JPH05216209A

JPH05216209A - フォトマスク

Info

Publication number: JPH05216209A
Application number: JP4749492A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Ota; 和哉太田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1992-02-03
Filing date: 1992-02-03
Publication date: 1993-08-27
Also published as: USH1463H

Abstract

(57)【要約】【目的】ウェハ上に形成されるパターンが比較的ピッ
チが小さく且つ高低差の大きな凹凸のパターンであるよ
うな場合でも、正確にその凹凸のパターンの凸部又は凹
部のフォーカス検出を行う。【構成】ウェハ上に転写すべき素子パターン２０をほ
ぼ規則的に配列したパターン領域を有するマスク１にお
いて、その素子パターン２０の大きさの１つ分の大きさ
の無パターン領域１８を、そのパターン領域内の所定の
位置に設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体集積回路
又は薄膜ヘッド等をフォトリソグラフィ技術を用いて製
造する際の原版として使用されるフォトマスクに関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体集積回路等をリソグラフ
ィ工程で製造するためにステップアンドリピート方式の
縮小投影型露光装置（ステッパー）が使用されている。
このような露光装置では、原版としてのマスク又はレチ
クル等のフォトマスク（以下、単に「マスク」という）
に形成されたパターンの像が投影光学系を介して感光基
板上の各ショット領域に順次転写される。

【０００３】近時、転写されるパターンが微細化される
のに伴い、投影光学系の開口数が大きくなり、投影光学
系の焦点深度が浅くなっている。そこで、感光基板の各
ショット領域をそれぞれその投影光学系の結像面（焦点
位置）の焦点深度の範囲内に収めるため、露光装置には
感光基板の各ショット領域を投影光学系の焦点位置に合
わせるためのオートフォーカス機構が設けられている。
このオートフォーカス機構は、一例として、感光基板の
各ショット領域にプローブパターンとしての例えばスリ
ットパターンの像を投影光学系の光軸に対して斜めの方
向から投影するフォーカス検出送光系と、そのスリット
パターンの像の反射光を受光してその像を受光素子上に
再結像するフォーカス検出受光系とを有する。

【０００４】感光基板の当該ショット領域が投影光学系
の光軸方向に移動すると、その受光素子上でのスリット
パターンの像の位置が変化することから、予めショット
領域を投影光学系の焦点位置に配置したときの再結像さ
れた像の位置を求めておくことにより、そのショット領
域の投影光学系の焦点位置からのずれを検出することが
できる。この検出結果に基づいて感光基板が載置された
テーブルを上下させてそのずれ量を所定範囲内に収める
ことにより、オートフォーカスが行われる。例えば、図
７は感光基板としてのウェハ３を示し、このウェハ３の
露光面は多数のショット領域２５に分割されており、各
ショット領域２５への露光を行う度に、それぞれオート
フォーカスが行われる。

【０００５】また、従来のマスクの回路パターン等が形
成されたパターン領域においては、例えば矩形のパター
ンユニット（例えば回路素子）が縦横に周期的に稠密に
配列されていた。即ち、マスクのパターン配置はパター
ン領域内に均等に行われていた。なぜならば、マスクの
パターン領域を１００％利用することにより、感光基板
の各ショット領域により多くの回路素子等を形成できる
からである。そして、複数のマスクを交換しながら、感
光基板の各ショット領域への露光及び現像等のリソグラ
フィ工程を所定回数繰り返すことにより、感光基板に複
数層のパターンが形成される。また、リソグラフィ工程
を繰り返すことにより、感光基板の各ショット領域には
それぞれ微細な凹凸が形成されるが、半導体集積回路の
場合にはそのような凹凸の高低差は投影光学系の焦点深
度に比べて微小であるため、特に各ショット領域の投影
光学系の焦点位置からのずれの検出（フォーカス検出）
の支障にはならなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近時
は、半導体集積回路等のみならず、例えば磁気ディスク
装置用の薄膜ヘッドの製造にもステッパーが使用される
ようになってきている。このような薄膜ヘッドを製造す
る場合には、１ショット領域に例えば１００個程度の多
数の薄膜ヘッドが形成される。また、例えば図８に示す
ように、薄膜ヘッドにおいては、最終的に基板面と薄膜
ヘッドの上面との差（高低差）が例えば３０μｍ程度と
比較的大きくなる。図８において、２６が薄膜ヘッドと
してウェハ上に周期的に形成される凸部であり、これら
凸部２６の上に薄膜ヘッドのパターンを幾層にも重ね合
わせて形成する。また、このような高低差の大きな凹凸
のパターンを形成するには、多数のマスクを交換しなが
ら多くのリソグラフィ工程を経て徐々に感光基板上に凹
凸を形成していく。

【０００７】このようにピッチが小さく且つ高低差の大
きな凹凸のパターンを形成する場合にも、今回露光対象
となる各ショット領域をそれぞれ投影光学系の焦点面に
合わせる必要がある。このためには、図８に示すよう
に、各ショット領域の凸部又は凹部にスリットパターン
等のプローブパターン２７を投射して投影光学系の焦点
面に対する凸部又は凹部の位置を正確に検出する必要が
ある。しかしながら、それら凸部又は凹部の面積がプロ
ーブパターンのサイズに比べて小さい場合には、プロー
ブパターンが凸部と凹部との両方に一度に投射され、正
確に凸部又は凹部の高さ位置だけを検出することができ
ないという不都合がある。

【０００８】本発明は斯かる点に鑑み、露光装置を用い
てフォトマスクのパターンを被転写部材上に転写するこ
とにより、その被転写部材上に所定のパターンを形成す
る場合に、その形成されるパターンが比較的ピッチが小
さく且つ高低差の大きな凹凸のパターンであるような場
合でも、正確に位置検出することができるようなパター
ンを形成するためのフォトマスクを提供することを目的
とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明による第１のフォ
トマスクは、例えば図４に示す如く、被転写部材上に転
写すべき複数のパターン（２０）をほぼ規則的に配列し
たパターン領域を有するフォトマスク（１）において、
そのパターンの大きさの少なくとも１つ分以上の大きさ
の無パターン領域（１８）を、そのパターン領域内の所
定の位置に設けたものである。この場合、例えば図５に
示すように、その無パターン領域（１８）には、そのフ
ォトマスク（１）とその被転写部材とを２次元的に相対
位置合わせするための基準マーク（２１）を設けてもよ
い。

【００１０】また、本発明による第２のフォトマスク
は、例えば図１〜図３に示すように、被転写部材（３）
上の基準領域（１７Ｉ）内で予め定められた少なくとも
１つの検出領域（１９）の投影光学系ＰＬの光軸方向の
位置を検出する焦点位置検出機構（８，９）を備えた投
影露光装置に使用されるフォトマスク（１）において、
そのフォトマスク（１）は被転写部材（３）上に転写す
べきパターンが形成されたパターン領域（１７）を有し
ており、基準領域（１７Ｉ）に対応するパターン領域
（１７）内の一部分（１８）に、その検出領域（１９）
の大きさに相当する大きさと同程度又はそれ以上の大き
さの無パターン領域を設けたものである。

【００１１】

【作用】斯かる本発明の第１のフォトマスクによれば、
パターン領域内の特定の位置に無パターン領域が形成さ
れ、この無パターン領域には回路パターン等が形成され
ない。従って、リソグラフィ工程で被転写部材を処理し
ても、その無パターン領域が転写される被転写部材上の
領域は、パターンが無い平坦な領域となる。ただし、そ
の無パターン領域が遮光領域であるか若しくは光透過性
領域であるか、又は被転写部材の感光材の種類等によ
り、その平坦な領域は凸部又は凹部の何れにもなり得
る。何れにしても、例えば投影光学系を用いる場合に、
被転写部材の投影光学系の焦点位置に対する位置ずれを
検出するには、その無パターン領域に対応する被転写部
材上の平坦部にフォーカス検出用のプローブパターンを
投影することにより、その平坦部の位置ずれを正確に検
出することができる。

【００１２】また、そのフォトマスクの無パターン領域
に位置合わせ用の基準マークを設けた場合には、その無
パターン領域に対応する被転写部材の平坦部の中に基準
マークの像が転写される。この転写された基準マークは
平坦部の中に形成されるので、容易に検出することがで
きる。また、平坦部内に基準マークが存在しても、この
転写された基準マークよりも大きなフォーカス検出用の
プローブパターンを投影することにより、基準マークの
段差に影響されることなくその平坦部の焦点位置からの
ずれを検出することができる。従って、フォーカス検出
及び被転写部材のアライメントを行うことができる。

【００１３】これに関して、そのフォトマスクの無パタ
ーン領域以外の領域には、或るパターンがほぼ規則的に
配列されているが、各パターンにはアライメントマーク
を入れる必要がなくなるので、個々のパターンの大きさ
を小さくすることができる。また、そのように、小さな
パターンを多数個ほぼ規則的にマスクに形成する場合で
も、アライメントマークの数はパターンの数だけは不要
であり、通常パターン領域内に１個〜４個程度で十分で
ある。従って、アライメントマークとしての基準マーク
をその無パターン領域内に形成することにより、そのパ
ターンは完全に同じパターンの繰り返しとして形成する
ことができる。これにより、フォトマスクのパターン領
域は１種類のパターンと基準マークを含んだ無パターン
領域との２通りのパターンで構成されるため、フォトマ
スクのパターン設計が容易である。

【００１４】また、本発明の第２のフォトマスクによれ
ば、被転写部材上の基準領域内の検出領域（フォーカス
検出用のプローブパターンが投影されている領域）の大
きさに相当する大きさと同程度又はそれ以上の大きさの
無パターン領域が形成されている。従って、その被転写
部材をリソグラフィ工程で処理しても、その無パターン
領域に対応して被転写部材上にはその検出領域の大きさ
と同程度又はそれ以上の大きさの平坦部が形成されるの
で、この平坦部を用いて投影光学系の光軸方向の位置検
出を行うことができる。

【００１５】

【実施例】以下、本発明によるフォトマスクの実施例に
つき図１〜図６を参照して説明する。本実施例は、縮小
投影型露光装置を用いて例えば磁気ディスク装置用の薄
膜ヘッドを製造する場合のマスクに本発明を適用したも
のである。図１は、本例のマスクが使用される縮小投影
型露光装置の要部の構成を簡略化して示し、この図１に
おいて、１はマスク、２は投影光学系、３は感光基板と
してのウェハである。レチクルホルダ５上に載置された
マスク１のパターンを投影光学系２を介してウェハ３の
各ショット領域に所定の縮小倍率（例えば１／５）で転
写する。マスク１のパターン領域の外の上方にはアライ
メント顕微鏡４を固定する。

【００１６】６はレチクルホルダ５の下面に配置された
ウェハアライメント光学系を示し、このウェハアライメ
ント光学系６からのアライメント光をミラー７及び投影
光学系２を介してウェハ３上に照射する。このウェハ３
からの反射光を投影光学系２及びミラー７を介してウェ
ハアライメント光学系６で受光することにより、ウェハ
３の位置を検出することができる。また、８はフォーカ
ス検出送光系、９はフォーカス検出受光系を示し、フォ
ーカス検出送光系８により投影光学系２の光軸に対して
斜めにウェハ３上にフォーカス検出用のプローブパター
ンを投影する。そのウェハ３上のプローブパターンの像
から斜めに反射されて来る光をフォーカス検出受光系９
で受光し、このフォーカス検出受光系９からそのウェハ
３の投影光学系２の光軸方向の位置に対応するフォーカ
ス信号を出力する。

【００１７】また、ウェハ３はウェハホルダ１３に載置
され、このウェハホルダ１３はウェハステージ１４に載
置されている。ウェハステージ１４の上面のウェハホル
ダ１３の近傍にはミラー１１及び基準マーク１２を取り
付け、ミラー１１でレーザ干渉計１０からのレーザビー
ムを反射する。更に、ウェハステージ１４は、送りねじ
１５を介して駆動モータ１６に接続され、駆動モータ１
６を駆動してウェハステージ１４の上面を投影光学系２
の光軸に垂直な２次元平面内で移動させることにより、
投影光学系２のイメージフィールド内にウェハ３の所定
のショット領域を順次移動することができる。この場
合、レーザ干渉計１０によりウェハステージ１４の位置
が計測される。また、ウェハステージ１４にはウェハ３
を投影光学系２の光軸方向に移動させるためのＺステー
ジが組み込まれている。

【００１８】この場合、マスク１のパターン領域の近傍
にはアライメントマークが形成されており、ウェハステ
ージ１４上の基準マーク１２を投影光学系２のイメージ
フィールド内に配置した状態で図示省略した照明光学系
から射出された照明光ＩＬでマスク１を照明する。そし
て、マスク１のアライメントマーク及び基準マーク１２
からの反射光をアライメント顕微鏡４により受光するこ
とにより、基準マーク１２とマスク１との相対的な位置
合わせが行われる。

【００１９】なお、基準マーク１２として発光性のマー
クを使用することもできる。更に、マスク１の下面に配
置されたウェハアライメント光学系６によりウェハ３の
位置が検出される。この場合予め基準マーク１２をウェ
ハアライメント光学系６で検出しておくことにより、基
準マーク１２に対するウェハアライメント光学系６の相
対位置関係が求められる。

【００２０】露光時には、ウェハステージ１４が移動す
ることによってウェハ３は所定間隔で順次移動し、マス
ク１のパターン領域のパターンの像がウェハ３の各ショ
ット領域の全面に露光される。この際に、ウェハ３が完
全な平面でなく、且つ投影光学系２の焦点深度が浅いた
め、各露光ショット毎にウェハ３の高さ方向（Ｚ方向）
の位置を検出し、この位置を投影光学系２の焦点面に合
わせる必要がある。本例ではそのフォーカス検出はフォ
ーカス検出送光系８及びフォーカス検出受光系９により
行われる。

【００２１】次に、図１の縮小投影型露光装置に使用さ
れるマスク１のパターン配置の種々の例につき説明す
る。［第１実施例］図２はこの第１実施例のマスク１を示
し、この図２において、１７はパターン領域であり、こ
のパターン領域１７の全体に露光光が照射される。ま
た、そのパターン領域１７の一部に無パターン領域１８
が形成され、この無パターン領域１８を除くパターン領
域１７の全体に例えば薄膜ヘッドのパターンが形成され
ている。無パターン領域１８は、遮光部、光透過部又は
光の半透過部等の何れでもよい。

【００２２】図３は、図２のマスク１のパターンが転写
されたウェハ上のショット領域を示し、図２のパターン
領域１７の像が図３のショット領域１７Ｉに転写され、
図２の無パターン領域１８の像が図３の領域１８Ｉに転
写される。また、１９は、図１のフォーカス検出送光系
８から図３のショット領域１７Ｉ中に投影されたプロー
ブパターンを示し、本例ではその無パターン領域１８が
転写された領域１８Ｉの大きさは、そのプローブパター
ン１９より大きくしてある。

【００２３】通常半導体等の製造プロセスではリソグラ
フィ工程を何度も繰り返すが、図２の如き無パターン領
域１８が形成されたマスク１を各工程に使うことによ
り、フォーカス検出用のプローブパターン１９の投影さ
れる部分は常に平坦に保たれる。これにより、フォーカ
ス検出時にパターンの凹凸の影響を全く受けないように
することができる。また、例えば図３の場合には、領域
１８Ｉが領域１７Ｉ（特にパターンの凸部）に比べて低
いものとすると、プローブパターン１９の投影によりそ
の領域１８Ｉの高さ位置（Ｚ座標）が検出される。これ
に対して、ウェハ３上のパターンの凸部に投影光学系の
焦点面を合わせる必要がある場合は、無パターン領域１
８に対応する領域１８Ｉで検出したＺ座標にパターンの
凸部の高さに相当するオフセットを加算した位置にウェ
ハ３を変位させることにより対応することができる。こ
の場合のオフセット加算量は予めウェハとパターンとの
高低差を計測しておくことにより知ることができる。

【００２４】［第２実施例］図４は本発明の第２実施例
のマスク１を示し、この図４において、マスク１のパタ
ーン領域は９×９個の同一の大きさの小領域に分割され
ている。そして、各小領域にはそれぞれ同一の素子パタ
ーン２０が形成されている。ただし、９×９個の小領域
の内の中央の小領域が無パターン領域１８となってい
る。即ち、無パターン領域１８の大きさは素子パターン
２０の１個分と全く同じサイズである。更に第１実施例
と同様に、その無パターン領域１８に対応するウェハ上
の領域の大きさは、フォーカス検出用のプローブパター
ンのサイズよりも大きい。

【００２５】なお、素子パターン２０の１個分の代わり
に、素子パターン２０の数個分の小領域を無パターン領
域１８としてもよい。例えば、マスク上に描画されるパ
ターンがマスクの全領域に対して十分に小さいセルの繰
り返しであって、例えば数十〜数百個の同一素子のパタ
ーンが形成される場合、且つ、そのプローブパターンの
サイズがその素子パターンの投影像の１個分〜数個分に
相当する場合、その無パターン領域１８の大きさをその
繰り返し用の素子パターン２０のちょうど１個分〜数個
分に合わせることによって、マスクのパターン設計に負
荷を与えないように無パターン領域１８を形成できる。

【００２６】従って、マスク設計及び繰り返し用の素子
パターン２０の配列が円滑に行える。また、マスクの製
造も電子ビームの直接描画でなく例えばフォトリピータ
が使えて経済的である。

【００２７】［第３実施例］図５は本発明の第３実施例
のマスク１を示す。本例は、図４の第２実施例を改良し
たものであり、図５において図４に対応する部分には同
一符号を付してその詳細説明を省略する。図５におい
て、１８は繰り返し用の素子パターン２０の１個分と同
じ大きさの無パターン領域であり、この無パターン領域
１８内に十字型のウェハアライメントマーク２１を設け
る。また、そのウェハアライメントマーク２１以外に
は、そのマスク１上に他のアライメントマークを設けて
いない。ウェハアライメントマーク２１を十字型にした
のは、Ｘ方向及びＹ方向の２方向のアライメントを行う
ためである。

【００２８】このウェハアライメントマーク２１は、例
えば無パターン領域１８が遮光部又は透過部であるのに
応じてそれぞれ透過部又は遮光部より形成する。また、
半透過部で形成してもよい。また、ウェハアライメント
マーク２１の投影像が例えば図３のプローブパターン１
９の大きさに比べて十分に小さく、フォーカス検出に大
きな影響を与えないようにする。更にウェハ上に凹凸が
あまり発生しない程度（例えば、投影光学系の焦点深度
の範囲内）でアライメントマークを作っておき、凹凸が
激しく発生する工程では図４例のようにアライメントマ
ークが形成されていないマスクを使用すればよい。ま
た、図１のウェハアライメント光学系６の検出波長をウ
ェハ３上の感光材の感光波長域外に設定すれば、同じア
ライメントマークを何工程にも亘って使用できる。

【００２９】第３実施例においては、素子パターン２０
中にアライメントマークを入れなくて済むため、素子パ
ターン２０の１個分の大きさを多少コンパクトにするこ
とができる。マスク中にこの素子パターンが数十〜数百
個もある場合には、全体としてはかなりの面積の節約が
行える。また、全ての素子パターンにアライメントマー
クを入れることを避けて、特定の素子パターンのみにア
ライメントマークを入れる場合、その素子パターンが他
の素子パターンに比べて大きくなると他の配列を乱す。
従って、実用的には、全ての素子パターンを同じ大きさ
に合わせなければならず、面積の節約は行えない。

【００３０】また、アライメント光学系の構成などが変
わることによってアライメントマークの形状を変えなけ
ればならない場合でも、素子パターンについては変更せ
ず、無パターン領域のウェハアライメントマークのみを
変えればよい。従って、マスクの設計が容易になり、更
にマスク製造上でフォトリピータを使う場合に、それ以
前に使っていた素子パターン用のマスクをそのまま使う
ことができ、経済的である。

【００３１】［第４実施例］この第４実施例は、図５の
ウェハアライメントマーク２１を変形したものである。
図６は本例のマスクのパターンをウェハ上のショット領
域に転写した状態を示し、図６において、領域１８Ｉが
図５のマスク１の無パターン領域１８の投影像に相当す
る。この場合、その領域１８Ｉの中央部に十字型のアラ
イメントマーク２３Ｉが形成され、そのマーク２３Ｉの
周囲には枠取りの領域２２Ｉが形成されている。これに
対応して、マスク１側の無パターン領域１８が遮光部の
場合には、その中に透過部よりなる枠取り部を挟んで十
字型の遮光部よりなるウェハアライメントマークが形成
されている。一方、マスク１側の無パターン領域１８が
透過部の場合には、その中に遮光部よりなる枠取り部を
挟んで十字型の透過部よりなるウェハアライメントマー
クが形成される。

【００３２】また、図６においては、プローブパターン
として、そのウェハアライメントマークの像の枠取り部
の像２２Ｉよりも大きなスリットパターン２４が投影さ
れている。図６の場合には、ウェハアライメントマーク
の像２３Ｉの領域も領域１８Ｉの他の領域と同じ高さの
平坦部となるので、フォーカス検出がより正確になると
共に、ウェハ上に形成されたウェハアライメントマーク
の検出も容易になる。さらに、本実施例ではマスク上の
パターン領域内の中央部のみに無パターン領域を設ける
こととしたが、これに限定されることはない。例えば、
図２に示すパターン領域１７の周辺部に少なくとも３つ
の無パターン領域を設ける。そして、ウェハ上に転写さ
れたパターン領域１７内の各無パターン領域の位置を検
出し、夫々の検出結果からウェハ上のパターン領域１７
Ｉの傾きを求めてこれを調整するようにしても構わな
い。

【００３３】なお、本発明は上述実施例に限定されず本
発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り得るこ
とは勿論である。

【００３４】

【発明の効果】本発明の第１及び第２のフォトマスクを
使用すれば、無パターン領域に対応する被転写部材上の
領域はリソグラフィ工程を経ても平坦であるため、この
平坦な領域を用いて常に安定したフォーカス検出を行う
ことができる。従って、マスクの他の領域のパターンを
転写して形成される被転写部材上のパターンが比較的ピ
ッチが小さく且つ深い凹凸のパターンであるような場合
でも、正確にその凹凸のパターンの凸部又は凹部のフォ
ーカス検出ができる利点がある。

【００３５】また、その無パターン領域に位置合わせ用
の基準マークを設けた場合には、その無パターン領域に
対応する被転写部材上の領域を用いて、フォーカス検出
と共に被転写部材のアライメントをも行うことができ
る。従って、マスク上の他の領域にはアライメントマー
クを形成する必要がないので、全体としてマスクのパタ
ーン領域を有効に利用することができ、且つマスクのパ
ターン設計が容易になる利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例のマスクが使用される縮小投影
型露光装置を簡略化して示す構成図である。

【図２】本発明の第１実施例のマスクを示す平面図であ
る。

【図３】図２のマスクのパターンが転写されたウェハ上
の領域を示す平面図である。

【図４】第２実施例のマスクを示す平面図である。

【図５】第３実施例のマスクを示す平面図である。

【図６】第４実施例のマスクのパターンが転写されたウ
ェハ上の領域を示す拡大平面図である。

【図７】マスクパターンが転写されたウェハを示す平面
図である。

【図８】ウェハとフォーカ検出用のビームとの関係を表
すウェハの断面図である。

【符号の説明】

１マスク２投影光学系３ウェハ４アライメント顕微鏡５マスクホルダ６ウェハアライメント光学系８フォーカス検出送光系９フォーカス検出受光系１０レーザ干渉計１２基準マーク１３ウェハホルダ１４ウェハステージ１７パターン領域１８無パターン領域１９プローブパターン２０素子パターン２１アライメントマーク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】被転写部材上に転写すべき複数のパター
ンをほぼ規則的に配列したパターン領域を有するフォト
マスクにおいて、前記パターンの大きさの少なくとも１つ分以上の大きさ
の無パターン領域を、前記パターン領域内の所定の位置
に設けたことを特徴とするフォトマスク。
【請求項２】前記無パターン領域は、前記フォトマス
クと前記被転写部材とを２次元的に相対位置合わせする
ための基準マークを備えたことを特徴とする請求項１に
記載のフォトマスク。
【請求項３】被転写部材上の基準領域内で予め定めら
れた少なくとも１つの検出領域の投影光学系の光軸方向
の位置を検出する焦点位置検出機構を備えた投影露光装
置に使用されるフォトマスクにおいて、前記フォトマスクは前記被転写部材上に転写すべきパタ
ーンが形成されたパターン領域を有しており、前記基準領域に対応する前記パターン領域内の一部分
に、前記検出領域の大きさに相当する大きさと同程度又
はそれ以上の大きさの無パターン領域を設けたことを特
徴とするフォトマスク。