JPH1097969A - 走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法 - Google Patents

走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定方法

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JPH1097969A
JPH1097969A JP8249957A JP24995796A JPH1097969A JP H1097969 A JPH1097969 A JP H1097969A JP 8249957 A JP8249957 A JP 8249957A JP 24995796 A JP24995796 A JP 24995796A JP H1097969 A JPH1097969 A JP H1097969A
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scanning
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reduction projection
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    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

Abstract

(57)【要約】 【課題】高精度のディストーション測定を行うことがで
きる走査型縮小投影露光装置及びディストーション測定
方法を提供する。 【解決手段】レチクル上のパターンを、レチクル及び半
導体基板を同期走査することにより半導体基板に縮小投
影露光する走査型縮小投影露光装置において、レチクル
に配置された測定パターンを半導体基板に走査露光する
手段と、レチクルと半導体基板とを静止させた状態で基
準パターンを半導体基板に静止露光する手段とにより、
ディストーション測定を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は走査型縮小投影露光
装置及びディストーション測定方法に関し、特に、高精
度のディストーション測定を行うことができる走査型縮
小投影露光装置及びディストーション測定方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】一般に、半導体集積回路の製造工程で
は、半導体基板（以下、ウェハという）上のレジストに
パターン形成するために露光装置が用いられる。
【０００３】図７は従来の走査型縮小投影露光装置を概
略的に示す構成図である。図７に示すように、従来の走
査型縮小投影露光装置は、エキシマレーザ等の露光光７
０１を出射する光源７０２、光源７０２から出射される
露光光７０１を直角方向に反射させる反射鏡７０３、フ
ライアイレンズ７０４、アパーチャー絞り７０５、レチ
クルパターンの露光範囲外を遮光するためのレチクルブ
ラインド７０６、コンデンサレンズ７０７、パターン像
が形成されたフォトマスクであるレチクル７０８、レチ
クル７０８を移動させ露光位置に位置決めするためのレ
チクルステージ７１２、レチクル７０８上に描画された
パターンをウェハ７１１上に縮小投影露光するための縮
小投影レンズ７０９、ウェハ７１１を露光位置に移動さ
せ位置決めするためのウェハステージ７１０を有する。
【０００４】従来の走査型縮小投影露光装置によれば、
露光光７０１は、光源７０２から反射鏡７０３、フライ
アイレンズ７０４、アパーチャー絞り７０５、レチクル
ブラインド７０６、コンデンサレンズ７０７、レチクル
７０８、縮小投影レンズ７０９を通ってウェハステージ
７１０上のウェハ７１１に所望の露光量だけ照射され
る。これを繰り返し、ウェハ７１１全面にレチクル７０
８上のパターンが露光される。
【０００５】走査型縮小投影露光装置では、理想格子に
対するディストーション測定機能を備えている。以下、
図８に示すフローチャートを参照して、従来の走査型縮
小投影露光装置におけるディストーション測定手順につ
いて説明する。
【０００６】まず、露光領域を長方形で任意に調整する
ことのできるレチクルブラインド７０６を調整して露光
領域を２０ｍｍ角の最大値に設定する（ステップ８０
１）。次に、フォトレジストが塗布されているウェハの
表面に対応して、当該表面におけるディストーションの
測定対象位置として、図９に示すように、４０箇所に、
測定マーク９０１を含む測定用パターンが配置され、か
つ露光領域中心部にも中心部測定マーク９０２が配置さ
れるレチクル９０３を用いて、図１０に示すようにウェ
ハ１００１における最大露光領域１００２に対してウェ
ハステージを９回移動させて、その都度繰り返して露光
する（ステップ８０２）。
【０００７】図９に示すレチクル９０３に配置される測
定マーク９０１及び中心部測定マーク９０２には、図１
１の拡大図に示すように、正方形のパターンによる主尺
１１０１と副尺１１０２とがあるが、ステップ８０２に
次いで、ウェハをウェハステージに載せたままレチクル
ブラインドを調整して、露光領域の中心部測定マークの
領域（５０μｍ角程度）に対してのみ露光光が通るよう
にレチクルブラインドを設定する（ステップ８０３）。
そして、はじめに露光した露光領域内に図９に示すよう
に配置された４０箇所の測定マークそれぞれに対して、
（Ｘ,Ｙ）の各座標とも１０μｍのー定オフセット量ず
らしながら露光を行う。その際、測定マークにおいて、
ディストーションを測定することができるように、上記
の主尺１１０１と副尺１１０２は、図１２（Ａ）の主尺
・副尺重複部１２０１に示すように、相互に重なるよう
に配置される。
【０００８】このことを、はじめに露光したすべての測
定マークのそれぞれに対して、ウェハステージを理想格
子に沿って移動することにより繰り返して行う（ステッ
プ８０４）。その後に、ウェハを現像し（ステップ８０
５）、各測定マークと中心部測定マークのオフセットを
測定して、１０μｍの設定値との差を理想格子に対する
ディストーション値として求める（ステップ８０６）。
即ち、図１２（Ｂ）に示すように、主尺１１０１と副尺
１１０２との重複による主尺・副尺重複部１２０１にお
いて、ｘ及びｙの両座標軸上におけるディストーション
Ｄｉｓｘ及びＤｉｓｙは、図１２（Ｂ）の主尺・副尺重
複部１２０１の拡大図に示すように、ｘ１、ｘ２、ｙ
１、ｙ２を用いて、それぞれ下記の（１）、（２）式よ
り求められる。
【０００９】 Ｄｉｓｘ＝（ｘ１−ｘ２）／２ ・・・・・・・・・（１） Ｄｉｓｘ＝（ｙ１−ｙ２）／２ ・・・・・・・・・（２） なお、上述したように、はじめにウェハにおける最大露
光領域に対してウェハステージを９回移動させて、その
都度繰り返して露光したのは、露光領域内の１点につき
９回の測定を行ってその平均値を求め、測定誤差を低減
することができるようにしているためである。
【００１０】さらに近年、広面積を有する半導体集積回
路では、ウェハ上のパターン形成において走査型縮小投
影露光装置が使用されるようになってきた。
【００１１】上記の走査型縮小投影露光装置における理
想格子に対するディストーション測定手順を、図１３の
フローチャートを参照して説明する。
【００１２】まず、露光領域を長方形で任意に調整する
ことにできるレチクルブラインドを調整して露光領域を
２５×３０ｍｍの最大値に設定する（ステップ１３０
１）。次にフォトレジストが塗布されているウェハの表
面に対応して、当該表面におけるディストーションの測
定対象位置として、図３に示すように、３５箇所に、測
定マーク３０１を含む測定用パターンが配置され、かつ
露光領域中心部にも中心部測定マーク３０２が配置され
るレチクル３０３を用いて、図４に示すようにウェハ４
０１における最大露光領域４０２に対してレチクル４０
１上のパターンを走査露光し、さらにウェハステージを
９回移動させて、その都度繰り返して露光する（ステッ
プ１３０２）。
【００１３】ステップ１３０２に次いで、ウェハをウェ
ハステーンに載せたままレチクルブラインド走査を調整
して、露光領域の中心部測定マーク３０２の領域（５０
μｍ角程度）に対してのみ走査露光ができるようにする
（ステップ１３０３）。そして、はじめに露光した露光
領域内に図３に示すように配置された３５箇所の測定マ
ークそれぞれに対して、（ｘ，ｙ）の各座標とも１０μ
ｍのー定オフセット量ずらしながら走査露光を行う。そ
の際、測定マークにおいて、ディストーションを測定す
ることができるように、図１２（Ａ）に示す縮小投影露
光装置の場合と同様に、主尺と副尺が重複し相互に重な
るように配置される。このことを、はじめに露光したす
べての測定マークのそれぞれに対して、ウェハステージ
を理想格子に沿って移動することにより繰り返して行う
（ステップ１３０４）。その後に、ウェハを現像し（ス
テップ１３０５）、各測定マークと中心部測定マークの
オフセットを測定して、１０μｍの設定値との差を理想
格子に対するディストーション値として求める（ステッ
プ１３０６）。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従来の走査型縮小投影
露光装置においては、理想格子状に露光領域の中心部測
定マークのみ露光する際に走査露光するため、レチクル
とウェハステージの走査同期精度誤差がディストーショ
ン測定誤差に含まれてしまい、ディストーション測定精
度が悪くなるという問題があった。
【００１５】例えば、現在の走査型縮小投影露光装置で
は、レチクルとウェハの同期走査の位置合わせの精度は
±１０ｎｍである。一方、０．２５μｍ以下の設計ルー
ルのデバイスには重ね合わせ精度の向上のために、ディ
ストーションの許容値としては±３０ｎｍ以下程度と非
常に厳密になってきている。従って、このような厳密な
ディストーション量の測定のために±１０ｎｍの誤差が
ある走査露光によって形成された理想格子を基準として
も、正確なディストーション測定を行うことができな
い。
【００１６】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
のであり、高精度のディストーション測定を行うことが
できる走査型縮小投影露光装置及びディストーション測
定方法を提供することを目的とする。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の走査型縮小投影
露光装置は、レチクル上のパターンを、レチクル及び半
導体基板を同期走査することにより半導体基板に縮小投
影露光する走査型縮小投影露光装置において、走査露光
と静止露光を組み合わせてディストーション測定を行う
手段を有することを特徴とするものである。
【００１８】本発明は、レチクルに配置された測定パタ
ーンを半導体基板に走査露光する手段と、レチクルと半
導体基板とを静止させた状態で基準パターンを半導体基
板に静止露光する手段とを有することを特徴とするもの
である。
【００１９】本発明は、レチクル及び半導体基板の静止
状態を監視するための監視手段と、その監視手段により
レチクル及び半導体基板の位置ずれが許容範囲を越えて
いると認識された場合に警告を発する警告手段とを、さ
らに有する場合には、警告の有無によって、正確なディ
ストーション測定が行われたか否かを容易に確認するこ
とができる。
【００２０】本発明の走査型縮小投影露光装置のディス
トーション測定方法は、（１）レチクルに配置された測
定パターンを半導体基板に走査露光する工程と、（２）
レチクルと半導体基板とを静止させた状態で基準パター
ンを半導体基板に静止露光する工程と、（３）露光され
た半導体基板を現像する工程と、（４）測定パターンと
基準パターンとのオフセットを測定する工程と、を有す
ることを特徴とするものである。
【００２１】本発明は又、レチクル及び半導体基板の静
止状態を監視する工程と、レチクル及び半導体基板の位
置ずれが許容範囲を越えている場合に警告を発する工程
と、をさらに有してもよい。
【００２２】本発明によれば、ディストーション測定に
おいて、理想格子状の基準パターンをレチクルと半導体
基板とを静止して露光するので、レチクルと半導体基板
の同期走査の誤差を完全に除くことができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。図１は本発明の走査型縮小
投影露光装置におけるディストーション測定手順を示す
フローチャート、図２は本発明の走査型縮小投影露光装
置を概略的に示す構成図である。
【００２４】図２に示すように、本発明の走査型縮小投
影露光装置は、エキシマレーザ等の露光光２０１を出射
する光源２０２、光源２０２から出射される露光光２０
１を直角方向に反射させる反射鏡２０３、フライアイレ
ンズ２０４、アパーチャー絞り２０５、レチクルパター
ンの露光範囲外を遮光するためのレチクルブラインド２
０６、コンデンサレンズ２０７、パターン像が形成され
たフォトマスクであるレチクル２０８、レチクル２０８
を移動させ露光位置に位置決めするためのレチクルステ
ージ２１２、レチクル２０８上に描画されたパターンを
ウェハ２１１上に縮小投影露光するための縮小投影レン
ズ２０９、ウェハ２１１を露光位置に移動させ位置決め
するためのウェハステージ２１０を有する。
【００２５】本発明の走査型縮小投影露光装置はさら
に、レチクルステージ２１２の位置を確認するためのレ
チクルステージレーザ干渉計２１３、ウェハステージ２
１０の位置を確認するためのウェハステージレーザ干渉
計２１４を有する。
【００２６】露光光２０１は、光源２０２から反射鏡２
０３、フライアイレンズ２０４、アパーチャー紋り２０
５、レチクルブラインド２０６、コンデンサレンズ２０
７、レチクル２０８、縮小投影レンズ２０９を通ってウ
ェハステージ２１０上のウェハ２１１に所望の露光量だ
け照射される。このとき、露光視野としては２５×５ｍ
ｍ程度のスリット形状であり、レチクルブラインド２０
６、レチクルステージ２１２及びウェハステージ２１０
を同期走査することにより、最大２５×３０ｍｍ程度の
領域のウェハ２１１上にレチクル２０８上のパターンを
形成する。これをウェハステージ２１０を移動し、繰り
返し走査させることにより、ウェハ２１１全面にレチク
ル２０８上のパターンが露光される。
【００２７】本発明の走査型縮小投影露光装置における
理想格子に対するディストーション測定手順を、図１の
フローチャートを参照して説明する。
【００２８】まず、露光領域を長方形で任意に調整する
ことにできるレチクルブラインドを調整して露光領域を
２５×３０ｍｍの最大値に設定する（ステップ１０
１）。次に、フォトレジストが塗布されているウェハの
表面に対応して、当該表面におけるディストーションの
測定対象位置として、図３に示すように、３５箇所に、
測定マーク３０１を含む測定用パターンが配置され、か
つ露光領域中心部にも中心部測定マーク３０２が配置さ
れるレチクル３０３を用いて、図４に示すようにウェハ
４０１における最大露光領域４０２に対してレチクル３
０３上のパターンを走査露光し、さらにウェハステージ
を９回移動させて、その都度繰り返して露光する（ステ
ップ１０２）。
【００２９】ステップ１０２に次いで、ウェハをウェハ
ステージに載せたままレチクルステージ位置を、レチク
ル中心と光軸をほぼー致させ、静止させる（ステップ１
０３）。
【００３０】レチクルブラインドは中心部測定マーク領
域（５０μｍ角程度）のみ静止露光できるように設定す
る（ステップ１０４）。そして、はじめに露光した露光
領域内に図３に示すように配置された３５箇所の測定マ
ークそれぞれに対して、（ｘ，ｙ）の各座標とも１０μ
ｍのー定オフセット量ずらしながら静止露光を行う。そ
の際、測定マークにおいて、ディストーションを測定す
ることができるように、従来例と同様に主尺と副尺が重
複部し相互に重なるように配置される。このことを、は
じめに露光したすべての測定マークのそれぞれに対し
て、ウェハステージを理想格子に沿って移動することに
より繰り返して行う（ステップ１０５）。その後に、ウ
ェハを現像し（ステップ１０６）、各測定マークと中心
部測定マークのオフセットを測定して、１０μｍの設定
値との差を理想格子に対するディストーション値として
求める（ステップ１０７）。
【００３１】本発明によれば、ディストーション測定に
おいて、理想格子状の基準パターンをレチクルとウェハ
とを静止して露光するので、レチクルとウェハの同期走
査の誤差を完全に除くことができ、正確なディストーシ
ョン測定が可能となる。
【００３２】つまり、現在の走査型縮小投影露光装置に
おいて、レチクルとウェハの同期走査の位置合わせの精
度は目標値すなわち理想格子に対し±１０ｎｍの範囲で
生じるばらつきが、本発明によれば、静止露光により理
想格子の基準を露光できるので、この±１０ｎｍのばら
つきが０になり、正確なディストーション測定が可能と
なる。
【００３３】さらに、露光装置の正確なディストーショ
ン測定を行うことで、デバイス作製のリソグラフィ工程
における重ね合わせ精度の向上による歩留まり向上が可
能となる。
【００３４】図５は本発明の他の形態の走査型縮小投影
露光装置におけるディストーション測定手順を示すフロ
ーチャート、図６は本発明の走査型縮小投影露光装置を
概略的に示す構成図である。
【００３５】図６に示すように、この走査型縮小投影露
光装置は、図２に示す走査型縮小投影露光装置の構成と
ほぼ同様であるが、中心部測定マーク領域（５０μｍ角
程度）のみ静止露光する場合に、レチクルステージ２１
２、ウェハステージ２１０の静止状態を監視するための
ステージ位置監視部２１５を有する。露光中にレチクル
ステージ２０８やウェハステージ２１０が外乱などによ
り振動した場合には位置ずれとなり、正確なディストー
ション測定ができなくなる。ステージ位置監視部２１５
は、このような位置ずれの許容値を、例えば土２ｎｍと
設定し、それ以上位置ずれとなった場合には警告を発す
るような機能を有する。
【００３６】本発明の他の形態の走査型縮小投影露光装
置における理想格子に対するディストーション測定手順
では、図５に示すように、ウェハ上の各測定パターンの
すべての位置にウェハステージを理想格子状に移動し、
露光領域中心部の測定パターンの静止露光を行った（ス
テップ５０５）後、ステージ位置監視部２１５により位
置ずれ警告があったか否かチェックされ（ステップ５０
６）、位置ずれ警告があった場合には、最初に戻って設
定され、位置ずれ警告がなかった場合には、そのままウ
ェハを現像する（ステップ５０７）ことになる。従っ
て、警告の有無によって、正確なディストーション測定
が行われたか否かを容易に確認することができる。
【００３７】
【発明の効果】本発明によれば、ディストーション測定
において、理想格子状の基準パターンをレチクルとウェ
ハとを静止して露光するので、レチクルとウェハの同期
走査の誤差を完全に除くことができ、正確なディストー
ション測定が可能となる。
【００３８】また、露光装置の正確なディストーション
測定を行うことで、デバイス作製のリソグラフィ工程に
おける重ね合わせ精度の向上による歩留まり向上が可能
となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の走査型縮小投影露光装置におけるディ
ストーション測定手順を示すフローチャートである。
【図２】本発明の走査型縮小投影露光装置を概略的に示
す構成図である。
【図３】走査型縮小投影露光装置のディストーション測
定用レチクルを概略的に示す平面図である。
【図４】走査型縮小投影露光装置におけるウェハ上の露
光領域を示す平面図である。
【図５】本発明の他の形態の走査型縮小投影露光装置に
おけるディストーション測定手順を示すフローチャート
である。
【図６】本発明の他の形態の走査型縮小投影露光装置を
概略的に示す構成図である。
【図７】従来の走査型縮小投影露光装置を概略的に示す
構成図である。
【図８】従来の走査型縮小投影露光装置におけるディス
トーション測定手順を示すフローチャートである。
【図９】従来のディストーション測定用レチクルを概略
的に示す平面図である。
【図１０】従来の走査型縮小投影露光装置におけるウェ
ハ上の露光領域を示す平面図である。
【図１１】主尺及び副尺を含む測定マークの拡大図であ
る。
【図１２】（Ａ）は、主尺・副尺重複部を示し、（Ｂ）
はその寸法を示す説明図である。
【図１３】従来の他の走査型縮小投影露光装置における
ディストーション測定手順を示すフローチャートであ
る。
【符号の説明】
２０１：露光光 ２０２：光源 ２０３：反射鏡 ２０４：フライアイレンズ ２０５：アパーチャー絞り ２０６：レチクルブラインド ２０７：コンデンサレンズ ２０８：レチクル ２０９：縮小投影レンズ ２１０：ウェハステージ ２１１：ウェハ ２１２：レチクルステージ ２１３：レチクルステージレーザ干渉計 ２１４：ウェハステージレーザ干渉計 ２１５：ステージ位置監視部

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】レチクル上のパターンを、レチクル及び半
    導体基板を同期走査することにより半導体基板に縮小投
    影露光する走査型縮小投影露光装置において、 走査露光と静止露光を組み合わせてディストーション測
    定を行う手段を有することを特徴とする走査型縮小投影
    露光装置。
  2. 【請求項２】前記レチクルに配置された測定パターンを
    半導体基板に走査露光する手段と、前記レチクルと半導
    体基板とを静止させた状態で基準パターンを半導体基板
    に静止露光する手段とを有することを特徴とする請求項
    １に記載の走査型縮小投影露光装置。
  3. 【請求項３】レチクル及び半導体基板の静止状態を監視
    するための監視手段と、その監視手段によりレチクル及
    び半導体基板の位置ずれが許容範囲を越えていると認識
    された場合に警告を発する警告手段と、を有することを
    特徴とする請求項１又は２に記載の走査型縮小投影露光
    装置。
  4. 【請求項４】（１）レチクルに配置された測定パターン
    を半導体基板に走査露光する工程と、（２）前記レチク
    ルと半導体基板とを静止させた状態で基準パターンを半
    導体基板に静止露光する工程と、（３）前記露光された
    半導体基板を現像する工程と、（４）前記測定パターン
    と基準パターンとのオフセットを測定する工程と、を有
    することを特徴とする走査型縮小投影露光装置のディス
    トーション測定方法。
  5. 【請求項５】レチクル及び半導体基板の静止状態を監視
    する工程と、レチクル及び半導体基板の位置ずれが許容
    範囲を越えている場合に警告を発する工程と、をさらに
    有することを特徴とする請求項４に記載の走査型縮小投
    影露光装置のディストーション測定方法。
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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000006647A1 (fr) * 1998-07-28 2000-02-10 Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation Composition de resine thermoplastique
WO2006104011A1 (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Nikon Corporation ショット形状の計測方法、マスク
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US10488759B2 (en) 2005-05-03 2019-11-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10495981B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000006647A1 (fr) * 1998-07-28 2000-02-10 Mitsubishi Engineering-Plastics Corporation Composition de resine thermoplastique
US9885959B2 (en) 2003-04-09 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having deflecting member, lens, polarization member to set polarization in circumference direction, and optical integrator
US9678437B2 (en) 2003-04-09 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination optical apparatus having distribution changing member to change light amount and polarization member to set polarization in circumference direction
US9423698B2 (en) 2003-10-28 2016-08-23 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US9760014B2 (en) 2003-10-28 2017-09-12 Nikon Corporation Illumination optical apparatus and projection exposure apparatus
US10281632B2 (en) 2003-11-20 2019-05-07 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical member with optical rotatory power to rotate linear polarization direction
US9885872B2 (en) 2003-11-20 2018-02-06 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method with optical integrator and polarization member that changes polarization state of light
US10234770B2 (en) 2004-02-06 2019-03-19 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10007194B2 (en) 2004-02-06 2018-06-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US20130271945A1 (en) 2004-02-06 2013-10-17 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10241417B2 (en) 2004-02-06 2019-03-26 Nikon Corporation Polarization-modulating element, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and exposure method
US10495980B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US10495981B2 (en) 2005-03-04 2019-12-03 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
WO2006104011A1 (ja) * 2005-03-25 2006-10-05 Nikon Corporation ショット形状の計測方法、マスク
JP4770833B2 (ja) * 2005-03-25 2011-09-14 株式会社ニコン ショット形状の計測方法、マスク
US8339614B2 (en) 2005-03-25 2012-12-25 Nikon Corporation Method of measuring shot shape and mask
CN100459039C (zh) * 2005-03-25 2009-02-04 尼康股份有限公司 照射形状的测量方法、掩模
KR101240845B1 (ko) 2005-03-25 2013-03-07 가부시키가이샤 니콘 쇼트 형상의 계측 방법, 마스크
US10488759B2 (en) 2005-05-03 2019-11-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US9891539B2 (en) 2005-05-12 2018-02-13 Nikon Corporation Projection optical system, exposure apparatus, and exposure method
US10101666B2 (en) 2007-10-12 2018-10-16 Nikon Corporation Illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9857599B2 (en) 2007-10-24 2018-01-02 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9341954B2 (en) 2007-10-24 2016-05-17 Nikon Corporation Optical unit, illumination optical apparatus, exposure apparatus, and device manufacturing method
US9678332B2 (en) 2007-11-06 2017-06-13 Nikon Corporation Illumination apparatus, illumination method, exposure apparatus, and device manufacturing method

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JP2914315B2 (ja) 1999-06-28

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