处，基准图形200的第五线条240分布在基准图形200的基准线条的下方，偏移图形300的第五线条340位于基准图形200的第五线条240左方2um处，以此类推，完成其他间距值的线条的设置。
将线路图形100利用具有4个DMD的光刻机在透明片上进行正式曝光，并进行显影定影处理；第一DMD和第二DMD之间形成第一拼接重叠区域500，第二DMD和第三DMD之间形成第二拼接重叠区域600，第三DMD和第四DMD之间形成第三拼接重叠区域700，将基准图形200通过第一DMD曝光在第一拼接重叠区域500内，将偏移图形300通过第二DMD曝光在第一拼接重叠区域500内，判断第一拼接重叠区域500内基准图形200和偏移图形300的重合线条，如果是X轴方向基准线条“0um”线条重合，则第二DMD无偏移，如果基准图形200的第二线条210与偏移图形300的第二线条310在位置重合，说明相邻第二DMD向上偏移2um，将偏移方向和偏移位置发送给光刻机，光刻机按照补偿方法，将第二DMD向下移动2um，使基准线条重合，如果是Y轴方向基准线条“0um”线条重合，则第二DMD无偏移，偏移图形300的第四线条330与基准图形200的第四线条230重合，说明第二DMD向左移动了2um，将偏移方向和偏移位置发送给光刻机，光刻机按照补充方法，将第二DMD向右移动2um，使基准线条重合。
第二DMD的位置无偏移后，以第二DMD为基准DMD，将基准图形200通过第二DMD曝光在第二拼接重叠区域600内，将偏移图形300通过第三DMD曝光在第二拼接重叠区域600内，比对第二拼接重叠区域600内的重合线条，来判断第三DMD是否发送偏移，如果无偏移则第三DMD无需调整，如果有偏移则根据偏移方向及距离来调整第三DMD，使之无偏移。进一步地，就以第三DMD作为基准DMD与第四DMD进行重合线条的比对，来确定第四DMD是否有偏移，无偏移也无需调整，有偏移则按偏移方向及距离来调整。
实施例2：
一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，包括
S1、线路图形设计，设计预设数量和尺寸的线路图形100，线路图形100的长度大于等于设备的最大宽度；
S2、拼接重叠区域400设定，根据线路图形100在透明片上预曝光显影的线路图形确定相邻DMD的拼接重叠区域400；
S3、拼接图形设计，分别在拼接重叠区域400的X轴方向和Y轴方向设计具有若干线条的基准图形200和偏移图形300，使基准图形200与偏移图形300的对应线条之间具有预设间距值且基准线条重合或处于同一条直线上；
S4、线路图形100曝光显影，将线路图形100利用DMD的光刻机在透明片上进行曝光，并进行显影定影处理；
S5、拼接图形曝光显影，将基准图形200和偏移图形300分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域400内进行曝光，并进行显影定影处理；
S6、重合线条判断，判断非基准DMD曝光的偏移图形300与基准DMD曝光的基准图形200的重合线条；
S7、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD；
S8、确定基准DMD曝光的基准图形200；
S9、确定除基准DMD之外的非基准DMD曝光的至少一个偏移图形300；
S10、将基准图形200与偏移图形300的线条进行逐一比对后确定重合线条；
S11、确定重合线条图形的重合方向及预设间距值；
S12、根据重合线条图形的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移；
S13、完成所有非基准DMD偏移方向及偏移位移的判断。
S14、DMD位置补偿，光刻机根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置，使之无偏移。
例如：本实施的光刻机设备具有4个DMD，分别为第一DMD、第二DMD、第三DMD、第四DMD，相邻DMD拼接重叠区域400宽度为0.8mm。设计5组线距为50um的线路图形，5组线路图形为平行设置，先将第一DMD、第二DMD、第三DMD、第四DMD在透明片的线路图形100上进行预曝光，确定拼接重叠区域400，在拼接重叠区域400的在X轴方向分别设定三组基准图形200与偏移图形300，基准图形200与偏移图形300的对应线条预设间距值分别为0um，±2um，±4um，±6um，±8um，±10um，即基准图形200与偏移图形300的基准线条重合并居中，以基准线条为基准，其余非基准线条以基准线条为中心进行分布，基准图形200的第二线条210分布在基准图形200的基准线条的上方，偏移图形300的第二线条310位于基准图形200的第二线条210下方2um处，基准图形200的第三线条220分布在基准图形200的基准线条的下方，偏移图形300的第三线条320位于基准图形200的第二线条210上方2um处，以此类推，完成其他间距值的线条的设置。在拼接重叠区域400的Y轴方向分别设定三组基准图形200与偏移图形300，基准图形200与偏移图形300的对应线条预设间距值分别为0um，±2um，±4um，±6um，±8um，±10um，即基准图形200与偏移图形300的基准线条重合并居中，以基准线条为基准，其余非基准线条以基准线条为中心进行分布，基准图形200的第四线条230分布在基准图形200的基准线条的上方，偏移图形300的第四线条330位于基准图形200的第四线条230右方2um处，基准图形200的第五线条240分布在基准图形200的基准线条的下方，偏移图形300的第五线条340位于基准图形200的第五线条240左方2um处，以此类推，完成其他间距值的线条的设置。
将线路图形100利用具有4个DMD的光刻机在透明片上进行正式曝光，并进行显影定影处理；第一DMD和第二DMD之间形成第一拼接重叠区域500，第二DMD和第三DMD之间形成第二拼接重叠区域600，第三DMD和第四DMD之间形成第三拼接重叠区域700，将基准图形200通过第一DMD曝光在第一拼接重叠区域500内，将偏移图形300通过第二DMD曝光在第一拼接重叠区域500内，将偏移图形300通过第三DMD曝光在第二拼接重叠区域600，将偏移图形300通过第四DMD曝光在第三拼接重叠区域700，
依次判断第一拼接重叠区域500内、第二拼接重叠区域600、第三拼接重叠区域700的偏移图形300与基准图形200的重合线条，如果是X轴方向基准线条“0um”线条重合，根据具体的重合线条，可以确定第二DMD、第三DMD、第四DMD与第一DMD相比有无偏移，以及偏移方向和偏移距离，再根据偏移方向和偏移距离进行通过光刻机进行补偿。具体的重合位置以及偏移方向详见表一。
这样，基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，将基准图形200和偏移图形300分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域400内进行曝光，判断非基准DMD曝光的偏移图形300与基准DMD曝光的基准图形200的重合线条，根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移，有偏移则根据线条预设间距值调整非基准DMD的位置，可节省测量时间，提高了检测效率，同时避免受测量仪器的误差影响，以及图形拼接误差测量不精准带来的干扰，使检测结果更加准确。
表一
进一步地，为了确定调整后的DMD无偏移，在S8后，按照上述方法重新对偏移DMD位置进行检测，直至基准线条重合或处于同一条直线上。这样，可以有效地避免由于补偿的误差，导致DMD仍然有偏移，使后续的拼接位置曝光不良，影响了PCB板的质量。
进一步地，为了提供曝光精度，所述基准图形200和偏移图形300的对应线条的预设间距值小于等于3um。这样，可以使基准图形200和偏移图形300的对应线条的曝光精度更高，使对应线条的对准精度更高。
进一步地，所述基准图形和偏移图形的线宽为50um-70um。
这样，通过将基准图形和偏移图形的线宽设置为50um-70um之间，可以更好的通过百倍镜观察基准图形和偏移图形的线条拼接位置，准确的找到重合线条，以及判断偏移方向及偏移距离。
进一步地，所述透明片为银盐片或贴有感光膜的重氮片中的一种；压合感光膜重氮片的压合参数为：压辘温度110℃±5℃，压力6kg±0.5kg，输送速度0.8m/min±0.2m/min。
如透明片采用银盐片，则曝光参数采用功率2w，能量5mj；如透明片采用重氮片贴干膜，则依据干膜所需曝光能量进行设定。压合感光膜重氮片压辘温度110℃±5℃，压力6kg±0.5kg，输送速度0.8m/min±0.2m/min，输送时保证透明片平整不弯曲，且四周均贴覆感光膜。利用透明片的透光性，以及检验台面的光源可清晰判断线条组合重合位置；在曝光时，透明片易被铺平，可避免板材弯曲导致的误差。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (8)
1.一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，其特征在于：包括
S1、线路图形设计，设计预设数量和尺寸的线路图形，线路图形的长度大于等于设备的最大宽度；
S2、拼接重叠区域设定，根据线路图形在透明片上预曝光显影的线路图形确定相邻DMD的拼接重叠区域；
S3、拼接图形设计，分别在拼接重叠区域的X轴方向和Y轴方向设计具有若干线条的基准图形和偏移图形，使基准图形与偏移图形的对应线条之间具有预设间距值且基准线条重合或处于同一条直线上；
S4、线路图形曝光显影，将线路图形利用DMD的光刻机在透明片上进行曝光，并进行显影定影处理；
S5、拼接图形曝光显影，将基准图形和偏移图形分别利用基准DMD和非基准DMD在透明片上的拼接重叠区域内进行曝光，并进行显影定影处理；
S6、重合线条判断，判断非基准DMD曝光的偏移图形与基准DMD曝光的基准图形的重合线条；
S7、DMD偏移位置判断，根据重合线条判断非基准DMD与基准DMD的位置是否有偏移，是则根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置；
S8、DMD位置补偿，光刻机根据线条预设间距值调整偏移非基准DMD的位置，使之无偏移；
所述DMD偏移位置判断方法为：
S41、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD；
S42、确定基准DMD曝光的基准图形；
S43、确定与基准DMD相邻的非基准DMD曝光的偏移图形；
S44、将基准图形与偏移图形的线条进行比对后确定重合线条；
S45、确定重合线条的重合方向及预设间距值；
S46、根据重合线条的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移；
S47、后DMD始终以前DMD为基准DMD，并根据DMD的性质曝光基准图形或偏移图形并进行重合线条比对；
S48、直至完成所有DMD的偏移方向及偏移位移的判断；
或所述DMD偏移位置判断方法为：
S51、按照DMD在光刻机上的排列顺序确定首位DMD为基准DMD；
S52、确定基准DMD曝光的基准图形；
S53、确定除基准DMD之外的非基准DMD曝光的至少一个偏移图形；
S54、将基准图形与偏移图形的线条进行逐一比对后确定重合线条；
S55、确定重合线条图形的重合方向及预设间距值；
S56、根据重合线条图形的重合方向及预设间距值来确定非基准DMD的偏移方向及偏移位移；
S57、完成所有非基准DMD偏移方向及偏移位移的判断。
2.根据权利要求1所述的一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，其特征在于：拼接图形的设计方法为：
S21、分别在拼接重叠区域的X轴方向和Y轴方向设计至少具有若干线条的基准图形和偏移图形；
S22、X轴方向线条与线路图形平行、Y轴方向线条与线路图形垂直；
S23、确定基准图形和偏移图形分别在X轴方向和Y轴方向的基准线条；
S24、使基准线条重合或在同一条直线上；
S25、基准图形和偏移图形其余对应线条以基准线条为基准按预设间距值分布在基准线条两侧；
S26、基准图形和偏移图形的对应线条的预设间距值随着对应线条远离基准线条而按一定的数列关系增加。
3.根据权利要求2所述的一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，其特征在于：所述基准图形和偏移图形对应线条之间的预设间距值的数列关系为等差数列。
4.根据权利要求1所述的一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，其特征在于：在S8后，按照上述方法重新对偏移DMD位置进行检测，直至基准线条重合或处于同一条直线上。
5.根据权利要求1所述的一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，其特征在于：所述基准图形和偏移图形的对应线条的预设间距值小于等于3um。
6.根据权利要求1所述的一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，其特征在于：所述基准图形和偏移图形的线宽为50um-70um。
7.根据权利要求1所述的一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，其特征在于：所述透明片为银盐片或贴有感光膜的重氮片中的一种。
8.根据权利要求7所述的一种基于DMD的光刻机图形拼接误差的检测与修正方法，其特征在于：压合感光膜重氮片的压合参数为：压辘温度110℃±5℃，压力6kg±0.5kg，输送速度0.8m/min±0.2m/min。
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