JP5126370B2 - 回路モジュール - Google Patents

回路モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP5126370B2
JP5126370B2 JP2010542907A JP2010542907A JP5126370B2 JP 5126370 B2 JP5126370 B2 JP 5126370B2 JP 2010542907 A JP2010542907 A JP 2010542907A JP 2010542907 A JP2010542907 A JP 2010542907A JP 5126370 B2 JP5126370 B2 JP 5126370B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
identification code
circuit module
substrate
module
formation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2010542907A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2010070964A1 (ja
Inventor
博 西川
太郎 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP2010542907A priority Critical patent/JP5126370B2/ja
Publication of JPWO2010070964A1 publication Critical patent/JPWO2010070964A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5126370B2 publication Critical patent/JP5126370B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0266Marks, test patterns or identification means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09Shape and layout
    • H05K2201/09818Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09927Machine readable code, e.g. bar code
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49108Electric battery cell making
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49108Electric battery cell making
    • Y10T29/49115Electric battery cell making including coating or impregnating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49121Beam lead frame or beam lead device
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00Metal working
    • Y10T29/49Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002Electrical device making
    • Y10T29/49117Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155Manufacturing circuit on or in base

Description

本発明は、回路モジュールに関し、特に、識別符号を備えた回路モジュールに関するものである。
各種回路モジュールの製造に際して、集合基板の状態で複数の回路モジュールを同時に構成し、最終的に個別の回路モジュールに分割する製造方法は一般的である。
このような回路モジュール及び集合基板の生産履歴管理を行う方法として特許文献1が開示されている。
ここで、図1を参照して特許文献1の多面取り基板の生産履歴管理方法及び多面取り基板について説明する。
図1に示す多面取り基板10は、部品実装後に例えば4枚に分割される割基板11〜14がマトリックス状に配置された基板であり、その割基板以外の部分に基板識別コード(基板ID)20が付されると共に、各割基板11〜14に回路識別コード(回路ID)22が付されている。
前記基板識別コード20は、他の多面取り基板10と重複しないユニークなものとされ、前記回路識別コード22は、該基板識別コード20を一部に含むものとされる。
例えば、基板識別コード20が[00010]とすると、各割基板11〜14の回路識別コード22は、それぞれ[00010−001][00010−002][00010−003][00010−004]とすることができる。
特開2007−42934号公報
しかし、識別コードを付するには、識別符号を付するためのスペースが必要で、個々の割基板が大型になってしまうという問題があった。特に、基板の裏面には多数の電極が形成されているので、前記識別符号を付するためのスペースが新たに必要になるという問題があった。
また、回路モジュールの薄型化を図るために、従来行われていた金属キャップを廃して、樹脂封止によるパッケージ化を行った場合、樹脂封止された内部に仮に回路モジュールの識別符号を付与しても、その識別符号を不良解析時に容易に読み取ることができない。
さらに、樹脂封止を行った場合には、基板と封止樹脂との界面の剥がれ等が信頼性の面で重要である。そのため、例えば、樹脂封止した集合基板状態での不良の発生の監視を可能とするなどのトレーサビリティが要求される。
そこで、本発明の目的は、識別符号が付された小型の回路モジュールを提供することにある。
前記課題を解決するために、この発明の回路モジュールは次のように構成する。
(1)複数の回路モジュールが形成された集合基板の分割によって得られる回路モジュールであって、
矩形板状のモジュール基板と、
前記モジュール基板の第1の主面に形成された電極と、
前記モジュール基板の第1の主面に形成されたレジスト膜と、を備え、
前記モジュール基板の第1の主面には、前記電極の部分的な形成/非形成によって、または前記レジスト膜の部分的な形成/非形成によって、前記モジュール基板の方向を表す方向識別用領域を有し、
前記モジュール基板の第1の主面の周辺部には信号入出力端子が配列され、
前記信号入出力端子で囲まれた内側の縦横のマトリクス状の位置に複数の内側端子が配列され、
前記方向識別用領域は前記マトリクス状の位置の少なくとも一つの位置であり、
前記方向識別用領域に前記集合基板上の回路モジュールの位置情報をもつ第1の識別符号が形成されたものとする。
この構成により、第1の識別符号を設けるための新たなスペースを設ける必要がなくなり、回路モジュールの大型化を避けることができる。
(2)前記第1の識別符号はドットパターンで表されたものとする。
これにより、文字を形成する場合よりも必要解像度は低くてすみ、限られたスペースに識別符号を形成できる。
(3)前記第1の識別符号は、前記電極の部分的な形成/非形成によって、または前記レジスト膜の部分的な形成/非形成によって構成されたものとする。
この構成により、電極パターンの形成時に前記第1の識別符号を同時に形成でき、またはレジスト膜の形成時に前記第1の識別符号を同時に形成でき、第1の識別符号を形成するための特別な工程が不要となる。
(4)前記第1の識別符号は、前記電極の部分的な形成/非形成によって構成され、且つ前記方向識別用領域が前記レジスト膜で覆われているものとする。
この構成により、第1の識別符号が剥がれにくく、前記方向識別用領域を光反射により認識する際に誤認識が生じにくい。
(5)前記モジュール基板の第1の主面は前記回路モジュールの実装面であり、
前記モジュール基板の第2の主面に複数の部品が配置され、
前記複数の部品は前記モジュール基板上で樹脂により封止されているものとする。
これにより、金属キャップが不要となり、薄型化できる。しかも、樹脂封止された状態のまま識別符号を容易に読み取ることができる。すなわち、特に樹脂封止された回路モジュールに適した構造となる。
(6)前記モジュール基板の第2の主面側の外面に第2の識別符号が形成されたものとする。
この構成により、2つの識別符号を用いて回路モジュールの識別機能が高まる。
(7)前記第2の識別符号は、前記集合基板の識別情報をもつものとする。
これにより、第2の識別符号で集合基板が識別でき、第1の識別符号で集合基板内での位置が識別できる。また、第2の識別符号は製造毎に異なるが、第1の識別符号は常に同じパターンに形成できる。このように一定パターンの第1の識別符号は基本的に印刷法で形成できるので、第1の識別符号を形成するためのコストの増加がない。しかも、変動する識別符号のみ第2の識別符号として設けるだけであるので、第2の識別符号の桁数などを最小限なものとすることができ、レーザマーキング等で形成する際に回路モジュール1個あたりに要する時間が長くなることがない。
この発明によれば、第1の識別符号を設けるための新たなスペースを設ける必要がなくなり、回路モジュールの小型化を図ることができる。また、集合基板内のどの位置から分割された回路モジュールであるかの管理ができ、例えば不良解析性及びトレーサビリティが向上する。
特許文献1の多面取り基板の生産履歴管理方法及び多面取り基板について示す図である。 第1の実施形態に係る回路モジュールの製造途中における集合基板の状態での平面図である。 1つのモジュール基板30の構成を示す平面図であり、回路モジュールとして完成したときの実装面側の平面図である。 方向識別用領域39に形成されたモジュール基板30の、集合基板100における位置を表す第1の識別符号の構成を示す図である。 第1の識別符号のパターンと情報との関係を表す図である。 図6(A)は、回路モジュール50の平面図である。図6(B)は、第2の識別符号51の表示と、その内容について示す図である。 第2の実施形態に係る2種類の回路モジュールの実装面側の平面図である。 第3の実施形態に係る回路モジュールで用いる第1の識別符号の構成を示す図である。 図8に示した第1の識別符号のパターンと情報との関係を表す図である。 第4の実施形態に係る回路モジュールの基板実装面側の平面図である。 第5の実施形態に係る回路モジュールの基板実装面側の平面図である。 第6の実施形態に係る回路モジュールの基板実装面側の平面図である。 第7の実施形態に係る回路モジュールの実装面側の平面図である。 図14(A)は回路モジュールの製造方法の手順を示すフローチャート、図14(B)は前記回路モジュールの実装手順を示すフローチャート、図14(C)は、回路モジュールの動作確認と不良解析についての手順を示すフローチャートである。
《第1の実施形態》
第1の実施形態に係る回路モジュールについて図2〜図6を参照して説明する。
図2は第1の実施形態に係る回路モジュールの製造途中における集合基板の状態での平面図である。集合基板100には複数のモジュール基板部30が備えられている。この例では12行×12列のモジュール基板部を備え、後にこの集合基板100を分割することによって144個の回路モジュールを得ることになる。
図3は1つのモジュール基板30の構成を示す平面図であり、回路モジュールとして完成したときの実装面側(第1の主面側)の平面図である。モジュール基板30の周辺部(四辺)には信号入出力端子42が配列されている。またモジュール基板30の四隅には外側グランド端子41が形成されている。
なお、モジュール基板30の四隅のすべてまたは幾つかに信号入出力端子を形成してもよい。このことは、後に示す他の実施形態についても同様である。
モジュール基板30の前記信号入出力端子42及び外側グランド端子41で囲まれた内側は内側グランド端子形成領域31である。この内側グランド端子形成領域31に、縦横のマトリクス状に配列された複数の内側グランド端子40が形成されている。
なお、前記信号入出力端子42及び外側グランド端子41で囲まれた内側の領域に形成される端子はグランド端子に限らず他の端子や電極であってもよい。例えば信号入力端子が形成されていてもよい。
この例では、内側グランド端子形成領域31に6行×6列の内側グランド端子40が形成されているが、1つの角部は方向識別用領域39であり、この方向識別用領域39には内側グランド端子40が形成されていない。この方向識別用領域39には後に詳しく述べるように、モジュール基板30の位置情報をもつ第1の識別符号が形成されている。
図4は、前記方向識別用領域39に形成されたモジュール基板30の、集合基板100における位置を表す第1の識別符号の構成を示す図である。ここで、4つのドット形成領域38R1,38R2,38R3,38R4によって行位置情報38Rを構成している。また、4つのドット形成領域38C1,38C2,38C3,38C4によって列位置情報38Cを構成している。
ドット形成領域38R1〜38R4の4つのドットによって、4ビットの2進符号で行位置情報をもたせ、38C1〜38C4の4つのドットによって4ビットの2進符号で列位置情報をもたせる。なお、ドットは電極によって形成されている。
例えば、図3に示した方向識別用領域39に形成された第1の識別符号であれば、(行,列)のビットを表すと(0011,0100)であるので、3行目の4列目であることが分かる。すなわち図2に示したモジュール基板領域30(4,3)のモジュール基板であることが分かる。
図5は、第1の識別符号のパターンと情報との関係を表す図である。ここでは行位置情報と列位置情報を同時に表している。図5において「行・列目」は何行目であるか何列目であるかを10進符号で表した値である。また「ビット表現」は4ビットの2進符号である。さらに「対応マーク」は、図4に示した行位置情報38Rと列位置情報38Cのパターンである。
このようにして、最大(16行,16列)のモジュール基板の位置を表す。
図2に示した集合基板を基にした回路モジュールの製造工程は次のとおりである。
(1)図2に示した集合基板100の部品搭載面(図2に示された方向からは裏面側になる面)に所定の電子部品を搭載する。
(2)集合基板100の部品搭載面の全体を絶縁性の樹脂によって封止する。
(3)各モジュール基板30の境界線で、樹脂封止面側から集合基板100の厚みの中央までの深さの溝を形成する。
(4)封止された前記樹脂の表面に導電性ペーストを塗布し、乾燥硬化させる。
(5)その後、各回路モジュールの天面(実装面とは反対側の面)となる位置に、集合基板の識別(その回路モジュールがどの集合基板から分割されたものであるかを表す識別情報)をもつ第2の識別符号を付与する。
(6)最後に、集合基板100全体をカットすることによって個別の回路モジュールを構成する。
図6(A)は、前記製造工程によって製造された回路モジュール50の平面図である。また、図6(B)は、第2の識別符号51Aの表示と、その内容について示す図である。
図6(A)に示すように、回路モジュール50の天面(モジュール基板の第2の主面側の外面)には、集合基板番号51A及び製造番号51Bによる第2の識別符号51がレーザマーキングで形成されている。ここで、製造番号51Bは製造ロットを表すもの、集合基板番号51Aは、その製造工場・製造時期において何枚目の集合基板であるかを表すものである。
図6(B)に示すように、第2の識別符号は、0〜9及びA〜Zの英数字による2桁で集合基板の基板番号を表す。例えば図6(A)のように、第2の識別符号51の表記が2Bであれば、その回路モジュール50が76番目の集合基板から分離されたものであることを表している。
なお、図3に示した構成で、各電極の形成領域以外の領域(電極間領域)をレジスト膜で被覆してもよい。その際、方向識別用領域39については、その全体を(すなわち第1の識別符号38であるドット状の電極を覆うように)レジスト膜で被覆してもよい。
このことによって、各電極の剥がれを防止できるとともに、方向識別用領域の位置をその光の反射量の違いにより認識する際に、誤認識が生じにくいという効果を奏する。
また、上述の例では、樹脂封止を行ったが、樹脂で封止せず、金属ケース(キャップ)で封止する場合にも、本発明は適用可能である。このことは、後に示す他の実施形態についても同様である。
《第2の実施形態》
図7(A)、図7(B)は、第2の実施形態に係る2種類の回路モジュールの実装面側の平面図である。
図7(A)の例では、内側グランド端子形成領域31内に2つの方向識別用領域39A,39Bが設けられている。方向識別用領域39Aには行位置情報38Rが形成されている。方向識別用領域39Bには列位置情報38Cが形成されている。
このようにして、内側グランド端子40の複数個分の領域を用いて第1の識別符号を形成してもよい。
《第3の実施形態》
図8は、第3の実施形態に係る回路モジュールで用いる第1の識別符号の構成を示す図である。この第1の識別符号は、行位置情報37R及び列位置情報37Cを備えている。丸内の数字はビットの桁番号である。
方向識別用領域39に対してこのように8ビットの行位置情報と8ビットの列位置情報とをもたせてもよい。
図9は、図8に示した第1の識別符号のパターンと情報との関係を表す図である。ここでは行位置情報と列位置情報を同時に表している。図9において「行・列目」は何行目であるか何列目であるかを10進符号で表した値である。また「ビット表現」は8ビットの2進符号である。さらに「対応マーク」は、図8に示した行位置情報38Rまたは列位置情報38Cのパターンである。
このようにして、最大(255行,255列)のモジュール基板の位置情報をもたせることができる。
《第4の実施形態》
図10は、第4の実施形態に係る回路モジュールの基板実装面側の平面図であり、回路モジュールとして完成したときの実装面側(第1の主面側)の平面図である。モジュール基板30の周辺部(四辺)には信号入出力端子42が配列されている。またモジュール基板30の四隅には外側グランド端子41が形成されている。
モジュール基板30の前記信号入出力端子42及び外側グランド端子41で囲まれた内側は内側グランド端子形成領域31である。この内側グランド端子形成領域31内に複数の内側グランド端子40が個別に形成されている。これらの各電極間にはレジスト膜43が形成されている。
方向識別用領域39には、内側グランド端子40が形成されず、ドットパターンの電極によって第1の識別符号38が構成されている。この方向識別用領域39には、ドットパターンの電極による第1の識別符号38の表面も含めて全体がレジスト膜43で被覆されている。
このことによって、各電極の剥がれを防止できるとともに、方向識別用領域の位置をその光の反射量の違いにより認識する際に、誤認識が生じにくいという効果を奏する。
《第5の実施形態》
図11は、第5の実施形態に係る回路モジュールの基板実装面側の平面図であり、回路モジュールとして完成したときの実装面側(第1の主面側)の平面図である。モジュール基板30の周辺部(四辺)には信号入出力端子42が配列されている。またモジュール基板30の四隅には外側グランド端子41が形成されている。
モジュール基板30の、信号入出力端子42及び外側グランド端子41で囲まれた内側は内側グランド端子形成領域31である。この内側グランド端子形成領域31内に連続したグランド電極が形成されている。但し、方向識別用領域39にグランド電極の部分的な開口(抜きパターン)によって第1の識別符号38が形成されている。
また、内側グランド端子形成領域31内の方向識別用領域39以外の領域にはレジスト膜43の部分的な開口によって内側グランド端子40が設けられている。
隣接する信号入出力端子42同士の間、及び外側グランド端子41と信号入出力端子42との間にもレジスト膜43が形成されている。
方向識別用領域39には、グランド電極の前記抜きパターンによる第1の識別符号38の表面も含めて全体がレジスト膜43で被覆されている。
このことによって、各電極の剥がれを防止できるとともに、方向識別用領域の位置をその光の反射量の違いにより認識する際に、誤認識が生じにくいという効果を奏する。
《第6の実施形態》
図12は、第6の実施形態に係る回路モジュールの基板実装面側の平面図であり、回路モジュールとして完成したときの実装面側(第1の主面側)の平面図である。モジュール基板30の周辺部(四辺)には信号入出力端子42が配列されている。またモジュール基板30の四隅には外側グランド端子41が形成されている。
モジュール基板30の、信号入出力端子42及び外側グランド端子41で囲まれた内側は内側グランド端子形成領域31である。この内側グランド端子形成領域31内に連続したグランド電極が形成されている。そして、内側グランド端子形成領域31内に複数のレジスト膜43の開口による内側グランド端子40が形成されている。但し、方向識別用領域39にはレジスト膜の部分的な開口(抜きパターン)によって第1の識別符号38が形成されている。
このようにしてレジスト膜のパターンによって第1の識別符号を形成してもよい。
この構成により、第1の識別符号38が剥がれにくくなる。
《第7の実施形態》
図13は、第7の実施形態に係る回路モジュールの実装面側の平面図である。この例では、内側グランド端子形成領域31に、連続したグランド電極40Aが形成され、レジスト膜43の開口による内側グランド端子40が設けられるとともに、レジスト膜のパターンによって第1の識別符号38が形成されている。この第1の識別符号38の周囲(方向識別用領域39)にはグランド電極が形成されていなくて、この部分にレジスト膜のみによって第1の識別符号38が形成されている。
なお、以上に示した各実施形態では、第1の識別符号をドットパターンで表した例を示したが、ドットパターンは丸形に限らず矩形であってもよい。形状の異なるドットパターンを用いることにより、少ないドット数でより多くの位置を表すことができる。例えば図5に示した8個のドットで16行×16列を超える範囲での位置情報をもたせること、及びその位置情報の識別を行うことができる。
また、例えば集合基板ごとまたはモジュール基板ごとに製造条件や回路構成等を異ならせた場合に、それらの違いに応じて第1の識別符号のドットパターンの形状を異ならせてもよい。このことにより、製造条件や回路構成等の識別を容易に行うこともできる。これらのドットパターンは、丸型・矩形・三角形・十字型・六角形など、様々な形状にすることができる。
また、第1の識別符号はドットパターンに限らず、バー形状であってもよい。また、2進符号に限らず、1次元や2次元のバーコードで表したものであってもよい。さらには、第1の識別符号を文字で形成してもよいが、ドットやバーで形成した方が、限られたスペースに形成できるという効果を奏する。
《第8の実施形態》
次に、この発明の回路モジュールの管理方法について図14のフローチャートを参照して説明する。
図14(A)は回路モジュールの製造方法の手順を示すフローチャートである。まず、第1の実施形態で図2等に示したように、集合基板100に対して複数の回路モジュールを形成する(S11)。続いて各回路モジュールの表面側に第2の識別符号をレーザマーキング法で形成する(S12)。その後、複数の回路モジュールへ分割し、所定のパーツフィーダに適合するようにテーピングする(S13→S14)。
図14(B)は前記回路モジュールの実装手順を示すフローチャートである。まずテープフィーダーから回路モジュールを取り出し、回路モジュールの方向を前記方向識別用領域の位置によって認識する(S21→S22)。これは、回路モジュールを真空チャックで吸引した状態で回路モジュールの実装面側をカメラで撮像して画像認識することによって行う。正常であれば、その回路モジュールを実装基板上へ実装する(S23→S24)。もし方向が異常であれば、その回路モジュールについてはリジェクトする等の異常処理を行う(S25)。以上の処理を繰り返すことによって回路モジュールの実装を行う。
図14(C)は、回路モジュールの動作確認と不良解析についての手順を示すフローチャートである。まず、回路モジュールを動作確認装置に接続し、動作確認を自動的に行う(S31)。正常であれば、次の回路モジュールと交換して、同様の処理を繰り返す(S32→S33→S31)
もし異常であれば、その回路モジュールの実装面側の第1の識別符号を読み取り、その回路モジュールが集合基板のどの位置から切り出されたものであるかを把握する。そして、その回路モジュールの不良解析を行う(S34→S35)。このことにより、集合基板の位置と不良率や不良モードとの関係(分布等)を統計的に管理できる。
また、回路モジュールの表面側の第2の識別符号を読み取ることによって、その回路モジュールがどの集合基板から切り出されたものであるかが把握できる。
これにより、いつ製造されたどの集合基板のどこから分割された回路モジュールであるかを管理対象にでき、トレーサビリティが向上する。なお、識別符号の読み取りは、画像認識で行ったり、レーザー、顕微鏡を用いて行ったりできる。
100…集合基板
30…モジュール基板,モジュール基板部
31…内側グランド端子形成領域
37C…列位置情報
37R…行位置情報
38…第1の識別符号
38C…列位置情報
38C1,38C2,38C3,38C4…ドット形成領域
38R…行位置情報
38R1,38R2,38R3,38R4…ドット形成領域
39…方向識別用領域
39A,39B…方向識別用領域
40…内側グランド端子
41…外側グランド端子
42…信号入出力端子
43…レジスト膜
50…回路モジュール
51…第2の識別符号
51A…集合基板番号
51B…製造番号

Claims (7)

  1. 複数の回路モジュールが形成された集合基板の分割によって得られる回路モジュールであって、
    矩形板状のモジュール基板と、
    前記モジュール基板の第1の主面に形成された電極と、
    前記モジュール基板の第1の主面に形成されたレジスト膜と、を備え、
    前記モジュール基板の第1の主面には、前記電極の部分的な形成/非形成によって、または前記レジスト膜の部分的な形成/非形成によって、前記モジュール基板の方向を表す方向識別用領域を有し、
    前記モジュール基板の第1の主面の周辺部には信号入出力端子が配列され、
    前記信号入出力端子で囲まれた内側の縦横のマトリクス状の位置に複数の内側端子が配列され、
    前記方向識別用領域は前記マトリクス状の位置の少なくとも一つの位置であり、
    前記方向識別用領域に前記集合基板上の前記モジュール基板の位置情報をもつ第1の識別符号が形成された回路モジュール。
  2. 前記第1の識別符号はドットパターンで表された、請求項1に記載の回路モジュール。
  3. 前記第1の識別符号は、前記電極の部分的な形成/非形成によって、または前記レジスト膜の部分的な形成/非形成によって構成された、請求項1または2に記載の回路モジュール。
  4. 前記第1の識別符号は、前記電極の部分的な形成/非形成によって構成され、且つ前記方向識別用領域が前記レジスト膜で覆われた、請求項1〜3のいずれかに記載の回路モジュール。
  5. 前記モジュール基板の第1の主面は前記回路モジュールの実装面であり、
    前記モジュール基板の第2の主面に複数の部品が配置され、
    前記複数の部品は前記モジュール基板上で樹脂により封止されている、請求項1〜4のいずれかに記載の回路モジュール。
  6. 前記モジュール基板の第2の主面側の外面に第2の識別符号が形成された、請求項1〜5のいずれかに記載の回路モジュール。
  7. 前記第2の識別符号は、前記集合基板の識別情報をもつ、請求項6に記載の回路モジュール。
JP2010542907A 2008-12-16 2009-09-29 回路モジュール Active JP5126370B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010542907A JP5126370B2 (ja) 2008-12-16 2009-09-29 回路モジュール

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008319852 2008-12-16
JP2008319852 2008-12-16
PCT/JP2009/066907 WO2010070964A1 (ja) 2008-12-16 2009-09-29 回路モジュール及びその管理方法
JP2010542907A JP5126370B2 (ja) 2008-12-16 2009-09-29 回路モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2010070964A1 JPWO2010070964A1 (ja) 2012-05-24
JP5126370B2 true JP5126370B2 (ja) 2013-01-23

Family

ID=42268639

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010542907A Active JP5126370B2 (ja) 2008-12-16 2009-09-29 回路モジュール

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8431827B2 (ja)
JP (1) JP5126370B2 (ja)
CN (1) CN102246605B (ja)
WO (1) WO2010070964A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019141493A (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社三共 遊技機

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5899890B2 (ja) * 2011-12-16 2016-04-06 株式会社村田製作所 基板集合体
JP6259564B2 (ja) * 2012-12-07 2018-01-10 株式会社村田製作所 電子部品
TWM468814U (zh) * 2013-08-28 2013-12-21 Bellwether Electronic Corp 連接器料帶及其連接器模組
JP6622121B2 (ja) * 2016-03-16 2019-12-18 新光電気工業株式会社 配線基板及びその検査方法
JP6432629B2 (ja) * 2017-03-21 2018-12-05 株式会社村田製作所 電子部品の実装構造
CN107708288A (zh) * 2017-09-08 2018-02-16 江西景旺精密电路有限公司 一种pcb板及其加工方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0338654U (ja) * 1989-08-24 1991-04-15
JPH05218600A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Ibiden Co Ltd プリント配線板
JP2001156217A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002043703A (ja) * 2000-07-31 2002-02-08 Optrex Corp 多面取りマザー基板および液晶表示素子
JP2003188039A (ja) * 2001-12-20 2003-07-04 Murata Mfg Co Ltd 積層型電子部品
JP2005183939A (ja) * 2003-11-28 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板の生産方法とシステム
JP2005277075A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Kyocera Corp 配線基板
JP2005294635A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Seiko Epson Corp 配線基板および電子部品モジュール
JP2007042934A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Juki Corp 多面取り基板の生産履歴管理方法及び多面取り基板

Family Cites Families (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5032542A (en) * 1988-11-18 1991-07-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Method of mass-producing integrated circuit devices using strip lead frame
US5171703A (en) * 1991-08-23 1992-12-15 Intel Corporation Device and substrate orientation for defect reduction and transistor length and width increase
JP3156896B2 (ja) * 1994-01-28 2001-04-16 富士通株式会社 半導体装置の製造方法およびかかる製造方法により製造された半導体装置
JP2000156435A (ja) * 1998-06-22 2000-06-06 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP3055104B2 (ja) * 1998-08-31 2000-06-26 亜南半導体株式会社 半導体パッケ―ジの製造方法
JP4234244B2 (ja) * 1998-12-28 2009-03-04 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 ウエハーレベルパッケージ及びウエハーレベルパッケージを用いた半導体装置の製造方法
JP2001144197A (ja) * 1999-11-11 2001-05-25 Fujitsu Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法及び試験方法
US6561118B2 (en) * 2000-01-14 2003-05-13 Kirby J. Mead Flexible male/female mold for custom surfboard production
AU5095601A (en) * 2000-03-24 2001-10-08 Cymbet Corp Thin-film battery having ultra-thin electrolyte and associated method
JP3605009B2 (ja) * 2000-08-03 2004-12-22 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
US6909178B2 (en) * 2000-09-06 2005-06-21 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2002208668A (ja) * 2001-01-10 2002-07-26 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
US6768539B2 (en) * 2001-01-15 2004-07-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
US7113258B2 (en) * 2001-01-15 2006-09-26 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus
JP4649745B2 (ja) * 2001-02-01 2011-03-16 ソニー株式会社 発光素子の転写方法
JP3914451B2 (ja) * 2001-02-26 2007-05-16 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. 測定された位置合わせマークの修正位置を決定するためのコンピュータプログラムと、デバイス製造方法と、該製造方法により製造されるデバイス
JP2002319533A (ja) * 2001-04-24 2002-10-31 Nikon Corp 転写露光方法、転写露光装置及びデバイス製造方法
US20020160368A1 (en) * 2001-04-30 2002-10-31 Bass Jay K.. Chemical arrays with oriented rows
EP1256843A1 (en) * 2001-05-08 2002-11-13 ASML Netherlands B.V. Method of calibrating a lithographic apparatus
KR100583694B1 (ko) * 2001-05-23 2006-05-25 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 정렬마크가 제공된 기판, 마스크 설계방법, 컴퓨터프로그램, 상기 마크를 노광하는 마스크, 디바이스제조방법 및 그 디바이스
JP4680424B2 (ja) * 2001-06-01 2011-05-11 Okiセミコンダクタ株式会社 重ね合わせ位置検出マークの製造方法
US6747282B2 (en) * 2001-06-13 2004-06-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6861764B2 (en) * 2001-06-27 2005-03-01 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring substrate having position information
JP4023159B2 (ja) * 2001-07-31 2007-12-19 ソニー株式会社 半導体装置の製造方法及び積層半導体装置の製造方法
JP2003045876A (ja) * 2001-08-01 2003-02-14 Seiko Epson Corp 半導体装置
TW200300990A (en) * 2001-12-11 2003-06-16 Nagra Id S A Low cost electronic module and method for manufacturing such module
EP1353229A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-15 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
KR100563102B1 (ko) * 2002-09-12 2006-03-27 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 표면들로부터 입자들을 제거함으로써 세정하는 방법,세정장치 및 리소그래피투영장치
US7402279B2 (en) * 2002-10-31 2008-07-22 Agilent Technologies, Inc. Device with integrated microfluidic and electronic components
US20040086869A1 (en) * 2002-10-31 2004-05-06 Schembri Carol T. Device having multiple molecular arrays
US7422911B2 (en) * 2002-10-31 2008-09-09 Agilent Technologies, Inc. Composite flexible array substrate having flexible support
US7390457B2 (en) * 2002-10-31 2008-06-24 Agilent Technologies, Inc. Integrated microfluidic array device
US7364896B2 (en) * 2002-10-31 2008-04-29 Agilent Technologies, Inc. Test strips including flexible array substrates and method of hybridization
US20040087009A1 (en) * 2002-10-31 2004-05-06 Schembri Carol T. Array substrates having protective layer
SG124270A1 (en) * 2002-12-16 2006-08-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus with alignment subsystem, device manufacturing method using alignment, and alignment structure
JP4058405B2 (ja) * 2002-12-19 2008-03-12 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. デバイス製造方法およびこの方法により製造したデバイス
JP3844467B2 (ja) * 2003-01-08 2006-11-15 沖電気工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US7022436B2 (en) * 2003-01-14 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Embedded etch stop for phase shift masks and planar phase shift masks to reduce topography induced and wave guide effects
US7022437B2 (en) * 2003-01-15 2006-04-04 Asml Netherlands B.V. Perfluoropolyether liquid pellicle and methods of cleaning masks using perfluoropolyether liquid
JP4796271B2 (ja) * 2003-07-10 2011-10-19 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
US7120987B2 (en) * 2003-08-05 2006-10-17 Avery Dennison Corporation Method of making RFID device
JP4241302B2 (ja) * 2003-09-30 2009-03-18 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置の製造方法
JP3962713B2 (ja) * 2003-09-30 2007-08-22 キヤノン株式会社 アライメントマークの形成方法、およびデバイスが構成される基板
JP2005116687A (ja) * 2003-10-06 2005-04-28 Renesas Technology Corp リードフレーム、半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP4257844B2 (ja) * 2003-11-04 2009-04-22 パナソニック株式会社 半導体装置およびその製造方法
WO2005052705A1 (ja) * 2003-11-28 2005-06-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 回路基板の生産方法とシステム、並びにそれに用いる基板及びそれを用いた回路基板
US7130049B2 (en) * 2003-12-24 2006-10-31 Asml Netherlands B.V. Method of measurement, method for providing alignment marks, and device manufacturing method
US7259828B2 (en) * 2004-05-14 2007-08-21 Asml Netherlands B.V. Alignment system and method and device manufactured thereby
JP4353853B2 (ja) * 2004-05-20 2009-10-28 三洋電機株式会社 回路装置の製造方法および板状体
US7102736B2 (en) * 2004-06-29 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Method of calibration, calibration substrate, and method of device manufacture
JP4494175B2 (ja) * 2004-11-30 2010-06-30 新光電気工業株式会社 半導体装置
JP4471213B2 (ja) * 2004-12-28 2010-06-02 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体装置およびその製造方法
US20060146307A1 (en) * 2004-12-30 2006-07-06 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4731191B2 (ja) * 2005-03-28 2011-07-20 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及び半導体装置の製造方法
US7598024B2 (en) * 2006-03-08 2009-10-06 Asml Netherlands B.V. Method and system for enhanced lithographic alignment
JP2007311378A (ja) * 2006-05-16 2007-11-29 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
US7879514B2 (en) * 2006-08-04 2011-02-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic method and patterning device
US7901989B2 (en) * 2006-10-10 2011-03-08 Tessera, Inc. Reconstituted wafer level stacking
US8405318B2 (en) * 2007-02-28 2013-03-26 Koa Corporation Light-emitting component and its manufacturing method
US8058098B2 (en) * 2007-03-12 2011-11-15 Infineon Technologies Ag Method and apparatus for fabricating a plurality of semiconductor devices
JP2009010559A (ja) * 2007-06-27 2009-01-15 Nippon Dempa Kogyo Co Ltd 圧電部品及びその製造方法
JP5064158B2 (ja) * 2007-09-18 2012-10-31 新光電気工業株式会社 半導体装置とその製造方法
CN102077700B (zh) * 2008-08-19 2014-03-26 株式会社村田制作所 电路模块及其制造方法
US20100052191A1 (en) * 2008-08-29 2010-03-04 Qimonda Ag Metrology Mark with Elements Arranged in a Matrix, Method of Manufacturing Same and Alignment Method

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0338654U (ja) * 1989-08-24 1991-04-15
JPH05218600A (ja) * 1992-02-04 1993-08-27 Ibiden Co Ltd プリント配線板
JP2001156217A (ja) * 1999-11-29 2001-06-08 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2002043703A (ja) * 2000-07-31 2002-02-08 Optrex Corp 多面取りマザー基板および液晶表示素子
JP2003188039A (ja) * 2001-12-20 2003-07-04 Murata Mfg Co Ltd 積層型電子部品
JP2005183939A (ja) * 2003-11-28 2005-07-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 回路基板の生産方法とシステム
JP2005277075A (ja) * 2004-03-24 2005-10-06 Kyocera Corp 配線基板
JP2005294635A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Seiko Epson Corp 配線基板および電子部品モジュール
JP2007042934A (ja) * 2005-08-04 2007-02-15 Juki Corp 多面取り基板の生産履歴管理方法及び多面取り基板

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019141493A (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 株式会社三共 遊技機

Also Published As

Publication number Publication date
CN102246605B (zh) 2013-08-07
CN102246605A (zh) 2011-11-16
US8431827B2 (en) 2013-04-30
JPWO2010070964A1 (ja) 2012-05-24
WO2010070964A1 (ja) 2010-06-24
US20110239457A1 (en) 2011-10-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5126370B2 (ja) 回路モジュール
JP2995264B2 (ja) 半導体パッケージ用印刷回路基板ストリップ及びこの基板ストリップの不良印刷回路基板ユニット表示方法
CN109856843B (zh) 显示面板母板、显示面板及其检测方法
US20090223435A1 (en) Substrate panel
US9941218B2 (en) Display apparatus capable of easily acquiring identification about a display panel and a driving chip
CN111883687A (zh) Oled显示面板及其制备方法、显示装置
US20140110152A1 (en) Printed circuit board and method for manufacturing same
JP2013102033A (ja) 基板集合体および基板認識システム
CN103390610B (zh) 电子零件模组及其制造方法
JP4926421B2 (ja) 光通信モジュールおよびその製造方法
US8999752B1 (en) Semiconductor packaging identifier
US20150263315A1 (en) Display device and manufacturing process of display device
JP2008113053A (ja) 光電変換装置の製造工程管理方法
JPH10173299A (ja) プリント配線基板
JP2001102604A (ja) 光電変換装置の製造工程管理方法
JPH05267482A (ja) 半導体装置
CN217283538U (zh) 印刷电路板和电子设备
US20230178471A1 (en) Semiconductor device
JP2006190879A (ja) 固体撮像装置
CN103582305B (zh) 印刷电路板成品的制作方法
JP3918654B2 (ja) 多面付けプリント基板シート
JPH05334481A (ja) ピクセルコードの認識方法
JPH04171709A (ja) 半導体装置
JP2006228875A (ja) 集合プリント配線基板及び識別方法
JP2013069868A (ja) 小型モジュール、及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120522

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120720

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120821

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20121002

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20121015

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5126370

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109

Year of fee payment: 3