JPS625682A - 半導体レ−ザ - Google Patents
半導体レ−ザInfo
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- JPS625682A JPS625682A JP60147433A JP14743385A JPS625682A JP S625682 A JPS625682 A JP S625682A JP 60147433 A JP60147433 A JP 60147433A JP 14743385 A JP14743385 A JP 14743385A JP S625682 A JPS625682 A JP S625682A
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- Japan
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- region
- diffraction grating
- light
- refractive index
- active region
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2237—Buried stripe structure with a non-planar active layer
-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
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Landscapes
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は長距離大容量光ファイバ用光源に適する動的
単一モード半導体レーザに関するものでるる。
単一モード半導体レーザに関するものでるる。
第３図は従来の半導体レーザを示す断面図であり、 （
ｔｏｌ）はインジウム燐化合物半導体（以下ＩｎＰと略
記）基板、 （１０２）は、 １ｎＰ基板（１０１）上
に形成されたＩｎＰエピタキシャル領域、 （１０３）
はＩｎＰエピタキシャル領域上に形成された同じくＩｎ
Ｐエピタキシャル領域、 （１０４）はｌｎＰエピタキ
シャル領域（１０２） 、（１０３）に異方性エツチン
グ等であけられた溝に形成されたＩｎＰエピタキシャル
領域、（１０５）は活性領域であってこ＼ではｌｎＰエ
ピタキシャル領域（１０４）上に形成さ−ｒしたインジ
ウム・ガリウム・砒素・燐化合物半導体（以下ＩｎＧａ
ＡｓＰと略記）エピタキシャル領域、 （１０６）はＩ
ｎＰエピタキシャル領域（１０３） 及ヒ１ｎＧａＡｓ
Ｐエピタキシャル領域（１０５）上に形成されたＩｎＰ
エピタキシャル領域（１０７）はＩｎＰエピタキシャル
領域上に形成された電極、（１０８）は、 ＩｎＰ基板
の裏面に形成された電極である。
ｔｏｌ）はインジウム燐化合物半導体（以下ＩｎＰと略
記）基板、 （１０２）は、 １ｎＰ基板（１０１）上
に形成されたＩｎＰエピタキシャル領域、 （１０３）
はＩｎＰエピタキシャル領域上に形成された同じくＩｎ
Ｐエピタキシャル領域、 （１０４）はｌｎＰエピタキ
シャル領域（１０２） 、（１０３）に異方性エツチン
グ等であけられた溝に形成されたＩｎＰエピタキシャル
領域、（１０５）は活性領域であってこ＼ではｌｎＰエ
ピタキシャル領域（１０４）上に形成さ−ｒしたインジ
ウム・ガリウム・砒素・燐化合物半導体（以下ＩｎＧａ
ＡｓＰと略記）エピタキシャル領域、 （１０６）はＩ
ｎＰエピタキシャル領域（１０３） 及ヒ１ｎＧａＡｓ
Ｐエピタキシャル領域（１０５）上に形成されたＩｎＰ
エピタキシャル領域（１０７）はＩｎＰエピタキシャル
領域上に形成された電極、（１０８）は、 ＩｎＰ基板
の裏面に形成された電極である。
従来の半導体レーザは上記のように構成され、電極（１
０７） 、（１０８）から与えらｔ”する注入電流は活
性領域（１０５）に集中するようにＩｎＰエピタキシャ
ル領域（１０２） 、（１０３）両者間は逆方向となる
ようにＰ、ｎの伝導形が選択されてお！ｌｌまた。活性
領域（１０５）に発光域が集中するよりに、この部分（
１ｎＧａＡｓＰ）の県側帯幅が周囲（ＩｎＰ ）より小
に選ばれさらに、この部分に光の閉じ込めが完成するよ
うに周囲より屈折率が犬となるようになっているりこの
ようになっているため、狭い活性領域（１０５）に高密
度の光の束が閉じ込められ、互に干渉し合うことにより
、第３図紙面に垂直な方向にレーザ光の放出が行わｎる
り 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような従来の半導体レーザは高出力の点ですぐれ
ている反面発振波長の安定性に欠ける欠点が有るっそこ
で従来から知らｉ”している回折格子を用いて安定化す
る方法を適用すると第３図で■ＩＶ断面を取ると第４図
に示す断面図の如き構造が考えらｒＬる。第４図では中
央の部分に実際に見えるのはＩｎＰエピタキシャル領域
（ｔｏ６）が見えるはずであるが、こ＼では便宜上同一
形状の活性領域（ｔＯＳ）を示した。活性領域（１０５
）の長手方向に一定間隔で、この領域（１０５）の幅が
変化する。光の性質上この一定間隔で定まるある特定波
長の光のみを反射するので、この波長の光が活性領域（
１０ｓ ）中を多数回°往復することになシ極めて発振
波長の変動の少ない、いわゆる動的単一モードの発振が
生ずるはずである。しかしながら活性領域（１０５）の
平均の幅は約２μ扉であり、極めて細いため。
０７） 、（１０８）から与えらｔ”する注入電流は活
性領域（１０５）に集中するようにＩｎＰエピタキシャ
ル領域（１０２） 、（１０３）両者間は逆方向となる
ようにＰ、ｎの伝導形が選択されてお！ｌｌまた。活性
領域（１０５）に発光域が集中するよりに、この部分（
１ｎＧａＡｓＰ）の県側帯幅が周囲（ＩｎＰ ）より小
に選ばれさらに、この部分に光の閉じ込めが完成するよ
うに周囲より屈折率が犬となるようになっているりこの
ようになっているため、狭い活性領域（１０５）に高密
度の光の束が閉じ込められ、互に干渉し合うことにより
、第３図紙面に垂直な方向にレーザ光の放出が行わｎる
り 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記のような従来の半導体レーザは高出力の点ですぐれ
ている反面発振波長の安定性に欠ける欠点が有るっそこ
で従来から知らｉ”している回折格子を用いて安定化す
る方法を適用すると第３図で■ＩＶ断面を取ると第４図
に示す断面図の如き構造が考えらｒＬる。第４図では中
央の部分に実際に見えるのはＩｎＰエピタキシャル領域
（ｔｏ６）が見えるはずであるが、こ＼では便宜上同一
形状の活性領域（ｔＯＳ）を示した。活性領域（１０５
）の長手方向に一定間隔で、この領域（１０５）の幅が
変化する。光の性質上この一定間隔で定まるある特定波
長の光のみを反射するので、この波長の光が活性領域（
１０ｓ ）中を多数回°往復することになシ極めて発振
波長の変動の少ない、いわゆる動的単一モードの発振が
生ずるはずである。しかしながら活性領域（１０５）の
平均の幅は約２μ扉であり、極めて細いため。
まず第１に精度良く一定間隔の回折格子を形成すること
が困難なことや３日月状の先の細い部分にある回折格子
までは、光の密度が小さく１回折格子から光が受ける影
響が小さいこと等の問題点が有った。
が困難なことや３日月状の先の細い部分にある回折格子
までは、光の密度が小さく１回折格子から光が受ける影
響が小さいこと等の問題点が有った。
この発明はこのよりな問題点を解決するためになされた
もので１回折格子を活性領域のように面積の小なる部分
に配置するかわシに、他の面積の大なる部分に設けるよ
うにし、製造が容易で回折格子の帰還がか＼シ易いいわ
ゆる動的単一モードの半導体レーザを得ることを目的と
しているコ〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体レーザは、活性領域近傍に、これ
より屈折率が大なる回折格子領域を接近しかつ平行に配
置したものである。
もので１回折格子を活性領域のように面積の小なる部分
に配置するかわシに、他の面積の大なる部分に設けるよ
うにし、製造が容易で回折格子の帰還がか＼シ易いいわ
ゆる動的単一モードの半導体レーザを得ることを目的と
しているコ〔問題点を解決するための手段〕 この発明に係る半導体レーザは、活性領域近傍に、これ
より屈折率が大なる回折格子領域を接近しかつ平行に配
置したものである。
この発明においては１回折格子領域が屈折率の関係で活
性領域より光を一旦取り込み、その中の回折格子の働き
により一定の波長の光だけを反射させ再び活性領域にこ
の波長の光だけをもどすので活性領域内に単一モードの
レーザ発振を起こさせるっ 〔実施列〕 第１図はこの発明の一実施例を示す断面図でるり、 （
１０１ＸＬ０３）（１０４ＸＬＯ５）（ＬＯ６ＸＬＯ７
） および（１０８）は前記従来の半導体レーザと全く
同一のものである。（ＬＯ２Ａ）ｔｊ：前記従来のもの
のｌｎＰエピタキシャル領域（１０２）＋に相当する回
折格子領域であって、この実施列ではムｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ Ｐエピタキシャル領域でアシ、活性領域（１０５
）と比べて、その禁制帯幅が小、その屈折率が犬となる
ように選ばれている。この回折格子領域（ＬＯ２Ａ）に
刻まれている回折格子の形状は第り図の■■断面を示す
第２図の如く、活性領域（１０５）の長手方向に垂直な
方向に波状ノ溝が一定間隔で並んでいるようになってい
る〇この実施列は以上のように構成したので、回折格子
領域（１０２Ａ）の屈折率が活性領域（１０５）よυ大
であるためいわゆるリーキー（ｌｅａｋｙ）モードとし
て知られているように活性領域（１０５）から回折格子
領域（ＬＯ２Ａ）に光が漏れ出す。この時第１図かられ
かるように両者間には、両者より屈折率の小なるｌｎＰ
エピタキシャル領域（１６４）の部分が存在するため透
過し得ないように思われるが現実に透過が起きることが
確められ、その理由としては。
性領域より光を一旦取り込み、その中の回折格子の働き
により一定の波長の光だけを反射させ再び活性領域にこ
の波長の光だけをもどすので活性領域内に単一モードの
レーザ発振を起こさせるっ 〔実施列〕 第１図はこの発明の一実施例を示す断面図でるり、 （
１０１ＸＬ０３）（１０４ＸＬＯ５）（ＬＯ６ＸＬＯ７
） および（１０８）は前記従来の半導体レーザと全く
同一のものである。（ＬＯ２Ａ）ｔｊ：前記従来のもの
のｌｎＰエピタキシャル領域（１０２）＋に相当する回
折格子領域であって、この実施列ではムｎ Ｇ ａ Ａ
ｓ Ｐエピタキシャル領域でアシ、活性領域（１０５
）と比べて、その禁制帯幅が小、その屈折率が犬となる
ように選ばれている。この回折格子領域（ＬＯ２Ａ）に
刻まれている回折格子の形状は第り図の■■断面を示す
第２図の如く、活性領域（１０５）の長手方向に垂直な
方向に波状ノ溝が一定間隔で並んでいるようになってい
る〇この実施列は以上のように構成したので、回折格子
領域（１０２Ａ）の屈折率が活性領域（１０５）よυ大
であるためいわゆるリーキー（ｌｅａｋｙ）モードとし
て知られているように活性領域（１０５）から回折格子
領域（ＬＯ２Ａ）に光が漏れ出す。この時第１図かられ
かるように両者間には、両者より屈折率の小なるｌｎＰ
エピタキシャル領域（１６４）の部分が存在するため透
過し得ないように思われるが現実に透過が起きることが
確められ、その理由としては。
コＣ） 領域（１０４）の挾まれている部分の長さが問
題にしている光の波長と同程度かそれより短いためでる
ると考えられる。
題にしている光の波長と同程度かそれより短いためでる
ると考えられる。
このようにして透過した光は、もし回折格子がない場合
は、活性領域から漏れた光は元にもどらないためレーザ
発振の効率を低下させるが回折格子がめるためそのよう
な低下が生じないようになっている。すなわち、第５図
は５第１図の左側の回折格子領域（ＬＯ２Ａ）と活性領
域＜ １０５ ）の境界附近を紙面上方から見た図で６
Ｄ、中央の縦の線（１０９，）は両者の境界でろυ、こ
の線（１０９）の左側が、回折格子領域（ＬＯ２Ａ）右
側が活性領域（１０５）であシ。
は、活性領域から漏れた光は元にもどらないためレーザ
発振の効率を低下させるが回折格子がめるためそのよう
な低下が生じないようになっている。すなわち、第５図
は５第１図の左側の回折格子領域（ＬＯ２Ａ）と活性領
域＜ １０５ ）の境界附近を紙面上方から見た図で６
Ｄ、中央の縦の線（１０９，）は両者の境界でろυ、こ
の線（１０９）の左側が、回折格子領域（ＬＯ２Ａ）右
側が活性領域（１０５）であシ。
横の一点鎖線（１１０）は法線であり回折格子領域（Ｌ
Ｏ２Ａ）中の６本の二点鎖線（ｔｔＢは回折格子の山の
位置または谷の位置を示した模式図である。活性領域（
ｔｏ５）中の光は第５図において紙面上方から五万また
はＦ方から上方の方向のみ存在すると考えらｒｔている
から実線で示した入射光（１１２） 。
Ｏ２Ａ）中の６本の二点鎖線（ｔｔＢは回折格子の山の
位置または谷の位置を示した模式図である。活性領域（
ｔｏ５）中の光は第５図において紙面上方から五万また
はＦ方から上方の方向のみ存在すると考えらｒｔている
から実線で示した入射光（１１２） 。
透過光（１１３）を考えると、入射光（１１２）は９０
’の入射角で人射し、透過光（１１３）はθなる屈折角
をもって透過する。とのθは先に述べたように活性領域
（１０５）と回折格子領域（ＬＯ２Ａ）とは直接接して
いないので１通常の屈折に関する方程式から求めるわけ
にはいかないが実測によって両領域の形状、屈折率比等
が定まればるる一定の角度として求めることが出来る。
’の入射角で人射し、透過光（１１３）はθなる屈折角
をもって透過する。とのθは先に述べたように活性領域
（１０５）と回折格子領域（ＬＯ２Ａ）とは直接接して
いないので１通常の屈折に関する方程式から求めるわけ
にはいかないが実測によって両領域の形状、屈折率比等
が定まればるる一定の角度として求めることが出来る。
第５図にもどって回折格子の間隔をｌとすると透過光（
ｔｔａ）はこの間を１！／ｓｉｎθなる距離伝播する。
ｔｔａ）はこの間を１！／ｓｉｎθなる距離伝播する。
このｌ！／ ｓ ｉ ｎθが丁度この透過光（１１３）
の反射の条件に合うよう元のｌを選ぶことにより透過光
（１１３）を反射させることが出来る。このようにして
反射された破線で示した反射光（１１４）は幾何光学上
の原理に基づき、もと来た径路をたどって破線で示した
透過光（ｔｔＳ）の如く最初の入射光（１１２）に対し
逆向きの光として、活性領域（１０５）にもどって来ろ
う以上の説明は第５図の紙面上方からＦ方に向う光につ
いて行ったが、ｆ方から上方に向う光についても同様の
ことが言え、さらには、第１図において右側の回折格子
領域（１０２Ａ）と活性領域（１０５）の間についても
同様であるり従ってこの実施例の場合回折格子で精度良
く選別された光のみが活性領域（１０５）を多数回往復
することになり波長のそろったいわゆる動的単一モード
のレーザ発振を可能にする。
の反射の条件に合うよう元のｌを選ぶことにより透過光
（１１３）を反射させることが出来る。このようにして
反射された破線で示した反射光（１１４）は幾何光学上
の原理に基づき、もと来た径路をたどって破線で示した
透過光（ｔｔＳ）の如く最初の入射光（１１２）に対し
逆向きの光として、活性領域（１０５）にもどって来ろ
う以上の説明は第５図の紙面上方からＦ方に向う光につ
いて行ったが、ｆ方から上方に向う光についても同様の
ことが言え、さらには、第１図において右側の回折格子
領域（１０２Ａ）と活性領域（１０５）の間についても
同様であるり従ってこの実施例の場合回折格子で精度良
く選別された光のみが活性領域（１０５）を多数回往復
することになり波長のそろったいわゆる動的単一モード
のレーザ発振を可能にする。
さて、問題の製造上の難易について注目すると光分広い
回折格子領域（１０２Ａ）に回折格子用の溝を切るから
、まず第１に製造が容易であることは明白でるり、さら
にこの領域（１０２Ａ）に相当量の光を導くことは容易
で回折格子による帰還を充分にかけることが出来、先に
述べた問題点を解決することが出来る。
回折格子領域（１０２Ａ）に回折格子用の溝を切るから
、まず第１に製造が容易であることは明白でるり、さら
にこの領域（１０２Ａ）に相当量の光を導くことは容易
で回折格子による帰還を充分にかけることが出来、先に
述べた問題点を解決することが出来る。
なお、上記実施例では、第２図に示す如く１回折格子領
域（ＬＯ２Ａ）のＩｎＰエピタキシギル領域（１０３）
側に回折格子用の溝を設けたが、第６図に示すように基
板（１０１）に溝を切ることにより領域（ＬＯ２Ａ）に
回折格子を形成するようにしてもよい。
域（ＬＯ２Ａ）のＩｎＰエピタキシギル領域（１０３）
側に回折格子用の溝を設けたが、第６図に示すように基
板（１０１）に溝を切ることにより領域（ＬＯ２Ａ）に
回折格子を形成するようにしてもよい。
また上記実施例では第２図に示す如く第１図の活性領域
（１０５）の長手方向に垂直な回折格子溝、を切る場合
について述べたが、任意の方向に溝を切っても同様の効
果が期待できるうただ、先に述べた活性領域（１０５）
中の２つ光の進行方向に対して対称であることが望まし
〈実施列の場合と、もう一つ回折格子溝が活性領域（１
０５）の長手方向に対し平行になる場合が好適である。
（１０５）の長手方向に垂直な回折格子溝、を切る場合
について述べたが、任意の方向に溝を切っても同様の効
果が期待できるうただ、先に述べた活性領域（１０５）
中の２つ光の進行方向に対して対称であることが望まし
〈実施列の場合と、もう一つ回折格子溝が活性領域（１
０５）の長手方向に対し平行になる場合が好適である。
また上記実施列では活性領域（１０５）と回折格子領域
（ＬＯ２Ａ）とは直接接していない場合について述べた
が直接接している場合にも同様のことが期待できること
はこｎまで説明から明らかである。
（ＬＯ２Ａ）とは直接接していない場合について述べた
が直接接している場合にも同様のことが期待できること
はこｎまで説明から明らかである。
また上記実施例ではＩｎＰおよびＩｎＧａＡｓＰ系の半
導体レーザについて述べたが例えばＧａＡｓ（ガリウム
砒素化合物半導体）およびＧａＡｌ！Ａｓ （ガリウム
・アルミニウム砒素化合物半導体〕系等の他の半導体レ
ーザについても同様なことが可能であることは言うまで
もないっ 〔発明の効果〕 この発明は以上説明したとお如、回折格子を利用した単
一モードの発振を得るのに活性領域の外側に設けられた
活性領域より広い回折格子領域で行うようにしたので１
回折格子を作るのが容易になる効果が有るり
導体レーザについて述べたが例えばＧａＡｓ（ガリウム
砒素化合物半導体）およびＧａＡｌ！Ａｓ （ガリウム
・アルミニウム砒素化合物半導体〕系等の他の半導体レ
ーザについても同様なことが可能であることは言うまで
もないっ 〔発明の効果〕 この発明は以上説明したとお如、回折格子を利用した単
一モードの発振を得るのに活性領域の外側に設けられた
活性領域より広い回折格子領域で行うようにしたので１
回折格子を作るのが容易になる効果が有るり
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図、第２図はこ
の発明の第２図における■■断面を示す断面図、第３図
は従来の半導体レーザを示す断面図、第４図は従来の第
３図におけるＩＶＩＶ断面を示す断面図、第５図はこの
発明のものの光の屈折の関係を示す模式図、第６図はこ
の発明の他の実施例を示す第１図の■■断面の変形を示
す断面図である。 図において、 （１０１）は基板、 （１０２Ａ）は
回折格子領域、（１０５）ｌ’ｉ活性領域、（ｔｏ２Ａ
）（ｔｏ３）（ｔｏ４Ｘｔｏｓ）および（１０６）はい
ずれもエピタキシャル領域、Ｃ１０７）および（１０８
）はいずｒＬも電極である。 なお、各図中同一符号は同一１だは相当部分を示すっ 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 １０２Ａ、 １０）、 １０４． ｌ０ｊｆ ｆ、よ０
”ｉｏ６ ：ユごりＡシマル々釦へｔｏ７に、ｔｖ−ｔ
ｏｅ 電極 第２図 う ｌＯθ 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） い
の発明の第２図における■■断面を示す断面図、第３図
は従来の半導体レーザを示す断面図、第４図は従来の第
３図におけるＩＶＩＶ断面を示す断面図、第５図はこの
発明のものの光の屈折の関係を示す模式図、第６図はこ
の発明の他の実施例を示す第１図の■■断面の変形を示
す断面図である。 図において、 （１０１）は基板、 （１０２Ａ）は
回折格子領域、（１０５）ｌ’ｉ活性領域、（ｔｏ２Ａ
）（ｔｏ３）（ｔｏ４Ｘｔｏｓ）および（１０６）はい
ずれもエピタキシャル領域、Ｃ１０７）および（１０８
）はいずｒＬも電極である。 なお、各図中同一符号は同一１だは相当部分を示すっ 代 理 人 大 岩 増 雄第１図 １０２Ａ、 １０）、 １０４． ｌ０ｊｆ ｆ、よ０
”ｉｏ６ ：ユごりＡシマル々釦へｔｏ７に、ｔｖ−ｔ
ｏｅ 電極 第２図 う ｌＯθ 第３図 第４図 第５図 第６図 手続補正書（自発） い
Claims (1)
- （１）基板上に形成された複数のエピタキシャル領域と
、これらに注入電流を伝える電極とを備え 前記複数のエピタキシャル領域中の活性領 域と回折格子領域において、後者は前者より屈折率が大
であるとともに、前者に近接し前記注入電流の流れを妨
げない位置に配置されていることを特徴とする半導体レ
ーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147433A JPS625682A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60147433A JPS625682A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS625682A true JPS625682A (ja) | 1987-01-12 |
Family
ID=15430213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60147433A Pending JPS625682A (ja) | 1985-07-02 | 1985-07-02 | 半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS625682A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0621448U (ja) * | 1992-05-20 | 1994-03-22 | フランスベッド株式会社 | 起床式ベッド装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119882A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS59127892A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザとその製造方法 |
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1985
- 1985-07-02 JP JP60147433A patent/JPS625682A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59119882A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-11 | Fujitsu Ltd | 分布帰還型半導体レ−ザ |
| JPS59127892A (ja) * | 1983-01-11 | 1984-07-23 | Nec Corp | 半導体レ−ザとその製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0621448U (ja) * | 1992-05-20 | 1994-03-22 | フランスベッド株式会社 | 起床式ベッド装置 |
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