JPS6297386A - 分布帰還型双安定半導体レ−ザ - Google Patents
分布帰還型双安定半導体レ−ザInfo
- Publication number
- JPS6297386A JPS6297386A JP23693485A JP23693485A JPS6297386A JP S6297386 A JPS6297386 A JP S6297386A JP 23693485 A JP23693485 A JP 23693485A JP 23693485 A JP23693485 A JP 23693485A JP S6297386 A JPS6297386 A JP S6297386A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- semiconductor laser
- current
- bistable
- wavelength
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F3/00—Optical logic elements; Optical bistable devices
- G02F3/02—Optical bistable devices
- G02F3/026—Optical bistable devices based on laser effects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光交換・光情報処理等に用いられる光機能素
子として最も重要な構成要素の一つである双安定動作を
示す双安定半導体レーザに関する。
子として最も重要な構成要素の一つである双安定動作を
示す双安定半導体レーザに関する。
（従来技術とその問題点）
光機能素子の中でも光論理、光スィッチ、光記憶、光増
幅、光信号波形の整形等幅広い応用範囲を有する双安定
素子は、光の本質的な特徴を活かした素子として期待さ
れており、各所でその基礎検討が進められている。
幅、光信号波形の整形等幅広い応用範囲を有する双安定
素子は、光の本質的な特徴を活かした素子として期待さ
れており、各所でその基礎検討が進められている。
双安定素子としては、電気光学結晶や液晶等各種の材料
でその動作が確認されているが、特に半導体材料を用い
たものがその高速性・集積化の可能性を最も活かせるも
のとして注目されている。
でその動作が確認されているが、特に半導体材料を用い
たものがその高速性・集積化の可能性を最も活かせるも
のとして注目されている。
これについては、例えば、小田切等が昭和５８年度電子
通信学会総合全国大会に発表し、同大会講演論文集分冊
４第９３７、第２３頁に記載されたタンデム電極構造デ
ィーシー・ビービーエイチ（ＤＣ−ＰＢＨ）半導体レー
ザがある。この双安定半導体レーザでは、溝は単に電極
間を分離するだけでなく、溝直下への注入電流の［込み
が抑えられたａ流罪注入領域として働いている。そのた
め２分割された電極を共通にしても溝の存在により双安
定動作が電流−光出力特性で観測される。また分離され
た電極への注入電流の組合せにより、双安定動作を示す
電流−光出力特性でのヒステリ７スの形状、双安定動作
を示す電流幅を所望の大きさに制御できる。しかしなが
ら、この双安定半導体レーザは、壁間によって反射鏡と
なる共振器面を形成しているから、他の半導体レーザ、
スイッチ、変調器等の光素子と同一基板上に集積化しに
くい。
通信学会総合全国大会に発表し、同大会講演論文集分冊
４第９３７、第２３頁に記載されたタンデム電極構造デ
ィーシー・ビービーエイチ（ＤＣ−ＰＢＨ）半導体レー
ザがある。この双安定半導体レーザでは、溝は単に電極
間を分離するだけでなく、溝直下への注入電流の［込み
が抑えられたａ流罪注入領域として働いている。そのた
め２分割された電極を共通にしても溝の存在により双安
定動作が電流−光出力特性で観測される。また分離され
た電極への注入電流の組合せにより、双安定動作を示す
電流−光出力特性でのヒステリ７スの形状、双安定動作
を示す電流幅を所望の大きさに制御できる。しかしなが
ら、この双安定半導体レーザは、壁間によって反射鏡と
なる共振器面を形成しているから、他の半導体レーザ、
スイッチ、変調器等の光素子と同一基板上に集積化しに
くい。
これに対して、導波路上に回折格子を有する分布帰還型
（ＤＦＢ）半導体レーザは、壁間によって反射鏡となる
共振器面を形成する必要がなく、集積化に有効な素子で
ある。ＤＦＤ型の半導体レーザに電流非注入領域を設け
ることによって電流−光出力特性に双安定性を実現出来
る。これについては、アキバ（８，ＡＫＩＢＡ） ら
によるアイ・イー拳イー・イ ジャーナル オブ クオ
ンタムエレクトｏニクス（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＱｕａｎｔｕｍＥｌｅ：ｔｖｏｕｉｃｓ ） 誌
のＱｌｕ−１９巻ｔＮｏ６ｅ１９８３、Ｐ４Ｏ１０に記
載されている論文に詳しい。しかしながら、この様なり
ＦＢ型の半導体レーザは必ずしも双安定を示すとは限ら
ないことが、本発明者が行った最近の実験結果で明らか
になった。
（ＤＦＢ）半導体レーザは、壁間によって反射鏡となる
共振器面を形成する必要がなく、集積化に有効な素子で
ある。ＤＦＤ型の半導体レーザに電流非注入領域を設け
ることによって電流−光出力特性に双安定性を実現出来
る。これについては、アキバ（８，ＡＫＩＢＡ） ら
によるアイ・イー拳イー・イ ジャーナル オブ クオ
ンタムエレクトｏニクス（ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ
ｏｆＱｕａｎｔｕｍＥｌｅ：ｔｖｏｕｉｃｓ ） 誌
のＱｌｕ−１９巻ｔＮｏ６ｅ１９８３、Ｐ４Ｏ１０に記
載されている論文に詳しい。しかしながら、この様なり
ＦＢ型の半導体レーザは必ずしも双安定を示すとは限ら
ないことが、本発明者が行った最近の実験結果で明らか
になった。
ぞこで、本発明の目的は、この様な欠点を除去せしめて
、双安定性を再現性良く得ることが出来る分布帰還型半
導体レーザな提供することにある。
、双安定性を再現性良く得ることが出来る分布帰還型半
導体レーザな提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
前述の問題点を解決するために本発明が提供する手段は
、電流非注入領域が設けてある分布帰還型双安定半導体
レーザにおいて、前記電流非注入領域の吸収端波長がブ
ラッグ波長より長いことを特徴とする。
、電流非注入領域が設けてある分布帰還型双安定半導体
レーザにおいて、前記電流非注入領域の吸収端波長がブ
ラッグ波長より長いことを特徴とする。
（実施例）
以下本発明の実施例について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）は、本発明の分布帰還型双安定半導体レー
ザの一実施例の斜視図、同図（ｂ）は本図（ａ）の手前
側の無反射膜２５を除去して多層構造の端面な現わした
その実施例の斜視図である。
ザの一実施例の斜視図、同図（ｂ）は本図（ａ）の手前
側の無反射膜２５を除去して多層構造の端面な現わした
その実施例の斜視図である。
双安定半導体レーザは、プレーナ型の埋め込みへテロ構
造であり、活性層を含むメサストライプをｐ及びｎ型の
半導体層で埋め込んでなり、この構造については特願昭
５６−１６６６６６号に詳しく記載がある。先づ、ｎ−
４ｎＰ基板１０（キャリア濃度ＬＸＩＯｃＩＩＬ ｓ厚
さ３５０ μｍ ）上の全面に深さ５００人ピッチ２０
００人程度の回折格子１１をレジストを塗布して、通常
の２光束干渉法とエツチング技術により形成する。次に
回折格子１１上に液相又は気相成長法によりｎ−Ｉｎ６
．＠。
造であり、活性層を含むメサストライプをｐ及びｎ型の
半導体層で埋め込んでなり、この構造については特願昭
５６−１６６６６６号に詳しく記載がある。先づ、ｎ−
４ｎＰ基板１０（キャリア濃度ＬＸＩＯｃＩＩＬ ｓ厚
さ３５０ μｍ ）上の全面に深さ５００人ピッチ２０
００人程度の回折格子１１をレジストを塗布して、通常
の２光束干渉法とエツチング技術により形成する。次に
回折格子１１上に液相又は気相成長法によりｎ−Ｉｎ６
．＠。
ＧａＯ，！ １１ Ａ”０，４゜ｐｏ、ａ。ガイド層１
２（キャリア濃度５Ｘ１０ ｃＩＩＬ 、厚さ０．１
μｍ）、ノンドープＩｎ６．ｙ ｔ Ｃ）ａｏ、ｔ ｅ
Ａｓｏ、ａ ｔ ＰＯ０＄ １１ 活性層１３（厚
さ０．１ μｍ ）、ｐ−ＩｎＰ クラッド層１４（キ
ャリア濃度１×１０１ 、厚さｔ、ｏμｍ）を順次積層
させたＤＨ基板に、フォトレジストを塗布して通常のフ
ォトリングラフイック技術により第１１第２の溝１６ｔ
１７（溝幅９μｍＳ溝深さ３μｍ）を持つウェハを製作
する。第１１第２の溝１６゜１７は一部に溝幅の狭い部
分を有しており、この部分が電流非注入領域となる。こ
れに関しては特願昭５８−１４２９２２号に詳しい記載
がある。
２（キャリア濃度５Ｘ１０ ｃＩＩＬ 、厚さ０．１
μｍ）、ノンドープＩｎ６．ｙ ｔ Ｃ）ａｏ、ｔ ｅ
Ａｓｏ、ａ ｔ ＰＯ０＄ １１ 活性層１３（厚
さ０．１ μｍ ）、ｐ−ＩｎＰ クラッド層１４（キ
ャリア濃度１×１０１ 、厚さｔ、ｏμｍ）を順次積層
させたＤＨ基板に、フォトレジストを塗布して通常のフ
ォトリングラフイック技術により第１１第２の溝１６ｔ
１７（溝幅９μｍＳ溝深さ３μｍ）を持つウェハを製作
する。第１１第２の溝１６゜１７は一部に溝幅の狭い部
分を有しており、この部分が電流非注入領域となる。こ
れに関しては特願昭５８−１４２９２２号に詳しい記載
がある。
次にこのウエノ・を液相成長技術によりｐ−ＩｎＰの第
１の電流ブロック層し８ｒ−？ヤリア濃度１ｘ１０ ｃ
ＷＬ １厚さ０．５μｍ）、ｎ−ＩｎＰの第２の電流ブ
ロック層１９（キャリア濃度１ ×ｌ Ｑ ”ｃｒＩＬ
７’。
１の電流ブロック層し８ｒ−？ヤリア濃度１ｘ１０ ｃ
ＷＬ １厚さ０．５μｍ）、ｎ−ＩｎＰの第２の電流ブ
ロック層１９（キャリア濃度１ ×ｌ Ｑ ”ｃｒＩＬ
７’。
厚さ０．３μｍ）を順次形成させる。この場合メサスト
ライプ１５の幅が通常１〜２μｍと狭いから、メサスト
ライプ１５上には第１．第２の電流ブロック層１８．１
９は成長しない。続いてｐ −Ｉ ｎｐ埋め込み層２０
（キャリア濃度ＩＸＬＯ儂 、厚さ１．５μｍ ）％
ｐ−Ｉｎｏ４ｓＧａｏ、ｔｉＡｓｏ、４ｙＰｏ、ｍｓ
キャップ層２１（キャリア濃度ｔｘｔｏ ｔ、’Ｒ％
厚さ０．３μｍ）を順次形成させる。結晶成長後、ｐ側
電極２２を形成するため、ＡｕＺｎを蒸着する。
ライプ１５の幅が通常１〜２μｍと狭いから、メサスト
ライプ１５上には第１．第２の電流ブロック層１８．１
９は成長しない。続いてｐ −Ｉ ｎｐ埋め込み層２０
（キャリア濃度ＩＸＬＯ儂 、厚さ１．５μｍ ）％
ｐ−Ｉｎｏ４ｓＧａｏ、ｔｉＡｓｏ、４ｙＰｏ、ｍｓ
キャップ層２１（キャリア濃度ｔｘｔｏ ｔ、’Ｒ％
厚さ０．３μｍ）を順次形成させる。結晶成長後、ｐ側
電極２２を形成するため、ＡｕＺｎを蒸着する。
さらにフォトレジストを塗布して通常のフォトリソグラ
フィック技術とエツチングによりｐ側電極２２を分割す
る第３の溝２３（長さ５０μｍ）を形成させる。この場
合ＡｕＺｎはＫＩ ＋ Ｉ、の混合液により除去され、
ｐ−Ｉｎ（１，テ５ ｏａｏ、ｔｓ Ａｓ６．４丁
ＰＯ，Ｓ ｓキャップ層２１は、Ｉ（、Ｓｏ、＋ Ｉ（
、Ｏ，＋Ｈ，Ｏの混合液で除去される。次いでＡｕＺｎ
を４００℃で熱処理した後に、ｎ−ＩｎＰ基板１０を研
磨して１２０μｍ程度の厚さとした後、ｎ側電極２４用
にＡｕＧｅＮｉを蒸着し、３５０℃で熱処理してウエノ
・製作な終了する。このウエノ・を通常の壁間法により
ｐ側電極２２が第３の溝２３をはさんだ構造に分離し、
両端壁開面の反則率を零にするために、無反射膜２５を
ＳｉＮをスパッタ法によって形成する。
フィック技術とエツチングによりｐ側電極２２を分割す
る第３の溝２３（長さ５０μｍ）を形成させる。この場
合ＡｕＺｎはＫＩ ＋ Ｉ、の混合液により除去され、
ｐ−Ｉｎ（１，テ５ ｏａｏ、ｔｓ Ａｓ６．４丁
ＰＯ，Ｓ ｓキャップ層２１は、Ｉ（、Ｓｏ、＋ Ｉ（
、Ｏ，＋Ｈ，Ｏの混合液で除去される。次いでＡｕＺｎ
を４００℃で熱処理した後に、ｎ−ＩｎＰ基板１０を研
磨して１２０μｍ程度の厚さとした後、ｎ側電極２４用
にＡｕＧｅＮｉを蒸着し、３５０℃で熱処理してウエノ
・製作な終了する。このウエノ・を通常の壁間法により
ｐ側電極２２が第３の溝２３をはさんだ構造に分離し、
両端壁開面の反則率を零にするために、無反射膜２５を
ＳｉＮをスパッタ法によって形成する。
この素子の２分されたｐ側電極２２を正、ｎ側電極２４
を負としてバイアスすると、この素子は電流入力あるい
は光入力に対して安定な２状態を持つ双安定半導体レー
ザとして働く。これは次の様な理由による。この双安定
半導体レーザでは、第３の溝２３が電流非注入領域とな
るため、第３の溝２３内の部分が可飽和吸収領域として
働く。
を負としてバイアスすると、この素子は電流入力あるい
は光入力に対して安定な２状態を持つ双安定半導体レー
ザとして働く。これは次の様な理由による。この双安定
半導体レーザでは、第３の溝２３が電流非注入領域とな
るため、第３の溝２３内の部分が可飽和吸収領域として
働く。
可飽和吸収領域とは、光子密度あるいは、キャリア密度
が十分小さいときには有限の大きさを持つ損失として働
き、ある程度大きくなると非線形的に損失が零に近くな
る性質を有するものである。
が十分小さいときには有限の大きさを持つ損失として働
き、ある程度大きくなると非線形的に損失が零に近くな
る性質を有するものである。
この双安定半導体レーザは埋め込みへテロ構造であるか
ら、室温で容易に４０ ｍＡ程度の低い動作電流で働か
せることができる。また２分割されたｐ側電極２２への
注入電流を適切に組み合わせて、双安定動作の電流幅も
変えることが出来る。
ら、室温で容易に４０ ｍＡ程度の低い動作電流で働か
せることができる。また２分割されたｐ側電極２２への
注入電流を適切に組み合わせて、双安定動作の電流幅も
変えることが出来る。
第２図（ａ）は分布帰還型半導体レーザにおけるブラッ
グ波長と電流非注入領域の吸収係数との関係を示す特性
図、同図（ｂ）及び（Ｃ）はその半導体レーザにおける
電流非注入領域の吸収端波長がブラッグ波長より長い場
合及び短い場合の注入電流と光出力の関係をそれぞれ示
す特性図である。
グ波長と電流非注入領域の吸収係数との関係を示す特性
図、同図（ｂ）及び（Ｃ）はその半導体レーザにおける
電流非注入領域の吸収端波長がブラッグ波長より長い場
合及び短い場合の注入電流と光出力の関係をそれぞれ示
す特性図である。
分布帰還型双安定半導体レーザのブラッグ波長λＢが電
流非注入領域の吸収端波長λ。より長い波長領域では、
電流非注入領域でバンド間吸収による光の吸収が起こら
ず、損失が零に近いために双安定を示さない（第２図（
Ｃ））。これに対してブラッグ波長λＢが電流非注入領
域の吸収端波長λ。より短い波長領域では、バンド間吸
収による吸収が生じ、前に述べた理由で双安定を示す（
第２図（ｂ））。
流非注入領域の吸収端波長λ。より長い波長領域では、
電流非注入領域でバンド間吸収による光の吸収が起こら
ず、損失が零に近いために双安定を示さない（第２図（
Ｃ））。これに対してブラッグ波長λＢが電流非注入領
域の吸収端波長λ。より短い波長領域では、バンド間吸
収による吸収が生じ、前に述べた理由で双安定を示す（
第２図（ｂ））。
この様に電流非注入領域の吸収端波長を、ブラッグ波長
よりも長くすることによって、従来にくらべ双安定特性
の再現性が飛躇的に改善された素子が容易に得られる。
よりも長くすることによって、従来にくらべ双安定特性
の再現性が飛躇的に改善された素子が容易に得られる。
この実施例の双安定半導体レーザの大きさは、メサスト
ライプ１１ｇ１５μ口、２つのｐ側電極２２の長さは各
々１７５μｍ、９０μｍ１第３の溝２３の幅は５０μｍ
である。結晶成長の様子は、成長方法や成長条件等によ
り大幅に変わるので、それらとともに適切な寸法を採用
すべきことは言うまでもない。
ライプ１１ｇ１５μ口、２つのｐ側電極２２の長さは各
々１７５μｍ、９０μｍ１第３の溝２３の幅は５０μｍ
である。結晶成長の様子は、成長方法や成長条件等によ
り大幅に変わるので、それらとともに適切な寸法を採用
すべきことは言うまでもない。
なお上記実施例では、ｐ側電極なＡｕ Ｚｎの全面電極
構造としたが、２つのｐ側電極の寄生容量を少なくする
ためすキサイドストライプ構造にしたり、あるいはｐ
＝［ｎ（）ａＡｓＰキャップ層２１の代わりにｎ −Ｉ
ｎＧａＡｓＰ キャップ層を成長させて、メサストライ
プ１５の上面付近にのみ例えばＺｎ拡散することにより
ｐ層に変換させても本発明は実現できる。まだ以上の実
施例では、Ｉｎｋ／ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体材料を用
いたが、本発明はＧａＡＪＡｓ ／ Ｇａ Ａｓ系等等
地半導体材料を用いてもよい。
構造としたが、２つのｐ側電極の寄生容量を少なくする
ためすキサイドストライプ構造にしたり、あるいはｐ
＝［ｎ（）ａＡｓＰキャップ層２１の代わりにｎ −Ｉ
ｎＧａＡｓＰ キャップ層を成長させて、メサストライ
プ１５の上面付近にのみ例えばＺｎ拡散することにより
ｐ層に変換させても本発明は実現できる。まだ以上の実
施例では、Ｉｎｋ／ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体材料を用
いたが、本発明はＧａＡＪＡｓ ／ Ｇａ Ａｓ系等等
地半導体材料を用いてもよい。
またＩｎＧａＡｓＰ活性層１３に代えて、ＩｎＧａＡｓ
Ｐ層とＩｎＰ層とを１００人程鹿の厚さで多層にした構
造、いわゆる多重量子井戸構造を採用しても本発明は実
現できる。まだ無反射膜２５としてＳＩＮ膜を採用しだ
が他の誘電体多層膜等材料は限定されるものではない。
Ｐ層とＩｎＰ層とを１００人程鹿の厚さで多層にした構
造、いわゆる多重量子井戸構造を採用しても本発明は実
現できる。まだ無反射膜２５としてＳＩＮ膜を採用しだ
が他の誘電体多層膜等材料は限定されるものではない。
（発明の効果）
以上詳述した様に、本発明によれば、分布帰還型半導体
レーザの一部に電流非注入領域を設け、電流非注入領域
の吸収端波長をブラッグ波長よりも長くすることにより
、双安定特性の再現性が全鋼的に牧舎すれた双安定半導
体レーザが得られる。
レーザの一部に電流非注入領域を設け、電流非注入領域
の吸収端波長をブラッグ波長よりも長くすることにより
、双安定特性の再現性が全鋼的に牧舎すれた双安定半導
体レーザが得られる。
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す斜視図、同図（
ｂ）は本図（ａ）の手前側の無反射膜２５を除去して多
層構造の端面を現わしたその実施例の斜視図、第２図（
ａ）は分布帰還型半導体レーザにおけるブラッグ波長と
電流非注入領域の吸収係数との関係を示す特性図、同図
（ｂ）及び（ｃ）はその半導体レーザに訃ける電流非注
入領域の吸収端波長がブラッグ波長より長い場合及び短
い場合の注入電流と光出力との関係をそれぞれ示す特性
図である。 １０・・・ｎ−ＩｎＰ基板、１１・・・回折格子、１２
”’ｎ Ｉｎ６ｊｌＧａ６，１＠Ａ１１０．４０Ｐ６
．１１６ガイド層Ｓ １３・°“ノンドープＩｎ（１，
テ１ ｅａｏ、ｔｏ ＡＳＯ，＠１ ｐｏ、ｎｏ活性層
曳１４・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層、１５−・・メサス
トライプ、１６・・・第１の溝、１７・・・第２の溝、
１８・・・ｐ−ＩｎＰの第１の電流ブロック層、１９・
・・ｎ−ＩｎＰの第２の電流ブロック層、２０・・・ｐ
−ＩｎＰ埋め込み層％ ２１ ”＠ｐ−Ｉｎ０ｊｌ Ｇ
ａｏ、鵞ｓ ＡＳｏ、４７ ＰＯ＋Ｉｓキャップ層、２
２・・・ｐ側電極、２３・・・＃！３の溝、２４・−ｎ
側電極、２５・・・無反射膜。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 第１図 （ａ） 然反射蟻 Φ 第２図（ａ） ０ 人。 ブラッグ塘４ン λＢ
ｂ）は本図（ａ）の手前側の無反射膜２５を除去して多
層構造の端面を現わしたその実施例の斜視図、第２図（
ａ）は分布帰還型半導体レーザにおけるブラッグ波長と
電流非注入領域の吸収係数との関係を示す特性図、同図
（ｂ）及び（ｃ）はその半導体レーザに訃ける電流非注
入領域の吸収端波長がブラッグ波長より長い場合及び短
い場合の注入電流と光出力との関係をそれぞれ示す特性
図である。 １０・・・ｎ−ＩｎＰ基板、１１・・・回折格子、１２
”’ｎ Ｉｎ６ｊｌＧａ６，１＠Ａ１１０．４０Ｐ６
．１１６ガイド層Ｓ １３・°“ノンドープＩｎ（１，
テ１ ｅａｏ、ｔｏ ＡＳＯ，＠１ ｐｏ、ｎｏ活性層
曳１４・・・ｐ−ＩｎＰクラッド層、１５−・・メサス
トライプ、１６・・・第１の溝、１７・・・第２の溝、
１８・・・ｐ−ＩｎＰの第１の電流ブロック層、１９・
・・ｎ−ＩｎＰの第２の電流ブロック層、２０・・・ｐ
−ＩｎＰ埋め込み層％ ２１ ”＠ｐ−Ｉｎ０ｊｌ Ｇ
ａｏ、鵞ｓ ＡＳｏ、４７ ＰＯ＋Ｉｓキャップ層、２
２・・・ｐ側電極、２３・・・＃！３の溝、２４・−ｎ
側電極、２５・・・無反射膜。 代理人 弁理士 本 庄 伸 介 第１図 （ａ） 然反射蟻 Φ 第２図（ａ） ０ 人。 ブラッグ塘４ン λＢ
Claims (1)
- 電流非注入領域が設けてある分布帰還型双安定半導体レ
ーザにおいて、前記電流非注入領域の吸収端波長がブラ
ッグ波長より長いことを特徴とする分布帰還型双安定半
導体レーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23693485A JPS6297386A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 分布帰還型双安定半導体レ−ザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23693485A JPS6297386A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 分布帰還型双安定半導体レ−ザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6297386A true JPS6297386A (ja) | 1987-05-06 |
Family
ID=17007915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23693485A Pending JPS6297386A (ja) | 1985-10-23 | 1985-10-23 | 分布帰還型双安定半導体レ−ザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6297386A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457693A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Bistable semiconductor laser |
| JPH01312881A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Nec Corp | 可変波長変換素子 |
| EP0362078A2 (en) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Fujitsu Limited | Optical bistable laser diode and a controlling method thereof |
| JPH07283480A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
-
1985
- 1985-10-23 JP JP23693485A patent/JPS6297386A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457693A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | Bistable semiconductor laser |
| JPH01312881A (ja) * | 1988-06-09 | 1989-12-18 | Nec Corp | 可変波長変換素子 |
| EP0362078A2 (en) * | 1988-09-30 | 1990-04-04 | Fujitsu Limited | Optical bistable laser diode and a controlling method thereof |
| US5014280A (en) * | 1988-09-30 | 1991-05-07 | Fujitsu Limited | Optical bistable laser diode and a method for controlling the same |
| JPH07283480A (ja) * | 1994-04-11 | 1995-10-27 | Nec Corp | 分布帰還型半導体レーザ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6281030B1 (en) | Fabrication of semiconductor Mach-Zehnder modulator | |
| JPH0715000A (ja) | 複量子井戸構造を有する集積モノリシックレーザ−モデュレーター構成 | |
| JP3052552B2 (ja) | 面発光型半導体レーザ | |
| JP2746326B2 (ja) | 半導体光素子 | |
| JP2536714B2 (ja) | 光変調器集積型多重量子井戸構造半導体レ―ザ素子 | |
| JPH01319986A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH08274404A (ja) | 多重量子井戸レーザダイオード | |
| JPS6297386A (ja) | 分布帰還型双安定半導体レ−ザ | |
| JPH0951142A (ja) | 半導体発光素子 | |
| JP3264321B2 (ja) | 導波路型半導体光集積素子およびその製造方法 | |
| JPH08248363A (ja) | 導波形多重量子井戸光制御素子 | |
| JPS6184891A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP3146821B2 (ja) | 半導体光集積素子の製造方法 | |
| JP3215477B2 (ja) | 半導体分布帰還型レーザ装置 | |
| JPH03192787A (ja) | 集積型光変調器 | |
| JPH07202316A (ja) | 選択成長導波型光制御素子 | |
| JPS61150293A (ja) | 双安定半導体レ−ザ | |
| JPH0992921A (ja) | 半導体レーザと光変調器との集積化光源およびその製造方法 | |
| JPH0578810B2 (ja) | ||
| JPH0638539B2 (ja) | 光双安定集積素子 | |
| JP2687404B2 (ja) | 分布帰還形半導対レーザ | |
| JPH04280490A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPH0927653A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPH0728094B2 (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JPS62286017A (ja) | 光スイツチ |