JPH04171709A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH04171709A JPH04171709A JP29869090A JP29869090A JPH04171709A JP H04171709 A JPH04171709 A JP H04171709A JP 29869090 A JP29869090 A JP 29869090A JP 29869090 A JP29869090 A JP 29869090A JP H04171709 A JPH04171709 A JP H04171709A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- semiconductor element
- wafer
- information
- written
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 58
- 238000011835 investigation Methods 0.000 abstract description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 16
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54406—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising alphanumeric information
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/5442—Marks applied to semiconductor devices or parts comprising non digital, non alphanumeric information, e.g. symbols
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
- H01L2223/544—Marks applied to semiconductor devices or parts
- H01L2223/54473—Marks applied to semiconductor devices or parts for use after dicing
- H01L2223/5448—Located on chip prior to dicing and remaining on chip after dicing
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体ウェハ上に複数個の半導体素子が形
成されて成る半導体装置に関する。
成されて成る半導体装置に関する。
第２図は従来の半導体装置の平面図であり、同図に示す
ように半導体ウェハ１上に複数個の゛１′−導体素子２
が形成されて構成されている。
ように半導体ウェハ１上に複数個の゛１′−導体素子２
が形成されて構成されている。
そして、第３図は第２図の一部の拡大図であり、各半導
体素子２に対して、電子回路部３に隣接した領域に、半
導体素子２の製品型名を表わす情報として例えば“Ａ２
０３”などの文字、数字が記入された型名情報部４が形
成されている。
体素子２に対して、電子回路部３に隣接した領域に、半
導体素子２の製品型名を表わす情報として例えば“Ａ２
０３”などの文字、数字が記入された型名情報部４が形
成されている。
ところで、このような半導体装置は、半導体ウェハ１上
に、複数のウェハ製造工程を経て必要な電子回路部３を
有する複数個の半導体素子２が形成され、途中のいずれ
かのウェハ製造１−程により型名情報部４に製品型名を
表わす情報が記入され、その後スクライブ工程により、
スクライブラインで各半導体素子２が切り離される。
に、複数のウェハ製造工程を経て必要な電子回路部３を
有する複数個の半導体素子２が形成され、途中のいずれ
かのウェハ製造１−程により型名情報部４に製品型名を
表わす情報が記入され、その後スクライブ工程により、
スクライブラインで各半導体素子２が切り離される。
従来の半導体装置は以上のように構成されているので、
スクライブ工程により各半導体素子２が切り離されてし
まうと、各半導体素子２の製品型名はわかっても、各々
の半導体素子２がどのウェハに形成されたものか、ウェ
ハのどの位置に形成されたものかを知ることが困難にな
るため、例えばある半導体装置において不具合の半導体
素子２が多数発見された場合など、ウェハの特定、ウェ
ハ上の位置の特定、更にはロットの特定のために追跡調
査をすることが容易ではなく、不具合の早−２＝ 期発見や不具合の対策の施行を十分に行うことかできな
いという問題点があった。
スクライブ工程により各半導体素子２が切り離されてし
まうと、各半導体素子２の製品型名はわかっても、各々
の半導体素子２がどのウェハに形成されたものか、ウェ
ハのどの位置に形成されたものかを知ることが困難にな
るため、例えばある半導体装置において不具合の半導体
素子２が多数発見された場合など、ウェハの特定、ウェ
ハ上の位置の特定、更にはロットの特定のために追跡調
査をすることが容易ではなく、不具合の早−２＝ 期発見や不具合の対策の施行を十分に行うことかできな
いという問題点があった。
この発明は、上記のような問題点を解決するためになさ
れたもので、各半導体装子−が切り離された後に、半導
体素子に不具合が生し、この゛ｌ−導体素了がとのウェ
ハのとの位置に形成されたものなのかなどを追跡調査す
る必要か／１した場合でも、容易に対処できるようにす
ることを目的とする。
れたもので、各半導体装子−が切り離された後に、半導
体素子に不具合が生し、この゛ｌ−導体素了がとのウェ
ハのとの位置に形成されたものなのかなどを追跡調査す
る必要か／１した場合でも、容易に対処できるようにす
ることを目的とする。
この発明に係る半導体装置は１．″１′導体ウェハ上に
複数個の半導体素子が形成されて成る甲、導体装置にお
いて、前記各゛１′、導体素ｒの一部に、前記゛Ｉ′導
体素子それぞれの固有の情報が書き込まれた固有情報部
を設けたことを特徴としている。
複数個の半導体素子が形成されて成る甲、導体装置にお
いて、前記各゛１′、導体素ｒの一部に、前記゛Ｉ′導
体素子それぞれの固有の情報が書き込まれた固有情報部
を設けたことを特徴としている。
〔作用〕
この発明においては、各半導体装ｒの一部それぞれに、
各々の固有の情報か書き込まれたＩＮ有情報部を設けた
ため、半導体ウェハを表わす情報やウェハ上の位置を表
わす情報なとを固有の情報として書き込むことにより、
各゛１′−導体素ｒが切り離された後に、半導体素子に
不具合が生じて不具合の原因等を追跡調査する必要が生
じた場合でも、各半導体素子の固有情報部の情報に基づ
いて容易に追跡調査が行える。
各々の固有の情報か書き込まれたＩＮ有情報部を設けた
ため、半導体ウェハを表わす情報やウェハ上の位置を表
わす情報なとを固有の情報として書き込むことにより、
各゛１′−導体素ｒが切り離された後に、半導体素子に
不具合が生じて不具合の原因等を追跡調査する必要が生
じた場合でも、各半導体素子の固有情報部の情報に基づ
いて容易に追跡調査が行える。
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例の一部の拡大
した状態の平面図である。
した状態の平面図である。
同図において、第３図と相違するのは、半導体ウェハ１
に形成された各半導体素子２の一部である型名情報部４
に隣接した領域に、各半導体装子２それぞれに固有の情
報が記入された固有情報部５を形成したことである。
に形成された各半導体素子２の一部である型名情報部４
に隣接した領域に、各半導体装子２それぞれに固有の情
報が記入された固有情報部５を形成したことである。
ところで、固有情報部５に固有情報としてウェハ１上の
位置を表わす記号を記入する場合、ウェハ１の中心に位
置する半導体素子２に対して、その位置情報として例え
ば（０，Ｏ）という数字を記入し、この中心の゛１′−
導体素子２を基準とし、看及び左にそれぞれ１個ずれた
゛１′−導体素了２には（１，，０）及び（−−１，、
０） 、上及びト“にそれぞれずれた半導体素子２には
（０，１）及び（０゜−１）という数字を記入する。
位置を表わす記号を記入する場合、ウェハ１の中心に位
置する半導体素子２に対して、その位置情報として例え
ば（０，Ｏ）という数字を記入し、この中心の゛１′−
導体素子２を基準とし、看及び左にそれぞれ１個ずれた
゛１′−導体素了２には（１，，０）及び（−−１，、
０） 、上及びト“にそれぞれずれた半導体素子２には
（０，１）及び（０゜−１）という数字を記入する。
従って、中心の半導体装子２から右へＮ個、ドへＭ個ず
れた位置の半導体素子２には（Ｎ、−Ｍ）という数字が
記入される。
れた位置の半導体素子２には（Ｎ、−Ｍ）という数字が
記入される。
このとき、固有情報部５への情報の記入は、前述した型
名情報部４への製品型名情報と同様の１程により行われ
る。
名情報部４への製品型名情報と同様の１程により行われ
る。
このように、各２１′導体素子２の固有情報部５に、各
゛−１４導体素子２のウェハ］上の位置を表イつず記号
を記入することにより、各゛１′−導体素了２が切り離
された後に、’＋′、導体素丁２に不具合が牛して不具
合の原因等を追跡調査する必要が生じた場合でも、各゛
１り導体素子２の固有情報部５の情報に基づいて容易に
追跡調査を行うことができ、不具合の早期発見や不具合
の対策の施行を十分に行うことが可能となる。
゛−１４導体素子２のウェハ］上の位置を表イつず記号
を記入することにより、各゛１′−導体素了２が切り離
された後に、’＋′、導体素丁２に不具合が牛して不具
合の原因等を追跡調査する必要が生じた場合でも、各゛
１り導体素子２の固有情報部５の情報に基づいて容易に
追跡調査を行うことができ、不具合の早期発見や不具合
の対策の施行を十分に行うことが可能となる。
なお、固有情報部５に記入する情報は、上記したウェハ
１上の位置を表わす情報たけに限るものではなく、ウェ
ハ１自身を表わす情報を記入してもよく、その他追跡調
査に必要な固有情報を記入してもよいのは言うまでもな
い。
１上の位置を表わす情報たけに限るものではなく、ウェ
ハ１自身を表わす情報を記入してもよく、その他追跡調
査に必要な固有情報を記入してもよいのは言うまでもな
い。
また、記入する情報は、上記実施例のような（０，Ｏ）
なとの数字に限らず、図形やバーコードなどであっても
よいのは勿論である。
なとの数字に限らず、図形やバーコードなどであっても
よいのは勿論である。
さらに、上記実施例では、固有情報部５が半導体素子２
の端部に形成されている場合を図示（第１図）して説明
したか、電子回路部３中に形成してもよく、ウェハ１の
表面側ではなく裏面側に設けてもよい。
の端部に形成されている場合を図示（第１図）して説明
したか、電子回路部３中に形成してもよく、ウェハ１の
表面側ではなく裏面側に設けてもよい。
また、１枚の半導体ウェハに２〜４個程度の７１′−導
体素子しか形成されない場合には、半導体素子の側面部
分に固有情報部を形成してもよく、スクライブラインを
Ｖ溝状にしてこのＶ溝の傾斜面に固有情報部を形成する
ことも考えられる。
体素子しか形成されない場合には、半導体素子の側面部
分に固有情報部を形成してもよく、スクライブラインを
Ｖ溝状にしてこのＶ溝の傾斜面に固有情報部を形成する
ことも考えられる。
以上のように、この発明の半導体装置によれば、各′１
′、導体素子の一部に各素子それぞれの固有の情報が書
き込まれた固有情報部を設けたため、各？１′導体素子
が切り離された後に、半導体素子に不具合が生じて不具
合の原因等を追跡調査する必要か生じた場合でも、各゛
１′、導体素了・の固有情報部の情報に基づいて容易に
追跡調査を行うことができ、不具合の早期発見や不具合
の対策の施行を十分に行うことが可能となり、半導体素
子の信頼性の向上を図る上で極めて有効である。
′、導体素子の一部に各素子それぞれの固有の情報が書
き込まれた固有情報部を設けたため、各？１′導体素子
が切り離された後に、半導体素子に不具合が生じて不具
合の原因等を追跡調査する必要か生じた場合でも、各゛
１′、導体素了・の固有情報部の情報に基づいて容易に
追跡調査を行うことができ、不具合の早期発見や不具合
の対策の施行を十分に行うことが可能となり、半導体素
子の信頼性の向上を図る上で極めて有効である。
第１図はこの発明の半導体装置の一実施例の一部を拡大
した状態の平面図、第２図は従来の半導体装置の下面図
、第３図は第２図の一部を拡大した状態の平面図である
。 図において、１は半導体ウェハ、２は゛１′導体素子、
５は固有情報部である。 なお、各図中同一記号は同一または相当部分を示す。
した状態の平面図、第２図は従来の半導体装置の下面図
、第３図は第２図の一部を拡大した状態の平面図である
。 図において、１は半導体ウェハ、２は゛１′導体素子、
５は固有情報部である。 なお、各図中同一記号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）半導体ウェハ上に複数個の半導体素子が形成され
て成る半導体装置において、 前記各半導体素子の一部に、前記半導体素子それぞれの
固有の情報が記入された固有情報部を設けたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29869090A JPH04171709A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29869090A JPH04171709A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04171709A true JPH04171709A (ja) | 1992-06-18 |
Family
ID=17863026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29869090A Pending JPH04171709A (ja) | 1990-11-02 | 1990-11-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04171709A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06168859A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Kyocera Corp | 半導体素子及び半導体素子の搭載方法 |
| JPH1126333A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその情報管理システム |
| JP2003218471A (ja) * | 1993-11-22 | 2003-07-31 | Xerox Corp | レーザダイオード生成方法 |
| JP2020101761A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | ミツミ電機株式会社 | 光走査装置 |
-
1990
- 1990-11-02 JP JP29869090A patent/JPH04171709A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06168859A (ja) * | 1992-11-30 | 1994-06-14 | Kyocera Corp | 半導体素子及び半導体素子の搭載方法 |
| JP2003218471A (ja) * | 1993-11-22 | 2003-07-31 | Xerox Corp | レーザダイオード生成方法 |
| JPH1126333A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその情報管理システム |
| US7299973B2 (en) | 1997-06-27 | 2007-11-27 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and an information management system therefor |
| US7503479B2 (en) | 1997-06-27 | 2009-03-17 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Semiconductor device and an information management system therefor |
| US7832648B2 (en) | 1997-06-27 | 2010-11-16 | Oki Semiconductor Co., Ltd. | Semiconductor device and an information management system therefor |
| JP2020101761A (ja) * | 2018-12-25 | 2020-07-02 | ミツミ電機株式会社 | 光走査装置 |
| CN111367074A (zh) * | 2018-12-25 | 2020-07-03 | 三美电机株式会社 | 光扫描装置 |
| US11474346B2 (en) | 2018-12-25 | 2022-10-18 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Optical scanning device |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3737405B2 (ja) | チップ製造方法およびシステム、回路基板、回路チップ | |
| JP2000235636A5 (ja) | ||
| JPH04171709A (ja) | 半導体装置 | |
| JP2002043703A (ja) | 多面取りマザー基板および液晶表示素子 | |
| JPH05315207A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0265149A (ja) | 半導体装置 | |
| US6516433B1 (en) | Method for finding the root cause of the failure of a faulty chip | |
| JPWO2007043470A1 (ja) | 転写生成物、転写生成物の製造方法、転写生成物の配置位置特定方法 | |
| JP2595962B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2007042882A (ja) | 半導体装置、その製造方法及び半導体装置の個別管理情報認識方法 | |
| KR100401524B1 (ko) | 반도체 소자의 불량 어드레스 조사 방법 | |
| JPS6247142A (ja) | 半導体装置のマ−キング法 | |
| JPH04106960A (ja) | Ｉｃチップ | |
| JPH1074240A (ja) | 文字位置検出方法 | |
| JPH04171448A (ja) | フォトマスク | |
| JP2979682B2 (ja) | マップを利用した半導体装置の組立方法 | |
| KR100224708B1 (ko) | 조립된 칩의 웨이퍼 상의 위치 확인방법 | |
| JPH0287540A (ja) | 半導体ウェハーの検査方法 | |
| JPH10339943A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS62291126A (ja) | パタ−ン認識マ−ク | |
| TWM633833U (zh) | 具有沖孔識別圖案的軟性電路板 | |
| KR20020052573A (ko) | 반도체패키지용 회로기판의 스트립 마킹 구조 및 방법 | |
| JPS6234141B2 (ja) | ||
| JPH0997820A (ja) | 半導体ウェハー | |
| JPS61278127A (ja) | 半導体装置 |