KR100583694B1 - 정렬마크가 제공된 기판, 마스크 설계방법, 컴퓨터프로그램, 상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스제조방법 및 그 디바이스 - Google Patents

정렬마크가 제공된 기판, 마스크 설계방법, 컴퓨터프로그램, 상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스제조방법 및 그 디바이스 Download PDF

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Abstract

기판 위에 놓인 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판으로서,
상기 마크는,
- 정렬빔의 방사선을 반사시키는 적어도 하나의 상대적 고반사영역(들); 및
- 정렬빔의 방사선을 덜 반사시키는 상대적 저반사영역들을 포함하며,
상기 상대적 고반사영역(들)은 서로에 대하여 실질적으로 수직인 제1 및 제2방향의 양방향으로 분할되어 상기 고반사영역들은 주로 직사각형부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.

Description

정렬마크가 제공된 기판, 마스크 설계방법, 컴퓨터 프로그램, 상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스 제조방법 및 그 디바이스{Substrate provided with an Alignment Mark, Method of Designing a Mask, Computer Program, Mask for Exposing said Mark, Device Manufacturing Method, and Device Manufactured Thereby}
도 1은 본 발명이 사용될 수 있는 리소그래피 투영장치를 도시한 도면,
도 2는 본 발명을 구현하는 정렬마크의 부분 확대도.
본 발명은 기판 위에 놓인 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판으로, 상기 마크는,
- 방사선의 정렬빔의 방사선을 반사시키는 상대적 고반사영역; 및
- 상기 정렬빔의 방사선을 덜 반사시키는 상대적 저반사영역을 포함하는 상기 기판에 관한 것이다.
상기 기판은,
- 방사선의 투영빔을 공급하는 방사선시스템,
- 소정 패턴에 따라 투영빔을 패터닝하는 역할을 하는 패터닝수단을 지지하는 지지구조체,
- 기판을 잡아주는 기판테이블, 및
- 기판의 타겟부상에 패터닝된 빔을 투영하는 투영시스템을 포함하는 리소그래피 투영장치에서 처리될 수 있다.
"패터닝수단(patterning means)"이라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하도록 사용될 수 있는 수단을 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광 밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패턴은 집적회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정 기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 그러한 패터닝수단의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 마스크의 개념은 리소그래피 분야에서 이미 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번 위상반전(alternating phase-shift)형 및 감쇠 위상반전형 마스크와 다양한 하이브리드 마스크 형식도 포함한다. 투영빔 내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크의 패턴에 따라 마스크에 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과 마스크의 경우) 또는 반사(반사 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에, 그 지지구조체는 일반적으로 마스크테이블이며 이것은 입사하는 방사선빔 내의 소정 위치에서 마스크를 잡아줄 수 있고 필요에 따라서는 빔에 대하여 이동될 수 있다.
- 프로그램가능한 거울배열. 이러한 장치의 예로는, 점탄성제어 층(viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광을 회절광으로 반사하는 한편, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광을 비회절광으로 반사하는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 반사된 빔 중에서 상기 비회절광을 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다. 이러한 방식으로 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 프로그램가능한 거울배열의 대안적인 실시예는 국부화된 적절한 전기장을 가하거나 압전작동수단(piezoelectric actuation mean)을 채용하여 축을 중심으로 각각의 거울이 개별적으로 기울어질 수 있는 작은 거울들의 매트릭스 배치를 채용하는 것이다. 마찬가지로, 상기 거울은 매트릭스-어드레서블이며, 어드레스된 거울은 입사되는 방사선빔을 어드레스되지 않은 거울과는 다른 방향으로 반사한다. 이러한 방식으로, 상기 반사된 빔은 상기 매트릭스-어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 이때 요구되는 매트릭스 어스레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상기에 서술된 두 가지 상황 모두에서, 패터닝수단은 1 이상의 프로그래밍가능한 거울배열을 포함할 수 있다. 이러한 거울배열에 관한 더 많은 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참조되고 있는 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호 및 PCT 특허출원 WO 98/38597호, WO 98/33096호로부터 얻을 수 있다. 프로그래밍가능한 거울배열의 경우, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
- 프로그래밍 가능한 LCD 배열. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조 되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상기와 마찬가지로, 이러한 경우 상기 지지구조체는 필요에 따라 고정되거나 움직일 수 있는 프레임 또는 테이블로써 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크 및 마스크테이블을 포함하는 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝수단의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
예를 들어, 리소그래피 투영장치는 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이러한 경우, 상기 패터닝수단은 IC의 개별층에 해당하는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 상기 패턴은 한 층의 방사선감응재(레지스트)로 코팅된 기판(실리콘 웨이퍼)상의 타겟부(예를 들면, 1이상의 다이로 구성되는)에 이미징될 수 있다. 일반적으로 한장의 웨이퍼에는 인접하여 있는 여러 개의 타겟부로 구성된 전체적인 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 한번에 하나씩 연속적으로 조사된다. 현재 통용되는 장치에서, 마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채택하는 데에는, 두 가지 서로 다른 형식의 기계로 구분될 수 있다. 한 가지 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체 마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼(wafer stepper)라고 한다. 통상, 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라고 불리워지는 대체장치에서는 투영빔하에서 소정의 기준방향("스캐닝" 방향)으로 마스크 패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 이 방향과 같은 방향 또는 반대 방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사된다. 일반적으로 투영시스템은 배율인자 Ｍ(일반적으로 <1)을 가지므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도 V는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 된다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 상세한 정보는 예를 들어, US 6,046,792호로부터 얻을 수 있으며 본 명세서에서도 참조자료로 채용된다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(레지스트)의 층이 최소한의 부분에라도 도포된 기판상에 이미징된다. 이 이미징단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트도포 및 소프트 베이크와 같은 여러가지 과정을 거칠 수 있다. 노광 후에는, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및 이미징된 피쳐의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 예를 들어 IC 디바이스의 개별층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 그런 다음 이렇게 패터닝된 층은 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 폴리싱 등과 같은, 모두가 개별층을 마무르도록 하는 여러 공정을 거친다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복되어져야만 할 것이다. 그 결과로, 기판(웨이퍼)상에는 디바이스의 배열이 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스는 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의하여 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가 정보는, 예를 들어, 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing" (3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997년, ISBN 0-07-067250-4)으로부터 얻을 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 상기 투영시스템은 이후에 "렌즈"라고 언급될 것이다. 하지만 이 용어는 예를 들어, 굴절광학기, 반사광학기 및 카타디옵트릭 (catadioptric) 시스템을 포함한 다양한 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 또한 상기 방사선시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형 또는 제어하기 위한 임의의 이들 설계방식에 따라 동작하는 구성요소를 포함할 수 있고, 이후의 설명에서는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 것이다. 더 나아가, 상기 리소그래피장치는 2이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크테이블)을 구비하는 형태가 될 수도 있다. 이러한 "다수 스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병행으로 사용될 수 있으며, 1이상의 테이블이 노광에서 사용되고 있는 동안 1이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수 있다. 예를 들어 US 5,969,441호 및 WO 98/40791호에는 듀얼스테이지 리소그래피장치가 개시되어 있으며, 본 명세서에서도 인용 참조되고 있다.
본 발명은 기판에 대하여 패터닝수단의 패턴을 정렬시키기 위한, 리소그래피 투영장치의 정렬 시스템용 정렬마크에 관한 것이다. 이 정렬 시스템은 예를 들어, 본 명세서에서 인용 참조되고 있는 국제출원 WO 98/39689호에 개시된 간접 오프액시스 정렬시스템(indirect off-axis alignment system)으로서, 별도의 정렬 유닛에 의하여 조사되어 기판상에 격자(grating) 형태로 있는 마크 위에 입사되는 방사선의 정렬빔을 사용한다. 상기 격자는 정렬빔을 격자의 법선에 대하여 상이한 각으로 뻗는 여러 개의 서브빔으로 회절시킨다. 상기 별도의 서브빔은 정렬 유닛의 렌즈에 의하여 평면내 다른 위치로 방향잡힐 것이다. 이 평면에 상이한 서브빔을 또다시 분리하는 수단이 제공될 수 있다. 또한 렌즈시스템이 마크의 이미지를 생성하기 위하여 기준판위에 상이한 서브빔을 최종으로 이미징하는데 사용될 수 있다. 상기 기준판에는 기준마크가 제공될 수 있고 기준마크 뒤에는 감광 검출기가 배열될 수도 있다. 상기 검출기의 출력신호는 기판마크와 기준마크의 이미지가 어느 정도 일치하는지에 달려있다. 이 방법으로 기판상의 마크가 정렬 유닛내의 기준마크와 어느 정도 정렬하는지가 측정되고 최적화될 수 있다. 검출기는 세기 및 정렬된 위치를 상이한 차수(order)에서 측정하는 별도의 개별 검출기를 포함한다. 정렬을 끝내기 위해서, 정렬 유닛의 기준은 예를 들어, 정렬 유닛을 갖춘 기판테이블에 제공된, 제2기준마크와 정렬되어야 한다. 그 목적을 위해서 본 명세서에서 인용 참조되는 US 5,144,363호에 서술된 장치 및 방법이 사용될 수 있다.
대안적으로, 투영시스템을 거쳐 기판상에 제공된 마크 위로 직접 정렬빔을 쏘는 직접 온액시스 정렬 시스템(direct on-axis alignment system)이 사용될 수 있다. 상기 빔은 기판상의 마크에 의하여 상이한 서브빔들로 회절되고 투영시스템 안으로 반사될 것이다. 투영시스템을 지난 후에 상이한 서브빔들은 마스크에 제공된 기준 정렬마크 위에 포커스될 것이다. 서브빔들에 의하여 형성된 기판마크의 이미지는 마스크의 기준마크에 따라 이미징될 수 있다. 이 방법으로 기판상의 마크와 마스크의 기준마크와의 정렬 정도가 측정되고 최적화될 수 있다. 이것은 마스크의 마크를 지나는 정렬빔을 검출하도록 구성 배치된 감광성 검출기를 사용하여 행해질 수 있다. 여기에 서술된 온액시스 정렬 시스템에 대한 더 많은 정보는 본 명세서에서 인용 참조되는 미국특허 4,778,275호를 참조한다.
기존의 정렬마크는 기판상에 이미징된 피처보다 실질적으로 큰 척도로 형성된다. 예를 들어, 박스인박스형 마커(box-in-box type marker)는 10㎛ 이상의 크기를 가지는 반면, 기판상에 이미징된 피처의 최소 치수는 0.1㎛일 수 있다. 따라서, 정렬마크가 기판상으로 투영될 때, 마스크 패턴내 정렬마크에 의하여 회절된 광은 패터닝된 피처에 의하여 회절된 광과는 다르게 투영 광학기를 지나 상이한 경로를 따라 진행할 것이다. 따라서 정렬마크의 이미지는 마스크 피처의 이미지와는 다른 상이한 수차들의 영향을 받게 되고, 따라서 정렬마크의 위치 에러는 패터닝된 피처의 위치 에러와 동일하지 않을 수 있다. 이것은 오버레이 에러를 검출할 수 있는 정확성에 한계를 준다. EP 0 997 782호에서는 이 문제에 대한 해결책으로서, 정렬마크가 회로 패턴과 유사한 라인, 폭 및 간격을 가진 격자로 형성된다. 정렬은 기판상의 정렬마크의 텔레비젼 카메라 이미지를 사용하여 실행된다. 하지만, EP 0 997 782호에 제시된 정렬마크는 인접한 라인들의 패턴과 동일한 위치 에러를 보일 뿐, 다른 종류의 패턴에 대한 오버레이 에러의 측정시 향상된 정확도를 제공하지는 않는다. 나아가, 상기 정렬마크는 그것의 위치를 측정하기 위한 추가적인 장치를 필요로 하며 기존의 정렬 시스템과는 호환성이 없다.
본 발명의 목적은 매우 다양한 종류의 패턴에 상응할 만한 위치 에러를 보이며 기존의 정렬툴과도 정렬될 수 있는 정렬마크를 제공하는 것이다.
본 발명에 따라, 기판 위에 놓인 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판으로서,
상기 마크는,
- 방사선의 정렬빔의 방사선을 반사시키는 적어도 하나의 상대적 고반사영역(들); 및
- 정렬빔의 방사선을 덜 반사시키는 상대적은 저반사영역들을 포함하며,
상기 상대적 고반사영역(들)은 서로에 대하여 실질적으로 수직인 제1 및 제2방향의 양방향으로 분할되어 상기 고반사영역들은 주로 직사각형부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판에 의하여, 본 발명의 목적 및 다른 목적이 달성된다.
정렬마크의 상대적 고반사영역을 직사각형의 부분들로 분할함으로써, 상기 마크는 마스크 패턴내의 구조와 마찬가지로 투영렌즈의 퓨필평면에서 유사한 위치로 광을 회절시키도록 배치될 수 있다. 따라서 웨이퍼상으로 투영된 정렬마크의 이미지는 마스크 패턴의 구조의 이미지와 동일한 수차의 영향을 받을 것이며, 따라서 기판상의 마크의 위치는 패터닝된 피처의 위치를 더 잘 표현하고 이것은 오버레이 에러의 더 정확한 측정을 가능하게 한다. 고반사영역의 각 부분은 두 방향으로 직사각형 조각들로 분할되기 때문에, 전체 마크는 동일한 수차의 영향을 받는다. 또한, 퓨필평면은 두 직교 방향으로의 회절로 인하여 충분히 표본으로 조사된다.
고반사영역의 분할은 기존의 마크에도 적용될 수 있다. 기존의 마크가 격자의 형태인 경우에, 분할은 기존의 정렬 시스템이 그것을 무시하도록 격자의 피치보다 작은 척도를 가지며 공지의 방식으로 마스크 위치를 직접 측정하는 것이 가능하 다.
본 발명은 또한 상기 서술된 정렬마크를 노광하는 패턴을 담고 있는 마스크를 제공한다.
본 발명의 마스크는 리소그래피 투영장치에서 기판상으로 마스크 패턴을 투영하는 데 사용되도록 마스크를 설계하는 방법에 의하여 제작될 수 있는데, 상기 마스크는 상대적 고반사영역 및 상대적 저반사영역을 포함하는 적어도 하나의 정렬마크를 구비하며, 상기 방법은,
- 상기 마스크 패턴내 적어도 하나의 구조의 상이한 회절차수의 상기 리소그래피 투영장치의 투영시스템의 퓨필평면내 위치를 결정하는 단계;
- 정렬마크의 상이한 회절차수가 상기 적어도 하나의 구조의 상기 상이한 회절차수와 실질적으로 동일한 상기 퓨필평면내 위치에 위치되게 하도록 상기 정렬마크의 상기 고반사영역의 적절한 분할을 결정하는 단계; 및
- 상기 마스크 패턴내 상기 정렬마크의 패턴을 적절하게 결정된 바에 따라 분할되도록 변경하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시형태에 따르면,
- 기판테이블에, 적어도 부분적으로는 한 층의 방사선감응재로 덮인, 투과층내에 고반사영역 및 저반사영역을 포함하는 정렬마크를 포함하는 기판을 제공하는 단계;
- 방사선의 정렬빔으로 기준에 대하여 정렬마크를 정렬시키는 단계;
- 방사선 시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
- 패터닝수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및
- 방사선감응재층의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하는 디바이스 제조방법에 있어서,
상기 고반사영역은 서로에 대하여 실질적으로 수직인 제1 및 제2방향의 양방향으로 분할되어 상기 고반사영역(들)은 주로 직사각형 부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법이 제공된다.
본 명세서에서는 IC의 제조에 있어서의 본 발명에 따른 장치의 사용례에 대하여 특정지어 언급하였으나, 이러한 장치가 다른 여러 가능한 응용례를 가지고 있음이 명백히 이해되어야 할 것이다. 예를 들어, 상기 장치는 집적 광학시스템, 자기영역메모리용 유도 및 검출패턴, 액정표시패널, 박막자기헤드 등의 제조에도 이용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는, "다이"와 같은 용어가 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부" 등과 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되고 있음을 이해할 수 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 파장이 365, 248, 193, 157 또는 126㎚ 인)자외선 및 EUV(극자외선, 예를 들어 파장이 5 내지 20㎚ 범위인)를 포함한 모든 형태의 전자기방사선뿐만 아니라 이온빔이나 전자빔과 같은 입자빔까지도 포괄하여 사용된다.
이하, 첨부된 개략적인 도면을 참조로 단지 예시의 방식으로 본 발명의 실시예를 서술한다.
도 1은 본 발명에 따른 마크를 구비한 기판이 사용될 수 있는 리소그래피 투 영장치를 개략적으로 도시한다. 상기 장치는,
- 방사선(예를 들어, UV 또는 EUV)의 투영빔(PB)을 공급하는 방사선시스템(Ex, IL)(특별히 이 경우에 방사선시스템이 방사원(LA)도 포함한다);
- 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크 홀더가 마련된, 아이템(PL)에 대하여 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정수단에 연결된 제1대물테이블(마스크테이블)(MT);
- 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 실리콘 웨이퍼)을 잡아주는 기판 홀더가 마련된, 아이템(PL)에 대하여 기판을 정확히 위치시키는 제2위치설정수단에 연결된 제2대물테이블(기판테이블)(WT); 및
- 기판(W)의 타겟부(C)(1이상의 다이를 포함)에 마스크(MA)의 조사된 부분을 이미징하는 투영시스템("렌즈")(PL)(예를 들어, 굴절 또는 커타디옵트릭 시스템, 거울그룹 또는 필드디플렉터 어레이)을 포함하여 이루어진다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (투과마스크를 구비한) 투과형(transmissive type)이다. 하지만, 일반적으로는, 예를 들어 (반사마스크를 구비한) 반사형일 수도 있다. 대안적으로, 상기 장치는 위에서 언급한 바와 같은 형태의 프로그램 가능한 거울 배열과 같은 그 밖의 다른 종류의 패터닝수단을 채용할 수도 있다.
방사원(LA)(예를 들어, HG 램프, 엑시머레이저, 스토리지링내의 전자빔 경로 주변에 제공된 언듈레이터 또는 싱크로트론)은 방사선의 빔을 생성한다. 상기 빔은 곧바로 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 예를 들어 빔 익스펜더(Ex)와 같은 컨디셔닝 수단을 거친 다음에 조명시스템으로 들어간다. 상기 일루미네이 터(IL)는 빔내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라고 함)를 설정하는 조정수단(AM)을 포함하여 이루어진다. 또한 그것은 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 그 밖의 다른 다양한 구성요소들을 포함하고 있다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 도달하는 빔(PB)은 그 단면에 소정의 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사원(LA)은 리소그패피 투영장치의 하우징내에 놓이지만(흔히 예를 들어, 방사원(LA)이 수은 램프인 경우에서처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선빔이 (가령, 적절한 지향 거울에 의해) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다. 후자의 시나리오는 방사원(LA)이 흔히 엑시머레이저인 때의 경우이다. 본 발명과 청구 범위는 이들 시나리오를 모두 포함하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)을 포커스한다. 제2위치설정수단(및 간섭계측정수단(IF))에 의하여, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정수단은 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 긴 행정 모듈(long stroke module)(개략 위치설정) 및 짧은 행정 모듈(미세 위치설정)의 도 움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에는 마스크테이블(MT)이 짧은행정모듈에만 연결될 수도 있고 고정될 수도 있다.
상술한 장치는 다음의 두가지 상이한 모드로 사용될 수 있다.
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)은 기본적으로 정지상태로 유지되며, 전체 마스크 이미지는 한번에(즉, 단일 "섬광"으로) 타겟부(C)에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 x 및/또는 y 방향으로 쉬프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는 것을 제외하고는 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동 가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝하도록 되고, 이와 함께 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동하는 데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 M=1/5)이다. 이러한 방식으로, 해상도를 떨어뜨리지 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다.
마스크에는 정렬을 목적으로 마스크(MA)내에 마크(M1, M2)가 제공된다. 이들 마크(M1, M2)는 투영시스템(PL)을 통하여 직접 또는 간접으로 기판(W)내 마크(P1 , P2)와 정렬될 수 있다. 상기 정렬시 투영시스템(PL)을 통하여 기판(W)상에 투영되는 이미지(C)의 위치에 대한 정보가 얻어진다. 이것은 상이한 마스크로 노광되는 상이한 층들이 서로에 대하여 정확히 위치되는지를 확실히 하는데 필요하다. 따라서 마스크(MA)의 이미지는 각 층의 노광전에 동일한 기판 마크(P1, P2)에 정렬되어야 한다.
도 2는 본 발명에 따른 기판 정렬마크를 도시한다. 이러한 정렬마크는 4개의 부격자(sub-grating)(P1,a, P1,b, P1,c, P1,d)를 포함하는데, 이들 중 부격자 P1,b 및 P1,d 는 X 방향으로의 정렬을 위해 역할하며 부격자 P1,a 및 P1,c 는 Y 방향으로의 정렬을 위해 역할한다. 상기 부격자는 예를 들어, 16㎛ 의 격자구간을 가질 수 있다. 격자구간은 각 부격자마다 다를 수 있고 부격자의 크기는 200 * 200 ㎛ 일 수 있다. 각 부격자는 상대적 고반사영역(3)과 상대적 저반사영역(1)을 포함한다.
확대 도시된 바와 같이, 반사영역(3)은 정방형의 반사부분으로 형성되는데, 각 정방형은 제1 및 제2방향으로 반복되고 상기 제1 및 제2방향과 평행한 변을 가진다. 여기에 도시된 바와 같이, 두 종류의 정방형 표면이 있는데, 반사영역(3)을 형성하기 위해서 반복되는 큰 것(23)과 작은 것(25)이 있다. 정방형의 크기는 마스크로부터 기판상으로 노광되는 구조의 크기에 상응할 만하며 더 큰 크기의 정방형이 사용될 수도 있다. 노광될 구조 및 마크의 반사영역내 정방형들의 상응할 만한 크기가, 그 경우에 노광될 구조에 의한 회절이 그 경우에 마크의 상기 반사영역에 의한 회절과 유사하기 때문에 유리하다. 이 유사한 회절의 장점은 유사한 회절을 가진 빔들이 투영시스템을 통하여 유사한 광경로를 지날 것이고 따라서 투영시스템내의 동일한 수차의 영향을 받는다는 것이다. 이들 수차로 인한 위치 이탈은 정렬마크와 노광될 구조에 대하여 유사할 것이며 이것은 더 양호한 정렬 위치로 이끈다. 정방형들의 크기는 0.05 내지 0.5㎛의 범위에 있을 수 있다.
본 발명은 오버레이를 측정하기에 적합한 마크의 형태를 취할 수 있다. 그 경우에 상기 마크는 큰 정방형의 형태를 가질 수 있다. 그 경우에 정방형은 노광될 구조의 크기에 상응할 만한 크기를 가진 다수의 더 작은 정방형을 포함할 것이다.
대안으로서, 리소그래피장치에서 노광될 특정 구조의 투영시스템(PL)의 퓨필평면내에서 상이한 회절차수의 위치를 측정할 수 있다. 퓨필평면내 위치는 상기 특정 구조에 의하여 발생되는 회절량의 정보를 준다. 그런 다음, 정렬마크의 퓨필평면내에서 상이한 회절차수의 위치를 측정할 수 있고, 노광될 구조와 정렬마크의 퓨필 평면내 상이한 회절차수들의 위치가 유사해지도록 그 정렬마크를 변경할 수 있다. 또한 리소그래피 투영장치에서 노광될 구조와 마찬가지로 퓨필평면내 유사한 위치로 회절하는 마크를 구하기 위한 시뮬레이션 소프트웨어를 사용할 수도 있다. 마찬가지로, 마크의 고반사영역은 리소그래피 투영장치에서 노광될 구조와 유사하게 회절될 것이며, 투영시스템내의 동일한 수차의 영향을 받아 동일한 위치 이탈과 더 양호하게 정렬된 위치를 제공할 것이다.
이상, 본 발명의 특정 실시예에 대하여만 서술하였지만 본 발명이 서술된 바와 다르게도 실시될 수 있다. 상기 서술내용은 본 발명을 제한하지 않는다.
본 발명에 따르면, 매우 다양한 종류의 패턴에 상응할 만한 위치 에러를 보 이며 기존의 정렬툴과도 정렬될 수 있는 정렬마크가 제공된다.

Claims (15)

  1. 기판 위에 놓인 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판에 있어서,
    상기 마크는,
    - 방사선의 정렬빔의 방사선을 반사시키는 하나 이상의 상대적 고반사영역들; 및
    - 정렬빔의 방사선을 덜 반사시키는 상대적 저반사영역들을 포함하여,
    상기 상대적 고반사영역들은 서로에 대하여 실질적으로 수직인 제1 및 제2방향의 양방향으로 분할되어 상기 고반사영역들은 주로 직사각형부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 직사각형부분들의 일부는 다른 직사각형부분들과는 상이한 크기인 것을 특징으로 하는 기판.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 직사각형부분들은 정방형인 것을 특징으로 하는 기판.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고반사영역이 분할된 부분들의 크기 및 형태는 상기 공정층내에 노광되는, 집적회로를 형성하는 피처의 크기 및 형태와 실질적으로 동일한 것을 특징으로 하는 기판.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 정렬마크의 고반사영역들은 격자(grating)를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고반사영역은 상기 직사각형부분들이 그 내부에 배치되는 정방형을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 저반사영역은 0 내지 10%의 범위에 있는 반사율을 가지는 것을 특징으로 하는 기판.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 고반사영역은 50 내지 100%의 범위에 있는 반사율을 가지는 것을 특징으로 하는 기판.
  9. 제1항 또는 제2항에 따른 정렬마크를 노광하는 패턴을 담고 있는 마스크.
  10. 리소그래피 투영장치에서 기판상으로 마스크 패턴을 투영하는 데 사용되는 마스크를 설계하는 방법에 있어서,
    상기 마스크는 하나 이상의 정렬마크를 구비하여 상기 정렬마크는 상대적 고반사영역 및 상대적 저반사영역을 포함하며,
    - 상기 리소그래피 투영장치의 투영시스템의 퓨필평면내에서 상기 마스크 패턴내 하나 이상의 구조의 상이한 회절차수의 위치를 결정하는 단계;
    - 정렬마크의 상이한 회절차수가 상기 하나 이상의 구조의 상기 상이한 회절차수와 실질적으로 동일한 상기 퓨필평면내 위치에 위치되게 하도록 상기 정렬마크의 상기 고반사영역의 적절한 분할을 결정하는 단계; 및
    - 상기 마스크 패턴내 상기 정렬마크의 패턴을 적절하게 결정된 바에 따라 분할되도록 변경하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 마스크를 설계하는 방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 결정하는 단계는 시뮬레이션 소프트웨어를 사용하여 수행되는 것을 특징으로 마스크를 설계하는 방법.
  12. 제10항 또는 제11항에 있어서,
    리소그래피 투영장치에서 사용하기 위한 마스크내에 설계된 마스크 패턴을 구현하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 마스크를 설계하는 방법.
  13. 컴퓨터 시스템상에서 실행시, 제10항 또는 제11항 중 어느 한 항의 방법을 수행하도록 상기 컴퓨터 시스템에 명령하는 프로그램 코드수단을 포함하는 컴퓨터 프로그램을 기록한 기록매체.
  14. 디바이스 제조방법에 있어서,
    - 기판테이블에, 적어도 부분적으로는 한 층의 방사선감응재로 덮인, 투과층내에 고반사영역 및 저반사영역을 포함하는 정렬마크를 포함하는 기판을 제공하는 단계;
    - 방사선의 정렬빔으로 기준에 대하여 정렬마크를 정렬시키는 단계;
    - 방사선시스템을 사용하여 방사선의 투영빔을 제공하는 단계;
    - 패터닝수단을 사용하여 투영빔의 단면에 패턴을 부여하는 단계; 및
    - 방사선감응재층의 타겟부상으로 방사선의 패터닝된 빔을 투영하는 단계를 포함하여 이루어지며,
    상기 고반사영역은 서로에 대하여 실질적으로 수직인 제1 및 제2방향의 양방향으로 분할되어 상기 고반사영역들은 주로 직사각형 부분들을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  15. 제14항의 방법에 따라 제조된 디바이스.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160149001A (ko) 2015-06-17 2016-12-27 주식회사 옵티레이 노광 장치에서의 카메라 조명 및 제어 방법

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7541201B2 (en) 2000-08-30 2009-06-02 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry
US7317531B2 (en) * 2002-12-05 2008-01-08 Kla-Tencor Technologies Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US20030002043A1 (en) 2001-04-10 2003-01-02 Kla-Tencor Corporation Periodic patterns and technique to control misalignment
KR100583693B1 (ko) * 2001-05-23 2006-05-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판,상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스 제조방법 및 그디바이스
JP2004282017A (ja) * 2002-09-20 2004-10-07 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置の位置決めシステムおよび方法
US7440105B2 (en) * 2002-12-05 2008-10-21 Kla-Tencor Technologies Corporation Continuously varying offset mark and methods of determining overlay
JP4007231B2 (ja) * 2003-04-01 2007-11-14 ソニー株式会社 マーク検出方法および露光方法
WO2004090979A2 (en) * 2003-04-08 2004-10-21 Aoti Operating Company, Inc Overlay metrology mark
JP4412922B2 (ja) * 2003-06-27 2010-02-10 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
SG108975A1 (en) 2003-07-11 2005-02-28 Asml Netherlands Bv Marker structure for alignment or overlay to correct pattern induced displacement, mask pattern for defining such a marker structure and lithographic projection apparatus using such a mask pattern
US7477403B2 (en) * 2004-05-27 2009-01-13 Asml Netherlands B.V. Optical position assessment apparatus and method
US20060092399A1 (en) * 2004-10-29 2006-05-04 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, a control system for controlling a lithographic apparatus, and a device manufacturing method
US7553611B2 (en) 2005-03-31 2009-06-30 Sandisk 3D Llc Masking of repeated overlay and alignment marks to allow reuse of photomasks in a vertical structure
US7224437B2 (en) 2005-05-31 2007-05-29 Invarium, Inc Method for measuring and verifying stepper illumination
JP4290177B2 (ja) * 2005-06-08 2009-07-01 キヤノン株式会社 モールド、アライメント方法、パターン形成装置、パターン転写装置、及びチップの製造方法
KR100612410B1 (ko) * 2005-08-01 2006-08-16 나노메트릭스코리아 주식회사 오버레이 키, 이를 이용한 오버레이 측정방법 및 측정장치
US7687925B2 (en) 2005-09-07 2010-03-30 Infineon Technologies Ag Alignment marks for polarized light lithography and method for use thereof
US7863763B2 (en) * 2005-11-22 2011-01-04 Asml Netherlands B.V. Binary sinusoidal sub-wavelength gratings as alignment marks
KR100699109B1 (ko) 2005-12-29 2007-03-21 동부일렉트로닉스 주식회사 반도체 제조용 노광장비의 정렬도 측정마크 및 측정방법
CN100499069C (zh) * 2006-01-13 2009-06-10 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 使用所选掩模的双大马士革铜工艺
JP2007208081A (ja) * 2006-02-02 2007-08-16 Oki Electric Ind Co Ltd アラインメントマーク、合わせマーク及び半導体装置の製造方法
US7898662B2 (en) * 2006-06-20 2011-03-01 Asml Netherlands B.V. Method and apparatus for angular-resolved spectroscopic lithography characterization
WO2008007173A1 (en) * 2006-07-06 2008-01-17 Freescale Semiconductor, Inc. Wafer and method of forming alignment markers
US7523439B2 (en) * 2006-07-11 2009-04-21 Tokyo Electron Limited Determining position accuracy of double exposure lithography using optical metrology
US7724370B2 (en) * 2007-03-01 2010-05-25 Asml Netherlands B.V. Method of inspection, a method of manufacturing, an inspection apparatus, a substrate, a mask, a lithography apparatus and a lithographic cell
US8278770B2 (en) * 2007-11-26 2012-10-02 Macronix International Co., Ltd. Overlay mark
KR101579872B1 (ko) 2008-04-29 2015-12-24 삼성디스플레이 주식회사 전사 기판, 이의 제조방법 및 유기 전계 발광소자의제조방법
US9229338B2 (en) 2008-09-08 2016-01-05 Asml Netherlands B.V. Substrate, a method of measuring a property, an inspection apparatus and a lithographic apparatus
CN102246605B (zh) * 2008-12-16 2013-08-07 株式会社村田制作所 电路模块
NL2004297A (en) 2009-03-20 2010-09-21 Asml Holding Nv Improving alignment target contrast in a lithographic double patterning process.
NL2004365A (en) * 2009-04-10 2010-10-12 Asml Holding Nv Method and system for increasing alignment target contrast.
US20120049186A1 (en) * 2010-08-31 2012-03-01 Li Calvin K Semiconductor structures
US9395636B2 (en) * 2011-04-22 2016-07-19 Mapper Lithography Ip B.V. Lithography system for processing a target, such as a wafer, and a method for operating a lithography system for processing a target, such as a wafer
EP2699967B1 (en) 2011-04-22 2023-09-13 ASML Netherlands B.V. Position determination in a lithography system using a substrate having a partially reflective position mark
JP5932023B2 (ja) 2011-05-13 2016-06-08 マッパー・リソグラフィー・アイピー・ビー．ブイ． ターゲットの少なくとも一部を処理するためのリソグラフィシステム
WO2013056941A1 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and method
TWI648515B (zh) * 2013-11-15 2019-01-21 美商克萊譚克公司 計量目標及其計量量測、目標設計檔案、計量方法及以電腦為基礎之設備
US10451412B2 (en) * 2016-04-22 2019-10-22 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry
US10514597B2 (en) * 2016-11-30 2019-12-24 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Lithography mask with both transmission-type and reflective-type overlay marks and method of fabricating the same
US10818606B1 (en) * 2019-04-02 2020-10-27 Vanguard International Semiconductor Corporation Alignment mark patterns and wafer structures comprising the same
KR102421290B1 (ko) * 2019-09-27 2022-07-15 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 정렬 마크를 형성하기 위한 장치 및 방법
US11270950B2 (en) 2019-09-27 2022-03-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for forming alignment marks
WO2022087954A1 (zh) * 2020-10-29 2022-05-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8600639A (nl) 1986-03-12 1987-10-01 Asm Lithography Bv Werkwijze voor het ten opzichte van elkaar uitrichten van een masker en een substraat en inrichting voor het uitvoeren van de werkwijze.
JPH01169926A (ja) * 1987-12-24 1989-07-05 Toshiba Corp アライメント方法
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JPH02246314A (ja) 1989-03-20 1990-10-02 Fujitsu Ltd パターン作成方法
US5151750A (en) * 1989-04-14 1992-09-29 Nikon Corporation Alignment apparatus
NL8900991A (nl) 1989-04-20 1990-11-16 Asm Lithography Bv Apparaat voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
NL9000503A (nl) 1990-03-05 1991-10-01 Asm Lithography Bv Apparaat en werkwijze voor het afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JP2855868B2 (ja) 1990-03-12 1999-02-10 富士通株式会社 レーザトリミング用位置合わせマーク、半導体装置及び半導体装置の製造方法
EP0527166B1 (de) 1990-05-02 1995-06-14 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Förderung Der Angewandten Forschung E.V. Belichtungsvorrichtung
JPH04303915A (ja) 1991-03-29 1992-10-27 Canon Inc 位置合わせ装置、露光装置、及びそれらを用いた半導体素子の製造方法
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
JP3309865B2 (ja) 1992-10-02 2002-07-29 株式会社ニコン 結像特性計測方法及び該方法で使用されるマスク
JP2595885B2 (ja) * 1993-11-18 1997-04-02 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
JPH07249558A (ja) * 1994-03-09 1995-09-26 Nikon Corp 位置合わせ方法
JP2650182B2 (ja) 1995-01-17 1997-09-03 ソニー株式会社 位置合せマーク並びに該マークを有する電子装置及びその製造方法
US5702567A (en) 1995-06-01 1997-12-30 Kabushiki Kaisha Toshiba Plurality of photolithographic alignment marks with shape, size and spacing based on circuit pattern features
US6061656A (en) * 1995-10-06 2000-05-09 Pace; Michael Computer-based trading card system and method
JPH09162102A (ja) 1995-12-07 1997-06-20 Mitsubishi Electric Corp アライメントマーク検出方法
JP4055827B2 (ja) * 1996-02-15 2008-03-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー． ブイ． リソグラフィ装置の放射線量決定方法、及び該方法実施用テストマスク及び装置
EP0824722B1 (en) 1996-03-06 2001-07-25 Asm Lithography B.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
JPH09244222A (ja) * 1996-03-08 1997-09-19 Mitsubishi Electric Corp 重ね合わせ誤差測定用レチクル、そのレチクルを用いた重ね合わせ誤差測定方法および重ね合わせ誤差測定マーク
US5700732A (en) * 1996-08-02 1997-12-23 Micron Technology, Inc. Semiconductor wafer, wafer alignment patterns and method of forming wafer alignment patterns
JP3287236B2 (ja) * 1996-10-03 2002-06-04 キヤノン株式会社 回折光学素子の製作方法
EP0890136B9 (en) 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JP4126096B2 (ja) 1997-01-29 2008-07-30 マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット 感光性被覆を有する基板上に集束レーザ放射により構造物を製作する方法と装置
US5898227A (en) * 1997-02-18 1999-04-27 International Business Machines Corporation Alignment targets having enhanced contrast
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
JP3570728B2 (ja) * 1997-03-07 2004-09-29 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ 離軸整列ユニットを持つリトグラフ投射装置
JP3626504B2 (ja) 1997-03-10 2005-03-09 アーエスエム リソグラフィ ベスローテン フェンノートシャップ ２個の物品ホルダを有する位置決め装置
US6064486A (en) * 1998-05-21 2000-05-16 Leland Stanford Junior University Systems, methods and computer program products for detecting the position of a new alignment mark on a substrate based on fitting to sample alignment signals
JP2000133576A (ja) 1998-10-28 2000-05-12 Nec Corp 位置ずれ計測マーク及び位置ずれ計測方法
US6037671A (en) * 1998-11-03 2000-03-14 Advanced Micro Devices, Inc. Stepper alignment mark structure for maintaining alignment integrity
US6093640A (en) 1999-01-11 2000-07-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Overlay measurement improvement between damascene metal interconnections
US6277658B1 (en) * 1999-03-29 2001-08-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method for monitoring alignment mark shielding
JP2001044105A (ja) 1999-07-28 2001-02-16 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
US6342735B1 (en) * 1999-09-01 2002-01-29 International Business Machines Corporation Dual use alignment aid
TW588414B (en) 2000-06-08 2004-05-21 Toshiba Corp Alignment method, overlap inspecting method and mask
US7068833B1 (en) * 2000-08-30 2006-06-27 Kla-Tencor Corporation Overlay marks, methods of overlay mark design and methods of overlay measurements
KR100583693B1 (ko) * 2001-05-23 2006-05-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 실질적으로 투과성인 공정층내에 정렬마크가 제공된 기판,상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스 제조방법 및 그디바이스
US6803668B2 (en) * 2002-11-22 2004-10-12 International Business Machines Corporation Process-robust alignment mark structure for semiconductor wafers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160149001A (ko) 2015-06-17 2016-12-27 주식회사 옵티레이 노광 장치에서의 카메라 조명 및 제어 방법

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