JP2003218471A - レーザダイオード生成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザダイオードのサイドエッジと、レーザ
ストライプの軸との間の距離が正確に離間される。 【解決手段】 第１のサイドエッジと、第１のサイドエ
ッジの反対側の第２のサイドエッジと、レーザストライ
プと、を有するレーザダイオードを、前記第１のサイド
エッジと前記レーザストライプの軸との間の距離が正確
に離間されるように、複数のレーザストライプを有する
半導体材料のウェーハから生成する、レーザダイオード
生成方法に関する。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は一般に、レーザダイオー
ド生成方法に関する。 【０００２】 【従来の技術】ゼログラフィック印刷は、処理能力（ス
ループット）を高め印刷品質を向上するという方向で進
展してきた。処理能力を高めることにおける現在までの
試みは、受光体（例えば、感光体）の表面に同時に画像
形成が行われるように多重（複数）レーザビームを使用
することに焦点が当てられてきた。ゼログラフィック印
刷システムの処理能力は通常、受光体表面に画像形成を
行う独立的にアドレス可能なビームの数に比例する。 【０００３】高い処理能力を達成する一つの知られた方
法は、レーザダイオードのアレイを用いることである。
多重の独立的にアドレス可能なダイオードは、受光体に
対して並行して書き込みを行うことが可能であるので、
処理能力の向上が可能である。多重レーザビームは、よ
り高い処理能力を約束するが、多重レーザビームを用い
ても、より良い印刷品質が保証されるとは必ずしも限ら
ない。 【０００４】印刷品質の向上は一般に、スポットサイズ
と、スポット間隔を正確にとることとに依存する解像度
の関数であった。一般的な法則では、スポットのサイズ
が小さくなればなるほど、より高い解像度が可能であ
る。同様に解像度は、スポットをより密接且つより正確
に離間させるほど高まる。 【０００５】 【発明が解決しようとする課題】ビーム同士間の離間は
一般に、２つの直交軸において、即ち接線軸及びサジタ
ル軸において行われるのが典型的である。ラスタ出力ス
キャナ（ＲＯＳ）システムにおける接平面は一般に、ミ
ラーポリゴンの回転軸から見た上面図である。サジタル
（矢状）平面は一般に、ポリゴンの１つのミラー面から
見た側面図である。接平面及びサジタル平面の詳しい説
明は、ＩＥＥＥの出版物の７０巻第６号（１９８２年６
月）において発表された、アーバッシュ（Urbach）他著
の「電子印刷のためのレーザスキャニング（Laser Scan
ning for Electronic Printing）」においてなされてお
り、それを参照して本文の記載の一部とする。 【０００６】レーザダイオードアレイは、２つの異なる
種類、即ちモノリシックアレイ及び非モノリシックアレ
イからなるのが一般的である。レーザダイオードのモノ
リシックアレイは、製造プロセスにおいて単一構造とし
て製造されるレーザストライプ（即ち、電流が流れると
レーザを発射する物質の層）アレイである。それとは対
照的に、非モノリシックアレイは、単一アレイとして構
成されない構造である。その代わりに、非モノリシック
アレイは通常、サブマウント（補助取付台）と、はん
だ、エポキシ等の方法によりサブマウントに連結される
複数のレーザダイオードとを含む。 【０００７】レーザダイオードの非モノリシックアレイ
について言えば、レーザダイオードが連結されるサブマ
ウントを精密に構成することにより、接線軸に沿う正確
な離間配置が制御される。接線軸方向に正確な離間を行
うと、走査線を横切って書き込みを行う２つのビームの
見当合わせエラーを無くすことができ、それはカラーゼ
ログラフィにおいて望ましいことである。 【０００８】モノリシックアレイについて言えば、エピ
タキシャルデポジション、光蝕刻法、イオン注入等の半
導体製造の現在の技術によって、接線軸に沿う正確な離
間が可能である。これらの技術は当分野で非常に良く知
られているということが理解されよう。 【０００９】サジタル方向においてビームを正確に離間
させることは、おそらく人間の視覚にとって、さらに一
層重要なことである。サジタル平面において生じた誤差
は、隣接する走査線間の不均一な離間となって現れる。
このような誤差は一般に、肉眼で見ても明らかであると
同時に、印刷の質が低下する。 【００１０】よって、印刷の質を高めるために、サジタ
ル平面におけるレーザダイオードビーム間の離間を正確
に制御する必要がある。 【００１１】 【課題を解決するための手段及び作用】本発明の請求項
１に係る発明は、第１のサイドエッジと、第１のサイド
エッジの反対側の第２のサイドエッジと、レーザストラ
イプと、を有するレーザダイオードを、前記第１のサイ
ドエッジと前記レーザストライプの軸との間の距離が正
確に離間されるように、複数のレーザストライプを有す
る半導体材料のウェーハから生成する方法であって、
Ａ）第１レーザストライプの前記軸から正確な距離を置
いた所に第１の刻みマークをつけるステップと、Ｂ）前
記第１レーザストライプの前記軸に平行に、第１のサイ
ドエッジを劈開するステップと、Ｃ）あらゆる望ましい
数のレーザストライプに対して上記Ａ及びＢのステップ
を繰り返すステップと、Ｄ）ステップＣの結果生じたあ
らゆるバーに対して、第２のサイドエッジ上で正確に距
離を置いた位置に第２の刻みマークをつけるステップ
と、Ｅ）１つのレーザダイオードを生成するために、前
記第２の刻みマーク部分でバーを劈開するステップと、
Ｆ）前記バーからあらゆる望ましい数のレーザダイオー
ドを生成するために、ステップＤ及びＥを繰り返すステ
ップと、を含む。 【００１２】本発明の請求項１に係る発明による、精密
な劈開でレーザダイオードを生成するために必要な方法
について説明する。表面上にレーザストライプを形成さ
れたウェーハを、ストライプからの既知の距離の範囲内
で劈開する。望ましい劈開の場所を表面上にマーク付け
し、結晶方向により指示される劈開面に沿ってマークか
ら劈開が広がるように、基板上に圧力をわずかに与える
ことにより、劈開が行われる。この第１の劈開の後、レ
ーザストライプを含む１つのバーが形成される。バーの
反対側でレーザストライプから始まる第２の劈開は、レ
ーザキャビティ（空洞）の長さ（即ち、ダイオード内で
レーザ光が通る長さ）を規定し、こうして単一のレーザ
ダイオードが形成される。 【００１３】以下に、本発明の参考となる発明について
説明する。 【００１４】本発明およびその参考となる発明は、サジ
タル軸に沿うレーザダイオードビームの離間を制御する
ための製造品及びその製造方法を包含するものである。
この製造品は、それぞれのレーザストライプから発射す
るレーザビームにおいて正確に離間されたオフセットを
有するレーザダイオードアレイを含む。本発明は、本発
明の製造品を製造する方法を含む。第１の方法は、サブ
マウント上に第１のレーザダイオードを取り付ける方法
を含む。第１のダイオードのレーザストライプを位置決
めして、正確に配置することが可能である。この配置
は、顕微鏡、マイクロメータ、又はその他の適切なスコ
ープの十字線を設定することによって実行されることが
可能である。一旦配置したら、既知のサジタルオフセッ
トを生成する。顕微鏡の十字線（又は適切なスコープに
おける配置手段）をサジタル方向へ既知の距離だけ移動
することによって、このオフセットを生成することが可
能である。第２のレーザダイオードを、そのレーザスト
ライプの軸を配置手段に合わせて、サブマウントに取り
付ける。 【００１５】参考となる発明の第２の方法は、レーザス
トライプの軸から既知の距離の所に溝をエッチングする
ことによって、又はその他の方法でマーク付けすること
によって、第１の方法をより高めるものである。第１の
方法の配置ステップは、第１の方法ではレーザストライ
プの軸に対してであったが、第２の方法では、溝又はマ
ークに適用される。それぞれのストライプの軸から溝ま
での距離を正確に維持することが可能であるとともに、
一般に溝の方がレーザストライプよりもエッジ上で視覚
的に見ることが容易であるので、溝からの距離を揃える
ことが望ましい。 【００１６】レーザダイオードを正確にオフセットす
る、参考となる発明の第３の方法は、非常に正確な公差
内で、ダイオードのサイドエッジから既知の距離の所に
レーザストライプの軸があるようにして、ダイオードを
精密に劈開（切断）することを含む。次に、ダイオード
のエッジが互いに特定のオフセット関係にあるように、
ダイオードを取付けて配置する。 【００１７】本発明の１つの利点は、印刷の質の向上で
ある。レーザダイオードを正確にサジタル方向に離間さ
せることは、隣接する走査線が、高い度合の公差内にあ
ることを保証する。この正確なサジタル方向の離間によ
り、人間の肉眼でも見える、走査線の離間に関するあら
ゆる欠点がなくなる。 【００１８】本発明の参考となる発明によれば、サブマ
ウントと複数のレーザダイオードとを含むレーザダイオ
ードアレイであって、前記サブマウントが、少なくとも
１対の段同士が正確に離間されるようにして形成された
複数の段を有し、前記複数のレーザダイオードが前記段
上に取り付けられる。 【００１９】本発明の参考となる発明によれば、サブマ
ウントと複数のレーザダイオードとを含むレーザダイオ
ードアレイであって、各前記ダイオードが、検知可能な
特徴を有し、前記ダイオードが、少なくとも１対のレー
ザダイオードの検知可能な特徴同士間に正確な離間が行
われるように前記サブマウント上に搭載され、１つの前
記ダイオードの検知可能な特徴がレーザストライプであ
る。 【００２０】 【実施例】図１は、レーザダイオードアレイの１つの実
施例を示す。このアレイ１０は、サブマウント１４と、
サブマウント１４に連結されるレーザダイオード１２ａ
及び１２ｂとを含む。さらにサブマウント１４は、基部
１６と、レーザダイオードが連結されるバー１８とを含
む。ダイオード１２ａ及び１２ｂは、ｐ側を下にして
（即ちそれらのレーザストライプが取付け面に隣接する
ようにして）バー１８に取り付けられる。光ビーム２０
ａ及び２０ｂはそれぞれ、ダイオード１２ａ及び１２ｂ
のレーザストライプから発射するように図示される。図
１で示す構造は、アレイ構造の１つのタイプを示すに過
ぎず、本発明の方法は、ここで示す実施例に限定される
べきではないことが理解されよう。実際、本発明の方法
は、ダイオードがあらゆるサブマウント構造上に正確に
取り付けられるあらゆるアレイ構造に対して有効であ
る。 【００２１】本発明の第１の方法を、図２に関して述べ
る。図２は、図１で示した構造の正面図であり、それは
ダイオードにおいて適切なサジタル方向のオフセットを
有している。この構造体を形成するプロセスの第１ステ
ップは、第１のダイオード、即ち１２ａを、ｐ側を下に
してバーに配置し、はんだ又はその他の方法でバーに固
着することである。個々のダイオードのサイズが極めて
小さいために、ダイオードを吸引コレットの助力により
所定位置に保持することが可能である。顕微鏡、マイク
ロメータ、又は同様のイメージスコープを用いて、レー
ザストライプ３０ａの軸を位置決めし、スコープの十字
線（又は同様の位置決めマーク）でその位置を示す。次
に十字線を、サジタル平面において、或る望ましいオフ
セット３４だけ相対的に変位させる。この相対的変位
は、固定されたダイオードに対して十字線を動かすか、
又は固定された十字線に対してわずかにダイオードを移
動させるかのどちらかにより行われることが可能であ
る。次に第２のダイオード１２ｂを所定位置に置き、そ
のレーザストライプの軸を十字線に整合させる。こうし
てダイオード１２ｂが所定位置に保持されると、ダイオ
ードをバー１８に固定させる。距離３４は、２つのダイ
オードの最終的且つ望ましいサジタル方向のオフセット
を示す。距離３２は、最終的な接線方向のオフセットを
示す。 【００２２】距離３２は接線方向のオフセットとして、
そして距離３４はサジタル方向のオフセットとして示さ
れるが、どちらの距離（又はこのような距離の成分）
も、光学的な軸線の回りでサブマウントを回転させるだ
けで、接平面又はサジタル平面おいてオフセットを生じ
る距離のどちらにもなり得るということが理解されるべ
きである。本発明を説明する目的で、距離３２が接平面
におけるオフセットを規定し、距離３４がサジタル平面
におけるオフセットを規定するようにして、図面で示す
構造を整合（位置合わせ）させることを前提とする。 【００２３】第１の方法は、ダイオードの正面図におい
てダイオードのレーザストライプが見えることを前提と
するということが理解されよう。しかしながら、レーザ
ストライプが正面から正確に見えない場合には、本発明
の第２の方法を使用することが可能である。図３は、レ
ーザストライプから正確な距離を置いた所でダイオード
の表面にエッチングされた溝４０ａ及び４０ｂを有する
アレイ構造を示す。これらの溝は、レーザストライプか
ら正確に離間された、目で見ることの可能な位置決めマ
ークとしての働きを有する。レーザストライプから既知
の距離を置いて溝をエッチングすることは、半導体処理
の方法において当業者には良く知られていることであ
る。更にこの距離を、現在の光蝕刻法の公差内で正確に
維持することができるということが理解されよう。別の
具体例では、エッチングされた溝の代わりとなるマーク
を位置決めマークとして刻むことも可能である。 【００２４】図３におけるサジタル方向のオフセットを
生成する第２の方法は、第１の方法に類似する−第１の
ダイオードを配置し、レーザストライプの軸の代わりと
なるエッチングされた溝からオフセットを決定すること
が唯一の違いである。エッチングされた溝は一般的には
正面端から見つける（スポットする）ことが一層容易で
あるので、第１の方法よりも適用が容易であるはずであ
る。 【００２５】第３の方法により生じる構造を図４で示
す。図４では、ダイオードのサイドエッジ５０ａ及び５
０ｂにより規定される距離３４だけ距離をとった望まし
いサジタル方向のオフセットでダイオードを設置する。
サジタル方向のオフセットを正確にするために、レーザ
ストライプの軸とサイドエッジとの間の距離が正確でな
ければならない。レーザストライプとサイドエッジとの
間の正確な距離を有するレーザダイオードを作成する方
法を、図５の（Ａ）〜（Ｅ）において示す。 【００２６】図５の（Ａ）は、良く知られた半導体製造
技術により構成されるレーザストライプ６２のウェーハ
６０を示す。各ストライプは、仕上がったレーザダイオ
ードにおけるレーザキャビティの方向を規定する軸を有
する。図５の（Ｂ）で示す第１のステップは、ストライ
プの軸に顕微鏡の十字線を整合させ、或る望ましい距離
６６（この好適実施例では約５μｍ）のオフセットへ刻
み目をつける道具を移動させることである。刻み目をつ
ける道具を所定位置に置いて、基板のエッジ又はストラ
イプに沿った或るその他の位置に、短い刻み目マークを
付ける。初期マーク付けがなされると、マークにかかる
わずかな圧力により、原子的許容内で、レーザストライ
プ６２の軸に平行する正確な距離６６を維持する劈開６
４（後にバーのエッジとなる）が結晶質基板において生
じる。この劈開ステップが、基板上の多くのストライプ
に対して繰り返され、図５の（Ｃ）で示すようないくつ
かのバーが生じる。このように近接した状態では、初期
刻み目マークがストライプを損傷する可能性があるが、
劈開が、平行な原子面の非常に狭い範囲に限られるの
で、劈開はストライプを損傷しない。従って、レイジン
グ（レーザ発射）ストライプに対する損傷の可能性は、
初期刻み目の近辺に限られる。 【００２７】図５の（Ｃ）のバーを得たら、図５の
（Ｄ）で示すような個々のレーザダイオードを生成する
ために、また別のセットの劈開が作られる。バーのエッ
ジ６５において、正確に制御された刻みをつける道具
が、レーザダイオードキャビティに対する望ましい長さ
に位置合わせされて、刻み目マークを付ける。先に述べ
たように、この刻み目マークにかかるわずかな圧力が、
望ましいレーザキャビティの長さとなる劈開６８を生じ
る。この劈開ステップは、図５の（Ｅ）で示す個々のレ
ーザダイオード７０のセットを生じるために必要な回数
実行される。エッジ６４とストライプ６２の軸との間の
距離６６が、図４で示す最終的なアレイ構造を形成する
ために必要な正確な公差範囲内にあるようにダイオード
７０が構成されるということが理解されよう。 【００２８】劈開を行うことは当分野で良く知られてい
るが、レーザダイオードを劈開する通常の方法は、まず
レーザキャビティの長さを規定するためにレーザストラ
イプを横方向に横切るように劈開を生じ、次にレーザス
トライプに平行な方向に劈開を生じるというものであ
る。最初にレーザキャビティの長さを劈開する理由は２
つある；１つは、一般にこの劈開により、非常に平坦な
ファセットミラーが残ること、そして２つめは、この第
１の劈開により、結果として生じたバーに沿っていくつ
かのファセットミラーが露呈されることであり、よっ
て、ファセットミラーのコーティングが、全体のバーに
沿って大量に生成され得る。 【００２９】上述の方法の全ては、レーザダイオードの
ペアを正確に離間するために、何らかの形状の可視特徴
を用いるということが理解されるであろう。このような
可視特徴は、レーザストライプ、エッチングされた溝、
刻み目マーク、正確に劈開されたエッジ等を含む。さら
に、その他の様々な可視マークが当業者には明らかであ
るとともに、本発明はここに挙げた特徴に限定されない
ということが理解されよう。加えて、必ずしも目に見え
るものとは限らないその他の検知可能な特徴を用いる方
法もまた、当業者には容易に明らかであろう。例えば、
目に見えるということ以外の手段により正確に位置決め
されることの可能な局所化可能な特徴（例えば、電界、
磁界、放射性放出、又はその他のタイプの効果）を有す
る種々の染め付けや故意に生じた汚れ目も、使用可能で
ある。 【００３０】ビームを密接的に離間する別のレーザアレ
イ構造を図６で示す。図６は別法のレーザアレイ構造８
０の側面図である。構造８０は、サブマウント８２と、
レーザダイオード８４ａ、８６ａ、８８ａとを含み、レ
ーザダイオード８４ａ、８６ａ、８８ａはそれぞれ、レ
ーザストライプ８４ｂ、８６ｂ、８８ｂを有する。距離
９０、９２、９４は、図６におけるレーザダイオードの
対になり得る全てのペアのオフセットを規定する。構造
８０はさらに、機械、又はデポジション（付着）、エッ
チング、光蝕刻法等の半導体製造技術により作成され正
確に離間された高さを違える様々な段を有するサブマウ
ント８２を含む。個々のレーザダイオードは、このよう
な段上に取り付けられるか、又は周知の製造技術によっ
て一体的に形成されてもよい。 【００３１】本発明の原理に従うさらに別の実施例を図
７で示す。図７のアレイ１００は基板１０２を含み、基
板１０２は、正確な離間距離１０６をとってエッチング
された溝１０４ａ及び１０４ｂを有する。正確なエッチ
ングは、現在の光蝕刻（フォトリソグラフィック）技術
によって実行されることが可能であることが理解されよ
う。基板の頂部には、エッチングされた溝にそれぞれの
エッジを整合させて、ダイオード１０８ａ及び１０８ｂ
を搭載する。レーザダイオード１０８ａ及び１０８ｂ
は、整合された各エッジとストライプ１０９ａ及び１０
９ｂのそれぞれの軸との間の距離１１０ａ及び１１０ｂ
が正確な距離をとるようになされている。このように正
確に距離をとることは、図５を用いて説明したような劈
開法により達成されることが可能である。距離１０６及
び距離１１０ａ及び１１０ｂが正確に離間されるので、
２つの各ストライプの軸同士間の距離１１２が正確に離
間される。 【００３２】本発明のさらに別の実施例を図８で示す。
レーザアレイ構造１２０は、サブマウント基部１２２
と、レーザストライプ１２６ａ及び１２６ｂをそれぞれ
が有するレーザダイオード１２４ａ及び１２４ｂと、を
含む。構造１２０は、先に説明した構成方法のいずれか
を用いて構成され得る。例えば、構造１２０は、第１の
ダイオードをサブマウント上に搭載し、次に第２のダイ
オードのレーザストライプの軸を、正確に離間された位
置に（適切なスコープ等を用いて）整合させることによ
って、構成されることが可能である。別法としては、ノ
ッチ（切り目）１２８ａ及び１２８ｂを（エッチングす
るか刻み目を入れるかして）形成し、レーザストライプ
１２６ａ及び１２６ｂのそれぞれの軸からノッチを正確
に離間させることが可能である。次にダイオードを、レ
ーザストライプの軸の代わりに直接的にノッチを基準に
して取り付けることが可能である。最後に、ダイオード
１２４ａ及び１２４ｂは、距離１３０ａ及び１３０ｂを
正確に離間させるようにして劈開されることができる。
ダイオードの取付けは、その場合には、ストライプの軸
の代わりに、劈開されたエッジを基準にして実行される
ことができる。図８におけるオフセットは、サブマウン
ト基部表面上で正確に離間されて作り出されることが理
解されよう。対照的に、図２〜図４でのオフセットは、
基部１６の表面から外方向に正確に離間されて作り出さ
れる。 【００３３】本文で好適とする実施例と図面は、２つ又
は３つのレーザダイオードのみを含むアレイを示すもの
であるが、本発明の方法は、任意の数のレーザダイオー
ドのアレイを生成するように適切に使用されることが可
能であるということが理解されよう。図９は、本発明の
原理に従って製造された２つ以上のレーザダイオードを
有するアレイを示す、さらに別の実施例である。アレイ
中のあらゆる２つのレーザストライプ同士間のオフセッ
トは、先に述べた技術を用いて正確に離間される。例え
ば、オフセット１４０ａ、１４０ｂ、及び１４０ｃは、
正確に離間されたものである。 【００３４】要約すれば、密接的に離間されたビーム有
するレーザダイオードのアレイを、本発明の原理に従っ
て示した。既知のサジタル方向オフセットを有するレー
ザダイオードアレイを作成する方法について説明した。
１つのエッジとレーザストライプの軸との間に正確な距
離を有するレーザダイオードを生成する別の方法につい
ても述べた。 【００３５】 【発明の効果】本発明では、サジタル軸に沿うレーザダ
イオードビームの離間を制御するための幾つかの方法が
提供される。 【００３６】本発明では、印刷の質が向上する。また、
レーザダイオードを正確にサジタル方向に離間させるこ
とにより、隣接する走査線が、高い度合の公差内にある
ことが保証される。この正確なサジタル方向の離間によ
り、人間の肉眼でも見える、走査線の離間に関するあら
ゆる欠点がなくなる。

【図面の簡単な説明】 【図１】ここで好適であるとするサブマウントを用いる
レーザダイオードアレイの１つの実施例の斜視図であ
る。 【図２】ダイオードのレーザストライプ同士間の望まし
いサジタル方向オフセットを有するアレイ構造の正面図
であり、第１の方法のステップによりサジタル方向オフ
セットを生成された構造である。 【図３】第２の方法により得られる望ましいサジタル方
向オフセットを有するアレイ構造の正面図である。 【図４】第３の方法によって得られる望ましいサジタル
方向オフセットを有するアレイ構造の正面図である。 【図５】（Ａ）〜（Ｅ）は、ダイオードのレーザストラ
イプをダイオードのサイドエッジから非常に正確に離間
させるようにレーザダイオードのウェーハを処理するス
テップを示す。 【図６】本発明の原理に従って作成された別法のレーザ
ダイオード構造の正面図であり、その構造は基部の中に
形成され正確に離間された段を有しており、レーザダイ
オードが、このような正確に離間された段上に取り付け
られている。 【図７】本発明の別の実施例を示す。基部表面上及びレ
ーザダイオード上に可視特徴を用いることによって、サ
ブマウント基部の表面の方向でレーザストライプ同士間
の正確な離間が維持される。 【図８】本発明のさらに別の実施例である。レーザダイ
オード上の可視特徴の使用により、レーザストライプ同
士間の正確な離間が、サブマウント基部の表面方向で維
持される。 【図９】本発明のさらに別の実施例である。この図で示
すアレイは２つ以上のダイオードを有しており、レーザ
ダイオードのあらゆるペアが本発明の原理に従って正確
に離間されている。 【符号の説明】 １２ａ、１２ｂ レーザダイオード ２０ａ、２０ｂ 光ビーム １４ サブマウント １６ 基部 １８ バー ３０ａ、３０ｂ レーザダイオード ６０ ウェーハ ６２ レーザストライプ ６４、６８ 劈開 ７０ ダイオード

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ローズ エム．ドナルドソン アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95051 サンタ クララ テルステナ プ レイス 3715 ナンバー 109 (72)発明者 ハーラン エフ．チュング アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94552 カストロ ヴァレー コロンビア ドライヴ 16848 (72)発明者 ウィリアム ジェイ．モスビー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95129 サンノゼ バックソーン 1403 (72)発明者 エヴァ イー．タッガート アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95070 サラトガ ウッドサイド ドライ ヴ 12307 (72)発明者 トーマス エル．パオリ アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94022 ロス アルトス サイプレス ド ライヴ 420 Ｆターム(参考） 5F073 AB05 BA07 DA32 DA34 FA23

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 第１のサイドエッジと、第１のサイドエ
   ッジの反対側の第２のサイドエッジと、レーザストライ
   プと、を有するレーザダイオードを、前記第１のサイド
   エッジと前記レーザストライプの軸との間の距離が正確
   に離間されるように、複数のレーザストライプを有する
   半導体材料のウェーハから生成する方法であって、 Ａ）第１レーザストライプの前記軸から正確な距離を置
   いた所に第１の刻みマークをつけるステップと、 Ｂ）前記第１レーザストライプの前記軸に平行に、第１
   のサイドエッジを劈開するステップと、 Ｃ）あらゆる望ましい数のレーザストライプに対して上
   記Ａ及びＢのステップを繰り返すステップと、 Ｄ）ステップＣの結果生じたあらゆるバーに対して、第
   ２のサイドエッジ上で正確に距離を置いた位置に第２の
   刻みマークをつけるステップと、 Ｅ）１つのレーザダイオードを生成するために、前記第
   ２の刻みマーク部分でバーを劈開するステップと、 Ｆ）前記バーからあらゆる望ましい数のレーザダイオー
   ドを生成するために、ステップＤ及びＥを繰り返すステ
   ップと、 を含むレーザダイオード生成方法。