JPS63202083A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS63202083A JPS63202083A JP3326087A JP3326087A JPS63202083A JP S63202083 A JPS63202083 A JP S63202083A JP 3326087 A JP3326087 A JP 3326087A JP 3326087 A JP3326087 A JP 3326087A JP S63202083 A JPS63202083 A JP S63202083A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- laser
- semiconductor laser
- gaas
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 33
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 133
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 abstract description 17
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 abstract description 8
- 239000002356 single layer Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 40
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 8
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 8
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 6
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、戻り光雑音の少ない自励発振レーザが再現性
良く得られる半導体レーザの構造に係る。
良く得られる半導体レーザの構造に係る。
従来の半導体レーザは、第１１図に示すごとく半導体レ
ーザの活性層から数百ｎｍの位置にレーザ光に対し吸収
を持つ領域を設け、レーザストライプの内外に実効屈折
率の差を設はレーザ光を導波するものであった。ところ
がこのような構造のレーザの場合、発振モードが単一の
モードになりやすく、光学システムから戻り光があった
ばあい戻り光雑音が発生することが問題であった。
ーザの活性層から数百ｎｍの位置にレーザ光に対し吸収
を持つ領域を設け、レーザストライプの内外に実効屈折
率の差を設はレーザ光を導波するものであった。ところ
がこのような構造のレーザの場合、発振モードが単一の
モードになりやすく、光学システムから戻り光があった
ばあい戻り光雑音が発生することが問題であった。
本発明の目的は、上記問題を解決するため、最も戻り光
雑音に強いとされる自励発振する半導体レーザを容易に
得られる半導体レーザの構造を与えることにある。
雑音に強いとされる自励発振する半導体レーザを容易に
得られる半導体レーザの構造を与えることにある。
自励発振レーザを容易に得るために本発明ではるいは光
吸収の大きい層を設けることにより、レーザの発振状態
がスペクトルの近接した複数のモードを取りつるように
して達成される。この層を以下モード分離層と称する。
吸収の大きい層を設けることにより、レーザの発振状態
がスペクトルの近接した複数のモードを取りつるように
して達成される。この層を以下モード分離層と称する。
モード分離層が複数層で構成されてもよく、その場合多
層の膜厚は３０〜１０００人において本発明が実施でき
た。また、その他の半導体層は単層でも多重超格子層で
もよい。
層の膜厚は３０〜１０００人において本発明が実施でき
た。また、その他の半導体層は単層でも多重超格子層で
もよい。
本発明によれば、二つのレーザスペクトル間のモードの
振動により自励発振が起りやすくなり、戻り光雑音に強
い半導体レーザが容易に得られる。
振動により自励発振が起りやすくなり、戻り光雑音に強
い半導体レーザが容易に得られる。
以下図に従い本発明の詳細な説明する。
実施例１
第１図に本発明第１の実施例による半導体レーザの断面
構造の模式図を示す。この構造は、ｎ−Ｇ ａ Ａ ｓ
基板１上に周知の有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法に
よりｎ −Ｇ ａ Ｑ、３Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓクラッ
ド層２．アンドープＧ ａ ｏ、ｓ８Ａ Ｑ ０．１４
Ａ ｓ活性層３ 、 ｐ −Ｇ ａ ｏ、Ｉ！Ａ Ｑ
ｏ、ｓＡ ｓクラッド層４゜ｐ −Ｇ ａ ｏ、ａＡ
Ｑ ｏ、ｚＡ ｓモード分離層（ドープ量： ５ Ｘ
１０ ”ｃｍ−’、膜厚：２００〜８００人）８゜Ｐ
Ｇ ａ ｏ、Ｉ！ＩＡ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ選択エツチ
ング層６ｐＰ−Ｇ ａ Ａ ｓキャラプ層１０を順次結
晶成長した後、通常のフォトリソグラフ技術を用いて５
ｉｎｓマスクを設はリン酸系のエツチング液を用いて、
ストライプ外部のｐ型選択エツチング層を０．１〜０．
３ μｍ残してエツチングし、さらに、６０℃に加熱
した１３モル％の塩酸水溶液により残りの選択エツチン
グ層を取り除いた。この塩酸はｐ −Ｇ ａ ｏ、ａＡ
Ｑ ｏ、ｓＡ ｓ選択エツチング層のみをエツチング
しｐ −Ｇ ａ ｏ＊ａＡ Ｑ ｏ、ｚＡ ｓモード分
離層をエツチングしないため、正確にモード分離層の表
面でエツチングを停止することができる。このようにし
て作製した構造を、表面状態向上のためのシャローエッ
チを行った後再びＭＯＣＶＤ法によりｎ −Ｇ ａ Ａ
ｓ １１により埋込んだ、このとき、良好な横基本モ
ード発振を得るためには、活性層）ｋＧＬＡｓ理込層の
距離を０．１〜０．５μｍとすることが必要である。５
ｉＯｚ膜の上に結晶成長がおこらないＭＯＣＶＤ法の特
性のため５ｉＯｚ膜は露出したままとなり、埋込成長後
にフッ酸系のエツチング液により取除くことが出来た。
構造の模式図を示す。この構造は、ｎ−Ｇ ａ Ａ ｓ
基板１上に周知の有機金属化学蒸着（ＭＯＣＶＤ）法に
よりｎ −Ｇ ａ Ｑ、３Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓクラッ
ド層２．アンドープＧ ａ ｏ、ｓ８Ａ Ｑ ０．１４
Ａ ｓ活性層３ 、 ｐ −Ｇ ａ ｏ、Ｉ！Ａ Ｑ
ｏ、ｓＡ ｓクラッド層４゜ｐ −Ｇ ａ ｏ、ａＡ
Ｑ ｏ、ｚＡ ｓモード分離層（ドープ量： ５ Ｘ
１０ ”ｃｍ−’、膜厚：２００〜８００人）８゜Ｐ
Ｇ ａ ｏ、Ｉ！ＩＡ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ選択エツチ
ング層６ｐＰ−Ｇ ａ Ａ ｓキャラプ層１０を順次結
晶成長した後、通常のフォトリソグラフ技術を用いて５
ｉｎｓマスクを設はリン酸系のエツチング液を用いて、
ストライプ外部のｐ型選択エツチング層を０．１〜０．
３ μｍ残してエツチングし、さらに、６０℃に加熱
した１３モル％の塩酸水溶液により残りの選択エツチン
グ層を取り除いた。この塩酸はｐ −Ｇ ａ ｏ、ａＡ
Ｑ ｏ、ｓＡ ｓ選択エツチング層のみをエツチング
しｐ −Ｇ ａ ｏ＊ａＡ Ｑ ｏ、ｚＡ ｓモード分
離層をエツチングしないため、正確にモード分離層の表
面でエツチングを停止することができる。このようにし
て作製した構造を、表面状態向上のためのシャローエッ
チを行った後再びＭＯＣＶＤ法によりｎ −Ｇ ａ Ａ
ｓ １１により埋込んだ、このとき、良好な横基本モ
ード発振を得るためには、活性層）ｋＧＬＡｓ理込層の
距離を０．１〜０．５μｍとすることが必要である。５
ｉＯｚ膜の上に結晶成長がおこらないＭＯＣＶＤ法の特
性のため５ｉＯｚ膜は露出したままとなり、埋込成長後
にフッ酸系のエツチング液により取除くことが出来た。
この構造にｎ電極としてＣｒ／Ａｕ１２をｎ電極として
ＡｕＧｅＮｉ／ Ｃｒ ／ Ａ ｕ １３を蒸着し３ｏ
Ｏμｍ角にへきかいしてレーザチップとした。第２図に
計算器解析により求めた本構造ストライプ領域における
レーザ光の電界分布を示す６図のように、この構造の場
合モード分離層における電界の位相が活性層と同一のモ
ードと逆位相のモードが近接したスペクトルで存在する
。このため、両モードのスペクトル間をモードが行き来
することにより自励発振が起る。
ＡｕＧｅＮｉ／ Ｃｒ ／ Ａ ｕ １３を蒸着し３ｏ
Ｏμｍ角にへきかいしてレーザチップとした。第２図に
計算器解析により求めた本構造ストライプ領域における
レーザ光の電界分布を示す６図のように、この構造の場
合モード分離層における電界の位相が活性層と同一のモ
ードと逆位相のモードが近接したスペクトルで存在する
。このため、両モードのスペクトル間をモードが行き来
することにより自励発振が起る。
なお、上記のモード分離層以外の各層の、膜厚等の仕様
は周知のものである６本実施例では、モード分離層はク
ラッド層の表面に形成したが、クラッド層の中に形成し
ても同様の結果を得た。
は周知のものである６本実施例では、モード分離層はク
ラッド層の表面に形成したが、クラッド層の中に形成し
ても同様の結果を得た。
実施例２
第３図を用いて説明する。実施例１の構造においてモー
ド分離層を単一のＧａＡ Ｑ Ａｓ層とする変わりに薄
いＧａＡｓ（膜厚：３０〜２００人）１４とＧ ａ Ｏ
，７Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓ （膜厚：５００〜１０００
人）１５の二層構造とした素子の試作を行った。
ド分離層を単一のＧａＡ Ｑ Ａｓ層とする変わりに薄
いＧａＡｓ（膜厚：３０〜２００人）１４とＧ ａ Ｏ
，７Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓ （膜厚：５００〜１０００
人）１５の二層構造とした素子の試作を行った。
このような素子の場合ＧａＡｓ１４層がレーザ光を吸収
するが、薄膜であるため光強度が強くなるとＧａＡｓ層
の吸収が飽和する現象が起き、レーザの発振状態に対応
して複数の基本モードが存在する。このため、これらの
モード間を発振状態が行き来することにより自励発振が
発生する。
するが、薄膜であるため光強度が強くなるとＧａＡｓ層
の吸収が飽和する現象が起き、レーザの発振状態に対応
して複数の基本モードが存在する。このため、これらの
モード間を発振状態が行き来することにより自励発振が
発生する。
なお、上記ＧａＡｓ層１４は膜厚３０〜２００人のＧａ
Ａｓ層と膜厚３０〜２００人のＧ ａ ｏ、ａＡ Ｑ
Ｑ、３Ａ ８層の各２０層を交互に積層した多重量子井
戸層としても同様の結果が得られた。
Ａｓ層と膜厚３０〜２００人のＧ ａ ｏ、ａＡ Ｑ
Ｑ、３Ａ ８層の各２０層を交互に積層した多重量子井
戸層としても同様の結果が得られた。
実施例３
第４図を用いて説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯ
ＣＶＤ法によりｎ −Ｇ ａ ｏ、Ｉ！Ａ Ｑ ｏ、ｕ
Ａ ｓクラッド層２ 、 Ｇ ａ ｏ、ａｅＡ Ｑ ｏ
、ｘａＡ ｓ活性層３゜ｐ −Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ
０．５Ａ ８クラッド層４ 、 ｎ −ＧａＡｓパ光吸
収Ｐｓ１６を成長した後、通常のホトリソグラフ技術を
用いてストライプ状のＳｉ○２パターンを形成しりアク
ティブイオンエッチによりｎ−Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層
１６を選択的に除去し、ｐ −ＧａＡｓ層（ドープ量：
５ Ｘ １０”ｃｍ″″δｔＰＩＡ厚：３０〜１０人
）１７．ｐ−Ｇａｏ、５ＡＱｏ、ａＡｓＡｌＢ１２−Ｇ
ａＡｓキャップ層１０の３層よりなる埋込成長を行った
構造の素子を試作した・本構造の効果は実施例２の構造
とほぼ同様であるが、本構造の場合は通常の自己整合型
半導体レーザで問題であった成長界面の不良を低減させ
る効果もある。
ＣＶＤ法によりｎ −Ｇ ａ ｏ、Ｉ！Ａ Ｑ ｏ、ｕ
Ａ ｓクラッド層２ 、 Ｇ ａ ｏ、ａｅＡ Ｑ ｏ
、ｘａＡ ｓ活性層３゜ｐ −Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ
０．５Ａ ８クラッド層４ 、 ｎ −ＧａＡｓパ光吸
収Ｐｓ１６を成長した後、通常のホトリソグラフ技術を
用いてストライプ状のＳｉ○２パターンを形成しりアク
ティブイオンエッチによりｎ−Ｇ ａ Ａ ｓ光吸収層
１６を選択的に除去し、ｐ −ＧａＡｓ層（ドープ量：
５ Ｘ １０”ｃｍ″″δｔＰＩＡ厚：３０〜１０人
）１７．ｐ−Ｇａｏ、５ＡＱｏ、ａＡｓＡｌＢ１２−Ｇ
ａＡｓキャップ層１０の３層よりなる埋込成長を行った
構造の素子を試作した・本構造の効果は実施例２の構造
とほぼ同様であるが、本構造の場合は通常の自己整合型
半導体レーザで問題であった成長界面の不良を低減させ
る効果もある。
なお、上記ｐ−ＧａＡｓ層１７は、膜厚３ｏ〜２００人
（１） Ｇ ａ Ａ ｓ Ｍ ト、膜厚３ｏ〜２ｏｏ人
のＧ ａ ｏ、ａＡ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ層の各１５層を
交互に積層した多重量子井戸超格子層を用いても同様の
結果を得た。また層数は２〜１００の間で同様であった
。
（１） Ｇ ａ Ａ ｓ Ｍ ト、膜厚３ｏ〜２ｏｏ人
のＧ ａ ｏ、ａＡ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ層の各１５層を
交互に積層した多重量子井戸超格子層を用いても同様の
結果を得た。また層数は２〜１００の間で同様であった
。
実施例４
第５図を用いて説明するａｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯ
ＣＶＤ法によりｎ Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ａＡ
ｓｌ、クラッド層２ 、 Ｇ ａ ｏ、ａｅＡ Ｑ
ｏ＊ｚａＡ ｓ活性層３゜ｐ −Ｇ ａ ｏ、８Ａ Ｑ
ｏ、ｓＡ ｓクラッド層４ 、 Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜
層（膜厚３０〜１００人）１９゜ Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏｍａＡ ｓ層（膜厚：５００
〜１０ｏＯ人） ２０ 、 ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ光吸
収Ｊ’１ｌ１６を成長した後、通常のホトリソグラフ技
術を用いてストライプ状の５ｉＯｚパターンを形成しり
アクティブイオンエッチレごよりｎ−ＧａＡｓ光吸収光
吸収層成６的に除去し、さらにリアクティブイオンビー
ムエッチによりＧ ａ ｏ＊３Ａ Ｑ ｏｓｓＡ ｓ層
（膜厚： ５００〜１０００人）２０．ＧａＡｓ薄膜層
（膜厚：３０〜１００人）１９を取り除き、ｐ−Ｇ ａ
ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ層１８ ｖ ｐ−Ｇ ａ
Ａ ｓキャップｆｆ１ｏの３層よりなる埋込成長を行
った第５図のような構造を試作した。この構造において
リアクティブイオンエッチによるｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ
光吸収層１６のエツチングをオーバエッチとすればｎ
−ＧａＡｓ光吸収光吸収層成６ドエッチが起り第５図の
ようにストライプ領域にＧａＡｓ薄膜層（膜厚：）３．
０〜１００人）１９が張り出した構造となる。
ＣＶＤ法によりｎ Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ａＡ
ｓｌ、クラッド層２ 、 Ｇ ａ ｏ、ａｅＡ Ｑ
ｏ＊ｚａＡ ｓ活性層３゜ｐ −Ｇ ａ ｏ、８Ａ Ｑ
ｏ、ｓＡ ｓクラッド層４ 、 Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜
層（膜厚３０〜１００人）１９゜ Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏｍａＡ ｓ層（膜厚：５００
〜１０ｏＯ人） ２０ 、 ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ光吸
収Ｊ’１ｌ１６を成長した後、通常のホトリソグラフ技
術を用いてストライプ状の５ｉＯｚパターンを形成しり
アクティブイオンエッチレごよりｎ−ＧａＡｓ光吸収光
吸収層成６的に除去し、さらにリアクティブイオンビー
ムエッチによりＧ ａ ｏ＊３Ａ Ｑ ｏｓｓＡ ｓ層
（膜厚： ５００〜１０００人）２０．ＧａＡｓ薄膜層
（膜厚：３０〜１００人）１９を取り除き、ｐ−Ｇ ａ
ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ層１８ ｖ ｐ−Ｇ ａ
Ａ ｓキャップｆｆ１ｏの３層よりなる埋込成長を行
った第５図のような構造を試作した。この構造において
リアクティブイオンエッチによるｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ
光吸収層１６のエツチングをオーバエッチとすればｎ
−ＧａＡｓ光吸収光吸収層成６ドエッチが起り第５図の
ようにストライプ領域にＧａＡｓ薄膜層（膜厚：）３．
０〜１００人）１９が張り出した構造となる。
その結果、ストライプの中心部分は通常の屈折率を持つ
がストライプの周辺部分は過飽和吸収領域となるため一
層自励発振が起りやすくなる。
がストライプの周辺部分は過飽和吸収領域となるため一
層自励発振が起りやすくなる。
実施例５
第６図に本発明第５の実施例による半導体レーザの断面
構造の模式図を示す、この構造は、ｎ −ＧａＡｓ基板
１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ
ｏ、ａＡ ｓクラッド層２．ＧａＡｓ薄膜層（Ｉｌ１４
厚：３０〜２００人） １４ 、 ｎ−Ｇ ａｏ、ｓＡ
Ｑｏ、ｌ５Ａｓクラッド層２．アンドープＧａｏ、ｓ
ｓＡ Ｑ ｏ、ｔａＡｓ活性層３ 、 ｐ−Ｇａｏ、ａ
Ａ Ｑ ｏ、８Ａｓクラッド層４、ｐ Ｇ ａ ｏ、
ｓＡ Ｑ ｏ、ｚＡ ｓエツチング停止層（ドープ量：
５Ｘ１０１７ｃ履−８，膜厚：１０００人） ５ 、
ｐ−Ｇ ａｏ、ｓＡ ｎｏ、ａＡ ｓ選択エツチング層
６．ｐ−ＧａＡｇキャップ層１０を順次結晶成長した後
、実施例１と同様の工程を経てレーザチップを形成した
ものである６本発明の効果は実施例２〜４と同様である
が本実施例の場合Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜層（膜厚：３０〜
２００人）１４層の位置の選択範囲がより広くなり設計
が容易になるとともに、ストライプ外部における電界分
布の縮みがｎクラッド層側には少ないため、より強力な
過飽和吸収層を得ることができる。
構造の模式図を示す、この構造は、ｎ −ＧａＡｓ基板
１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ
ｏ、ａＡ ｓクラッド層２．ＧａＡｓ薄膜層（Ｉｌ１４
厚：３０〜２００人） １４ 、 ｎ−Ｇ ａｏ、ｓＡ
Ｑｏ、ｌ５Ａｓクラッド層２．アンドープＧａｏ、ｓ
ｓＡ Ｑ ｏ、ｔａＡｓ活性層３ 、 ｐ−Ｇａｏ、ａ
Ａ Ｑ ｏ、８Ａｓクラッド層４、ｐ Ｇ ａ ｏ、
ｓＡ Ｑ ｏ、ｚＡ ｓエツチング停止層（ドープ量：
５Ｘ１０１７ｃ履−８，膜厚：１０００人） ５ 、
ｐ−Ｇ ａｏ、ｓＡ ｎｏ、ａＡ ｓ選択エツチング層
６．ｐ−ＧａＡｇキャップ層１０を順次結晶成長した後
、実施例１と同様の工程を経てレーザチップを形成した
ものである６本発明の効果は実施例２〜４と同様である
が本実施例の場合Ｇ ａ Ａ ｓ薄膜層（膜厚：３０〜
２００人）１４層の位置の選択範囲がより広くなり設計
が容易になるとともに、ストライプ外部における電界分
布の縮みがｎクラッド層側には少ないため、より強力な
過飽和吸収層を得ることができる。
実施例６
第７図を用いて説明する。ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭＯ
ＣＶＤ法によりｎ −Ｏａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ｓＡ
ｓクラッド層２ 、 Ｇ ａ ｏ、ａｅＡ Ｑ ｏ、ｔ
ａＡ ｓ活性Ｎ２゜ｐ −Ｇ’ａ ｏ、ＩＩＡ １１０
．３Ａ ｓクラッドＭＩＩ４．ＧａＡｓ薄膜層（膜厚３
０〜１００人）１９゜ Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓ Ｍ （膜厚：５
００〜１０００人） ２０ 、 ｎ−ＧａＡｓ光吸収光
吸収層成６した後、通常のホトリソグラフ技術を用いて
ストライプ状の５ｉｆｔパターンを形成しりアクティブ
イオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光吸収光吸収層成６的
に除去し、さらに化学エッチによりＧａｏ、ｓＡΩｏ、
ａＡｓ層（膜厚：５００〜１０００人）２Ｑ、ＧａＡｓ
薄膜層（膜厚：３０〜１００人）１９を取り除き。
ＣＶＤ法によりｎ −Ｏａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ｓＡ
ｓクラッド層２ 、 Ｇ ａ ｏ、ａｅＡ Ｑ ｏ、ｔ
ａＡ ｓ活性Ｎ２゜ｐ −Ｇ’ａ ｏ、ＩＩＡ １１０
．３Ａ ｓクラッドＭＩＩ４．ＧａＡｓ薄膜層（膜厚３
０〜１００人）１９゜ Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓ Ｍ （膜厚：５
００〜１０００人） ２０ 、 ｎ−ＧａＡｓ光吸収光
吸収層成６した後、通常のホトリソグラフ技術を用いて
ストライプ状の５ｉｆｔパターンを形成しりアクティブ
イオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光吸収光吸収層成６的
に除去し、さらに化学エッチによりＧａｏ、ｓＡΩｏ、
ａＡｓ層（膜厚：５００〜１０００人）２Ｑ、ＧａＡｓ
薄膜層（膜厚：３０〜１００人）１９を取り除き。
Ｐ−Ｇａｏ、５ＡＱｏ、ａＡｓＭ１８．ｐ−ＧａＡｓキ
ャップ層１０の３層よりなる埋込成長を行った構造を試
作した。ＧａＡｓ薄膜層（膜厚：３０〜１００人）１９
は光吸収のある層であるが、薄膜であるため光の分布に
はあまり影響せず、ストライプ外部に染みだした光に対
し強い吸収を持つ。
ャップ層１０の３層よりなる埋込成長を行った構造を試
作した。ＧａＡｓ薄膜層（膜厚：３０〜１００人）１９
は光吸収のある層であるが、薄膜であるため光の分布に
はあまり影響せず、ストライプ外部に染みだした光に対
し強い吸収を持つ。
ストライプ内外の利得差が大きい場合、ストライプ領域
の屈折率変動によりレーザのスポットサイズが大きく変
わる状態が発生するため、スポットサイズ変動に伴う自
励発振が発生した。
の屈折率変動によりレーザのスポットサイズが大きく変
わる状態が発生するため、スポットサイズ変動に伴う自
励発振が発生した。
実施例７
本発明筒７の実施例として、ｎ−ＧａＡｓ基板１上にＭ
ＯＣＶＤ法によりｎ −Ｇａｏ、ＩＩＡ Ｑ ｏ、ｓＡ
ｓクラッド層２ 、 Ｇ ａ ｏ、ｓｓＡ Ｑ ０．１
４Ａ ｓ活性層３゜ｐ −Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、
ＩＩＡ ｓクラッド層４゜Ｇ ａ ０．７Ａ Ｑ ｏ、
ｓＡ ｓ （膜厚： ５００〜１０００人）１５、ｎ
−ＧａＡｓ光吸収光吸収層成６した後、通常のホトリソ
グラフ技術を用いてストライプ状の５ｉＯｚパターンを
形成しりアクティブイオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光
吸収光吸収層成６的に除去し、ｐ −Ｇ ａ ｏ、ａＡ
Ｑ ｏ、ａＡ ｓ層１８．ｐ−Ｇ ａ Ａ ｓキャッ
プ層１０の３層により埋込成長を行った第８図のような
構造を試作した。この構造において埋込成長前にホトリ
ソグラフ技術を適応しストライプに交差するレジストマ
スクを形成しＧ ａｏ、７Ａ Ｑｏ、ｓｋ ｓ （膜厚
：５０ｏ〜１０００人：１５を部分的にエツチングして
厚みの分布を形成した。この結果、レーザストライプの
内部において、活性層とレーザ光の結合強さに分布が生
じ、活性層利得も分布を持つ。即ち、レーザの結合がよ
りい所では注入された電子が消費されないため利得が大
きくなり、結合の強い所ではこの逆となる゛、ところで
半導体レーザの利得スペクトルの極大点は利得が大きく
なるほど短波長側へ移動するので、このようなレーザに
おいては利得スペクトルの分布が発生する。このため、
一つのモードが発生すると、そのモードがキャリアを消
費するため他のモードが発生しにくくなるという単一モ
ード化のメカニズムが働きにくく、発振モードが多モー
ド化するとともに、自励発振が起りやすくなった。
ＯＣＶＤ法によりｎ −Ｇａｏ、ＩＩＡ Ｑ ｏ、ｓＡ
ｓクラッド層２ 、 Ｇ ａ ｏ、ｓｓＡ Ｑ ０．１
４Ａ ｓ活性層３゜ｐ −Ｇ ａ ｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、
ＩＩＡ ｓクラッド層４゜Ｇ ａ ０．７Ａ Ｑ ｏ、
ｓＡ ｓ （膜厚： ５００〜１０００人）１５、ｎ
−ＧａＡｓ光吸収光吸収層成６した後、通常のホトリソ
グラフ技術を用いてストライプ状の５ｉＯｚパターンを
形成しりアクティブイオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光
吸収光吸収層成６的に除去し、ｐ −Ｇ ａ ｏ、ａＡ
Ｑ ｏ、ａＡ ｓ層１８．ｐ−Ｇ ａ Ａ ｓキャッ
プ層１０の３層により埋込成長を行った第８図のような
構造を試作した。この構造において埋込成長前にホトリ
ソグラフ技術を適応しストライプに交差するレジストマ
スクを形成しＧ ａｏ、７Ａ Ｑｏ、ｓｋ ｓ （膜厚
：５０ｏ〜１０００人：１５を部分的にエツチングして
厚みの分布を形成した。この結果、レーザストライプの
内部において、活性層とレーザ光の結合強さに分布が生
じ、活性層利得も分布を持つ。即ち、レーザの結合がよ
りい所では注入された電子が消費されないため利得が大
きくなり、結合の強い所ではこの逆となる゛、ところで
半導体レーザの利得スペクトルの極大点は利得が大きく
なるほど短波長側へ移動するので、このようなレーザに
おいては利得スペクトルの分布が発生する。このため、
一つのモードが発生すると、そのモードがキャリアを消
費するため他のモードが発生しにくくなるという単一モ
ード化のメカニズムが働きにくく、発振モードが多モー
ド化するとともに、自励発振が起りやすくなった。
実施例８
第９図を用いて説明する。実施例８として、ｎＧ ａ
Ａ ｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇａｏ、ｓＡ
ｎ ｏ、６Ａｓクラッド層２゜Ｇ ａ ｏ、ａｅＡ
Ｑ ０．１４Ａ ｓ活性層３．ｐ−Ｇ ａ ｏ、ａＡ
Ｑ ｏ、ｓＡ ｓクラッド層４．ｎ−ＧａＡｓ光吸収光
吸収層成６した後、通常のホトリソグラフ技術を用いて
ストライプ状の５ｉＯｚパターンを形成しりアクティブ
イオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光吸収光吸収層成６的
に除去し、ホトリソグラフ技術を適応しストライプに交
差するレジストマスクを形成しｐ −Ｇ ｎ ０．３Ａ
Ｑ ０．３Ａ Ｓクラッド層４を部分的にエツチング
しｐ ＧａＡｓ層（ドープ量： ５ Ｘ １０１７ｃ
ｍ−３，膜厚：３０〜ｌｏ。
Ａ ｓ基板１上にＭＯＣＶＤ法によりｎ−Ｇａｏ、ｓＡ
ｎ ｏ、６Ａｓクラッド層２゜Ｇ ａ ｏ、ａｅＡ
Ｑ ０．１４Ａ ｓ活性層３．ｐ−Ｇ ａ ｏ、ａＡ
Ｑ ｏ、ｓＡ ｓクラッド層４．ｎ−ＧａＡｓ光吸収光
吸収層成６した後、通常のホトリソグラフ技術を用いて
ストライプ状の５ｉＯｚパターンを形成しりアクティブ
イオンエッチによりｎ−ＧａＡｓ光吸収光吸収層成６的
に除去し、ホトリソグラフ技術を適応しストライプに交
差するレジストマスクを形成しｐ −Ｇ ｎ ０．３Ａ
Ｑ ０．３Ａ Ｓクラッド層４を部分的にエツチング
しｐ ＧａＡｓ層（ドープ量： ５ Ｘ １０１７ｃ
ｍ−３，膜厚：３０〜ｌｏ。
人）１７． ｐ Ｇａｏ、５ＡＱｏ、８Ａｓ層１８．ｐ
−Ｇ ａ Ａ ｓキャップＩＩＪ１０の３層よりなる埋
込成長を行った構造を試作した９本構造のによれば実施
例 の構造と実施例７の構造の効果を合わせもち発振モ
ードが多モード化するとともに、自励発振が起りやすく
通常の自己整合型半導体レーザで問題であった成長界面
の不良を低減させる効果もあ机 実施例９ 第１０図を用いて説明する。実施例９として、実施例１
の構造においてモード分離層を単一のＧａＡ Ｑ Ａｓ
層とする変わりに簿いＧａＡｓ （膜厚：３０〜２０
０人）１４とＧ ａ ０．７Ａ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ （
膜厚：５００〜１０００人）１５の二層構造としホトリ
ソグラフ技術を適応しストライプに交差するレジストマ
スクを形成し薄いＱ ａ Ａ ｓ （膜厚：３０〜２０
０人）１４とＧ ａ ０．７Ａ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ
（ｔｔ％厚：５００〜１０００人）１５の二層を部分的
にエツチングした素子の試作を行った。このような素子
の場合のＧ ａ Ａ ｓ １４層がレーザ光を吸収する
が、薄膜であるため光強度が強くなるとＧａＡｓ層の吸
収が飽和する現象が起き、レーザの発振状態に対応して
複数の基本モードが存在する。このため、これらのモー
ド間を発振状態が行き来することにより自励発振が発生
する。しかも、このような過飽和吸収を持つ領域と、通
常の導波路領域がストライプ内に分布するため、高出力
で低雑音な半導体レーザが容易に形成できた。
−Ｇ ａ Ａ ｓキャップＩＩＪ１０の３層よりなる埋
込成長を行った構造を試作した９本構造のによれば実施
例 の構造と実施例７の構造の効果を合わせもち発振モ
ードが多モード化するとともに、自励発振が起りやすく
通常の自己整合型半導体レーザで問題であった成長界面
の不良を低減させる効果もあ机 実施例９ 第１０図を用いて説明する。実施例９として、実施例１
の構造においてモード分離層を単一のＧａＡ Ｑ Ａｓ
層とする変わりに簿いＧａＡｓ （膜厚：３０〜２０
０人）１４とＧ ａ ０．７Ａ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ （
膜厚：５００〜１０００人）１５の二層構造としホトリ
ソグラフ技術を適応しストライプに交差するレジストマ
スクを形成し薄いＱ ａ Ａ ｓ （膜厚：３０〜２０
０人）１４とＧ ａ ０．７Ａ Ｑ ｏ、ａＡ ｓ
（ｔｔ％厚：５００〜１０００人）１５の二層を部分的
にエツチングした素子の試作を行った。このような素子
の場合のＧ ａ Ａ ｓ １４層がレーザ光を吸収する
が、薄膜であるため光強度が強くなるとＧａＡｓ層の吸
収が飽和する現象が起き、レーザの発振状態に対応して
複数の基本モードが存在する。このため、これらのモー
ド間を発振状態が行き来することにより自励発振が発生
する。しかも、このような過飽和吸収を持つ領域と、通
常の導波路領域がストライプ内に分布するため、高出力
で低雑音な半導体レーザが容易に形成できた。
本発明により、戻り光の影響の少ない半導体レーザを再
現性よく得られる効果がある。
現性よく得られる効果がある。
第１図は実施例１の半導体レーザの断面構造、第２図は
実施例１の構造における光導波モードの計算結果、第３
図は実施例２の半導体レーザの断面構造、第４図は実施
例３の半導体レーザの断面構造、第５図は実施例４の半
導体レーザの断面構造、第６図は実施例５の半導体レー
ザの断面構造、第７図は実施例６の半導体レーザの断面
構造、第８図は実施例７の半導体レーザの断面構造、第
９図は実施例８の半導体レーザの断面構造、第１０図は
実施例９の半導体レーザの断面構造、第１１図は従来の
半導体レーザの断面構造をそれぞれ示す。 １− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、 ２ ・−・ｎ −
Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ａＡｓクラッド層、３ ・・・
Ｇ ａ ｏ、ｇｅＡ Ｑ Ｏ，１！Ａ Ｉ！活性層、４
−ｐ−Ｇａｏ、ａＡＱｏ、ｓＡｓクラッド層、５・ｐ−
Ｇ ａ Ｏ，７Ａ Ｉ２ｏ、ａＡ ｓエツチング停止層
、６−ｐ−Ｇ ａ ０．３Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓ選択エ
ツチング層、７−ｐ−Ｇａｏ、７Ａｌｏ、ａＡｓＭｌ、
ｆｌｌ・・ｐ −Ｇ ａ ｏ、ａＡ Ｑ ｏ、ｚＡ
ｓモード分離層、９−ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ亜鉛拡散層
、１０− ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、１１−
ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ、１２− Ｃｒ ／ Ａ ｕ、１
３−・・＾ｕＧｅＮｉ／ Ｃｒ ／ Ａ ｕ、１４−・
・薄いＧ ａ Ａ ｓ（膜厚３０〜２００人） 、１５
−Ｇａｏｅ７Ａ１１ｏ、ａＡｓ（膜厚：５００〜１００
０人）、 １６− ｎ −ＧａＡｓ光吸収層、１７−
ｐ−ＧａＡｓ層（ドープ量＝５Ｘ １０１７ａｍ−”、
膜厚：３０〜１００人）、１８・・・ｐ −Ｇ ａ ｏ
、ａＡ Ａ ｏ、ａＡ ｓ層、１９−ＧａＡｓ薄膜層（
膜厚３０〜１００人）、２０・・・Ｚ Ｚ 図 ／ｉのイｌ装置 第 ３ 図 ／ｊ 第 ４ 図 冨 ５ 図 〉リ 乙 Ｐり 第 ７ 図 Ｆ ｍ 冨 ９ 図 猶 ／θ 図 篤 １１ 園
実施例１の構造における光導波モードの計算結果、第３
図は実施例２の半導体レーザの断面構造、第４図は実施
例３の半導体レーザの断面構造、第５図は実施例４の半
導体レーザの断面構造、第６図は実施例５の半導体レー
ザの断面構造、第７図は実施例６の半導体レーザの断面
構造、第８図は実施例７の半導体レーザの断面構造、第
９図は実施例８の半導体レーザの断面構造、第１０図は
実施例９の半導体レーザの断面構造、第１１図は従来の
半導体レーザの断面構造をそれぞれ示す。 １− ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ基板、 ２ ・−・ｎ −
Ｇａｏ、ｓＡ Ｑ ｏ、ａＡｓクラッド層、３ ・・・
Ｇ ａ ｏ、ｇｅＡ Ｑ Ｏ，１！Ａ Ｉ！活性層、４
−ｐ−Ｇａｏ、ａＡＱｏ、ｓＡｓクラッド層、５・ｐ−
Ｇ ａ Ｏ，７Ａ Ｉ２ｏ、ａＡ ｓエツチング停止層
、６−ｐ−Ｇ ａ ０．３Ａ Ｑ ｏ、ｓＡ ｓ選択エ
ツチング層、７−ｐ−Ｇａｏ、７Ａｌｏ、ａＡｓＭｌ、
ｆｌｌ・・ｐ −Ｇ ａ ｏ、ａＡ Ｑ ｏ、ｚＡ
ｓモード分離層、９−ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓ亜鉛拡散層
、１０− ｐ −Ｇ ａ Ａ ｓキャップ層、１１−
ｎ −Ｇ ａ Ａ ｓ、１２− Ｃｒ ／ Ａ ｕ、１
３−・・＾ｕＧｅＮｉ／ Ｃｒ ／ Ａ ｕ、１４−・
・薄いＧ ａ Ａ ｓ（膜厚３０〜２００人） 、１５
−Ｇａｏｅ７Ａ１１ｏ、ａＡｓ（膜厚：５００〜１００
０人）、 １６− ｎ −ＧａＡｓ光吸収層、１７−
ｐ−ＧａＡｓ層（ドープ量＝５Ｘ １０１７ａｍ−”、
膜厚：３０〜１００人）、１８・・・ｐ −Ｇ ａ ｏ
、ａＡ Ａ ｏ、ａＡ ｓ層、１９−ＧａＡｓ薄膜層（
膜厚３０〜１００人）、２０・・・Ｚ Ｚ 図 ／ｉのイｌ装置 第 ３ 図 ／ｊ 第 ４ 図 冨 ５ 図 〉リ 乙 Ｐり 第 ７ 図 Ｆ ｍ 冨 ９ 図 猶 ／θ 図 篤 １１ 園
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、少なくとも光利得を発生するための活性層と、該活
性層をはさむように設けた活性層より も屈折率の小さなクラッド層を持 つ半導体レーザ装置において、少なくとも一方の該クラ
ッド層中に少なくとも一方のクラッド層よりも大きな屈
折率を有する層もしくはレーザ光に対し吸収のある層を
設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033260A JP2569036B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62033260A JP2569036B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8138020A Division JP2674594B2 (ja) | 1996-05-31 | 1996-05-31 | 半導体レーザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63202083A true JPS63202083A (ja) | 1988-08-22 |
| JP2569036B2 JP2569036B2 (ja) | 1997-01-08 |
Family
ID=12381546
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62033260A Expired - Lifetime JP2569036B2 (ja) | 1987-02-18 | 1987-02-18 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2569036B2 (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0358842A2 (en) * | 1988-09-07 | 1990-03-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and method of manufacturing same |
| US5416790A (en) * | 1992-11-06 | 1995-05-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser with a self-sustained pulsation |
| US5608752A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of designing the same |
| US6072817A (en) * | 1995-03-31 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6118800A (en) * | 1996-03-01 | 2000-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and cleaving method |
| US6151348A (en) * | 1996-03-04 | 2000-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| US6195374B1 (en) | 1995-09-29 | 2001-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device using the laser |
| JP2003060303A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2005294633A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Sony Corp | 半導体発光装置 |
| JP2007208062A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS603172A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6066894A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Sony Corp | 半導体レ−ザ− |
| JPS60110188A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS60189983A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS60229389A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-14 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6184891A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS61203693A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-09 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ |
-
1987
- 1987-02-18 JP JP62033260A patent/JP2569036B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS603172A (ja) * | 1983-06-21 | 1985-01-09 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ |
| JPS6066894A (ja) * | 1983-09-22 | 1985-04-17 | Sony Corp | 半導体レ−ザ− |
| JPS60110188A (ja) * | 1983-11-18 | 1985-06-15 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS60189983A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Nec Corp | 半導体発光素子 |
| JPS60229389A (ja) * | 1984-04-26 | 1985-11-14 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS6184891A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Toshiba Corp | 半導体レ−ザ素子 |
| JPS61203693A (ja) * | 1985-03-06 | 1986-09-09 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ |
Cited By (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0358842A3 (en) * | 1988-09-07 | 1990-10-10 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and method of manufacturing same |
| EP0358842A2 (en) * | 1988-09-07 | 1990-03-21 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device and method of manufacturing same |
| US5416790A (en) * | 1992-11-06 | 1995-05-16 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser with a self-sustained pulsation |
| US5506170A (en) * | 1992-11-06 | 1996-04-09 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method of making a semiconductor laser with a self-sustained pulsation |
| US5610096A (en) * | 1992-11-06 | 1997-03-11 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser with a self sustained pulsation |
| US5608752A (en) * | 1994-04-28 | 1997-03-04 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Semiconductor laser device and method of designing the same |
| US6141364A (en) * | 1995-03-31 | 2000-10-31 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6072817A (en) * | 1995-03-31 | 2000-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6081541A (en) * | 1995-03-31 | 2000-06-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser device and optical disk apparatus using the same |
| US6373874B1 (en) | 1995-09-29 | 2002-04-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device using the laser |
| US6195374B1 (en) | 1995-09-29 | 2001-02-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device using the laser |
| US6444485B1 (en) | 1995-09-29 | 2002-09-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and optical disk device using the laser |
| US6118800A (en) * | 1996-03-01 | 2000-09-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser and cleaving method |
| US6151348A (en) * | 1996-03-04 | 2000-11-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor laser |
| JP2003060303A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Sony Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| JP2005294633A (ja) * | 2004-04-01 | 2005-10-20 | Sony Corp | 半導体発光装置 |
| JP2007208062A (ja) * | 2006-02-02 | 2007-08-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体レーザ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2569036B2 (ja) | 1997-01-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3983933B2 (ja) | 半導体レーザ、および半導体レーザの製造方法 | |
| US5088099A (en) | Apparatus comprising a laser adapted for emission of single mode radiation having low transverse divergence | |
| JPS59988A (ja) | ヘテロ接合注入形レ−ザ | |
| JPS60101990A (ja) | 半導体レ−ザ素子 | |
| JP2002521828A (ja) | 横方向の光閉じ込めを低減した側部反導波型高出力半導体 | |
| US6522676B1 (en) | Nitride semiconductor laser device | |
| JPH1012959A (ja) | 半導体発光素子、発光素子モジュールおよび半導体発光素子の製造方法 | |
| JPH07109925B2 (ja) | 間隔の狭いアンチガイドを使用する半導体レーザの位相ロック・アレイ | |
| JPS63202083A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPH02228089A (ja) | リッジ導波路型半導体レーザ | |
| JP3191784B2 (ja) | 回折格子の製造方法及び半導体レーザの製造方法 | |
| US7804871B2 (en) | Semiconductor laser | |
| US20060166386A1 (en) | Optical semiconductor device and its manufacturing method | |
| US5396511A (en) | Semiconductor laser apparatus with curved waveguide | |
| EP0270381B1 (en) | A semiconductor light-emitting apparatus | |
| JP2000501571A (ja) | メサ部を有するオプトエレクトロニク半導体装置の製造方法 | |
| JPH03225985A (ja) | 屈折率導波型半導体レーザ装置 | |
| JP3788699B2 (ja) | 集積型光回路素子及びその製造方法 | |
| JP2674594B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP3215180B2 (ja) | 半導体レーザアレイ | |
| JPS61174685A (ja) | 半導体レ−ザ装置及びその作製方法 | |
| JPH05299693A (ja) | 端面発光型半導体装置 | |
| JPH065984A (ja) | 半導体レーザ及びその製造方法 | |
| JP2564343B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JP2001352130A (ja) | 半導体レーザーおよびその作製方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |