JP3427067B2 - 位相シフトマスクの製造方法および半導体集積回路装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、露光技術に関し、
例えば半導体集積回路装置の製造工程の一工程である露
光工程において用いる位相シフトマスクの製造技術およ
びそれを用いた半導体集積回路パターンの転写技術に適
用して有効な技術に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ｇ線、ｉ線等のような光を使用してフォ
トマスク上の回路パターンを転写するフォトリソグラフ
ィ工程においては、半導体集積回路装置の素子集積度の
向上に伴い、良好に転写可能なパターンの最小加工寸法
に限界が生じつつある。

【０００３】パターンの最小加工寸法を小さくする方法
として、露光の際に使用する光の波長を短くすることが
考えられる。また、光の波長を短くするのは、現実には
様々な問題があるので、光の波長をそのままにした状態
で解像度を向上させる方法として、露光装置における光
学系の開口数（ＮＡ）を大きくする技術もある。

【０００４】ところが、短波長の光の使用やＮＡの向上
に伴い、焦点深度が極端に浅くなる問題があった。そこ
で、近年は、焦点深度を確保したまま解像度の向上を図
る様々な露光技術が検討されており、その代表的な手段
として位相シフト法がある。

【０００５】位相シフト法は、フォトマスクを透過する
光の位相を変えることによって、投影像のコントラスト
の低下を防止する技術である。

【０００６】位相シフト技術については、例えば日本特
開昭５８−１７３７４４号公報があり、遮光領域を挟む
一対の透過領域の一方に透明膜を設け、露光の際に２つ
の透過領域を透過した光の間に位相差を生じさせること
によって、その干渉光が半導体ウエハ上の本来の遮光領
域となる箇所で弱め合うようにする位相シフト技術が開
示されている（レヴェンソン（Levenson）型）。

【０００７】また、例えば日本特開昭６２−６７５１４
号公報には、フォトマスク上の遮光領域の一部に微細な
開口パターンを形成した後、この開口パターンまたはそ
の近傍の透過領域のいずれか一方に透明膜を設け、開口
パターンを透過した光と、その近傍の透過領域を透過し
た光との間に位相差を生じさせることによって、その透
過領域を透過した光の振幅分布が横方向に広がるのを防
止する位相シフト技術が開示されている（補助シフタ
型）。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来の
位相シフト技術においては、実際の半導体集積回路パタ
ーンと、位相シフトマスク上に形成されたパターンとが
部分的に異なる場合があるために、位相シフトマスクの
マスクパターンのデータの作成に際し、そのパターンの
良否を検証することができないという問題があることを
本発明者は見い出した。

【０００９】本発明は上記課題に着目してなされたもの
であり、その目的は、位相シフトマスクのパターンの良
否を検証することのできる技術を提供することにある。

【００１０】本発明の他の目的は、微細パターンを有す
る信頼性の高い半導体集積回路装置を得ることのできる
技術を提供することにある。

【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、明細書の記述および添付図面から明らかにな
るであろう。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
次のとおりである。

【００１３】

【００１４】

【００１５】

【００１６】

【００１７】

【００１８】

【００１９】

【００２０】

【００２１】

【００２２】

【００２３】第１の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補助
パターンのデータを有する補助パターンデータ層および
位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパター
ンデータ層に分離する工程と、予め用意されている穴パ
ターン用セルを用いて穴パターンのデータを作成する工
程と、前記穴パターンを構成する穴パターン用セルを穴
パターンデータのない空セルに置き換える工程と、その
置き換え工程後に残った孤立補助パターン、孤立シフタ
パターン、孤立実パターンを抽出し、孤立実パターン、
孤立補助パターンおよび孤立シフタパターンは存在して
はならないとの規則が守られているか否かをチェックす
る検証の工程と、前記検証の結果が良となるまで検証お
よび修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターン
のデータの作成工程によって作成された実パターンおよ
び補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描画デ
ータを作成する工程と、前記マスクパターンのデータの
作成工程によって作成された位相シフトパターンのデー
タに基づいて位相シフトパターン描画データを作成する
工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、前記
マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記位
相シフトパターン描画データに基づいて、前記マスク基
板上に位相シフトパターンを形成する工程とを有する位
相シフトマスクの製造方法である。

【００２４】第２の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補助
パターンのデータを有する補助パターンデータ層および
位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパター
ンデータ層に分離する工程と、予め用意されている穴パ
ターン用セルを用いて穴パターンのデータを作成する工
程と、前記穴パターンを構成する穴パターン用セルを穴
パターンデータのない空セルに置き換える工程と、その
置き換え工程後に残った孤立補助パターン、孤立シフタ
パターン、孤立実パターンを抽出し、孤立実パターン、
孤立補助パターンおよび孤立シフタパターンは存在して
はならないとの規則が守られているか否かをチェックす
る検証の工程と、前記検証の結果が良となるまで検証お
よび修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターン
のデータの作成工程によって作成された実パターンおよ
び補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描画デ
ータを作成する工程と、前記マスクパターンのデータの
作成工程によって作成された位相シフトパターンのデー
タに基づいて位相シフトパターン描画データを作成する
工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、前記
マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記位
相シフトパターン描画データに基づいて、前記マスク基
板上に位相シフトパターンを形成する工程と、前記遮光
パターンおよび位相シフトパターンを有する位相シフト
マスクを用いて半導体ウエハの表面上のレジスト膜に対
して所定の半導体集積回路パターンを転写する工程とを
有する半導体集積回路装置の製造方法である。

【００２５】第３の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補助
パターンのデータを有する補助パターンデータ層および
位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパター
ンデータ層に分離する工程と、予め用意されている穴パ
ターン用セルを用いて穴パターンのデータを作成する工
程と、前記穴パターンを構成する穴パターン用セルを検
証用セルに置き換える工程と、前記検証用セルの相互間
の関係の良否を検証する工程と、前記検証の結果が良と
なるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前記
マスクパターンのデータの作成工程によって作成された
実パターンおよび補助パターンのデータに基づいて遮光
パターン描画データを作成する工程と、前記マスクパタ
ーンのデータの作成工程によって作成された位相シフト
パターンのデータに基づいて位相シフトパターン描画デ
ータを作成する工程と、前記遮光パターン描画データに
基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する
工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程とを有する位相シフトマスクの製造方法である。

【００２６】第４の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補助
パターンのデータを有する補助パターンデータ層および
位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパター
ンデータ層に分離する工程と、予め用意されている穴パ
ターン用セルを用いて穴パターンのデータを作成する工
程と、前記穴パターンを構成する穴パターンセルを検証
用セルに置き換える工程と、前記検証用セルの相互間の
関係の良否を検証する工程と、前記検証の結果が良とな
るまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マ
スクパターンのデータの作成工程によって作成された実
パターンおよび補助パターンのデータに基づいて遮光パ
ターン描画データを作成する工程と、前記マスクパター
ンのデータの作成工程によって作成された位相シフトパ
ターンのデータに基づいて位相シフトパターン描画デー
タを作成する工程と、前記遮光パターン描画データに基
づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工
程と、前記位相シフトパターン描画データに基づいて、
前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する工程
と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターンを有す
る位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面上のレ
ジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターンを転写
する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方法であ
る。

【００２７】第５の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補助
パターンのデータを有する補助パターンデータ層および
位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパター
ンデータ層に分離する工程と、前記マスクパターンのデ
ータのうち、配線パターンのデータと、穴パターンのデ
ータとで異なる検証を行う工程と、前記検証の結果が良
となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前
記マスクパターンのデータの作成工程によって作成され
た実パターンおよび補助パターンのデータに基づいて遮
光パターン描画データを作成する工程と、前記マスクパ
ターンのデータの作成工程によって作成された位相シフ
トパターンのデータに基づいて位相シフトパターン描画
データを作成する工程と、前記遮光パターン描画データ
に基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成す
る工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程とを有する位相シフトマスクの製造方法である。

【００２８】第６の発明は、マスク基板上に位相シフト
パターンを有する位相シフトマスクのマスクパターンの
データを作成する際に、前記マスクパターンのデータを
実パターンのデータを有する実パターンデータ層、補助
パターンのデータを有する補助パターンデータ層および
位相シフトパターンのデータを有する位相シフトパター
ンデータ層に分離する工程と、前記マスクパターンのデ
ータのうち、配線パターンのデータと、穴パターンのデ
ータとで異なる検証を行う工程と、前記検証の結果が良
となるまで検証および修正を繰り返す工程とを有し、前
記マスクパターンのデータの作成工程によって作成され
た実パターンおよび補助パターンのデータに基づいて遮
光パターン描画データを作成する工程と、前記マスクパ
ターンのデータの作成工程によって作成された位相シフ
トパターンのデータに基づいて位相シフトパターン描画
データを作成する工程と、前記遮光パターン描画データ
に基づいて、前記マスク基板上に遮光パターンを形成す
る工程と、前記位相シフトパターン描画データに基づい
て、前記マスク基板上に位相シフトパターンを形成する
工程と、前記遮光パターンおよび位相シフトパターンを
有する位相シフトマスクを用いて半導体ウエハの表面上
のレジスト膜に対して所定の半導体集積回路パターンを
転写する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方法
である。

【００２９】

【００３０】

【００３１】

【００３２】

【００３３】

【００３４】

【００３５】

【００３６】上記した手段によれば、位相シフトマスク
のマスクパターンのデータを検証および修正することが
でき、位相シフトマスクの正しいマスクパターンのデー
タを作成することが可能となる。

【００３７】そして、その正しいマスクパターンのデー
タを用いて作成された位相シフトマスクを用いて、半導
体ウエハの表面上のフォトレジスト膜に所定の半導体集
積回路パターンを転写することにより、微細パターンを
有する信頼性の高い半導体集積回路装置を製造すること
が可能となる。

【００３８】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は本発明の
一実施例である位相シフトマスクのマスクパターンの検
証工程を説明する工程図、図２は位相シフトマスクのマ
スクパターンのデータ作成に用いるパターンデータ作成
装置の説明図、図３はマスクパターン例の平面図、図４
は図３のマスクパターンの分離工程の説明図、図５は図
３のマスクパターンにおける検証中の位相シフトパター
ンの平面図、図６は位相シフトパターンの配置されてい
ない実パターンの抽出工程の説明図、図７は位相シフト
パターンの配置されていない実パターンの平面図、図８
は位相シフトパターンの配置されていない実パターンと
位相シフトパターンとを合成して検証用パターンを作成
する工程の説明図、図９は図８で説明した検証用パター
ンの平面図、図１０は図１の検証４によるエラーパター
ンの抽出工程の説明図、図１１および図１２は図１の検
証５によるエラーパターンの抽出工程の説明図、図１３
は欠けのある位相シフトパターンが配置されているマス
クパターンの平面図、図１４は位相シフトマスクの要部
断面図、図１５は図１４の位相シフトマスクの製造工程
を説明する工程図、図１６は図１４の位相シフトマスク
を用いる縮小投影露光装置の説明図である。

【００３９】以下、本実施例１においては、例えば半導
体集積回路装置の製造工程の１工程である露光工程で用
いられる位相シフトマスクの製造技術について図１〜図
１５によって説明する。なお、マスクには、レチクルも
含むとする。

【００４０】まず、位相シフトマスクのマスクパターン
のデータ作成技術について説明する。ここで、マスクパ
ターンとは、後述するマスク基板上に形成された遮光パ
ターンおよび位相シフトパターン（以下、シフタパター
ンという）である。

【００４１】本実施例１の位相シフトマスクのマスクパ
ターンのデータの作成および検証に用いるパターンデー
タ作成装置を図２に示す。

【００４２】パターンデータ作成装置１は、ワークステ
ーションシステム２と、大形計算機システム３とを有し
ており、ワークステーションシステム２と、大形計算機
システム３とは、データ伝送用のケーブル４を通じて電
気的に接続されている。

【００４３】ワークステーションシステム２は、入力装
置２ａと、ワークステーション本体２ｂと、ディスプレ
イ２ｃと、ワークステーション用の外部記憶装置２ｄと
を有している。

【００４４】入力装置２ａは、例えばキーボードやマウ
ス等、ワークステーション本体２ｂに対して所定の情報
を入力するための装置である。ワークステーション本体
２ｂは、入力装置２ａから入力された情報に基づいて、
マスクパターンの作成および検証に関する所定の情報処
理を行う装置である。ディスプレイ２ｃは、作成中およ
び検証中等のマスクパターン等を表示するための出力装
置である。なお、図示はしないが、ワークステーション
本体２ｂには、ディスプレイ２ｃの他に、プリンタやプ
ロッタ等のような他の出力装置も電気的に接続されてい
る。

【００４５】大形計算機システム３は、大形計算機本体
３ａと、大形計算機用の外部記憶装置３ｂとを有してい
る。大形計算機用の外部記憶装置３ｂには、検証前マス
クパターンデータ領域３ｂ1 、ルールチェックプログラ
ム領域３ｂ2 、検証中マスクパターンデータ領域３ｂ3
および検証後マスクパターンデータ領域３ｂ4 が設定さ
れている。

【００４６】検証前マスクパターンデータ領域３ｂ1
は、良否を検証する前のマスクパターンの形状、配置位
置座標および回転座標等のようなマスクパターンに関す
るデータが格納されている領域である。

【００４７】ルールチェックプログラム領域３ｂ2 は、
位相シフトマスクのマスクパターンにおいて、例えば以
下の第１〜第５の規則が守られているか否かをチェック
するプログラムが格納されている領域である。なお、本
実施例１においては、線幅0.３５μｍの配線パターンを
フォトレジスト膜に転写する場合を例として、その規則
について説明する。

【００４８】第１の規則は次の通りである。すなわち、
互いに隣接するパターンを透過した各々の光の位相が同
一となる場合、それらのパターン（以下、同位相パター
ンという）の間隔は、例えば0.５μｍ以上でなければな
らない。

【００４９】第２の規則は次の通りである。すなわち、
互いに隣接するパターンを透過した各々の光の位相が互
いに異なる場合、それらのパターン（以下、異位相パタ
ーンという）の間隔は、例えば0.３５〜0.５μｍ未満で
なければならない。

【００５０】このように、互いに隣接するパターン間の
寸法を規定する理由は、次の通りである。位相シフト法
は、互いに隣接するパターンを透過した各々の光のｎ次
のピークを重ね合わせ、その重ね合わせ部分での光の強
度を強めたり弱めたりすることにより、パターン像の解
像度を高める技術である。ここで、互いに隣接するパタ
ーンの間隔が設計値と異なってしまうと、重ね合わせる
べき各々の光のｎ次のピークの相対的な位置がずれてし
まう結果、その光の強め合いや弱め合いが設計者の意図
した通りに行われなくなってしまうからである。

【００５１】第３の規則は次の通りである。すなわち、
パターンの幅は、原則として、例えば0.３５μｍでなけ
ればならない。

【００５２】第４の規則は次の通りである。すなわち、
パターンが片側孤立配線または両側孤立配線を形成する
ためのパターンである場合、そのパターンの幅は、例え
ば0.４μｍ以上でなければならない。

【００５３】ここで、片側孤立配線とは、配線の片側の
所定の定まった距離、例えば0.５μｍ未満に他のパター
ンがない配線をいい、両側孤立配線とは、配線の両側の
所定の定まった距離、例えば0.５μｍ未満に他のパター
ンがない配線をいう。

【００５４】このように、片側孤立配線または両側孤立
配線を形成するパターンの幅を最小加工寸法よりも広く
する理由は、例えば位相シフト法による光の操作を充分
に行えないために発生するパターン像の細りを補正する
ためである。

【００５５】第５の規則は次の通りである。すなわち、
同位相パターンのパターン幅は、例えば0.５μｍ以上で
なければならない。

【００５６】第６の規則は次の通りである。すなわち、
実パターンと、それに対応するシフタパターンとは、正
確に重なり一致していなければならない。例えば単独の
シフタパターンが存在する、シフタパターンが欠けてい
る、シフタパターンが実パターン内に包含されている、
または、実パターンとシフタパターンとが交差している
等はこの規則に反する。

【００５７】パターンデータ作成装置１の検証中マスク
パターンデータ領域３ｂ3 は、検証および作成中のマス
クパターンが格納される領域である。また、検証後マス
クパターンデータ領域３ｂ4 は、完成された正しいマス
クパターンのデータが格納される領域である。

【００５８】次に、位相シフトマスクのマスクパターン
のデータの検証技術について説明する。

【００５９】まず、図３にそのデータの作成中における
マスクパターンＭＰの例を示す。マスクパターンＭＰ
は、実パターン５ｔ1 〜５ｔ10と、実パターン５ｔ2,５
ｔ4,５ｔ6,５ｔ9 上に重ねられた斜線で示すシフタパタ
ーン５ｓ1 〜５ｓ4 とを有している。

【００６０】ここで、実パターン５ｔ1 〜５ｔ10は、半
導体ウエハ上に形成しようとしているパターンと同一形
状のパターンを、マスク基板上に形成するためのパター
ンである。また、シフタパターン５ｓ1 〜５ｓ4 は、マ
スク基板を透過する光に位相差を生じさせる位相シフト
膜をマスク基板上に形成するためのパターンである。

【００６１】ただし、図３には、本実施例１の検証工程
を説明するために、例えば次のようなエラーＥ1 〜Ｅ9
が含まれている。

【００６２】第１のエラーＥ1 は、実パターン５ｔ1 の
幅が、配線パターンの最小加工寸法（例えば0.３５μ
ｍ）未満である。すなわち、上記第３の規則に反する。

【００６３】第２のエラーＥ2 は、実パターン５ｔ4,５
ｔ6 およびシフタパターン５ｓ2,５ｓ3 の間隔が一部に
おいて、同位相パターンにおける最小間隔未満（例えば
0.５μｍ未満）の箇所がある。すなわち、上記第１の規
則に反する。

【００６４】第３のエラーＥ3 は、実パターン５ｔ4,５
ｔ6 およびシフタパターン５ｓ2,５ｓ3 が一部において
同位相パターンとなっている箇所があるのに、実パター
ン５ｔ4,５ｔ6 およびシフタパターン５ｓ2,５ｓ3 の幅
が、配線パターンの最小加工寸法である。すなわち、上
記第５の規則に反する。

【００６５】第４のエラーＥ4 は、互いに隣接する実パ
ターン５ｔ7,５ｔ8 の間隔が、同位相パターンにおける
最小間隔未満の箇所がある。すなわち、上記第１の規則
に反する。

【００６６】第５のエラーＥ5 は、実パターン５ｔ7,５
ｔ8 が同位相パターンとなっている箇所があるのに、実
パターン５ｔ7,５ｔ8 の幅が、配線パターンの最小加工
寸法である。すなわち、上記第５の規則に反する。

【００６７】第６のエラーＥ6 は、実パターン５ｔ9 お
よびシフタパターン５ｓ4 と、実パターン５ｔ10との間
隔が、異位相パターン間の最大間隔（例えばえ0.５μ
ｍ）よりも大きく、実パターン５ｔ9 およびシフタパタ
ーン５ｓ4 と、実パターン５ｔ10との幅が最小加工寸法
である。すなわち、上記第２の規則に反する。

【００６８】第７のエラーＥ7 は、実パターン５ｔ8
と、実パターン５ｔ9 およびシフタパターン５ｓ4 との
間隔が、異位相パターンの最小間隔（例えば0.３５μ
ｍ）未満である。すなわち、上記第２の規則に反する。

【００６９】第８のエラーＥ8 は、実パターン５ｔ1 の
上側に他のパターンが無く、実パターン５ｔ1 の幅が片
側孤立配線の最小加工寸法未満である。すなわち、上記
第４の規則に反する。

【００７０】第９のエラーＥ9 は、実パターン５ｔ10の
下側に他のパターンが無く、実パターン５ｔ10の幅が片
側孤立配線の最小加工寸法未満である。すなわち、上記
第４の規則に反する。

【００７１】次いで、このようなマスクパターンＭＰを
例として、本実施例１の位相シフトマスクのマスクパタ
ーンの検証方法を、図１の工程１００〜工程１０６に沿
って、図３〜図１３によって説明する。

【００７２】なお、位相シフトマスクのマスクパターン
のデータ作成技術については、武隈（Ｔａｋｅｋｕｍ
ａ）等の日本特願平３−１１７３５５号（１９９１年５
月２２日出願）に示されているので、それをもって本願
の記載の一部とする。

【００７３】まず、図４に示すように、上記したマスク
パターンＭＰを、実パターン５ｔ1〜５ｔ10のデータの
みを有する実パターンデータ層と、シフタパターン５ｓ
1 〜５ｓ4 のデータのみを有するシフタパターンデータ
層とに分離する（工程１００）。

【００７４】続いて、本実施例１においては、例えば同
位相パターンの間隔を検証する（検証１，２）。

【００７５】検証１においては、例えば図３のマスクパ
ターンＭＰの実パターン５ｔ1 〜５ｔ10うち、シフタパ
ターン５ｓ1 〜５ｓ4 が配置されているシフタパターン
付きの実パターン５ｔ2,５ｔ4,５ｔ6,５ｔ9 の各々の間
隔を検証する。

【００７６】ここで、シフタパターン付きの実パターン
５ｔ2,５ｔ4,５ｔ6,５ｔ9 は、シフタパターン５ｓ1 〜
５ｓ4 と一致しているので、シフタパターン付きの実パ
ターン５ｔ2,５ｔ4,５ｔ6,５ｔ9 の各々の間隔を検証す
るには、シフタパターン５ｓ1 〜５ｓ4 の各々の間隔を
検証すれば良い。図５に、シフタパターン５ｓ1 〜５ｓ
4 を示す。

【００７７】そして、このようなシフタパターン５ｓ1
〜５ｓ4 の各々の間隔が、同位相パターンの間隔の規
則、すなわち、上記第１の規則に反しないかを検証する
（工程１０１）。これにより、シフタパターン５Ｓ2,５
Ｓ3 の間隔の一部に、同位相パターンの最小間隔未満の
箇所、すなわち、上記エラーＥ2 を見い出すことができ
る。ここで、作業者は、そのエラーＥ2 を修正し、修正
後のマスクパターンのデータを検証用マスクパターンデ
ータ領域３ｂ3 （図２参照）に記憶するも可能である。

【００７８】検証２においては、例えば図３のマスクパ
ターンＭＰの実パターン５ｔ1 〜５ｔ10のうち、シフタ
パターン５ｓ1 〜５ｓ4 が配置されていないシフタパタ
ーン無しの実パターン５ｔ1,５ｔ3,５ｔ5,５ｔ7,５ｔ8,
５ｔ10の各々の間隔を検証する。

【００７９】ここでは、まず、図６に示すように、全て
の実パターン５ｔ1 〜５ｔ10からシフタパターン付きの
実パターン５ｔ2,５ｔ4,５ｔ6,５ｔ9 を取り除いて、シ
フタパターン無しの実パターン５ｔ1,５ｔ3,５ｔ5,５ｔ
7,５ｔ8,５ｔ10を抽出する（工程１０２ａ）。図７に、
シフタパターン無しの実パターン５ｔ1,５ｔ3,５ｔ5,５
ｔ7,５ｔ8,５ｔ10を示す。

【００８０】そして、このようなシフタパターン無しの
実パターン５ｔ1,５ｔ3,５ｔ5,５ｔ7,５ｔ8,５ｔ10の各
々の間隔が、同位相パターンの最小間隔の規則、すなわ
ち、第１の規則に反しないかを検証する（工程１０２
ｂ）。

【００８１】これにより、実パターン５ｔ7,５ｔ8 の間
隔において、同位相パターンの最小間隔未満の箇所、す
なわち、上記エラーＥ4 を見い出すことができる。ここ
で、作業者は、そのエラーＥ4 を修正し、修正後のマス
クパターンのデータを検証用マスクパターンデータ領域
３ｂ3 （図２参照）に記憶するも可能である。

【００８２】検証２の後、本実施例１においては、例え
ば異位相パターンの間隔を検証する（検証３）。

【００８３】検証３においては、例えば図８に示すよう
に、上述のようにして抽出されたシフタパターン無しの
実パターン５ｔ1,５ｔ3,５ｔ5,５ｔ7,５ｔ8,５ｔ10と、
シフタパターン５ｓ1 〜５ｓ4 とを合成して第１検証用
パターンＶＰ1 を作成する。図９に、第１検証用パター
ンＶＰ1 を示す。

【００８４】そして、このような第１検証用パターンＶ
Ｐ1 の各々のパターンの間隔が、異位相パターンの最小
間隔の規則、すなわち、第２の規則に反しないかを検証
する（工程１０３）。

【００８５】これにより、実パターン５ｔ8 と、シフタ
パターン５ｓ4 との間隔および実パターン５ｔ10と、シ
フタパターン５ｓ4 との間隔が、異位相パターンの規定
間隔でない、すなわち、上記エラーＥ6,Ｅ7 を見い出す
ことができる。ここで、作業者は、そのエラーＥ6,Ｅ7
を修正し、修正後のマスクパターンのデータを検証用マ
スクパターンデータ領域３ｂ3 （図２参照）に記憶する
ことも可能である。

【００８６】なお、第１検証用パターンＶＰ1 は、マス
クパターンの検証のために仮に形成されたパターンであ
る。

【００８７】検証３の後、本実施例１においては、例え
ばパターンの幅を検証する（検証４）。

【００８８】検証４においては、例えば図１０に示すよ
うに、マスクパターンＭＰの各パターンが、配線パター
ンの幅の最小加工寸法の規則、すなわち、上記第３の規
則に反しないかを検証する（工程１０４）。

【００８９】これにより、エラーパターンとして、パタ
ーンの幅が最小加工寸法未満である実パターン５ｔ1 、
すなわち、エラーＥ1 を見い出すことができる。ここ
で、作業者は、そのエラーＥ1 を修正し、修正後のマス
クパターンのデータを検証用マスクパターンデータ領域
３ｂ3 （図２参照）に記憶することも可能である。

【００９０】検証４の後、本実施例１においては、例え
ば相互に関係するパターン間隔と幅とを検証する（検証
５）。

【００９１】検証５においては、図６に示した全ての実
パターン５ｔ1 〜５ｔ10からシフタパターン付きの実パ
ターン５ｔ2,５ｔ4,５ｔ6,５ｔ9 を取り除いて、シフタ
パターン無しの実パターン５ｔ1,５ｔ3,５ｔ5,５ｔ8,５
ｔ10を作成し、これらのパターンに基づいて、図１１に
示す第２検証用パターンＶＰ2 を作成する。

【００９２】続いて、片側孤立配線および両側孤立配線
の最小線幅の規則を満足する配線と、同位相パターンお
よび異位相パターンの場合のそれぞれの最小線幅の規則
を満足するパターンとを抽出する（工程１０５ａ，１０
５ｂ）。

【００９３】その後、図１２に示すように、第２検証用
パターンＶＰ2 からそれらの規則を満足するパターンを
取り除いて、エラーパターンを抽出する。

【００９４】これにより、エラーＥ1 〜Ｅ9 を見い出す
ことができる。ここで、作業者は、そのエラーＥ1 〜Ｅ
9 を修正し、修正後のマスクパターンのデータを検証用
マスクパターンデータ領域３ｂ3 （図２参照）に記憶す
ることも可能である。

【００９５】ただし、本実施例１においては、検証５に
際して、規則を満足するパターンを抽出した後、第２検
証用パターンＶＰ2 からその規則を満足するパターンを
取り除き、エラーパターンを抽出したが、直接、エラー
パターンを抽出することも可能である。

【００９６】最後に、本実施例１においては、実パター
ンと、シフタパターンとの重なり等について検証する
（検証６）。これを図１３に示すマスクパターンＭＰを
用いて説明する。

【００９７】図１３は、検証６を説明するために、実パ
ターン５ｔ2 に配置されたシフタパターン５ｓ5 に欠け
がマスクパターンＭＰを示している。

【００９８】検証６においては、図１３に示すマスクパ
ターンＭＰに対して、実パターン５ｔ1 〜５ｔ10と、そ
れに対応するシフタパターン５ｓ2 〜５ｓ5 とが正確に
重なっているか、例えば単独のシフタパターンがない
か、シフタパターンに欠けはないか、実パターンとシフ
タパターンとが交差していないか、また、シフタパター
ンが実パターン内に包含されていないか等、上記第６の
規則に反していないかの検証を行う（工程１０６）。

【００９９】これにより、本来、実パターン５ｔ2 の全
体に重ならなければならないシフタパターン５ｓ5 が、
実パターン５ｔ2 の一部にしか重なっていない、エラー
Ｅ10を見い出すことができる。ここで、作業者は、その
エラーＥ10を修正し、修正後のマスクパターンのデータ
を検証用マスクパターンデータ領域３ｂ3 （図２参照）
に記憶することも可能である。

【０１００】以上のような検証１〜検証４の工程１００
〜工程１０６を経て、位相シフトマスクの正しいマスク
パターンのデータを作成し、そのデータを上記した図２
の検証後マスクパターンデータ領域３ｂ3 に記憶する。

【０１０１】その後、その正しいマスクパターンのデー
タを、実パターンのデータおよびシフタパターンのデー
タに分けて、そのうちの実パターンのデータに基づいて
遮光パターンの描画データを作成し、シフタパターンの
データに基づいてシフタの描画データを作成する。

【０１０２】ここで、描画データとは、マスク基板上に
遮光パターンまたはシフタパターンを形成するために用
いる描画装置で用いるパターン描画用のデータである。

【０１０３】次に、本実施例１の位相シフトマスクにつ
いて説明する。図１４に、本実施例１の位相シフトマス
ク６の要部断面図を示す。同図において、７は合成石英
ガラス等からなるマスク基板、８ａ〜８ｄはクロム（Ｃ
ｒ）等からなる遮蔽膜、９ａおよび９ｂは位相シフト膜
またはシフタ、１０はマスク基板露出部または非シフト
光透過部である。なお、基板露出部といっても、必ずし
も石英ガラス基板そのものが露出しているとは限らず、
上記基板そのものが基板本体となる石英ガラス基板とそ
の表面に形成された薄い透明膜とから構成されていても
良い。

【０１０４】上記位相シフト膜９ａ，９ｂは、透明材質
の屈折率と透過光の波長によって決まる透明材質の厚さ
（シフタ開口中央部での厚さ）を指定したものであり、
ＳＯＧ（Spin On Glass)、酸化インジューム（ＩｎＯX
) 等からなる透明な薄膜である。

【０１０５】次に、上記位相シフトマスク６の作成方法
を図１５の工程１００〜工程１１９に沿って説明する。

【０１０６】まず、合成石英ガラス板の表面を研磨、洗
浄して図１４に示したマスク基板７を作成した後（工程
１００）、その主面上の全面に、例えば0.０５〜0.３μ
ｍ程度のクロム（Ｃｒ）からなる金属遮光膜（図示せ
ず）をスパッタリング法等によって堆積する（工程１０
１）。

【０１０７】続いて、その金属遮光膜上の全面に、例え
ば膜厚0.１〜0.８μｍの感電子レジスト膜（図示せず）
をスピンコート法等によって塗布した後（工程１０
２）、そのレジスト膜を、例えば電子線露光装置による
直接描画法によって露光し、金属膜上の感電子レジスト
膜に所望の半導体集積回路パターンを転写する。

【０１０８】この電子線直接描画処理に際しては、上記
マスクパターンのデータ作成方法によって作成され、か
つ、パターンデータ作成装置１の検証後マスクパターン
データ領域３ｂ4 に格納された正しいマスクパターンデ
ータのうちの実パターンのデータに基づいて作成された
描画データに従って、電子線をマスク基板７の指定位置
に照射し、上記感電子レジスト膜上に指定形状の半導体
集積回路パターンを転写する。

【０１０９】その後、上記感電子レジスト膜がポジ型の
場合は、露光部分を所定の現像液によって除去した後
（工程１０４）、残された感電子レジスト膜をエッチン
グマスクとして上記金属遮光膜をウエットエッチング法
等によってエッチングし、所定形状の遮光パターンをマ
スク基板７上に形成する（工程１０５）。

【０１１０】一方、上記感電子レジスト膜がネガ型の場
合は、未露光部分を所定の現像液によって除去した後
（工程１０４）、残された感電子レジスト膜をエッチン
グマスクとして上記金属遮光膜をウエットエッチング法
等によってエッチングし、所定形状のパターンをマスク
基板７上に形成する（工程１０５）。これにより、マス
ク基板７上に所定形状の遮光領域と透過領域とを形成す
る。

【０１１１】次いで、レジスト膜除去工程１０６、遮光
膜欠け修正工程１０７、遮光膜残り修正工程１０８およ
びマスク洗浄工程１０９を経た後、マスク基板７上に透
過光の位相をシフトさせる、例えばＳＯＧ等からなる位
相シフト膜をスピンコート法等によって堆積する（工程
１１０）。

【０１１２】ここで、ＳＯＧは、上記マスク基板７上に
塗布した後、高温ベークする。その際、光の位相を反転
させるには、位相シフト膜の厚さｄは、透過光の波長を
λ、透明膜の屈折率をｎとすると、ｄ＝λ／２（ｎ−
１）の関係を満たすようにする。

【０１１３】例えば露光に用いる光の波長λを0.３６５
μｍ（ｉ線）、位相シフト膜の屈折率ｎを、例えば1.５
とすると、位相シフト膜の厚さは、約0.３７μｍとすれ
ば良い。

【０１１４】続いて、位相シフト膜上に、例えば厚さが
0.０５μｍのアルミニウム（Ａｌ）からなる帯電防止膜
をスパッタリング法等によって堆積した後（工程１１
１）、位相シフト膜をパターニングするための感電子レ
ジスト膜を帯電防止膜上に塗布する（工程１１２）。

【０１１５】その後、そのレジスト膜を、上記と同様
に、電子線露光装置による直接描画法等によって露光
し、感電子レジスト膜に所望のシフタパターンを転写す
る（工程１１３）。

【０１１６】この電子線直接描画処理に際しては、上記
パターンデータ作成装置１の検証後マスクパターンデー
タ領域３ｂ4 に格納された正しいマスクパターンデータ
のうちのシフタパターンに基づいて作成された描画デー
タに従って、電子線をマスク基板７の指定位置に照射
し、感電子レジスト膜上に指定形状のシフタパターンを
転写する。

【０１１７】その後、現像工程１１４、現像処理によっ
て形成されたレジストパターンをエッチングマスクとし
て上記位相シフト膜をエッチングするエッチング工程１
１５、レジスト膜の除去工程１１６、シフタ欠け修正工
程１１７、シフタ残り修正工程１１８およびマスク洗浄
工程１１９を経て位相シフトマスク６を作成する。

【０１１８】次に、本実施例１の位相シフトマスク６を
用いた露光技術について説明する。

【０１１９】まず、図１６に、本実施例１の露光工程で
使用する縮小投影露光装置１１を示す。この露光に適用
可能なレンズ式ステップアンドリピート方式ｉ線５：１
縮小投影露光装置としては、例えば日本光学（Ｎｉｋｏ
ｎ）のｉ線ステッパＮＲＳ−１７５５ｉ７Ａ（ＮＡ＝0.
５、露光エリア＝１7.５mm角）がある。

【０１２０】同図において、１２は、例えば５〜８イン
チのシリコン（Ｓｉ）単結晶等からなる半導体ウエハ、
１３は露光光源である高圧水銀ランプ、１４は集光ミラ
ー、１５は第１平面反射鏡、１６はシャッタ、１７はフ
ライアイレンズ、１８はコヒーレンスファクタσ（本実
施例１では、σ＝0.５で使用した。）を調整するための
アパーチャ、１９はｉ線（３６５nm）の場合にｉ線より
も短波長の遠紫外をカットするためのショートカットフ
ィルタ、２０は第２平面反射鏡、２１は転写領域の範囲
を決めるためのマスクブラインド、２２はケーラー（Ｋ
ｏｅｈｌｅｒ）正面を形成するためのコンデンサレン
ズ、２３は位相シフトマスク６を保持して少なくともＺ
軸方向に微動可能なマスクホルダ、２４は一般に多数の
レンズ群からなる縮小投影レンズであり、上記例示した
縮小投影露光装置１１では上記半導体ウエハ１２側がテ
レセントリックに構成されている。なお、位相シフトマ
スク６側もテレセントリックに構成することもできる。
２５は、半導体ウエハ７を吸着するウエハ吸着台、２６
はＺ軸移動台（高さ方向）、２７はＸ軸移動台（水平横
方向）、２８はＹ軸移動台（水平前後方向）であり、上
記Ｘ軸移動台２７とともにＸＹステージを構成する。

【０１２１】露光処理に際しては、高圧水銀ランプ１３
から放射された光を、第１平面反射鏡１５、シャッタ１
６、フライアイレンズ１７、アパーチャ１８、ショート
カットフィルタ１９、第２平面反射鏡２０、マスクブラ
インド２１、コンデンサレンズ２２、位相シフトマスク
６および縮小投影レンズ２４を介して、半導体ウエハ１
２の表面に照射する。

【０１２２】これによって、半導体ウエハ１２上に塗布
されたフォトレジスト膜に、例えば0.３５μｍの微細な
配線パターンを有する所定の半導体集積回路パターンを
転写することが可能となる。

【０１２３】なお、上記位相シフトマスクの露光技術に
ついては、日本特願平３−１７０９４６号（１９９１年
７月１１日出願）に示されているので、それをもって本
願の記載の一部とする。

【０１２４】以上、本実施例１によれば、位相シフトマ
スク６のマスクパターンのデータ作成に際して、上記検
証１〜検証６を行うことにより、位相シフトマスク６の
マスクパターンのデータを検証および修正することがで
き、位相シフトマスクの正しいマスクパターンのデータ
を作成することが可能となる。

【０１２５】そして、この位相シフトマスクを用いて、
半導体ウエハの表面上のフォトレジスト膜に露光処理を
行うことにより、例えば0.３５μｍの微細な配線パター
ンを有する信頼性の高い半導体集積回路装置を製造する
ことが可能となる。

【０１２６】（実施の形態２）図１７および図１８は本
発明の他の実施例である位相シフトマスクのマスクパタ
ーンの検証工程を説明する工程図、図１９は本実施例２
の検証工程において用いる複数の接続穴パターン用セル
の平面図、図２０はマスクパターン例の平面図、図２１
はマスクパターンの分離工程の説明図、図２２は孤立パ
ターンの抽出工程の説明図、図２３は図１９の接続穴用
セルを用いて作成した検証用セルの平面図、図２４は図
２３の検証用セルの作成方法の説明図、図２５は図２０
のマスクパターンを検証用セルで置き換えたパターンの
平面図、図２６は隣接する検証用セルのうち重なるセル
を抽出したパターンの平面図である。

【０１２７】本実施例２においては、位相シフト法を用
いる接続穴パターン（以下、単に穴パターンという）の
データ作成方法を図１７〜図２６によって説明する。

【０１２８】ここで、穴パターンとは、半導体集積回路
装置において異なる配線層間および半導体ウエハと配線
層との間を接続する接続穴のパターンを、半導体ウエハ
上に塗布されたフォトレジスト膜に転写するためのマス
ク基板上に形成されたマスクパターンのことである。

【０１２９】ところで、位相シフト法を用いる穴パター
ンのレイアウトにおいては、例えば以下の第１〜第９の
規則が守られていなければならない。

【０１３０】第１の規則は、次の通りである。すなわ
ち、穴パターンを構成する実パターンの寸法が設計値通
りでなければならない。

【０１３１】第２の規則は、次の通りである。すなわ
ち、穴パターンを構成する補助パターンの寸法が設計値
通りでなければならない。ここで、補助パターンとは、
半導体ウエハ上には転写されないが、半導体ウエハ上に
所定のパターンを形成する上で必要なマスク基板上のパ
ターンを作成するためのレイアウトパターンである。

【０１３２】第３の規則は、次の通りである。すなわ
ち、補助パターンの長辺が実パターンの辺と向かい合っ
ていなければならない。

【０１３３】第４の規則は、次の通りである。すなわ
ち、孤立実パターン、孤立補助パターンおよび孤立シフ
タパターンは存在してはならない。

【０１３４】ここで、孤立実パターンとは、実パターン
のみで形成され、これだけでは所望する径の穴パターン
を転写することができないパターンである。孤立補助パ
ターンとは、補助パターンのみで形成され、これだけで
は穴パターンを転写することができないパターンであ
る。また、孤立シフタパターンとは、シフタパターンの
みで形成されているパターンである。

【０１３５】第５の規則は、次の通りである。すなわ
ち、実パターンと、それに対応する補助パターンとの相
対的な位置がずれてはならない。

【０１３６】第６の規則は、次の通りである。すなわ
ち、異なる穴パターンを構成する各々の実パターンが最
小間隔で並ぶ場合は、各々の実パターンの相対的な位置
がずれてはならない。

【０１３７】第７の規則は、次の通りである。すなわ
ち、実パターンと、補助パターンとの最小間隔が設計値
通りでなければならない。

【０１３８】第８の規則は、次の通りである。すなわ
ち、実パターンの四辺近傍には、必ず実パターンを透過
した光に対して、透過した光の位相が異なるパターンが
存在しなければならない。

【０１３９】第９の規則は、次の通りである。すなわ
ち、異なる実パターンが隣接する場合、これらの実パタ
ーン間の間隔および異なる穴パターンが隣接する場合の
補助パターン間の間隔が設計値通りでなければならな
い。

【０１４０】そこで、本実施例２においては、以上のよ
うな規則を満足する穴パターンのマスクパターンデータ
を作成するために、次のようにする。

【０１４１】まず、本実施例２においては、図１９に示
すような穴パターン用セル（以下、単に穴用セルとい
う）Ｃ1 〜Ｃ14を用意する。

【０１４２】図１９の穴用セルＣ1 は、中央にレイアウ
トされた四角形状の実パターンＴ1と、実パターンＴ1
の四辺近傍にそれぞれ配置された四角形状の補助パター
ンＡ1 〜Ａ4 と、補助パターンＡ1 〜Ａ4 上にそれぞれ
配置された斜線で示すシフタパターンＳ1 〜Ｓ4 とから
構成されている。

【０１４３】穴用セルＣ2 は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ2 と、実パターンＴ2 上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ5 と、実パターンＴ2 の四
辺近傍にそれぞれ配置された補助パターンＡ5 〜Ａ8 と
から構成されている。

【０１４４】穴用セルＣ3 は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ3 と、図１９において実パターンＴ3
の左辺および上下の辺の近傍にそれぞれ配置された四角
形状の補助パターンＡ9 〜Ａ11と、補助パターンＡ9 〜
Ａ11上にそれぞれ配置された斜線で示すシフタパターン
Ｓ6 〜Ｓ8 とから構成されている。

【０１４５】穴用セルＣ4 は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ4 と、実パターンＴ4 上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ9 と、図１９において実パ
ターンＴ4 の左辺および上下の辺の近傍にそれぞれ配置
された四角形状の補助パターンＡ12〜Ａ14とから構成さ
れている。

【０１４６】穴用セルＣ5 は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ5 と、図１９において実パターンＴ5
の右辺および上下の辺の近傍にそれぞれ配置された四角
形状の補助パターンＡ15〜Ａ17と、補助パターンＡ15〜
Ａ17上にそれぞれ配置された斜線で示すシフタパターン
Ｓ10〜Ｓ12とから構成されている。

【０１４７】穴用セルＣ6 は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ6 と、実パターンＴ6 上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ13と、図１９において実パ
ターンＴ6 の右辺および上下の辺の近傍にそれぞれ配置
された四角形状の補助パターンＡ18〜Ａ20とから構成さ
れている。

【０１４８】穴用セルＣ7 は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ7 と、図１９において実パターンＴ7
の左右の辺および下辺の近傍に配置された四角形状の補
助パターンＡ21〜Ａ23と、補助パターンＡ21〜Ａ23上に
配置された斜線で示すシフタパターンＳ14〜Ｓ16とから
構成されている。

【０１４９】穴用セルＣ8 は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ8 と、実パターンＴ8 上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ17と、図１９において実パ
ターンＴ8 の左右の辺および下辺の近傍に配置された四
角形状の補助パターンＡ24〜Ａ26とから構成されてい
る。

【０１５０】穴用セルＣ9 は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ9 と、図１９において実パターンＴ9
の左右の辺および上辺の近傍に配置された四角形状の補
助パターンＡ27〜Ａ29と、補助パターンＡ27〜Ａ29上に
それぞれ配置された斜線で示すシフタパターンＳ18〜Ｓ
20とから構成されている。

【０１５１】穴用セルＣ10は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ10と、実パターンＴ10上に配置された
斜線で示すシフタパターンＳ21と、図１９において実パ
ターンＴ10の左右の辺および上辺の近傍に配置された四
角形状の補助パターンＡ30〜Ａ32とから構成されてい
る。

【０１５２】穴用セルＣ11は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ11と、図１９において実パターンＴ11
の上下の辺の近傍に配置された四角形状の補助パターン
Ａ33，Ａ34と、補助パターンＡ33，Ａ34上にそれぞれ配
置されたシフタパターンＳ22，Ｓ23とから構成されてい
る。

【０１５３】穴用セルＣ12は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ12と、実パターンＴ12上に配置された
シフタパターンＳ24と、図１９において実パターンＴ12
の上下の辺の近傍に配置された四角形状の補助パターン
Ａ35，Ａ36とから構成されている。

【０１５４】穴用セルＣ13は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ13と、図１９において実パターンＴ13
の左右の辺の近傍に配置された四角形状の補助パターン
Ａ37，Ａ38と、補助パターンＡ37，Ａ38上に配置された
シフタパターンＳ25，Ｓ26とから構成されている。

【０１５５】穴用セルＣ14は、中央に配置された四角形
状の実パターンＴ14と、実パターンＴ14上に配置された
シフタパターンＳ27と、図１９において実パターンＴ14
の左右の辺の近傍に配置された四角形状の補助パターン
Ａ39，Ａ40とから構成されている。

【０１５６】なお、穴用セルＣ1 〜Ｃ14を構成する実パ
ターンＴ1 〜Ｔ14、補助パターンＡ1 〜Ａ40およびシフ
タパターンＳ1 〜Ｓ27は、寸法、位置関係等のデータ
が、正しく設定されている。

【０１５７】続いて、本実施例２の図１７に示す検証１
においては、次のようにする。まず、位相シフト法を用
いる全ての穴パターンを、上記穴用セルＣ1 〜Ｃ14を用
いてレイアウト平面にレイアウトし（工程１００）、例
えば図２０に示すようなマスクパターンＭＰを作成す
る。ただし、穴用セルＣ1 〜Ｃ14を用いないで個々の穴
パターンを形成する場合もある。

【０１５８】マスクパターンＭＰは、穴パターン２９ａ
〜２９ｏと、孤立補助パターン３０と、孤立実パターン
３１とを有している。

【０１５９】穴パターン２９ａ，２９ｉ，２９ｊ，２９
ｎ，２９ｏは、図１９の穴用セルＣ1 を用いてレイアウ
トされたパターンである。穴パターン２９ｂ，２９ｆ，
２９ｋは、図１９の穴用セルＣ3 を用いてレイアウトさ
れたパターンである。穴パターン２９ｃ，２９ｄ，２９
ｇ，２９ｌは、図１９の穴用セルＣ12を用いてレイアウ
トされたパターンである。穴パターン２９ｅ，２９ｈ，
２９ｍは、図１９の穴用セルＣ5 を用いてレイアウトさ
れたパターンである。

【０１６０】そして、図２０には、本実施例２のマスク
パターンのデータ検証方法を説明するために、例えば次
のようなエラーＥ1 〜Ｅ5 が含まれている。

【０１６１】第１のエラーＥ1 は、孤立補助パターン３
０および孤立実パターン３１が存在することである。

【０１６２】第２のエラーＥ2 は、透過する光の位相が
同一である穴パターン２９ｃ，２９ｄ同士が近接した状
態で配置されていることである。

【０１６３】第３のエラーＥ3 は、穴パターン２９ｇの
位置が隣接する他の穴パターン２９ｆ，２９ｈの位置と
比較して図２０の下方にずれていることである。

【０１６４】第４のエラーＥ4 は、穴パターン２９ｌ，
２９ｍが規定間隔よりも大きく、離れ過ぎている。

【０１６５】第５のエラーＥ5 は、穴パターン２９ｎ，
２９ｏが重なっている。

【０１６６】このようなマスクパターンは、図２１に示
すように、実パターンデータ層、補助パターンデータ層
およびシフタパターンデータ層に分離される。

【０１６７】実パターンデータ層は、実パターンＴ1 〜
Ｔ14，３１のデータのみを有している。補助パターンデ
ータ層は、補助パターンＡ1 〜Ａ40，３０のデータのみ
を有している。シフタパターンデータ層は、シフタパタ
ーンＳ1 〜Ｓ27のデータのみを有している。

【０１６８】それぞれのパターンデータ層は、個々独立
して図形処理が可能であるとともに、パターンデータ層
同士の合成等、パターンデータ層間の図形処理も可能で
ある。

【０１６９】続いて、本実施例２の図１７に示す検証１
においては、図２２に示すように、マスクパターンＭＰ
のうち、穴用セルＣ1 〜Ｃ14を用いて形成した穴パター
ン２９ａ〜２９ｏを空セルに置き換える（工程１０
１）。

【０１７０】ここで、空セルとは、パターンを持たな
い、セルの領域のみの情報を持ったセルである。本実施
例２においては、穴パターンの情報を持たないセルとし
ている。また、セルとは、マスクパターンをレイアウト
する時のパターンの基本単位をいい、１以上のレイアウ
トパターンから構成されている。セルを定義することに
より、同一のパターンを多数レイアウトするときにレイ
アウト時間を短縮できる。

【０１７１】そして、このような置き換え処理により、
穴用セル以外のパターン、すなわち、孤立補助パターン
３０や孤立実パターン３１等をレイアウト平面上に抽出
することができ、エラーＥ1 をチェックすることができ
る（工程１０２）。

【０１７２】ただし、マスクパターンの中に位相シフト
法を用いない、大径の穴パターンが混在する場合もあ
る。その場合には、上記置き換え工程１０２の後に、穴
パターンの径をチェックすることにより、エラーである
孤立実パターンか、エラーでない実パターンのみのパタ
ーンかを判定することができ、エラーである孤立実パタ
ーンのみを抽出することができる。

【０１７３】次に、本実施例２の図１８の検証２を工程
１００〜工程１０５に沿って図２０および図２３〜図２
６によって説明する。

【０１７４】まず、本実施例２においては、検証処理に
先立って、図２３に示すように、穴用セルＣ1 〜Ｃ14を
用いて、検証用セルＶＣ1 〜ＶＣ14を作成する。検証用
セルＶＣ1 〜ＶＣ14は、レイアウトルールの検証を行う
ために、穴用セルＣ1 〜Ｃ14と置換されたセルである。

【０１７５】検証用セルＶＣ1 〜ＶＣ14のうち、破線で
示されているのは、穴用セルＣ1 〜Ｃ14の実パターンに
シフタパターンが配置されているセルである。

【０１７６】また、検証用セルの所定の辺に付された四
角形状のマークｍは、その辺に補助パターンが存在しな
いことを示すマークである。そして、そのマークの付さ
れた検証用セルＶＣ3 〜ＶＣ14のうち、実パターンにシ
フタパターンが配置されているものには、そのマークｍ
内に左斜線、実パターンにシフタパターンが配置されて
いないものには、そのマークｍ内に右斜線が記されてい
る。

【０１７７】このような検証用セルＶＣ1 〜ＶＣ14は、
穴用セルＣ1 〜Ｃ14の実パターンおよび補助パターンを
太らせたパターンを合成することによって作成されてい
る。ここで、検証用セルＶＣ1 を例として、検証用セル
Ｃ1 〜Ｃ14の作成方法を図２４によって説明する。

【０１７８】まず、穴用セルＣ1 の実パターンＴ1 と、
補助パターンＡ1 〜Ａ4 とを分離する。続いて、その実
パターンＴ1 と、補助パターンＡ1 〜Ａ4 を所定量太ら
せる処理を行い、それぞれパターンＶＴ，ＶＡを形成す
る。

【０１７９】この場合のパターンを太らせる量は、検証
セルＣ1 〜Ｃ14のうちの隣接するセル間の間隔を判定で
きるように設定するものである。

【０１８０】本実施例２においては、実パターンＴ1 を
太らせる量は、例えば穴パターンの最小間隔の半分程度
である。また、補助パターンＡ1 〜Ａ4 を太らせる量
は、例えば補助パターンの最小間隔の半分程度である。

【０１８１】その後、パターンＶＴ，ＶＡを位置を合わ
せた状態で合成し、検証用セルＶＣ1 を作成する。

【０１８２】次いで、本実施例２の検証２においては、
まず、位相シフト法を用いる全ての穴パターンを、上記
穴用セルＣ1 〜Ｃ14を用いてレイアウト平面にレイアウ
トし（図１８の工程１００）、例えば図２０に示したマ
スクパターンＭＰを作成する。

【０１８３】続いて、そのマスクパターンＭＰにおける
穴用セルＣ1 〜Ｃ14を、上記検証用セルＶＣ1 〜ＶＣ14
に置き換えて（図１８の工程１０１）、図２５に示すよ
うな第３検証用パターンＶＰ3 を作成する。第３検証用
パターンＶＰ3 は、検証用セル３２ａ〜３２ｏを有して
いる。

【０１８４】続いて、検証用セル３２ａ〜３２ｏの配置
位置、配置順序を検証する（工程１０２）。ここでは、
例えば全てのマークｍが右斜線の付されたマークと、左
斜線の付されたマークとで重なっていること、すなわ
ち、孤立右斜線のマークｍや孤立左斜線のマークｍが存
在しないことをチェックする。

【０１８５】ここで、検証用セル３２ｃ，３２ｄの間に
おいては、１つの孤立左斜線のマークｍが配置されてい
るので、誤りであることを判定することができ、エラー
Ｅ2を見い出すことができる。

【０１８６】また、検証用セル３２ｆ，３２ｇ，３２ｈ
においても、孤立左斜線のマークｍおよび孤立右斜線の
マークｍが配置されているので、誤りであることを判定
することができ、エラーＥ3 を見い出すことができる。
しかも、この場合は、検証用セル３２ｆ，３２ｇ，３２
ｈの枠線の関係および孤立右斜線のマークｍと孤立左斜
線のマークｍとの位置関係から、検証用セル３２ｇの位
置が、検証用セル３２ｆ，３２ｈの位置よりも下方にず
れていると判定することができる。

【０１８７】さらに、検証用セル３２ｌ，３２ｍにおい
ても、孤立左斜線のマークｍおよび孤立右斜線のマーク
ｍが配置されているので、誤りであることを判定するこ
とができ、エラーＥ4 を見い出すことができる。しか
も、この場合は、孤立右斜線のマークｍと、孤立左斜線
のマークとの位置関係から、検証用セル３２ｌと検証用
セル３２ｍとが離れ過ぎていると判定することができ
る。

【０１８８】その後、検証用セル３２ａ〜３２ｏのう
ち、互いに重なり合っている検証用セル３２ｉ，３２ｊ
および検証用セル３２ｎ，３２ｏを抽出する（図１８の
工程１０３）。これにより抽出された第４検証用パター
ンＶＰ4 を図２６に示す。同図の斜線は重なりを示して
いる。

【０１８９】ここで、図２６に示す検証用パターンＶＰ
4 のうち、実線の検証用セル同士または破線の検証用セ
ル同士が重なる場合は正しく、実線の検証用セルと破線
の検証用セルとが重なる場合は誤りである。

【０１９０】続いて、第４検証用パターンＶＰ4 から実
パターン間に補助パターンが１つだけ介在されているパ
ターン、すなわち、孤立穴用セルが最小間隔で配置され
検証用セルで表示すると重なってしまうが正しいパター
ン、例えば図２０に示す穴用セル２９ｉ，２９ｊに当た
る検証用セル３２ｉ，３２ｊを抽出する（図１８の工程
１０４）。

【０１９１】その後、工程１０３によって抽出された第
４検証用パターンＶＰ4 から工程１０４によって抽出さ
れたパターンを削除する。これにより、誤った重なり方
をしている検証用セル３２ｎ，３２ｏが抽出され、エラ
ーＥ5 を見い出すことができる。

【０１９２】このように、本実施例２によれば、位相シ
フトマスクのマスクパターンのデータ作成に際して、上
記検証１，検証２を行うことによって、位相シフトマス
クのマスクパターンのデータを検証および修正すること
ができ、正しい位相シフトマスクのマスクパターンのデ
ータを作成することが可能となる。

【０１９３】そして、この位相シフトマスクを用いて、
半導体ウエハの表面上のフォトレジスト膜に所定のパタ
ーンを転写することにより、微細な穴パターンを有する
信頼性の高い半導体集積回路装置を製造することが可能
となる。

【０１９４】以上、本発明者によってなされた発明を実
施例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
１，２に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【０１９５】例えば前記実施例２においては、穴用セル
から検証用セルを作成する際に、実パターンおよび補助
パターンを太らせる量を、それぞれ穴パターンの最小間
隔の半分および補助パターンの最小間隔の半分とした
が、これに限定されるものではなく、例えばそれより小
さくして検証用セル間の間隔を検証するようにしても良
い。

【０１９６】また、前記実施例においては、説明上、配
線パターンと穴パターンとで実施例を分けて説明した
が、位相シフト法を用いる配線パターンと穴パターンと
を有するマスクパターンに対しては、その配線パターン
とその穴パターンとで、それぞれ実施例１，２の異なる
検証を行うことにより、そのマスクパターンのデータを
検証することができる。

【０１９７】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である半導体
集積回路装置の製造方法に適用した場合について説明し
たが、これに限定されず種々適用可能であり、例えばフ
ォトマスクや液晶基板に所定のパターンを転写する際に
用いる位相シフトマスクの製造方法等のような他の位相
シフトマスクの製造方法に適用することも可能である。

【０１９８】

【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下の通りである。

【０１９９】すなわち、前記した手段によれば、位相シ
フトマスクのマスクパターンのデータを検証および修正
することができ、位相シフトマスクの正しいマスクパタ
ーンのデータを作成することが可能となる。

【０２００】そして、その正しいマスクパターンのデー
タを用いて作成された位相シフトマスクを用いて、半導
体ウエハの表面上のフォトレジスト膜に所定の半導体集
積回路パターンを転写することにより、微細パターンを
有する信頼性の高い半導体集積回路装置を製造すること
が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例である位相シフトマスクのマ
スクパターンの検証工程を説明する工程図である。

【図２】位相シフトマスクのマスクパターンのデータ作
成に用いるパターンデータ作成装置の説明図である。

【図３】マスクパターン例の平面図である。

【図４】図３のマスクパターンの分離工程の説明図であ
る。

【図５】図３のマスクパターンにおける検証中の位相シ
フトパターンの平面図である。

【図６】位相シフトパターンの配置されていない実パタ
ーンの抽出工程の説明図である。

【図７】位相シフトパターンの配置されていない実パタ
ーンの平面図である。

【図８】位相シフトパターンの配置されていない実パタ
ーンと位相シフトパターンとを合成して検証用パターン
を作成する工程の説明図である。

【図９】図８で説明した検証用パターンの平面図であ
る。

【図１０】図１の検証４によるエラーパターンの抽出工
程の説明図である。

【図１１】図１の検証５によるエラーパターンの抽出工
程の説明図である。

【図１２】図１の検証５によるエラーパターンの抽出工
程の説明図である。

【図１３】欠けのある位相シフトパターンが配置されて
いるマスクパターンの平面図である。

【図１４】位相シフトマスクの要部断面図である。

【図１５】図１４の位相シフトマスクの製造工程を説明
する工程図である。

【図１６】図１４の位相シフトマスクを用いる縮小投影
露光装置の説明図である。

【図１７】本発明の他の実施例である位相シフトマスク
のマスクパターンの検証工程を説明する工程図である。

【図１８】本発明の他の実施例である位相シフトマスク
のマスクパターンの検証工程を説明する工程図である。

【図１９】本実施例２の検証工程において用いる複数の
接続穴パターン用セルの平面図である。

【図２０】マスクパターン例の平面図である。

【図２１】マスクパターンの分離工程の説明図である。

【図２２】孤立パターンの抽出工程の説明図である。

【図２３】図１９の接続穴用セルを用いて作成した検証
用セルの平面図である。

【図２４】図２３の検証用セルの作成方法の説明図であ
る。

【図２５】図２０のマスクパターンを検証用セルで置き
換えたパターンの平面図である。

【図２６】隣接する検証用セルのうち重なるセルを抽出
したパターンの平面図である。

【符号の説明】

１ パターンデータ作成装置 ２ ワークステーションシステム ２ａ 入力装置 ２ｂ ワークステーション本体 ２ｃ ディスプレイ ２ｄ 外部記憶装置 ３ 大形計算機システム ３ａ 大形計算機本体 ３ｂ 外部記憶装置 ３ｂ1 検証前マスクパターンデータ領域 ３ｂ2 ルールチェックプログラム領域 ３ｂ3 検証中マスクパターンデータ領域 ３ｂ4 検証後マスクパターンデータ領域 ４ ケーブル ５ｔ1 実パターン ５ｔ2 実パターン ５ｔ3 実パターン ５ｔ4 実パターン ５ｔ5 実パターン ５ｔ6 実パターン ５ｔ7 実パターン ５ｔ8 実パターン ５ｔ9 実パターン ５ｔ10 実パターン ５ｓ1 位相シフトパターン ５ｓ2 位相シフトパターン ５ｓ3 位相シフトパターン ５ｓ4 位相シフトパターン ５ｓ5 位相シフトパターン ６ 位相シフトマスク ７ マスク基板 ８ａ 遮蔽膜 ８ｂ 遮蔽膜 ８ｃ 遮蔽膜 ８ｄ 遮蔽膜 ９ａ 位相シフト膜（シフタ） ９ｂ 位相シフト膜（非シフト光透過部） １０ マスク基板露出部 １１ 縮小投影露光装置 １２ 半導体ウエハ １３ 高圧水銀ランプ １４ 集光ミラー １５ 第１平面反射板 １６ シャッタ １７ フライアイレンズ １８ アパーチャ １９ ショートカットフィルタ ２０ 第２平面反射板 ２１ マスクブラインド ２２ コンデンサレンズ ２３ マスクホルダ ２４ 縮小投影レンズ ２５ ウエハ吸着台 ２６ Ｚ軸移動台 ２７ Ｘ軸移動台 ２８ Ｙ軸移動台 ２９ａ 穴パターン ２９ｂ 穴パターン ２９ｃ 穴パターン ２９ｄ 穴パターン ２９ｅ 穴パターン ２９ｆ 穴パターン ２９ｇ 穴パターン ２９ｈ 穴パターン ２９ｉ 穴パターン ２９ｊ 穴パターン ２９ｋ 穴パターン ２９ｌ 穴パターン ２９ｍ 穴パターン ２９ｎ 穴パターン ２９ｏ 穴パターン ３０ 孤立補助パターン ３１ 孤立実パターン ３２ａ 検証用セル ３２ｂ 検証用セル ３２ｃ 検証用セル ３２ｄ 検証用セル ３２ｅ 検証用セル ３２ｆ 検証用セル ３２ｇ 検証用セル ３２ｈ 検証用セル ３２ｉ 検証用セル ３２ｊ 検証用セル ３２ｋ 検証用セル ３２ｌ 検証用セル ３２ｍ 検証用セル ３２ｎ 検証用セル ３２ｏ 検証用セル ＭＰ マスクパターン ＶＰ1 第１検証用パターン ＶＰ2 第２検証用パターン ＶＰ3 第３検証用パターン ＶＰ4 第４検証用パターン Ｃ1 穴パターン用セル Ｃ2 穴パターン用セル Ｃ3 穴パターン用セル Ｃ4 穴パターン用セル Ｃ5 穴パターン用セル Ｃ6 穴パターン用セル Ｃ7 穴パターン用セル Ｃ8 穴パターン用セル Ｃ9 穴パターン用セル Ｃ10 穴パターン用セル Ｃ11 穴パターン用セル Ｃ12 穴パターン用セル Ｃ13 穴パターン用セル Ｃ14 穴パターン用セル Ｔ1 実パターン Ｔ2 実パターン Ｔ3 実パターン Ｔ4 実パターン Ｔ5 実パターン Ｔ6 実パターン Ｔ7 実パターン Ｔ8 実パターン Ｔ9 実パターン Ｔ10 実パターン Ｔ11 実パターン Ｔ12 実パターン Ｔ13 実パターン Ｔ14 実パターン Ｓ1 位相シフトパターン Ｓ2 位相シフトパターン Ｓ3 位相シフトパターン Ｓ4 位相シフトパターン Ｓ5 位相シフトパターン Ｓ6 位相シフトパターン Ｓ7 位相シフトパターン Ｓ8 位相シフトパターン Ｓ9 位相シフトパターン Ｓ10 位相シフトパターン Ｓ11 位相シフトパターン Ｓ12 位相シフトパターン Ｓ13 位相シフトパターン Ｓ14 位相シフトパターン Ｓ15 位相シフトパターン Ｓ16 位相シフトパターン Ｓ17 位相シフトパターン Ｓ18 位相シフトパターン Ｓ19 位相シフトパターン Ｓ20 位相シフトパターン Ｓ21 位相シフトパターン Ｓ22 位相シフトパターン Ｓ23 位相シフトパターン Ｓ24 位相シフトパターン Ｓ25 位相シフトパターン Ｓ26 位相シフトパターン Ｓ27 位相シフトパターン Ａ1 補助パターン Ａ2 補助パターン Ａ3 補助パターン Ａ4 補助パターン Ａ5 補助パターン Ａ6 補助パターン Ａ7 補助パターン Ａ8 補助パターン Ａ9 補助パターン Ａ10 補助パターン Ａ11 補助パターン Ａ12 補助パターン Ａ13 補助パターン Ａ14 補助パターン Ａ15 補助パターン Ａ16 補助パターン Ａ17 補助パターン Ａ18 補助パターン Ａ19 補助パターン Ａ20 補助パターン Ａ21 補助パターン Ａ22 補助パターン Ａ23 補助パターン Ａ24 補助パターン Ａ25 補助パターン Ａ26 補助パターン Ａ27 補助パターン Ａ28 補助パターン Ａ29 補助パターン Ａ30 補助パターン Ａ31 補助パターン Ａ32 補助パターン Ａ33 補助パターン Ａ34 補助パターン Ａ35 補助パターン Ａ36 補助パターン Ａ37 補助パターン Ａ38 補助パターン Ａ39 補助パターン Ａ40 補助パターン ＶＣ1 検証用セル ＶＣ2 検証用セル ＶＣ3 検証用セル ＶＣ4 検証用セル ＶＣ5 検証用セル ＶＣ6 検証用セル ＶＣ7 検証用セル ＶＣ8 検証用セル ＶＣ9 検証用セル ＶＣ10 検証用セル ＶＣ11 検証用セル ＶＣ12 検証用セル ＶＣ13 検証用セル ＶＣ14 検証用セル ＶＴ パターン ＶＡ パターン Ｅ1 エラー Ｅ2 エラー Ｅ3 エラー Ｅ4 エラー Ｅ5 エラー Ｅ6 エラー Ｅ7 エラー Ｅ8 エラー Ｅ9 エラー Ｅ10 エラー

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 井伊 晴雄 東京都小平市上水本町５丁目20番１号 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリ ング株式会社内 (72)発明者 伊藤 和弥 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日 立製作所デバイス開発センタ内 (56)参考文献 特開 平６−35171（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−127150（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G03F 1/00 - 1/16

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 マスク基板上に位相シフトパターンを有
   する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
   する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
   データを有する実パターンデータ層、補助パターンのデ
   ータを有する補助パターンデータ層および位相シフトパ
   ターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に
   分離する工程と、予め用意されている穴パターン用セル
   を用いて穴パターンのデータを作成する工程と、前記穴
   パターンを構成する穴パターン用セルを穴パターンデー
   タのない空セルに置き換える工程と、その置き換え工程
   後に残った孤立補助パターン、孤立シフタパターン、孤
   立実パターンを抽出し、孤立実パターン、孤立補助パタ
   ーンおよび孤立シフタパターンは存在してはならないと
   の規則が守られているか否かをチェックする検証の工程
   と、前記検証の結果が良となるまで検証および修正を繰
   り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデータの作
   成工程によって作成された実パターンおよび補助パター
   ンのデータに基づいて遮光パターン描画データを作成す
   る工程と、前記マスクパターンのデータの作成工程によ
   って作成された位相シフトパターンのデータに基づいて
   位相シフトパターン描画データを作成する工程と、前記
   遮光パターン描画データに基づいて、前記マスク基板上
   に遮光パターンを形成する工程と、前記位相シフトパタ
   ーン描画データに基づいて、前記マスク基板上に位相シ
   フトパターンを形成する工程とを有することを特徴とす
   る位相シフトマスクの製造方法。
2. 【請求項２】 マスク基板上に位相シフトパターンを有
   する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
   する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
   データを有する実パターンデータ層、補助パターンのデ
   ータを有する補助パターンデータ層および位相シフトパ
   ターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に
   分離する工程と、予め用意されている穴パターン用セル
   を用いて穴パターンのデータを作成する工程と、前記穴
   パターンを構成する穴パターン用セルを穴パターンデー
   タのない空セルに置き換える工程と、その置き換え工程
   後に残った孤立補助パターン、孤立シフタパターン、孤
   立実パターンを抽出し、孤立実パターン、孤立補助パタ
   ーンおよび孤立シフタパターンは存在してはならないと
   の規則が守られているか否かをチェックする検証の工程
   と、前記検証の結果が良となるまで検証および修正を繰
   り返す工程とを有し、前記マスクパターンのデータの作
   成工程によって作成された実パターンおよび補助パター
   ンのデータに基づいて遮光パターン描画データを作成す
   る工程と、前記マスクパターンのデータの作成工程によ
   って作成された位相シフトパターンのデータに基づいて
   位相シフトパターン描画データを作成する工程と、前記
   遮光パターン描画データに基づいて、前記マスク基板上
   に遮光パターンを形成する工程と、前記位相シフトパタ
   ーン描画データに基づいて、前記マスク基板上に位相シ
   フトパターンを形成する工程と、前記遮光パターンおよ
   び位相シフトパターンを有する位相シフトマスクを用い
   て半導体ウエハの表面上のレジスト膜に対して所定の半
   導体集積回路パターンを転写する工程とを有することを
   特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
3. 【請求項３】 マスク基板上に位相シフトパターンを有
   する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
   する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
   データを有する実パターンデータ層、補助パターンのデ
   ータを有する補助パターンデータ層および位相シフトパ
   ターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に
   分離する工程と、予め用意されている穴パターン用セル
   を用いて穴パターンのデータを作成する工程と、前記穴
   パターンを構成する穴パターン用セルを検証用セルに置
   き換える工程と、前記検証用セルの相互間の関係の良否
   を検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証
   および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパター
   ンのデータの作成工程によって作成された実パターンお
   よび補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描画
   データを作成する工程と、前記マスクパターンのデータ
   の作成工程によって作成された位相シフトパターンのデ
   ータに基づいて位相シフトパターン描画データを作成す
   る工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、前
   記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記
   位相シフトパターン描画データに基づいて、前記マスク
   基板上に位相シフトパターンを形成する工程とを有する
   ことを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
4. 【請求項４】 マスク基板上に位相シフトパターンを有
   する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
   する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
   データを有する実パターンデータ層、補助パターンのデ
   ータを有する補助パターンデータ層および位相シフトパ
   ターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に
   分離する工程と、予め用意されている穴パターン用セル
   を用いて穴パターンのデータを作成する工程と、前記穴
   パターンを構成する穴パターンセルを検証用セルに置き
   換える工程と、前記検証用セルの相互間の関係の良否を
   検証する工程と、前記検証の結果が良となるまで検証お
   よび修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパターン
   のデータの作成工程によって作成された実パターンおよ
   び補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描画デ
   ータを作成する工程と、前記マスクパターンのデータの
   作成工程によって作成された位相シフトパターンのデー
   タに基づいて位相シフトパターン描画データを作成する
   工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、前記
   マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前記位
   相シフトパターン描画データに基づいて、前記マスク基
   板上に位相シフトパターンを形成する工程と、前記遮光
   パターンおよび位相シフトパターンを有する位相シフト
   マスクを用いて半導体ウエハの表面上のレジスト膜に対
   して所定の半導体集積回路パターンを転写する工程とを
   有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方
   法。
5. 【請求項５】 マスク基板上に位相シフトパターンを有
   する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
   する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
   データを有する実パターンデータ層、補助パターンのデ
   ータを有する補助パターンデータ層および位相シフトパ
   ターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に
   分離する工程と、前記マスクパターンのデータのうち、
   配線パターンのデータと、穴パターンのデータとで異な
   る検証を行う工程と、前記検証の結果が良となるまで検
   証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパタ
   ーンのデータの作成工程によって作成された実パターン
   および補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描
   画データを作成する工程と、前記マスクパターンのデー
   タの作成工程によって作成された位相シフトパターンの
   データに基づいて位相シフトパターン描画データを作成
   する工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、
   前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前
   記位相シフトパターン描画データに基づいて、前記マス
   ク基板上に位相シフトパターンを形成する工程とを有す
   ることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
6. 【請求項６】 マスク基板上に位相シフトパターンを有
   する位相シフトマスクのマスクパターンのデータを作成
   する際に、前記マスクパターンのデータを実パターンの
   データを有する実パターンデータ層、補助パターンのデ
   ータを有する補助パターンデータ層および位相シフトパ
   ターンのデータを有する位相シフトパターンデータ層に
   分離する工程と、前記マスクパターンのデータのうち、
   配線パターンのデータと、穴パターンのデータとで異な
   る検証を行う工程と、前記検証の結果が良となるまで検
   証および修正を繰り返す工程とを有し、前記マスクパタ
   ーンのデータの作成工程によって作成された実パターン
   および補助パターンのデータに基づいて遮光パターン描
   画データを作成する工程と、前記マスクパターンのデー
   タの作成工程によって作成された位相シフトパターンの
   データに基づいて位相シフトパターン描画データを作成
   する工程と、前記遮光パターン描画データに基づいて、
   前記マスク基板上に遮光パターンを形成する工程と、前
   記位相シフトパターン描画データに基づいて、前記マス
   ク基板上に位相シフトパターンを形成する工程と、前記
   遮光パターンおよび位相シフトパターンを有する位相シ
   フトマスクを用いて半導体ウエハの表面上のレジスト膜
   に対して所定の半導体集積回路パターンを転写する工程
   とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造
   方法。