TW202207276A - 調整方法、曝光方法、曝光裝置及物品製造方法 - Google Patents

調整方法、曝光方法、曝光裝置及物品製造方法 Download PDF

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Abstract

[課題] 提供有利於進一步提高上下層之間的重疊精度以及鄰接曝射區域之間的排列精度的接合曝光的技術。 [解決手段] 提供一種調整方法，其用於接合曝光，在前述接合曝光中，對基板的第1曝射區域進行曝光而形成第1像，設置與前述第1曝射區域的一部分重複的重複區域地對第2曝射區域進行曝光而形成第2像，得到將前述第1像和前述第2像接合起來的像。調整方法中，對前述第1曝射區域進行曝光，將多個第1標記轉印到作為前述第1曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並將第2標記及第3標記轉印到前述重複區域，對前述第2曝射區域進行曝光，將多個第4標記轉印到作為前述第2曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並在前述重複區域中，與前述第2標記重疊地轉印第5標記，並在與前述第3標記對應的位置轉印第6標記，測量表示前述第1曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第1標記和與該多個第1標記對應的多個基底標記的各偏移量以及前述第2曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第4標記和與該多個第4標記對應的多個基底標記的各偏移量的多個第1偏移量，測量與前述重複區域中的前述第2標記及前述第5標記和與前述第2標記及前述第5標記分別對應的基底標記的偏移量有關的第2偏移量，測量作為前述重複區域中的前述第3標記和前述第6標記的偏移量的第3偏移量，以使前述多個第1偏移量、前述第2偏移量和前述第3偏移量中的各個偏移量降低的方式決定前述第1像的校正量和前述第2像的校正量，根據前述第1像的校正量和前述第2像的校正量來進行調整。

Description

調整方法、曝光方法、曝光裝置及物品製造方法
本發明涉及調整方法、曝光方法、曝光裝置以及物品製造方法。
半導體裝置、平板顯示器(FPD)等通過光刻程序而製造。在光刻程序中，使用經由投影光學系統一邊在塗敷有感光劑的基板(玻璃基板、晶片)上掃描曝光區域一邊對原版(遮罩)的圖案進行投影的掃描型曝光裝置。
近年來，隨著液晶面板等顯示器的大型化，需要針對超過2m見方的玻璃基板進行曝光。為了應對這樣的基板的大型化，並非一次曝光基板上的全部曝光區域，而是將基板上的曝光區域分割成幾個曝射(shot)區域來進行曝光。此時，進行使鄰接的曝射區域的一部分重疊而曝光的接合曝光。
在接合曝光中，在鄰接的曝射區域彼此重疊的區域(重複區域)中的疊加誤差變大時，在重複區域中發生不均。專利文獻1公開了一種以使重複區域中的上下層之間的位置偏移量與鄰接曝射區域之間的位置偏移量的校正殘差成為0的方式決定校正量的技術。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2020-098285號公報
[發明欲解決的課題]
在進行應對基板的大型化並且實現圖案的微細化的曝光的情況下，上下層之間的位置偏移以及鄰接曝射區域之間的位置偏移是決定所製造的裝置的性能的重要的指標。伴隨近年來的圖案的微細化，上下層之間的重疊精度以及鄰接曝射區域之間的排列精度的要求值也變得嚴苛。因此，以往，僅在各曝射區域的周緣部分進行位置偏移的檢查的情形較多，但今後有在曝射區域的中央部分也配置檢查點的可能性。
然而，在如專利文獻1記載的以往技術中，有時無法在包括曝射區域的中央部分的檢查點在內的多個檢查點的全部點處使上下層之間的位置偏移與鄰接曝射區域之間的位置偏移的校正殘差成為0。在以往的校正中，特別是鄰接曝射區域之間的位置偏移在計算算法上校正殘差變大的可能性高。
本發明的目的在於提供一種有利於進一步提高上下層之間的重疊精度以及鄰接曝射區域之間的排列精度的接合曝光的技術。 [解決課題的技術手段]
根據本發明的第1方案，提供一種調整方法，其用於接合曝光，在前述接合曝光中，對基板的第1曝射區域進行曝光而形成第1像，設置與前述第1曝射區域的一部分重複的重複區域地對第2曝射區域進行曝光而形成第2像，得到將前述第1像和前述第2像接合起來的像，對前述第1曝射區域進行曝光，將多個第1標記轉印到作為前述第1曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並將第2標記及第3標記轉印到前述重複區域，對前述第2曝射區域進行曝光，將多個第4標記轉印到作為前述第2曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並在前述重複區域中，與前述第2標記重疊地轉印第5標記，並在與前述第3標記對應的位置轉印第6標記，測量表示前述第1曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第1標記和與該多個第1標記對應的多個基底標記的各偏移量以及前述第2曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第4標記和與該多個第4標記對應的多個基底標記的各偏移量的多個第1偏移量，測量與前述重複區域中的前述第2標記及前述第5標記和與前述第2標記及前述第5標記分別對應的基底標記的偏移量有關的第2偏移量，測量作為前述重複區域中的前述第3標記和前述第6標記的偏移量的第3偏移量，以使前述多個第1偏移量、前述第2偏移量和前述第3偏移量中的各個偏移量降低的方式決定前述第1像的校正量和前述第2像的校正量，根據前述第1像的校正量和前述第2像的校正量來進行調整。
根據本發明的第2方案，提供一種曝光方法，其具有：第1程序，其為對基板的第1曝射區域進行曝光而形成第1像者；以及第2程序，其為設置與前述第1曝射區域的一部分重複的重複區域地對第2曝射區域進行曝光而形成第2像者，在前述曝光方法中，進行得到將前述第1像和前述第2像接合起來的像的接合曝光，在前述第1程序中，利用如請求項1至7中任一項的調整方法來調整前述第1像，在前述第2程序中，利用如請求項1至7中任一項的調整方法來調整前述第2像。
根據本發明的第3方案，提供一種曝光裝置，其進行接合曝光，在前述接合曝光中，對基板的第1曝射區域進行曝光而形成第1像，設置與前述第1曝射區域的一部分重複的重複區域地對第2曝射區域進行曝光而形成第2像，得到將前述第1像和前述第2像接合起來的像，前述曝光裝置具有：處理部，其進行決定與前述第1曝射區域及前述第2曝射區域的對位有關的校正量的處理；以及控制部，其進行曝光的控制，前述控制部對前述第1曝射區域進行曝光，將多個第1標記轉印到作為前述第1曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並將第2標記及第3標記轉印到前述重複區域，對前述第2曝射區域進行曝光，將多個第4標記轉印到作為前述第2曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並在前述重複區域中，與前述第2標記重疊地轉印第5標記，並在與前述第3標記對應的位置轉印第6標記，前述處理部測量表示前述第1曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第1標記和與該多個第1標記對應的多個基底標記的各偏移量以及前述第2曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第4標記和與該多個第4標記對應的多個基底標記的各偏移量的多個第1偏移量，測量與前述重複區域中的前述第2標記及前述第5標記和與前述第2標記及前述第5標記分別對應的基底標記的偏移量有關的第2偏移量，測量作為前述重複區域中的前述第3標記和前述第6標記的偏移量的第3偏移量，以使前述多個第1偏移量、前述第2偏移量和前述第3偏移量中的各個偏移量降低的方式決定前述第1像的校正量和前述第2像的校正量，前述控制部利用前述決定的前述第1像的校正量來調整前述第1像，並利用前述決定的前述第2像的校正量來調整前述第2像，執行前述接合曝光。
根據本發明的第4方案，提供一種物品製造方法，其包括：使用上述第2方案所涉及的曝光方法對基板進行曝光的程序；以及對前述曝光後的基板進行顯影的程序，在前述物品製造方法中，從前述顯影後的基板製造物品。 [發明功效]
根據本發明，能夠提供有利於進一步提高上下層之間的重疊精度以及鄰接曝射區域之間的排列精度的接合曝光的技術。
以下，參照圖式詳細說明實施方式。此外，申請專利範圍所涉及的發明不限於以下的實施方式。在實施方式中記載了多個特徵，但這些多個特徵不一定全部都是發明所必須，並且，多個特徵也可以任意地組合。而且，在圖式中，對同一或同樣的結構標注相同的參考符號，省略重複的說明。
＜第1實施方式＞ 圖1是示出實施方式中的曝光裝置的結構的概略圖。該曝光裝置例如是採用了使用投影光學系統的鏡面投影(mirror projection)方式的掃描型曝光裝置。此外，在本說明書以及圖式中，在將與基板載置台中的基板保持面平行的面設為XY平面的XYZ坐標系中示出方向。將XYZ坐標系中的與X軸、Y軸、Z軸分別平行的方向稱為X方向、Y方向、Z方向。另外，將曝光時的原版以及基板的掃描方向設為Y方向。
曝光裝置可以包括搭載原版30(遮罩)的原版載置台31、搭載基板60(例如玻璃板)的基板載置台61、對原版30進行照明的照明光學系統10、以及將原版30的圖案投影到基板60的投影光學系統40。原版30和基板60隔著投影光學系統40配置於在光學上大致共軛的位置(投影光學系統40的物體面以及像面)。在照明光學系統10與原版載置台31之間，配置有進行曝光的光的整形的狹縫成像系統20。曝光裝置可以進行“接合曝光”，在該接合曝光中，對基板60的第1曝射區域進行曝光而形成第1像，設置與第1曝射區域的一部分重複的重複區域地對第2曝射區域進行曝光而形成第2像，得到將第1像和第2像接合起來的像。此外，在以下的說明中，將“曝射區域”還簡稱為“曝射區(shot)”。用於實現該接合曝光的X遮光板50配置於投影光學系統40與基板載置台61之間。控制部70通過控制曝光裝置的各部分的驅動來控制曝光。
照明光學系統10可以包括超高壓汞燈等光源部、波長選擇濾波器、透鏡群、遮蔽器等。照明光學系統10將適合於曝光的波長的光向狹縫成像系統20照射。狹縫成像系統20具有未圖示的狹縫，將來自照明光學系統10的入射光整形為滿足某個恒定的載置台掃描速度(例如掃描速度的上限值等)下的必要曝光量的曝光寬度。
搭載有原版30的原版載置台31在控制部70的控制下通過未圖示的驅動機構向Y方向掃描。在原版載置台31中配置有多個反射鏡32。多個反射鏡32分別反射來自配置於原版載置台31外的干涉計33的測量光。干涉計33接受反射的測量光，常時監視並測量原版載置台31的位置。控制部70根據干涉計33的測量的結果，控制原版載置台31的位置及速度。
投影光學系統40具有鏡及透鏡，通過使曝光的光反射、折射，將形成於原版30的圖案投影到基板60。另外，鏡及透鏡在控制部70的控制下通過未圖示的驅動機構在X、Y以及Z方向上驅動，產生任意的倍率、移位。
X遮光板50可以在控制部70的控制下通過未圖示的驅動機構驅動。通過使X遮光板50在曝光光路內水平地移動而改變對曝光的光進行遮光的位置，由狹縫成像系統20整形的曝光的光相對於掃描方向傾斜地被遮光，由此控制向基板上的累計曝光量。由此，能夠實現如圖2(a)所示的針對接合曝光中的曝射區佈局的接合曝光的控制。如圖2(b)所示，在作為曝射區S1(第1曝射區域)中的重複區域以外的區域的非重複區域中，將表示各X位置處的照度的照度分佈設為100%，在重複區域中，使照度分佈具有負的斜率。例如，在重複區域中，以從X方向上的第1曝射區域側的一端到第2曝射區域側的另一端使曝光量(照度)逐漸降低的方式進行曝光。在圖2(b)的例子中，在重複區域中，曝光量從100%線性地衰減至0%。另外，如圖2(c)所示，在曝射區S2(第2曝射區域)中的非重複區域中，將照度分佈設為100%，在重複區域中，使照度分佈具有正的斜率。例如，在重複區域中，以從X方向上的第1曝射區域側的一端到第2曝射區域側的另一端使曝光量(照度)逐漸增加的方式進行曝光。在圖2(c)的例子中，在重複區域中，曝光量從0%線性地增加至100%。這樣，在對曝射區S1進行曝光時和對曝射區S2進行曝光時，使重複區域中的曝光量交叉衰落(crossfade)。由此，如圖2(d)所示，重複區域及非重複區域中的累計的照度分佈以100%均衡化。
搭載有基板60的基板載置台61在控制部70的控制下通過未圖示的驅動機構向X、Y以及Z方向掃描。在基板載置台61中配置有多個反射鏡62。多個反射鏡62分別反射來自配置於基板載置台61外的干涉計63的測量光。干涉計63接受反射後的測量光，常時監視並測量基板載置台61的位置。控制部70根據干涉計63的測量的結果，控制基板載置台61的位置及速度。
對準觀測器(alignment scope)80經由原版30及投影光學系統40檢測基板60的對準標記。另一方面，離軸觀測器(off-axis scope)81配置於投影光學系統40的下部，不經由原版30及投影光學系統40而檢測基板60的對準標記。
控制部70作為進行決定與曝射區S1及曝射區S2的對位有關的校正量的處理的處理部發揮功能，並且作為進行接合曝光的控制的控制部發揮功能。在控制部70中，作為其功能結構，可以包括資料保持部71、驅動量運算部72、驅動指示部73。資料保持部71保持根據由曝光裝置在基板上曝光的標記測量的曝射區內的1個以上的點的X、Y方向的偏移量、各驅動軸的驅動偏移、靈敏度等驅動參數、由曝光裝置取得的各種測量資料。驅動量運算部72根據保持於資料保持部71的資料，使用一般的統計手法計算X、Y、Z方向的位置偏移、旋轉、倍率等各種校正成分。另外，驅動量運算部72根據驅動參數以及計算出的校正成分，決定各軸的驅動指示量。驅動指示部73使用由驅動量運算部72決定後的針對各驅動機構的驅動指示量，輸出針對各驅動機構的驅動指示。此外，在控制部70中，作為其硬件結構，例如，可以由包括CPU(中央處理裝置)以及記憶體的計算機裝置構成。在該情況下，資料保持部71可以通過記憶體實現，驅動量運算部72及驅動指示部73可以通過CPU實現。
(實施例1) 參照圖3的流程圖，說明本實施方式中的決定用於接合曝光的與曝射區S1及曝射區S2的對位有關的校正量的處理以及根據決定後的校正量進行的曝光處理的概略。首先，針對曝射區S1及曝射區S2，進行第1次的接合曝光(S101)。該第1次的接合曝光是用於決定校正量的曝光。此時使用的基板既可以是生產用的基板，也可以是測試用的基板。
接下來，測量非重複區域中的上下層的重疊誤差P、重複區域中的上下層的重疊誤差Q以及重複區域中的曝射區S1和曝射區S2的位置偏移量(鄰接曝射區的排列偏移量)R(S102)。該測量既可以使用曝光裝置外部的測量裝置進行，也可以使用對準觀測器80或離軸觀測器81進行。
控制部70根據該測量結果，計算(決定)在曝射區S1中形成的第1像的校正量和在曝射區S2中形成的第2像的校正量(S103)。將計算出的校正量作為曝光時的校正參數存儲到例如資料保持部71。作為校正參數，有曝射區域的移位、旋轉、倍率等，作為曝光裝置的控制對象，有載置台、光學系統等的控制資料，計算出的校正量可以變換為適合於這些參數的校正值。通過依照校正值調整狹縫光學系統20具有的狹縫、投影光學系統40具有的鏡及透鏡中的至少任意一個來進行曝光量的校正(調整)，可以進行像的校正。
之後，進行第2次的曝光(接下來的接合曝光)(S104)。此處所稱的第2次的曝光可以是使用了生產用的基板的正式曝光。在此，控制部70反映校正值來實施接合曝光。具體而言，控制部70執行對第1曝射區域進行曝光而形成第1像的第1程序以及設置與第1曝射區域的一部分重複的重複區域地對第2曝射區域進行曝光而形成第2像的第2程序，得到將第1像和第2像接合起來的像。此時，控制部70在第1程序中利用在S103中決定後的第1像的校正量來校正第1像，在第2程序中利用在S103中決定後的第2像的校正量來校正第2像。
以下，詳細說明上述S101~S103所涉及的決定與曝射區S1及曝射區S2的對位有關的校正量的決定方法。圖4是在S101中曝光的曝射區S1的示意圖。在本實施方式中，用於上下層的重疊的測量以及用於曝射區S1和曝射區S2的對位的測量使用例如盒中盒(box in box)的標記來進行。
在S101中，通過對曝射區S1進行曝光，將多個標記41(多個第1標記)轉印到作為曝射區S1中的重複區域以外的區域的非重複區域R1。曝射區S1的非重複區域R1中的多個標記41可以包括位於非重複區域R1的外周部分的1個以上的標記和位於比該外周部分更靠近中央的1個以上的標記。多個標記41的數量及位置可以考慮期待的上下層之間的重疊精度等而任意地設計。多個標記41中的各個標記41可以是與作為未圖示的基底標記的外盒(out box)標記對應的內盒(in box)標記，但在裝置內部等無法配置標記的情況下，也可以是預定的圖案。
在圖4中，在重複區域RS的下層，已經形成有構成重疊標記的外盒標記91(基底標記)。在S101中，通過對曝射區S1進行曝光，轉印與該外盒標記91對應的內盒標記90(第2標記)。另外，在S101中，通過對曝射區S1進行曝光，用於曝射區S1和曝射區S2的位置偏移測量的外盒標記92(第3標記)也被轉印到重複區域RS。
如上所述，在曝射區S1中，從重複區域的X方向上的一端至另一端，曝光量(照度)從100%線性地衰減至0%。如圖4所示，形成於重複區域內的各標記配置於曝射區S1和曝射區S2的重複寬度的方向(X方向)上的預定的位置x1，將位置x1處的曝光量的衰減率設為a%。將在下層形成的外盒標記91和在上層形成的內盒標記90的位置偏移量檢測為重疊誤差。但是，在曝射區S1被曝光的時間點，位置x1的照度僅為(100-a)%，所以內盒標記90未完全形成。
圖5是在S101中曝光的曝射區S2的示意圖。在S101中，通過對曝射區S2進行曝光，將多個標記51(多個第4標記)轉印到非重複區域R2。曝射區S2的非重複區域R2中的多個標記51可以包括位於非重複區域R2的外周部分的1個以上的標記和位於比該外周部分更靠近中央的1個以上的標記。多個標記51的數量及位置可以考慮期待的上下層之間的重疊精度等而任意地設計。多個標記51中的各個標記51可以是與作為未圖示的基底標記的外盒標記對應的內盒標記，但在裝置內部等無法配置標記的情況下，也可以是預定的圖案。
在圖5中，通過在S101中對曝射區S2進行曝光，在重複區域RS中，為了與形成於下層的外盒標記91的對位，與內盒標記90重疊地轉印內盒標記93(第5標記)。另外，通過在S101中對曝射區S2進行曝光，在與外盒標記92(第3標記)對應的位置，還形成內盒標記94(第6標記)。
之後，在S102中，測量曝射區S1的非重複區域R1中的多個標記41和與該多個標記41對應的多個基底標記(未圖示)的各偏移量。另外，測量曝射區S1的非重複區域R2中的多個標記51和與該多個標記51對應的多個基底標記(未圖示)的各偏移量。將在這些非重複區域中測量的偏移量稱為多個第1偏移量。
而且，在S102中，可以根據在下層形成的外盒標記91和在上層形成的內盒標記93的位置的差來檢測重疊誤差。然而，曝射區S2被曝光時的位置x1處的照度是a%，所以與理想位置坐標相同的圖4的內盒標記90的合計照度成為(100-a)+a=100%而在此完全形成。通過這樣將內盒標記90和內盒標記93重疊，如圖6所示，形成合成內盒標記95(合成標記)。因此，在S102中，對測量到的合成內盒標記95相對於外盒標記91的位置偏移量進行測量。將該位置偏移量測量為內盒標記90(第2標記)及內盒標記93(第5標記)和與內盒標記90及內盒標記93對應的外盒標記91(基底標記)的偏移量(第2偏移量)。
同樣地，在曝射區S2中形成的內盒標記94(第6標記)的照度也並非100%。由於圖4的外盒標記92和圖5的內盒標記94的理想位置坐標也相同，所以這些標記形成為夾入的位置關係。因此，通過圖6所示的盒中盒標記96，測量作為外盒標記92(第3標記)和內盒標記94(第6標記)的偏移量的第3偏移量。在外盒標記92和內盒標記94中，能夠採用灰色調盒中盒標記。通過設計遮罩上的各個標記的曝光光透射率，能夠高精度地測量曝射區S1和曝射區S2的位置偏移量。此外，灰色調盒中盒標記的細節例如公開於日本特開2018-10211號公報。
使作為上層的重疊標記的內盒標記90(圖4)相對於作為下層的重疊標記的外盒標記91的位置偏移量為ΔS1(X(S1)，Y(S1))。在此，在將曝射區S1的中心設為原點的坐標系中，使外盒標記91為位於(X(S1)，Y(S1))。即，ΔS1(X(S1)，Y(S1))表示曝射區S1相對於下層的位置偏移量。 另外，使作為上層的重疊標記的內盒標記93(圖5)相對於作為下層的重疊標記的外盒標記91的位置偏移量為ΔS2(X(S2)，Y(S2))。在此，在將曝射區S2的中心設為原點的坐標系中，使外盒標記91為位於(X(S2)，Y(S2))。即，ΔS2(X(S2)，Y(S2))表示曝射區S2相對於下層的位置偏移量。
曝射區Sm(m=1或2)的非重複區域中的上下層的重疊誤差(多個第1偏移量)P(Sm)能夠如下式(1)那樣表示。
Figure 02_image001
重複區域中的上下層的重疊誤差Q能夠如下式(2)那樣表示。
Figure 02_image003
這表示內盒標記90(第2標記)與作為其基底標記的外盒標記91的位置偏移量和內盒標記93(第5標記)與作為其基底標記的外盒標記91的位置偏移量的加權和。而且，該加權和中的權重係數是與重複區域中的內盒標記90和內盒標記93的合成標記95的位置處的曝光量比例對應的值。這樣，與重複區域中的第2標記及第5標記和與第2標記及第5標記分別對應的基底標記的偏移量有關的第2偏移量被測量。
重複區域中的曝射區S1及曝射區S2的位置偏移量(第3偏移量)R能夠如下式(3)那樣表示。
Figure 02_image005
在S103中，以使上述多個第1偏移量、第2偏移量以及第3偏移量中的各個偏移量降低的方式，決定第1像的校正量和第2像的校正量。例如，根據式(1)、(2)、(3)，使用最小平方法，以使曝射區域內全部點(全部標記)的P、Q、R的偏移量變得最小的方式，決定曝射區S1及曝射區S2的校正量。
在專利文獻1中，在將R加到Q後，根據P、Q的值分別決定曝射區S1及曝射區S2的校正量。相對於此，在本實施方式中，根據在曝射區S1及曝射區S2中曝光的曝射區域內全部點的P、Q、R所有的值，同時計算而決定曝射區S1及曝射區S2的校正量。
在專利文獻1中，在測量例如P、Q、R的點僅為曝射區域的外周部分的情況下，能夠使重疊誤差P、Q、R的校正殘差成為0。然而，在P、Q、R的測量點增加而位於曝射區域的比外周部分更靠近中央的測量點也測量的情況下，存在無法使重疊誤差P、Q、R的校正殘差成為0的可能性。此時，以對於P及Q而言使校正殘差變得最小的方式計算曝射區S1及曝射區S2的校正量，但對於R而言未必變得最小。另一方面，根據本實施方式，考慮P、Q、R所有的偏移量來進行計算，所以能夠決定如P、Q、R所有的偏移量變得最小的曝射區S1及曝射區S2的校正量。
(實施例2) 在實施接合曝光時，相比於上下層的重疊誤差，鄰接曝射區域之間的排列偏移更易於成為不良的原因，所以考慮利用更嚴格的值來管理鄰接曝射區域之間的排列偏移。
因此，在根據在曝射區域內測量到的P、Q、R的偏移量來決定曝射區S1及曝射區S2的校正量時，通過對P、Q、R的偏移量進行加權，能夠使上下層的重疊誤差和接合偏移的校正殘差的比率變化。
例如，如果將P及Q的權重設為2、將R的權重設為5，則能夠相對於重疊誤差而對鄰接曝射區域之間的排列偏移量附加2.5倍的權重來決定校正量。權重的值不限於整數，能夠設定任意的正的實數。
＜第2實施方式＞ 接下來，參照圖1說明第2實施方式的曝光裝置。本實施方式的曝光裝置可以具有經由原版30及投影光學系統40測量基板上的標記的對準觀測器80、以及在投影光學系統40的下部構成且不經由投影光學系統而測量基板上的標記的離軸觀測器81。其他結構與第1實施方式相同。
利用對準觀測器80及離軸觀測器81測量在基板上曝光的標記，將測量資料保存到資料保持部71。控制部70實施對準觀測器80及離軸觀測器81的校準處理。以在測量同一標記的情況下使測量值不論利用哪個觀測器測量都相同的方式進行調整。在此，通過在曝光前測量在原版30和基板60上形成的標記，能夠測量上下層之間的標記的位置偏移量。通過使用該方法，也能夠實現第1實施方式中的實施例。
＜物品製造方法的實施方式＞ 本發明的實施方式所涉及的物品製造方法例如適合於製造半導體裝置等微型裝置、具有微細構造的元件等物品。本實施方式的物品製造方法包括使用上述曝光裝置在塗敷於基板的感光劑中形成潛像圖案的程序(對基板進行曝光的程序)以及對在上述程序中形成潛像圖案後的基板進行顯影的程序。而且，上述製造方法包括其他公知的程序(氧化、成膜、蒸鍍、摻雜、平坦化、蝕刻、抗蝕劑剝離、切割、接合、封裝等)。本實施方式的物品製造方法相比於以往的方法，在物品的性能、品質、生產率、生產成本中的至少1個方面更有利。
(其他實施方式) 通過將實現上述實施方式的1個以上的功能的程式經由網絡或存儲介質供給到系統或裝置並由該系統或裝置的計算機中的1個以上的處理器讀出並執行程式的處理也能夠實現本發明。另外，通過實現1個以上的功能的電路(例如ASIC)也能夠實現本發明。
發明不限制於上述實施方式，能夠不脫離發明的精神及範圍而進行各種變更及變形。因此，為了公開發明的範圍而提供申請專利範圍。
10:照明光學系統 20:狹縫成像系統 30:原版 40:投影光學系統 60:基板 70:控制部
[圖1]是示出實施方式中的曝光裝置的結構的圖。 [圖2]是示出接合曝光中的曝射區佈局以及照度分佈的例子的圖。 [圖3]是決定校正量的處理以及曝光處理的流程圖。 [圖4]是示出第1曝射區域中的標記配置的例子的圖。 [圖5]是示出第2曝射區域中的標記配置的例子的圖。 [圖6]是示出重複區域中的重疊標記以及接合位置測量標記的例子的圖。

Claims (12)

  1. 一種調整方法，其用於接合曝光，在前述接合曝光中，對基板的第1曝射區域進行曝光而形成第1像，設置與前述第1曝射區域的一部分重複的重複區域地對第2曝射區域進行曝光而形成第2像，得到將前述第1像和前述第2像接合起來的像， 對前述第1曝射區域進行曝光，將多個第1標記轉印到作為前述第1曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並將第2標記及第3標記轉印到前述重複區域， 對前述第2曝射區域進行曝光，將多個第4標記轉印到作為前述第2曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並在前述重複區域中，與前述第2標記重疊地轉印第5標記，並在與前述第3標記對應的位置轉印第6標記， 測量多個第1偏移量，前述多個第1偏移量表示前述第1曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第1標記和與該多個第1標記對應的多個基底標記的各偏移量、以及前述第2曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第4標記和與該多個第4標記對應的多個基底標記的各偏移量， 測量與前述重複區域中的前述第2標記及前述第5標記和與前述第2標記及前述第5標記分別對應的基底標記的偏移量有關的第2偏移量， 測量作為前述重複區域中的前述第3標記和前述第6標記的偏移量的第3偏移量， 以使前述多個第1偏移量、前述第2偏移量和前述第3偏移量中的各個偏移量降低的方式決定前述第1像的校正量和前述第2像的校正量， 根據前述第1像的校正量和前述第2像的校正量，進行前述第1像及前述第2像的調整。
  2. 如請求項1的調整方法，其中， 根據前述第1像的校正量以及前述第2像的校正量來對調整曝光的光的狹縫光學系統具有的狹縫、投影光學系統具有的鏡及透鏡中的至少任意一個進行調整，從而進行前述第1像及前述第2像的調整。
  3. 如請求項1的調整方法，其中， 使用最小二乘法，以使前述多個第1偏移量、前述第2偏移量以及前述第3偏移量中的各個偏移量變得最小的方式決定前述第1像的校正量和前述第2像的校正量。
  4. 如請求項1的調整方法，其中， 前述第1曝射區域的曝光包括以從前述重複區域中的前述第1曝射區域側的一端到前述第2曝射區域側的另一端使曝光量逐漸降低的方式進行曝光， 前述第2曝射區域的曝光包括以從前述重複區域中的前述一端到前述另一端使曝光量逐漸增加的方式進行曝光。
  5. 如請求項4的調整方法，其中， 前述第2偏移量通過前述第2標記和前述基底標記的位置偏移量與前述第5標記和前述基底標記的位置偏移量的加權和而計算， 前述加權和中的權重係數是與前述重複區域中的前述第2標記及前述第5標記的位置處的曝光量比例對應的值。
  6. 如請求項1的調整方法，其中， 對前述多個第1偏移量、前述第2偏移量以及前述第3偏移量進行加權來決定前述第1像的校正量和前述第2像的校正量。
  7. 如請求項1的調整方法，其中， 前述第1曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第1標記和前述第2曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第4標記分別包括位於前述非重複區域的外周部分的1個以上的標記和位於比該外周部分更靠近中央的1個以上的標記。
  8. 一種曝光方法，其具有： 第1程序，其為對基板的第1曝射區域進行曝光而形成第1像者；以及 第2程序，其為設置與前述第1曝射區域的一部分重複的重複區域地對第2曝射區域進行曝光而形成第2像者； 在前述曝光方法中，進行得到將前述第1像和前述第2像接合起來的像的接合曝光， 在前述第1程序中，利用如請求項1至7中任一項的調整方法來調整前述第1像， 在前述第2程序中，利用如請求項1至7中任一項的調整方法來調整前述第2像。
  9. 如請求項8的曝光方法，其中， 根據前述第1像的校正量以及前述第2像的校正量來對調整曝光的光的狹縫光學系統具有的狹縫、投影光學系統具有的鏡及透鏡中的至少任意一個進行調整，從而進行前述第1像的調整以及前述第2像的調整。
  10. 一種曝光裝置，其進行接合曝光，在前述接合曝光中，對基板的第1曝射區域進行曝光而形成第1像，設置與前述第1曝射區域的一部分重複的重複區域地對第2曝射區域進行曝光而形成第2像，得到將前述第1像和前述第2像接合起來的像，前述曝光裝置具有： 處理部，其進行決定與前述第1曝射區域及前述第2曝射區域的對位有關的校正量的處理；以及 控制部，其進行曝光的控制； 前述控制部： 對前述第1曝射區域進行曝光，將多個第1標記轉印到作為前述第1曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並且將第2標記及第3標記轉印到前述重複區域， 對前述第2曝射區域進行曝光，將多個第4標記轉印到作為前述第2曝射區域中的前述重複區域以外的區域的非重複區域，並且，在前述重複區域中，與前述第2標記重疊地轉印第5標記，並且在與前述第3標記對應的位置轉印第6標記； 前述處理部： 測量多個第1偏移量，前述多個第1偏移量表示前述第1曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第1標記和與該多個第1標記對應的多個基底標記的各偏移量、以及前述第2曝射區域的前述非重複區域中的前述多個第4標記和與該多個第4標記對應的多個基底標記的各偏移量， 測量與前述重複區域中的前述第2標記及前述第5標記和與前述第2標記及前述第5標記分別對應的基底標記的偏移量有關的第2偏移量， 測量作為前述重複區域中的前述第3標記和前述第6標記的偏移量的第3偏移量， 以使前述多個第1偏移量、前述第2偏移量和前述第3偏移量中的各個偏移量降低的方式決定前述第1像的校正量和前述第2像的校正量； 前述控制部： 利用前述決定的前述第1像的校正量來調整前述第1像，並且利用前述決定的前述第2像的校正量來調整前述第2像，執行前述接合曝光。
  11. 如請求項10的曝光裝置，其中， 根據前述第1像的校正量以及前述第2像的校正量來對調整曝光的光的狹縫光學系統具有的狹縫、投影光學系統具有的鏡及透鏡中的至少任意一個進行調整，從而進行前述第1像的調整以及前述第2像的調整。
  12. 一種物品製造方法，其包括： 使用如請求項8的曝光方法對基板進行曝光的程序；以及 對前述曝光後的基板進行顯影的程序， 在前述物品製造方法中，從前述顯影後的基板製造物品。
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