CN114063393A - 调整方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及调整方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法。提供有利于进一步提高上下层之间的重叠精度以及邻接拍摄区域之间的排列精度的接合曝光的技术。提供一种用于接合曝光的调整方法，将多个第1标记转印到第1拍摄区域中的非重复区域，将第2标记及第3标记转印到重复区域，将多个第4标记转印到第2拍摄区域中的非重复区域，并且在重复区域中与第2标记重叠地转印第5标记，并且在与第3标记对应的位置转印第6标记，测量多个第1偏移量、第2偏移量和第3偏移量，以使多个第1偏移量、第2偏移量和第3偏移量中的各个偏移量降低的方式决定第1像的校正量和第2像的校正量，根据第1像的校正量和第2像的校正量来进行调整。

Description

调整方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法

技术领域

本发明涉及调整方法、曝光方法、曝光装置以及物品制造方法。

背景技术

半导体设备、平板显示器(FPD)等通过光刻工序而制造。在光刻工序中，使用经由投影光学系统一边在涂敷有感光剂的基板(玻璃基板、晶片)上扫描曝光区域一边对原版(掩模)的图案进行投影的扫描型曝光装置。

近年来，随着液晶面板等显示器的大型化，需要针对超过2m见方的玻璃基板进行曝光。为了应对这样的基板的大型化，并非一次曝光基板上的全部曝光区域，而是将基板上的曝光区域分割成几个拍摄(shot)区域来进行曝光。此时，进行使邻接的拍摄区域的一部分重叠而曝光的接合曝光。

在接合曝光中，在邻接的拍摄区域彼此重叠的区域(重复区域)中的叠加误差变大时，在重复区域中发生不均。专利文献1公开了一种以使重复区域中的上下层之间的位置偏移量与邻接拍摄区域之间的位置偏移量的校正残差成为0的方式决定校正量的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2020-098285号公报

发明内容

发明要解决的课题

在进行应对基板的大型化并且实现图案的微细化的曝光的情况下，上下层之间的位置偏移以及邻接拍摄区域之间的位置偏移是决定所制造的设备的性能的重要的指标。伴随近年来的图案的微细化，上下层之间的重叠精度以及邻接拍摄区域之间的排列精度的要求值也变得严苛。因此，以往，仅在各拍摄区域的周缘部分进行位置偏移的检查的情形较多，但今后有在拍摄区域的中央部分也配置检查点的可能性。

然而，在如专利文献1记载的以往技术中，有时无法在包括拍摄区域的中央部分的检查点在内的多个检查点的全部点处使上下层之间的位置偏移与邻接拍摄区域之间的位置偏移的校正残差成为0。在以往的校正中，特别是邻接拍摄区域之间的位置偏移在计算算法上校正残差变大的可能性高。

本发明的目的在于提供一种有利于进一步提高上下层之间的重叠精度以及邻接拍摄区域之间的排列精度的接合曝光的技术。

课题的解决手段

根据本发明的第1侧面，提供一种调整方法，用于接合曝光，在所述接合曝光中，对基板的第1拍摄区域进行曝光而形成第1像，设置与所述第1拍摄区域的一部分重复的重复区域地对第2拍摄区域进行曝光而形成第2像，得到将所述第1像和所述第2像接合起来的像，所述调整方法的特征在于，对所述第1拍摄区域进行曝光，将多个第1标记转印到作为所述第1拍摄区域中的所述重复区域以外的区域的非重复区域，并且将第2标记及第3标记转印到所述重复区域，对所述第2拍摄区域进行曝光，将多个第4标记转印到作为所述第2拍摄区域中的所述重复区域以外的区域的非重复区域，并且，在所述重复区域中，与所述第2标记重叠地转印第5标记，并且在与所述第3标记对应的位置转印第6标记，测量表示所述第1拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第1标记和与该多个第1标记对应的多个基底标记的各偏移量以及所述第2拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第4标记和与该多个第4标记对应的多个基底标记的各偏移量的多个第1偏移量，测量与所述重复区域中的所述第2标记及所述第5标记和与所述第2标记及所述第5标记分别对应的基底标记的偏移量有关的第2偏移量，测量作为所述重复区域中的所述第3标记和所述第6标记的偏移量的第3偏移量，以使所述多个第1偏移量、所述第2偏移量和所述第3偏移量中的各个偏移量降低的方式决定所述第1像的校正量和所述第2像的校正量，根据所述第1像的校正量和所述第2像的校正量来进行调整。

根据本发明的第2侧面，提供一种曝光方法，其特征在于，具有：第1工序，对基板的第1拍摄区域进行曝光而形成第1像；以及第2工序，设置与所述第1拍摄区域的一部分重复的重复区域地对第2拍摄区域进行曝光而形成第2像，在所述曝光方法中，进行得到将所述第1像和所述第2像接合起来的像的接合曝光，在所述第1工序中，利用权利要求1至7中的任意一项所述的调整方法来调整所述第1像，在所述第2工序中，利用权利要求1至7中的任意一项所述的调整方法来调整所述第2像。

根据本发明的第3侧面，提供一种曝光装置，进行接合曝光，在所述接合曝光中，对基板的第1拍摄区域进行曝光而形成第1像，设置与所述第1拍摄区域的一部分重复的重复区域地对第2拍摄区域进行曝光而形成第2像，得到将所述第1像和所述第2像接合起来的像，所述曝光装置的特征在于，具有：处理部，进行决定与所述第1拍摄区域及所述第2拍摄区域的对位有关的校正量的处理；以及控制部，进行曝光的控制，所述控制部对所述第1拍摄区域进行曝光，将多个第1标记转印到作为所述第1拍摄区域中的所述重复区域以外的区域的非重复区域，并且将第2标记及第3标记转印到所述重复区域，对所述第2拍摄区域进行曝光，将多个第4标记转印到作为所述第2拍摄区域中的所述重复区域以外的区域的非重复区域，并且，在所述重复区域中，与所述第2标记重叠地转印第5标记，并且在与所述第3标记对应的位置转印第6标记，所述处理部测量表示所述第1拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第1标记和与该多个第1标记对应的多个基底标记的各偏移量以及所述第2拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第4标记和与该多个第4标记对应的多个基底标记的各偏移量的多个第1偏移量，测量与所述重复区域中的所述第2标记及所述第5标记和与所述第2标记及所述第5标记分别对应的基底标记的偏移量有关的第2偏移量，测量作为所述重复区域中的所述第3标记和所述第6标记的偏移量的第3偏移量，以使所述多个第1偏移量、所述第2偏移量和所述第3偏移量中的各个偏移量降低的方式决定所述第1像的校正量和所述第2像的校正量，所述控制部利用决定的所述第1像的校正量来调整所述第1像，并且利用决定的所述第2像的校正量来调整所述第2像，执行所述接合曝光。

根据本发明的第4侧面，提供一种物品制造方法，其特征在于，包括：使用上述第2侧面所涉及的曝光方法对基板进行曝光的工序；以及对曝光后的所述基板进行显影的工序，在所述物品制造方法中，从显影后的所述基板制造物品。

根据本发明，能够提供有利于进一步提高上下层之间的重叠精度以及邻接拍摄区域之间的排列精度的接合曝光的技术。

附图说明

图1是示出实施方式中的曝光装置的结构的图。

图2是示出接合曝光中的拍摄区布局以及照度分布的例子的图。

图3是决定校正量的处理以及曝光处理的流程图。

图4是示出第1拍摄区域中的标记配置的例子的图。

图5是示出第2拍摄区域中的标记配置的例子的图。

图6是示出重复区域中的重叠标记以及接合位置测量标记的例子的图。

(符号说明)

10：照明光学系统；20：狭缝成像系统；30：原版；40：投影光学系统；60：基板；70：控制部。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明实施方式。此外，权利要求书所涉及的发明不限于以下的实施方式。在实施方式中记载了多个特征，但这些多个特征不一定全部都是发明所必须，并且，多个特征也可以任意地组合。而且，在附图中，对同一或同样的结构附加相同的附图标记，省略重复的说明。

<第1实施方式>

图1是示出实施方式中的曝光装置的结构的概略图。该曝光装置例如是采用了使用投影光学系统的镜面投影(mirror projection)方式的扫描型曝光装置。此外，在本说明书以及附图中，在将与基板载置台中的基板保持面平行的面设为XY平面的XYZ坐标系中示出方向。将XYZ坐标系中的与X轴、Y轴、Z轴分别平行的方向称为X方向、Y方向、Z方向。另外，将曝光时的原版以及基板的扫描方向设为Y方向。

曝光装置可以包括搭载原版30(掩模)的原版载置台31、搭载基板60(例如玻璃板)的基板载置台61、对原版30进行照明的照明光学系统10、以及将原版30的图案投影到基板60的投影光学系统40。原版30和基板60隔着投影光学系统40配置于在光学上大致共轭的位置(投影光学系统40的物体面以及像面)。在照明光学系统10与原版载置台31之间，配置有进行曝光的光的整形的狭缝成像系统20。曝光装置可以进行“接合曝光”，在该接合曝光中，对基板60的第1拍摄区域进行曝光而形成第1像，设置与第1拍摄区域的一部分重复的重复区域地对第2拍摄区域进行曝光而形成第2像，得到将第1像和第2像接合起来的像。此外，在以下的说明中，将“拍摄区域”还简称为“拍摄区(shot)”。用于实现该接合曝光的X遮光板50配置于投影光学系统40与基板载置台61之间。控制部70通过控制曝光装置的各部分的驱动来控制曝光。

照明光学系统10可以包括超高压汞灯等光源部、波长选择滤波器、透镜群、快门等。照明光学系统10将适合于曝光的波长的光向狭缝成像系统20照射。狭缝成像系统20具有未图示的狭缝，将来自照明光学系统10的入射光整形为满足某个恒定的载置台扫描速度(例如扫描速度的上限值等)下的必要曝光量的曝光宽度。

搭载有原版30的原版载置台31在控制部70的控制下通过未图示的驱动机构向Y方向扫描。在原版载置台31中配置有多个反射镜32。多个反射镜32分别反射来自配置于原版载置台31外的干涉仪33的测量光。干涉仪33接受反射的测量光，常时监视并测量原版载置台31的位置。控制部70根据干涉仪33的测量的结果，控制原版载置台31的位置及速度。

投影光学系统40具有镜及透镜，通过使曝光的光反射、折射，将形成于原版30的图案投影到基板60。另外，镜及透镜在控制部70的控制下通过未图示的驱动机构在X、Y以及Z方向上驱动，产生任意的倍率、移位。

X遮光板50可以在控制部70的控制下通过未图示的驱动机构驱动。通过使X遮光板50在曝光光路内水平地移动而改变对曝光的光进行遮光的位置，由狭缝成像系统20整形的曝光的光相对于扫描方向倾斜地被遮光，由此控制向基板上的累计曝光量。由此，能够实现如图2(a)所示的针对接合曝光中的拍摄区布局的接合曝光的控制。如图2(b)所示，在作为拍摄区S1(第1拍摄区域)中的重复区域以外的区域的非重复区域中，将表示各X位置处的照度的照度分布设为100％，在重复区域中，使照度分布具有负的斜率。例如，在重复区域中，以从X方向上的第1拍摄区域侧的一端到第2拍摄区域侧的另一端使曝光量(照度)逐渐降低的方式进行曝光。在图2(b)的例子中，在重复区域中，曝光量从100％线性地衰减至0％。另外，如图2(c)所示，在拍摄区S2(第2拍摄区域)中的非重复区域中，将照度分布设为100％，在重复区域中，使照度分布具有正的斜率。例如，在重复区域中，以从X方向上的第1拍摄区域侧的一端到第2拍摄区域侧的另一端使曝光量(照度)逐渐增加的方式进行曝光。在图2(c)的例子中，在重复区域中，曝光量从0％线性地增加至100％。这样，在对拍摄区S1进行曝光时和对拍摄区S2进行曝光时，使重复区域中的曝光量交叉衰落(crossfade)。由此，如图2(d)所示，重复区域及非重复区域中的累计的照度分布以100％均衡化。

搭载有基板60的基板载置台61在控制部70的控制下通过未图示的驱动机构向X、Y以及Z方向扫描。在基板载置台61中配置有多个反射镜62。多个反射镜62分别反射来自配置于基板载置台61外的干涉仪63的测量光。干涉仪63接受反射的测量光，常时监视并测量基板载置台61的位置。控制部70根据干涉仪63的测量的结果，控制基板载置台61的位置及速度。

对准观测器(alignment scope)80经由原版30及投影光学系统40检测基板60的对准标记。另一方面，离轴观测器(off-axis scope)81配置于投影光学系统40的下部，不经由原版30及投影光学系统40而检测基板60的对准标记。

控制部70作为进行决定与拍摄区S1及拍摄区S2的对位有关的校正量的处理的处理部发挥功能，并且作为进行接合曝光的控制的控制部发挥功能。在控制部70中，作为其功能结构，可以包括数据保持部71、驱动量运算部72、驱动指示部73。数据保持部71保持根据由曝光装置在基板上曝光的标记测量的拍摄区内的1个以上的点的X、Y方向的偏移量、各驱动轴的驱动偏置、灵敏度等驱动参数、由曝光装置取得的各种测量数据。驱动量运算部72根据保持于数据保持部71的数据，使用一般的统计手法计算X、Y、Z方向的位置偏置、旋转、倍率等各种校正分量。另外，驱动量运算部72根据驱动参数以及计算出的校正分量，决定各轴的驱动指示量。驱动指示部73使用由驱动量运算部72决定的针对各驱动机构的驱动指示量，输出针对各驱动机构的驱动指示。此外，在控制部70中，作为其硬件结构，例如，可以由包括CPU(中央处理装置)以及存储器的计算机装置构成。在该情况下，数据保持部71可以通过存储器实现，驱动量运算部72及驱动指示部73可以通过CPU实现。

(实施例1)

参照图3的流程图，说明本实施方式中的决定用于接合曝光的与拍摄区S1及拍摄区S2的对位有关的校正量的处理以及根据决定的校正量进行的曝光处理的概略。首先，针对拍摄区S1及拍摄区S2，进行第1次的接合曝光(S101)。该第1次的接合曝光是用于决定校正量的曝光。此时使用的基板既可以是生产用的基板，也可以是测试用的基板。

接下来，测量非重复区域中的上下层的重叠误差P、重复区域中的上下层的重叠误差Q以及重复区域中的拍摄区S1和拍摄区S2的位置偏移量(邻接拍摄区的排列偏移量)R(S102)。该测量既可以使用曝光装置外部的测量装置进行，也可以使用对准观测器80或偏轴观测器81进行。

控制部70根据该测量结果，计算(决定)在拍摄区S1中形成的第1像的校正量和在拍摄区S2中形成的第2像的校正量(S103)。将计算出的校正量作为曝光时的校正参数存储到例如数据保持部71。作为校正参数，有拍摄区域的移位、旋转、倍率等，作为曝光装置的控制对象，有载置台、光学系统等的控制数据，计算出的校正量可以变换为适合于这些参数的校正值。通过依照校正值调整狭缝光学系统20具有的狭缝、投影光学系统40具有的镜及透镜中的至少任意一个来进行曝光量的校正(调整)，可以进行像的校正。

之后，进行第2次的曝光(接下来的接合曝光)(S104)。此处所称的第2次的曝光可以是使用了生产用的基板的正式曝光。在此，控制部70反映校正值来实施接合曝光。具体而言，控制部70执行对第1拍摄区域进行曝光而形成第1像的第1工序以及设置与第1拍摄区域的一部分重复的重复区域地对第2拍摄区域进行曝光而形成第2像的第2工序，得到将第1像和第2像接合起来的像。此时，控制部70在第1工序中利用在S103中决定的第1像的校正量来校正第1像，在第2工序中利用在S103中决定的第2像的校正量来校正第2像。

以下，详细说明上述S101～S103所涉及的决定与拍摄区S1及拍摄区S2的对位有关的校正量的决定方法。图4是在S101中曝光的拍摄区S1的示意图。在本实施方式中，用于上下层的重叠的测量以及用于拍摄区S1和拍摄区S2的对位的测量使用例如盒中盒(box inbox)的标记来进行。

在S101中，通过对拍摄区S1进行曝光，将多个标记41(多个第1标记)转印到作为拍摄区S1中的重复区域以外的区域的非重复区域R1。拍摄区S1的非重复区域R1中的多个标记41可以包括位于非重复区域R1的外周部分的1个以上的标记和位于比该外周部分更靠近中央的1个以上的标记。多个标记41的数量及位置可以考虑期待的上下层之间的重叠精度等而任意地设计。多个标记41中的各个标记41可以是与作为未图示的基底标记的外盒(outbox)标记对应的内盒(in box)标记，但在设备内部等无法配置标记的情况下，也可以是预定的图案。

在图4中，在重复区域RS的下层，已经形成有构成重叠标记的外盒标记91(基底标记)。在S101中，通过对拍摄区S1进行曝光，转印与该外盒标记91对应的内盒标记90(第2标记)。另外，在S101中，通过对拍摄区S1进行曝光，用于拍摄区S1和拍摄区S2的位置偏移测量的外盒标记92(第3标记)也被转印到重复区域RS。

如上所述，在拍摄区S1中，从重复区域的X方向上的一端至另一端，曝光量(照度)从100％线性地衰减至0％。如图4所示，形成于重复区域内的各标记配置于拍摄区S1和拍摄区S2的重复宽度的方向(X方向)上的预定的位置x1，将位置x1处的曝光量的衰减率设为a％。将在下层形成的外盒标记91和在上层形成的内盒标记90的位置偏移量检测为重叠误差。但是，在拍摄区S1被曝光的时间点，位置x1的照度仅为(100-a)％，所以内盒标记90未完全形成。

图5是在S101中曝光的拍摄区S2的示意图。在S101中，通过对拍摄区S2进行曝光，将多个标记51(多个第4标记)转印到非重复区域R2。拍摄区S2的非重复区域R2中的多个标记51可以包括位于非重复区域R2的外周部分的1个以上的标记和位于比该外周部分更靠近中央的1个以上的标记。多个标记51的数量及位置可以考虑期待的上下层之间的重叠精度等而任意地设计。多个标记51中的各个标记51可以是与作为未图示的基底标记的外盒标记对应的内盒标记，但在设备内部等无法配置标记的情况下，也可以是预定的图案。

在图5中，通过在S101中对拍摄区S2进行曝光，在重复区域RS中，为了与形成于下层的外盒标记91的对位，与内盒标记90重叠地转印内盒标记93(第5标记)。另外，通过在S101中对拍摄区S2进行曝光，在与外盒标记92(第3标记)对应的位置，还形成内盒标记94(第6标记)。

之后，在S102中，测量拍摄区S1的非重复区域R1中的多个标记41和与该多个标记41对应的多个基底标记(未图示)的各偏移量。另外，测量拍摄区S1的非重复区域R2中的多个标记51和与该多个标记51对应的多个基底标记(未图示)的各偏移量。将在这些非重复区域中测量的偏移量称为多个第1偏移量。

而且，在S102中，可以根据在下层形成的外盒标记91和在上层形成的内盒标记93的位置的差来检测重叠误差。然而，拍摄区S2被曝光时的位置x1处的照度是a％，所以与理想位置坐标相同的图4的内盒标记90的合计照度成为(100-a)+a＝100％而在此完全形成。通过这样将内盒标记90和内盒标记93重叠，如图6所示，形成合成内盒标记95(合成标记)。因此，在S102中，对测量到的合成内盒标记95相对于外盒标记91的位置偏移量进行测量。将该位置偏移量测量为内盒标记90(第2标记)及内盒标记93(第5标记)和与内盒标记90及内盒标记93对应的外盒标记91(基底标记)的偏移量(第2偏移量)。

同样地，在拍摄区S2中形成的内盒标记94(第6标记)的照度也并非100％。由于图4的外盒标记92和图5的内盒标记94的理想位置坐标也相同，所以这些标记形成为夹入的位置关系。因此，通过图6所示的盒中盒标记96，测量作为外盒标记92(第3标记)和内盒标记94(第6标记)的偏移量的第3偏移量。在外盒标记92和内盒标记94中，能够采用灰色调盒中盒标记。通过研究掩模上的各个标记的曝光的光透射率，能够高精度地测量拍摄区S1和拍摄区S2的位置偏移量。此外，灰色调盒中盒标记的细节例如公开于日本特开2018-10211号公报。

将作为上层的重叠标记的内盒标记90(图4)相对于作为下层的重叠标记的外盒标记91的位置偏移量设为ΔS1(X(S1)，Y(S1))。在此，在将拍摄区S1的中心设为原点的坐标系中，外盒标记91位于(X(S1)，Y(S1))。即，ΔS1(X(S1)，Y(S1))表示拍摄区S1相对于下层的位置偏移量。

另外，将作为上层的重叠标记的内盒标记93(图5)相对于作为下层的重叠标记的外盒标记91的位置偏移量设为ΔS2(X(S2)，Y(S2))。在此，在将拍摄区S2的中心设为原点的坐标系中，外盒标记91位于(X(S2)，Y(S2))。即，ΔS2(X(S2)，Y(S2))表示拍摄区S2相对于下层的位置偏移量。

拍摄区Sm(m＝1或2)的非重复区域中的上下层的重叠误差(多个第1偏移量)P(Sm)能够如下式(1)那样表示。

P(Sm)＝ΔSm(X(Sm)，Y(Sm))(1)

重复区域中的上下层的重叠误差Q能够如下式(2)那样表示。

Q＝((100-a)/100)·ΔS1(X(S1)，Y(S1))

+(a/100)·ΔS2(X(S2)，Y(S2))(2)

这表示内盒标记90(第2标记)与作为其基底标记的外盒标记91的位置偏移量和内盒标记93(第5标记)与作为其基底标记的外盒标记91的位置偏移量的加权和。而且，该加权和中的权重系数是与重复区域中的内盒标记90和内盒标记93的合成标记95的位置处的曝光量比例对应的值。这样，与重复区域中的第2标记及第5标记和与第2标记及第5标记分别对应的基底标记的偏移量有关的第2偏移量被测量。

重复区域中的拍摄区S1及拍摄区S2的位置偏移量(第3偏移量)R能够如下式(3)那样表示。

R＝ΔS1(X(S1)，Y(S1))-ΔS2(X(S2)，Y(S2))(3)

在S103中，以使上述多个第1偏移量、第2偏移量以及第3偏移量中的各个偏移量降低的方式，决定第1像的校正量和第2像的校正量。例如，根据式(1)、(2)、(3)，使用最小二乘法，以使拍摄区域内全部点(全部标记)的P、Q、R的偏移量变得最小的方式，决定拍摄区S1及拍摄区S2的校正量。

在专利文献1中，在将R加到Q后，根据P、Q的值分别决定拍摄区S1及拍摄区S2的校正量。相对于此，在本实施方式中，根据在拍摄区S1及拍摄区S2中曝光的拍摄区域内全部点的P、Q、R所有的值，同时计算而决定拍摄区S1及拍摄区S2的校正量。

在专利文献1中，例如在测量P、Q、R的点仅为拍摄区域的外周部分的情况下，能够使重叠误差P、Q、R的校正残差成为0。然而，在P、Q、R的测量点增加而位于拍摄区域的比外周部分更靠近中央的测量点也测量的情况下，存在无法使重叠误差P、Q、R的校正残差成为0的可能性。此时，以对于P及Q而言使校正残差变得最小的方式计算拍摄区S1及拍摄区S2的校正量，但对于R而言未必变得最小。另一方面，根据本实施方式，考虑P、Q、R所有的偏移量来进行计算，所以能够决定如P、Q、R所有的偏移量变得最小的拍摄区S1及拍摄区S2的校正量。

(实施例2)

在实施接合曝光时，相比于上下层的重叠误差，邻接拍摄区域之间的排列偏移更易于成为不良的原因，所以考虑利用更严格的值来管理邻接拍摄区域之间的排列偏移。

因此，在根据在拍摄区域内测量到的P、Q、R的偏移量来决定拍摄区S1及拍摄区S2的校正量时，通过对P、Q、R的偏移量进行加权，能够使上下层的重叠误差和接合偏移的校正残差的比值变化。

例如，如果将P及Q的权重设为2、将R的权重设为5，则能够相对于重叠误差而对邻接拍摄区域之间的排列偏移量附加2.5倍的权重来决定校正量。权重的值不限于整数，能够设定任意的正的实数。

<第2实施方式>

接下来，参照图1说明第2实施方式的曝光装置。本实施方式的曝光装置可以具有经由原版30及投影光学系统40测量基板上的标记的对准观测器80、以及在投影光学系统40的下部构成且不经由投影光学系统而测量基板上的标记的偏轴观测器81。其他结构与第1实施方式相同。

利用对准观测器80及偏轴观测器81测量在基板上曝光的标记，将测量数据保存到数据保持部71。控制部70实施对准观测器80及偏轴观测器81的标定处理。以在测量同一标记的情况下使测量值不论利用哪个观测器测量都相同的方式进行调整。在此，通过在曝光前测量在原版30和基板60上形成的标记，能够测量上下层之间的标记的位置偏移量。通过使用该方法，也能够实现第1实施方式中的实施例。

<物品制造方法的实施方式>

本发明的实施方式所涉及的物品制造方法例如适合于制造半导体设备等微型设备、具有微细构造的元件等物品。本实施方式的物品制造方法包括使用上述曝光装置在涂敷于基板的感光剂中形成潜像图案的工序(对基板进行曝光的工序)以及对在上述工序中形成潜像图案后的基板进行显影的工序。而且，上述制造方法包括其他公知的工序(氧化、成膜、蒸镀、掺杂、平坦化、蚀刻、抗蚀剂剥离、切割、粘合、封装等)。本实施方式的物品制造方法相比于以往的方法，在物品的性能、品质、生产率、生产成本中的至少1个方面更有利。

(其他实施方式)

通过将实现上述实施方式的1个以上的功能的程序经由网络或存储介质供给到系统或装置并由该系统或装置的计算机中的1个以上的处理器读出并执行程序的处理也能够实现本发明。另外，通过实现1个以上的功能的电路(例如ASIC)也能够实现本发明。

其它实施例

本发明的实施例还可以通过如下的方法来实现，即，通过网络或者各种存储介质将执行上述实施例的功能的软件(程序)提供给系统或装置，该系统或装置的计算机或是中央处理单元(CPU)、微处理单元(MPU)读出并执行程序的方法。

发明不限制于上述实施方式，能够不脱离发明的精神及范围而进行各种变更及变形。因此，为了公开发明的范围而添附权利要求。

Claims (12)

1.一种调整方法，用于接合曝光，在所述接合曝光中，对基板的第1拍摄区域进行曝光而形成第1像，设置与所述第1拍摄区域的一部分重复的重复区域地对第2拍摄区域进行曝光而形成第2像，得到将所述第1像和所述第2像接合起来的像，所述调整方法的特征在于，

对所述第1拍摄区域进行曝光，将多个第1标记转印到作为所述第1拍摄区域中的所述重复区域以外的区域的非重复区域，并且将第2标记及第3标记转印到所述重复区域，

对所述第2拍摄区域进行曝光，将多个第4标记转印到作为所述第2拍摄区域中的所述重复区域以外的区域的非重复区域，并且，在所述重复区域中，与所述第2标记重叠地转印第5标记，并且在与所述第3标记对应的位置转印第6标记，

测量多个第1偏移量，所述多个第1偏移量表示所述第1拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第1标记和与该多个第1标记对应的多个基底标记的各偏移量、以及所述第2拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第4标记和与该多个第4标记对应的多个基底标记的各偏移量，

测量与所述重复区域中的所述第2标记及所述第5标记和与所述第2标记及所述第5标记分别对应的基底标记的偏移量有关的第2偏移量，

测量作为所述重复区域中的所述第3标记和所述第6标记的偏移量的第3偏移量，

以使所述多个第1偏移量、所述第2偏移量和所述第3偏移量中的各个偏移量降低的方式决定所述第1像的校正量和所述第2像的校正量，

根据所述第1像的校正量和所述第2像的校正量，进行所述第1像及所述第2像的调整。

2.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，

根据所述第1像的校正量以及所述第2像的校正量来对调整曝光的光的狭缝光学系统具有的狭缝、投影光学系统具有的镜及透镜中的至少任意一个进行调整，从而进行所述第1像及所述第2像的调整。

3.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，

使用最小二乘法，以使所述多个第1偏移量、所述第2偏移量以及所述第3偏移量中的各个偏移量变得最小的方式决定所述第1像的校正量和所述第2像的校正量。

4.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，

所述第1拍摄区域的曝光包括以从所述重复区域中的所述第1拍摄区域侧的一端到所述第2拍摄区域侧的另一端使曝光量逐渐降低的方式进行曝光，

所述第2拍摄区域的曝光包括以从所述重复区域中的所述一端到所述另一端使曝光量逐渐增加的方式进行曝光。

5.根据权利要求4所述的调整方法，其特征在于，

所述第2偏移量通过所述第2标记和所述基底标记的位置偏移量与所述第5标记和所述基底标记的位置偏移量的加权和而计算，

所述加权和中的权重系数是与所述重复区域中的所述第2标记及所述第5标记的位置处的曝光量比例对应的值。

6.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，

对所述多个第1偏移量、所述第2偏移量以及所述第3偏移量进行加权来决定所述第1像的校正量和所述第2像的校正量。

7.根据权利要求1所述的调整方法，其特征在于，

所述第1拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第1标记和所述第2拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第4标记分别包括位于所述非重复区域的外周部分的1个以上的标记和位于比该外周部分更靠近中央的1个以上的标记。

8.一种曝光方法，其特征在于，具有：

第1工序，对基板的第1拍摄区域进行曝光而形成第1像；以及

第2工序，设置与所述第1拍摄区域的一部分重复的重复区域地对第2拍摄区域进行曝光而形成第2像，

在所述曝光方法中，进行得到将所述第1像和所述第2像接合起来的像的接合曝光，

在所述第1工序中，利用权利要求1至7中的任意一项所述的调整方法来调整所述第1像，

在所述第2工序中，利用权利要求1至7中的任意一项所述的调整方法来调整所述第2像。

9.根据权利要求8所述的曝光方法，其特征在于，

根据所述第1像的校正量以及所述第2像的校正量来对调整曝光的光的狭缝光学系统具有的狭缝、投影光学系统具有的镜及透镜中的至少任意一个进行调整，从而进行所述第1像的调整以及所述第2像的调整。

10.一种曝光装置，进行接合曝光，在所述接合曝光中，对基板的第1拍摄区域进行曝光而形成第1像，设置与所述第1拍摄区域的一部分重复的重复区域地对第2拍摄区域进行曝光而形成第2像，得到将所述第1像和所述第2像接合起来的像，所述曝光装置的特征在于，具有：

处理部，进行决定与所述第1拍摄区域及所述第2拍摄区域的对位有关的校正量的处理；以及

控制部，进行曝光的控制，

所述控制部

对所述第1拍摄区域进行曝光，将多个第1标记转印到作为所述第1拍摄区域中的所述重复区域以外的区域的非重复区域，并且将第2标记及第3标记转印到所述重复区域，

对所述第2拍摄区域进行曝光，将多个第4标记转印到作为所述第2拍摄区域中的所述重复区域以外的区域的非重复区域，并且，在所述重复区域中，与所述第2标记重叠地转印第5标记，并且在与所述第3标记对应的位置转印第6标记，

所述处理部

测量多个第1偏移量，所述多个第1偏移量表示所述第1拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第1标记和与该多个第1标记对应的多个基底标记的各偏移量、以及所述第2拍摄区域的所述非重复区域中的所述多个第4标记和与该多个第4标记对应的多个基底标记的各偏移量，

测量与所述重复区域中的所述第2标记及所述第5标记和与所述第2标记及所述第5标记分别对应的基底标记的偏移量有关的第2偏移量，

测量作为所述重复区域中的所述第3标记和所述第6标记的偏移量的第3偏移量，

以使所述多个第1偏移量、所述第2偏移量和所述第3偏移量中的各个偏移量降低的方式决定所述第1像的校正量和所述第2像的校正量，

所述控制部

利用决定的所述第1像的校正量来调整所述第1像，并且利用决定的所述第2像的校正量来调整所述第2像，执行所述接合曝光。

11.根据权利要求10所述的曝光装置，其特征在于，

根据所述第1像的校正量以及所述第2像的校正量来对调整曝光的光的狭缝光学系统具有的狭缝、投影光学系统具有的镜及透镜中的至少任意一个进行调整，从而进行所述第1像的调整以及所述第2像的调整。

12.一种物品制造方法，其特征在于，包括：

使用权利要求8所述的曝光方法对基板进行曝光的工序；以及

对曝光后的所述基板进行显影的工序，

在所述物品制造方法中，从显影后的所述基板制造物品。

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