JPS6184891A - 半導体レ−ザ素子 - Google Patents
半導体レ−ザ素子Info
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- JPS6184891A JPS6184891A JP59206652A JP20665284A JPS6184891A JP S6184891 A JPS6184891 A JP S6184891A JP 59206652 A JP59206652 A JP 59206652A JP 20665284 A JP20665284 A JP 20665284A JP S6184891 A JPS6184891 A JP S6184891A
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- Japan
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- semiconductor laser
- active layer
- saturable absorption
- saturable
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/48—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed
- G11B5/52—Disposition or mounting of heads or head supports relative to record carriers ; arrangements of heads, e.g. for scanning the record carrier to increase the relative speed with simultaneous movement of head and record carrier, e.g. rotation of head
- G11B5/53—Disposition or mounting of heads on rotating support
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
- G11B5/193—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features the pole pieces being ferrite or other magnetic particles
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Recording Or Reproducing By Magnetic Means (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、光出力が自己変調される半導体レーザ素子
や光出力が双安定性を有する半導体レーザ素子に関する
。
や光出力が双安定性を有する半導体レーザ素子に関する
。
一般に、半導体レーザ素子の共振器中に可飽和吸収体を
作り付けることにより、自己変調動作や光双安定動作を
起こすことが知られている。
作り付けることにより、自己変調動作や光双安定動作を
起こすことが知られている。
自己変調動作は、通常、半導体レーザ素子の共振器内部
に電流によってキャリアが励起されない非励起領域を設
けて、レーザ光に対する可飽和吸収体とすることによシ
起きる現象であ）、この時、レーザ光の縦モードが多モ
ード化し、レーザ光のコヒーレント長が短くなる。半導
体レーザ素子をビデオディスクなど光情報処理装置に組
込んだ際に、レーザ光の戻り反射光との自己干渉に起因
する雑音が問題となるが、これを抑制する有力な手段と
して、このような自己変調動作を起してコヒーレント長
の短くなった半導体レーザ素子を用いるとよい。
に電流によってキャリアが励起されない非励起領域を設
けて、レーザ光に対する可飽和吸収体とすることによシ
起きる現象であ）、この時、レーザ光の縦モードが多モ
ード化し、レーザ光のコヒーレント長が短くなる。半導
体レーザ素子をビデオディスクなど光情報処理装置に組
込んだ際に、レーザ光の戻り反射光との自己干渉に起因
する雑音が問題となるが、これを抑制する有力な手段と
して、このような自己変調動作を起してコヒーレント長
の短くなった半導体レーザ素子を用いるとよい。
又、光双安定動作は、活性層に注入される励起電流や光
入力に対して光出力が２つの安定な状態を持つ現象で、
自己変調動作と同様に非励起領域を設けた半導体レーザ
素子忙おいて、この動作が確認されている。光双安定動
作を起こす半導体レーザ素子は、現在のコンピュータに
比べ１桁から２桁速いスピードを有する光コンピュータ
などの光論理素子への応用、光通信におけるリピータな
どに用いられる光増幅素子などの応用が考えられている
。
入力に対して光出力が２つの安定な状態を持つ現象で、
自己変調動作と同様に非励起領域を設けた半導体レーザ
素子忙おいて、この動作が確認されている。光双安定動
作を起こす半導体レーザ素子は、現在のコンピュータに
比べ１桁から２桁速いスピードを有する光コンピュータ
などの光論理素子への応用、光通信におけるリピータな
どに用いられる光増幅素子などの応用が考えられている
。
ところで、半導体レーザ素子の共撮器内に非励起領域を
設ける場合、第６図に示すように非励起領域を１箇所に
集中させる場合と、第７図に示すように非励起領域を複
数に分散させる場合の２通シの場合がある。
設ける場合、第６図に示すように非励起領域を１箇所に
集中させる場合と、第７図に示すように非励起領域を複
数に分散させる場合の２通シの場合がある。
第６図は、 Ｃ８Ｐ （Ｃｈａｎｎｅｌｓｄ ５ｕｂｓ
ｔｒａｔｅ Ｐｌａｎａｒ ）構造として知られる横モ
ード制御半導体レーザ素子に、集中的な非励起領域を設
けたものである。図中の１６が亜鉛（Ｚｎ）を拡散して
導電型＋ をｐ 型としたストライプ状の領域であシ、電流はこの
ストライプ窓を通じて活性層８へ注入される。一方、図
中の共振器端面から距離Ｌａの範囲にはストライプ窓は
なく、励起が行なわれないため、活性層８は可飽和吸収
体域となる。この構造は製作が比較的容易であるが、自
己変調動作の変調周波数、変調度、可干渉性など重要な
パラメータを左右する非励起領域と電流注入領域との長
さの比（Ｌａ：Ｌｂ）を精度よく再現するのが非常に難
しい。
ｔｒａｔｅ Ｐｌａｎａｒ ）構造として知られる横モ
ード制御半導体レーザ素子に、集中的な非励起領域を設
けたものである。図中の１６が亜鉛（Ｚｎ）を拡散して
導電型＋ をｐ 型としたストライプ状の領域であシ、電流はこの
ストライプ窓を通じて活性層８へ注入される。一方、図
中の共振器端面から距離Ｌａの範囲にはストライプ窓は
なく、励起が行なわれないため、活性層８は可飽和吸収
体域となる。この構造は製作が比較的容易であるが、自
己変調動作の変調周波数、変調度、可干渉性など重要な
パラメータを左右する非励起領域と電流注入領域との長
さの比（Ｌａ：Ｌｂ）を精度よく再現するのが非常に難
しい。
第７図は、電流注入領域と非励起領域とをレーザ光導波
方向に交互に周期的に配置したものであシ、可飽和吸収
領域と電流注入領域の長さの比を比較的精度よく再現で
きるが、この構造を形成するために、ｚｎ拡散や化学エ
ツチングなど複雑な加工工程が必要であυ、素子の量産
性に問題がある。
方向に交互に周期的に配置したものであシ、可飽和吸収
領域と電流注入領域の長さの比を比較的精度よく再現で
きるが、この構造を形成するために、ｚｎ拡散や化学エ
ツチングなど複雑な加工工程が必要であυ、素子の量産
性に問題がある。
尚、上記第６図及び第７図中、２はｐ側電極金属、４は
オーミック層（ｎＧａＡｓ ） 、６はクラッド層（ｐ
ＡｌＧａＡｓ ）、８は活性層（ｐＧａＡＪＡｓ ）、
１゜はクラッド層（ｎＧａＡ）Ａｓ）、１２は結晶基板
（ｎＧａＡｓ ）、１４はｎＮ［他金属、１６はｐ領域
、１８はｐ領域である。
オーミック層（ｎＧａＡｓ ） 、６はクラッド層（ｐ
ＡｌＧａＡｓ ）、８は活性層（ｐＧａＡＪＡｓ ）、
１゜はクラッド層（ｎＧａＡ）Ａｓ）、１２は結晶基板
（ｎＧａＡｓ ）、１４はｎＮ［他金属、１６はｐ領域
、１８はｐ領域である。
第８図は、電流狭搾碩域を光導波路領域よシも狭く作）
付けることによシ、非励起領域を光導波路の両脇に設け
、可飽和吸収体とした半導体レーザ素子であるが、第゛
６図の構造と同様に非励起領域と電流注入領域との比を
精度よく再現するのが難しく、又、結晶成長を２回に分
けて行なう必要があシ、かつその間にエツチングを２回
行なわなければならないなど、製品の歩留シ、量産性に
問題がある。
付けることによシ、非励起領域を光導波路の両脇に設け
、可飽和吸収体とした半導体レーザ素子であるが、第゛
６図の構造と同様に非励起領域と電流注入領域との比を
精度よく再現するのが難しく、又、結晶成長を２回に分
けて行なう必要があシ、かつその間にエツチングを２回
行なわなければならないなど、製品の歩留シ、量産性に
問題がある。
尚、上記第８図中、２０はｎ側電極金属、２２はオーミ
ック層（ｎＧａＡｓ ） 、２４はクラッド層（ｎＡＡ
！ＧａＡｓ ）、２６は活性層、２８はクラッド層（ｐ
ＡＩＧａＡｓ ）、３０は電流阻止層（ｎＧａＡｓ ）
、３２は変形阻止）ｔＪ （ｎＡｌＧａＡｓ ）、３４
は電流阻止１４１ （ｎＧａＡｓ ）、３６は変形阻止
）ｄ （ｎＡＡ！ＧａＡｓ ）、３８は電流阻止層（ｎ
ＧａＡｓ ）、４０は結晶基板（ｐＧａＡｓ ）、４２
はｐ側電極基板である。
ック層（ｎＧａＡｓ ） 、２４はクラッド層（ｎＡＡ
！ＧａＡｓ ）、２６は活性層、２８はクラッド層（ｐ
ＡＩＧａＡｓ ）、３０は電流阻止層（ｎＧａＡｓ ）
、３２は変形阻止）ｔＪ （ｎＡｌＧａＡｓ ）、３４
は電流阻止１４１ （ｎＧａＡｓ ）、３６は変形阻止
）ｄ （ｎＡＡ！ＧａＡｓ ）、３８は電流阻止層（ｎ
ＧａＡｓ ）、４０は結晶基板（ｐＧａＡｓ ）、４２
はｐ側電極基板である。
この発明の目的は、多岐に亙る応用が可能であり、共振
器内部に可飽和吸収領域を作り付けたものを歩留りよく
量産できる半導体レーザ素子を提供することである。
器内部に可飽和吸収領域を作り付けたものを歩留りよく
量産できる半導体レーザ素子を提供することである。
この発明は、電流注入により光に対し利得を有する活性
層と、この活性層より屈折率の低いクラッド層と、上記
活性層と組成がほぼ同じであシレーザ光に対し可飽和吸
収特性を有する層とを少なくとも備えた半導体レーザ素
子において、上記活性層と可飽和吸収特性を有する層が
結合光導波路として働く徨度に近接している半導体レー
ザ素子である。
層と、この活性層より屈折率の低いクラッド層と、上記
活性層と組成がほぼ同じであシレーザ光に対し可飽和吸
収特性を有する層とを少なくとも備えた半導体レーザ素
子において、上記活性層と可飽和吸収特性を有する層が
結合光導波路として働く徨度に近接している半導体レー
ザ素子である。
〔発明の実施例〕
先ず、この発明の基本的購成について説明すると、第１
図に示すように電流注入によシ光に対して利得を有する
活性層４６、及びこの活性層４６と組成がほぼ同じであ
りレーザ光に対し可飽和吸収特性を有する薄膜層５０に
より、クラッド層４８を挟んだ積層構造を基本としてい
る。上記活性Ｊ＠４６内では、キャリアの際結合により
光の誘導放出が起きる。一方、薄膜層５０では、少数キ
ャリアの注入がないため励起が行なわれず、かつ活性層
４６とエネルギーパンドギャップが等しいことから、レ
ーザ光に対して可飽和吸収層域を有している。以下、こ
の薄膜層５０を可飽和吸収層と呼ぶことにする。
図に示すように電流注入によシ光に対して利得を有する
活性層４６、及びこの活性層４６と組成がほぼ同じであ
りレーザ光に対し可飽和吸収特性を有する薄膜層５０に
より、クラッド層４８を挟んだ積層構造を基本としてい
る。上記活性Ｊ＠４６内では、キャリアの際結合により
光の誘導放出が起きる。一方、薄膜層５０では、少数キ
ャリアの注入がないため励起が行なわれず、かつ活性層
４６とエネルギーパンドギャップが等しいことから、レ
ーザ光に対して可飽和吸収層域を有している。以下、こ
の薄膜層５０を可飽和吸収層と呼ぶことにする。
上記活性層４６と可飽和吸収層５０が近接しているため
、活性層４６を導波するレーザ光は、一部可飽和吸収層
５０に結合して導波する。尚、第１図中、４４はクラッ
ド層、４８はクラッド層、５２はクラッド層である。又
、５４は屈折率分布曲線、５６は光強度分布曲線である
。
、活性層４６を導波するレーザ光は、一部可飽和吸収層
５０に結合して導波する。尚、第１図中、４４はクラッ
ド層、４８はクラッド層、５２はクラッド層である。又
、５４は屈折率分布曲線、５６は光強度分布曲線である
。
以上述べた構造は、半導体レーザ素子の共振器内部に可
飽和吸収体を設けたものとなる。共振器内で可飽和吸収
体を持っＬＤｆｉ町飽和吸収の大きさ、内部ダインの大
きさ等の条件によってＱ −ＳＷ短・ぐルス発振を行な
ったり、光双安定の性質を持ったりする。このため、上
記構造を半導体レーザ素子に組込むことにより、自己変
調型の半導体レーザ素子、光双安定半導体レーザ素子が
実現される。
飽和吸収体を設けたものとなる。共振器内で可飽和吸収
体を持っＬＤｆｉ町飽和吸収の大きさ、内部ダインの大
きさ等の条件によってＱ −ＳＷ短・ぐルス発振を行な
ったり、光双安定の性質を持ったりする。このため、上
記構造を半導体レーザ素子に組込むことにより、自己変
調型の半導体レーザ素子、光双安定半導体レーザ素子が
実現される。
従来の自己変調型半導体レーザ素子などにおいて、非励
起活性層による可飽和吸収体を形成するには、種々の加
工プロセスが必要とされた。
起活性層による可飽和吸収体を形成するには、種々の加
工プロセスが必要とされた。
これに対し、この発明においては、１回の多層膜結晶成
長のみで可飽和吸収体を形成できるという特徴を持って
いる。この結晶成長においては、活性層４６と可飽和吸
収層５０の光の結合効率を決定するクラット９層４８の
膜厚及び組成、可飽和吸収＄４ ｇ ｏの特性を決定す
る組成や膜厚を精度よく再現する必要がある。このため
、素子の製造には、数１００Ｘ以下の膜厚制御性を持ち
、かつ、聴産性の高い気相エピタキシャル成長法、有機
金属熱分解成長法及び分子線エピタキシャル成長法など
が適している。
長のみで可飽和吸収体を形成できるという特徴を持って
いる。この結晶成長においては、活性層４６と可飽和吸
収層５０の光の結合効率を決定するクラット９層４８の
膜厚及び組成、可飽和吸収＄４ ｇ ｏの特性を決定す
る組成や膜厚を精度よく再現する必要がある。このため
、素子の製造には、数１００Ｘ以下の膜厚制御性を持ち
、かつ、聴産性の高い気相エピタキシャル成長法、有機
金属熱分解成長法及び分子線エピタキシャル成長法など
が適している。
次に、Ｃ８Ｐ構造にこの発明を適用した実施例を第２図
に示す。即ち、図中の（、）は活性層１１８の上に可飽
和吸収層１１４を設けたものであり、（ｂ）は活性層８
４の下に可飽和吸収層１２２を設けたものである。尚、
第２図中、９２はｐ 領域、７８は電極金属、８０はオ
ーミック層（碩ａＡｓ）、８２はクラッド層、８６はク
ラッドｊ鰻、８８はオーミック層（基板層）、９０は電
極金属、１１６はクラッド層（ｐＡＪＩＧａＡｓ ）、
１２０はり２．ド層（ｎＡＪＧａＡｓ ）である。
に示す。即ち、図中の（、）は活性層１１８の上に可飽
和吸収層１１４を設けたものであり、（ｂ）は活性層８
４の下に可飽和吸収層１２２を設けたものである。尚、
第２図中、９２はｐ 領域、７８は電極金属、８０はオ
ーミック層（碩ａＡｓ）、８２はクラッド層、８６はク
ラッドｊ鰻、８８はオーミック層（基板層）、９０は電
極金属、１１６はクラッド層（ｐＡＪＩＧａＡｓ ）、
１２０はり２．ド層（ｎＡＪＧａＡｓ ）である。
次に、第３図はいわゆる内部ストライプ構造にこの発明
を適用したもので、第２図と同様に図中の（ａ）は活性
層１３６の上に可飽和吸収層１３２を設けたものであり
、（ｂ）は活性層１３６の下に可飽和吸収層１４θを
設けたものである。
を適用したもので、第２図と同様に図中の（ａ）は活性
層１３６の上に可飽和吸収層１３２を設けたものであり
、（ｂ）は活性層１３６の下に可飽和吸収層１４θを
設けたものである。
尚、第３図中、１２６は電極金属、１２８はオーミ、り
４ （ｎＧａＡｓ ）、１３０はクラッド層（ｎＡＡ！
ＧａＡｓ）、１３４はクラッド層（ｎＡＡＧａＡｓ ）
、１３７はクラッド層（ｐＡＡ！ＧａＡｓ ） 、１３
Ｂは電流阻止層（ｎＧａＡｓ ）、１４０は結晶基板
（ｐＧａＡｓ ） 、１４２は電極金属である。
４ （ｎＧａＡｓ ）、１３０はクラッド層（ｎＡＡ！
ＧａＡｓ）、１３４はクラッド層（ｎＡＡＧａＡｓ ）
、１３７はクラッド層（ｐＡＡ！ＧａＡｓ ） 、１３
Ｂは電流阻止層（ｎＧａＡｓ ）、１４０は結晶基板
（ｐＧａＡｓ ） 、１４２は電極金属である。
次に、第４図はＢＨ（Ｂｕｒｉｅｄ Ｈ＠ｔｅｒｓ ）
４７４造として知られる横モード制御型半導体レーザ
素子にこの発明を適用したもので、第２図と同様に図中
の（ａ）は活性層１６０の上に可飽和吸収Ｍ１５８を設
けたものであり、（ｂ）は活性層１６０の下に可飽和吸
収層１６４を設けたものである。尚、第４図中、７８は
電極金属、１４８は埋込み層（ｎＡ！Ｇ＊Ａｓ ）、１
５０は埋込み層（ｐＡＡ’ＧａＡｓ ）、１５２は結晶
基板（ｎＧａＡｓ ）、９θは電極金属、１５４はオー
ミック層（ｐＧａＡｓ ）、１５６はクラッド層（ｐＡ
ＪＧａＡｓ ）、１６２はクラッド層（ｎＡＡ！ＧａＡ
ａ ）である。
４７４造として知られる横モード制御型半導体レーザ
素子にこの発明を適用したもので、第２図と同様に図中
の（ａ）は活性層１６０の上に可飽和吸収Ｍ１５８を設
けたものであり、（ｂ）は活性層１６０の下に可飽和吸
収層１６４を設けたものである。尚、第４図中、７８は
電極金属、１４８は埋込み層（ｎＡ！Ｇ＊Ａｓ ）、１
５０は埋込み層（ｐＡＡ’ＧａＡｓ ）、１５２は結晶
基板（ｎＧａＡｓ ）、９θは電極金属、１５４はオー
ミック層（ｐＧａＡｓ ）、１５６はクラッド層（ｐＡ
ＪＧａＡｓ ）、１６２はクラッド層（ｎＡＡ！ＧａＡ
ａ ）である。
又、上記実施例及び変形例においては、ＡＪＡｓ−Ｇａ
Ａｓ混晶を材料とする半導体レーザ素子にこの発明を適
用したが、ＺｎＰ−ＧａＡｓ混晶など他の■−ｖ族、■
−■族半導体を用いた半導体レーザ素子についても、こ
の発明の適用は可能である。その−例を第５図に示す。
Ａｓ混晶を材料とする半導体レーザ素子にこの発明を適
用したが、ＺｎＰ−ＧａＡｓ混晶など他の■−ｖ族、■
−■族半導体を用いた半導体レーザ素子についても、こ
の発明の適用は可能である。その−例を第５図に示す。
即ち、この例は面発光型半導体レーザ素子と呼ばれる半
導体レーザ素子にこの発明を適用したものである。尚、
図中、１６６は端面保１１癲膜、１６８は電極金属、１
７０は結晶基板（ｎ１ｎＰ ）、１７２はクラッド層（
ｎＩｎＰ）、１７４は可飽和吸収層（ｎＩｎＧａＡａＰ
）、１７６はクラッド層（ｎＩｎＰ ）、１７８は活
性１ｆ４ （ＩｎＧａＡａＰ）、１８０はクラ、ド層（
ｐＩｎＰ ）、１８２は絶縁膜、１８４は電極金属であ
る。
導体レーザ素子にこの発明を適用したものである。尚、
図中、１６６は端面保１１癲膜、１６８は電極金属、１
７０は結晶基板（ｎ１ｎＰ ）、１７２はクラッド層（
ｎＩｎＰ）、１７４は可飽和吸収層（ｎＩｎＧａＡａＰ
）、１７６はクラッド層（ｎＩｎＰ ）、１７８は活
性１ｆ４ （ＩｎＧａＡａＰ）、１８０はクラ、ド層（
ｐＩｎＰ ）、１８２は絶縁膜、１８４は電極金属であ
る。
この発明によれば、共振器内部に可飽和吸収体を作シ付
けた半導体レーザ素子を歩留り良く生産することができ
るようになり、光情報処理用の自己変調型半導体レーザ
素子、光コンピユータ用の光双安定半導体レーザ素子、
光増幅素子などを量産できるようになる。
けた半導体レーザ素子を歩留り良く生産することができ
るようになり、光情報処理用の自己変調型半導体レーザ
素子、光コンピユータ用の光双安定半導体レーザ素子、
光増幅素子などを量産できるようになる。
尚、この発明と類似の構造を持つものに、第９図に示す
ような光増幅機能素子（特開５５−１０７２８０号公報
）がある。この素子は■ワＩｎＧａＡｇＰ系の材料を用
いて、活性層（ｎＩｎＧａＡａＰ） ６２とクラッド層
（ｎＩｎＰ） ６４及び可飽和吸収層（ｎｌｎＧａＡｓ
Ｐ）６６の３層の積層構造となっている。しかし、この
素子における可飽和吸収層６６は活性層６２より発生す
る光がフォトディテクタ一部（ｐＩｎＧａＡｓＰ）７０
に帰還するのを防ぐために、光を安全に吸収するための
ものであシ、この発明とは目的が異なる。又、半導体レ
ーザ素子の共振器内に可飽和吸収層を作シ付けた構造と
はなっていないので、この発明によるような効果は起ら
ない。
ような光増幅機能素子（特開５５−１０７２８０号公報
）がある。この素子は■ワＩｎＧａＡｇＰ系の材料を用
いて、活性層（ｎＩｎＧａＡａＰ） ６２とクラッド層
（ｎＩｎＰ） ６４及び可飽和吸収層（ｎｌｎＧａＡｓ
Ｐ）６６の３層の積層構造となっている。しかし、この
素子における可飽和吸収層６６は活性層６２より発生す
る光がフォトディテクタ一部（ｐＩｎＧａＡｓＰ）７０
に帰還するのを防ぐために、光を安全に吸収するための
ものであシ、この発明とは目的が異なる。又、半導体レ
ーザ素子の共振器内に可飽和吸収層を作シ付けた構造と
はなっていないので、この発明によるような効果は起ら
ない。
尚、第９図中、５８はｐ側電極金属、６０は閉込め層（
ｐＩｎＰ ）、７２はエミツタ層（ｎ１ｎＰ ）、７４
は結晶基板（ｎ１ｎＰ ）、７６はｎＮ電極金属である
。
ｐＩｎＰ ）、７２はエミツタ層（ｎ１ｎＰ ）、７４
は結晶基板（ｎ１ｎＰ ）、７６はｎＮ電極金属である
。
次に第１０図に示すようなＣ８Ｐ傳造においては、活性
層８４内を導波するレーザ光の横モードを制御する目的
で、活性層８４と基板層８８を溝物８７の両脇で近接さ
せ、基板層８８にレーザ光の一部を吸収させている。こ
の構造の場合、活性層８４内を導波するレーザ光が一部
吸収すれる点においては、この発明と類似しているが、
基板の厚さが数１０μｍ以上と厚いため、基板Ｍ８８に
結合した光は基板内部に完全に散乱吸収され、吸収が飽
和することはない。尚、第１０図中、７８は電極金属、
８０はオーミック層（ｒＩＧａＡｓ ）、８２はクラ、
ド層、８６はクラッド層、９０は電極金属、９２はｐ
領域である。
層８４内を導波するレーザ光の横モードを制御する目的
で、活性層８４と基板層８８を溝物８７の両脇で近接さ
せ、基板層８８にレーザ光の一部を吸収させている。こ
の構造の場合、活性層８４内を導波するレーザ光が一部
吸収すれる点においては、この発明と類似しているが、
基板の厚さが数１０μｍ以上と厚いため、基板Ｍ８８に
結合した光は基板内部に完全に散乱吸収され、吸収が飽
和することはない。尚、第１０図中、７８は電極金属、
８０はオーミック層（ｒＩＧａＡｓ ）、８２はクラ、
ド層、８６はクラッド層、９０は電極金属、９２はｐ
領域である。
又、第１０図において、活性層８４の組成がＧａＡｓで
あり、かつｎ−ＧａＡｓで作られているオーミ、り層８
０が近接している場合には、この発明と同様な効果が考
えられるが、一般的な活性層の組成であ６ ｋｌｘＧａ
１−ｘＡｌｌ（０（ｘ （１）に対しては、活性層８
４とオーミック層８０のエネルギーバンドギャップが異
なるため、可飽和吸収効果は起らない。又、オーミック
層８ｏは電極付けなどの加工工程の間に光吸収体となる
種々の欠陥が生じ、かつ、その制御が非常に困難であり
、この発明で目的とする分野には不適当である。
あり、かつｎ−ＧａＡｓで作られているオーミ、り層８
０が近接している場合には、この発明と同様な効果が考
えられるが、一般的な活性層の組成であ６ ｋｌｘＧａ
１−ｘＡｌｌ（０（ｘ （１）に対しては、活性層８
４とオーミック層８０のエネルギーバンドギャップが異
なるため、可飽和吸収効果は起らない。又、オーミック
層８ｏは電極付けなどの加工工程の間に光吸収体となる
種々の欠陥が生じ、かつ、その制御が非常に困難であり
、この発明で目的とする分野には不適当である。
その他、ＩＴＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｔｗｉｎ Ｇ
ｕｌｄｅ ）レーザも類似の構造を持ち、概念図を第１
１図に示す。このＩＴＧレーザにおいては、活性層１０
２、クラッド層１０４、光導波路層１０６の３層を積層
している。この場合、光導波路層１０６のエネルギーバ
ンドギャップは活性層１０２のギヤ、デよシも大きく、
この発明のような光吸収は起こらない。尚、第１１図中
、９４は電極金属、９６は絶縁膜、９８はオーミック層
、１００はクラッド層、１０８はクラッド層、１１ｏは
結晶基板、１１２は電極金属である。
ｕｌｄｅ ）レーザも類似の構造を持ち、概念図を第１
１図に示す。このＩＴＧレーザにおいては、活性層１０
２、クラッド層１０４、光導波路層１０６の３層を積層
している。この場合、光導波路層１０６のエネルギーバ
ンドギャップは活性層１０２のギヤ、デよシも大きく、
この発明のような光吸収は起こらない。尚、第１１図中
、９４は電極金属、９６は絶縁膜、９８はオーミック層
、１００はクラッド層、１０８はクラッド層、１１ｏは
結晶基板、１１２は電極金属である。
第１図はこの発明の半導体レーザ素子における基本構造
を示す断面図、第２図はこの発明の一実施例に係る半導
体レーザ素子を示す断面図、第３図乃至第５図はこの発
明の変形例を示す断面図、第６図乃至第１１図は従来の
各徨半導体レーザ素子を示す断面図である。 ４４・・・クラッド層、４６・・・活性層、４８・・・
クラッド層、５Ｑ・・・可飽和吸収層、５２・・・クラ
ッド層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第８図 第９図 λ７１］尤 第１０図
を示す断面図、第２図はこの発明の一実施例に係る半導
体レーザ素子を示す断面図、第３図乃至第５図はこの発
明の変形例を示す断面図、第６図乃至第１１図は従来の
各徨半導体レーザ素子を示す断面図である。 ４４・・・クラッド層、４６・・・活性層、４８・・・
クラッド層、５Ｑ・・・可飽和吸収層、５２・・・クラ
ッド層。 出願人代理人 弁理士 鈴 江 武 彦第８図 第９図 λ７１］尤 第１０図
Claims (2)
- （１）電流注入により光に対し利得を有する活性層と、
この活性層より屈折率の低いクラッド層と、上記活性層
と組成がほぼ同じでありレーザ光に対し可飽和吸収特性
を有する層とを少なくとも備えた半導体レーザ素子にお
いて、 上記活性層と可飽和吸収特性を有する層が結合光導波路
として働く程度に近接していることを特徴とする半導体
レーザ素子。 - （２）上記可飽和吸収特性を有する層は電極とオーム性
接触をしない特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ
素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206652A JPS6184891A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体レ−ザ素子 |
| US07/115,543 US4796114A (en) | 1984-10-02 | 1987-10-28 | Rotary head assembly with rigid adhesive bonding pole tips |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59206652A JPS6184891A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6184891A true JPS6184891A (ja) | 1986-04-30 |
Family
ID=16526892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59206652A Pending JPS6184891A (ja) | 1984-10-02 | 1984-10-02 | 半導体レ−ザ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4796114A (ja) |
| JP (1) | JPS6184891A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202083A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH02148784A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Fujitsu Ltd | 光双安定型半導体レーザ |
| US5416790A (en) * | 1992-11-06 | 1995-05-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser with a self-sustained pulsation |
| US5608752A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of designing the same |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ES2089068T3 (es) * | 1990-08-30 | 1996-10-01 | Thomson Brandt Gmbh | Aparato de cinta magnetica con tambor porta-cabezas calentable. |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS539108A (en) * | 1976-07-12 | 1978-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | Magnetic head |
| US4161005A (en) * | 1976-11-01 | 1979-07-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Magnetic heads and fixing material with an additional filler of MoS2 |
| NL8003518A (nl) * | 1980-06-18 | 1982-01-18 | Philips Nv | Magneetkop, werkwijze voor het vervaardigen van een magneetkop. |
| US4509084A (en) * | 1981-05-11 | 1985-04-02 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Rotary magnetic head |
| JPS58122608A (ja) * | 1982-01-18 | 1983-07-21 | Canon Electronics Inc | 磁気ヘツド |
-
1984
- 1984-10-02 JP JP59206652A patent/JPS6184891A/ja active Pending
-
1987
- 1987-10-28 US US07/115,543 patent/US4796114A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63202083A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
| JPH02148784A (ja) * | 1988-11-29 | 1990-06-07 | Fujitsu Ltd | 光双安定型半導体レーザ |
| US5416790A (en) * | 1992-11-06 | 1995-05-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser with a self-sustained pulsation |
| US5506170A (en) * | 1992-11-06 | 1996-04-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of making a semiconductor laser with a self-sustained pulsation |
| US5610096A (en) * | 1992-11-06 | 1997-03-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser with a self sustained pulsation |
| US5608752A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of designing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4796114A (en) | 1989-01-03 |
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