JP7308948B2 - レーザー素子及びその製造方法 - Google Patents

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Description

実施例は、レーザー素子及びその製造方法に関する。
光通信に用いられる光送受信器は、光ファイバー（ｏｐｔｉｃａｌ ｆｉｂｅｒ）と光学的にカップリングされる。経済的な光送受信器を生産するためには、光素子内で信号を伝達する導波路（ｗａｖｅｇｕｉｄｅ）と光ファイバーとを損失なく最小の費用で結合させることが求められる。結合効率（ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）が高いほど経済的であるためである。
レーザーダイオードと光ファイバーとの間のモードを一致させるため、モードサイズ変換器（ｓｐｏｔ ｓｉｚｅ ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ；以下、ＳＳＣ）を備えてもよい。レーザーダイオードと光ファイバーとの間のモードを一致させるためには、レーザーダイオードの近視野像（ｎｅａｒ ｆｉｅｌｄ ｐａｔｔｅｒｎ；以下、ＮＦＰ）を大きくし、ＮＦＰの回折された像（ｄｉｆｆｒａｃｔｅｄ ｐａｔｔｅｒｎ）である遠視野像（ｆａｒ ｆｉｅｌｄ ｐａｔｔｅｒｎ；以下、ＦＦＰ）は小さくしなければならない。ＳＳＣを有するレーザーダイオードは、ＦＦＰを減少させてレーザーダイオードと光ファイバーとの間のモードを一致させることができる。
また、活性領域と受動領域を１つの素子に単一集積する場合、増幅または光変調などの機能を行うために、受動領域は物質の組成が異ならなければならない。これらの領域間の結合のため、バットジョイント（ｂｕｔｔ ｊｏｉｎｔ）構造を用いてもよい。
図１の（ａ）を参照すると、従来のレーザー素子は、能動導波路（ＡＬ１）を形成した後、マスク（２０１）を用いて能動導波路（ＡＬ１）を一部エッチングし、受動導波路（ＳＬ１，ＳＬ２）を再成長させることができる。受動導波路（ＳＬ１，ＳＬ２）は、マスク（２０１，２０２，２０３）の上には成長せず、マスク（２０１，２０２，２０３）外のみに再成長する。その後、図１の（ｂ）のように、上部クラッド層（３１）をエッチングしてＳＳＣ構造（３２）を形成し、その上に電極（２０４）を形成してもよい。その後、チップ単位領域ごとに切断して複数のレーザーダイオード（２１，２２，２３）を製作することができる。
しかし、チップ単位領域ごとも、ＳＳＣ構造（３２）を互いに対向して形成する場合、受動導波路（ＳＬ１，ＳＬ２）の厚さ及び組成が異なるという問題がある。
例示として、第１マスク（２０１）と第２マスク（２０２）との間の第１領域（Ｄ１）は、面積が狭く相対的に再成長が速くなる一方、第２マスク（２０２）と第３マスク（２０３）との間の第２領域（Ｄ２）は、面積が広く相対的に再成長が遅くなる。したがって、第１領域（Ｄ１）と第２領域（Ｄ２）との再成長の厚さが異なるという問題がある。また、ＳＡＧ（ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ ａｒｅａ ｇｒｏｗｔｈ）効果によって、第１領域（Ｄ１）と第２領域（Ｄ２）の組成も異なるようになる。その結果、パッシベーション物質の質的差が発生するようになり、屈折率による反射の光の吸収程度が異なるようになることで、素子の品質不良が発生することがある。
また、図２ａのように、チップ単位領域ごとも、ＳＳＣ構造を形成した場合、チップの切断位置によって上部クラッド層の幅が急激に変化するため、歩留まりが減少するという問題がある。
図２ｂのように、工程マージンによってＸ１位置で切断されると、第２レーザーダイオード（２２）の上部クラッド層が急激な幅変化を有するため使用不可となるという問題がある。
また、図２ｃのように、Ｘ２位置で切断されると、第１レーザーダイオード（２１）の上部クラッド層が急激な幅変化を有するため第１レーザーダイオード（２１）が使用不可となるという問題がある。
実施例は、受動光導波路の再成長の厚さ及び組成の均一性が改善したレーザー素子及びその製造方法を提供する。
また、チップの切断位置に工程誤差が発生しても歩留まりを維持することができるレーザー素子及びその製造方法を提供する。
実施例で解決しようとする課題はこれに限定されず、以下で説明する課題の解決手段や実施形態から把握できる目的や効果も含まれ得る。
実施例によるレーザー素子は、第１クラッド層と、前記第１クラッド層上に配置される光導波路と、前記光導波路上に配置される第２クラッド層と、前記第２クラッド層上に配置される第１電極と、及び前記光導波路上に配置され、前記第２クラッド層及び前記第１電極と離隔して配置されるダミークラッドとを備えていてもよい。
前記ダミークラッドは、第１ダミークラッド及び第２ダミークラッドを備え、前記第１ダミークラッドの面積は、前記第２ダミークラッドの面積より大きくてもよい。
前記第２クラッド層の厚さ、前記第１ダミークラッドの厚さ及び前記第２ダミークラッドの厚さは、同一であってもよい。
前記第１ダミークラッドの長さは、前記第２ダミークラッドの長さと同一であってもよい。
前記第１電極は、前記第１ダミークラッドと前記第２ダミークラッドとの間に配置されてもよい。
前記第１ダミークラッドと第２ダミークラッドの組成は、前記第２クラッド層の組成と同一であってもよい。
前記第１ダミークラッドは、前記第２クラッド層の最大幅と同一であり、前記第２ダミークラッドは、前記第２クラッド層の最小幅と同一であってもよい。
前記ダミークラッドは、第１角に配置された第１ダミークラッド、第２角に配置された第２ダミークラッド、第４角に配置された第３ダミークラッド、及び第３角に配置された第４ダミークラッドを備え、前記第１ダミークラッドと前記第３ダミークラッドの幅は同一であり、前記第２ダミークラッドと前記第４ダミークラッドの幅は同一であってもよい。
前記第１ダミークラッドの幅は、前記光導波路の最大幅の半分であり、前記第２ダミークラッドの幅は、前記光導波路の最小幅の半分であってもよい。



前記光導波路は、第１光導波路、及び前記第１光導波路を取り囲む第２光導波路を備えていてもよい。
前記第２クラッド層は、一方向に行くほど幅が細くなるように形成されてもよい。
本発明の一特徴によるレーザー素子の製造方法は、第１クラッド層上に第１光導波路を形成するステップと、前記第１クラッド層上に第２光導波路を形成するステップと、前記第１光導波路と前記第２光導波路上に第２クラッド層を形成するステップと、前記第２クラッド層をエッチングして複数の第２クラッド層に分割するステップと、複数のチップに切断するステップとを含み、前記第２光導波路を形成するステップは、前記第１光導波路をエッチングして複数の第１光導波路に分割し、前記第１光導波路がエッチングされた領域に第２光導波路を形成し、前記複数の第１光導波路は、第１方向に互いにずらして配置されてもよい。
前記複数の第２クラッド層に分割するステップは、前記第２クラッド層をエッチングして複数の第２クラッド層に分割し、複数の第２クラッド層は、それぞれ前記複数の第１光導波路上に配置されてもよい。
複数の第２クラッド層は、長さ方向に互いにずらして配置されてもよい。
前記複数の第２クラッド層は、複数のチップ単位領域にそれぞれ配置され、前記第２クラッド層の両端は、前記チップ単位領域の外側に延びてもよい。
前記複数のチップに切断するステップで、前記第２クラッド層の長さ方向と垂直な方向に切断するとき、前記複数の第２クラッド層の両末端が一部切断されるようにチップを分離してもよい。
前記複数の第２クラッド層を形成するステップは、前記第２クラッド層の一端の幅が細くなるように形成してもよい。
実施例によると、受動光導波路の再成長の厚さ及び組成の均一性を改善することができる。したがって、光出射面（ＡＲ）と反射面（ＨＲ）の反射及び光出射性能を向上させることができる。
また、チップ分離時に切断位置に誤差が発生しても歩留まりを維持することができる。
また、ＳＳＣ構造のような多様なチップ構造の適用時にも歩留まりを維持することができる。
また、カップリングロス（Ｃｏｕｐｌｉｎｇ ｌｏｓｓ）を減少することができる。
本発明の多様かつ有益な長所と効果は上述の内容に限定されず、本発明の具体的な実施形態を説明する過程でより容易に理解することができるであろう。
図１は、従来のレーザー素子の製造過程を示す平面図及び断面図である。 図２ａは、他の従来のレーザー素子の製造過程を示す平面図である。 図２ｂは、工程誤差によってＸ１位置でチップを切断した図である。 図２ｃは、工程誤差によってＸ２位置でチップを切断した図である。 図３は、本発明の一実施例によるレーザー素子の概念図である。 図４は、本発明の一実施例によるレーザー素子の斜視図である。 図５は、図４の平面図である。 図６は、本発明の他の実施例によるレーザー素子の概念図である。 図７は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。 図８は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。 図９は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。 図１０は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。 図１１は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。 図１２は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。 図１３は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。 図１４は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。 図１５は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。 図１６は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法において、基板上に複数のチップ単位領域が区分された状態を示す平面図である。 図１７は、切断したチップの平面図である。 図１８は、本発明の他の実施例によるレーザー素子の製造方法において、基板上に複数のチップ単位領域が区分された状態を示す平面図である。 図１９は、切断したチップの平面図である。 図２０は、本発明のさらに他の実施例によるレーザー素子の製造方法において、基板上に複数のチップ単位領域が区分された状態を示す平面図である。 図２１は、切断したチップの平面図である。 図２２は、本発明のさらに他の実施例によるレーザー素子の製造方法において、基板上に複数のチップ単位領域が区分された状態を示す平面図である。 図２３は、切断したチップの平面図である。
本実施例は、他の形態に変形されるか多様な実施例を互いに組み合わせ可能であり、本発明の範囲が以下に説明するそれぞれの実施例に限定されるのではない。
特定の実施例で説明された事項が他の実施例で説明されていなくても、他の実施例でその事項と反対または矛盾する説明がない限り、他の実施例に関連する説明として理解することができる。
例えば、特定の実施例で構成Ａに対する特徴を説明し、他の実施例で構成Ｂに対する特徴を説明したら、構成Ａと構成Ｂが結合された実施例が明示的に記載されていなくても、反対または矛盾する説明がない限り、本発明の権利範囲に属するものと理解しなければならない。
実施例の説明において、あるエレメント（ｅｌｅｍｅｎｔ）が他のエレメントの「上または下（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」に形成されると記載される場合において、上または下（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）は、２つのエレメントが互いに直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）接触されるか、１つ以上の他のエレメントが前記２つのエレメントの間に配置されて（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）形成されることを全て含む。また、「上または下（ｏｎ ｏｒ ｕｎｄｅｒ）」と表現される場合、１つのエレメントを基準に上側方向だけでなく下側方向の意味も含むことができる。
以下では、添付の図面を参照して、本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施することができるように詳しく説明する。
図３は、本発明の一実施例によるレーザー素子の概念図であり、図４は、図３の平面図であり、図５は、本発明の他の実施例によるレーザー素子の概念図である。
図３を参照すると、実施例によるレーザー素子は、第１クラッド層（１２１）、光導波路（１２５，１４０）、第２クラッド層（１５０）及び第１電極（１７０）を含んでいてもよい。
レーザー素子は、活性領域（１０）と受動領域（２０）を含んでいてもよい。光導波路は、活性領域（１０）に配置される第１光導波路（能動光導波路、Ｓ１）と、受動領域に配置される第２光導波路（受動光導波路、１４０）とに区分され得る。第１光導波路（Ｓ１）と第２光導波路（１４０）は光学的に連結されてもよい。例示として、第１光導波路（Ｓ１）と第２光導波路（１４０）は、バットジョイント方式で結合されてもよい。
第１光導波路（Ｓ１）は活性層（１２３）を含んでいてもよい。活性層（１２３）は、井戸層と障壁層が交互に積層されたＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造であってもよい。井戸層と障壁層の組成は、ＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰを含んでいてもよいが、必ずこれらに限定されるのではない。
第１のＳＣＨ（Ｓｅｐｅｒａｔｅｄ Ｃｏｎｆｉｎｍｅｎｔ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層（１２２）は、レーザービームの発振を案内する光ガイド層であって、第１クラッド層（１２１）の上部に形成されており、例えば、ドーピングされていないＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰで形成することができる。
第２のＳＣＨ層（１２４）は、レーザービームの発振を案内する光ガイド層であって、活性層（１２３）の上部に形成されており、例えば、ドーピングされていないＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰで形成することができる。
第１のＳＣＨ層（１２２）及び第２のＳＣＨ層（１２４）は、第１クラッド層（１２１）及び第２クラッド層（１５０）より小さいバンドギャップを有し、井戸層は、第１及び第２のＳＣＨ層（１２３，１２４）よりさらに小さいバンドギャップを有してもよい。したがって、第１クラッド層（１２１）及び第２クラッド層（１５０）を通じて注入された電子と正孔は、量子井戸（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）に捕獲されて光利得を提供することができる。
第１光導波路（Ｓ１）及び第２光導波路（１４０）は、第１クラッド層（１２１）と第２クラッド層（１５０）との間に配置されてもよい。第１クラッド層（１２１）と第２クラッド層（１５０）は、ＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰを含んでいてもよいが、必ずこれらに限定されるのではない。
第２クラッド層（１５０）と第２のＳＣＨ層（１２４）との間には、グレーティング（ｇｒａｔｉｎｇ）（１３１）が配置されてもよい。グレーティング（１３１）は、単一波長を選択して反射させる役割をするため、単一モードレーザー出力を可能とする役割を行うことができる。しかし、必ずこれに限定されるのではなく、グレーティングは第１のＳＣＨ層（１２２）の下部に配置されてもよい。
第２クラッド層（１５０）上には、オーミック電極層（１６０）と第１電極（１７０）が配置されてもよい。基板（１１０）の下部には第２電極（１２６）が配置されてもよい。
図４及び図５を参照すると、実施例によるレーザー素子は、ストリップ状の第２クラッド層（１５０）を有してもよい。導波路モードは、光導波路と第１第２クラッド層が重畳する領域で発生するため、第２クラッド層（１５０）の形状は光導波路モード領域と対応され得る。
第２クラッド層（１５０）は、活性層（１２３）上に配置される第１サーブクラッド層（１５１）と、再成長した受動領域上に配置される第２サーブクラッド層（１５２）とを含んでいてもよい。第２サーブクラッド層（１５２）の一端（１５２ａ）は、ＳＳＣ構造を有するように前方に行くほど幅が細くなるように形成されてもよい。このような構成によると、出射されるレーザービームのサイズを調節することができる。
実施例によると、レーザー素子は、第２クラッド層（１５０）、及び第１電極（１７０）と離隔して配置されるダミークラッド（１５４，１５３）を含んでいてもよい。ダミークラッド（１５４，１５３）は、第２クラッド層（１５０）と同一の組成を有してもよい。例示として、ダミークラッド（１５４，１５３）と第２クラッド層（１５０）は、ＩｎＰまたはＩｎＧａＡｓＰを含んでいてもよい。
ダミークラッド（１５４，１５３）は、第１ダミークラッド（１５４）及び第２ダミークラッド（１５３）を含んでいてもよい。第１ダミークラッド（１５４）は、第１電極（１７０）の一側に配置され、第２ダミークラッド（１５３）は、第１電極（１７０）の他側に配置されてもよい。すなわち第１電極（１７０）は、第１ダミークラッド（１５４）と第２ダミークラッド（１５３）との間に配置されてもよい。しかし、必ずこれに限定されるのではなく、第１電極（１７０）は、第１ダミークラッド（１５４）と第２ダミークラッド（１５３）との間に配置されなくてもよい。また、第１ダミークラッド（１５４）と第２ダミークラッド（１５３）のいずれか１つのみレーザー素子に存在してもよい。
第２クラッド層（１５０）、第１ダミークラッド（１５４）及び第２ダミークラッド（１５３）の厚さがいずれも同一であってもよい。第２クラッド層（１５０）、第１ダミークラッド（１５４）及び第２ダミークラッド（１５３）は、同一の工程によって成長し、エッチングにより離隔した構造であるためである。
第１ダミークラッド（１５４）の面積は、第２ダミークラッド（１５３）の面積と異なってもよい。例示として、第１ダミークラッド（１５４）の面積は、第２ダミークラッド（１５３）の面積より大きくてもよい。このような構造によると、工程誤差によってチップの切断位置が変わっても所望するＳＳＣ幅を維持することができ、歩留まりを改善することができる。具体的な内容は後述する。
第１ダミークラッド（１５４）の幅（Ｗ１１）は、第２クラッド層（１５０）の最大幅（Ｗ３）と同一であり、第２ダミークラッド（１５３）の幅（Ｗ２１）は、第２クラッド層（１５０）の最小幅（Ｗ４）と同一であってもよい。第２クラッド層（１５０）の最小幅（Ｗ４）は、レーザービームのサイズを調節するため、第２クラッド層（１５０）の最大幅（Ｗ３）より小さくてもよい。ここで幅は、図５の垂直方向の長さであってもよい。
第１ダミークラッド（１５４）の長さ（Ｗ１２）は、第２ダミークラッド（１５３）の長さ（Ｗ２２）と同一であってもよいが、必ずこれに限定されるのではない。例示として、第１ダミークラッド（１５４）の長さ（Ｗ１２）は、第２ダミークラッド（１５３）の長さ（Ｗ２２）より長くてもよく短くてもよい。ここで長さは、図５の水平方向の長さであってもよい。
図６を参照すると、ダミークラッドは、第１角に配置された第１ダミークラッド（１５４ａ）、第２角に配置された第２ダミークラッド（１５３ａ）、第４角に配置された第３ダミークラッド（１５４ａ）、及び第３角に配置された第４ダミークラッド（１５３ａ）を含んでいてもよい。
第１ダミークラッド（１５４ａ）と第３ダミークラッド（１５４ａ）の幅は同一であり、第２ダミークラッド（１５３ａ）と第４ダミークラッド（１５３ａ）の幅は同一であってもよい。
このとき、第１ダミークラッド（１５４ａ）の幅は、第２クラッド層（１５０）の他端（１５２ｂ）の幅の半分であり、第２ダミークラッド（１５３ａ）の幅は、第２クラッド層（１５０）の一端（１５２ａ）の幅の半分であってもよい。しかし、必ずこれに限定するのではない。すなわち半分より大きくてもよく小さくてもよい。
図７ないし図１５は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法を示す図である。図１６は、本発明の一実施例によるレーザー素子の製造方法において、基板上に複数のチップ領域が区分された状態を示す平面図であり、図１７は切断したチップの平面図である。
図７を参照すると、基板（１１０）上に第１クラッド層（１２１）、第１のＳＣＨ層（１２２）、活性層（１２３）、第２のＳＣＨ層（１２４）、及びグレーティング層（１３０）を順に形成することができる。基板（１１０）と第１クラッド層（１２１）との間には、バッファ層がさらに形成されてもよいが、必ずこれに限定されるのではない。
活性層（１２３）は、井戸層と障壁層が交互に積層されたＭＱＷ（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ ｗｅｌｌ）構造であってもよい。井戸層と障壁層の組成は、ＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰを含んでいてもよいが、必ずこれらに限定されるのではない。
第１のＳＣＨ層（１２２）は、レーザービームの発振を案内する光ガイド層であって、第１クラッド層（１２１）の上部に形成されており、例えば、ドーピングされていないＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰで形成することができる。
第２のＳＣＨ層（１２４）は、レーザービームの発振を案内する光ガイド層であって、活性層（１２３）の上部に形成されており、例えば、ドーピングされていないＩｎＡｌＧａＡｓまたはＩｎＧａＡｓＰで形成することができる。
第１のＳＣＨ層（１２２）及び第２のＳＣＨ層（１２４）は、第１クラッド層（１２１）及び第２クラッド層（１５０）より小さいバンドギャップを有し、井戸層は、第１及び第２のＳＣＨ層（１２３，１２４）よりさらに小さいバンドギャップを有してもよい。したがって、第１クラッド層（１２１）及び第２クラッド層（１５０）を通じて注入された電子と正孔は、量子井戸（Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）に捕獲されて光利得を提供することができるようになる。
図８を参照すると、グレーティング層（１３０）は、パターニングして複数のグレーティング（１３１）を形成してもよい。複数のグレーティング（１３１）は、単一波長を選択して反射させる役割をするため、単一モードレーザー出力を可能とする役割を行うことができる。しかし、必ずこれに限定するのではなく、グレーティング（１３１）は第１クラッド層（１２１）の下部に配置されてもよい。
図９を参照すると、複数のグレーティング（１３１）上にマスク（１３２）を形成してもよい。マスク（１３２）は、ＳｉＯ２またはＳｉＮｘを含んでいてもよいが、必ずこれに限定されるのではない。マスク（１３２）の形状は、両面が傾いた平行四辺形の形状を有してもよいが、必ずこれに限定されるのではない。
図１０を参照すると、第１光導波路（Ｓ１）を一部エッチング（ＷＥ１）してもよい。したがって、第１光導波路（Ｓ１）は、マスク（１３２）の下部に配置される領域のみ残存することができる。したがって、マスク（１３２）の形状によって第１光導波路（Ｓ１）の両面（Ｓ１１，Ｓ１２）が傾くように形成されてもよい。
図１１を参照すると、第１光導波路（Ｓ１）が除去された領域に第２光導波路（１４０）を形成してもよい。第２光導波路（１４０）は、四角形状の第１光導波路（Ｓ１）を全体的に取り囲むように形成されてもよい。第２光導波路（１４０）は、クラッド層に比べてエネルギーバンドギャップが小さくてもよい。例示として、第２光導波路（１４０）の組成は、ＩｎＧａＡｓＰであってもよいが、必ずこれに限定されるのではない。
図１２を参照すると、第１光導波路（Ｓ１）と第２光導波路（１４０）上に第２クラッド層（１５０）を形成してもよい。また、第２クラッド層（１５０）上にオーミック電極層（１６０）を形成してもよい。
図１３を参照すると、第２クラッド層（１５０）をエッチングすることができる。このとき、残存する第２クラッド層（１５０）の断面は四角形状の垂直形状を有してもよい。しかし、必ずこれに限定するのではなく、断面は下部に行くほど幅が細くなるリッジ状であってもよい。第２クラッド層（１５０）は、断面がリッジ状の場合、ダミークラッドもリッジ状を有してもよい。
第２クラッド層（１５０）の第１サーブクラッド層（１５１）は幅が一定である一方、第２サーブクラッド層（１５２）は、光出射面に行くほど次第に幅が細くなるＳＳＣ構造を有してもよい。
図１３では、第２クラッド層（１５０）を全体的にエッチングして第２光導波路（１４０）を露出させる構造を例示したが、必ずこれに限定するのではなく、第２クラッド層（１５０）をエッチングした後、第２クラッド層（１５０）の両側を再成長する埋め込み型導波路（ｂｕｒｉｅｄ ｈｅｔｅｒｏｄｙｎｅ：ＢＨ）構造であってもよい。
図１４及び図１５を参照すると、第２クラッド層（１５０）がエッチングされた領域に平坦層（１８０）及び保護層（１７１）を形成し、オーミック電極層（１６０）と接触する第１電極（１７０）を形成してもよい。保護層（１７１）は、第２クラッド層（１５０）のエッチングにより露出した第１光導波路及び第２光導波路上に配置されてもよい。また、保護層（１７１）はダミークラッド上にも配置されてもよい。
図１６を参照すると、実施例によるレーザー素子の製造方法は、１つのウェーハ基板にエピ及び電極を形成した後、複数のチップ単位領域に（１１ないし２２）分離してもよい。すなわち図７ないし図１１で説明したように、ウェーハ基板上に第１クラッド層、第１光導波路及び第２光導波路を順に形成してもよい。
エッチングにより分割された（図１０を参照）複数の第１光導波路（Ｓ１）は、第１方向（Ｙ軸方向）に互いにずらして配置されてもよい。例示として、第１チップ単位領域（１１）に配置された第１光導波路（Ｓ１）は、第３チップ単位領域（１３）に配置された第１光導波路（Ｓ１）と第１方向（Ｙ軸方向）にずらして配置されてもよい。また、第１チップ単位領域（１１）に配置された第１光導波路（Ｓ１）は、第６チップ単位領域（１６）に配置された第１光導波路（Ｓ１）と対向して配置されてもよい。すなわち、複数の第１光導波路（Ｓ１）は第１方向に千鳥配置されてもよい。
第１チップ単位領域（１１）に配置された第１光導波路（Ｓ１）と第６チップ単位領域（１６）に配置された第１光導波路（Ｓ１）との間の第１領域（Ｌ１）は、第６チップ単位領域（１６）に配置された第１光導波路（Ｓ１）と第２１チップ単位領域（２１）に配置された第１光導波路（Ｓ１）との間の第２領域（Ｌ２）と距離が同一であってもよい。したがって、第１方向（Ｙ軸方向）に対向する第１光導波路（Ｓ１）の間隔は互いに同一になり得る。
第１領域（Ｌ１）と第２領域（Ｌ２）は、第２光導波路が再成長する領域である。したがって、第２光導波路が再成長する領域の面積が同一になるため、厚さ及び組成が均一になり得る。
図１７を参照すると、第６チップ単位領域（１６）で第１光導波路（Ｓ１）の前方に配置される受動光導波路（１４１）の組成及び厚さは、第１光導波路（Ｓ１）の後方に配置される受動光導波路（１４２）の組成及び厚さと同一になり得る。したがって、受動光導波路に配置された光出射面（ＡＲ）と反射面（ＨＲ）の品質が均一になり、反射及び光出射性能を向上させることができる。
また図１６を参照すると、メサエッチングにより、複数の第２クラッド層（１５０）はそれぞれのチップ単位領域ごとに（１１ないし２２）複数に離隔して配置されてもよい。複数の第２クラッド層（１５０）は、第１光導波路（Ｓ１）と重畳するように配置されてもよい。
このとき、複数の第２クラッド層（１５０）は、第１方向（長さ方向）に互いに離隔して配置されてもよい。すなわち、複数の第２クラッド層（１５０）は、長さ方向に互いにつながっておらず互いにずらして配置されてもよい。複数の第２クラッド層（１５０）が第１方向（Ｙ軸方向）に互いにずらして配置される構造は、第１光導波路（Ｓ１）の構造と同一であってもよい。
このとき、第２クラッド層（１５０）は、長さ方向にチップ単位領域の長さより長く形成されてもよい。例えば、第６チップ単位領域（１６）に配置される第２クラッド層（１５０）の一端（１５３）は、第８チップ単位領域（１８）に延びるように長く形成され、第６チップ単位領域（１６）に配置される第２クラッド層（１５０）の他端（１５４）は、第３チップ単位領域（１３）に延びるように長く形成されてもよい。このような構成によると、公差によって第２クラッド層（１５０）が短くまたは長く切られても所望する幅をそのまま維持することができるため、歩留まりが減少することを防止することができる。
チップ切断工程において、先ず第２方向切断ライン（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ１１，Ｃ１２）に沿ってチップを１次切断し、また第１方向切断ライン（Ｃ３ないしＣ８）に沿って２次切断することで、チップ単位に分離してもよい。このとき、公差によって第２方向切断ライン（Ｃ１，Ｃ２，Ｃ１１，Ｃ１２）から外れて切断しても、第２クラッド層（１５０）の両端がチップ単位領域（１１ないし１７）を外れて延長形成されているため、第２クラッド層（１５０）の幅はそのまま維持され、歩留まりを増加させることができる。したがって、チップを全て分離すると、図１７のように、隣接した第２クラッド層（１５０）の残部（１５３，１５４）がチップに存在し得る。
図１８は、本発明の他の実施例によるレーザー素子の製造方法において、基板上に複数のチップ領域が区分された状態を示す平面図であり、図１９は、切断したチップの平面図である。
上述のように、第１光導波路（Ｓ１）及び第２クラッド層（１５０）を互いにずらして配置する点は同一であるが、図１８では、１つのチップ単位領域に２つの隣接した第２クラッド層（１５０）が重畳配置されてもよい。したがって、図１９のようにチップを切断すると、４つの角にそれぞれダミークラッド（１５３ａ，１５４ａ）が形成され得る。
具体的にダミークラッド（１５３ａ，１５４ａ）は、第１角（ＶＸ１）に配置された第１ダミークラッド（１５４ａ）、第２角（ＶＸ２）に配置された第２ダミークラッド（１５３ａ）、第４角（ＶＸ４）に配置された第３ダミークラッド（１５４ａ）、及び第３角（ＶＸ３）に配置された第４ダミークラッド（１５３ａ）を含んでいてもよい。
第１ダミークラッド（１５４ａ）と第３ダミークラッド（１５４ａ）の幅は同一であり、第２ダミークラッド（１５３ａ）と第４ダミークラッド（１５３ａ）の幅は同一であってもよい。
このとき、第１ダミークラッド（１５４ａ）の幅は、第２クラッド層（１５０）の他端（１５２ｂ）の幅の半分であり、第２ダミークラッド（１５３ａ）の幅は、第２クラッド層（１５０）の一端（１５２ａ）の幅の半分であってもよい。
図２０は、本発明のさらに他の実施例によるレーザー素子の製造方法において、基板上に複数のチップ領域が区分された状態を示す平面図であり、図２１は、切断したチップの平面図である。
図２０による複数のチップ領域が区分された状態は、図１６の構成がそのまま適用されるが、複数のクラッド層（１５０）が互いに対向して配置された点に差異がある。
例示として、第１チップ単位領域（１１）と第２チップ単位領域（１２）の第２クラッド層（１５０）は、第１方向に行くほどＳＳＣ構造（１５３）を有することができる一方、第３チップ単位領域ないし第５チップ単位領域（１３，１４，１５）に配置された第２クラッド層（１５０）は、第１方向と反対方向に行くほどＳＳＣ構造（１５３）を有するように形成してもよい。
したがって、図２１のように、光出射面（ＡＲ）と連結されたダミークラッド（１５３）の幅が、光反射面（ＨＲ）に連結されたダミークラッド（１５４）の幅より小さくてもよい。
図２２は、本発明のさらに他の実施例によるレーザー素子の製造方法において、基板上に複数のチップ領域が区分された状態を示す平面図であり、図２３は、切断したチップの平面図である。
図２２による複数のチップ領域が区分された状態は、図１８の構成がそのまま適用されるが、複数のクラッド層（１５０）が互いに対向して配置された点に差異がある。例示として、第１チップ単位領域（１１）と第２チップ単位領域（１２）の第２クラッド層（１５０）は、第１方向に行くほどＳＳＣ構造（１５３）を有することができる一方、第３チップ単位領域ないし第５チップ単位領域（１３，１４，１５）に配置された第２クラッド層（１５０）は、第１方向と反対方向に行くほどＳＳＣ構造を有するように形成してもよい。
したがって、図２３のように、光出射面（ＡＲ）と連結されたダミークラッド（１５３ａ）の幅は、光反射面（ＨＲ）に連結されたダミークラッド（１５４ａ）の幅より小さくてもよい。
以上で実施例を中心として説明したが、これはただ例示であるだけで本発明を限定するものではなく、本発明が属する分野の通常の知識を有する者であれば本実施例の本質的な特性を逸脱しない範囲で、以上に例示されていない様々な変形と応用が可能であることが分かるであろう。例えば、実施例に具体的に示された各構成要素は変形して実施することができるであろう。また、このような変形と応用に係る差異点は、添付の請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されなければならないであろう。

Claims (17)

  1. 第１クラッド層と、
    前記第１クラッド層上に配置される光導波路と、
    前記光導波路上に配置される第２クラッド層と、
    前記第２クラッド層上に配置される第１電極と、
    前記光導波路上に配置され、前記第２クラッド層及び前記第１電極と離隔して配置されるダミークラッドとを備え、
    前記ダミークラッドは、前記ダミークラッドの厚さ方向において前記光導波路の活性層と重なっておらず、前記第２クラッド層と同じ厚さで、かつ、同じ組成であるレーザー素子。
  2. 前記ダミークラッドは、第１ダミークラッド及び第２ダミークラッドを備え、
    前記第１ダミークラッドの面積は、前記第２ダミークラッドの面積より大きい請求項１に記載のレーザー素子。
  3. 前記第２クラッド層の厚さ、前記第１ダミークラッドの厚さ及び前記第２ダミークラッドの厚さは同一である、請求項２に記載のレーザー素子。
  4. 前記第１ダミークラッドの長さは、前記第２ダミークラッドの長さと同一である、請求項２に記載のレーザー素子。
  5. 前記第１電極は、前記第１ダミークラッドと前記第２ダミークラッドとの間に配置される、請求項２に記載のレーザー素子。
  6. 前記第１ダミークラッドと第２ダミークラッドの組成は、前記第２クラッド層の組成と同一である、請求項２に記載のレーザー素子。
  7. 前記第１ダミークラッドは、前記第２クラッド層の最大幅と同一であり、
    前記第２ダミークラッドは、前記第２クラッド層の最小幅と同一である、請求項２に記載のレーザー素子。
  8. 前記ダミークラッドは、第１角に配置された第１ダミークラッド、第２角に配置された第２ダミークラッド、第４角に配置された第３ダミークラッド、及び第３角に配置された第４ダミークラッドを備え、
    前記第１ダミークラッドと前記第３ダミークラッドの幅は同一であり、
    前記第２ダミークラッドと前記第４ダミークラッドの幅は同一である、請求項１に記載のレーザー素子。
  9. 前記第１ダミークラッドの幅は、前記光導波路の最大幅の半分であり、
    前記第２ダミークラッドの幅は、前記光導波路の最小幅の半分である、請求項８に記載のレーザー素子。
  10. 前記光導波路は、第１光導波路、及び前記第１光導波路を取り囲む第２光導波路を備える、請求項１に記載のレーザー素子。
  11. 前記第２クラッド層は、一方向に行くほど幅が細くなるように形成される、請求項１に記載のレーザー素子。
  12. 第１クラッド層上に第１光導波路を形成するステップと、
    前記第１クラッド層上に第２光導波路を形成するステップと、
    前記第１光導波路と前記第２光導波路上に第２クラッド層を形成するステップと、
    前記第２クラッド層をエッチングして複数の第２クラッド層に分割するステップと、
    複数のチップに切断するステップとを含み、
    前記第２光導波路を形成するステップは、
    前記第１光導波路をエッチングして複数の第１光導波路に分割し、前記第１光導波路がエッチングされた領域に第２光導波路を形成し、
    前記複数の第１光導波路は、前記第２クラッド層の長手方向に互いにずらして配置され、
    複数のチップに切断する際に、各チップ上に前記第２クラッド層のダミークラッドを形成し、
    前記ダミークラッドは、前記ダミークラッドの厚さ方向において前記第１光導波路の活性層と重なっていない、レーザー素子の製造方法。
  13. 前記複数の第２クラッド層に分割するステップは、
    前記第２クラッド層をエッチングして複数の第２クラッド層に分割し、
    複数の第２クラッド層は、それぞれ前記複数の第１光導波路上に配置される、請求項１２に記載のレーザー素子の製造方法。
  14. 複数の第２クラッド層は、長さ方向に互いにずらして配置される、請求項１３に記載のレーザー素子の製造方法。
  15. 前記複数の第２クラッド層は、複数のチップ単位領域にそれぞれ配置され、
    前記第２クラッド層の両端は、前記チップ単位領域の外側に延びる、請求項１３に記載のレーザー素子の製造方法。
  16. 前記複数のチップに切断するステップで、
    前記第２クラッド層の長さ方向と垂直な方向に切断するとき、前記複数の第２クラッド層の両末端が一部切断されるようにチップを分離する、請求項１３に記載のレーザー素子の製造方法。
  17. 前記複数の第２クラッド層を形成するステップは、
    前記第２クラッド層の一端の幅が細くなるように形成する、請求項１２に記載のレーザー素子の製造方法。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294297A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2009044145A (ja) 2007-07-18 2009-02-26 Nichia Corp 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子
US20090296765A1 (en) 2008-06-03 2009-12-03 Toru Takayama Semiconductor laser device
US20110026554A1 (en) 2007-07-18 2011-02-03 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser element
JP2012235069A (ja) 2011-05-09 2012-11-29 Furukawa Electric Co Ltd:The 光集積素子の製造方法
US20160300979A1 (en) 2013-10-24 2016-10-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Superluminescent diode and method for implementing the same
US20180301866A1 (en) 2015-10-06 2018-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor laser and semiconductor laser arrangement

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5261857B2 (ja) * 2001-09-21 2013-08-14 日本電気株式会社 端面発光型半導体レーザおよび半導体レーザ・モジュール
TWI262639B (en) * 2005-06-16 2006-09-21 Ind Tech Res Inst Semiconductor laser device
KR100670831B1 (ko) * 2005-12-12 2007-01-19 한국전자통신연구원 레이저 다이오드 및 그 제조 방법
JP2009054636A (ja) * 2007-08-23 2009-03-12 Panasonic Corp 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザバーの検査方法
KR100958338B1 (ko) * 2007-12-18 2010-05-17 한국전자통신연구원 광 증폭기가 집적된 슈퍼루미네슨트 다이오드 및 이를이용한 외부 공진 레이저
JP2009200478A (ja) * 2008-01-21 2009-09-03 Sanyo Electric Co Ltd 半導体レーザ素子およびその製造方法
US8934512B2 (en) * 2011-12-08 2015-01-13 Binoptics Corporation Edge-emitting etched-facet lasers
KR101906587B1 (ko) * 2015-06-19 2018-10-12 한국전자통신연구원 파장 가변 레이저 장치

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005294297A (ja) 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2009044145A (ja) 2007-07-18 2009-02-26 Nichia Corp 窒化物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化物半導体レーザ素子
US20110026554A1 (en) 2007-07-18 2011-02-03 Nichia Corporation Nitride semiconductor laser element
US20090296765A1 (en) 2008-06-03 2009-12-03 Toru Takayama Semiconductor laser device
CN101599617A (zh) 2008-06-03 2009-12-09 松下电器产业株式会社 半导体激光器装置
JP2009295680A (ja) 2008-06-03 2009-12-17 Panasonic Corp 半導体レーザ装置
JP2012235069A (ja) 2011-05-09 2012-11-29 Furukawa Electric Co Ltd:The 光集積素子の製造方法
US20160300979A1 (en) 2013-10-24 2016-10-13 Electronics And Telecommunications Research Institute Superluminescent diode and method for implementing the same
US20180301866A1 (en) 2015-10-06 2018-10-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Semiconductor laser and semiconductor laser arrangement

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