KR102198599B1 - 마스크, 계측 방법, 노광 방법, 및 물품 제조 방법 - Google Patents

Abstract

기판 상에 노광되는 제1 샷 영역의 위치와 제1 샷 영역의 일부에 연결 영역을 형성하여 노광되는 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하기 위한 제1, 제2 마크를 갖는 마스크이며, 제1 마크는 제1 샷 영역 내의 연결 영역에 노광되는 마크이며, 제1 감광 영역과 제1 감광 영역의 광투과율과는 다른 광투과율의 제1 영역을 갖고, 제2 마크는 제2 샷 영역 내의 연결 영역에 제1 마크와 겹쳐서 노광되는 마크이며, 제2 감광 영역과 제2 감광 영역의 광투과율과는 다른 광투과율의 제2 영역을 갖고, 제1, 제2 마크를 겹친 경우에 제1 마크의 제1 영역의 경계가 제2 마크의 제2 감광 영역에 있고, 제2 마크의 제2 영역의 경계가 제1 마크의 제1 감광 영역에 있다.

Description

마스크, 계측 방법, 노광 방법, 및 물품 제조 방법{MASK,MEASURING METHOD,EXPOSURE METHOD,AND ARTICLE MANUFACTURING METHOD}

본 발명은 마스크, 계측 방법, 노광 방법, 및 물품 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 디바이스나 액정 표시 장치 등의 제조 공정 중 리소그래피 공정에 있어서, 조명 광학계에 의해 마스크(레티클)를 조명하여, 감광성의 레지스트층이 도포된 기판에 투영 광학계를 통하여 마스크의 패턴의 상을 투영하는 노광 장치가 사용되고 있다. 노광 대상으로 되는 감광성 기판의 대형화에 대응하기 위해서, 감광성 기판의 노광 영역을 복수의 샷 영역으로 분할하고, 각 샷 영역에 대응하는 패턴의 상을 순차 노광하는 노광 장치가 있다. 이러한 노광 장치에서는, 인접하는 샷 영역의 패턴의 일부를 서로 연결시켜서 노광하는 연결 노광이 행해지고 있다.

연결 노광을 행할 때의 주의점은, 패턴 투영용의 포토마스크의 제조 오차나 투영 광학계의 수차, 감광성 기판을 위치 결정하는 스테이지의 위치 결정 정밀도·이동 정밀도 등에 기인한 샷 영역 간의 어긋남을 작게 하여 연결 정밀도를 확보하는 것이다. 연결 노광에서는 인접하는 2개의 샷 영역의 상대 위치 어긋남에 의해 패턴의 이음매 부분에 단차가 발생하면, 제조되는 디바이스의 특성이 손상되는 경우가 있다. 또한, 디바이스 제조에서는, 연결 노광으로 형성된 단층의 패턴이 복수의 층에 겹쳐 있기 때문에, 각 층에 있어서의 샷 영역 간의 겹침 오차가 패턴의 이음매 부분에서 불연결으로 변화하게 되어, 디바이스의 품질이 저하되게 된다.

패턴의 이음매 부분의 단차 발생을 피하기 위해서, 각각의 샷 영역의 서로 연결시키는 부분에 폭을 갖게 하고, 그 부분의 노광량 분포를 바꾸는 연결 노광이 제안되어 있다(일본 특허 공개 평08-330220호 공보). 노광량 분포를 각각의 샷 영역에서 단부를 향하여 조금씩 저감시키도록 하고, 양쪽 샷 영역의 일부를 겹쳐서 노광하고, 합친 노광량이 최적 노광량이 되게 함으로써, 샷 영역 간의 단차를 바림할 수 있다.

또한, 일본 특허 공개 제2015-12258호 공보 및 일본 특허 공개 평6-204105호 공보에는, 각각의 샷 영역의 연결 영역에 마크의 상을 형성하고, 마크의 상의 위치를 계측하는 방법이 개시되어 있다. 일본 특허 공개 제2015-12258호 공보에는, 제1 샷 영역을 노광하여 연결 영역 및 연결 영역 이외의 영역에 마크의 상을 형성하고, 제2 샷 영역을 노광할 때에 연결 영역에 형성된 마크에 겹쳐서 다른 마크를 노광하여 하나의 마크를 형성하는 것이 개시되어 있다. 그리고, 하나의 마크의 검출 위치로부터, 연결 영역을 포함하는 제1 샷 영역의 배율 잔차와 제2 샷 영역의 배율 잔차를 구하는 것이 개시되어 있다. 일본 특허 공개 평6-204105호 공보에는, 제1 샷 영역을 노광하여 연결 영역에 마크의 상을 형성하고, 제2 샷 영역을 노광할 때에 마크에 겹쳐서 노광함으로써 마크를 소거하는 것이 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2015-12258호 공보에 기재된 발명에서는, 제1 샷 영역과 제2 샷 영역의 연결 영역에서 겹쳐서 형성된 하나의 마크로부터 하나의 위치가 검출되어 있을 뿐이다. 즉, 연결 영역에서의 제1 샷 영역의 마크 위치와 제2 샷 영역의 마크 위치를 분리하여 검출되고 있지 않다. 그 때문에, 제1 샷 영역과 제2 샷 영역을 노광한 후의 연결 영역에서의 제1 샷 영역의 위치와 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측할 수 없다.

일본 특허 공개 평6-204105호 공보에 기재된 발명에서는, 연결 영역에 일시적으로 형성된 마크의 상은 제2 샷 영역의 노광 후에 소거되어 있다. 그 때문에, 제1 샷 영역과 제2 샷 영역을 노광한 후의 연결 영역에서의 제1 샷 영역의 위치와 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측할 수 없다.

상기 과제를 해결하는 본 발명의 일측면으로서의 마스크는, 기판 상에 노광되는 제1 샷 영역의 위치와, 상기 제1 샷 영역의 일부에 연결 영역을 형성하여 노광되는 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하기 위한 제1 마크 및 제2 마크를 갖는 마스크이며, 상기 제1 마크는, 상기 제1 샷 영역 내의 상기 연결 영역에 노광되는 마크이며, 제1 감광 영역과, 상기 제1 감광 영역의 광투과율과는 다른 광투과율의 제1 영역을 갖고, 상기 제2 마크는, 상기 제1 마크와는 달리, 상기 제2 샷 영역 내의 상기 연결 영역에 상기 제1 마크와 겹쳐서 노광되는 마크이며, 제2 감광 영역과, 상기 제2 감광 영역의 광투과율과는 다른 광투과율의 제2 영역을 갖고, 상기 제1 마크 및 제2 마크를 겹친 경우에, 상기 제1 마크의 제1 영역의 경계가 상기 제2 마크의 제2 감광 영역에 있고, 상기 제2 마크의 제2 영역의 경계가 상기 제1 마크의 제1 감광 영역에 있는, 것을 특징으로 한다.

상기 과제를 해결하는 본 발명의 일측면으로서의 계측 방법은, 기판 상에 노광되는 제1 샷 영역의 위치와, 상기 제1 샷 영역의 일부에 연결 영역을 형성하여 노광되는 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하는 계측 방법이며, 상기 제1 샷 영역의 위치와 상기 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하기 위한 제1 감광 영역을 포함하는 제1 마크를 갖는 마스크를 사용하여, 상기 제1 샷 영역 내의 상기 연결 영역에 상기 제1 마크의 상을 노광하는 공정과, 상기 제1 마크와는 달리, 상기 제1 샷 영역의 위치와 상기 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하기 위한 제2 감광 영역을 포함하는 제2 마크를 갖는 마스크를 사용하여, 상기 제2 샷 영역 내의 상기 연결 영역에 상기 제1 마크와 겹쳐서 상기 제2 마크의 상을 노광하는 공정과, 상기 제1 마크의 상과 상기 제2 마크의 상이 겹쳐서 형성되는 상에 있어서, 상기 제1 마크의 경계에 대응하는 제1 에지의 위치와, 상기 제2 마크의 경계에 대응하는 제2 에지의 위치를 계측하는 공정과, 계측된 상기 제1 에지 및 상기 제2 에지의 위치에 기초하여, 상기 연결 영역에서의 상기 제1 샷 영역의 위치와 상기 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 산출하는 공정을 갖는 것을 특징으로 한다.

도 1은 종래의 3 샷 영역의 연결 노광 시의 각 샷의 도면이다.
도 2는 종래의 3 샷 영역을 연결 노광한 후의 도면이다.
도 3은 종래의 3 샷 영역의 연결 노광에서, 연결부의 상의 위치가 급격하게 변화된 예를 도시하는 개략도이다.
도 4는 제1 실시 형태의 노광 장치(100)를 도시하는 도면이다.
도 5는 제1 실시 형태의 노광광의 차광을 도시하는 도면이다.
도 6은 제1 실시 형태의 연결 노광으로 형성된 대면적의 패턴 모식도이다.
도 7은 계측용 마크를 도시하는 도면이다.
도 8은 제1 실시 형태의 연결 노광 전의 이미지도와 연결 노광 후의 연결 영역의 확대도이다.
도 9는 라인 앤드 스페이스 패턴의 모식도이다.
도 10은 도트 패턴의 모식도이다.
도 11은 본 발명의 마스크를 사용하는 연결 노광의 보정 처리 흐름도이다.
도 12는 제2 실시 형태의 노광 장치(101)를 도시하는 도면이다.
도 13은 제2 실시 형태에 있어서의 동기 조작을 설명하는 개략적인 측면도이다.
도 14는 제2 실시 형태의 조명광(10)의 차광을 도시하는 도면이다.
도 15는 제2 실시 형태의 연결 노광으로 형성된 대면적의 패턴 모식도이다.
도 16은 제3 실시 형태의 노광 장치(102)를 도시하는 도면이다.
도 17은 제3 실시 형태의 연결 노광으로 형성된 대면적의 패턴 모식도이다.
도 18은 제3 실시 형태의 연결 노광에서 사용하는 마스크의 레이아웃을 도시하는 도면이다.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면 등을 참조하여 설명한다.

<제1 실시 형태>

제1 실시 형태의 노광 장치(100)에 대해서, 도 4를 참조하면서 설명한다. 도 4는, 제1 실시 형태의 노광 장치(100)를 도시하는 도면이다. 제1 실시 형태의 노광 장치(100)는 일례로서, 액정 표시 디바이스(액정 패널)의 제조 공정에 있어서의 리소그래피 공정에 채용되는 것으로 한다. 노광 장치(100)는 스텝 앤드 스캔 방식으로, 마스크(1)에 형성되어 있는 패턴을, 투영 광학계(4)를 통하여 표면에 레지스트(감광제)층이 형성된 기판인 플레이트(유리 플레이트)(5) 상(기판 상)에 노광하는 주사형 투영 노광 장치이다. 또한, 도 4에서는, 연직 방향인 Z축에 수직인 평면 내에서 노광 시의 마스크(1) 및 기판(5)의 주사(이동) 방향으로 Y축을 취하고, Y축에 직교하는 비주사 방향으로 X축을 취하고 있다. 또한, 설명글 중에서 사용하는 「광학계」란, 단수 또는 복수의 거울체 또는/및 렌즈체로 구성되는 계를 말한다. 노광 장치(100)는 마스크 스테이지(2)와, 조명 광학계(3)와, 투영 광학계(4)와, 기판 스테이지(6)와, 얼라인먼트 스코프(마크 검출 장치)(7)와, 제어부(8)를 갖는다. 또한, 마스크(1)는 마스크 스테이지(2)에, 기판(5)은 기판 스테이지(6)에 보유 지지되어 있다.

조명 광학계(3)는 예를 들어, Hg 램프 등의 광원으로부터 발해진 광을 받아, 마스크(1)에 대하여 슬릿 형상으로 형성된 조명광을 조사한다. 마스크(1)는 예를 들어, 노광되어야할 미세한 패턴(예를 들어 회로 패턴)이 묘화된 유리로 만든 원판이다. 마스크 스테이지(2)는 예를 들어 진공 흡착에 의해 마스크(1)를 보유 지지하면서, 적어도 Y축 방향으로 가동이다. 투영 광학계(4)는 마스크(1)와, 기판 스테이지(6)에 보유 지지된 기판(5)을 광학적으로 공액인 관계로 유지하고, 기판(5) 상에 등배로 패턴상을 투영한다.

얼라인먼트 스코프(7)는 마스크(1)의 얼라인먼트 마크와 기판(5)의 얼라인먼트 마크를, 투영 광학계(4)를 통하여 검출한다. 제어부(8)는 CPU나 메모리를 포함하고, 노광 장치(100)의 각 부 구성을 제어한다. 즉, 제어부(8)는 마스크(1)의 패턴을 기판(5)에 전사하는 처리(기판(5)를 주사 노광하는 처리, 예를 들어 연결 노광)를 제어한다.

이어서, 노광 장치(100)의 처리 동작에 대하여 설명한다. 노광 장치(100)는 마스크(1)와 기판(5)을 동기 주사시켜, 마스크(1)의 조명 범위에 존재하는 패턴의 상을 기판(5) 상의 패턴 형성 영역에 노광한다. 여기서, 노광 장치(100)는 마스크(1)에 존재하는 패턴의 상 이상의 면적을 패턴 형성 영역에 노광하는 경우에는, 하나의 패턴 형성 영역에 대하여 복수의 샷 영역을 설정하고, 패턴의 상의 일부를 중복시키면서 복수회 노광하는, 소위 연결 노광을 행한다. 이하, 하나의 패턴 형성 영역에 대하여 제1 샷 영역과, 이 제1 샷 영역에 일부가 중복되는 제2 샷 영역이 설정되고, 하나의 마스크(1)로 각 샷 영역에 각 패턴상을 노광함으로써, 연결 노광하는 것으로서 설명한다.

제1 실시 형태에서는 제1 샷과 제2 샷이 주사 방향에 대하여 수직으로 배열되는 경우에 대하여 설명한다.

도 4의 차광판(91)은 투영 광학계(4)와 기판(5)의 사이에 배치된다. 차광판(91)은 예를 들어 도 5에 도시한 바와 같이, 투영 광학계(4)를 통과한 노광광(10)의 일부를 차광하고, x 방향에 있어서 기판(5) 상의 노광 영역의 단부를 향하여 조금씩 노광량이 변화하는 노광량 분포를 형성한다. 또한, 반대쪽 단부는 통상의 마스킹 블레이드(92)로 차광하고 있다. 도 5의 (a)는 제1 샷을 노광하는 경우의 구성을 도시하고, 도 5의 (b)는 제2 샷을 노광하는 경우의 구성을 도시하고 있다. 먼저, 차광판(91) 및 마스킹 블레이드(92)를 도 5의 (a)의 상태로 설정하여 마스크(1)의 제1 샷 영역을 기판(5) 상에 노광한다. 이어서, 차광판(91) 및 마스킹 블레이드(92)를 도 5의 (b)의 상태로 설정하고, 마스크(1)의 제2 샷 영역을 기판(5) 상에 연결 영역이 겹치도록 X 방향으로 기판 스테이지(6)를 스텝시켜서 노광함으로써, 제1층의 대면적의 패턴을 형성한다.

도 6에는 이렇게 형성된 대면적의 패턴의 모식도를 도시한다. 도 6의 (a)는 제1 샷 영역(110)과, 제2 샷 영역(111)을 포함하고, 제1 샷 영역(110)의 일부와 제2 샷 영역(111)의 일부가 겹친 연결 영역(112)을 포함한다. 또한, 도 6의 (b)는 x 방향에 있어서의 기판 상에 있어서의 노광량 분포를 도시한다. 연결 영역(112) 이외의 제1 샷 영역과 제2 샷 영역의 노광량을 100％로 하여, 연결 영역(112)에서는 제1 샷 영역(110)과 제2 샷 영역(111)의 노광량의 합계가 최적 노광량 100％로 된다.

이렇게 제1층에 패턴이 노광된 기판(감광제)을 현상한다. 그 후의 제2층 이후에는, 제1층째에 회로 패턴과 함께 형성된 얼라인먼트 마크를 마스크(1)의 얼라인먼트 마크와 동시에 얼라인먼트 스코프(7)로 검출하여 위치 정보를 얻고, 그것을 기준으로 고정밀도로 서로 겹치도록 보정하여 노광하는 것을 반복한다.

여기서, 샷 영역을 서로 연결시키는 경우의 종래의 테스트 노광에 대하여 설명한다. 테스트 노광은 양산 노광을 행하기 전에 노광 조건을 설정하기 위하여 행하는 것이므로 양산 노광을 행할 포토마스크로 행하는 것이 바람직하다.

도 1 및 도 2에, 예로서 3 샷 영역을 서로 연결시키는 경우의 테스트 노광 시의 노광 패턴의 모식도를 도시한다. 도 1은 3 샷 영역의 연결 노광 시의 각 샷의 도면이며, 도 2는 3 샷 영역을 연결 노광한 후의 도면이다. 노광 패턴의 중심에는 실소자(디바이스 회로 패턴)의 영역이 있고, 그 주위에 리소그래피 공정이나 기타 여러가지 공정에서 사용할 얼라인먼트 마크 영역이 있다. 얼라인먼트 마크 영역에는 각 샷의 형상을 계측하기 위한 위치 계측용 마크가 있다.

테스트 노광에서는 도 2와 같이 3 샷 영역의 연결 노광을 한 후, 잠상이 형성된 레지스트를 현상하고, 위치 계측 마크의 레지스트상의 위치 등을 계측하여 각 샷 영역 전체의 형상 정보를 얻는다. 각 샷 영역의 형상 정보로부터, 이상 격자 형상에 대한 위치 어긋남 오차를 통계 처리함으로써, 가장 이상적인 격자 형상으로 노광할 수 있도록 보정 파라미터(시프트, 회전, 배율 등)를 구한다. 그리고, 양산 노광 시에 있어서의, 스테이지나 광학계 등의 노광 제어 데이터에 오프셋으로서 입력한다.

연결 영역은 인접하는 2개의 샷 영역의 노광량의 합계가 최적 노광량이 되게 설정되어 있기 때문에, 각 샷 영역의 연결 영역에 위치 계측 마크를 배치해도 각각의 마크는 노광량 부족으로 현상되지 않는다. 그 때문에, 도 1, 2에 도시한 바와 같이, 종래의 테스트 노광에서는, 연결 영역에 위치 계측용 마크의 상을 형성하고 있지 않았다. 따라서, 연결 영역에서의 각 샷 영역이 정확한 형상 정보를 얻을 수는 없었다. 그 때문에, 도 3과 같이, 샷 영역(31)의 단의 부분에서 기판 상의 연결 영역에 상당하는 부분에서 급격하게 샷 형상이 바뀌는 경우에도, 연결 영역을 포함하지 않는 부분의 형상 정보를 바탕으로 보정한다. 그 때문에, 다음번의 노광 시에 있어서의 연결 영역에서의 인접 샷과의 겹침 어긋남이 발생한다. 겹침 어긋남은 연결 영역에서의 노광 패턴(잠상)의 콘트라스트 악화가 되고, 불균일의 발생 등 제조되는 디바이스의 품질 저하로 이어진다.

그래서, 본 실시 형태에서는, 기판 상에 노광되는 제1 샷 영역의 위치와, 제1 샷 영역의 일부에 연결 영역을 형성하여 노광되는 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하기 위한 마크를 사용한다. 도 7을 사용하여, 연결 영역의 겹침 정보를 계측하기 위한 마크에 대하여 설명한다. 도 7의 (a)는 제1 샷 영역(110)의 노광 시에 노광되는 계측용 마크(200)를 도시하고, 도 7의 (b)는 제2 샷 영역(111)의 노광 시에 노광되는 계측용 마크(205)를 도시한다. 각각의 마크는, 서로 수직인 2 방향의 변(경계)을 포함하는 외형을 갖는 2차원상의 박스 형상으로 되어 있고, 유리 영역과 차광 영역과 반투과 영역의 3개의 영역을 갖는다.

제1 마크(200)는 제1 샷 영역 내의 연결 영역에 노광되는 마크이며, 제2 마크(205)는 제1 마크(200)와는 달리, 제2 샷 영역 내의 연결 영역에 제1 마크(200)와 겹쳐서 노광되는 마크이다. 제1 마크(200)는 제1 감광 영역인 반투과 영역(201)과, 차광 영역(202)과, 유리 영역(203)을 갖는다. 제2 마크(205)는 제2 감광 영역인 반투과 영역(206)과, 차광 영역(207)과, 유리 영역(208)을 갖는다. 또한, 제1 마크의 유리 영역(203)은 제2 마크(205)의 반투과 영역(206)의 외형 치수와 동일 치수를 갖는 것으로 한다. 유리 영역을 투과율 100으로 하면 차광 영역은 0이다. 반투과 영역은, 연결 영역에서의 위치의 노광량으로부터 투과율이 결정되는데, 반투과 영역 전체에 입사하는 광의 총 광량에 대하여 반투과 영역을 통하여 기판 상에 노광되는 노광량이 낮아지도록, 즉, 감광되도록 형성되어 있다. 여기서, 감광 영역의 투과율은, 영역 전체에 입사하는 광의 총 광량에 대한 기판 상에 노광되는 노광량의 비를 나타낸다. 차광 영역과 유리 영역은, 감광 영역의 광투과율과는 다른 광투과율의 영역이다.

연결 영역에서 제1 샷 영역과 제2 샷 영역의 위치 정보를 양산 노광과 동일한 노광 조건에서 얻기 위해서는 제1 샷 영역과 제2 샷 영역의 연결 영역의 노광량의 합계가 최적 노광량 100％에 가까운 노광량이 되는 마크가 필요하다. 본 발명자들의 노광 실험으로부터, 수십㎛사이즈의 마크 레지스트의 에지 위치를 계측할 수 있을 정도로 클리어하게 빠지는 것은 수㎛사이즈의 마크(마스크(1)에 구성되는 마크 중 가장 엄밀한 노광량 관리가 필요한 마크)의 최적 노광량의 75％로 되는 결과가 얻어졌다.

도 8은 도 7의 겹침 마크를 배치하는 경우의 구체예를 도시한다. 도 8의 (a)는 도 6의 연결 영역(112) 부근을 확대한 도면이다. 도면의 상단은 연결 노광 전의 제1 샷 영역(110) 및 제2 샷 영역(111)의 이미지도이며, 하단은 연결 노광 후의 이미지도이다. 도 7의 (a)와 도 7의 (b)의 마크를 연결 영역(112)에 노광한다. 여기에서는 노광된 부분의 레지스트가 현상 후에 없어지는 포지티브형이고, 노광량에 대하여 가법성을 갖는 레지스트를 사용한 경우에 대하여 설명한다. 제1 샷 영역(110)에서는 최적 노광량의 50％로 되는 장소에 제1 샷 영역용의 겹침 마크(200)(도 7의 (a))를 노광한다. 여기에서는, 마크(200)의 반투과 영역(201)의 투과율을 50％로 한다. 제2 샷 영역(111)에서는 제1 샷 영역(110)과 연결 노광하기 위해서는 최적 노광량의 50％로 되는 장소에 제2 샷 영역용의 겹침 마크(205)(도 7의 (b))를 노광한다. 여기에서는, 마크(205)의 반투과 영역(206)의 투과율은 50％로 한다. 또한, 도 8은 도 6의 -Y측의 연결 영역의 확대도지만, +Y측의 연결 영역에도 마찬가지로 적용할 수 있다.

기판(5) 상에서의 각 샷 영역의 겹침 마크 상의 노광량을 도 8의 (b), (c)에 도시하였다. 도 8의 (b)는 제1 샷의 겹침 마크(200) 상의 위치를 횡축, 노광량을 종축에 취한 그래프이다. 도 7의 차광 영역(202)과 유리 영역(203)의 경계 위치에 있는 파선(210)의 위치가 40㎛ 부근, 차광 영역(202)과 반투과 영역(201)의 경계 위치에 있는 파선(212)의 위치가 30㎛ 부근이다. 제1 샷의 노광에서는 최대 노광량은 50％이기 때문에, 마스크(1) 상의 겹침 마크(200)의 유리부를 투과한 광의 기판(5) 상에서의 노광량은 50％로 된다. 또한, 반투과부(201)의 광투과율은 최대 노광량의 50％이기 때문에, 노광량은 25％, 차광 영역(202)의 투과율은 0％이기 때문에 노광량은 0％로 된다. 도 8의 (c)는 제2 샷의 겹침 마크(205) 상의 위치를 횡축, 노광량을 종축에 취한 그래프이다. 도 7의 반투과 영역(206)과 차광 영역(207)의 경계 위치에 있는 파선(211)의 위치가 30㎛ 부근, 차광 영역(207)과 유리 영역(208)의 경계 위치에 있는 파선(213)의 위치가 20㎛ 부근이다. 또한, 파선(212)의 위치에서 파선(211)의 위치쪽이 마크의 중심 위치(0)에 대하여 외측에 있고, 반투과 영역(206)의 외주 경계가 50㎛, -50㎛의 위치에 있다. 마크(205)에 대해서도 최대 노광량과 반투과부의 투과율이 제1 샷과 공통되기 때문에, 마스크(1) 상의 유리부, 반투과부, 차광부를 투과한 광의 기판(5) 상에서의 노광량은 제1 샷과 동일해진다.

이들 마크를 중심 위치가 겹치도록 연결 노광하면, 도 7의 (c)와 같은 박스 마크상(305)이 노광된다. 도 8의 (d)는 그때의 박스 마크 상의 위치를 횡축, 노광량을 종축에 취한 그래프이다. 가장 내측의 박스(레지스트 없음(302), -20㎛ 내지 20㎛의 위치)는 제1 샷에서 최적 노광량의 25％가 노광되고, 제2 샷에서 50％가 노광되어, 합계로 최적 노광량의 75％가 노광되기 때문에, 현상 후에는 레지스트가 없어진다. 또한, 1개 외측의 박스(레지스트 있음(300), -20㎛ 내지 -30㎛ 부근과 20㎛ 내지 30㎛ 부근의 위치)는 제1 샷에서는 최적 노광량의 25％가 노광되고, 제2 샷에서 0％가 노광되어, 합계로 최적 노광량의 25％의 노광량 밖에 없다. 그 때문에, 현상 후에도 레지스트는 남는다. 마찬가지로 2개 외측의 박스(레지스트 있음(301), -30㎛ 부근과 30㎛ 부근의 위치)는 노광량 0％, 3개 외측의 박스(레지스트 있음(300), -30㎛ 부근 내지 -40㎛과 30㎛ 부근 내지 40㎛의 위치)는 노광량 25％로 된다. 그 때문에, 어느 쪽이든 현상 후에 레지스트는 남는다. 최외의 영역(-40㎛ 내지 -50㎛과 40㎛ 내지 50㎛의 위치)은 제1 샷에서 최적 노광량의 50％, 제2 샷에서 최적 노광량의 25％가 노광되고, 합계로 최적 노광량의 75％가 노광되기 때문에, 현상 후에는 레지스트가 없어진다. 겹침 노광된 패턴(도 7의 (c), 도 8의 (d))에 있어서, 가장 외측의 박스(레지스트 있음(300), 파선(210)의 위치, -40㎛, 40㎛ 부근)의 에지는, 제1 마크(200)의 차광 영역(202)의 에지(경계)에 대응한다. 그 때문에, 그 에지는 제1 샷 영역의 위치 정보를 갖는다. 또한, 가장 내측의 박스(레지스트 있음(300), 파선(213)의 위치, -20㎛, 20㎛ 부근)의 에지(경계)는 제2 마크(205)의 차광 영역(207)의 에지에 대응하기 위해, 제2 샷의 위치 정보를 갖는다. 이와 같이, 마스크에 형성된 제1 마크 및 제2 마크의 중심 위치를 임시로 겹친 경우에, 제1 마크의 제1 영역(유리 영역)과 제11 영역(차광 영역)의 경계가 제2 마크의 제2 감광 영역(반투과 영역)에 있도록 각 마크가 형성되어 있다. 또한, 제2 마크의 제2 영역(유리 영역)과 제22 영역(차광 영역)의 경계가 상기 제1 마크의 제1 감광 영역(반투과 영역)에 있도록 형성되어 있다.

겹침 마크의 반투과 영역은, 광투과율이 0도 100％도 아니고, 입사광의 광량을 저하시켜서 출사시키는 감광막(예를 들어, 산화크롬을 사용한 화합물 등)이어도 된다. 또한, 도 9에 도시하는, 노광 장치(투영 광학계)의 해상 한계 이하의 선폭의 라인 앤드 스페이스 패턴이나 도 10에 도시하는 정사각형이나 환 형상의 도트 패턴 등을 사용할 수 있다. 또한, 이들 패턴의 개구율을 바꿈으로써 최적의 투과율의 마크를 제작할 수 있다. 해상 한계 이하는 노광 장치(투영 광학계)의 사양이나 레지스트나 프로세스 등으로 바뀐다. 또한, 해상하는 사이즈의 선폭으로 한 경우에는 박스 형상에 라인 앤드 스페이스 또는 도트 패턴이 겹쳐서 노광되기 때문에, 박스의 에지를 정확하게 계측할 수 없어서, 적합하지 않다. 도 9의 라인 앤드 스페이스 패턴의 각 라인은, 서로 수직인 2 방향을 따른 외형을 갖는 마크(200, 205)(차광 부재)의 2 방향에 대하여 비스듬한 방향으로 연장되어 있다.

또한, 마크는, 상기 예에 한하지 않고, 제1 마크와 제2 마크를 겹쳐서 노광했을 때에, 제1 마크상의 에지가 제1 샷 영역의 위치 정보를 갖고, 제2 마크상의 에지가 제2 샷 영역의 위치 정보를 갖도록 형성된 마크이면 된다. 예를 들어, 감광 영역과 차광 영역을 포함하는 마크, 또는, 감광 영역과 광투과 영역을 포함하는 마크여도 된다. 또한, 광투과율이 제로가 아닌, 서로 다른 광투과율을 갖는 2개의 감광 영역을 포함하는 마크여도 된다. 또한, 겹침 마크는 연결 영역의 적정 노광량의 50％로 되는 위치에 배치하는 예를 나타냈지만, 반투과부의 투과율을 노광량에 맞춰서 변경함으로써 다른 노광량이 되는 위치에 배치하고, 그 위치에서의 각 샷의 겹침 어긋남(상대 위치)을 계측할 수도 있다.

이어서, 상기 마스크를 사용한 샷 위치의 어긋남 계측 및 연결 노광의 보정 처리의 흐름을 설명한다. 도 11은 그 흐름도이다. 먼저, 제1 마크를 갖는 마스크를 사용하여 기판 상의 레지스트에 제1 샷 영역을 노광한다(S1). 이때, 다음 제2 샷 영역의 노광 시에, 연결 영역이 되는 부분에 제1 마크의 상이 노광된다. 이어서, 제2 마크를 갖는 마스크를 사용하여 기판 상의 레지스트에 제2 샷을 노광한다(S2). 이때, 연결 영역이 되는 부분에 제1 마크의 상에 겹쳐서 제2 마크의 상이 노광된다. S1과 S2에서는, 사전의 테스트 노광에 의해 최적으로 되는 겹침 어긋남 오프셋값으로 노광을 행한다. 이어서, 노광된 기판(5)을 현상한다(S3). 그리고, 연결 영역에서 현상된, 도 7의 (c)에 도시하는 겹침 마크의 레지스트상을 계측 장치를 사용하여 계측한다(S4). 제1 마크의 상과 상기 제2 마크의 상이 겹쳐서 형성되는 상에 있어서, 제1 마크의 경계에 대응하는 제1 에지의 위치와, 제2 마크의 경계에 대응하는 제2 에지의 위치를 계측한다. 계측된 제1 에지의 위치로부터 제1 샷 영역의 위치가 구해지고, 계측된 제2 에지의 위치로부터 제2 샷 영역의 위치가 구해진다. 그 때문에, 이 계측에 의해, 제1 샷 영역의 위치와 제2 샷 영역의 위치의 어긋남이 구해진다. S4의 계측은 노광 장치(100)로 행할 수도 있고, 노광 장치 외의 계측기로 행하는 것도 가능하지만, 노광 장치의 생산성을 생각하면 노광 장치 외의 계측기로 계측을 행하는 것이 바람직하다. 그리고, 제어부(8) 또는 외부의 제어부는, 계측된 제1 에지 및 제2 에지의 위치에 기초하여, 연결 영역에서의 제1 샷 영역의 위치와 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 산출한다. 그리고, 제1 샷 영역과 제2 샷 영역의 겹침 어긋남량을 사용하여, 다음 노광 시에 있어서 각 샷을 겹치기에 최적인 보정값(오프셋값)을 산출한다(S5). 그리고, 제어부(8)에서, 노광 장치의 노광 조건에 보정값으로서 설정한다(S6). 노광 시의 보정 파라미터로서는 샷 영역의 시프트, 회전, 배율 등이 있고, 노광 장치의 제어 대상으로서는 스테이지나 광학계 등의 제어 데이터가 있고, 이들에 보정값을 입력해도 된다. 그리고, 노광 장치는, 다음 연결 노광에 있어서, 보정값을 반영시켜서 제1 샷 영역의 노광과 제2 샷 영역의 노광을 행한다(S7). 예를 들어, 제1 샷 영역 또는 상기 제2 샷 영역의 형상을 보정하여, 제1 샷 영역 및 제2 샷 영역을 노광한다. 이에 의해, 양산 노광 상태에서의 위치 정보를 후의 노광에 피드백하는 것이 가능하게 되어, 테스트 노광에 의한 생산성 저하를 수반하지 않고 항상 겹침을 최적의 상태로 유지할 수 있다.

또한, 2개의 샷 영역의 연결 노광을 예로 들어 설명했지만, 제3 샷 영역이나 제4 샷 영역 등도 포함한 복수 샷 영역의 연결 노광에서도 마찬가지로 적용할 수 있다.

또한, 연결 노광의 보정 처리에 있어서, S3의 기판(5)의 현상을 행하지 않고, 레지스트상 대신 레지스트에 형성된 잠상을 계측함으로써도 실현 가능하다. 이 경우, 현상을 위하여 노광 장치(100)로부터 기판(5)을 반출하지 않고 노광 장치(100) 상에서 계측(S4)하고, 보정량 산출(S5)과 보정값의 설정(S6)도 노광 장치(100)로 행할 수 있기 때문에, 노광 장치(100)에서 처리가 완결된다.

이상과 같이, 본 실시 형태에 따르면, 본 실시 형태에서 나타낸 위치 계측용 마크를 사용하여, 연결 노광의 연결 영역에서의 제1 샷 영역의 위치와 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 산출할 수 있다. 이에 의해, 다음번의 노광 시에, 어긋남을 반영한 노광 처리를 행함으로써 패턴의 겹침 어긋남 또는 패턴의 결함을 저감할 수 있다.

<제2 실시 형태>

제2 실시 형태의 노광 장치(101)에 대해서, 도 12를 참조하면서 설명한다. 도 12는, 제2 실시 형태의 노광 장치(101)를 도시하는 도면이다. 여기에서는 제1 실시 형태와의 상위점만을 설명하고, 제1 실시 형태에서 설명한 내용과 중복되는 설명은 생략한다. 제2 실시 형태에서는 제1 샷 영역과 제2 샷 영역이 주사 방향에 평행인 방향으로 배열되는 경우에 대하여 설명한다.

제2 실시 형태에서는, 조명 광학계(3) 내에 차광 기구(93)를 구성한다. 차광 기구(93)는 차광판(차광 부재)(93a)을 포함하고, 이동 동작을 제어부(8)로 제어한다. 차광판(93a)은 노광 시의 마스크(1)의 위치와 공액인 위치에 배치되고, 적어도, 노광 시의 마스크(1) 및 기판(5)의 주사 방향, 즉 Y축 방향의 +측 및 -측으로 이동함으로써 조명광을 차폐 가능하게 한다. 차광판(93a)의 이동에 수반하여, 조명광이 통과하는 개구의 크기(차광판(93a)에 의해 차단되는 정도)가 규정되어, 개구를 통과한(차광판(93a)에 차단되지 않았다) 조명광은, 마스크(1) 상에 조사된다.

이어서, 연결 노광을 행할 때의 노광 장치(101)의 각 구성 요소의 동기 주사에 대하여 설명한다. 도 13은, 본 실시 형태에 있어서의 연결 노광 시의 차광 기구(93), 마스크 스테이지(2), 및 기판 스테이지(6)의 동기 조작을 설명하는 개략적인 측면도이다. 또한, 도 14는, 차광판(93a)과 조명광(10)의 위치 관계를 도시하는 개략도이다. 도 13의 (a)는 기판(5) 상의, 패턴 형성 영역에서의 제1 샷 영역에 대한 연결 영역을 노광하기 직전의 상태를 도시하는 도면이다. 또한, 도 14의 (a)는 그때의 차광판과 조명광(10)의 위치를 나타낸다. 본 실시 형태에 있어서의 연결 노광에서는, 제1 샷 영역의 노광 종료 직전에, 차광 기구(93)의 차광판(93a)은 마스크(1)와 기판(5)의 +Y축 방향의 이동(주사)에 동기하면서, -Y축 방향으로 이동(주사)한다. 이 동기 조작에 의해, 조명광(10)의 광투과 영역이 조금씩 차폐되어, 조명광(10)의 광량이 조금씩 감소한다. 이렇게 광량이 조정된 조명광(10)이 마스크(1)의 패턴 영역의 일부를 조명함으로써, 그 상이, 기판(5) 상의 패턴 형성 영역의 연결 영역에 노광량이 거의 직선적으로 작아지는 노광량 분포를 갖고 전사된다.

한편, 도 13의 (b)는 패턴 형성 영역에서의 제2 샷 영역에 대한 연결 영역을 노광하기 직전의 상태를 도시하는 도면이다. 또한, 도 14의 (b)는 그때의 차광판과 조명광(10)의 위치를 나타낸다. 본 실시 형태에 있어서의 연결 노광에서는, 제2 샷 영역의 노광 개시 시에는 조명광(10)을 차광 기구(93)의 차광판(93a)이 차광하고 있다. 차광판(93a)은 마스크(1)와 기판(5)의 +Y축 방향의 이동에 동기하면서, -Y축 방향으로 이동한다. 이 동기 조작에 의해, 조명광(10)의 광투과 영역이 조금씩 증가하여, 조명광(10)의 광량이 조금씩 증가한다. 이렇게 광량이 조정된 조명광(10)이 마스크(1)의 패턴 영역의 일부를 조명함으로써, 그 상이, 기판(5) 상의 패턴 형성 영역의 연결 영역에, 노광량이 거의 직선적으로 커지는 노광량 분포를 갖고 전사된다.

먼저, 차광 기구(93)를 도 13의 (a)의 상태로 설정하여 마스크(1)의 제1 샷 영역을 기판(5) 상에 노광한다. 이어서, 차광 기구(93)를 도 13의 (b)의 상태로 설정하여 마스크(1)의 제2 샷 영역을 기판(5) 상에 연결 영역이 겹치도록 Y에 기판 스테이지(6)를 스텝시켜서 노광한다. 이에 의해, 제1층의 대면적의 패턴을 형성한다. 도 15에는 이렇게 형성된 대면적의 패턴의 모식도를 도시한다. 연결 영역의 겹침 정보를 계측하기 위한 마크의 상은 도 15의 제1 샷 영역(110) 및 제2 샷 영역(111)의 각각의 연결 영역(112)에 형성된다. 마크는 제1 실시 형태와 동일한 마크를 사용할 수 있고, 마크의 투과율은 제1 실시 형태에 나타낸 방법과 같이 결정할 수 있다. 연결 노광 후에는, 연결 영역(112)에, 제1 샷 영역(110)의 겹침 마크(200)와 제2 샷 영역(111)의 겹침 마크(205)를 겹쳐서 노광한, 도 7의 (c)의 마크상(305)이 형성된다. 도 15에는 예로서 노광량이 최적 노광량의 50％로 되는 위치에 겹침 마크상을 노광한 경우에 형성되는 겹침 마크상(305)을 나타내고 있다.

또한, 도 13에서는 마스크(1)와 기판(5)의 Y축 방향의 이동(주사)과 차광 기구(93)의 차광판(93a)의 Y축 방향의 이동(주사)은 역부호인 예를 나타냈지만, 동부호로 하는 것도 가능하다.

이상과 같이, 본 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태에서 나타낸 위치 계측용 마크를 사용하여, 주사 방향에 있어서의 연결 노광 시에도, 연결 영역에서의 제1 샷 영역의 위치와 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 산출할 수 있다.

<제3 실시 형태>

제3 실시 형태의 노광 장치(102)에 대해서, 도 16을 참조하면서 설명한다. 도 16은 제3 실시 형태의 노광 장치(102)를 도시하는 도면이다. 여기에서는 제1 실시 형태와 제2 실시 형태의 상위점만을 설명한다. 제3 실시 형태에서는 제1 내지 제4 샷이 주사 방향으로 수직 방향과 평행 방향의 양쪽으로 배열되는 경우에 대하여 설명한다. 노광 장치(102)는 차광판(91, 92) 및 차광 기구(93)의 양쪽을 포함한다.

제3 실시 형태에서는 도 17에 도시하는 바와 같이 기판(5)에 연결 노광에 의한 대면적의 패턴 영역을 형성한다. 이때, 차광판(91, 92) 및 차광 기구(93)의 양쪽을 사용하여, 제1 샷 영역(110), 제2 샷 영역(111), 제3 샷 영역(113), 제4 샷 영역(114)을 순차 노광한다. 연결 영역(112a)은 제1 샷 영역(110)과 제2 샷 영역(111) 사이의 연결 영역이며, 연결 영역(112b)은 제2 샷 영역(111)과 제3 샷 영역(113) 사이의 연결 영역이다. 또한, 연결 영역(112c)은 제3 샷 영역(113)과 제4 샷 영역(114) 사이의 연결 영역이며, 연결 영역(112d)은 제4 샷 영역(114)과 제1 샷 영역(110) 사이의 연결 영역을 나타낸다.

이때의 마스크(1) 상의 노광 레이아웃을 도 18에 도시하였다. 예로서 4 샷 영역의 연결 노광에 의한 대면적 패턴 형성에 사용하는 마스크(1)에 대하여 설명한다. 마스크(1)는 1매의 마스크이지만, 도 18에서는, 각 영역을 이해하기 쉽게 표시하기 위하여 3개의 도면을 나란히 표시하고 있다. 마스크(1)는 제1 샷 영역용의 제1 영역(120), 제2 샷 영역용의 제2 영역(121), 제3 샷 영역용의 제3 영역(122), 제4 샷 영역용의 제4 영역(123)의 4개의 영역으로 나눌 수 있다. 또한, 각 영역끼리는 마스크 상에서 일부는 동일한 영역을 사용한다. 기판 상에 있어서의 연결 영역에서의 각 샷 영역의 겹침 위치 어긋남을 계측하기 위해서, 각 영역(120 내지 122)에 각각 도 7에 도시된 겹침 마크(200, 205)가 형성되어 있다. 마크는 제1 실시 형태와 동일한 마크를 사용할 수 있고, 마크의 투과율은 제1 실시 형태에 나타낸 방법과 같이 결정할 수 있다. 각 마크의 상은, 도 17에 도시하는 노광 후의 기판(5) 상의 연결 영역(112a 내지 112d) 내에 형성되고, 또한, 대면적의 패턴 영역의 단에 해당하는 부분에 형성된다.

대면적의 패턴 영역의 중심 부근(예를 들어, 도 17의 연결 영역(112a 내지 d)이 겹치는 영역)에 겹침 마크의 상을 형성하는 경우에는, 겹침 마크를 충분히 작게 함으로써, 액정 표시 디바이스의 품질을 떨어뜨리는 일 없이 겹침 어긋남을 평가할 수 있다.

이상과 같이, 본 실시 형태에 따르면, 제1 실시 형태에서 나타낸 위치 계측용 마크를 사용하여, 주사 방향 및 그것에 수직인 방향에 있어서의 연결 노광 시에도, 각 연결 영역에서의 2개 샷 영역 간의 위치의 어긋남(상대 위치)을 산출할 수 있다.

<제4 실시 형태>

이어서, 전술한 노광 장치를 이용한 물품(반도체 IC 소자, 액정 표시 소자, MEMS 등)의 제조 방법을 설명한다. 디바이스는, 전술한 노광 장치를 사용하고, 감광제가 도포된 기판(웨이퍼, 유리 기판 등)을 노광하는 공정과, 그 기판(감광제)을 현상하는 공정과, 현상된 기판을 다른 주지의 공정으로 처리함으로써 제조된다. 다른 주지의 공정에는, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등이 포함된다. 본 디바이스 제조 방법에 의하면, 종래보다도 고품위의 디바이스를 제조할 수 있다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 이들 실시 형태에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 그 요지의 범위 내에서 다양한 변형 및 변경이 가능하다.

Claims (13)

1. 기판 상에 노광되는 제1 샷 영역의 위치와, 상기 제1 샷 영역의 일부에 연결 영역을 형성하여 노광되는 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하기 위한 제1 마크 및 제2 마크를 갖는 마스크이며,
   상기 제1 마크는, 상기 제1 샷 영역 내의 상기 연결 영역에 노광되는 마크이며, 제1 감광 영역과, 상기 제1 감광 영역의 광투과율보다 높은 광투과율의 제1 영역과, 상기 제1 감광 영역의 광투과율보다 낮은 광투과율의 제11 영역을 갖고,
   상기 제2 마크는, 상기 제1 마크와는 달리, 상기 제2 샷 영역 내의 상기 연결 영역에 상기 제1 마크와 겹쳐서 노광되는 마크이며, 제2 감광 영역과, 상기 제2 감광 영역의 광투과율보다 높은 광투과율의 제2 영역과, 상기 제2 감광 영역의 광투과율보다 낮은 광투과율의 제22 영역을 갖고,
   상기 제1 마크 및 제2 마크를 겹친 경우에, 상기 제1 마크의 제1 영역과 상기 제11 영역의 경계가 상기 제2 마크의 제2 감광 영역에 있고, 상기 제2 마크의 제2 영역과 상기 제22 영역의 경계가 상기 제1 마크의 제1 감광 영역에 있는 것을 특징으로 하는 마스크.
2. 삭제
3. 삭제
4. 삭제
5. 삭제
6. 제1항에 있어서, 상기 제1 감광 영역 또는 상기 제2 감광 영역은, 입사광의 광량을 저하시켜서 출사시키는 막을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
7. 제1항에 있어서, 상기 제1 감광 영역 또는 상기 제2 감광 영역은, 기판에 노광되었을 때에 해상되지 않는 패턴을 갖는 것을 특징으로 하는 마스크.
8. 제7항에 있어서, 상기 패턴은, 라인 앤드 스페이스 패턴 또는 도트 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
9. 제1항에 있어서, 상기 마크는 서로 수직인 2 방향을 따른 외형을 갖는 박스 형상인 것을 특징으로 하는 마스크.
10. 제7항에 있어서, 상기 마크는 서로 수직인 2 방향을 따른 외형을 갖는 박스 형상이며,
    상기 패턴은, 상기 2 방향에 대하여 비스듬한 방향으로 연장되는 라인을 갖는 라인 앤드 스페이스 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 마스크.
11. 기판 상에 노광되는 제1 샷 영역의 위치와, 상기 제1 샷 영역의 일부에 연결 영역을 형성하여 노광되는 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하는 계측 방법이며,
    상기 제1 샷 영역의 위치와 상기 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하기 위한 제1 감광 영역과, 상기 제1 감광 영역의 광투과율보다 높은 광투과율의 제1 영역과, 상기 제1 감광 영역의 광투과율보다 낮은 광투과율의 제11 영역을 포함하는 제1 마크를 갖는 마스크를 사용하여, 상기 제1 샷 영역 내의 상기 연결 영역에 상기 제1 마크의 상을 노광하는 공정과,
    상기 제1 마크와는 달리, 상기 제1 샷 영역의 위치와 상기 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 계측하기 위한 제2 감광 영역과, 상기 제2 감광 영역의 광투과율보다 높은 광투과율의 제2 영역과, 상기 제2 감광 영역의 광투과율보다 낮은 광투과율의 제22 영역을 포함하는 제2 마크를 갖는 마스크를 사용하여, 상기 제2 샷 영역 내의 상기 연결 영역에 상기 제1 마크와 겹쳐서 상기 제2 마크의 상을 노광하는 공정과,
    상기 제1 마크의 상과 상기 제2 마크의 상이 겹쳐서 형성되는 상에 있어서, 상기 제1 영역과 상기 제11 영역의 경계에 대응하는 제1 에지의 위치와, 상기 제2 영역과 상기 제22 영역의 경계에 대응하는 제2 에지의 위치를 계측하는 공정과,
    계측된 상기 제1 에지 및 상기 제2 에지의 위치에 기초하여, 상기 연결 영역에서의 상기 제1 샷 영역의 위치와 상기 제2 샷 영역의 위치의 어긋남을 산출하는 공정을 갖고,
    상기 제1 마크 및 제2 마크를 겹친 경우에, 상기 제1 마크의 제1 영역과 상기 제11 영역의 경계가 상기 제2 마크의 제2 감광 영역에 있고, 상기 제2 마크의 제2 영역과 상기 제22 영역의 경계가 상기 제1 마크의 제1 감광 영역에 있는 것을 특징으로 하는 계측 방법.
12. 기판을 노광하는 노광 방법이며,
    제11항에 기재된 계측 방법을 사용하여, 연결 영역을 형성하여 노광되는 2개의 샷 영역의 위치 어긋남을 산출하는 공정과,
    기판 상에 제1 샷 영역을 노광한 후, 상기 제1 샷 영역의 일부에 연결 영역을 형성하여 제2 샷 영역을 노광하는 노광 공정을 갖고,
    상기 노광 공정에 있어서, 산출된 어긋남에 기초하여, 상기 제1 샷 영역 또는 상기 제2 샷 영역의 형상을 보정하여, 상기 제1 샷 영역 및 상기 제2 샷 영역을 노광하는 것을 특징으로 하는 노광 방법.
13. 물품을 제조하는 제조 방법이며,
    제12항에 기재된 노광 방법을 사용하여 기판을 노광하는 공정과,
    노광된 기판을 현상하는 공정과,
    현상된 기판을 처리하여 물품을 제조하는 공정을 갖는 것을 특징으로 하는 제조 방법.

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