JP2513198B2 - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JP2513198B2 JP2513198B2 JP61283504A JP28350486A JP2513198B2 JP 2513198 B2 JP2513198 B2 JP 2513198B2 JP 61283504 A JP61283504 A JP 61283504A JP 28350486 A JP28350486 A JP 28350486A JP 2513198 B2 JP2513198 B2 JP 2513198B2
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- laser device
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- stripe electrode
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体レーザ装置に係り、特に半導体レーザ
素子の基板への取付けに関する。
素子の基板への取付けに関する。
本発明は活性層の発光点に対応した位置のキャップ層
上にテーパ状ストライプ電極を備えた半導体レーザ素子
を基板上に配設した半導体レーザ装置に於いて、基板上
に半導体レーザ素子の取付位置を定めるマーカを付して
成り、半導体レーザ素子のテーパ状ストライプ電極の形
成された面と反対側の面が基板に接触するようにして、
マーカとテーパ状ストライプ電極とが位置合わせして配
置されて成ることで半導体レーザ素子の発光点位置を正
確に位置決め出来る様に成したものである。
上にテーパ状ストライプ電極を備えた半導体レーザ素子
を基板上に配設した半導体レーザ装置に於いて、基板上
に半導体レーザ素子の取付位置を定めるマーカを付して
成り、半導体レーザ素子のテーパ状ストライプ電極の形
成された面と反対側の面が基板に接触するようにして、
マーカとテーパ状ストライプ電極とが位置合わせして配
置されて成ることで半導体レーザ素子の発光点位置を正
確に位置決め出来る様に成したものである。
従来の半導体レーザ装置は、第５図に示す如く構成さ
せていた。即ち、第５図でキャップベース（１）にはア
ウタリード（２）を有し、このリード（２）は半導体レ
ーザ素子（３）とPINダイオード等からなる受光素子
（４）への入出力端子となるものである。キャップベー
ス（１）上にはモニタ用の受光素子（４）が配設され、
この受光素子（４）の近傍に半導体レーザ素子（３）を
配設した基板（５）を植立し、半導体レーザ素子（３）
からディスクへ放射するレーザ光とは反対側から放出さ
れるレーザ光をモニタ用の受光素子（４）が受光する。
これら半導体レーザ素子（３）を含む基板（５）と受光
素子（４）はキャップ（６）で覆われ、キャップ（６）
の上面にはウインドガラス（７）が嵌め込まれている。
せていた。即ち、第５図でキャップベース（１）にはア
ウタリード（２）を有し、このリード（２）は半導体レ
ーザ素子（３）とPINダイオード等からなる受光素子
（４）への入出力端子となるものである。キャップベー
ス（１）上にはモニタ用の受光素子（４）が配設され、
この受光素子（４）の近傍に半導体レーザ素子（３）を
配設した基板（５）を植立し、半導体レーザ素子（３）
からディスクへ放射するレーザ光とは反対側から放出さ
れるレーザ光をモニタ用の受光素子（４）が受光する。
これら半導体レーザ素子（３）を含む基板（５）と受光
素子（４）はキャップ（６）で覆われ、キャップ（６）
の上面にはウインドガラス（７）が嵌め込まれている。
基板（５）上に配設する半導体レーザ素子（３）とし
ては種々の構成のものをとり得るが、特に、第６図に示
す如く、レーザ活性領域上のキャップ層（3e）にテーパ
状キャビティを形成してストライプ電極（3g）としたも
のを用いる。即ち、第６図で半導体レーザ素子（３）の
半導体基板（3a）は、例えば、ｎ型のGaAs（ガリウムひ
素）よりなり、この半導体基板（3a）上にクラッド層
（3b）としてｎ型のAlxGa1-xAs（アルミニウム，ガリウ
ムひ素）を、更に、このクラッド層（3b）上に活性層
（3c）としてｐ型のAlyGa1-yAsを形成し、活性層（3c）
上にｐ型のAlxGa1-xAsからなるクラッド層（3d）を積層
し、クラッド層（3d）上にはｐ型のGaAsからなるキャッ
プ層（3e）及び絶縁層（3f）を設けて、このキャップ層
（3e）と絶縁層（3f）にテーパストライプからなるキャ
ビティを形成してストライプ電極（3g）とすることで、
低雑音のマルチモードを維持しつつ、単峰性の遠視野像
が得られる半導体レーザ素子（３）を得ている。
ては種々の構成のものをとり得るが、特に、第６図に示
す如く、レーザ活性領域上のキャップ層（3e）にテーパ
状キャビティを形成してストライプ電極（3g）としたも
のを用いる。即ち、第６図で半導体レーザ素子（３）の
半導体基板（3a）は、例えば、ｎ型のGaAs（ガリウムひ
素）よりなり、この半導体基板（3a）上にクラッド層
（3b）としてｎ型のAlxGa1-xAs（アルミニウム，ガリウ
ムひ素）を、更に、このクラッド層（3b）上に活性層
（3c）としてｐ型のAlyGa1-yAsを形成し、活性層（3c）
上にｐ型のAlxGa1-xAsからなるクラッド層（3d）を積層
し、クラッド層（3d）上にはｐ型のGaAsからなるキャッ
プ層（3e）及び絶縁層（3f）を設けて、このキャップ層
（3e）と絶縁層（3f）にテーパストライプからなるキャ
ビティを形成してストライプ電極（3g）とすることで、
低雑音のマルチモードを維持しつつ、単峰性の遠視野像
が得られる半導体レーザ素子（３）を得ている。
上述の第５図に示す半導体レーザ装置における基板
（５）上の半導体レーザ素子（３）と受光素子（４）と
の相対関係を拡大して示すと、第７図の如くなる。一般
的には半導体レーザ素子（３）を基板（５）上に配置す
る場合には、活性層（3c）からのレーザ発光を考慮し
て、活性層（3c）側の面、即ちテーパ状キャビティのあ
るストライプ電極（3g）側を基板（５）と接する様にし
たアップサイド−ダウン或はジャンクション−ダウン構
造を採っている。
（５）上の半導体レーザ素子（３）と受光素子（４）と
の相対関係を拡大して示すと、第７図の如くなる。一般
的には半導体レーザ素子（３）を基板（５）上に配置す
る場合には、活性層（3c）からのレーザ発光を考慮し
て、活性層（3c）側の面、即ちテーパ状キャビティのあ
るストライプ電極（3g）側を基板（５）と接する様にし
たアップサイド−ダウン或はジャンクション−ダウン構
造を採っている。
この為に半導体レーザ素子（３）の発光点（８）の位
置決めを基板（５）に対して行う場合には300μｍ×250
μｍの寸法を有する半導体レーザ素子（３）の外形を基
準として行なうことになる。この為にキャップ（６）内
に組み込んだ場合の発光点（８）の軸ずれは数10μｍの
誤差を含むことになる。この結果、例えば光ディスク装
置の光学ヘッドにおいて、精密な光学系を設定しても光
源となる半導体レーザ装置の光源位置が不正確となって
全体の精度は上らずに光学系を組み立てた後において
も、レーザ発光点の位置調整を行なわなければならない
欠点があった。
置決めを基板（５）に対して行う場合には300μｍ×250
μｍの寸法を有する半導体レーザ素子（３）の外形を基
準として行なうことになる。この為にキャップ（６）内
に組み込んだ場合の発光点（８）の軸ずれは数10μｍの
誤差を含むことになる。この結果、例えば光ディスク装
置の光学ヘッドにおいて、精密な光学系を設定しても光
源となる半導体レーザ装置の光源位置が不正確となって
全体の精度は上らずに光学系を組み立てた後において
も、レーザ発光点の位置調整を行なわなければならない
欠点があった。
本発明は活性層（3c）の発光点（８）に対応した位置
のキャップ（3e）上にテーパ状ストライプ電極（3g）を
備えた半導体レーザ素子（３）を基板（５）上に配設し
た半導体レーザ装置に於いて、基板（５）上に半導体レ
ーザ素子（３）の取付位置を定めるマーカ（９），（1
0），（14），（15）を付して成り、半導体レーザ素子
（３）のテーパ状ストライプ電極（3g）の形成された面
と反対側の面が基板（５）に接触するようにして、マー
カ（９），（10），（14），（15）とテーパ状ストライ
プ電極（3g）とが位置合わせして配置されて成ることを
特徴とする半導体レーザ装置としたものである。
のキャップ（3e）上にテーパ状ストライプ電極（3g）を
備えた半導体レーザ素子（３）を基板（５）上に配設し
た半導体レーザ装置に於いて、基板（５）上に半導体レ
ーザ素子（３）の取付位置を定めるマーカ（９），（1
0），（14），（15）を付して成り、半導体レーザ素子
（３）のテーパ状ストライプ電極（3g）の形成された面
と反対側の面が基板（５）に接触するようにして、マー
カ（９），（10），（14），（15）とテーパ状ストライ
プ電極（3g）とが位置合わせして配置されて成ることを
特徴とする半導体レーザ装置としたものである。
本発明の半導体レーザ装置は基板に設けたマーカと半
導体レーザ素子のストライプ電極とを位置合せするため
に半導体レーザ素子の発光点位置精度を数μｍ又はそれ
以下のオーダの設定が可能となる。
導体レーザ素子のストライプ電極とを位置合せするため
に半導体レーザ素子の発光点位置精度を数μｍ又はそれ
以下のオーダの設定が可能となる。
以下、本発明による半導体レーザ装置の一実施例を第
１図について説明する。第１図は第７図と同様に半導体
レーザ装置の基板（５）上に配設した半導体レーザ素子
（３）と受光素子（４）とを併設した場合の拡大斜視図
を示すものであり、基板（５）上には半導体レーザ素子
（３）を位置決めするためのマーカ（９），（10）が刻
設又は印刷等で形成されている。モニタ用の受光素子
（４）はディスクへレーザ光を放出する発光点（８）を
有する面とは反対側の基板（５）上に配設される。半導
体レーザ素子（３）は活性層（3c）が形成されている側
の面、即ち、ストライプ電極（3g）を上側にし、半導体
基板（3a）側を基板（５）側に接触させて、配置し、三
つの三角印で示すマーカ（９）の頂点を半導体レーザ素
子（3g）の劈開面（11）の下端線（12）に合せると共
に、三つの三角印の真中のマーカ（９）及び受光素子
（４）側に形成したマーカ（10）がストライプ電極（3
g）のライン上にある様に調整して基板（５）上に固定
させる様になされている。
１図について説明する。第１図は第７図と同様に半導体
レーザ装置の基板（５）上に配設した半導体レーザ素子
（３）と受光素子（４）とを併設した場合の拡大斜視図
を示すものであり、基板（５）上には半導体レーザ素子
（３）を位置決めするためのマーカ（９），（10）が刻
設又は印刷等で形成されている。モニタ用の受光素子
（４）はディスクへレーザ光を放出する発光点（８）を
有する面とは反対側の基板（５）上に配設される。半導
体レーザ素子（３）は活性層（3c）が形成されている側
の面、即ち、ストライプ電極（3g）を上側にし、半導体
基板（3a）側を基板（５）側に接触させて、配置し、三
つの三角印で示すマーカ（９）の頂点を半導体レーザ素
子（3g）の劈開面（11）の下端線（12）に合せると共
に、三つの三角印の真中のマーカ（９）及び受光素子
（４）側に形成したマーカ（10）がストライプ電極（3
g）のライン上にある様に調整して基板（５）上に固定
させる様になされている。
第２図は本発明の半導体レーザ素子の取付けを示す他
の実施例を示すものであり、基板（５）上にはモニタ用
の受光素子（４）が一体に形成され、半導体レーザ素子
（３）からのモニタ用レーザ光を基板平面内で受光する
様になされている。マーカ（９），（10）の配置は第１
図と同様である。
の実施例を示すものであり、基板（５）上にはモニタ用
の受光素子（４）が一体に形成され、半導体レーザ素子
（３）からのモニタ用レーザ光を基板平面内で受光する
様になされている。マーカ（９），（10）の配置は第１
図と同様である。
第３図は本発明の半導体レーザ素子の取付けを示す更
に他の実施例を示すものであり、基板（５）上には第２
図に示すと同様にモニタ用の受光素子（４）とディスク
へ放射したレーザの戻り光を検出するための検出用のPI
Nダイオードの如き受光素子（13）を３分割して２組設
けたもので、半導体レーザ素子（３）を取付ける位置は
基板（５）の略真中で、この位置にマーカ（９），（1
0）が形成され、第１図と同様の位置合せを行なった後
に基板（５）上に半導体レーザ素子（３）が固定され
る。
に他の実施例を示すものであり、基板（５）上には第２
図に示すと同様にモニタ用の受光素子（４）とディスク
へ放射したレーザの戻り光を検出するための検出用のPI
Nダイオードの如き受光素子（13）を３分割して２組設
けたもので、半導体レーザ素子（３）を取付ける位置は
基板（５）の略真中で、この位置にマーカ（９），（1
0）が形成され、第１図と同様の位置合せを行なった後
に基板（５）上に半導体レーザ素子（３）が固定され
る。
上述の各実施例ではマーカ（９），（10）を三角形状
に形成したが、マーキングの他の実施例を第４図A,Bに
示す。第４図A,Bは受光素子（Ａ）の形成された基板
（５）の上に半導体レーザ素子を配設した場合の平面図
であり、第４図Ａの場合は基板（５）の長手方向に線状
のマーカ（14）を三本形成し、真中の線状マーカと半導
体レーザ素子（３）のストライプ電極（3g）のラインが
同一となる様に合せ、三本の上下の線状のマーカ（1
4），（14）間の間隔を例えば半導体レーザ素子（３）
の劈開面（11）の長さL1に等しく取って、半導体レーザ
素子（３）の上下壁を合せる様に固定させている。
に形成したが、マーキングの他の実施例を第４図A,Bに
示す。第４図A,Bは受光素子（Ａ）の形成された基板
（５）の上に半導体レーザ素子を配設した場合の平面図
であり、第４図Ａの場合は基板（５）の長手方向に線状
のマーカ（14）を三本形成し、真中の線状マーカと半導
体レーザ素子（３）のストライプ電極（3g）のラインが
同一となる様に合せ、三本の上下の線状のマーカ（1
4），（14）間の間隔を例えば半導体レーザ素子（３）
の劈開面（11）の長さL1に等しく取って、半導体レーザ
素子（３）の上下壁を合せる様に固定させている。
第４図Ｂに示すものは基板（５）の幅方向に半導体レ
ーザ素子（３）の奥行き方向の長さL2と等しく二本の線
状のマーカ（15）を形成し、発光点を合すための三角形
マーカ（９），（10）を線状のマーカ（15）の中心に設
ける様にしたものである。
ーザ素子（３）の奥行き方向の長さL2と等しく二本の線
状のマーカ（15）を形成し、発光点を合すための三角形
マーカ（９），（10）を線状のマーカ（15）の中心に設
ける様にしたものである。
上述においては、本発明の各実施例を説明したが、本
発明はこれらに限られるものではなく、その他種々の変
形が可能である。
発明はこれらに限られるものではなく、その他種々の変
形が可能である。
本発明は叙上の様に構成させたので、従来の半導体レ
ーザ素子（３）の発光点（８）位置を基板（５）の所定
位置に合せるための取付精度が10μｍであったものが、
ストライプ電極（3g）位置は活性層（3c）の発光点
（８）の真上にある関係から、数μｍ又はそれ以下の取
付精度で半導体レーザ素子（３）を基板（５）に取付け
ることが出来た。更にレーザ出射光の方向を0.1度のオ
ーダで設定可能となり、精密な光学系との組合せで組立
後の調整が不要な光学ッドが構成可能である。
ーザ素子（３）の発光点（８）位置を基板（５）の所定
位置に合せるための取付精度が10μｍであったものが、
ストライプ電極（3g）位置は活性層（3c）の発光点
（８）の真上にある関係から、数μｍ又はそれ以下の取
付精度で半導体レーザ素子（３）を基板（５）に取付け
ることが出来た。更にレーザ出射光の方向を0.1度のオ
ーダで設定可能となり、精密な光学系との組合せで組立
後の調整が不要な光学ッドが構成可能である。
本発明の半導体レーザ装置によればレーザ発光点の基
板に対する取付精度を数μｍのオーダに向上させること
が出来て、レーザ出射光の方向角度を0.1度のオーダで
設定できる特長を有する。
板に対する取付精度を数μｍのオーダに向上させること
が出来て、レーザ出射光の方向角度を0.1度のオーダで
設定できる特長を有する。
第１図は本発明の半導体レーザ素子取付状態の一実施例
を示す拡大斜視図、第２図は本発明の半導体レーザ素子
取付状態の他の実施例を示す拡大斜視図、第３図は本発
明の半導体レーザ素子取付状態の更に他の実施例を示す
拡大斜視図、第４図A,Bは本発明のマーカの他の実施例
を示す基板の平面図、第５図は従来の半導体レーザ装置
の一部を切り欠いた斜視図、第６図は従来の半導体レー
ザ素子の模式的斜視図、第７図は従来の半導体レーザ素
子の取付状態を示す拡大斜視図である。 （１）はキャップペース、（３）は半導体レーザ素子、
（3g）はストライプ電極、（４）は受光素子、（５）は
基板、（９），（10），（14），（15）はマーカであ
る。
を示す拡大斜視図、第２図は本発明の半導体レーザ素子
取付状態の他の実施例を示す拡大斜視図、第３図は本発
明の半導体レーザ素子取付状態の更に他の実施例を示す
拡大斜視図、第４図A,Bは本発明のマーカの他の実施例
を示す基板の平面図、第５図は従来の半導体レーザ装置
の一部を切り欠いた斜視図、第６図は従来の半導体レー
ザ素子の模式的斜視図、第７図は従来の半導体レーザ素
子の取付状態を示す拡大斜視図である。 （１）はキャップペース、（３）は半導体レーザ素子、
（3g）はストライプ電極、（４）は受光素子、（５）は
基板、（９），（10），（14），（15）はマーカであ
る。
Claims (1)
- 【請求項１】活性層の発光点に対応した位置のキャップ
層上にテーパ状ストライプ電極を備えた半導体レーザ素
子を基板上に配設した半導体レーザ装置に於いて、 上記基板上に半導体レーザ素子の取付位置を定めるマー
カを付して成り、 上記半導体レーザ素子の上記テーパ状ストライプ電極の
形成された面と反対側の面が上記基板に接触するように
して、 上記マーカと上記テーパ状ストライプ電極とが位置合わ
せして配置されて成ることを特徴とする半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283504A JP2513198B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283504A JP2513198B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136685A JPS63136685A (ja) | 1988-06-08 |
| JP2513198B2 true JP2513198B2 (ja) | 1996-07-03 |
Family
ID=17666404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283504A Expired - Fee Related JP2513198B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2513198B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0669108B2 (ja) * | 1984-09-13 | 1994-08-31 | 富士通株式会社 | 半導体レ−ザおよびその製造方法 |
| JPS61127661U (ja) * | 1985-01-30 | 1986-08-11 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61283504A patent/JP2513198B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63136685A (ja) | 1988-06-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |