KR20050065390A - 측정 방법, 정렬 마크 제공 방법 및 디바이스 제조방법 - Google Patents

측정 방법, 정렬 마크 제공 방법 및 디바이스 제조방법 Download PDF

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KR20050065390A
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콘솔리니요셉제이.
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프리츠알렉산더
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에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
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Abstract

본 발명의 일 실시예에 따른 측정 방법에 의하면, 기판의 한 면상의 임시 정렬 마크 및 기판의 다른 한 면상의 정렬 마크의 상대적 위치가 결정되고, 상기 임시 정렬 마크는 제거된다. 상기 임시 정렬 마크의 제거 전에, 그 마크 및 상기 기판의 동일한 면상의 또다른 마크의 상대적 위치가 결정될 수 있다. 상기 임시 정렬 마크는 예를 들면 산화물층으로 형성될 수 있다.

Description

측정 방법, 정렬 마크 제공 방법 및 디바이스 제조방법 {METHOD OF MEASUREMENT, METHOD FOR PROVIDING ALIGNMENT MARKS, AND DEVICE MANUFACTURING METHOD}
본 발명은 리소그래피 장치 및 방법들에 관한 것이다.
본 명세서에서 채용된 "패터닝 구조체(patterning structure)"라는 용어는 기판의 타겟부에 형성되어야 할 패턴에 대응하는 패터닝된 단면을 입사하는 방사선빔에 부여하는데 사용될 수 있는 여하한의 구조체 또는 필드(field)를 의미하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 하며, 본 명세서에서는 "광밸브(light valve)"라는 용어로도 사용된다. 일반적으로, 상기 패터닝 구조체상에 "디스플레이되는(displayed)" 패턴은 결국 가령, [예를 들어, 피처들의 예비 바이어싱(pre-biasing), 광 근접 보정 피처(optical proximity correction features), 위상 및/또는 편광 변형 기술(polarization variation techniques), 및/또는 다중 노광 기술(multiple exposure techniques)이 사용되는] 기판 또는 그것의 층으로 전달되는 패턴과는 실질적으로 상이할 수 있다. 일반적으로, 이러한 패턴은 집적 회로 또는 기타 디바이스와 같이 타겟부에 형성될 디바이스 내의 특정기능층에 해당할 것이다(이하 참조). 패터닝 구조체는 반사형 및/또는 투과형일 수 있다. 패터닝 구조체의 예로는 다음과 같은 것들이 포함된다.
- 마스크. 이 마스크의 개념은 리소그래피분야에서 잘 알려져 있고, 바이너리(binary)형, 교번위상-시프트(alternating phase-shift)형 및 감쇠위상-시프트형과 같은 마스크형식과 다양한 하이브리드 마스크형식을 포함한다. 방사선빔내에 이러한 마스크가 놓이면, 마스크상의 패턴에 따라 마스크상으로 입사되는 방사선의 선택적인 투과(투과형 마스크의 경우) 또는 반사(반사형 마스크의 경우)가 이루어진다. 마스크의 경우에는, 일반적으로 지지구조체가 마스크테이블이 되고, 상기 마스크테이블은 입사하는 방사선빔내의 소정위치에 마스크가 고정될 수 있게 하며, 필요한 경우에는 마스크를 상기 빔에 대하여 상대적으로 이동시킬 수 있도록 한다.
- 프로그래밍가능한 거울 어레이. 이러한 장치의 예로는, 점탄성 제어층 (viscoelastic control layer)과 반사면을 구비한 매트릭스-어드레서블 표면이 있다. 이러한 장치의 기본원리는, (예를 들어) 반사면의 어드레스된 영역(addressed area)에서는 입사광이 회절광으로 반사되는 반면, 어드레스되지 않은 영역에서는 입사광이 비회절광으로 반사되는 것이다. 적절한 필터를 사용하면, 상기 비회절광을 반사빔으로부터 필터링하여 회절광만 남게 할 수 있다; 이러한 방식으로, 상기 빔은 매트릭스-어드레서블 표면의 어드레싱패턴에 따라 패터닝되게 된다. 이에 대응되는 방식으로 격자 광 밸브(GLV)들의 어레이가 사용될 수도 있으며, 각각의 GLV는, 입사광을 회절광으로서 반사시키는 격자를 형성하도록 (예를 들어 전기 포텐셜의 적용에 의하여) 서로에 대해 변형될 수 있는 복수의 반사 리본을 포함한다. 프로그램가능한 거울 어레이의 추가적인 대안실시예는 매트릭스 배열의 매우 작은 [예를 들어 초소형(microscopic)] 거울을 사용할 수 있으며, 상기 거울 각각은 적절히 국부화된 전기장을 인가하거나 또는 압전식 작동수단을 채용함으로써 축에 대하여 개별적으로 경사질 수 있다. 예를 들어, 상기 거울들은 매트릭스-어드레서블하여, 어드레스된 거울이 어드레스되지 않은 거울과는 상이한 방향으로 입사하는 방사선빔을 반사시키도록 한다; 이 방식으로, 반사된 빔은 매트릭스 어드레서블 거울의 어드레싱 패턴에 따라 패터닝된다. 요구되는 매트릭스 어드레싱은 적절한 전자수단을 사용하여 수행될 수 있다. 상술된 두 상황 모두에서, 패터닝 구조체는 하나 이상의 프로그램가능한 거울 어레이를 포함할 수 있다. 이러한 거울 어레이에 관한 보다 상세한 정보는, 예를 들어 본 명세서에서 참조자료로 포함되어 있는 자료들인, 미국특허 US 5,296,891호, US 5,523,193호, 및 PCT 특허 출원 WO 98/38597호 및 WO 98/33096호로부터 얻을 수 있다. 프로그래밍 가능한 거울 어레이의 경우에, 상기 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
- 프로그래밍가능한 LCD 패널. 이러한 구조의 일례는 본 명세서에서 참조자료로 채용되고 있는 미국특허 US 5,229,872호에 개시되어 있다. 상술된 바와 같이, 이러한 경우에서의 지지구조체는 예를 들어, 필요에 따라 고정되거나 또는 이동할 수 있는 프레임 또는 테이블로 구현될 수 있다.
설명을 간단히 하기 위하여, 본 명세서의 나머지 부분 중 어느 곳에서는 그 자체가 마스크(또는 "레티클")와 마스크테이블(또는 "레티클 테이블")과 관련된 예시적인 용어로서 지칭될 수도 있다. 하지만, 그러한 예시에서 논의된 일반적인 원리는 상술한 바와 같은 패터닝 구조체의 광의의 개념으로 이해되어야 한다.
리소그래피 장치는 소정 표면(예를 들어 기판의 타겟부)상으로 필요한 패턴을 적용하는데 사용될 수 있다. 리소그래피 투영장치는 예를 들어 집적회로(IC)의 제조에 사용될 수 있다. 이 경우에, 패터닝 구조체는 집적회로의 개별층에 대응되는 회로패턴을 생성할 수 있으며, 이 패턴은 방사선감응재(레지스트) 층으로 도포된 기판(예를 들어, 실리콘 웨이퍼 또는 여타 반도체 재료)상의 (예를 들어, 1 이상의 다이 및/또는 부분(들)을 포함하는) 타겟부상에 이미징될 수 있다. 일반적으로, 한 장의 웨이퍼는 인접해 있는 타겟부들의 전체 매트릭스 또는 네트워크를 포함하며, 이들 타겟부는 투영시스템을 통하여 (예를 들어, 한번에 하나씩) 연속적으로 조사된다.
마스크테이블상의 마스크에 의한 패터닝을 채용하는 현재 통용되는 장치중에서, 두 가지의 서로 다른 형식의 기계 사이에 구분이 있을 수 있다. 한 형태의 리소그래피 투영장치에서는 타겟부상에 전체마스크패턴을 한번에 노광함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 이러한 장치를 통상 웨이퍼 스테퍼라고 한다. 통상 스텝-앤드-스캔 장치(step-and-scan apparatus)라 지칭되는 대안적인 장치에서는, 투영빔 하에서 소정의 기준방향("스캐닝"방향)으로 마스크패턴을 점진적으로 스캐닝하는 한편, 상기 방향과 동일방향 또는 반대방향으로 기판을 동기화시켜 스캐닝함으로써 각 타겟부가 조사되는데, 일반적으로 투영시스템은 배율인자(magnification factor) Ｍ(일반적으로 <1)을 가질 것이므로 기판테이블이 스캐닝되는 속도(V)는 마스크테이블이 스캐닝되는 속도의 인자 Ｍ배가 될 것이다. 스캐닝 형식의 장치에 있어 투영 빔은 스캐닝 방향으로 소정의 슬릿 폭을 갖는 슬릿의 형태를 가질 수 있다. 여기에 서술된 리소그래피장치와 관련된 보다 상세한 정보는 예를 들어, 본 명세서에서 참조로 채용된 US 6,046,792호에서 찾을 수 있다.
리소그래피 투영장치를 사용하는 제조공정에서, (예를 들어, 마스크의) 패턴은 방사선감응재(예를 들어, 레지스트)층이 적어도 부분적으로 도포된 기판상에 이미징된다. 이 이미징 단계에 앞서, 기판은 전처리(priming), 레지스트 도포 및/또는 소프트 베이크와 같은 여러가지 다른 과정을 거칠 수 있다. 노광 후 기판은, 노광후 베이크(PEB), 현상, 하드 베이크 및/또는 이미징된 피처들의 측정/검사와 같은 또 다른 과정을 거치게 된다. 이러한 일련의 과정은, 디바이스(예를 들어 IC)의 각각의 층을 패터닝하는 기초로서 사용된다. 예를 들어, 이들 이송 과정들(transfer procedures)에 의해 결과적으로 기판상의 패터닝된 레지스트 층이 생길 것이다. 증착, 에칭, 이온주입(도핑), 금속화, 산화, 화학-기계적 연마 등과 같은 1 이상의 패턴 프로세스가 이어지며, 이들 모두는 각각의 층을 생성, 수정 또는 마무리하기 위해 의도될 수 있다. 여러 개의 층이 요구된다면, 새로운 층마다 전체공정 또는 그것의 변형된 공정이 반복될 수 있다. 그 결과로, 기판(웨이퍼) 상에는 디바이스의 어레이가 존재하게 될 것이다. 이들 디바이스들은 다이싱 또는 소잉 등의 기술에 의해 서로 분리되고, 이들 각각의 디바이스는 캐리어에 장착되고 핀 등에 접속될 수 있다. 이와 같은 공정에 관한 추가정보는 예를 들어, "Microchip Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing"(3판, Peter van Zant 저, McGraw Hill출판사, 1997, ISBN 0-07-067250-4)으로 부터 얻을 수 있다.
본 명세서에서 지칭되는 바와 같은 기판은 예를 들어 트랙(통상적으로 레지스트의 층을 기판에 적용하고 노광된 레지스트를 현상하는 툴)이나 메트롤로지 또는 검사 툴에서 노광 전 또는 후에 처리될 수도 있다. 적용이 가능할 경우, 본 명세서의 내용은 상기 및 기타 기판 처리 툴에 적용될 수 있다. 또한, 기판은 (예를 들어 다중 층 IC를 생성시키기 위하여) 한번 이상 처리될 수 있어서, 본 명세서에서 사용된 기판이라는 용어는 다중 처리된 층을 이미 포함하는 기판을 지칭할 수도 있다.
"투영시스템"이라는 용어는, 예를 들어, 굴절광학시스템, 반사광학시스템 및 카타디옵트릭 시스템을 포함하는 다양한 형태의 투영시스템을 포괄하는 것으로서 폭넓게 해석되어야 한다. 특정 투영시스템은 사용되는 노광 방사선, 노광 경로내의 침지 유체(들) 또는 가스 충전 영역의 유형, 노광 경로의 전체 또는 일부에 진공이 사용될지의 여부 등과 같은 인자들을 기반으로 하여 선택될 수 있다. 설명을 간략히 하기 위하여, 이후에는 상기 투영시스템을 "렌즈"라 지칭할 수도 있다. 또한, 방사선 시스템은 방사선 투영빔의 지향, 성형, 축소, 확대, 패터닝 및/또는 제어를 위한 상기 디자인 형태들 중 어느 것에 따라 작동하는 구성요소들을 포함할 수 있고, 이후에는 이러한 구성요소들을 집합적으로 또는 개별적으로 "렌즈"라고 언급할 수도 있다.
또한, 상기 리소그래피 장치는 2 이상의 기판테이블(및/또는 2 이상의 마스크 테이블)을 갖는 형태일 수도 있다. 이러한 "다수스테이지" 장치에서는 추가 테이블이 병렬로 사용될 수 있거나, 1 이상의 테이블이 노광에 사용되고 있는 동안 1 이상의 다른 테이블에서는 준비작업 단계가 수행될 수도 있다. 듀얼 스테이지 리소그래피 장치는, 예를 들어 본 명세서에서 참조를 위해 채용한 미국특허 제5,969,441호 및 PCT 특허출원 WO 98/40791에 개시되어 있다.
또한, 리소그래피장치는 투영시스템의 최종요소와 기판 사이의 공간을 채우도록 비교적 높은 굴절률을 가지는 액체(예를 들어, 물)에 기판이 침지되는 형태일 수도 있다. 침지액(immersion liquid)은 리소그래피장치내의 여타의 공간, 예를 들어 마스크와 투영시스템의 제1요소 사이에 적용될 수도 있다. 당업계에서 투영시스템의 개구수를 증가시키기 위한 침지 기술(immersion technology)의 사용은 잘 알려져 있다.
본 명세서에서, "방사선" 및 "빔"이란 용어는 (예를 들어, 365, 248, 193, 157 또는 126㎚의 파장을 갖는) 자외선과 (예를 들어, 파장이 5 내지 20㎚ 범위의 파장을 갖는 극자외선) EUV 및 X-레이들 뿐만 아니라 (이온빔 또는 전자빔과 같은) 입자빔을 포함하는 모든 형태의 전자기방사선 또는 입자 플럭스(particle flux)를 포괄하여 사용된다.
본 명세서에서는 특별히 IC의 제조에 있어서의 리소그래피 장치의 사용에 대하여 언급하였으나, 상기 장치는 여타의 가능한 적용례들을 가진다는 것을 분명히 이해해야 한다. 예를 들어, 그것은 집적 광학시스템, 자기 도메인 메모리, 액정 디스플레이 패널, 박막자기헤드, DNA 분석 디바이스 등을 위한 안내 및 검출패턴의 제조에 채용될 수 있다. 당업자라면, 이러한 대안적인 적용례와 관련하여, 본 명세서에서 사용된 "레티클", "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 용어의 어떠한 사용도 각각 "마스크", "기판" 및 "타겟부"(또는 "노광 영역")와 같은 좀 더 일반적인 용어로 대체되는 것으로 간주되어야 함을 이해할 것이다.
패턴들이 정렬되도록 기판의 양면에 패턴들을 형성하는 것이 바람직할 수도 있다. 예를 들어, 이 기판의 다른 면상의 기능적 피처(functional feature)들과 정확하게 정렬될 상기 기판의 한면의 기능적 피처들을 형성하는 것이 바람직할 수도 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 측정 방법은, 기판의 제 1 표면에 있는 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광을 검출하는 단계를 포함한다. 상기 검출에 기초하여, 제 1 정렬 마크 및 제 2 정렬 마크의 상대적인 위치가 결정되며, 상기 제 2 정렬 마크는 상기 제 1 기판에 대향하는 기판의 제 2 표면에 있다. 상기 방법은 또한 상기 기판으로부터 제 1 정렬 마크를 제거하는 단계도 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 측정 방법은, 기판의 제 1 표면에 있는 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광을 검출하는 단계 및 상기 기판으로부터 상기 제 1 정렬 마크를 제거하는 단계를 포함한다. 상기 검출은 상기 제 1 표면에 대향하는 기판의 한 면 상의 소정 위치에서 발생한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 측정 방법은, 임시 정렬 마크 및 기판의 제 1 표면 상의 제 1 정렬 마크를 제공하는 단계 및 상기 기판을 뒤집는 단계를 포함한다. 상기 방법은 또한 상기 임시 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오고 상기 제 1 표면에 대향하는 기판의 한 면 상의 소정 위치에서 검출된 광을 기초로 하여 상기 기판의 위치를 결정하는 단계 및 상기 제 1 표면과 상이한 상기 기판의 제 2 표면 상에 제 2 정렬 마크를 제공하는 단계를 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 기판은, 상기 기판의 제 1 표면에 형성된 제 1 정렬마크 및 상기 기판의 제 1 표면에 형성된 제 2 정렬 마크를 포함한다. 상기 제 1 정렬 마크는 상기 기판의 제1층에 형성되고, 상기 제 2 정렬 마크는 상기 기판의 제 2 층에 형성되며, 상기 제 2 층은 상기 제1층 위에 있다.
이하, 본 발명의 실시예들은 첨부된 개략적인 도면들을 참조하여 단지 예시의 방법을 통하여 기술될 것이다.
본 발명의 실시예들은, 예를 들어 정렬 마크들을 제공하는데 사용될 수 있는 방법들과 장치를 포함하는데, 상기 정렬 마크의 위치가 제약되지는 않지만, 기판의 전방 및 후방면의 상대적인 정렬은 여전히 정확하게 판정될 수 있다.
도 1은 본 발명의 특정 실시예에 따른 리소그래피 투영장치를 개략적으로 도시한 도면이다. 상기 장치는 다음의 것을 포함한다:
방사선(예를 들어, UV 또는 EUV 방사선)의 투영빔을 공급하도록 구성된 (예를 들어, 공급가능한 구조체를 갖는) 방사선시스템. 이 특정 실시예에서 방사선 시스템(RS)은, 방사선 소스(SO), 빔 전달 시스템(BD) 및 조명 노드, 인티그레이터(IN) 및 콘덴싱 광학기(CO)를 설정하기 위한 조정구조체(AM)을 포함하는 조명시스템을 포함한다;
상기 투영빔을 패터닝할 수 있는 패터닝 구조체를 지지하도록 구성된 지지구조체. 본 예시에서, 제1대상물테이블(마스크테이블)(MT)에는 마스크(MA)(예를 들어, 레티클)를 잡아주는 마스크홀더가 제공되고, 아이템 PL에 대하여 상기 마스크를 정확히 위치시키는 제1위치설정구조체(PM)에 연결된다;
기판을 잡아주로록 구성된 제2대상물테이블(기판테이블). 본 예시에서, 기판테이블(WT)에는 기판(W)(예를 들어, 레지스트 코팅된 반도체웨이퍼)을 잡아주는 기판홀더가 제공되고, 상기 기판을 아이템 PL에 대하여 정확히 위치시키는 제2위치설정구조체(PW) 및 렌즈(PL)에 대한 상기 기판 및/또는 기판테이블의 위치를 정확히 나타내도록 구성되는 (예컨대, 간섭계)측정구조체(IF)에 연결된다; 그리고
상기 패터닝된 빔을 투영하도록 구성된 투영시스템("렌즈"). 본 예시에서, 투영시스템(PL)(예를 들어, 굴절 렌즈 그룹, 카타디옵트릭(catadioptric) 또는 카톱트릭(catoptric) 시스템 및/또는 거울시스템)은 마스크(MA)의 조사된 부분을 기판(W)의 타겟부(C)(예를 들어, 1 이상의 다이 및/또는 그것의 부분(들)을 포함함) 상으로 이미징하도록 구성된다. 대안적으로, 상기 투영시스템은 프로그램가능한 패터닝 구조체의 요소들이 셔터(shutter)로서 작용할 수 있는 2차소스들의 이미지들을 투영시킬 수도 있다. 또한, 상기 투영시스템은 예를 들어 2차소스를 형성하고 상기 기판 상으로 마이크로스폿(microspot)들을 투영시키기 위한 마이크로렌즈 어레이(MLA)를 포함할 수도 있다.
도시된 바와 같이, 상기 장치는 (예를 들어, 투과형 마스크를 구비한) 투과형이다. 하지만, 일반적으로, 그것은 (예를 들어, 반사형 마스크를 구비한) 반사형일 수도 있다. 대안적으로는, 상기 장치는 상술된 바와 같은 형태의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 또 다른 종류의 패터닝 구조체를 채용할 수도 있다.
소스(SO)(예를 들어, 수은 램프, 엑시머 레이저, 전자 건, 레이저-발사 플라즈마 소스나 방전 플라즈마 소스, 또는 저장 링이나 싱크로트론의 전자 빔의 경로 주위에 제공되는 언듈레이터(undulator))는 방사선의 빔을 생성한다. 이 빔은 직접 조명시스템(일루미네이터)(IL)에 들어 가거나, 컨디셔닝 구조체 또는 필드를 거친 다음에 조명시스템(일루미네이터)(IL)으로 들어간다. 예를 들어, 빔전달시스템(BD)은 적절한 지향 거울 및/또는 빔 익스팬더(beam expander)를 포함할 수 있다. 상기 일루미네이터(IL)는, 예컨대 기판에서 투영빔에 의하여 전달되는 방사선 에너지의 각도 분포에 영향을 미칠 수 있는, 상기 빔 내의 세기 분포의 외반경 및/또는 내반경 크기(통상 각각 외측-σ 및 내측-σ라 함)를 설정하는 조정구조체 또는 필드(AM)를 포함할 수도 있다. 또한, 상기 장치는 일반적으로 인티그레이터(IN) 및 콘덴서(CO)와 같은 여타 다양한 구성요소들을 포함하고 있다. 이러한 방식으로, 마스크(MA)에 입사되는 빔(PB)은 그 단면에 원하는 균일성과 세기 분포를 갖게 된다.
도 1과 관련하여, 상기 방사선 소스(SO)는 리소그패피 투영장치의 하우징 내에 놓이지만(흔히 예를 들어, 방사선 소스(SO)가 수은 램프인 경우에서 처럼), 그것이 리소그래피 투영장치로부터 멀리 떨어져 있어서 그것이 만들어 낸 방사선 빔이 (가령, 적절한 지향 거울의 도움으로) 장치 내부로 들어오게 할 수도 있다; 후자의 시나리오는 방사선 소스(SO)가 대개 엑시머레이저인 경우이다. 본 발명과 청구 범위는 이들 시나리오를 모두 포괄하고 있다.
이후, 상기 빔(PB)은 마스크테이블(MT)상에 잡혀 있는 마스크(MA)를 통과한다. 마스크(MA)를 지난(대안적으로는, 선택적으로 반사된) 빔(PB)은 렌즈(PL)를 통과하여 기판(W)의 타겟부(C)위에 빔(PB)을 포커싱한다. 제2위치설정구조체(PW)(및 간섭계측정구조체(IF))의 도움으로, 기판테이블(WT)은, 예를 들어 빔(PB)의 경로 내에 상이한 타겟부(C)를 위치시키도록 정확하게 이동될 수 있다. 이와 유사하게, 제1위치설정구조체(PM)는 예를 들어, 마스크 라이브러리로부터 마스크(MA)를 기계적으로 회수한 후에, 또는 스캔하는 동안에, 빔(PB)의 경로에 대하여 마스크(MA)를 정확히 위치시키도록 사용될 수 있다. 일반적으로 대상물테이블(MT, WT)의 이동은, 도 1에 명확히 도시되지는 않았지만, 상기 구조체(PM, PW)들의 부분을 형성할 수도 있는 장행정모듈(long-stroke module)(개략 위치설정) 및 단행정모듈(미세 위치설정)의 도움을 받아 실현될 것이다. 하지만, (스텝-앤드-스캔 장치와는 대조적으로) 웨이퍼스테퍼의 경우에 마스크테이블(MT)이 단행정액추에이터에만 연결되거나 또는 고정될 수도 있다. 마스크(MA) 및 기판(W)은 마스크정렬마크(M1,M2) 및 기판정렬마크(P1,P2)를 사용하여 정렬될 수도 있다.
도시된 장치는 다음의 몇 가지 상이한 모드로 사용될 수 있다:
1. 스텝 모드에서는, 마스크테이블(MT)이 기본적으로 정지상태로 유지되는 한편, 전체 마스크 패턴이 한번에(즉, 단일 "섬광(flash)"으로) 타겟부(C)상에 투영된다. 이후 기판테이블(WT)이 X 및/또는 Y 방향으로 시프트되어 다른 타겟부(C)가 빔(PB)에 의하여 조사될 수 있다. 스텝 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 정적 노광(single static exposure)으로 이미징된 타겟부의 크기를 제한할 수도 있다.
2. 스캔 모드에서는, 소정 타겟부(C)가 단일 "섬광"으로 노광되지 않는다는 것을 제외하고 기본적으로 동일한 시나리오가 적용된다. 그 대신에, 마스크테이블(MT)이 v의 속도로 소정 방향(소위 "스캔방향", 예를 들어 y 방향)으로 이동 가능해서, 투영빔(PB)이 마스크 이미지의 모든 부분을 스캐닝할 수 있도록 한다. 이와 함께, 기판테이블(WT)은 속도 V=Mv로, 동일한 방향 또는 그 반대 방향으로 동시에 이동되는데, 이 때 M은 렌즈(PL)의 배율(통상 M=1/4 또는 M=1/5)이다. 상기 마스크테이블(MT)에 대한 상기 기판테이블(WT)의 속도 및/또는 방향은, 배율, 축소율(감소율) 및/또는 투영시스템(PL)의 이미지 반전 특성들에 의하여 결정될 수 있다. 이러한 방식으로, 분해능을 떨어뜨리지(compromise) 않고도 비교적 넓은 타겟부(C)가 노광될 수 있다. 스캔 모드에서, 노광 필드의 최대 크기는 단일 동적 노광에서 노광된 타겟부의 (비-스캐닝 방향으로의) 폭을 제한할 수 있는 한편, 상기 스캐닝 모션의 길이는 노광된 타겟부의 (스캐닝 방향으로의) 높이를 결정할 수도 있다.
3. 또 다른 모드에서는, 마스크테이블(MT)이 프로그램가능한 패터닝 구조체를 잡아주어 기본적으로 정적인 상태로 유지되며, 투영빔에 부여된 패턴이 타겟부(C)상에 투영되는 동안 기판테이블(WT)이 움직이거나 스캐닝된다. 이 모드에서는, 일반적으로 펄스방사선소스(pulsed radiation source)가 채용되며, 기판테이블(WT)이 이동할 때마다, 또는 스캔시 연속적인 방사선펄스들 사이에서 필요에 따라 프로그램가능한 패터닝수단이 업데이트된다. 이 작동 모드는, 위에서 언급된 바와 같은 종류의 프로그램가능한 거울 어레이와 같은 프로그램가능한 패터닝 구조체를 활용하는 마스크없는(maskless) 리소그래피에 용이하게 적용될 수 있다.
또한, 상술된 사용 모드들의 조합 및/또는 변형, 또는 전체적으로 상이한 사용 모드가 채용될 수도 있다.
기판을 노광하기 전에, 기판을 정확하게 정렬시키는 것, 즉 기능적 피처들의 정확한 투영을 확실히 하는 것이 바람직할 것이다. 도 1은 마스크와 기판에 각각 존재하는 상보적 정렬 마크들(M1, M2) 및 기판 마크들(P1, P2)들의 예시를 도시한다. 정렬시스템은, 예를 들면 이러한 마크들에 대한 정렬을 검출하는데 사용될 수 있다. 정렬 시스템의 예시들로서 종래의 스루-더-렌즈 정렬 시스템(through-the-lens alignment system)이 있으며, 또한 현재 함께 계류중인 유럽 특허출원 번호 제02251440호 및 제02250235호에 기재된 정렬 방법 및 장치들이 있다.
정렬 마크는 일반적으로 기판의 전방면(front side)에 있지만, 기판의 후방면(back side)에 있을 수도 있다. 기판의 후방면상의 마크들은, 예를 들면 노광이 기판의 전방 및 후방 양면상에서 발생하여야 하는 경우에 사용된다. 이러한 노광은 특히 마이크로 전자-기계적 시스템(micro electro-mechanical systems; MEMS) 또는 마이크로 광-전자-기계적 시스템(micro opto-electro-mechanical systems; MOEMS)의 제조에 있어서 발생한다. 기판 마크들(P1, P2)이 기판의 후방 표면(back surface)에 있는 경우, 이 마크들은, 후술하는 도면들 중 도 2에서 P2에 대해 도시된 바와 같은 이미지 Pi를 형성하도록 기판의 후방면에 있는 전방-대-후방면 정렬 광학기(front-to-back side alignment)(22)에 의하여 재-이미징(re-imaging)될 수 있다(P1은 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 또다른 브랜치(branch)에 의해 재-이미징될 수 있다). 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기는 정렬 시스템(AS)와 함께, 기판의 후방면 상의 마크들에 대한 기판의 전방면상의 마크들의 상대적인 위치를 결정하는데 사용될 수 있다. 이러한 결정은 기판의 전방면상에서 노광된 기능적 피처들이 기판의 후방면상에 노광된 기능적 피처들과 정확하게 정렬(line up)되게 할 수 있다.
전방-대-후방면 정렬 광학기는 기판테이블내에 임베드(embed)될 수 있고, 따라서 기판의 후방면상의 정렬 마크들이 기판상의 소정의 위치들에 배열되는 것, 예를 들면 상기 전방-대-후방면 정렬 광학기의 시야(field of view)내에 있는 것이 바람직하거나 필요할 수 있다. 정렬 마크들을 기판의 후방면상에 고정시키는 것은 기능적 피처들의 디자인의 범위를 제한시킬 수 있어서(예를 들면, 기판의 후방면상의 정렬 마크들과 동일한 위치에 기능적 피처들을 가지는 것이 가능하지 않을 수 있어서) 기판상에 피팅(fitting)될 수 있는 디바이스의 수를 감소시킬 것이다. 이러한 제약 때문에 고밀도 집적회로(large-scale integrated circuit)들 및 디바이스들이 상기와 같은 프로세스에 의해 제조되는 것이 또한 불가능하게 될 수도 있다.
실리콘으로 구성된 기판(W)은 실리콘 이산화물(silicon dioxide)의 층으로 도포(cover)된다. 이 결과는, 예를 들면 화학적 기상 증착(chemical vapour deposition) 또는 열적 산화물(thermal oxide)의 성장(growth)에 의하여 달성될 수 있다. 도 3에 도시된 바와 같이, 실리콘 이산화물의 임시층(temporary layer)(31)은 얇아야 하고(예를 들면, 5000 옹스트롱(angstrom) 정도) 기판의 전방 및 후방 양면상에 걸쳐 균일(uniform)해야 한다. 하기에 서술할 프로세싱 작업들에 사용된다는 점 이외에, 레지스트가 또한 보호층을 형성할 수도 있어, 예를 들면 기판의 어느 한 면에 대한 우연한 손상을 방지시킬 수 있다. 설명한 바와 같은 화학적 기상 증착, 플라즈마-인핸스드(plasma-enhanced) 화학적 기상 증착, 스퍼터링, 또는 애피택시 성장(epitaxial growth)과 같은, 얇은 유전층을 제공하는 여하한의 방법이 사용될 수 있다. 본 명세서에 사용된 예시는 실리콘 이산화물로 구성되어 있으나, 실리콘 질화물(silicon nitride)층 또는 다른 여하한의 박막일 수도 있다. 특히 유전막이 사용되어 왔다. 그 후 방사선-감응 광레지스트(레지스트)(32)가 임시층(31)을 도포하는 기판의 상부 표면에 적용된다. 대안적으로 레지스트(32)는 기판의 양 표면에 적용될 수 있다. 또다른 대안으로, 입자비임 또는 기계적 에치 프로세스가 그 대신 사용될 수도 있다.
그 후 임시 정렬 마크(35)들이 도 4에 도시된 바와 같이 실리콘 이산화물층(31)내에 에칭된다. 임시 정렬 마크들(35)이 전방-대-후방면 정렬 광학기의 시야내에 보일 수 있게 되도록 이들 임시 정렬 마크들(35)은 전방-대-후방면 정렬 광학기의 배열에 의해 정해지는(fixed) 위치들에 배치될 수 있다. 임시 정렬 마크의 형상이 레지스트(32)의 층내에서 노광된다. 노광된 광레지스트는 그 후 현상되고 그 밑의 실리콘 이산화물이 에칭된다. 이는 특히 클린 에치(clean etch)를 생성시키는 건식 에칭이 바람직하나, 예를 들면 플루오르화 수소산(hydrofluoric acid)이 또한 사용될 수도 있다. 대안적으로, 입자비임 또는 기계적 에치 프로세스가 그 대신에 사용될 수도 있다.
영구 정렬 마크들(40)의 위치는 전체적인 기판의 디자인에 의해 지배받을 것이다. 이러한 배열은 고밀도 집적회로가 제조될 수 있도록 할 것이다. 영구 정렬 마크들(40)의 위치가 비록 전체적인 기판의 디자인에 의해 지배받을 것이지만, 그들의 위치는 임시 정렬 마크들(35)에 대해 측정될 수 있을 것이다. 그러나, 이러한 위치는 기판(W)의 에지 또는 기판 테이블(WT)상의 기준 마크(fiducial mark)와 같은 다른 기준점(reference point)에 대해 측정될 수도 있다.
제 1 영구 정렬 마크들(40)의 형상이 광레지스트내에서 노광되고 그 밑의 실리콘 이산화물이 제거된다. 그 후 정렬 마크들은, 예를 들면, 칼륨 수산화물(potassium hydroxide), 플라즈마 에칭, 또는 다른 적절한 에칭 방법을 사용하여 실리콘내로 에칭될 수 있다. 임시 정렬 마크(35) 또는 제 1 영구 정렬 마크들(40)의 배열이 도 5b에 도시된다. 이 배열은 직선으로 배열되지 않은 4개의 제 1 영구 정렬 마크들을 포함한다. 상기 마크들을 오직 1차원적인 어레이로 배열하는 것보다는 2차원적으로 배열하는 것이 기판(W)의 전체 2차원 평면을 가로질러 더욱 양호한 기판의 배열을 가능하게 할 것이다.
그 후 기판의 아직-에칭되지 않은 면(as-yet-unetched side)이 최상부가 되도록 기판이 뒤집혀지고(turned over), 레지스트층이 기판의 상부 표면에 적용된다. 그러면 임시 정렬 마크(35)들이 전방-대-후방면 정렬 광학기의 시야에 있게 되고, 따라서 이들의 위치가 정확히 확인(ascertain)될 수 있다. 제 2 영구 정렬 마크들(45)의 위치는, 비록 전체적인 기판의 디자인에 의해 지배되나, 임시 정렬 마크들(35)의 알려진 위치에 대하여 측정된다. 그러므로 제 1 및 제 2 영구 정렬 마크들(40, 45)의 위치가 서로에 대해 정확하게 알려지게 되고, 기판의 일면상의 여하한의 기능적 요소의 위치도 기판의 다른면상의 여하한의 기능적 요소에 대하여 알려지게 된다. 따라서 100nm 이하의 오버레이 정확성(overlay accuracy)이 달성될 수 있다. 도 6에 도시된 영구 정렬 마크들은 서로 직접 대향하는 것으로 묘사되었지만, 이는 반드시 그럴 필요는 없고 기판상의 상이한 위치에 있을 수도 있다. 제 2 영구 정렬 마크들은, 예를 들면 상기한 바와 같은 프로세스를 이용하여 노광되고 실리콘내로 에칭된다.
그 후 레지스트의 층(32) 및 실리콘 이산화물의 임시층(31)이 제거되어 기판에는 단지 제 1 및 제 2 영구 정렬 마크들만이 남게 된다. 기판상의 여하한의 기능적 요소를 노광시키기 위하여, 그 시간에 기판의 최상부 표면상에 보여질 수 있는 정렬 마크에 대하여 위치가 계산될 수 있다. 따라서 전방-대-후방면 정렬 광학기의 더이상의 사용이 필요하지 않게 되는 것이 가능하다.
개선된 결과를 위해서는, 정렬 마크들을 노광시키는데 사용된 마스크는, (예를 들어 이미징 렌즈 시스템으로부터의 왜곡(distortion)을 감소시키도록) 순서대로(in order) 광학 필드의 중앙에 놓이는 정렬 마크들을 가지는 것이 바람직하다.
"기판"이라는 용어는 처리될 대상물(예를 들면, 반도체 웨이퍼) 뿐만 아니라 이러한 대상물상에 놓일 수 있는 여하한의 층들을 모두 포괄하도록 본 명세서에 사용된다. 대상물의 "표면에 형성된(formed at a surface)" 피처는 기판내에 및/또는 기판에 근접한 피처들로서; 이러한 피처는 기판내에, 기판상에, 기판을 통과하도록, 및/또는 기판 밑에 형성될 수 있도 있다. 예를 들면, 제 2 표면층(superficial layer) 바로 밑에 있는 기판의 제 1 표면층내에 형성된 피처 및 제 1 표면층 바로 밑 그리고 이에 근접하여 형성된 피처 양자 모두는 기판의 "표면에 형성된" 피처들이다.
본 발명의 실시예들은 리소그래피 장치내에서 제조된 기판상에 정렬 마크들을 제공하는 방법들을 포함한다. 본 발명의 일 실시예에 따라 기판상에 정렬마크들을 제공하는 방법은; 임시 정렬 마크 및 제 1 정렬 마크를 기판의 표면상에 제공하는 단계; 상기 기판을 뒤집는 단계; 상기 임시 정렬 마크를 사용하여 상기 기판을 정렬시키도록 정렬 장치내에 제공된 전방-대-후방면 정렬 광학기를 사용하는 단계; 및 상기 제 1 정렬 마크들과는 다른 상기 기판의 표면상에 제 2 정렬 마크를 제공하는 단계를 포함하여 이루어진다.
일단 상기 제 1 정렬 마크 및 상기 임시 정렬 마크의 상대적인 위치가 알려지고, 상기 제 1 임시 정렬 마크 및 상기 제 2 정렬 마크듸 상대적인 위치가 알려지면, 상기 제 1 및 상기 제 2 정렬 마크들의 상대적인 위치를 또한 알 수 있다. 기판의 정렬은 단지 그 때에 상기 기판의 전방상에 보여지는 정렬 마크들을 사용하여 행해질 수 있다. 이러한 전방-대-후방 정렬 광학기의 초기 사용후에, 그들은 더이상 필요하지 않을 것이고, 그리고 임시 정렬 마크들은 제거될 수 있다. 예를 들면, 전방-대-후방 정렬 광학기의 각 브랜치의 시야에 하나의 임시 정렬 마크를 들어오도록, 전방-대-후방 정렬 광학기에 있는 브랜치들과 동일한 수의 임시 정렬 마크들을 제공하는 것이 바람직하다.
이러한 방법은 옵션으로서 기판의 표면에 임시층을 제공하는 또다른 요소를 포함할 수도 있는데, 상기 임시 정렬 마크는 상기 임시층내로 에칭된다. 일단 임시 정렬 마크들의 사용이 끝나면, 예를 들면, 상기 임시층은 간단히 제거될 수 있고, 이에 의하여 상기 임시 정렬 마크들이 제거된다. 상기 임시층은 유전체 물질일 수도 있다; 특히, 이는 질화물층일 수 있거나, 또는 산화물층일 수 있다. 상기 임시 정렬 마크들과는 대조적으로, 제 1 및 제 2 정렬 마크들은 기판 그 자체내로 에칭될 수 있다.
가장 좋은 결과를 위해서는, 예를 들면, 복수의 위치들을 제공하여 상기 정렬을 체크하기 위하여, 복수의 제 1 및 제 2 정렬 마크들을 제공하는 것이 바람직할 수 있다. 예를 들면, 3개 또는 그 이상의 제 1 정렬 마크들이 제공되는 것이 바람직할 수 있는데, 이 경우 상기 제 1 정렬 마크들은 모두가 직선으로 배열되지 않아도 된다. 이러한 배열은 정렬이 기판의 표면의 2차원 전체에서 더욱 양호하게 체크되는 것을 가능하게 한다. 이와 유사하게, 3개 또는 그 이상의 제 2 정렬 마크들이 제공하는 것이 바람직할 수 있는데, 이 경우 상기 제 2 정렬 마크들은 모두가 직선으로 배열되지 않아도 된다. 상기 제 1 및 제 2 정렬 마크들은 상기 기판의 양면에서 서로 직접 대향하도록 배열될 수도 있고 그렇지 않을 수도 있다.
기판의 표면들은 기판 위에 (또는 만약 임시층이 존재한다면, 이 임시층 위에) 배열된 보호층에 의해 보호될 수도 있다. 이러한 보호층은 임시층을 제거하기 바로 직전에 제거될 수 있다.
본 발명의 또다른 실시예에 따른 디바이스 제조방법은, 기판에 임시 정렬 마크를 제공하는 단계; 상기 임시 정렬 마크와 동일한 상기 기판의 표면상에 제 1 정렬 마크를 제공하는 단계; 상기 기판을 뒤집는 단계; 상기 임시 정렬 마크를 사용하여 상기 기판을 정렬하도록 정렬 시스템을 사용하는 단계; 상기 임시 제 1 임시 정렬 마크와는 다른 상기 기판의 표면상에 제 2 정렬 마크를 제공하는 단계; 및 상기 기판상에 프로세스층을 형성할 때 상기 기판을 정렬시키도록 상기 제 1 및 제 2 정렬 마크들을 사용하는 단계를 포함하여 이루어진다.
이상에서는 본 발명의 특정 실시예들이 기재되었으나, 청구범위에 기재된 본 발명은 이상에서 기재된 바와는 다르게 실시될 수도 있음이 이해될 것이다. 예를 들면, 방법에 관한 실시예들은, 본 명세서에 기재된 방법을 수행하도록 장치를 제어하도록 구성된 하나 이상의 컴퓨터, 프로세서, 및 프로세싱 유닛(예를 들면, 논리 요소들의 어레이들)을 포함할 수도 있을 것이고, 이러한 방법을 기술하는 명령어들(예를 들면, 논리 요소들의 어레이에 의해 실행 가능한 명령어들)을 포함하도록 구성된 데이터 저장 매체(예를 들면, ROM, RAM, 또는 플래시 RAM과 같은 반도체 메모리 또는 자기 또는 광학 디스크)를 포함할 수도 있다. 이러한 실시예들의 기재는 청구범위에 기재된 본 발명을 제한하려는 의도를 갖고 있지 않음이 명백히 이해되어야 할 것이다.
본 발명에 의하면, 정렬 마크들의 위치가 제약되지는 않으면서도 기판의 전방 및 후방면의 상대적인 정렬은 여전히 정확하게 판정되게 할 수 있는 정렬 마크들을 제공하는 방법 및 장치가 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 리소그래피 장치를 도시한 도면;
도 2는 정렬마크들을 구비한 종래의 기판과 함께 전방-대-후방면 정렬장치(front-to-back side alignment apparatus)를 도시한 도면;
도 3은 처리 전의 기판을 도시한 도면;
도 4는 임시 정렬 마크들을 구비한 기판을 도시한 도면;
도 5a는 임시 정렬 마크들과 제 1 영구 정렬 마크들을 구비한 기판의 단면도;
도 5b는 임시 정렬 마크들과 제 1 영구 정렬 마크들을 구비한 기판의 평면도;
도 6은 제 1 및 제 2 영구 정렬 마크들과 임시 정렬 마크들을 구비한 기판을 도시한 도면; 및
도 7은 임시층이 제거된 도 6에 도시된 기판을 도시한 도면이다.
도면에서, 대응하는 참조부호들은 대응하는 부분들을 나타낸다.

Claims (48)

  1. 측정 방법에 있어서,
    기판의 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광을 검출하는 단계를 포함하여 이루어지되, 상기 제 1 정렬 마크는 상기 기판의 제 1 표면에 존재하고;
    상기 검출을 기초로 하여, 상기 기판의 상기 제 1 정렬 마크 및 제 2 정렬 마크의 상대적 위치를 결정하는 단계를 포함하여 이루어지되, 상기 제 2 정렬 마크는 상기 제 1 표면에 대향하는 상기 기판의 제 2 표면에 존재하고; 및
    상기 기판으로부터 상기 제 1 정렬 마크를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 정렬 마크를 제거하는 상기 단계는 상기 기판으로부터 적어도 층의 일부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 층은 유전물질을 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 층은 산화물 및 질화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 1 정렬 마크 위에 층을 형성시키는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 2 정렬 마크 및 제 3 정렬 마크의 상대적 위치를 결정하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지되, 상기 제 3 정렬 마크는 상기 기판의 상기 제 1 표면에 존재하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 2 정렬 마크 및 제 3 정렬 마크의 상대적 위치를 결정하는 상기 단계는, 상기 기판이 제 1 방위(orientation)이 있는 동안 상기 제 3 정렬 마크의 위치를 결정하는 단계를 포함하고,
    상기 제 1 정렬 마크 및 제 2 정렬 마크의 상대적 위치를 결정하는 상기 단계는 상기 기판이 제 2 방위에 있는 동안 수행되고, 그리고
    상기 제 2 방위에서의 상기 기판은 상기 제 1 방위에서의 상기 기판에 대하여 뒤집혀지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제 1 정렬 마크 및 제 2 정렬 마크의 상대적 위치를 결정하는 상기 단계는, 상기 기판이 상기 제 2 방위에 있는 동안 상기 기판의 상기 제 1 및 상기 제 2 표면 모두로부터 나오는 광을 검출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 정렬 마크는 상기 기판의 표면층내로만 연장되고, 상기 제 2 및 제 3 정렬 마크는 상기 표면층 아래의 상기 기판의 일부분내로 연장되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 2 정렬 마크 및 복수의 제 3 정렬 마크들의 상대적 위치를 결정하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지되, 상기 제 3 정렬 마크들은 상기 기판의 상기 제 1 표면에 존재하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 제 3 정렬 마크들은 3개 이상의 정렬 마크들을 포함하고, 상기 3개의 정렬 마크들 각각은 다른 2개에 대하여 동일선상이 아니도록(noncollinearly) 배열되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  12. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 정렬 마크들 중 하나 이상 및 상기 복수의 제 3 정렬 마크들 중 하나 이상은 서로에 대하여 실질적으로 직접 대향하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  13. 제 10 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 정렬 마크들 중 하나 이상 및 상기 복수의 제 3 정렬 마크들 중 하나 이상은 서로에 대하여 직접 대향하지 않는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 1 정렬 마크 및 복수의 제 2 정렬 마크들의 상대적 위치를 결정하는 단계를 포함하여 이루어지되, 상기 제 2 정렬 마크들은 상기 제 1 표면에 대향하는 상기 기판의 제 2 표면에 존재하고,
    상기 제 1 정렬 마크 및 복수의 제 2 정렬 마크들의 상대적 위치를 결정하는 상기 단계는 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광의 상기 검출을 기초로 하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 정렬 마크들은 3개 이상의 정렬 마크들을 포함하고, 상기 3개의 정렬 마크들 각각은 다른 2개에 대하여 동일선상이 아니도록 배열되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은 제 3 정렬 마크의 위치를 결정하는 단계를 포함하여 이루어지되, 상기 제 3 정렬 마크는 상기 기판의 상기 제 1 표면에 존재하고,
    제 3 정렬 마크의 위치를 결정하는 상기 단계는 상기 제 3 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광을 검출하는 단계를 포함하고, 및
    상기 제 3 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광의 상기 검출은 상기 제 1 표면과 동일한 상기 기판의 면상의 소정 위치에서 발생하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 정렬 마크는 상기 기판의 표면층내로만 연장되고, 상기 제 3 정렬 마크는 상기 표면층 아래의 상기 기판의 일부분내로 연장되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  18. 제 1 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 검출을 기초로 하여, 상기 기판의 위치를 결정하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 기판의 위치의 상기 결정을 기초로 하여, 상기 기판상의 층의 방사선-감응부분을 패터닝된 방사선빔으로 노광시키는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  20. 제 19 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 노광을 기초로 하여, 상기 기판상에 프로세스층을 형성시키는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  21. 제 19 항에 따른 방법에 따라 제조된 디바이스.
  22. 제 19 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 1 정렬 마크가 제거되었던 위치에서 상기 기판내에 기능적 요소들을 형성시키는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  23. 측정 방법에 있어서,
    기판의 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광을 검출하는 단계를 포함하여 이루어지되, 상기 제 1 정렬 마크는 상기 기판의 제 1 표면에 존재하고; 및
    상기 기판으로부터 상기 제 1 정렬 마크를 제거하는 단계를 포함하여 이루어지고,
    상기 검출하는 단계는 상기 제 1 표면에 대향하는 상기 기판의 면상의 위치에서 행해지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  24. 제 23 항에 있어서,
    상기 방법은,
    다른 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광을 검출하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지되, 상기 다른 제 1 정렬 마크는 상기 기판의 제 1 표면에 존재하고; 및
    상기 기판으로부터 상기 다른 제 1 정렬 마크를 제거하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지고,
    다른 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광을 검출하는 상기 단계는 상기 제 1 표면에 대향하는 상기 기판의 면상의 위치에서 행해지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  25. 제 23 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 1 정렬 마크의 위치를 검출하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1 정렬 마크의 위치의 상기 검출은, 기판의 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광의 상기 검출을 기초로 하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  26. 제 23 항에 있어서,
    상기 제 1 정렬 마크를 제거하는 상기 단계는 상기 기판으로부터 적어도 층의 일부분을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 층은 유전물질을 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 층은 산화물 및 질화물 중 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  29. 제 23 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 1 정렬 마크 위에 층을 형성시키는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  30. 제 23 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 1 정렬 마크 및 제 2 정렬 마크의 상대적 위치를 결정하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지되, 상기 제 2 정렬 마크는 상기 제 1 표면에 대향하는 상기 기판의 제 2 표면에 존재하고,
    상기 제 1 정렬 마크 및 제 2 정렬 마크의 상대적 위치의 상기 결정은, 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로터 나오는 광의 상기 검출을 기초로 하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  31. 제 30 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 2 정렬 마크 및 제 3 정렬 마크의 상대적 위치를 결정하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지되, 상기 제 3 정렬 마크는 상기 기판의 제 1 표면에 존재하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  32. 제 31 항에 있어서,
    상기 제 1 정렬 마크는 상기 기판의 표면층내로만 연장되고, 상기 제 2 및 제 3 정렬 마크는 상기 표면층 아래의 상기 기판의 일부분내로 연장되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  33. 제 30 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 2 정렬 마크 및 복수의 제 3 정렬 마크들의 상대적 위치를 결정하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지되, 상기 제 3 정렬 마크들은 상기 기판의 상기 제 1 표면에 존재하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  34. 제 33 항에 있어서,
    상기 복수의 제 3 정렬 마크들은 3개 이상의 정렬 마크들을 포함하고, 상기 3개의 정렬 마크들 각각은 다른 2개에 대하여 동일선상이 아니도록 배열되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  35. 제 23 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 1 정렬 마크 및 복수의 제 2 정렬 마크들의 상대적 위치를 결정하는 단계를 포함하여 이루어지되, 상기 제 2 정렬 마크들은 상기 제 1 표면에 대향하는 상기 기판의 제 2 표면에 존재하고,
    상기 제 1 정렬 마크 및 복수의 제 2 정렬 마크들의 상대적 위치의 상기 결정은, 제 1 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광의 상기 검출을 기초로 하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  36. 제 35 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 2 정렬 마크 및 복수의 제 3 정렬 마크들의 상대적 위치를 결정하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지되, 상기 제 3 정렬 마크들은 상기 기판의 상기 제 1 표면에 존재하고,
    상기 복수의 제 3 정렬 마크들은 3개 이상의 정렬 마크들을 포함하고, 상기 3개의 정렬 마크들 각각은 다른 2개에 대하여 동일선상이 아니도록 배열되며, 및
    상기 복수의 제 2 정렬 마크들 중 하나 이상 및 상기 복수의 제 3 정렬 마크들 중 하나 이상은 서로에 대하여 실질적으로 직접 대향하는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  37. 제 35 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 제 2 정렬 마크 및 복수의 제 3 정렬 마크들의 상대적 위치를 결정하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지되, 상기 제 3 정렬 마크들은 상기 기판의 상기 제 1 표면에 존재하고,
    상기 복수의 제 3 정렬 마크들은 3개 이상의 정렬 마크들을 포함하고, 상기 3개의 정렬 마크들 각각은 다른 2개에 대하여 동일선상이 아니도록 배열되며, 및
    상기 복수의 제 2 정렬 마크들 중 하나 이상 및 상기 복수의 제 3 정렬 마크들 중 하나 이상은 서로에 대하여 직접 대향하지 않는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  38. 제 35 항에 있어서,
    상기 복수의 제 2 정렬 마크들은 3개 이상의 정렬 마크들을 포함하고, 상기 3개의 정렬 마크들 각각은 다른 2개에 대하여 동일선상이 아니도록 배열되는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  39. 제 23 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 검출을 기초로 하여, 상기 기판의 위치를 결정하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  40. 제 39 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 기판의 위치의 상기 결정을 기초로 하여, 상기 기판상의 층의 방사선-감응부분을 패터닝된 방사선빔으로 노광시키는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  41. 제 40 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 노광을 기초로 하여, 상기 기판상에 프로세스층을 형성시키는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 측정 방법.
  42. 제 40 항에 따른 방법에 따라 제조된 디바이스.
  43. 기판에 있어서,
    상기 기판의 제 1 표면에 형성된 제 1 정렬 마크; 및
    상기 기판의 상기 제 1 표면에 형성된 제 2 정렬 마크를 포함하여 이루어지고,
    상기 제 1 정렬 마크는 상기 기판의 제 1 층내에 형성되고, 및
    상기 제 2 정렬 마크는 상기 기판의 제 2 층내에 형성되며, 상기 제 2 층은 상기 제 1 층상에 있는 것을 특징으로 하는 기판.
  44. 제 43 항에 있어서,
    상기 기판은 상기 제 1 표면과는 다른 상기 기판의 제 2 표면에 형성된 제 3 정렬 마크를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판.
  45. 제 43 항에 있어서,
    상기 제 2 정렬 마크는 상기 제 1 층내로 연장되지 않는 것을 특징으로 하는 기판.
  46. 제 43 항에 있어서,
    상기 제 2 층은 산화물 및 질화물 중 하나 이상을 포함하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판.
  47. 디바이스 제조방법에 있어서,
    임시 정렬 마크 및 제 1 정렬 마크를 가지는 기판을 제공하는 단계를 포함하여 이루어지되, 상기 마크들은 기판의 제 1 표면에 존재하고;
    상기 기판을 뒤집는 단계;
    상기 제 1 표면에 대향하는 상기 기판의 면상의 위치에서 검출되고 상기 임시 정렬 마크의 적어도 일부분으로부터 나오는 광을 기초로 하여, 상기 기판의 위치를 결정하는 단계; 및
    상기 제 1 표면과는 다른 상기 기판의 제 2 표면에 상기 기판의 제 2 정렬 마크를 제공하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
  48. 제 47 항에 있어서,
    상기 방법은 상기 기판으로부터 상기 임시 정렬 마크를 제거하는 단계를 더욱 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조방법.
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