TWI803710B - 決定方法、曝光方法、曝光裝置及物品製造方法 - Google Patents

決定方法、曝光方法、曝光裝置及物品製造方法 Download PDF

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Abstract

提供一種有利於同時確保上下層的重疊精度以及鄰接照射區的接合精度的接合曝光的技術。 決定方法，決定用於接合曝光的關於基板的第1照射區及第2照射區的對位的校正量，接合曝光對基板的第1照射區曝光形成第1像，對與第1照射區的一部分重複的第2照射區曝光形成第2像，得到疊接第1像和第2像的像，求出用於上下層的重疊的重疊標記間的位置偏移量即第1位置偏移量，求出用於第1照射區和第2照射區的對位的接合位置測量標記間的位置偏移量即第2位置偏移量，將第1位置偏移量加上預定比例的第2位置偏移量的位置偏移量決定為第1照射區和第2照射區重複的接合區域中的第1像的校正量，將從第1位置偏移量減相對預定比例的剩餘比例的第2位置偏移量的位置偏移量決定為接合區域中的第2像的校正量。

Description

決定方法、曝光方法、曝光裝置及物品製造方法
本發明涉及決定方法、曝光方法、曝光裝置及物品製造方法。
半導體、液晶面板等通過光刻程序製造。在光刻程序中，使用一邊經由投影光學系統在塗敷有感光劑的基板(玻璃基板、晶片)上對曝光區域進行掃描，一邊對原版(遮罩)的圖案進行投影的掃描型曝光裝置。近年來，液晶面板等顯示器的大型化得到發展，需要針對例如超過2m平方那樣的玻璃基板進行曝光。為了應對這樣的大型基板，並非對基板上的曝光區域的全部一次進行曝光，而將基板上的曝光區域分割為幾個照射區域進行曝光。此時，進行使鄰接的照射區域的一部分重疊而曝光的接合曝光。
在接合曝光中，在鄰接的照射區域彼此重疊的區域(接合區域)中的疊加(重疊)誤差變大時，在接合區域中發生不均。在專利文獻1中，公開了如下技術：特化為接合區域中的上下層之間的位置偏移量、或者鄰接照射區之間的位置偏移量的某一個，求出用於減小該偏移量的校正量，使用該校正量來進行曝光。另外，在專利文獻2中，公開了將構成1個裝置的多個照射區作為1個單位，進行照射區位置的校正的技術。照射區位置的校正以使構成1個裝置的多個照射區的疊接部中的重疊精度差成為最小的方式進行。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本特開平07-321026號公報 專利文獻2：日本特開平09-306818號公報
在進行接合曝光的情況下，鄰接照射區之間的位置偏移是決定製造的裝置的性能的最重要的指標。儘管如此，在以往的校正中，僅校正上下層之間的位置偏移量，未考慮鄰接照射區之間的位置偏移，或者，僅校正鄰接照射區之間的位置偏移量，未考慮上下層之間的位置偏移。對此，已提出了優先校正鄰接照射區之間的位置偏移的手法(接合優先校正)。根據該手法，雖然上下層之間的位置偏移的校正效果弱，但可滿足迄今的接合曝光的要求精度。
但是，伴隨基板的大型化以及圖案的微細化，同時高精度地保證上下層的重疊精度以及鄰接照射區的接合精度這兩方的要求變高。即，要求以高的精度同時校正上下層的偏移和鄰接照射區之間的位置偏移的手法。
本發明的目的在於提供一種有利於同時確保上下層的重疊精度以及鄰接照射區的接合精度的接合曝光的技術。
根據本發明的第1側面，提供一種決定方法，決定用於接合曝光的與基板的第1照射區域以及第2照射區域的對位有關的校正量，該接合曝光中對第1照射區域進行曝光來形成第1像，對與前述第1照射區域的一部分重複的第2照射區域進行曝光來形成第2像，得到將前述第1像和前述第2像疊接的像，前述決定方法的特徵在於，求出作為用於進行上下層的重疊的重疊標記之間的位置偏移量的第1位置偏移量，求出作為用於進行前述第1照射區域和前述第2照射區域的對位的接合位置測量標記之間的位置偏移量的第2位置偏移量，將對前述第1位置偏移量加上預定比例的前述第2位置偏移量而得到的位置偏移量決定為前述第1照射區域和前述第2照射區域重複的接合區域中的前述第1像的校正量，將從前述第1位置偏移量減去相對前述預定比例的剩餘比例的前述第2位置偏移量而得到的位置偏移量決定為前述接合區域中的前述第2像的校正量。
根據本發明，可提供有利於同時確保上下層的重疊精度以及鄰接照射區的接合精度的接合曝光的技術。
以下，參照圖式，詳細說明本發明的實施方式。
＜第1實施方式＞ 圖1示出實施方式中的曝光裝置的概略結構。該曝光裝置例如是採用使用了投影光學系統的鏡面投影方式的掃描型曝光裝置。此外，在本說明書以及附圖中，在將與利用基板載置台的基板保持面平行的方向設為XY平面的XYZ坐標系中表示方向。將XYZ坐標系中的與X軸、Y軸、Z軸分別平行的方向稱為X方向、Y方向、Z方向。另外，將曝光時的原版以及基板的掃描方向設為Y方向。
曝光裝置包含搭載原版30(遮罩)的原版載置台31、搭載基板60(例如玻璃平板)的基板載置台61、對原版30進行照明的照明光學系統10、以及將原版30的圖案投影到基板60的投影光學系統40。原版30和基板60隔著投影光學系統40配置於在光學上大致共軛的位置(投影光學系統40的物面以及像面)。在照明光學系統10與原版載置台31之間，配置有進行曝光光的整形的狹縫成像系統20。另外，在對基板60進行掃描曝光時，用於在基板60的表面的不同的區域使原版30的圖案的像重疊相互的一部分而依次曝光的X遮光板50配置於投影光學系統40與基板載置台61之間。控制部70控制曝光裝置的各部的驅動。
照明光學系統10可包含超高壓汞燈等光源部、波長選擇濾光片、透鏡群、遮蔽器等。照明光學系統10朝向狹縫成像系統20照射適合於曝光的波長的光。狹縫成像系統20具有未圖示的狹縫，將來自照明光學系統10的入射光整形為滿足一定的載置台掃描速度(例如掃描速度的上限值等)下的必要曝光量的曝光寬度。
在控制部70的控制下，通過未圖示的驅動機構，向Y方向掃描搭載有原版30的原版載置台31。在原版載置台31中配置有多個反射鏡32。多個反射鏡32分別對來自配置於原版載置台31外的干涉儀33的測量光進行反射。干涉儀33接受反射的測量光，常時監視、測量原版載置台31的位置。控制部70根據由干涉儀33測量的結果，進行原版載置台31的位置以及速度的控制。
投影光學系統40具有反射鏡以及透鏡，通過使曝光光反射、折射，將形成於原版30的圖案投影到基板60。另外，在控制部70的控制下，通過未圖示的驅動機構，在X、Y、以及Z方向上驅動反射鏡以及透鏡，產生任意的倍率、移位。
在本實施方式中的曝光裝置中，進行對基板的第1照射區域進行曝光來形成第1像，對與第1照射區域的一部分重複的第2照射區域進行曝光來形成第2像，得到將第1像和第2像疊接的像的接合曝光。曝光裝置為了進行該接合曝光，具備X遮光板50。此外，在以下的說明中，將「照射區域」還簡稱為「照射區」。可在控制部70的控制下，通過未圖示的驅動機構在Y方向上驅動X遮光板50。通過使X遮光板50在曝光光路內水平地移動而變更對曝光光進行遮光的位置，由狹縫成像系統20整形的曝光光相對掃描方向被傾斜地遮光，由此控制在基板上累計的曝光量。由此，可進行針對如圖2的(a)所示的接合照射區佈局的接合曝光的控制。即，如圖2的(b)所示，將照射區S1(第1照射區域)中的接合區域外的區域即非接合區域的照度分佈設為100%，將接合區域的各X位置的照度分佈設為負的斜率。例如，從接合區域的X方向的一端至另一端，使曝光量(照度)從100%直線地衰減至0%。另外，如圖2的(c)所示，將照射區S2(第2照射區域)的非接合區域的照度分佈設為100%，將接合區域的各X位置的照度分佈設為正的斜率。例如，從接合區域的X方向的一端至另一端，使曝光量從0%直線地增加至100%。這樣，在對照射區S1進行曝光時和對照射區S2進行曝光時，使接合區域中的曝光量交叉混合(cross fade)。由此，如圖2的(d)所示，針對接合區域以及非接合區域的累計的照度分佈以100%均衡化。
在控制部70的控制下，通過未圖示的驅動機構，向X、Y以及Z方向掃描搭載有基板60的基板載置台61。在基板載置台61中，配置有多個反射鏡62。多個反射鏡62分別對來自配置於基板載置台61外的干涉儀63的測量光進行反射。干涉儀63接受反射的測量光，常時監視、測量基板載置台61的位置。控制部70根據由干涉儀63測量的結果，進行基板載置台61的位置以及速度的控制。
對準儀(alignment scope)80經由原版30以及投影光學系統40，檢測基板60的對準標記。另一方面，軸外儀(off-axis scope)81配置於投影光學系統40的下部，不經由原版30以及投影光學系統40，檢測基板60的對準標記。
控制部70作為進行決定與照射區S1以及照射區S2的對位有關的校正量的處理的處理部發揮功能，並且作為進行接合曝光的控制的控制部發揮功能。在控制部70中，作為其功能結構，可包含數據保持部71、驅動量運算部72、驅動指示部73。數據保持部71保持從通過曝光裝置在基板上曝光的標記測量的照射區內的1個以上的點的X、Y方向的偏移量、各驅動軸的驅動偏置、靈敏度等驅動參數、由曝光裝置取得的各種測量數據。驅動量運算部72根據在數據保持部71中保持的數據，使用一般的統計手法，計算X、Y、Z方向的位置偏置、旋轉、倍率等各種校正分量。另外，驅動量運算部72根據驅動參數以及計算出的校正分量，決定各軸的驅動指示量。驅動指示部73使用由驅動量運算部72決定的針對各驅動機構的驅動指示量，輸出針對各驅動機構的驅動指示。此外，在控制部70中，作為其硬體結構，例如，可由包含CPU(中央處理裝置)以及記憶體的電腦裝置構成。在該情況下，數據保持部71可通過記憶體實現，驅動量運算部72以及驅動指示部73可通過CPU實現。
(實施例1) 參照圖3的流程圖，說明本實施方式中的決定用於接合曝光的與照射區S1以及照射區S2的對位有關的校正量的處理以及根據決定的校正量進行的曝光處理的概略。首先，針對照射區S1以及照射區S2，進行第1次的接合曝光(S101)。該第1次的接合曝光是用於決定校正量的曝光。此時使用的基板既可以是生產用的基板，也可以是測試用的基板。接下來，測量接合區域中的上下層的重疊(疊加)誤差、和照射區S1以及照射區S2的位置偏移(左右照射區的排列偏移)(S102)。該測量既可以使用曝光裝置外部的測量裝置來進行，也可以使用對準儀80或者軸外儀81來進行。
控制部70根據該測量結果，進行校正量的計算(決定)(S103)。將計算出的校正量作為曝光時的校正參數，存儲到例如數據保持部71。作為校正參數，有照射區域的移位、旋轉、倍率等，作為曝光裝置的控制對象，有載置台、光學系統等的控制數據，計算出的校正量可變換為適合於這些參數的校正值。
之後，進行第2次的曝光(接下來的接合曝光)。此處所稱的第2次的曝光可為使用了生產用的基板的正式曝光(S104)。在此控制部70反映校正值來實施接合曝光。
以下，詳細說明與上述S101~S103相關的、決定與照射區S1以及照射區S2的對位有關的校正量的決定方法。圖4是在S101中曝光的照射區S1的示意圖。在本實施方式中，用於上下層的重疊的測量、和用於照射區S1和照射區S2的對位的測量使用例如箱中箱(box in box)的標記來進行。在圖4中，在接合區域的下層中，已經形成有構成重疊標記的外箱(out box)標記91(基底標記)。在照射區S1的曝光時，形成用於與該外箱標記91的對位的內箱(in box)標記90(第1標記)。另外，在照射區S1的曝光時，作為用於照射區S1和照射區S2的對位的接合位置測量標記的外箱標記92(第2標記)也形成於接合區域內。
如上所述，在照射區S1中，從接合區域的X方向的一端至另一端，曝光量(照度)從100%直線地衰減至0%。如圖4所示，形成於接合區域內的各標記配置於照射區S1和照射區S2的重複寬度的方向(X方向)上的預定的位置x1，將位置x1處的曝光量的衰減率設為a%。根據在下層中形成的外箱標記91和在上層中形成的內箱標記90的位置的差，檢測重疊誤差(疊加誤差)。但是，在照射區S1被曝光的時間點，位置x1的照度僅為(100-a)%，所以內箱標記90以及外箱標記92未完全形成。
圖5是在S101中曝光的照射區S2的示意圖。在照射區S2的曝光時，為了與作為基底標記的外箱標記91的對位，以與內箱標記90重複的方式形成內箱標記93(第3標記)。另外，在照射區S2的曝光時，在與外箱標記92重複的位置，還形成作為用於照射區S1和照射區S2的對位的接合位置測量標記的內箱標記94(第4標記)。可根據在下層中形成的外箱標記91和在上層中形成的內箱標記93的位置的差，檢測重疊誤差。但是，照射區S2被曝光時的位置x1處的照度是a%，所以與理想位置坐標相同的圖4的內箱標記90的合計照度成為(100-a)+a=100%而在此完全形成。通過這樣將內箱標記90和內箱標記93重疊，如圖6所示，形成合成內箱標記95(合成標記)。因此，將測量出的合成內箱標記95相對外箱標記91的位置偏移量求出作為作為用於進行上下層的重疊的重疊標記(91、95)之間的位置偏移量的第1位置偏移量。
同樣地，在照射區S2中形成的內箱標記94的照度也並非100%。圖4的外箱標記92和圖5的內箱標記94也由於理想位置坐標相同，所以這些標記形成為夾入的位置關係，所以通過圖6所示的標記96，測量作為照射區S1和照射區S2的位置偏移量的第2位置偏移量。外箱標記92和內箱標記94可採用如圖7所示的灰色調箱中箱標記。通過研究遮罩上的各個標記的曝光光透射率，可高精度地測量照射區S1和照射區S2的位置偏移量。此外，例如，在日本特開2018-10211號公報中，公開了灰色調箱中箱標記的詳細內容。
將作為上層的重疊標記的內箱標記90(圖4)相對作為下層的重疊標記的外箱標記91的X方向的位置偏移量設為Δ1。即，Δ2表示照射區S1相對下層的位置偏移量。另外，將作為上層的重疊標記的內箱標記93(圖5)相對作為下層的重疊標記的外箱標記91的X方向的位置偏移量設為Δ2。即，Δ2表示照射區S2相對下層的位置偏移量。由此，在S102中，通過下式，求出通過左右照射區的疊接而成為合計照度100%的上層的合成內箱標記95相對下層的外箱標記91的向X方向的偏移量即第1位置偏移量M1。
Figure 02_image001
另外，根據標記96，通過下式，求出在照射區S2中曝光的內箱標記94相對在照射區S1中曝光的外箱標記92的位置偏移量(左右照射區排列偏移量)即第2位置偏移量M2(S102)。
Figure 02_image003
在此，為了簡化說明，考慮將接合區域中的各標記形成的X位置x1設為接合區域的中央(照射區S1和照射區S2的重複寬度的方向的中央)的情況。在該情況下，a=50%，所以(1)式如下所示。
Figure 02_image005
根據(2)式和(3)式，Δ1以及Δ2如下所示。
Figure 02_image007
由此，可將對第1位置偏移量M1加上預定比例(例如50%)的第2位置偏移量M2而得到的位置偏移量決定為接合區域中的照射區S1的第1像的校正量。另外，可將從第1位置偏移量M1減去相對上述預定比例的剩餘比例(例如100%-50%=50%)的第2位置偏移量M2而得到的位置偏移量決定為接合區域中的照射區S2的第2像的校正量。以上的說明可在將接合區域中的各標記形成的X位置x1設為任意的情況下一般化。
在此，使用從第1次的曝光(S101)的結果得到的位置偏移量，將基於照射區S1的曝光的X位置x1的校正量設為下式。
Figure 02_image009
另外，使用從第1次的曝光結果得到的位置偏移量，將基於照射區S2的曝光的X位置x1的校正量設為下式。
Figure 02_image011
由此，使用(6)、(7)式，X位置x1處的上下層的向X方向的校正量成為下式。
Figure 02_image013
對該(8)式代入(1)、(2)式時，如下所示。
Figure 02_image015
另外，疊接後的左右照射區排列偏移測量標記即標記96的向X方向的校正量如下式所示。
Figure 02_image017
作為上述校正後的效果，在第2次的曝光(S104)中，如以下所述，可進行無校正殘差的校正。 ･上下層的疊加 第1次的曝光的偏移量：
Figure 02_image019
第2次的曝光時的校正量：
Figure 02_image021
⇒校正殘差：0 ･左右照射區的排列偏移 第1次的曝光的偏移量：Δ1-Δ2 第2次的曝光的校正量：Δ1-Δ2 ⇒校正殘差：0
但是，根據處理特性、遮罩製造成本等生產條件的不同，還有無法如上述實施例1那樣在接合區域內配置標記的情況。此時，無法根據標記的測量結果，直接檢測接合區域中的上下層的偏移以及左右照射區排列偏移。在接下來的實施例2以及實施例3中，說明根據從接合區域外的標記檢測出的位置偏移資訊，推測接合區域內的上下層的偏移以及左右照射區排列偏移，而可使用實施例1的校正手法的例子。
(實施例2) 如圖8所示，曝光照射區的佈局與實施例1相同。在照射區S1中的接合區域外的位置，形成有可檢測照射區的特定部位的絕對位置的偏移的標記C1(第1照射區域側的接合位置測量標記)。另外，在照射區S1中的接合區域外的位置，還形成有可檢測特定部位的上下層的相對位置偏移的標記B1(第1照射區域側的重疊標記)。同樣地，在照射區S2中的接合區域外的位置，形成有可檢測照射區的特定部位的絕對位置的偏移的標記C2(第2照射區域側的接合位置測量標記)。另外，在照射區S2中的接合區域外的位置，還形成有可檢測特定部位的上下層的相對位置偏移的標記B2(第2照射區域側的重疊標記)。
以使在接合曝光後形成的標記C1、C2的理想位置的中心位置成為接合區域內的方式，調整標記C1、C2的照射區內配置位置。在該中心位置，設定將該中心位置處的照射區S1和照射區S2的曝光結果的相對位置偏移的檢測作為目的的假想標記C3(第2假想標記)。
同樣地，以使在接合曝光後形成的標記B1、B2的理想位置的中心位置成為接合區域內的方式，調整標記B1、B2的照射區內配置位置。在該中心位置，設定將該中心位置處的照射區S1和照射區S2的接合合成曝光結果和下層的相對位置偏移的檢測作為目的的假想標記B3(第1假想標記)。
如果分別得到假想標記C3以及假想標記B3的檢測量，則可使用與實施例1同樣的校正手法。根據標記C1的檢測量QC1 和標記C2的檢測量QC2 ，通過下式推測假想標記C3的檢測量QC3 。
Figure 02_image023
同樣地，根據標記B1的檢測量QB1 和標記B2的檢測量QB2 ，通過下式推測假想標記B3的檢測量QB3 。
Figure 02_image025
如以上所述，根據該實施例，在第1照射區域側的重疊標記與第2照射區域側的重疊標記之間的接合區域內的位置，設定第1假想標記。然後，根據第1照射區域側的重疊標記之間的位置偏移量和第2照射區域側的重疊標記之間的位置偏移量，推測第1假想標記的位置偏移量，將該推測出的位置偏移量求出作為第1位置偏移量。另外，在第1照射區域側的接合位置測量標記與第2照射區域側的接合位置測量標記之間的接合區域內的位置，設定第2假想標記。然後，根據第1照射區域側的接合位置測量標記之間的位置偏移量與第2照射區域側的接合位置測量標記之間的位置偏移量，推測第2假想標記的位置偏移量，將該推測出的位置偏移量求出作為第2位置偏移量。
此外，在圖8中，檢測照射區的特定部位的絕對位置的偏移的標記以及檢測特定部位的上下層的相對位置偏移的標記配置於接合區域的附近，不同的照射區的同種類的標記通過以接合區域的中心線對稱的方式而被配置。但是，本發明不限定於該配置。
(實施例3) 進而，如圖9所示，在照射區S1和照射區S2的各照射區內，在任意的直線上配置有多個檢測照射區的特定部位的絕對位置的偏移的標記的情況下，假想標記可配置於接合區域內的直線上的部位。將標記C10、C11、C20、C21至假想標記C30的距離分別設為D10、D11、D20、D21。另外，將標記C10、C11、C20、C21的檢測量分別設為QC10 、QC11 、QC20 、QC21 。在該情況下，通過下式，推測假想標記C30的檢測量QC30 。
Figure 02_image027
同樣地，在照射區S1和照射區S2的各照射區內，在任意的直線上配置有多個檢測特定部位的上下層的相對位置偏移的標記的情況下，假想標記可配置於接合區域內的直線上的部位。將從標記B10、B11、B20、B21至假想標記B30的距離分別設為E10、E11、E20、E21。另外，將標記B10、B11、B20、B21的檢測量分別設為QB10 、QB11 、QB20 、QB21 。在該情況下，通過下式，推測假想標記B30的檢測量QB30 。
Figure 02_image029
在圖9所示的方法中，根據配置的標記的檢測量，用線性插值求出假想標記的檢測量，但不限定於此。也可以通過其他一般的統計手法求出。
在上述各實施例中，將接合區域內的上下層檢測用標記或者其假想標記以及左右照射區排列偏移檢測標記或者其假想標記分別配置一個，但不限定於此。也可以將接合區域內的上下層檢測用標記或者其假想標記以及左右照射區排列偏移檢測標記或者其假想標記分別配置多個。
＜第2實施方式＞ 如圖1所示，實施方式中的曝光裝置具備對準儀80以及軸外儀81。在本實施方式中，通過對準儀80以及軸外儀81這雙方，測量在基板上曝光的標記，將測量數據保存到數據保持部71。關於對準儀80以及軸外儀81，通過控制部70實施校準處理，以在測量同一標記的情況下不論用哪個儀器測量都使測量值都相同的方式進行調整。在此，通過在曝光前測量在原版30和基板60上形成的標記，可實現在實施例1中說明的Δ1、Δ2的測量。通過使用該方法，也可實現第1實施方式中的實施例。
＜物品製造方法的實施方式＞ 本發明的實施方式所涉及的物品製造方法例如適合於製造半導體裝置等微型裝置、具有微細構造的元件等物品。本實施方式的物品製造方法包含：對塗敷於基板的感光劑使用上述圖案形成方法或者光刻裝置形成潛像圖案的程序(對基板進行曝光的程序)；以及對在上述程序中形成潛像圖案的基板進行加工(顯影)的程序。進而，上述製造方法包含其他公知的程序(氧化、成膜、蒸鍍、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑剝離、切割、接合、封裝等)。本實施方式的物品製造方法相比於以往的方法，在物品的性能、品質、生產率、生產成本中的至少1個方面更有利。
(其他實施方式) 本發明也可通過將實現上述實施方式的1個以上的功能的程序經由網路或者記憶媒體供給到系統或者裝置，由該系統或者裝置的電腦中的1個以上的處理器讀出並執行程序的處理來實現。另外，也可通過實現1個以上的功能的電路(例如ASIC)來實現。 其它實施例 本發明的實施例還可以通過如下的方法來實現，即，通過網路或者各種記憶媒體將執行上述實施例的功能的軟件(程序)提供給系統或裝置，該系統或裝置的電腦或是中央處理單元(CPU)、微處理單元(MPU)讀出並執行程序的方法。
以上，說明了本發明的實施方式，但本發明不限定於這些實施方式，可在其要旨的範圍內進行各種變形以及變更。
10:照明光學系統 20:狹縫成像系統 30:原版 40:投影光學系統 60:基板 70:控制部
[圖1] 是示出實施方式中的曝光裝置的結構的圖。 [圖2] 是示出接合曝光時的照度分佈的例子的圖。 [圖3] 是決定校正量的處理以及曝光處理的流程圖。 [圖4] 是示出照射區S1的標記配置的例子的圖。 [圖5] 是示出照射區S2的標記配置的例子的圖。 [圖6] 是示出接合區域中的重疊標記以及接合位置測量標記的例子的圖。 [圖7] 是示出接合位置測量標記的例子的圖。 [圖8] 是示出在接合區域中設定的假想標記的例子的圖。 [圖9] 是示出在接合區域中設定的假想標記的例子的圖。
10:照明光學系統
20:狹縫成像系統
30:原版
31:原版載置台
32:反射鏡
33:干涉儀
40:投影光學系統
50:X遮光板
60:基板
61:基板載置台
62:反射鏡
63:干涉儀
70:控制部
71:數據保持部
72:驅動量運算部
73:驅動指示部
80:對準儀
81:軸外儀

Claims (8)

  1. 一種決定方法，其為決定用於接合曝光的與基板的第1照射區域以及第2照射區域的對位有關的校正量者，該接合曝光中對前述第1照射區域進行曝光來形成第1像，對與前述第1照射區域的一部分重複的前述第2照射區域進行曝光來形成第2像，得到將前述第1像和前述第2像疊接的像，於前述決定方法，求出作為用於進行上下層的重疊的重疊標記之間的位置偏移量的第1位置偏移量，求出作為用於進行前述第1照射區域和前述第2照射區域的對位的接合位置測量標記之間的位置偏移量的第2位置偏移量，將對前述第1位置偏移量加上預定比例的前述第2位置偏移量而得到的位置偏移量決定為前述第1照射區域和前述第2照射區域重複的接合區域中的前述第1像的校正量，將從前述第1位置偏移量減去相對前述預定比例的剩餘比例的前述第2位置偏移量而得到的位置偏移量決定為前述接合區域中的前述第2像的校正量。
  2. 根據請求項1的決定方法，其中，對前述第1照射區域進行曝光，在前述接合區域形成用於與形成於該接合區域的下層的基底標記的對位的第1標記、和用於前述第1照射區域與前述第2照射區域的對位的第2標記，對前述第2照射區域進行曝光，為了與前述基底標記 的對位以與前述第1標記重複的方式形成第3標記，並且在前述接合區域中的與前述第2標記重複的位置形成第4標記，將通過重疊前述第1標記和前述第3標記而形成的合成標記相對前述基底標記的位置偏移量求出作為前述第1位置偏移量，將前述第4標記相對前述第2標記的位置偏移量求出作為前述第2位置偏移量。
  3. 根據請求項1決定方法，其中，前述重疊標記以及前述接合位置測量標記分別形成於前述第1照射區域中的前述接合區域外的位置、和前述第2照射區域中的前述接合區域外的位置，在前述第1照射區域側的重疊標記與前述第2照射區域側的重疊標記之間的前述接合區域內的位置，設定第1假想標記，根據前述第1照射區域側的重疊標記之間的位置偏移量和前述第2照射區域側的重疊標記之間的位置偏移量，推測前述第1假想標記的位置偏移量，將推測出的該位置偏移量求出作為前述第1位置偏移量，在前述第1照射區域側的接合位置測量標記與前述第2照射區域側的接合位置測量標記之間的前述接合區域內的位置，設定第2假想標記，根據前述第1照射區域側的接合位置測量標記之間的位置偏移量和前述第2照射區域側的接合位置測量標記之間的位置偏移量，推測前述第2假想標記的位置偏移量，將推測出的該位置偏移量求出作為前 述第2位置偏移量。
  4. 根據請求項1的決定方法，其中，以使從前述第1照射區域到前述第2照射區域的照度分佈均衡化的方式，在對前述第1照射區域進行曝光時、和對前述第2照射區域進行曝光時，使前述接合區域中的曝光量交叉混合。
  5. 根據請求項4的決定方法，其中，前述預定比例是在前述接合區域中的前述第1照射區域和前述第2照射區域的重複寬度的方向的前述重疊標記以及前述接合位置測量標記的位置之曝光量的衰減率。
  6. 一種曝光方法，具有：第1程序，其為對基板的第1照射區域進行曝光來形成第1像者；以及第2程序，其為對與前述第1照射區域的一部分重複的第2照射區域進行曝光來形成第2像；得到將前述第1像和前述第2像疊接的像，於前述曝光方法，在前述第1程序中，用通過根據請求項1至5中任一項的決定方法決定的前述第1像的校正量來校正前述第1照射區域的與前述第2照射區域重複的接合區域中的前述第1像，在前述第2程序中，用通過根據請求項1至5中任一項的決定方法決定的前述第2像的校正量來校正前述接合區域中的前述第2像。
  7. 一種曝光裝置，其為進行接合曝光者，該接合曝光中對基板的第1照射區域進行曝光來形成第1像，對與前述第1照射區域的一部分重複的第2照射區域進行曝光來形成第2像，得到將前述第1像和前述第2像疊接的像，前述曝光裝置具有：處理部，其進行決定與前述第1照射區域及前述第2照射區域的對位有關的校正量的處理；以及控制部，其進行前述接合曝光的控制；前述處理部：求出作為用於進行上下層的重疊的重疊標記之間的位置偏移量的第1位置偏移量，求出作為用於進行前述第1照射區域和前述第2照射區域的對位的接合位置測量標記之間的位置偏移量的第2位置偏移量，將對前述第1位置偏移量加上預定比例的前述第2位置偏移量而得到的位置偏移量決定為前述第1照射區域和前述第2照射區域重複的接台區域中的前述第1像的校正量，將從前述第1位置偏移量減去相對前述預定比例的剩餘比例的前述第2位置偏移量而得到的位置偏移量決定為前述接合區域中的前述第2像的校正量，前述控制部用前述決定的前述第1像的校正量來校正前述接合區域中的前述第1像，並且用前述決定的前述第2像的校正量來校正前述接合區域中的前述第2像，從而執行前述接合曝光。
  8. 一種物品製造方法，包含：使用根據請求項6的曝光方法對基板進行曝光的程序；以及對在前述程序中曝光的前述基板進行顯影的程序，根據顯影的前述基板製造物品。
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