JPH0750449A - 半導体レーザ素子 - Google Patents

半導体レーザ素子

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JPH0750449A
JPH0750449A JP5212337A JP21233793A JPH0750449A JP H0750449 A JPH0750449 A JP H0750449A JP 5212337 A JP5212337 A JP 5212337A JP 21233793 A JP21233793 A JP 21233793A JP H0750449 A JPH0750449 A JP H0750449A
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JP
Japan
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light emitting
active layer
layer
emitting portion
semiconductor laser
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JP5212337A
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Masayuki Iwase
正幸 岩瀬
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Furukawa Electric Co Ltd
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Furukawa Electric Co Ltd
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    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
    • H01S5/4031—Edge-emitting structures

Abstract

(57)【要約】 【目的】 光ファイバを容易に発光部に位置合わせする
ことができる半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 端面に発光部２ａを有する半導体レーザ素子
において、前記端面に、発光部２ａからの相対的な位置
が明らかな位置決めのための基準点２ｂを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光通信の光源になる半
導体レーザ素子に関する。
【０００２】
【従来技術】光通信に用いる半導体レーザ素子は、光フ
ァイバと効率良く結合させるために、発光部を精度良く
位置決めする必要がある。半導体レーザ素子の発光部
は、通常、結晶のへき開面を用いている。従って、光フ
ァイバと半導体レーザ素子の光学的結合を行う際には、
へき開面のどこに発光部が位置しているかの判断を肉眼
では確認できないので、次のような方法を用いている。
即ち、 １）先ず、半導体レーザ素子を発振させる。 ２）次いで、光ファイバの半導体レーザ素子とは反対側
の端部から出射される光をモニターし、この光強度が最
大になるように半導体レーザ素子と光ファイバの相対位
置を３次元の空間で調整し、各々を固定する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法には次のような問題があった。即ち、 １）特に、シングルモード光ファイバの場合、光ファイ
バの結合位置の許容範囲が数μｍと小さい。従って、初
めに光ファイバに少しでも光を入射させる必要がある
が、発光部が肉眼で見えないので、このための位置決め
が困難である。 ２）光ファイバ出力をモニターする際、光ファイバと素
子の相対的位置ずれが大きい場合、ピークサーチに時間
がかかる。 ３）モジュール作製などの目的で、光ファイバを固定す
る際に、光ファイバが最適位置からずれたとき、ずれ方
向が分からないため、修正が困難である。 さらに、上述の方法では、いくつもの半導体レーザ素子
をアレイ状に並べた素子をアレイ光ファイバに結合する
際にも、作業に時間と手間がかかることはいうまでもな
い。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記問題点を解
決した半導体レーザ素子を提供するもので、端面に発光
部を有する半導体レーザ素子において、前記端面に、発
光部からの相対的な位置が明らかな位置決めのための基
準点を設けたことを特徴とするものである。
【０００５】
【作用】上述のように、端面に、発光部からの相対的な
位置が明らかな位置決めのための基準点を設けると、先
ず、光ファイバをこの基準点に位置合わせし、次いで、
所定の方向に所定の距離だけ光ファイバを移動させるこ
とにより、光ファイバを容易に発光部に位置合わせする
ことができる。
【０００６】
【実施例】以下、図面に示した実施例に基づいて本発明
を詳細に説明する。図１は、本発明にかかる半導体レー
ザ素子の一実施例の断面図である。図中、１はｐ−Ｉｎ
Ｐ基板、２はＩｎＧａＡｓＰ活性層、３はｎ−ＩｎＰク
ラッド層、４はｐ−ＩｎＰ埋め込み層、５はｎ−ＩｎＰ
埋め込み層、６はｐ−ＩｎＰ埋め込み層、７はｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層、８はｎ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層、９
はｐ電極、１０はｎ電極である。本実施例は、図２に示
すように、以下のようにして製作した。即ち、 １）ｐ−ＩｎＰ基板１上に、ＩｎＧａＡｓＰ活性層２、
ｎ−ＩｎＰクラッド層３を順次積層する。次いで、幅
１．５μｍのストライプ状の誘電体マスク１１、１２を
５０μｍ間隔で形成し、エッチングによりメサストライ
プを形成する（図２（ａ））。 ２）次いで、誘電体マスク１１、１２を選択成長マスク
として、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層４、ｎ−ＩｎＰ埋め込み
層５、ｐ−ＩｎＰ埋め込み層６を順次積層して、ｐ／ｎ
／ｐの埋め込み層を形成する。この際、誘電体マスク１
１、１２上には、埋め込み層は成長されない（図２
（ｂ））。 ３）誘電体マスク１２を覆うようにレジストマスク１３
を形成する（図２（ｃ））。 ４）次いで、フッ酸により誘電体マスク１１を除き、そ
の後、レジストマスク１３を除去する。 ５）次いで、ｎ−ＩｎＰクラッド層７、ｎ−ＩｎＧａＡ
ｓＰキャップ層８を成長させる。そうすると、ｎ−Ｉｎ
Ｐクラッド層７、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰキャップ層８は活
性層２ａの上面には積層されるが、活性層２ｂの上面に
は成長しない。従って、活性層２ｂの上面には、ストラ
イプ状の溝１４が形成される（図２（ｄ））。 ６）最後に、ｐ−ＩｎＰ基板１面を研磨して、厚さ１０
０μｍ程度にした後、ｐ−ＩｎＰ基板１側にｐ電極９、
エピ側にｎ電極１０を形成する。
【０００７】本実施例において、へき開面側から見た場
合、活性層２ｂは溝１４の頂点にあり、この高さで基板
に平行に左方向に５０μｍ離れて発光部となる活性層２
ａが位置している。従って、光ファイバを結合する場合
には、先ず、この溝１４の頂点に合わせ、次いで、基板
に平行に左方向に移動させればよい。図３は、上記実施
例の素子をアレイ状にした場合のへき開面からみた図で
ある。発光部となる活性層２ａはすべて、溝１４の頂点
を結んだ線上の、それぞれの溝１４の頂点から５０μｍ
の位置にあるため、この線を光ファイバの位置合わせの
基準線にすることができる。なお、位置決めのための基
準点の設け方および半導体の材質は、上記実施例に限定
されるものではない。
【０００８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、端
面に発光部を有する半導体レーザ素子において、前記端
面に、発光部からの相対的な位置が明らかな位置決めの
ための基準点を設けたため、所定の方向に所定の距離だ
け光ファイバを移動させることにより、光ファイバを容
易に発光部に位置合わせすることができるという優れた
効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体レーザ素子の一実施例の断
面図である。
【図２】（ａ）〜（ｄ）は、上記実施例の製造工程を説
明する図である。
【図３】上記実施例をアレイ状にいた場合の、へき開面
側から見た図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２、２ａ、２ｂ 活性層 ３、７ ｎ−ＩｎＰクラッド層 ４、６ ｐ−ＩｎＰ埋め込み層 ５ ｎ−ＩｎＰ埋め込み層 ８ キャップ層 ９ ｐ電極 １０ ｎ電極 １１、１２ 誘電体マスク １３ レジストマスク １４ 溝

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 端面に発光部を有する半導体レーザ素子
    において、前記端面に、発光部からの相対的な位置が明
    らかな位置決めのための基準点を設けたことを特徴とす
    る半導体レーザ素子。
  2. 【請求項２】 半導体基板上に積層した活性層をストラ
    イプ状に形成した発光部を有し、該発光部を前記活性層
    よりも屈折率の低い半導体層で埋め込んだ半導体レーザ
    素子において、前記ストライプ状発光部に平行に、且つ
    所定の間隔で前記活性層をストライプ状に形成した、非
    発光部となるストライプ状活性層を設け、前記非発光部
    となるストライプ状活性層部分以外を活性層よりも屈折
    率の低い半導体層で埋め込み、非発光部となるストライ
    プ状活性層部分上部にストライプ状の溝を設けたことを
    特徴とする半導体レーザ素子。
JP5212337A 1993-08-04 1993-08-04 半導体レーザ素子 Pending JPH0750449A (ja)

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