JPS61174791A - 半導体レ−ザダイオ−ド装置 - Google Patents
半導体レ−ザダイオ−ド装置Info
- Publication number
- JPS61174791A JPS61174791A JP1435985A JP1435985A JPS61174791A JP S61174791 A JPS61174791 A JP S61174791A JP 1435985 A JP1435985 A JP 1435985A JP 1435985 A JP1435985 A JP 1435985A JP S61174791 A JPS61174791 A JP S61174791A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- active layer
- semiconductor laser
- laser chip
- recognizing parts
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、レーザチップのマウントに対する位置合わ
せを容易にすることができるようにした半導体レーザダ
イオード装置に関するもの。
せを容易にすることができるようにした半導体レーザダ
イオード装置に関するもの。
（従来の技術）
半導体レーザは第３図に示すように、半導体レーザチッ
プ２をサブマウント１に搭載し、半導体レーザチップｌ
の端面の活性層４よ抄レーザ光３を発光させる構造とな
っており、光通信、コンパクトディスク、レーザプリン
タなどの光源として使用されろ。
プ２をサブマウント１に搭載し、半導体レーザチップｌ
の端面の活性層４よ抄レーザ光３を発光させる構造とな
っており、光通信、コンパクトディスク、レーザプリン
タなどの光源として使用されろ。
ところで、光ファイバのコア径は数μｍ〜数１０μｍで
あり光軸が数μ異なればレーザ光の結合効率は非常に低
くなる。
あり光軸が数μ異なればレーザ光の結合効率は非常に低
くなる。
また、コンパクトディスクなどのビットの大きさおよび
ピッチは１〜２μｍである。以上のような観点より、レ
ーザ光の出射方向すなわち半導体レーザチップ２の取付
精度は高精度が要求される。
ピッチは１〜２μｍである。以上のような観点より、レ
ーザ光の出射方向すなわち半導体レーザチップ２の取付
精度は高精度が要求される。
上記サブマウント１はダイヤモンド、シリコン。
ベリリアなど、熱放散に好適な素材で形成され、その大
きさは横幅０．５〜１閣、奥行０．５〜１ ｎｒｍ 。
きさは横幅０．５〜１閣、奥行０．５〜１ ｎｒｍ 。
高さ０．５ｍｍ程度である。
また、半導体レーザチップ２は横幅３５０μ、奥行２５
０μ、高さ１５０μ程度であり、活性層４の横幅は１．
５μ、厚さは０．１５μである。この活性層４の端部よ
り出射されるレーザ光３は横方向に半値幅で３０°、高
さ方向に半値幅で４０”程度床がる。
０μ、高さ１５０μ程度であり、活性層４の横幅は１．
５μ、厚さは０．１５μである。この活性層４の端部よ
り出射されるレーザ光３は横方向に半値幅で３０°、高
さ方向に半値幅で４０”程度床がる。
従来の半導体レーザチップ２をマウントする場合は、第
４図に示すように、マウント５に予めけがき線６を設け
ておき、とのけがき線６を半導体レーザチップ２の中心
が位置するようにサブマウント１をＡｕ Ｇｅ半田に
よりボンディングする。
４図に示すように、マウント５に予めけがき線６を設け
ておき、とのけがき線６を半導体レーザチップ２の中心
が位置するようにサブマウント１をＡｕ Ｇｅ半田に
よりボンディングする。
さらに、けがき線６が活性層４（第３図）に対して垂直
にかつ半導体レーザチップ２をけがき線６と半導体レー
ザチップ２の端がカウント１の端に平行になるように頚
ｍ鏡をのぞきながら見視て位置合わせしていた。
にかつ半導体レーザチップ２をけがき線６と半導体レー
ザチップ２の端がカウント１の端に平行になるように頚
ｍ鏡をのぞきながら見視て位置合わせしていた。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、活性層４は肉眼では見えないなめ、半導
体レーザチップ２の中心部が活性層であるとの想定のも
とに位置合わせを行うため、不正確な作業にならざるを
得ない。
体レーザチップ２の中心部が活性層であるとの想定のも
とに位置合わせを行うため、不正確な作業にならざるを
得ない。
しかし、このように半導体レーザチップ２の臂開時の誤
差すなわち半導体レーザチップ２の中心位置と活性層４
の位置のずれがあり、半導体レーザチップ２を精度よく
取付けても、出射位置の精度は低いという欠点があった
。
差すなわち半導体レーザチップ２の中心位置と活性層４
の位置のずれがあり、半導体レーザチップ２を精度よく
取付けても、出射位置の精度は低いという欠点があった
。
この発明は、前記従来技術がもっている問題点のうち、
半導体レーザチップの中心位置と活性層の位置ずれおよ
び出射位置の精度の低い点につぃて解決した半導体レー
ザダイオード装置を提供するものである。
半導体レーザチップの中心位置と活性層の位置ずれおよ
び出射位置の精度の低い点につぃて解決した半導体レー
ザダイオード装置を提供するものである。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、半導体レーザダイオード装置において、半
導体レーザチップの表面に活性層位置を示す認識部を設
けたものである。
導体レーザチップの表面に活性層位置を示す認識部を設
けたものである。
（作 用）
この発明によれば、以上のように半導体レーザダイオー
ド装置を構成したので、認識部をマーカとして半導体レ
ーザチップをサブマウントにマウントし、したがって、
前記問題点を除去できる。
ド装置を構成したので、認識部をマーカとして半導体レ
ーザチップをサブマウントにマウントし、したがって、
前記問題点を除去できる。
（実施例）
以下、この発明の半導体レーザダイオード装置の実施例
について図面に基づき説明する。第１図はその一実施例
の斜視図であり、第３図および第４図と同一部分には同
一符号を付して説明する。
について図面に基づき説明する。第１図はその一実施例
の斜視図であり、第３図および第４図と同一部分には同
一符号を付して説明する。
この第１図に示すように、半導体レーザチップ２におい
ては、その中心部にＹ方向にＩｎＧａＡｓＰよりなる活
性層４が設けられ、半導体レーザチップ２の端面よりレ
ーザ光を発光する。
ては、その中心部にＹ方向にＩｎＧａＡｓＰよりなる活
性層４が設けられ、半導体レーザチップ２の端面よりレ
ーザ光を発光する。
半導体レーザチップ２の活性層４は上下をｐ型ＩｎＰお
よびｎ型！ｎＰよりなるクラッド層１５．１６で挾まれ
、左右をｎ型１ｎＰよりなる電流ブロック眉７およびｐ
型ＩｎＰよりなる光閉じ込め層８で挾まれている。また
、クラッド層１６の下部には電極１２が取り付けられて
おり、クラッド層１５の上部にはバッファ層９、ｐ−Ｉ
ｎＰ基板１０を介して電極１１が取り付けられている。
よびｎ型！ｎＰよりなるクラッド層１５．１６で挾まれ
、左右をｎ型１ｎＰよりなる電流ブロック眉７およびｐ
型ＩｎＰよりなる光閉じ込め層８で挾まれている。また
、クラッド層１６の下部には電極１２が取り付けられて
おり、クラッド層１５の上部にはバッファ層９、ｐ−Ｉ
ｎＰ基板１０を介して電極１１が取り付けられている。
この電極１１の表面には、活性層４の位置を示す数点の
凹部の認識部１３を設け、これをマーカとして半導体レ
ーザチップ２をサブマウント１に搭載する。
凹部の認識部１３を設け、これをマーカとして半導体レ
ーザチップ２をサブマウント１に搭載する。
次に、この認識部１３の形成方法について説明する。ウ
ェハ段階でウェハ全面に入Ｕを主成分とする電極を蒸着
して、半導体レーザチップのウェハ加工を完了する。
ェハ段階でウェハ全面に入Ｕを主成分とする電極を蒸着
して、半導体レーザチップのウェハ加工を完了する。
次いで、半導体レーザチップのウェハの活性層のある面
の反対面にフォトレジスタを塗布する。
の反対面にフォトレジスタを塗布する。
次に、両面マスクアナライザにより、下面より観察でき
る活性層を基準として認識部１３となる凹部のパターン
を上面にマスク合わせする。この凹部のパターンを露光
により、フォトレジストに焼き付ける。
る活性層を基準として認識部１３となる凹部のパターン
を上面にマスク合わせする。この凹部のパターンを露光
により、フォトレジストに焼き付ける。
次に、フォトレジスタを現象し、ヨウ素系の液体のエッ
チャントにより、半導体レーザチップのウェハの活性層
の反対面をエツチングする。
チャントにより、半導体レーザチップのウェハの活性層
の反対面をエツチングする。
なお、認識部としての凹部の寸法の一例として、縦２μ
〜１０μ、槽２μ、深さ５μ程度がマウント時の作業性
より好ましい。
〜１０μ、槽２μ、深さ５μ程度がマウント時の作業性
より好ましい。
以上の手順により、活性層の反対面に活性層上に正確に
凹部を形成することができる。
凹部を形成することができる。
次に、半導体レーザチップ２のマウントの手順について
説明する。まず、ウェハをｑ開して、半導体レーザチッ
プ２にする。
説明する。まず、ウェハをｑ開して、半導体レーザチッ
プ２にする。
次に、第２図に示すように、サブマウント１をマウント
２０にボンディングする。次に、サブマウント１上に半
導体レーザチップ２をボンディングする。
２０にボンディングする。次に、サブマウント１上に半
導体レーザチップ２をボンディングする。
この際、マウント２０には、従来のけがさｓ２１に加え
て、マウント２０の上面にもげかき綿２２をあらかじめ
設けておく。
て、マウント２０の上面にもげかき綿２２をあらかじめ
設けておく。
一方、顕微鏡は斜視することのできる１０〜２０倍のも
のを用い、けがき線２２に対して、認識部１３としての
凹部が真上にくるようにし、かっけがき線２１が認識部
としての凹部を結ぶ直線に対して、垂直になるように位
置合わせしてボンディングする。
のを用い、けがき線２２に対して、認識部１３としての
凹部が真上にくるようにし、かっけがき線２１が認識部
としての凹部を結ぶ直線に対して、垂直になるように位
置合わせしてボンディングする。
このようにマウントすることにより、組立精度をＸ、Ｙ
方向１μｍ以内、θ方向を１度以内の高精度化すること
が可能となる。
方向１μｍ以内、θ方向を１度以内の高精度化すること
が可能となる。
また、明開時のずれなどにより、活性層位置がチップ中
心からずれても常に活性層位置を基準に組立をするため
、安定した位置精度が期待できる。
心からずれても常に活性層位置を基準に組立をするため
、安定した位置精度が期待できる。
なお、認識部１３は凹部だけでなく、凸部にしてもよい
“。
“。
（発明の効果）
以上詳細に説明したように、この発明によれば、半導体
レーザチップの活性層のある反対面の表面に活性層の位
置を示す認識部を少なくと８１個以上設けるようにした
ので、半導体レーザチップの中心位置と活性層の位置ず
れをなくすることができる。
レーザチップの活性層のある反対面の表面に活性層の位
置を示す認識部を少なくと８１個以上設けるようにした
ので、半導体レーザチップの中心位置と活性層の位置ず
れをなくすることができる。
また、臂開時のずれなどにより活性層位置がチップ中心
からずれても、常に活性層位置を基準に組立をすること
ができ、安定した位置精度が得られる。
からずれても、常に活性層位置を基準に組立をすること
ができ、安定した位置精度が得られる。
第１図はこの発明の半導体レーザダイオード装置の一実
施例の斜視図、第２図は同上半導体レーザダイオードの
マウント手順を説明するための斜視図、第３図は従来の
半導体レーザチップをサブマウントに取り付けた状態を
示す斜視図、第４図ハ従来の半導体レーザチップをマウ
ントにマウントする手順を説明するための斜視図である
。 １・・・サブマウント、２・・・半導体レーザチップ、
３・・・レーザ光、４・・・活性層、７・・・電流ブロ
ック層、８・・光閉じ込め層、９・・・バッファ層、１
０・・ｐ −ＩｎＰ基板、１１，１２−・・電極、１３
・・認識部、１５．１６−１．フラット°層、２ｏ・・
・マウント、２１・２２・・けがき線。 第１図 １：サブマウント ２：そ導イ本レしサ”手り７゛ ４ニア占・１呟１ ７：電１．え７”ロック１ ８：尤閉じ坏３を層 ９：バ・ノ７アＡ１ ｔｏ： Ｐ−１ｎＰ 基板 ＩＩ、１２：電↑± １３：＊、こ言舌（ま戸 １５．１６：クテノ帽 第２図 第３図 第４図
施例の斜視図、第２図は同上半導体レーザダイオードの
マウント手順を説明するための斜視図、第３図は従来の
半導体レーザチップをサブマウントに取り付けた状態を
示す斜視図、第４図ハ従来の半導体レーザチップをマウ
ントにマウントする手順を説明するための斜視図である
。 １・・・サブマウント、２・・・半導体レーザチップ、
３・・・レーザ光、４・・・活性層、７・・・電流ブロ
ック層、８・・光閉じ込め層、９・・・バッファ層、１
０・・ｐ −ＩｎＰ基板、１１，１２−・・電極、１３
・・認識部、１５．１６−１．フラット°層、２ｏ・・
・マウント、２１・２２・・けがき線。 第１図 １：サブマウント ２：そ導イ本レしサ”手り７゛ ４ニア占・１呟１ ７：電１．え７”ロック１ ８：尤閉じ坏３を層 ９：バ・ノ７アＡ１ ｔｏ： Ｐ−１ｎＰ 基板 ＩＩ、１２：電↑± １３：＊、こ言舌（ま戸 １５．１６：クテノ帽 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 半導体レーザチップの活性層のある反対面の表面に活性
層の位置を示す認識部を少なくとも一つ以上設けたこと
を特徴とする半導体レーザダイオード装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1435985A JPS61174791A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レ−ザダイオ−ド装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1435985A JPS61174791A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レ−ザダイオ−ド装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61174791A true JPS61174791A (ja) | 1986-08-06 |
Family
ID=11858869
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1435985A Pending JPS61174791A (ja) | 1985-01-30 | 1985-01-30 | 半導体レ−ザダイオ−ド装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61174791A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154583A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マルチビーム半導体レーザ |
| JP2003218471A (ja) * | 1993-11-22 | 2003-07-31 | Xerox Corp | レーザダイオード生成方法 |
| US7821880B2 (en) | 2007-08-28 | 2010-10-26 | Tdk Corporation | Semiconductor laser device structure, thermally assisted magnetic head, and method of manufacturing same |
| US8274867B2 (en) | 2010-03-31 | 2012-09-25 | Tdk Corporation | Method for aligning the light source unit and the slider of thermally-assisted magnetic recording head |
| US8424191B2 (en) | 2009-12-28 | 2013-04-23 | Tdk Corporation | Method for manufacturing thermally-assisted magnetic recording head by semi-active alignment |
-
1985
- 1985-01-30 JP JP1435985A patent/JPS61174791A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01154583A (ja) * | 1987-12-11 | 1989-06-16 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | マルチビーム半導体レーザ |
| JP2003218471A (ja) * | 1993-11-22 | 2003-07-31 | Xerox Corp | レーザダイオード生成方法 |
| JP2004274085A (ja) * | 1993-11-22 | 2004-09-30 | Xerox Corp | レーザダイオードアレイ |
| US7821880B2 (en) | 2007-08-28 | 2010-10-26 | Tdk Corporation | Semiconductor laser device structure, thermally assisted magnetic head, and method of manufacturing same |
| US8424191B2 (en) | 2009-12-28 | 2013-04-23 | Tdk Corporation | Method for manufacturing thermally-assisted magnetic recording head by semi-active alignment |
| US8274867B2 (en) | 2010-03-31 | 2012-09-25 | Tdk Corporation | Method for aligning the light source unit and the slider of thermally-assisted magnetic recording head |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2100115C (en) | Method for producing a semiconductor light emitting device | |
| JPH06334274A (ja) | 多ダイオード・レーザー・アレイ | |
| JPH09218325A (ja) | 半導体レーザモジュール | |
| JPS61174791A (ja) | 半導体レ−ザダイオ−ド装置 | |
| US5297218A (en) | Optical semiconductor laser and optical waveguide alignment device | |
| US7083994B2 (en) | Method of manufacturing a semiconductor device with outline of cleave marking regions and alignment or registration features | |
| JP3324553B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び位置合わせ方法 | |
| US5930429A (en) | Micro-photonics module integrated on a single substrate | |
| JPS63164386A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2002014258A (ja) | 光半導体素子キャリア及びそれを備えた光アセンブリ | |
| JP2829979B2 (ja) | 光接続回路の実装方法 | |
| JPH06160676A (ja) | 半導体レーザモジュールの製造方法 | |
| KR100353607B1 (ko) | 브이홈기판상에광소자를서로정렬하기위한방법 | |
| JPH1187840A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPH0339706A (ja) | 光モジュール | |
| JPS61272987A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP2023169670A (ja) | 光半導体装置 | |
| WO2024166984A1 (ja) | 光モジュールおよび光モジュールの製造方法 | |
| JPH11238936A (ja) | 半導体レーザ素子とその実装方法 | |
| JP3467151B2 (ja) | 光モジュール | |
| JPS6242109A (ja) | 光半導体素子と光フアイバの結合器 | |
| JP2513198B2 (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH0669108B2 (ja) | 半導体レ−ザおよびその製造方法 | |
| JPH08264883A (ja) | 半導体レーザ・モジュールとその製造方法 | |
| JPS63172482A (ja) | 光集積化素子 |