KR20220015938A - 조정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조방법 - Google Patents

조정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20220015938A
KR20220015938A KR1020210094009A KR20210094009A KR20220015938A KR 20220015938 A KR20220015938 A KR 20220015938A KR 1020210094009 A KR1020210094009 A KR 1020210094009A KR 20210094009 A KR20210094009 A KR 20210094009A KR 20220015938 A KR20220015938 A KR 20220015938A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
image
mark
shot
amount
exposure
Prior art date
Application number
KR1020210094009A
Other languages
English (en)
Inventor
와타루 키지마
료 소사코
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20220015938A publication Critical patent/KR20220015938A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/7055Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70616Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70633Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605Workpiece metrology
    • G03F7/70681Metrology strategies
    • G03F7/70683Mark designs
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7003Alignment type or strategy, e.g. leveling, global alignment
    • G03F9/7007Alignment other than original with workpiece
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7088Alignment mark detection, e.g. TTR, TTL, off-axis detection, array detector, video detection

Abstract

[과제] 상하 레이어간의 포개기 정밀도 및 인접 숏 영역간의 배열 정밀도의 한층 더 향상에 유리한 연결 노광의 기술을 제공한다.
[해결 수단] 기판의 제1숏 영역을 노광해서 제1의 상을 형성하고, 상기 제1숏 영역의 일부와 중복하는 중복 영역을 설치하고 제2숏 영역을 노광해서 제2의 상을 형성하고, 상기 제1의 상과 상기 제2의 상을 서로 연결시킨 상을 얻는 연결 노광을 위한 조정 방법이 제공된다. 조정 방법은, 상기 제1숏 영역을 노광하고, 상기 제1숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제1마크를 전사함과 아울러, 상기 중복 영역에 제2마크 및 제3마크를 전사하고, 상기 제2숏 영역을 노광하고, 상기 제2숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제4마크를 전사하고, 또, 상기 중복 영역에 있어서, 상기 제2마크에 포개어 제5마크를 전사함과 아울러 상기 제3마크에 대응하는 위치에 제6마크를 전사하고, 상기 제1숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제1마크와 해당 복수의 제1마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각 어긋남량과, 상기 제2숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제4마크와 해당 복수의 제4마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각 어긋남량과를 나타내는 복수의 제1어긋남량을 계측하고, 상기 중복 영역에 있어서의 상기 제2마크 및 상기 제5마크와, 상기 제2마크 및 상기 제5마크에 각각 대응하는 하지 마크와의 어긋남량에 관한 제2어긋남량을 계측하고, 상기 중복 영역에 있어서의 상기 제3마크와 상기 제6마크와의 어긋남량인 제3어긋남량을 계측하고, 상기 복수의 제1어긋남량과, 상기 제2어긋남량과, 상기 제3어긋남량과에 있어서의 각각의 어긋남량이 저감되도록 상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량을 결정하고, 상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량에 근거하여, 상기 제1의 상 및 상기 제2의 상의 조정을 행한다.

Description

조정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조방법{ADJUSTMENT METHOD, EXPOSURE METHOD, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은, 조정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스나 플랫 패널 디스플레이(FPD)등은, 포토리소그래피 공정에 의해 제조된다. 포토리소그래피 공정에서는, 원판(마스크)의 패턴을, 투영 광학계를 통해 감광제가 도포된 기판(유리 기판이나 웨이퍼)상에 노광 영역을 주사하면서 투영하는 주사형 노광 장치가 사용된다.
최근, 액정 패널 등의 디스플레이의 대형화가 진행되고, 2m 모서리를 초과하는 유리 기판에 대하여 노광을 행할 필요가 있다. 이러한 기판의 대형화에 대응하기 위해, 기판 위의 노광 영역의 전부를 한 번에 노광하는 것이 아니고, 기판 위의 노광 영역을 몇개의 숏 영역으로 분할해서 노광하는 것이 행해진다. 이때, 인접하는 숏 영역의 일부를 포개서 노광하는 연결 노광이 행해진다.
연결 노광에 있어서, 인접하는 숏 영역끼리가 중합되는 영역(중복 영역)에서의 오버레이 오차가 커지면, 중복 영역에 얼룩짐이 발생해버린다. 특허문헌 1은, 중복 영역에 있어서의, 상하 레이어간의 위치 어긋남량과 인접 숏 영역간의 위치 어긋남량의 보정잔차가 0이 되도록 보정량을 결정하는 기술을 개시하고 있다.
일본 특허공개 2020-098285호 공보
기판의 대형화에 대처하고, 게다가 패턴의 미세화를 실현하는 노광을 행하는 경우에 있어서, 상하 레이어간의 위치 어긋남 및 인접 숏 영역간의 위치 어긋남은, 제조되는 디바이스의 성능을 결정하는 중요한 지표다. 최근의 패턴의 미세화에 따라, 상하 레이어간의 포개기 정밀도 및 인접 숏 영역간의 배열 정밀도의 요구 값도 엄격해져 있다. 그 때문에, 종래는 각 숏 영역의 주연부에서만 위치 어긋남의 검사가 행해지지 않는 경우가 많았지만, 금후는 숏 영역의 중앙부에도 검사점이 배치될 가능성이 있다.
그러나, 특허문헌 1에 기재된 것 같은 종래 기술에서는, 숏 영역의 중앙부의 검사점을 포함하는 복수의 검사점 전체 점에 있어서 상하 레이어간의 위치 어긋남과 인접 숏 영역간의 위치 어긋남의 보정잔차를 0으로 할 수 없는 경우가 있다. 종래의 보정에서는, 특히 인접 숏 영역간의 위치 어긋남은, 계산 알고리즘상, 보정잔차가 커질 가능성이 높다.
본 발명은, 상하 레이어간의 포개기 정밀도 및 인접 숏 영역간의 배열 정밀도의 한층 더 향상에 유리한 연결 노광의 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 제1의 측면에 의하면, 기판의 제1숏 영역을 노광해서 제1의 상을 형성하고, 상기 제1숏 영역의 일부와 중복하는 중복 영역을 설치하고 제2숏 영역을 노광해서 제2의 상을 형성하고, 상기 제1의 상과 상기 제2의 상을 서로 연결시킨 상을 얻는 연결 노광을 위한 조정 방법이며, 상기 제1숏 영역을 노광하고, 상기 제1숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제1마크를 전사함과 아울러, 상기 중복 영역에 제2마크 및 제3마크를 전사하고, 상기 제2숏 영역을 노광하고, 상기 제2숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제4마크를 전사하고, 또, 상기 중복 영역에 있어서, 상기 제2마크에 포개서 제5마크를 전사함과 아울러 상기 제3마크에 대응하는 위치에 제6마크를 전사하여, 상기 제1숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제1마크와 해당 복수의 제1마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각 어긋남량과, 상기 제2숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제4마크와 해당 복수의 제4마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각 어긋남량과를 나타내는 복수의 제1어긋남량을 계측하고, 상기 중복 영역에 있어서의 상기 제2마크 및 상기 제5마크와, 상기 제2마크 및 상기 제5마크에 각각 대응하는 하지 마크와의 어긋남량에 관한 제2어긋남량을 계측하고, 상기 중복 영역에 있어서의 상기 제3마크와 상기 제6마크와의 어긋남량인 제3어긋남량을 계측하고, 상기 복수의 제1어긋남량과, 상기 제2어긋남량과, 상기 제3어긋남량과에 있어서의 각각의 어긋남량이 저감되도록 상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량을 결정하여, 상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량에 근거해서 조정을 행하는, 것을 특징으로 하는 조정 방법이 제공된다.
본 발명의 제2의 측면에 의하면, 기판의 제1숏 영역을 노광해서 제1의 상을 형성하는 제1공정과, 상기 제1숏 영역의 일부와 중복하는 중복 영역을 설치하고 제2숏 영역을 노광해서 제2의 상을 형성하는 제2공정을 갖고, 상기 제1의 상과 상기 제2의 상을 서로 연결시킨 상을 얻는 연결 노광을 행하는 노광 방법이며, 상기 제1공정에 있어서, 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 조정 방법에 의해 상기 제1의 상이 조정되고, 상기 제2공정에 있어서, 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 조정 방법에 의해 상기 제2의 상이 조정되는 것을 특징으로 하는 노광 방법이 제공된다.
본 발명의 제3의 측면에 의하면, 기판의 제1숏 영역을 노광해서 제1의 상을 형성하고, 상기 제1숏 영역의 일부와 중복하는 중복 영역을 설치하고 제2숏 영역을 노광해서 제2의 상을 형성하고, 상기 제1의 상과 상기 제2의 상을 서로 연결시킨 상을 얻는 연결 노광을 행하는 노광 장치이며, 상기 제1숏 영역 및 상기 제2숏 영역의 위치 맞춤에 관한 보정량을 결정하는 처리를 행하는 처리부와, 노광의 제어를 행하는 제어부를, 갖고, 상기 제어부는, 상기 제1숏 영역을 노광하고, 상기 제1숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제1마크를 전사함과 아울러, 상기 중복 영역에 제2마크 및 제3마크를 전사하고, 상기 제2숏 영역을 노광하고, 상기 제2숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제4마크를 전사하고, 또, 상기 중복 영역에 있어서, 상기 제2마크에 포개서 제5마크를 전사함과 아울러, 상기 제3마크에 대응하는 위치에 제6마크를 전사하고, 상기 처리부는, 상기 제1숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제1마크와 해당 복수의 제1마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각 어긋남량과, 상기 제2숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제4마크와 해당 복수의 제4마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각어긋남량과를 나타내는 복수의 제1어긋남량을 계측하고, 상기 중복 영역에 있어서의 상기 제2마크 및 상기 제5마크와, 상기 제2마크 및 상기 제5마크에 각각 대응하는 하지 마크와의 어긋남량에 관한 제2어긋남량을 계측하고, 상기 중복 영역에 있어서의 상기 제3마크와 상기 제6마크와의 어긋남량인 제3어긋남량을 계측하고, 상기 복수의 제1어긋남량과, 상기 제2어긋남량과, 상기 제3어긋남량과에 있어서의 각각의 어긋남량이 저감되도록 상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량을 결정하고, 상기 제어부는, 상기 결정된 상기 제1의 상의 보정량으로 상기 제1의 상을 조정함과 아울러, 상기 결정된 상기 제2의 상의 보정량으로 상기 제2의 상을 조정하고, 상기 연결 노광을 실행하는, 것을 특징으로 하는 노광 장치가 제공된다.
본 발명의 제4의 측면에 의하면, 상기 제2의 측면에 관계되는 노광 방법을 사용해서 기판을 노광하는 공정과, 상기 노광된 기판을 현상하는 공정을 포함하여, 상기 현상된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품제조방법이 제공된다.
본 발명에 의하면, 상하 레이어간의 포개기 정밀도 및 인접 숏 영역간의 배열 정밀도의 한층 더 향상에 유리한 연결 노광의 기술을 제공할 수 있다.
[도1] 실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 도시한 도.
[도2] 연결 노광에 있어서의 숏 레이아웃 및 조도분포의 예를 도시한 도.
[도3] 보정량을 결정하는 처리 및 노광 처리의 흐름도.
[도4] 제1숏 영역에 있어서의 마크 배치의 예를 도시한 도.
[도5] 제2숏 영역에 있어서의 마크 배치의 예를 도시한 도.
[도6] 중복 영역에 있어서의 포개기 마크 및 연결 위치 계측 마크의 예를 도시한 도.
이하, 첨부 도면을 참조해서 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 특허청구의 범위에 관련되는 발명을 한정하는 것이 아니다. 실시 형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이것들의 복수의 특징의 모두가 발명에 필수적인 것이라고는 할 수 없고, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합되어도 좋다. 더욱, 첨부 도면에 있어서는, 동일 또는 같은 구성에 동일한 참조 번호를 첨부하고, 중복된 설명은 생략한다.
<제1실시 형태>
도1은, 실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 도시한 개략도다. 이 노광 장치는, 예를 들면, 투영 광학계를 사용한 미러 프로젝션 방식을 채용한 주사형 노광 장치다. 또한, 본 명세서 및 도면에서는, 기판 스테이지에 있어서의 기판보유면과 평행한 면을 XY평면으로 하는 XYZ좌표계에 있어서 방향이 표시된다. XYZ좌표계에 있어서의 X축, Y축, Z축에 각각 평행한 방향을 X방향, Y방향, Z방향이라고 한다. 또한, 노광시의 원판 및 기판의 주사 방향을 Y방향으로 한다.
노광 장치는, 원판(30)(마스크)을 탑재하는 원판 스테이지(31)와, 기판(60)(예를 들면, 유리 플레이트)을 탑재하는 기판 스테이지(61)와, 원판(30)을 조명하는 조명 광학계(10)와, 원판(30)의 패턴을 기판(60)에 투영하는 투영 광학계(40)를 포함할 수 있다. 원판(30)과 기판(60)은, 투영 광학계(40)를 통해 광학적으로 거의 공역한 위치(투영 광학계(40)의 물체면 및 상면)에 배치된다. 조명 광학계(10)와 원판 스테이지(31)와의 사이에는, 노광 광의 정형을 행하는 슬릿 결상계(20)가 배치되어 있다. 노광 장치는, 기판(60)의 제1숏 영역을 노광해서 제1의 상을 형성하고, 제1숏 영역의 일부와 중복하는 중복 영역을 설치하고 제2숏 영역을 노광해서 제2의 상을 형성하고, 제1의 상과 제2의 상을 서로 연결시킨 상을 얻는 「연결 노광」을 행할 수 있다. 또한, 이하의 설명에 있어서는, 「숏 영역」을 단지 「숏」이라고도 말한다. 이 연결 노광을 실현하기 위한 X차광판(50)이, 투영 광학계(40)와 기판 스테이지(61)와의 사이에 배치되어 있다. 제어부(70)는, 노광 장치의 각 부의 구동을 제어함에 의해 노광을 제어한다.
조명 광학계(10)는, 초고압 수은 램프 등의 광원부, 파장 선택 필터, 렌즈 군, 셔터 등을 포함할 수 있다. 조명 광학계(10)는, 노광에 적합한 파장의 광을 슬릿 결상계(20)에 조사한다. 슬릿 결상계(20)는, 도시되지 않은 슬릿을 갖고, 조명 광학계(10)로부터의 입사 광을 어떤 일정한 스테이지 주사 속도(예를 들면, 주사 속도의 상한치등)에 있어서의 필요 노광량을 충족시키는 노광 폭으로 정형한다.
원판(30)을 탑재한 원판 스테이지(31)는, 제어부(70)에 의한 제어하, 도시되지 않은 구동기구에 의해 Y방향으로 주사된다. 원판 스테이지(31)에는 복수의 반사경(32)이 배치되어 있다. 복수의 반사경(32)은 각각, 원판 스테이지(31)외에 배치된 간섭계(33)로부터의 계측광을 반사한다. 간섭계(33)는 반사된 계측광을 받아, 원판 스테이지(31)의 위치를 상시 감시, 계측한다. 제어부(70)는, 간섭계(33)에 의한 계측의 결과에 근거해 원판 스테이지(31)의 위치 및 속도의 제어를 행한다.
투영 광학계(40)는, 미러 및 렌즈를 갖고, 노광 광을 반사, 굴절시키는 것으로, 원판(30)에 형성되어 있는 패턴을 기판(60)에 투영한다. 또한, 미러 및 렌즈는, 제어부(70)에 의한 제어하, 도시되지 않은 구동기구에 의해 X, Y, 및 Z방향으로 구동되어서, 임의의 배율, 시프트를 발생시킨다.
X차광판(50)은, 제어부(70)에 의한 제어하, 도시되지 않은 구동기구에 의해 구동될 수 있다. X차광판(50)을 노광 광로내를 수평으로 이동해서 노광 광을 차광하는 위치를 변경함으로써, 슬릿 결상계(20)에 의해 정형된 노광 광이 주사 방향에 대하여 비스듬히 차광되고, 이에 따라 기판 위에의 적산 노광량이 제어된다. 이에 따라, 도2(a)에 도시된 것 같은, 연결 노광에 있어서의 숏 레이아웃에 대한 연결 노광의 제어가 가능하게 된다. 도2(b)에 도시한 바와 같이, 숏S1(제1숏 영역)에 있어서의 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에서는 각 X위치에 있어서의 조도를 나타내는 조도분포를 100%로 하여, 중복 영역에서는 조도분포에 부의 기울기를 갖게 한다. 예를 들면, 중복 영역에서는, X방향의 제1숏 영역측의 일단으로부터 제2숏 영역측의 타단까지에 걸쳐 노광량(조도)이 서서히 저하하도록 노광이 행해진다. 도2(b)의 예에서는, 중복 영역에서는, 노광량이 100%로부터 0%까지 직선적으로 감쇠한다. 또한, 도2(c)에 도시한 바와 같이, 숏S2(제2숏 영역)에 있어서의 비중복 영역에서는 조도분포를 100%로 하여, 중복 영역에서는 조도분포에 정의 기울기를 갖게 한다. 예를 들면, 중복 영역에서는, X방향의 제1숏 영역측의 일단으로부터 제2숏 영역측의 타단까지에 걸쳐, 노광량(조도)이 서서히 증가하도록 노광이 행해진다. 도2(c)의 예에서는, 중복 영역에서는, 노광량이 0%로부터 100%까지 직선적으로 증가한다. 이렇게, 숏S1을 노광할 때와 숏S2를 노광할 때에, 중복 영역에 있어서의 노광량을 크로스페이드시킨다. 이에 따라, 도2(d)에 도시한 바와 같이, 중복 영역 및 비중복 영역에 있어서의 적산의 조도분포가 100%에서 평준화된다.
기판(60)을 탑재한 기판 스테이지(61)는, 제어부(70)에 의한 제어하, 도시되지 않은 구동기구에 의해 X, Y, 및 Z방향으로 주사된다. 기판 스테이지(61)에는 복수의 반사경(62)이 배치되어 있다. 복수의 반사경(62)은 각각, 기판 스테이지(61)외에 배치된 간섭계(63)로부터의 계측광을 반사한다. 간섭계(63)는 반사된 계측광을 받아, 기판 스테이지(61)의 위치를 상시 감시, 계측한다. 제어부(70)는, 간섭계(63)에 의한 계측의 결과에 근거해 기판 스테이지(61)의 위치 및 속도의 제어를 행한다.
얼라인먼트 스코프(80)는, 기판(60)의 얼라인먼트 마크를, 원판(30) 및 투영 광학계(40)를 통해 검출한다. 한편, 오프 액시스 스코프(81)는, 투영 광학계(40)의 하부에 배치되어, 원판(30) 및 투영 광학계(40)를 통하지 않고, 기판(60)의 얼라인먼트 마크를 검출한다.
제어부(70)는, 숏S1 및 숏S2의 위치 맞춤에 관한 보정량을 결정하는 처리를 행하는 처리부로서 기능함과 아울러, 연결 노광의 제어를 행하는 제어부로서 기능한다. 제어부(70)는, 그 기능 구성으로서, 데이터 보유부(71), 구동량 연산부(72), 구동지시부(73)를 포함할 수 있다. 데이터 보유부(71)는, 노광 장치에 의해 기판 위에 노광된 마크로부터 계측되는 숏내의 1개이상의 점의 X, Y방향의 어긋남량, 각 구동축의 구동 오프셋, 민감도 등의 구동 파라미터, 노광 장치에서 취득한 각종 계측 데이터를 보유한다. 구동량 연산부(72)는, 데이터 보유부(71)에 보유되어 있는 데이터로부터 일반적 통계 수법을 사용해서 X, Y, Z방향의 위치 오프셋, 회전, 배율등의 각종 보정성분을 계산한다. 또한, 구동량 연산부(72)는, 구동 파라미터 및 계산된 보정성분에 근거해서 각 축의 구동지시량을 결정한다. 구동지시부(73)는, 구동량 연산부(72)에서 결정된 각 구동기구에 대한 구동지시량을 사용하여, 각 구동기구에 대해서의 구동지시를 출력한다. 또한, 제어부(70)는, 그 하드웨어 구성으로서, 예를 들면, CPU(중앙처리장치) 및 메모리를 포함하는 컴퓨터 장치에 의해 구성될 수 있다. 이 경우, 데이터 보유부(71)는 메모리에 의해 실현되고, 구동량 연산부(72) 및 구동지시부(73)는, CPU에 의해 실현될 수 있다.
(실시 예 1)
도3의 흐름도를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서의, 연결 노광을 위한 숏S1 및 숏S2의 위치 맞춤에 관한 보정량을 결정하는 처리 및 결정된 보정량에 근거해서 행하는 노광 처리의 개략을 설명한다. 우선, 숏S1 및 숏S2에 대하여 1회째의 연결 노광을 행한다(S101). 이 1회째의 연결 노광은, 보정량을 결정하기 위한 노광이다. 이때 사용하는 기판은 생산용의 기판이어도 좋고, 테스트용의 기판이어도 좋다.
다음에, 비중복 영역에 있어서의 상하 레이어의 포개기 오차P와, 중복 영역에 있어서의 상하 레이어의 포개기 오차Q와, 중복 영역에 있어서의 숏S1과 숏S2의 위치 어긋남량(인접 숏의 배열 어긋남량)R을 계측한다(S102). 이 계측은, 노광 장치외부의 계측장치를 사용하여 행해도 좋고, 얼라인먼트 스코프(80) 또는 오프 액시스 스코프(81)를 사용하여 행해도 좋다.
제어부(70)는, 이 계측결과에 근거하여, 숏S1에 형성되는 제1의 상의 보정량과 숏S2에 형성되는 제2의 상의 보정량의 산출(결정)을 행한다(S103). 산출된 보정량은, 노광시의 보정 파라미터로서 예를 들면 데이터 보유부(71)에 기억된다. 보정 파라미터로서는, 숏 영역의 시프트, 회전, 배율등이 있고, 노광 장치의 제어 대상으로서는, 스테이지나 광학계등의 제어 데이터가 있고, 산출된 보정량은 이것들의 파라미터에 적합한 보정값으로 변환될 수 있다. 슬릿 광학계(20)가 갖는 슬릿, 투영 광학계(40)가 갖는 미러 및 렌즈, 중 적어도 어느 하나를 보정값에 따라 조정해서 노광량의 보정(조정)을 행하는 것에 의해, 상의 보정이 행해질 수 있다.
그 후, 2회째의 노광(다음의 연결 노광)이 행해진다(S104). 여기에서 말하는 2회째의 노광은, 생산용의 기판을 사용한 본 노광일 수 있다. 여기서 제어부(70)는, 보정값을 반영시켜서 연결 노광을 실시한다. 구체적으로는 제어부(70)는, 제1숏 영역을 노광해서 제1의 상을 형성하는 제1공정과, 제1숏 영역의 일부와 중복하는 중복 영역을 설치하고 제2숏 영역을 노광해서 제2의 상을 형성하는 제2공정을 실행하여, 제1의 상과 제2의 상을 서로 연결시킨 상을 얻는다. 이때, 제어부(70)는, 제1공정에 있어서, S103에서 결정된 제1의 상의 보정량으로 제1의 상을 보정하고, 제2공정에 있어서, S103에서 결정된 제2의 상의 보정량으로 제2의 상을 보정한다.
이하, 상기한 S101∼S103에 관련되는, 숏S1 및 숏S2의 위치 맞춤에 관한 보정량을 결정하는 결정 방법에 대해서 상세하게 설명한다. 도4는, S101에서 노광되는 숏S1의 모식도다. 본 실시 형태에 있어서, 상하 레이어의 포개기를 위한 계측과, 숏S1과 숏S2와의 위치 맞춤을 위한 계측은, 예를 들면 박스·인·박스의 마크를 사용해서 행해진다.
S101에서, 숏S1을 노광 함에 의해, 숏S1 중 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역R1에 복수의 마크(41)(복수의 제1마크)가 전사된다. 숏S1의 비중복 영역R1에 있어서의 복수의 마크(41)는, 비중복 영역R1의 외주부에 위치하는 1개이상의 마크와, 해당 외주부보다 중앙에 위치하는 1개이상의 마크를 포함할 수 있다. 복수의 마크(41)의 수 및 위치는, 기대되는 상하 레이어간의 포개기 정밀도등을 고려해서 임의로 설계될 수 있다. 복수의 마크(41)의 각각은, 도시되지 않은 하지 마크인 아웃박스 마크에 대응하는 인박스 마크일 수 있지만, 디바이스 내부등 마크를 배치할 수 없는 경우에는, 소정의 패턴이여도 좋다.
도4에 있어서, 중복 영역RS의 하 레이어에는, 이미, 포개기 마크를 구성하는 아웃박스 마크(91)(하지 마크)가 형성되어 있다. S101에서는, 숏S1을 노광 함에 의해, 이 아웃박스 마크(91)에 대응하는 인박스 마크(90)(제2마크)가 전사된다. 또한, S101에서는, 숏S1을 노광 함에 의해, 숏S1과 숏S2와의 위치 어긋남 계측을 위한 아웃박스 마크(92)(제3마크)도, 중복 영역RS에 전사된다.
전술한 대로, 숏S1에서는, 중복 영역의 X방향의 일단으로부터 타단까지에 걸쳐, 노광량(조도)이 100%로부터 0%까지 직선적으로 감쇠된다. 도4에 도시되는 것 같이, 중복 영역내에 형성되는 각 마크는, 숏S1과 숏S2와의 중복 폭의 방향(X방향)에 있어서의 소정의 위치x1에 배치되는 것으로 하고, 위치x1에 있어서의 노광량의 감쇠율을 a%로 한다. 하 레이어에서 형성된 아웃박스 마크(91)와 상 레이어에서 형성된 인박스 마크(90)와의 위치 어긋남량이 포개기 오차로서 검출된다. 단, 숏S1이 노광된 시점에서는, 위치x1의 조도는 (100-a)%에서 밖에 없기 때문에, 인박스 마크(90)는 완전히는 형성되어 있지 않다.
도5는, S101에서 노광되는 숏S2의 모식도다. S101에서, 숏S2를 노광 함에 의해, 비중복 영역R2에 복수의 마크(51)(복수의 제4마크)가 전사된다. 숏S2의 비중복 영역R2에 있어서의 복수의 마크(51)는, 비중복 영역R2의 외주부에 위치하는 1개이상의 마크와, 해당 외주부보다 중앙에 위치하는 1개이상의 마크를 포함할 수 있다. 복수의 마크(51)의 수 및 위치는, 기대되는 상하 레이어간의 포개기 정밀도등을 고려하여 임의로 설계될 수 있다. 복수의 마크(51)의 각각은, 도시되지 않은 하지 마크인 아웃박스 마크에 대응하는 인박스 마크일 수 있지만, 디바이스 내부등 마크를 배치할 수 없는 경우에는, 소정의 패턴이여도 좋다.
도5에 있어서, S101에서 숏S2를 노광 함에 의해, 중복 영역RS에는, 하 레이어에 형성된 아웃박스 마크(91)와의 위치 맞춤을 위해 인박스 마크(90)에 포개서 인박스 마크(93)(제5마크)가 전사된다. 또한, S101에서 숏S2를 노광 함에 의해, 아웃박스 마크(92)(제3마크)에 대응하는 위치에, 인박스 마크(94)(제6마크)도 형성된다.
그 후, S102에서, 숏S1의 비중복 영역R1에 있어서의 복수의 마크(41)와 해당 복수의 마크(41)에 대응하는 복수의 하지 마크(도시되지 않음)와의 각 어긋남량이 계측된다. 또한, 숏S1의 비중복 영역R2에 있어서의 복수의 마크(51)와 해당 복수의 마크(51)에 대응하는 복수의 하지 마크(도시되지 않음)와의 각 어긋남량이 계측된다. 이것들의 비중복 영역에 있어서 계측된 어긋남량을, 복수의 제1어긋남량이라고 말한다.
S102에서는 더욱, 하 레이어에서 형성된 아웃박스 마크(91)와 위 레이어에서 형성된 인박스 마크(93)와의 위치의 차이로부터 포개기 오차가 검출될 수 있다. 그러나, 숏S2가 노광되었을 때의 위치x1에 있어서의 조도는 a%이기 때문에, 이상(ideal)위치 좌표가 동일한 도4의 인박스 마크(90)와의 합계 조도가 (100-a)+a=100%로 되어서 여기에서 완전히 형성된다. 이렇게 해서 인박스 마크(90)와 인박스 마크(93)가 포개지는 것으로, 도6에 도시되는 것 같이, 합성 인박스 마크(95)(합성 마크)가 형성된다. 따라서, S102에서는, 계측된 합성 인박스 마크(95)의 아웃박스 마크(91)에 대한 위치 어긋남량이 계측된다. 이 위치 어긋남량은, 인박스 마크(90)(제2마크) 및 인박스 마크(93)(제5마크)와, 인박스 마크(90) 및 인박스 마크(93)에 대응하는 아웃박스 마크(91)(하지 마크)와의 어긋남량(제2어긋남량)으로서 계측된다.
마찬가지로, 숏S2에서 형성되는 인박스 마크(94)(제6마크)도, 조도는 100%가 아니다. 도4의 아웃박스 마크(92)와 도5의 인박스 마크(94)도 이상위치 좌표가 동일하기 때문에, 이것들의 마크는 끼워 넣기의 위치 관계로 형성된다. 따라서, 도6에 도시되는 박스·인·박스 마크(96)에 의해, 아웃박스 마크(92)(제3마크)와 인박스 마크(94)(제6마크)와의 어긋남량인 제3어긋남량이 계측된다. 아웃박스 마크(92)와 인박스 마크(94)에는, 그레이 톤·박스·인·박스 마크를 채용할 수 있다. 마스크상의 각각의 마크의 노광 광투과율을 연구함으로써, 숏S1과 숏S2와의 위치 어긋남량을 정밀도 좋게 계측할 수 있다. 또한, 그레이 톤·박스·인·박스 마크의 상세한 것은, 예를 들면, 일본 특허공개 2018-10211호 공보에 개시되어 있다.
위 레이어의 포개기 마크인 인박스 마크(90)(도4)의, 하 레이어의 포개기 마크인 아웃박스 마크(91)에 대한 위치 어긋남량을 ΔS1(X(S1), Y(S1))으로 한다. 여기에서, 숏S1의 중심을 원점으로 한 좌표계에 있어서 아웃박스 마크(91)가 (X(S1), Y(S1))에 위치하고 있다고 한다. 다시 말해, ΔS1(X(S1), Y(S1))은, 하 레이어에 대한 숏S1의 위치 어긋남량을 의미한다. 또한, 위 레이어의 포개기 마크인 인박스 마크(93)(도5)의, 하 레이어의 포개기 마크인 아웃박스 마크(91)에 대한 위치 어긋남량을 ΔS2(X(S2), Y(S2))으로 한다. 여기에서, 숏S2의 중심을 원점으로 한 좌표계에 있어서 아웃박스 마크(91)가 (X(S2), Y(S2))에 위치하고 있다고 한다. 다시 말해, ΔS2(X(S2), Y(S2))는, 하 레이어에 대한 숏S2의 위치 어긋남량을 의미한다.
숏Sm(m=1 또는 2)의 비중복 영역에 있어서의 상하 레이어의 포개기 오차(복수의 제1어긋남량)P(Sm)은, 다음식 (1)과 같이 표현할 수 있다.
P(Sm)=ΔSm(X(Sm), Y(Sm)) (1)
중복 영역에 있어서의 상하 레이어의 포개기 오차Q는, 다음식 (2)와 같이 표현할 수 있다.
Q=((100-a)/100)·ΔS1(X(S1), Y(S1))
+(a/100)·ΔS2(X(S2), Y(S2)) (2)
이것은, 인박스 마크(90)(제2마크)와 그의 하지 마크인 아웃박스 마크(91)와의 위치 어긋남량과 인박스 마크(93)(제5마크)와 그의 하지 마크인 아웃박스 마크(91)와의 위치 어긋남량과의 가중합을 나타내고 있다. 그리고, 이 가중합에 있어서의 가중치 계수는, 중복 영역에 있어서의 인박스 마크(90)와 인박스 마크(93)와의 합성 마크(95)의 위치에 있어서의 노광량 비율에 따른 값이다. 이렇게 하여, 중복 영역에 있어서의 제2마크 및 제5마크와, 제2마크 및 제5마크에 각각 대응하는 하지 마크와의 어긋남량에 관한 제2어긋남량이 계측된다.
중복 영역에 있어서의 숏S1 및 숏S2의 위치 어긋남량(제3어긋남량)R은, 다음식 (3)과 같이 표현할 수 있다.
R=ΔS1(X(S1), Y(S1))-ΔS2(X(S2), Y(S2)) (3)
S103에서는, 상기한 복수의 제1어긋남량과, 제2어긋남량과, 제3어긋남량과에 있어서의 각각의 어긋남량이 저감되도록 제1의 상의 보정량과 제2의 상의 보정량이 결정된다. 예를 들면, 식(1), (2), (3)으로부터, 최소 제곱법을 사용하여, 숏 영역내 전체 점(전체 마크)의 P, Q, R의 어긋남량이 최소가 되도록 숏S1 및 숏S2의 보정량이 결정된다.
특허문헌 1에서는, R을 Q에 가미한 후, P, Q의 값으로부터 숏S1 및 숏S2의 보정량을 각각 결정하고 있다. 이것에 대하여 본 실시 형태에서는, 숏S1 및 숏S2에서 노광되는 숏 영역내 전체 점의 P, Q, R 모든 값으로부터 숏S1 및 숏S2의 보정량이 동시에 계산되어 결정된다.
특허문헌 1에 있어서, 예를 들면 P, Q, R을 계측하는 점이 숏 영역의 외주부뿐일 경우에는, 포개기 오차P, Q, R의 보정잔차를 0으로 하는 것이 가능하다. 그러나, P, Q, R의 계측점이 증가하여, 숏 영역의 외주부보다 중앙에 위치하는 계측점도 계측하는 경우, 포개기 오차P, Q, R의 보정잔차를 0으로 할 수 없을 가능성이 있다. 이때, 숏S1 및 숏S2의 보정량은, P 및 Q에 대하여는 보정잔차가 최소가 되도록 계산되지만, R에 대하여는 최소가 된다고는 할 수 없다. 한편, 본 실시 형태에 의하면, P, Q, R 모든 어긋남량을 고려하여 계산이 행해지기 때문에, P, Q, R 모든 어긋남량이 최소가 되는 숏S1 및 숏S2의 보정량을 결정할 수 있다.
(실시 예 2)
연결 노광을 실시할 때, 상하 레이어의 포개기 오차보다도 인접 숏 영역간의 배열이 어긋난 쪽이 불량의 원인이 되기 쉽기 때문에, 인접 숏 영역간의 배열이 어긋난 쪽을 보다 엄격한 값으로 관리하는 것이 생각될 수 있다.
그래서, 숏 영역내에서 계측한 P, Q, R의 어긋남량으로부터 숏S1 및 숏S2의 보정량을 결정할 때에, P, Q, R의 어긋남량에 가중치 부여를 행하는 것으로, 상하 레이어의 포개기 오차와 연결 어긋남의 보정잔차의 비율을 변화시킬 수 있다.
예를 들면, P 및 Q의 가중치를 2, R의 가중치를 5로 하면, 인접 숏 영역간의 배열 어긋남량이, 포개기 오차에 대하여 2.5배의 가중치를 부여해서 보정량을 결정할 수 있다. 가중치의 값은 정수에 한정하지 않고, 임의의 정의 실수를 설정할 수 있다.
<제2실시 형태>
다음에, 도1을 참조하여, 제2실시 형태의 노광 장치에 대해서 설명한다. 본 실시 형태의 노광 장치는, 원판(30) 및 투영 광학계(40)를 통해서 기판 위의 마크를 계측하는 얼라인먼트 스코프(80)와, 투영 광학계(40)의 하부에 구성되고, 투영 광학계를 통하지 않고 기판 위의 마크를 계측하는 오프 액시스 스코프(81)를 가질 수 있다. 그 밖의 구성은 제1실시 형태와 마찬가지다.
얼라인먼트 스코프(80) 및 오프 액시스 스코프(81)에 의해, 기판 위에 노광된 마크를 계측하여, 계측 데이터를 데이터 보유부(71)에 보존한다. 제어부(70)는, 얼라인먼트 스코프(80) 및 액시스 스코프(81)의 캘리브레이션 처리를 실시한다. 동일 마크를 계측할 경우, 어느 스코프로 계측해도 계측값이 같아지도록 조정된다. 여기에서, 노광전에 원판(30)과 기판(60) 위에 형성된 마크를 계측 함에 의해, 상하 레이어간의 마크의 위치 어긋남량의 계측이 가능하게 된다. 이 방법을 사용하는 것에 의해서도 제1실시 형태에서의 실시 예는 실현가능하다.
<물품제조방법의 실시 형태>
본 발명의 실시 형태에 관계되는 물품제조방법은, 예를 들면, 반도체 디바이스 등의 마이크로 디바이스나 미세구조를 갖는 소자등의 물품을 제조하는 데도 적합하다. 본 실시 형태의 물품제조방법은, 기판에 도포된 감광제에 상기한 노광 장치를 사용해서 잠상 패턴을 형성하는 공정(기판을 노광하는 공정)과, 이러한 공정에서 잠상 패턴이 형성된 기판을 현상하는 공정을 포함한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 에칭, 레지스트 박리, 다이싱, 본딩, 패키징 등)을 포함한다. 본 실시 형태의 물품제조방법은, 종래의 방법과 비교하여, 물품의 성능·품질·생산성·생산 코스트 중 적어도 1개에 있어서 유리하다.
(그 밖의 실시 형태)
본 발명은, 상술의 실시 형태의 1이상의 기능을 실현하는 프로그램을, 네트워크 또는 기억 매체를 통해 시스템 또는 장치에 공급하고, 그 시스템 또는 장치의 컴퓨터에 있어서의 1개이상의 프로세서가 프로그램을 판독해 실행하는 처리에서도 실현가능하다. 또한, 1이상의 기능을 실현하는 회로(예를 들면, ASIC)에 의해서도 실현가능하다.
발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것이 아니고, 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러 가지의 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 밝히기 위해서 청구항을 첨부한다.
10:조명 광학계, 20:슬릿 결상계, 30:원판, 40:투영 광학계, 60:기판, 70:제어부

Claims (12)

  1. 기판의 제1숏 영역을 노광해서 제1의 상을 형성하고, 상기 제1숏 영역의 일부와 중복하는 중복 영역을 설치하고 제2숏 영역을 노광해서 제2의 상을 형성하고, 상기 제1의 상과 상기 제2의 상을 서로 연결시킨 상을 얻는 연결 노광을 위한 조정 방법이며,
    상기 제1숏 영역을 노광하고, 상기 제1숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제1마크를 전사함과 아울러, 상기 중복 영역에 제2마크 및 제3마크를 전사하고,
    상기 제2숏 영역을 노광하고, 상기 제2숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제4마크를 전사하고, 또, 상기 중복 영역에 있어서, 상기 제2마크에 포개어 제5마크를 전사함과 아울러 상기 제3마크에 대응하는 위치에 제6마크를 전사하고,
    상기 제1숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제1마크와 해당 복수의 제1마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각 어긋남량과, 상기 제2숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제4마크와 해당 복수의 제4마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각 어긋남량과를 나타내는 복수의 제1어긋남량을 계측하고,
    상기 중복 영역에 있어서의 상기 제2마크 및 상기 제5마크와, 상기 제2마크 및 상기 제5마크에 각각 대응하는 하지 마크와의 어긋남량에 관한 제2어긋남량을 계측하고,
    상기 중복 영역에 있어서의 상기 제3마크와 상기 제6마크와의 어긋남량인 제3어긋남량을 계측하고,
    상기 복수의 제1어긋남량과, 상기 제2어긋남량과, 상기 제3어긋남량과에 있어서의 각각의 어긋남량이 저감되도록 상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량을 결정하고,
    상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량에 근거하여, 상기 제1의 상 및 상기 제2의 상의 조정을 행하는,
    것을 특징으로 하는 조정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    노광 광을 조정하는 슬릿 광학계가 갖는 슬릿, 투영 광학계가 갖는 미러 및 렌즈 중, 적어도 어느 하나를 상기 제1의 상의 보정량 및 상기 제2의 상의 보정량에 근거해서 조정함에 의해, 상기 제1의 상 및 상기 제2의 상의 조정이 행해지는, 것을 특징으로 하는 조정 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    최소 제곱법을 사용하여, 상기 복수의 제1어긋남량과, 상기 제2어긋남량과, 상기 제3어긋남량과에 있어서의 각각의 어긋남량이 최소가 되도록 상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량을 결정하는, 것을 특징으로 하는 조정 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1숏 영역의 노광은, 상기 중복 영역에 있어서의 상기 제1숏 영역측의 일단으로부터 상기 제2숏 영역측의 타단에 걸쳐 노광량이 서서히 저하하도록 노광하는 것을 포함하고,
    상기 제2숏 영역의 노광은, 상기 중복 영역에 있어서의 상기 일단으로부터 상기 타단에 걸쳐 노광량이 서서히 증가하도록 노광하는 것을 포함하는,
    것을 특징으로 하는 조정 방법.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제2어긋남량은, 상기 제2마크와 상기 하지 마크와의 위치 어긋남량과 상기 제5마크와 상기 하지 마크와의 위치 어긋남량과의 가중합에 의해 계산되고,
    상기 가중합에 있어서의 가중치 계수는, 상기 중복 영역에 있어서의 상기 제2마크 및 상기 제5마크의 위치에 있어서의 노광량 비율에 따른 값인,
    것을 특징으로 하는 조정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 제1어긋남량과, 상기 제2어긋남량과, 상기 제3어긋남량과에 가중치 부여를 해서 상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량을 결정하는, 것을 특징으로 하는 조정 방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 제1숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의 상기 복수의 제1마크와, 상기 제2숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의 상기 복수의 제4마크는 각각, 상기 비중복 영역의 외주부에 위치하는 1개이상의 마크와, 해당 외주부보다 중앙에 위치하는 1개이상의 마크를 포함하는, 것을 특징으로 하는 조정 방법.
  8. 기판의 제1숏 영역을 노광해서 제1의 상을 형성하는 제1공정과,
    상기 제1숏 영역의 일부와 중복하는 중복 영역을 설치하고 제2숏 영역을 노광해서 제2의 상을 형성하는 제2공정을, 갖고,
    상기 제1의 상과 상기 제2의 상을 서로 연결시킨 상을 얻는 연결 노광을 행하는 노광 방법이며,
    상기 제1공정에 있어서, 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 조정 방법에 의해 상기 제1의 상이 조정되고,
    상기 제2공정에 있어서, 청구항 1 내지 7 중 어느 한 항에 기재된 조정 방법에 의해 상기 제2의 상이 조정되는,
    것을 특징으로 하는 노광 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    노광 광을 조정하는 슬릿 광학계가 갖는 슬릿, 투영 광학계가 갖는 미러 및 렌즈 중, 적어도 어느 하나를 상기 제1의 상의 보정량 및 상기 제2의 상의 보정량에 근거하여 조정함에 의해, 상기 제1상의 조정 및 상기 제2의 상의 조정을 행하는, 것을 특징으로 하는 노광 방법.
  10. 기판의 제1숏 영역을 노광해서 제1의 상을 형성하고, 상기 제1숏 영역의 일부와 중복하는 중복 영역을 설치하고 제2숏 영역을 노광해서 제2의 상을 형성하고, 상기 제1의 상과 상기 제2의 상을 서로 연결시킨 상을 얻는 연결 노광을 행하는 노광 장치이며,
    상기 제1숏 영역 및 상기 제2숏 영역의 위치 맞춤에 관한 보정량을 결정하는 처리를 행하는 처리부와,
    노광의 제어를 행하는 제어부를, 갖고,
    상기 제어부는,
    상기 제1숏 영역을 노광하고, 상기 제1숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제1마크를 전사함과 아울러, 상기 중복 영역에 제2마크 및 제3마크를 전사하고,
    상기 제2숏 영역을 노광하고, 상기 제2숏 영역 중 상기 중복 영역이외의 영역인 비중복 영역에 복수의 제4마크를 전사하고, 또, 상기 중복 영역에 있어서, 상기 제2마크에 포개어 제5마크를 전사함과 아울러, 상기 제3마크에 대응하는 위치에 제6마크를 전사하고,
    상기 처리부는,
    상기 제1숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제1마크와 해당 복수의 제1마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각 어긋남량과, 상기 제2숏 영역의 상기 비중복 영역에 있어서의, 상기 복수의 제4마크와 해당 복수의 제4마크에 대응하는 복수의 하지 마크와의 각 어긋남량과를 나타내는 복수의 제1어긋남량을 계측하고,
    상기 중복 영역에 있어서의 상기 제2마크 및 상기 제5마크와, 상기 제2마크 및 상기 제5마크에 각각 대응하는 하지 마크와의 어긋남량에 관한 제2어긋남량을 계측하고,
    상기 중복 영역에 있어서의 상기 제3마크와 상기 제6마크의 어긋남량인 제3어긋남량을 계측하고,
    상기 복수의 제1어긋남량과, 상기 제2어긋남량과, 상기 제3어긋남량과에 있어서의 각각의 어긋남량이 저감되도록 상기 제1의 상의 보정량과 상기 제2의 상의 보정량을 결정하고,
    상기 제어부는,
    상기 결정된 상기 제1의 상의 보정량으로 상기 제1의 상을 조정함과 아울러, 상기 결정된 상기 제2의 상의 보정량으로 상기 제2의 상을 조정하고, 상기 연결 노광을 실행하는,
    것을 특징으로 하는 노광 장치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    노광 광을 조정하는 슬릿 광학계가 갖는 슬릿, 투영 광학계가 갖는 미러 및 렌즈 중, 적어도 어느 하나를 상기 제1의 상의 보정량 및 상기 제2의 상의 보정량에 근거하여 조정함에 의해, 상기 제1상의 조정 및 상기 제2의 상의 조정을 행하는, 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  12. 청구항 8에 기재된 노광 방법을 사용해서 기판을 노광하는 공정과,
    상기 노광된 기판을 현상하는 공정을 포함하여,
    상기 현상된 기판으로부터 물품을 제조하는 것을 특징으로 하는 물품제조방법.
KR1020210094009A 2020-07-31 2021-07-19 조정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조방법 KR20220015938A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020130775A JP2022027020A (ja) 2020-07-31 2020-07-31 決定方法、露光方法、露光装置、および物品製造方法
JPJP-P-2020-130775 2020-07-31

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20220015938A true KR20220015938A (ko) 2022-02-08

Family

ID=80233367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020210094009A KR20220015938A (ko) 2020-07-31 2021-07-19 조정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조방법

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2022027020A (ko)
KR (1) KR20220015938A (ko)
CN (1) CN114063393A (ko)
TW (1) TW202207276A (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020098285A (ja) 2018-12-18 2020-06-25 キヤノン株式会社 決定方法、露光方法、露光装置、および物品製造方法

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2020098285A (ja) 2018-12-18 2020-06-25 キヤノン株式会社 決定方法、露光方法、露光装置、および物品製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2022027020A (ja) 2022-02-10
TW202207276A (zh) 2022-02-16
CN114063393A (zh) 2022-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3927774B2 (ja) 計測方法及びそれを用いた投影露光装置
JP5457767B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
KR20010042133A (ko) 노광방법, 노광장치, 포토마스크, 포토마스크의 제조방법,마이크로디바이스, 및 마이크로디바이스의 제조방법
JP5036429B2 (ja) 位置検出装置、露光装置、デバイス製造方法及び調整方法
US20070229848A1 (en) Measurement method and apparatus, exposure apparatus
KR102198599B1 (ko) 마스크, 계측 방법, 노광 방법, 및 물품 제조 방법
JP2013251342A (ja) 計測方法、露光方法および装置
KR102649936B1 (ko) 결정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조 방법
KR101320240B1 (ko) 파면수차 측정 장치, 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
JP2009032747A (ja) 露光装置及びデバイス製造方法
JP4143614B2 (ja) 計測方法
JP2009099873A (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
KR20220015938A (ko) 조정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 및 물품제조방법
JPH11297615A (ja) 投影露光装置および該装置を用いた半導体デバイスの製造方法
US11342184B2 (en) Method of forming multiple patterned layers on wafer and exposure apparatus thereof
US8013976B2 (en) Exposure apparatus, exposure method, and device fabrication method
JP2010034319A (ja) 波面収差の測定方法
JP2006080444A (ja) 測定装置、テストレチクル、露光装置及びデバイス製造方法
KR20190106711A (ko) 결정 방법, 노광 방법, 노광 장치, 물품의 제조 방법 및 컴퓨터 프로그램
JPH11297614A (ja) コマ収差測定装置および該装置を備えた投影露光装置
JP2021179572A (ja) 評価方法、露光方法、および物品製造方法
KR20230113145A (ko) 노광 방법, 노광 장치 및 물품의 제조 방법
TW202244461A (zh) 測量設備、曝光設備及物品製造方法
JP6061912B2 (ja) 計測方法、露光方法および装置
US10222293B2 (en) Optical characteristic measuring method, optical characteristic adjusting method, exposure apparatus, exposing method, and exposure apparatus manufacturing method by detecting a light amount of measuring light

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination