JP2020190654A - 露光装置及び物品の製造方法 - Google Patents
露光装置及び物品の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020190654A JP2020190654A JP2019096252A JP2019096252A JP2020190654A JP 2020190654 A JP2020190654 A JP 2020190654A JP 2019096252 A JP2019096252 A JP 2019096252A JP 2019096252 A JP2019096252 A JP 2019096252A JP 2020190654 A JP2020190654 A JP 2020190654A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- optical system
- projection optical
- light
- measurement pattern
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 69
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract description 208
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims abstract description 132
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 108
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 38
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 26
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 abstract description 13
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 19
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 5
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 4
- 102100037591 Neuroserpin Human genes 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 108010080874 neuroserpin Proteins 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 101000701902 Homo sapiens Serpin B4 Proteins 0.000 description 2
- 101150101019 PI21 gene Proteins 0.000 description 2
- 102100030326 Serpin B4 Human genes 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 230000004304 visual acuity Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
- G03F7/70133—Measurement of illumination distribution, in pupil plane or field plane
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70641—Focus
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7023—Aligning or positioning in direction perpendicular to substrate surface
- G03F9/7026—Focusing
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70258—Projection system adjustments, e.g. adjustments during exposure or alignment during assembly of projection system
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/70775—Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7003—Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
- G03F9/7019—Calibration
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7073—Alignment marks and their environment
- G03F9/7084—Position of mark on substrate, i.e. position in (x, y, z) of mark, e.g. buried or resist covered mark, mark on rearside, at the substrate edge, in the circuit area, latent image mark, marks in plural levels
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
- G03F9/7088—Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
部分PE3、PE2及びPE1は、ベストフォーカス位置から−Z方向に像面がずれていることを示し、部分PE5、PE6及びPE7は、ベストフォーカス位置から+Z方向に像面がずれていることを示している。従って、部分PE4に対応する撮像素子23の画素(位置)を求めることができれば、以下の式(1)から、ベストフォーカス位置BFを求めることが可能である。
Claims (11)
- マスクのパターンを基板に転写する露光処理を行う露光装置であって、
前記マスクのパターンを前記基板に投影する投影光学系と、
前記投影光学系の物体面に配置され、前記投影光学系の光軸方向における位置が互いに異なる複数のパターン要素を含む計測パターンと、
前記計測パターンからの光を前記投影光学系を介して検出する第1検出部と、
前記露光処理を行う際に、前記光軸方向における前記マスクと前記基板との相対位置を制御する制御部と、を有し、
前記制御部は、第1タイミングで前記投影光学系の基準フォーカス位置に配置された前記第1検出部の検出結果から得られる前記複数のパターン要素のそれぞれを通過した光の光量を表す第1光量分布と、前記第1タイミングの後の第2タイミングで前記基準フォーカス位置に配置された前記第1検出部の検出結果から得られる前記複数のパターン要素のそれぞれを通過した光の光量を表す第2光量分布とに基づいて、前記相対位置を制御することを特徴とする露光装置。 - 前記基準フォーカス位置は、前記第1タイミングにおける前記投影光学系のベストフォーカス位置を含むことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
- 前記制御部は、前記第1光量分布と前記第2光量分布との差から前記第2タイミングにおける前記投影光学系のベストフォーカス位置に前記基板を位置決めするために必要となる前記基板を保持するステージの前記光軸方向の移動量を求め、前記移動量で前記ステージを移動させることで前記相対位置を制御することを特徴とする請求項1又は2に記載の露光装置。
- 前記計測パターンは、
前記複数のパターン要素が形成された平板で構成され、
前記複数のパターン要素のそれぞれの前記光軸方向における位置が互いに異なるように、前記平板の法線が前記投影光学系の光軸に対して傾いて配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記投影光学系の物体面に配置される物体面側パターンと、
前記投影光学系の像面に配置される像面側パターンと、
前記物体面側パターンからの光を、前記投影光学系及び前記像面側パターンを介して検出する第2検出部と、
を更に有し、
前記制御部は、前記像面側パターンを前記光軸方向に移動させながら前記第2検出部で検出される光の光量の分布に基づいて前記基準フォーカス位置を決定することを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記投影光学系の物体面に配置される物体面側パターンを更に有し、
前記第1検出部は、前記物体面側パターンからの光を前記投影光学系を介して検出し、
前記制御部は、前記第1検出部を前記光軸方向に移動させながら前記第1検出部で検出される光の光量の変化に基づいて前記基準フォーカス位置を決定することを特徴とする請求項1乃至4のうちいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記計測パターンを前記投影光学系の光軸に直交する軸周りに回転させる回転部を更に有し、
前記計測パターンは、前記複数のパターン要素が形成された平板で構成され、
前記回転部は、前記第2タイミングにおいて、前記複数のパターン要素のそれぞれの前記光軸方向における位置が互いに異なるように、前記計測パターンを回転させることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の露光装置。 - 前記投影光学系の像面に配置される像面側パターンと、
前記計測パターンからの光を前記投影光学系及び前記像面側パターンを介して検出する第2検出部と、
を更に有し、
前記制御部は、前記平板の法線が前記投影光学系の光軸と平行になるように、前記回転部が前記計測パターンを回転させた状態において、前記像面側パターンを前記光軸方向に移動させながら前記第2検出部で検出される光の光量の変化に基づいて前記基準フォーカス位置を決定することを特徴とする請求項7に記載の露光装置。 - 前記第1検出部は、前記計測パターンの像を検出する撮像素子を含むことを特徴とする請求項1乃至8のうちいずれか1項に記載の露光装置。
- 前記投影光学系と前記撮像素子との間に配置され、前記撮像素子上に前記計測パターンの像を形成する結像系を更に有することを特徴とする請求項9に記載の露光装置。
- 請求項1乃至10のうちいずれか1項に記載の露光装置を用いて基板を露光する工程と、
露光した前記基板を現像する工程と、
現像された前記基板から物品を製造する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019096252A JP7320986B2 (ja) | 2019-05-22 | 2019-05-22 | 露光装置及び物品の製造方法 |
TW111148390A TWI836797B (zh) | 2019-05-22 | 2020-04-22 | 曝光裝置及製造物品之方法 |
TW109113435A TWI790433B (zh) | 2019-05-22 | 2020-04-22 | 曝光裝置及製造物品之方法 |
KR1020200053646A KR20200135174A (ko) | 2019-05-22 | 2020-05-06 | 노광 장치 및 물품의 제조 방법 |
CN202010417810.2A CN111983897B (zh) | 2019-05-22 | 2020-05-18 | 曝光装置及物品的制造方法 |
US16/876,453 US11181825B2 (en) | 2019-05-22 | 2020-05-18 | Exposure apparatus and method of manufacturing article |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019096252A JP7320986B2 (ja) | 2019-05-22 | 2019-05-22 | 露光装置及び物品の製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020190654A true JP2020190654A (ja) | 2020-11-26 |
JP2020190654A5 JP2020190654A5 (ja) | 2022-05-20 |
JP7320986B2 JP7320986B2 (ja) | 2023-08-04 |
Family
ID=73441623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019096252A Active JP7320986B2 (ja) | 2019-05-22 | 2019-05-22 | 露光装置及び物品の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11181825B2 (ja) |
JP (1) | JP7320986B2 (ja) |
KR (1) | KR20200135174A (ja) |
CN (1) | CN111983897B (ja) |
TW (2) | TWI836797B (ja) |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001035785A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-02-09 | Svg Lithography Syst Inc | 光学系の特性を測定する方法及び装置 |
JP2008140911A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | フォーカスモニタ方法 |
JP2008199034A (ja) * | 1999-03-08 | 2008-08-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置のオフアクシスレベリング |
JP2013186425A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Nikon Corp | 焦点位置検出方法、露光方法、デバイス製造方法及び露光装置 |
JP2014003088A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 露光方法、露光装置およびフォトマスク |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3013463B2 (ja) | 1991-02-01 | 2000-02-28 | 株式会社ニコン | 焦点位置検出装置及び投影露光装置 |
US5331369A (en) * | 1991-09-20 | 1994-07-19 | Hitachi, Ltd. | Method of forming patterns and apparatus for carrying out the same |
JP4323608B2 (ja) * | 1999-03-12 | 2009-09-02 | キヤノン株式会社 | 露光装置およびデバイス製造方法 |
US6885429B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-04-26 | Asml Holding N.V. | System and method for automated focus measuring of a lithography tool |
CN101226299B (zh) * | 2007-01-18 | 2011-07-13 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 制作具有光散射效果的彩色滤光层的方法 |
TWI383273B (zh) * | 2007-11-20 | 2013-01-21 | Asml Netherlands Bv | 微影投射裝置之焦點測量方法及微影投射裝置之校準方法 |
JP5209946B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2013-06-12 | 株式会社オーク製作所 | 焦点位置検出方法および描画装置 |
CN102034732B (zh) * | 2009-09-30 | 2015-01-21 | 京瓷株式会社 | 吸附用构件、使用其的吸附装置及带电粒子线装置 |
TWI671796B (zh) * | 2014-12-05 | 2019-09-11 | 日商奧克製作所股份有限公司 | 曝光裝置 |
-
2019
- 2019-05-22 JP JP2019096252A patent/JP7320986B2/ja active Active
-
2020
- 2020-04-22 TW TW111148390A patent/TWI836797B/zh active
- 2020-04-22 TW TW109113435A patent/TWI790433B/zh active
- 2020-05-06 KR KR1020200053646A patent/KR20200135174A/ko not_active Application Discontinuation
- 2020-05-18 CN CN202010417810.2A patent/CN111983897B/zh active Active
- 2020-05-18 US US16/876,453 patent/US11181825B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008199034A (ja) * | 1999-03-08 | 2008-08-28 | Asml Netherlands Bv | リソグラフィ投影装置のオフアクシスレベリング |
JP2001035785A (ja) * | 1999-06-24 | 2001-02-09 | Svg Lithography Syst Inc | 光学系の特性を測定する方法及び装置 |
JP2008140911A (ja) * | 2006-11-30 | 2008-06-19 | Toshiba Corp | フォーカスモニタ方法 |
JP2013186425A (ja) * | 2012-03-09 | 2013-09-19 | Nikon Corp | 焦点位置検出方法、露光方法、デバイス製造方法及び露光装置 |
JP2014003088A (ja) * | 2012-06-15 | 2014-01-09 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 露光方法、露光装置およびフォトマスク |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202314402A (zh) | 2023-04-01 |
CN111983897B (zh) | 2024-04-23 |
TWI836797B (zh) | 2024-03-21 |
US20200371443A1 (en) | 2020-11-26 |
TW202043939A (zh) | 2020-12-01 |
CN111983897A (zh) | 2020-11-24 |
KR20200135174A (ko) | 2020-12-02 |
JP7320986B2 (ja) | 2023-08-04 |
TWI790433B (zh) | 2023-01-21 |
US11181825B2 (en) | 2021-11-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6636311B1 (en) | Alignment method and exposure apparatus using the same | |
KR102198599B1 (ko) | 마스크, 계측 방법, 노광 방법, 및 물품 제조 방법 | |
US7209215B2 (en) | Exposure apparatus and method | |
JP2009206458A (ja) | 検出装置、露光装置およびデバイス製造方法 | |
JP2003007598A (ja) | フォーカスモニタ方法およびフォーカスモニタ用装置ならびに半導体装置の製造方法 | |
JP2003156832A (ja) | 収差計測用フォトマスク、収差計測方法、収差計測用装置および装置の製造方法 | |
TWI409595B (zh) | 測量設備,具有此測量設備之投影曝光設備以及裝置製造方法 | |
JP2009216454A (ja) | 波面収差測定装置、波面収差測定方法、露光装置およびデバイス製造方法 | |
CN111338186B (zh) | 决定方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法 | |
KR20100131924A (ko) | 파면수차 측정 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법 | |
US11531276B2 (en) | Exposure apparatus, exposure method, and article manufacturing method | |
JP7320986B2 (ja) | 露光装置及び物品の製造方法 | |
TWI722386B (zh) | 決定方法、曝光方法、曝光裝置、物品的製造方法及記憶媒體 | |
JP2696962B2 (ja) | 線幅測定方法及び該方法を用いた露光装置の検査方法 | |
CN118244574A (zh) | 曝光装置及物品的制造方法 | |
JP2934726B2 (ja) | 投影露光方法 | |
US20100177290A1 (en) | Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method | |
TW202207276A (zh) | 調整方法、曝光方法、曝光裝置及物品製造方法 | |
US10222293B2 (en) | Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method by detecting a light amount of measuring light | |
JPH08181051A (ja) | ディストーション計測方法 | |
JPH1074696A (ja) | 投影型露光装置、及び投影露光方法 | |
JP2014143382A (ja) | 面位置検出装置、露光装置、及び、デバイス製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20210103 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220511 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220511 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20221221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230308 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20230626 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20230725 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 7320986 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |