JPS59988A - ヘテロ接合注入形レ−ザ - Google Patents
ヘテロ接合注入形レ−ザInfo
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- JPS59988A JPS59988A JP58096854A JP9685483A JPS59988A JP S59988 A JPS59988 A JP S59988A JP 58096854 A JP58096854 A JP 58096854A JP 9685483 A JP9685483 A JP 9685483A JP S59988 A JPS59988 A JP S59988A
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/002—Devices characterised by their operation having heterojunctions or graded gap
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
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- H01S5/223—Buried stripe structure
- H01S5/2232—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode
- H01S5/2234—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface
- H01S5/2235—Buried stripe structure with inner confining structure between the active layer and the lower electrode having a structured substrate surface with a protrusion
-
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- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
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- H01S5/4031—Edge-emitting structures
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、半導体注入形レーデ、詳しくいうと基本横モ
ード動作に適するヘテロ接合注入レーザ忙関する。
ード動作に適するヘテロ接合注入レーザ忙関する。
光フアイバ伝送、光学ディスク書込み及び光集積素子及
び光集積回路に必要な高い出力が半導体接合レーデ忙求
められている。この目的のために、単−縦モード選択度
及び基本横モード動作の制御へ関心が向けられている。
び光集積回路に必要な高い出力が半導体接合レーデ忙求
められている。この目的のために、単−縦モード選択度
及び基本横モード動作の制御へ関心が向けられている。
たとえば、縦モード選択度の向上は、高いビット速度の
ファイバ通信を達成するのに重要である。また、基本横
モード閉じ込め及び制御によシ、定在波を光学ディスク
用として有効な大きな出力に対して最適圧する。
ファイバ通信を達成するのに重要である。また、基本横
モード閉じ込め及び制御によシ、定在波を光学ディスク
用として有効な大きな出力に対して最適圧する。
また、光集積回路網には、/方の導波空胴から別の独立
な導波空胴まで効率の′よい光結合素子を設けることが
必要である。この必要性は、光通信用テップを形成する
場合には、外部レーデからの光は導波管へ効率よく伝送
され次に別の光伝送空胴又は光フアイバ伝送線等の別の
光結合素子罠伝送、されなければならないということか
ら生ずる。
な導波空胴まで効率の′よい光結合素子を設けることが
必要である。この必要性は、光通信用テップを形成する
場合には、外部レーデからの光は導波管へ効率よく伝送
され次に別の光伝送空胴又は光フアイバ伝送線等の別の
光結合素子罠伝送、されなければならないということか
ら生ずる。
縦モード選択度において、異なる空胴長を・有する結合
されたレーデ空胴は、多数空胴構造を成し;それにより
コつの光伝送空胴における反射光の混合効果が単−縦モ
ード動作を高めて高い出力を発生する。このような構造
体は、クオンタムエレクトロニクス(Quantum
Electronlam)のI WEE ジャーナル
、第GF、−/、3巻、第を号7977年を月号第36
0頁ないし第36弘頁に記載のマツモトノプオ氏の論文
1ザ ベント−ガイド ストラクチュアAノG畠As−
GaAsセミコンIクタレーザ(The Bsnt−G
ulde 5truetur@A/ GaAs−GaA
s 8層ml−aonduetor Lamer) ”
に記載されている。しかしながら、この論文に開示され
たL型レーザを製造するには、異なる長さのaつの光導
波空胴を定める内部導波曲面をなめらかに研磨仕上げす
る等の洗練された製造技術を必要とする。
されたレーデ空胴は、多数空胴構造を成し;それにより
コつの光伝送空胴における反射光の混合効果が単−縦モ
ード動作を高めて高い出力を発生する。このような構造
体は、クオンタムエレクトロニクス(Quantum
Electronlam)のI WEE ジャーナル
、第GF、−/、3巻、第を号7977年を月号第36
0頁ないし第36弘頁に記載のマツモトノプオ氏の論文
1ザ ベント−ガイド ストラクチュアAノG畠As−
GaAsセミコンIクタレーザ(The Bsnt−G
ulde 5truetur@A/ GaAs−GaA
s 8層ml−aonduetor Lamer) ”
に記載されている。しかしながら、この論文に開示され
たL型レーザを製造するには、異なる長さのaつの光導
波空胴を定める内部導波曲面をなめらかに研磨仕上げす
る等の洗練された製造技術を必要とする。
本発明の第一の目的は、ヘテロ接合注入レーザにおいて
基本横モード動作を高めることである。
基本横モード動作を高めることである。
本発明の別の目的は、1つの光導波層又は光導波空胴か
ら別の光導波層又は光導波空胴に光波エネルギーをより
効率よく伝送することでろ名。
ら別の光導波層又は光導波空胴に光波エネルギーをより
効率よく伝送することでろ名。
さらに、本発明の目的は、レーザの活性領域内で導びか
れた光波の一部を広いバンド幅を有する導波層内へ伝送
し、さらにその伝送された光波を移送することである。
れた光波の一部を広いバンド幅を有する導波層内へ伝送
し、さらにその伝送された光波を移送することである。
さらに本発明の別の目的は、基本横モード動作において
レーザの活性層の安定領域の形成を補助するためにヘテ
ロ接合注入形レーザの基体上忙メサを形成することであ
る。
レーザの活性層の安定領域の形成を補助するためにヘテ
ロ接合注入形レーザの基体上忙メサを形成することであ
る。
本発明の一般的な目的は、横モード動作において出力を
改善したへテロ構造接合レーデを提供することである。
改善したへテロ構造接合レーデを提供することである。
本発明においては、ヘテロ接合注入形レーザにはaつの
同一の広がりを有する導波層が設けられてもよい。その
層の7つは、他′の層よシも小さなバンドギャップを有
する。バンドギャップの大きな層はバンドギャップの小
さな物質で発生した光を透過させる。これらの一層は、
これらの2層よりも広いバンドギャップをもつ中間層で
分離されている。これらの導波層は、それぞれこれらの
層が最も近接した所では、最も薄い断面を有するように
その長さ忙沿って断面の厚さが顕著に変化す′る。この
コ層の特徴は、この近接領域において、この一つの導波
層の間にブランチ方向性結合を形成することである。こ
のように、コつの光路は、レーザ発光状11において光
波を伝播させるよう結合される。
同一の広がりを有する導波層が設けられてもよい。その
層の7つは、他′の層よシも小さなバンドギャップを有
する。バンドギャップの大きな層はバンドギャップの小
さな物質で発生した光を透過させる。これらの一層は、
これらの2層よりも広いバンドギャップをもつ中間層で
分離されている。これらの導波層は、それぞれこれらの
層が最も近接した所では、最も薄い断面を有するように
その長さ忙沿って断面の厚さが顕著に変化す′る。この
コ層の特徴は、この近接領域において、この一つの導波
層の間にブランチ方向性結合を形成することである。こ
のように、コつの光路は、レーザ発光状11において光
波を伝播させるよう結合される。
レーザーを製造する場合には、仁の層の厚さを変化させ
るとともに薄い層の領域も形成される。
るとともに薄い層の領域も形成される。
メサは、他の結晶層を液相工tタキシャル(liqui
dphase 5pitaxy :以下LPEと称する
)成長方法により形成する前に基体上に形成される。
dphase 5pitaxy :以下LPEと称する
)成長方法により形成する前に基体上に形成される。
基本横モード動作においては、受動透過層は省略しても
よい、レーデ製造時にメサを形成することにより、その
メサの直上に光導波層の薄い活性領域を形成する。液相
成長時にはこの層はこの活性領域から離れて彎曲させら
れ、それに伴なってその層の断面の厚さが大きくなる。
よい、レーデ製造時にメサを形成することにより、その
メサの直上に光導波層の薄い活性領域を形成する。液相
成長時にはこの層はこの活性領域から離れて彎曲させら
れ、それに伴なってその層の断面の厚さが大きくなる。
適当なヌトライグ接触部により、基本横モードにおいて
制限された発振が得られ、活性領域の利得損失領域の厚
さは、高い横モードを禁止するのに十分である6レ一デ
基体上に形成されたメサは、効率のよいブランチ方向性
結合を形成するのに用いてもよく、これは、注入形レー
デ内の一つの導波層の間に活性領域を形成するために従
来の製造技術に付加的な工程または付加的な製造素子を
全く必要としない。
制限された発振が得られ、活性領域の利得損失領域の厚
さは、高い横モードを禁止するのに十分である6レ一デ
基体上に形成されたメサは、効率のよいブランチ方向性
結合を形成するのに用いてもよく、これは、注入形レー
デ内の一つの導波層の間に活性領域を形成するために従
来の製造技術に付加的な工程または付加的な製造素子を
全く必要としない。
メサの近辺において結晶成長部分の厚さが変わること和
より、基本横モードで発振させることができる。この場
合には、電流導電ストライプがメサの長さ方向と平行な
方向に形成される。
より、基本横モードで発振させることができる。この場
合には、電流導電ストライプがメサの長さ方向と平行な
方向に形成される。
本発明をよシ完全に理解してもらうため、及び本発明の
他の目的は、添付図面とともに以下の説明を参照するこ
とによプ明らかとなるであろう・第7図を参照すると、
本発明゛の実施例を理解する上で参考となるヘテロ接合
注入形レーデ10が概略的忙図示されている。このレー
デlOは、縦モード動作に適するものではあるが、本発
明に係る実施例(第3図及び第4図)を理解する上で重
要なものであυ、このレーデはメサが形成された1つの
導電性基体12からなっている。メサ14は、側壁16
及び18と平坦な上面20を有して”いる、これによシ
台形状の断面を有するメサが形成される。他の形状のメ
サな用いてもよく、その形状の1つが第3図のメサ72
に図示されている。
他の目的は、添付図面とともに以下の説明を参照するこ
とによプ明らかとなるであろう・第7図を参照すると、
本発明゛の実施例を理解する上で参考となるヘテロ接合
注入形レーデ10が概略的忙図示されている。このレー
デlOは、縦モード動作に適するものではあるが、本発
明に係る実施例(第3図及び第4図)を理解する上で重
要なものであυ、このレーデはメサが形成された1つの
導電性基体12からなっている。メサ14は、側壁16
及び18と平坦な上面20を有して”いる、これによシ
台形状の断面を有するメサが形成される。他の形状のメ
サな用いてもよく、その形状の1つが第3図のメサ72
に図示されている。
レーザ10は、次の層から成る。順K、広いバンドギヤ
゛″ッグの層22、以下では活性導波層とも称する最も
狭いバンドギャップの層24、別の広いバンドギャップ
の層26、以下で不活性または透過層(光の伝播に対し
て透過性ということを意味する)と称するやや狭いバン
ドギャップの層28、広いバンドギャップの層30及び
基体12と同じ半導体から成るが導電形の異なる最上接
触層32である。この最上層32上には、絶縁層38に
より定められたストフィ7’36を備えた接触層34が
ある。
゛″ッグの層22、以下では活性導波層とも称する最も
狭いバンドギャップの層24、別の広いバンドギャップ
の層26、以下で不活性または透過層(光の伝播に対し
て透過性ということを意味する)と称するやや狭いバン
ドギャップの層28、広いバンドギャップの層30及び
基体12と同じ半導体から成るが導電形の異なる最上接
触層32である。この最上層32上には、絶縁層38に
より定められたストフィ7’36を備えた接触層34が
ある。
層22〜32は、基体12上でLPEにより成長する。
絶麺層38は、フォトリトグラフィ技術によシ層32上
に形成され、この絶縁層38は810、、、5t5N4
その他の適当な絶縁物質から成っておg当業界に周知の
電流閉込め構造を成して込る。
に形成され、この絶縁層38は810、、、5t5N4
その他の適当な絶縁物質から成っておg当業界に周知の
電流閉込め構造を成して込る。
接触層は金属蒸着により加えられ、そしてその接触層は
、TI、Pt、及びAuの一体層か若しくはCrとAu
との一体層から成っている。
、TI、Pt、及びAuの一体層か若しくはCrとAu
との一体層から成っている。
電源に接続されると、ストライフ’36はメサ14及び
へき開された端面13及び15と直角な方向に流れるよ
うに電流を制限する。
へき開された端面13及び15と直角な方向に流れるよ
うに電流を制限する。
以下に詳細に説明するように、レーザIOK順バイアス
をかけると面13の側に図示する領域17及び19から
出力ビームが出る。
をかけると面13の側に図示する領域17及び19から
出力ビームが出る。
層22.24.26及び28は通常同じ半導体物質Ga
A/As から成っている。各層は、それぞれ所望のバ
ンドギャップと反射率特性を有するよう異なるモル比の
AIを有する。1舗22.26及び30は最も広いバン
ドギャップを有しなければならない。一方活性層24は
、最も狭い/4ンドギャップを有しなければならない。
A/As から成っている。各層は、それぞれ所望のバ
ンドギャップと反射率特性を有するよう異なるモル比の
AIを有する。1舗22.26及び30は最も広いバン
ドギャップを有しなければならない。一方活性層24は
、最も狭い/4ンドギャップを有しなければならない。
層24及び28は層22.26及び30よりも狭いノヤ
ンドギャッグを有するが、層24は、該層をレーザ10
の活性層とする層28よりも狭い・櫂ンドギャッグを有
する。
ンドギャッグを有するが、層24は、該層をレーザ10
の活性層とする層28よりも狭い・櫂ンドギャッグを有
する。
層24及び28ではGaとAI とのモル比は太し・て
違わない、このために、層28は1層24において誘起
されたレーデ光圧対して透過性である。
違わない、このために、層28は1層24において誘起
されたレーデ光圧対して透過性である。
この層28は低い屈折率を有する隣接した境界層26及
び30により定められた光導波路として働くことができ
る。
び30により定められた光導波路として働くことができ
る。
これらの層は、層の界面においてそれぞれグつのへテロ
接合40.42,44及び46を形成する。ヘテロ接合
40はp−nヘテp接合であり、一方へテロ接合42,
44及び46は同じ導電形のへテロ接合である・ レーデ10を構成するものは、GaAsとGaA/Am
との混合結晶半導体である。層12(基体)、22.2
4.26.28.30及び32け、それぞれ、n−Ga
As+ n−Ga1−wAu5+ p−Ga1−、AI
、As。
接合40.42,44及び46を形成する。ヘテロ接合
40はp−nヘテp接合であり、一方へテロ接合42,
44及び46は同じ導電形のへテロ接合である・ レーデ10を構成するものは、GaAsとGaA/Am
との混合結晶半導体である。層12(基体)、22.2
4.26.28.30及び32け、それぞれ、n−Ga
As+ n−Ga1−wAu5+ p−Ga1−、AI
、As。
1” −’” 1− z A4 A” * P −”1
−yklyAs * p−Ga1−x AζA s
及びp−GaAs から成ってよい、ただし、Xs
W* z> ’f+ ”かつ y ) vである。
−yklyAs * p−Ga1−x AζA s
及びp−GaAs から成ってよい、ただし、Xs
W* z> ’f+ ”かつ y ) vである。
絶対的に必要ではないが、良い結合を得るためにはX>
W−Zであるこ、とがよい。
W−Zであるこ、とがよい。
また活性層24は、むしろp形よりもれ形導電形から成
るのがよい。
るのがよい。
当業界では認識されているように、ある層の導電形を逆
転させて別の同様な形態を形成してもよい。この別の形
態では、層12(基体)、22.24.26.28.3
0及び32は、それぞれn−GaAs+ n−Ga1−
wAJ、、Ant n−Ga1−vAJvAs。
転させて別の同様な形態を形成してもよい。この別の形
態では、層12(基体)、22.24.26.28.3
0及び32は、それぞれn−GaAs+ n−Ga1−
wAJ、、Ant n−Ga1−vAJvAs。
n−Ga11AらAm+p(又はn )−Ga1−、A
JyAs 及びp−Ga+ −x A/x A”及び
p−GaAmである。ただし、Xs W+ z> 7+
”i かつv)yここでは、活性層は、層28とな
り、層24は受動層である。活性層28は、p形又はn
形の導電形のどちらでも′よい。加えで、相補的な構造
がp形基体上に成長しても構わない、また、InGaA
sP又はGaA/AsP等の異なる結晶物質を用いても
よい。
JyAs 及びp−Ga+ −x A/x A”及び
p−GaAmである。ただし、Xs W+ z> 7+
”i かつv)yここでは、活性層は、層28とな
り、層24は受動層である。活性層28は、p形又はn
形の導電形のどちらでも′よい。加えで、相補的な構造
がp形基体上に成長しても構わない、また、InGaA
sP又はGaA/AsP等の異なる結晶物質を用いても
よい。
L/−ザloは、第1表に示す実際のパラメータを有す
るように標準の液相エピタキシ技術により成長形成され
てよい。
るように標準の液相エピタキシ技術により成長形成され
てよい。
第 I 表
層24.26及び28は、前述のようにp形又はn形の
いずれの導電形であってもよく、そのパラメータを第■
表に示す。
いずれの導電形であってもよく、そのパラメータを第■
表に示す。
第 ■ 表
第7図のレーザ10の全長はSθOμrn f)i好ま
しい。ストライプ36は、約/コμmの幅を有する。結
合領域の長さは約、23μmであり、この結合領域につ
いては以下に詳細に説明する。
しい。ストライプ36は、約/コμmの幅を有する。結
合領域の長さは約、23μmであり、この結合領域につ
いては以下に詳細に説明する。
層24.26及び28の長さ方向にわたる厚さの変化は
、特に、LPE成長の前に基体12上に形成されたメサ
14により達成される。活性層24は、受動層28及び
中間7126と同様にメサ14の直上の領域の断面はか
なり薄くかつ平面状である。この領域は第1図において
結合領域として表わされている。平面領域は、メサ14
の両側の隣接領域として示されている。
、特に、LPE成長の前に基体12上に形成されたメサ
14により達成される。活性層24は、受動層28及び
中間7126と同様にメサ14の直上の領域の断面はか
なり薄くかつ平面状である。この領域は第1図において
結合領域として表わされている。平面領域は、メサ14
の両側の隣接領域として示されている。
層22〜30の順次LPB成長は、前の成長層を順次滑
らかにするように行なわれる。最初の層、念とえは層2
2J24及び26は、その結合領域の厚さを平面領域の
厚さと比較し友場合に顕著に厚さが変化する。しかしな
がら、被覆層32の成長は、その長さ方向Kかなり滑ら
かで実質的に平面状である。
らかにするように行なわれる。最初の層、念とえは層2
2J24及び26は、その結合領域の厚さを平面領域の
厚さと比較し友場合に顕著に厚さが変化する。しかしな
がら、被覆層32の成長は、その長さ方向Kかなり滑ら
かで実質的に平面状である。
第1図の平面領域を表わすのに用いた1プレーすすなわ
ち平面”という用語は、層22〜30が絶対的に平坦な
平面であるという意味ではない。・むしろ、それは、こ
の平面領域が、これらの層の平坦な結合領域の両端と該
平面領域の開始端との間にある領域と比較すれば轟然か
なり平坦であるということを示している。第7図の21
で示すこれらの領域では、これらの層は、層の成長時に
おいてメサ14が存在することKより実質的に彎曲形を
表す。
ち平面”という用語は、層22〜30が絶対的に平坦な
平面であるという意味ではない。・むしろ、それは、こ
の平面領域が、これらの層の平坦な結合領域の両端と該
平面領域の開始端との間にある領域と比較すれば轟然か
なり平坦であるということを示している。第7図の21
で示すこれらの領域では、これらの層は、層の成長時に
おいてメサ14が存在することKより実質的に彎曲形を
表す。
結合領域の長さは、メサ14の高さ及びメサの □
最上面200幅ばかりでなく面14及び160角
1度によっても支配されている。代表的には、メサの最
上面すなわちエツジは3μm ないし70μmの幅を有
するが、それは1μm ないし30μm範囲内にあれば
よい。メサの高さは、代表的には3μm ないし!r
11m であるが、それは7μm ないしコOμm の
範囲内にあればよい。またミメサは三角状の断面形状に
することもできる。達成すべき主な効果は、活性層24
と受動層28との間にブランチ方向性結合を与える所望
の結合長を有するよう薄い層をメサ上に成長させること
であ石。メサ14の最上部面20の幅が、メサの深さす
なわち高さに対して狭く作られていればいる11ど、メ
サの直上にある平坦なすなわち平面薄層領域の長さはよ
り狭くなる。
最上面200幅ばかりでなく面14及び160角
1度によっても支配されている。代表的には、メサの最
上面すなわちエツジは3μm ないし70μmの幅を有
するが、それは1μm ないし30μm範囲内にあれば
よい。メサの高さは、代表的には3μm ないし!r
11m であるが、それは7μm ないしコOμm の
範囲内にあればよい。またミメサは三角状の断面形状に
することもできる。達成すべき主な効果は、活性層24
と受動層28との間にブランチ方向性結合を与える所望
の結合長を有するよう薄い層をメサ上に成長させること
であ石。メサ14の最上部面20の幅が、メサの深さす
なわち高さに対して狭く作られていればいる11ど、メ
サの直上にある平坦なすなわち平面薄層領域の長さはよ
り狭くなる。
注入形レーザ10の製造は次のようにして行なう。まず
、n −GaAs 基体12の(100)面を(θ//
)方向と平行に配向された幅lコμmのストライプ状フ
ォトレジストでマスクする。次にエツチング剤を基体面
に加える。このエツチングされたメサ14は、むしろ狭
い最上面(幅が約Sμm)と深い側壁16及び18(深
さが約3μm)を有して結合領域と平面領域との間にお
いて層の厚さを大きく変化させることが好ましい。エツ
チング後、その基体゛12を洗浄して従来のLPE炉内
に配置する。次に層22ないし層32をたと先ば第1表
に図示するような厚さを有する層にするよう調節された
成長時間により成長させる。層22の成長時間は該層の
厚さがメサ上においては高い結合力を与えるほど十分に
薄く、一方平面領域においては、基体12内の放射及び
吸収による損失をなくす嫌ど十分に厚くなるように調節
され。
、n −GaAs 基体12の(100)面を(θ//
)方向と平行に配向された幅lコμmのストライプ状フ
ォトレジストでマスクする。次にエツチング剤を基体面
に加える。このエツチングされたメサ14は、むしろ狭
い最上面(幅が約Sμm)と深い側壁16及び18(深
さが約3μm)を有して結合領域と平面領域との間にお
いて層の厚さを大きく変化させることが好ましい。エツ
チング後、その基体゛12を洗浄して従来のLPE炉内
に配置する。次に層22ないし層32をたと先ば第1表
に図示するような厚さを有する層にするよう調節された
成長時間により成長させる。層22の成長時間は該層の
厚さがメサ上においては高い結合力を与えるほど十分に
薄く、一方平面領域においては、基体12内の放射及び
吸収による損失をなくす嫌ど十分に厚くなるように調節
され。
ている。レーデ10は、LPE(液相エピタキシャル法
)により製造されると述べてきたが、分子ビームエピタ
キシあるいは蒸気相エピタキシもまた種々のマスキング
技術とともに用いることができる。
)により製造されると述べてきたが、分子ビームエピタ
キシあるいは蒸気相エピタキシもまた種々のマスキング
技術とともに用いることができる。
pn 接合40KJ[バイアス(たとえば、約コ0.2
KA / ca ’のパルス状しきい値電流)をかける
と、そのレニザ社活性導波層24において発生した光で
レーデ発光する。メサ14の真上の結合領域では、光は
、結合領域の活性導波層24から透過性受動導波層28
へ連続的に結合される。この結合は可能である。なぜな
らば、これらの層の厚さは、平坦な結合領域ではかなシ
薄くて相互に近接しており、それに比べて平面領域では
これらの層はかなり離隔している。これらの層を薄く、
また特に層26を薄くすればするほど、活性層24と受
動層28との間の結合はますます強くなる。第1表に示
すように、層26のメサ16上における厚さはたったの
0.1コμmであり一方活性領域の外側及び平面領域で
は、その厚さは0.9!fμmである。
KA / ca ’のパルス状しきい値電流)をかける
と、そのレニザ社活性導波層24において発生した光で
レーデ発光する。メサ14の真上の結合領域では、光は
、結合領域の活性導波層24から透過性受動導波層28
へ連続的に結合される。この結合は可能である。なぜな
らば、これらの層の厚さは、平坦な結合領域ではかなシ
薄くて相互に近接しており、それに比べて平面領域では
これらの層はかなり離隔している。これらの層を薄く、
また特に層26を薄くすればするほど、活性層24と受
動層28との間の結合はますます強くなる。第1表に示
すように、層26のメサ16上における厚さはたったの
0.1コμmであり一方活性領域の外側及び平面領域で
は、その厚さは0.9!fμmである。
光は、層24及び28のいくつかの異なる光路を伝播し
てよい。第1図のメサ14上の領域を参照すると、光路
は活性導波層24自身のみ、又は層24の左側部分と層
28の右側部分、又は層28の左側部分と層24の右側
部分であってよい。
てよい。第1図のメサ14上の領域を参照すると、光路
は活性導波層24自身のみ、又は層24の左側部分と層
28の右側部分、又は層28の左側部分と層24の右側
部分であってよい。
光は領域17及び19から出る。受動層28は、それの
みで光路とはならない方がよい。というのは受動層は、
層24の利得に比べてその損失が大きいからである。
みで光路とはならない方がよい。というのは受動層は、
層24の利得に比べてその損失が大きいからである。
メサは、レーザの両へき開面に対して中心に形成しても
よいし、あるいは中心から離して形成してもよい。メサ
を中心に形成すれば、数組の縦モードが測定される゛。
よいし、あるいは中心から離して形成してもよい。メサ
を中心に形成すれば、数組の縦モードが測定される゛。
メサを端面13及び15に対して中心から離して形成す
ると、2組の縦モードが第、2C図に示すように測定さ
れる。
ると、2組の縦モードが第、2C図に示すように測定さ
れる。
第コA図では、活性層24からの影響を全く受けないN
428における縦方向の反射スペクトルの状態を示して
いる。これは、モードAとして示しである。第48図は
受動層28からの影響をまったく受けない活性導波層2
4の縦反射スペクトル。
428における縦方向の反射スペクトルの状態を示して
いる。これは、モードAとして示しである。第48図は
受動層28からの影響をまったく受けない活性導波層2
4の縦反射スペクトル。
を示す。これは、モードBとして示す。得られた縦方向
モードスペクトルを第、20図に示す。−組の縦モード
A及びBとの間に@チャーピング(chlrplng
) ”効果が第一0図に示されている。
モードスペクトルを第、20図に示す。−組の縦モード
A及びBとの間に@チャーピング(chlrplng
) ”効果が第一0図に示されている。
レーザのi4ワーのほとんどは、1つの縦モードに集中
している。
している。
導波層24及び28において可能表具なる光路を光が伝
播すると、その光は各層において、異なる等側屈折率の
中を伝播する。層24及び28は、それぞれ異なる伝播
定数を有する。結果として、各導波層又拡その結合層が
へき開面13と15との間の伝播光に対して異なる光路
長を示す。結合領域における干渉により、レーザ10が
aつの端部反射面だけを必要とする場合を除き、モード
選択度が3反射面レーザと効果上同じとなる。
播すると、その光は各層において、異なる等側屈折率の
中を伝播する。層24及び28は、それぞれ異なる伝播
定数を有する。結果として、各導波層又拡その結合層が
へき開面13と15との間の伝播光に対して異なる光路
長を示す。結合領域における干渉により、レーザ10が
aつの端部反射面だけを必要とする場合を除き、モード
選択度が3反射面レーザと効果上同じとなる。
第一0図に示すように、−組の縦モードA及びBが第1
縦モードにおいて積極的に干渉する。モードAの場合に
は、その間隔は/、!;Elオンダストロームエあり、
一方モードBの場合には/、Sgsオングストロームで
ある。積極的干渉は約?3オンゲス)0−ムの間隔で生
じる。
縦モードにおいて積極的に干渉する。モードAの場合に
は、その間隔は/、!;Elオンダストロームエあり、
一方モードBの場合には/、Sgsオングストロームで
ある。積極的干渉は約?3オンゲス)0−ムの間隔で生
じる。
活性層の結合領域における等側屈折率は同じ領域の受動
層の等側屈折率に大体等しくなるべきである。これによ
り最大の結合率を与える。しかしながら、これらの層は
、平面領域においては同一め等側屈折率を有する必要は
ない。
層の等側屈折率に大体等しくなるべきである。これによ
り最大の結合率を与える。しかしながら、これらの層は
、平面領域においては同一め等側屈折率を有する必要は
ない。
要約すると、N424及び28内に形成された一つの異
なる光路の等側屈折率が変化するので縦モード選択度が
大きくなり、それKより第、20図に示すように反射強
度が所定波長と一致する結果各党路において新しい共振
が発生する。すなわち、ある点において両光路からのレ
ーザ光の波長の位相が同じとなつそ相和される。
なる光路の等側屈折率が変化するので縦モード選択度が
大きくなり、それKより第、20図に示すように反射強
度が所定波長と一致する結果各党路において新しい共振
が発生する。すなわち、ある点において両光路からのレ
ーザ光の波長の位相が同じとなつそ相和される。
これらの光路の実際の物理的な長さは実質的に同じであ
るが、各光路の等側屈折率の変化は、空胴長の変化に等
しい。
るが、各光路の等側屈折率の変化は、空胴長の変化に等
しい。
確率度の高い光の伝播路に関して、メサがレーデ長の中
心から外れている場合、光路は、活性層24において長
く受動層2Bにおいて短い光路及び層24のみから成る
光路であることがより好ま・しいと思われる。というの
は、その光路は全体として利得領域から成っているから
である。
心から外れている場合、光路は、活性層24において長
く受動層2Bにおいて短い光路及び層24のみから成る
光路であることがより好ま・しいと思われる。というの
は、その光路は全体として利得領域から成っているから
である。
7つ以上のメサ14を基体12の表面上に用いてもよい
ことに注目されたい。数個のメサを20μmないし10
0μ肩の間隔で離して基体12上に形成してもよい。こ
れらのメサは、一連の結合領域を与え境界条件を大きく
シ、その結果共振時に光の強度が大きくなる。メサの間
隔が十分に近接していれば、すなわち、メサの間隔が誘
起された光の半波長の整数倍であるならば、分配帰還が
得られる。
ことに注目されたい。数個のメサを20μmないし10
0μ肩の間隔で離して基体12上に形成してもよい。こ
れらのメサは、一連の結合領域を与え境界条件を大きく
シ、その結果共振時に光の強度が大きくなる。メサの間
隔が十分に近接していれば、すなわち、メサの間隔が誘
起された光の半波長の整数倍であるならば、分配帰還が
得られる。
第3図及び第4図は本発明の実権例に係る横モード動作
に適するレーデを示しておシ、この第3図のレーデ50
の構造は、そのストライプ接触部を横モード動作用に配
置したことを除けば第1図ル−サの構造と同じである。
に適するレーデを示しておシ、この第3図のレーデ50
の構造は、そのストライプ接触部を横モード動作用に配
置したことを除けば第1図ル−サの構造と同じである。
従って両図の1iil −素子には同じ参照番号が付し
である。
である。
第3図のレーザ50では、ストライプ層52は、メサ1
4に対して平行に位置決めされかつその一方の側へずら
されたストライプ54を有する。このようにストライプ
を形成することにより、基本横モード動作が層24の領
域56において達成される。
4に対して平行に位置決めされかつその一方の側へずら
されたストライプ54を有する。このようにストライプ
を形成することにより、基本横モード動作が層24の領
域56において達成される。
領域56における横導波は安定している。というのは、
この領域の一方側において層24に彎曲部分58があっ
てこの横モードの伝播波は屈折率の変化と出会う。また
、厚さの変化は屈折率の変化に寄与する。領域56の他
方側において、層24は余分な吸収及び放射による損失
を基体内へ誘導するのに十分なtlどサメ14に近接し
ている。
この領域の一方側において層24に彎曲部分58があっ
てこの横モードの伝播波は屈折率の変化と出会う。また
、厚さの変化は屈折率の変化に寄与する。領域56の他
方側において、層24は余分な吸収及び放射による損失
を基体内へ誘導するのに十分なtlどサメ14に近接し
ている。
光はまた、層24内で発生した瞬間的なレーザ光を受動
層28内へ伝送する場合には、受動層28内へ結合され
る。。
層28内へ伝送する場合には、受動層28内へ結合され
る。。
本発明の第2の実権例を示す第4図では、ヘテロ接合レ
ーザ60は、受動層を包含していない・導波層を7つだ
け用いている。この基体及びメサの構造は、前述の図と
同じである。これらのGaA/As Ii5は、メサ基
体上にLPE成長する。境界層62及び66においてA
7のそル比は、活性層64が最も低いバンドギヤラグを
有しかつその屈゛折率が層62.64.66のうちで最
も高くなるように活性層64のAIのそル比よシも大き
くなっている。層62.64及び66のパラメータの一
例は、それぞれ第1表の層22.24.3oと同じであ
る。これらの層は、ヘテロ接合61及び63を形成して
いる。
ーザ60は、受動層を包含していない・導波層を7つだ
け用いている。この基体及びメサの構造は、前述の図と
同じである。これらのGaA/As Ii5は、メサ基
体上にLPE成長する。境界層62及び66においてA
7のそル比は、活性層64が最も低いバンドギヤラグを
有しかつその屈゛折率が層62.64.66のうちで最
も高くなるように活性層64のAIのそル比よシも大き
くなっている。層62.64及び66のパラメータの一
例は、それぞれ第1表の層22.24.3oと同じであ
る。これらの層は、ヘテロ接合61及び63を形成して
いる。
最上接触層68は、ストライプ69の部分を除けば絶縁
層65によシ接触層67から絶縁されている。商業者に
周知の他の手段をストライ7669を形成するのに用い
てよい、ストライプ接触部分69は、メサ14と平行で
あってその一方の側へずらされている。
層65によシ接触層67から絶縁されている。商業者に
周知の他の手段をストライ7669を形成するのに用い
てよい、ストライプ接触部分69は、メサ14と平行で
あってその一方の側へずらされている。
前述のよう忙領域56の横導波が第3図と同様にして達
成される。動作は、活性層64に臂曲部があってかつ基
体メサ14への吸収及び放射による損失があることによ
シ安定化される。
成される。動作は、活性層64に臂曲部があってかつ基
体メサ14への吸収及び放射による損失があることによ
シ安定化される。
第3図、第6図、第7A〜7F図は本発明の実施例を示
すものではないけれど、本発明を理解する上の参考のた
め以下記述する。
すものではないけれど、本発明を理解する上の参考のた
め以下記述する。
第S図において、メサ72はご基体120表面から細長
く延びた形状をしかつ台形状を成している。メサ72は
急面74及び76を有しており、その急斜面が狭い最小
面すなわちエツジ78を形成している。
く延びた形状をしかつ台形状を成している。メサ72は
急面74及び76を有しており、その急斜面が狭い最小
面すなわちエツジ78を形成している。
メサ72の形状がこのように狭いために、極めて狭い平
坦な平面活性領域71がメサ上に形成される。ストライ
プ接触部69は、領域71及びメサ72の直−ヒに位置
決めされる。この領域が活性層64の彎曲部73及び7
5により境界づけられるとき基本横モード動作を安定化
することができ、またこの彎曲部73及び75は層の厚
さが変化しかつ屈折量を変化させる。この構造では、最
上面78と活性層64との間の境界層62は、基体12
への吸収に薫る損失を避けるほど十分厚くならなければ
ならない。もちろん、これは、7162のLPE成長に
より制御される。
坦な平面活性領域71がメサ上に形成される。ストライ
プ接触部69は、領域71及びメサ72の直−ヒに位置
決めされる。この領域が活性層64の彎曲部73及び7
5により境界づけられるとき基本横モード動作を安定化
することができ、またこの彎曲部73及び75は層の厚
さが変化しかつ屈折量を変化させる。この構造では、最
上面78と活性層64との間の境界層62は、基体12
への吸収に薫る損失を避けるほど十分厚くならなければ
ならない。もちろん、これは、7162のLPE成長に
より制御される。
縦モード選択度を達成する別の方法は、一つの領域にお
いてレーザーの活性導波層内でブランチ方向性結合を与
えるほど交差又は近接しているコつ又はそれ以上のスト
2イデ接触部を用いることである。この目的を達成する
ためのレーデ及びス・トライブ接触構造を第6図及び第
7A〜7F図に図示する。
いてレーザーの活性導波層内でブランチ方向性結合を与
えるほど交差又は近接しているコつ又はそれ以上のスト
2イデ接触部を用いることである。この目的を達成する
ためのレーデ及びス・トライブ接触構造を第6図及び第
7A〜7F図に図示する。
第6図では、ヘテロ接合レーデ80は、/導電型の基体
82と、その上にLPΣ成長させた次の層、すなわち基
体82と同じ導電形の境界層84、基体82と斥対の導
電形をもつ活性層86、活性層と同じ導電形を有する境
界層88、基体82と同じ半導体物質から成るが、その
導電形が異なる接触層90とから成っている。層84.
86及び88は、ヘテロ接合85及び87を形成する。
82と、その上にLPΣ成長させた次の層、すなわち基
体82と同じ導電形の境界層84、基体82と斥対の導
電形をもつ活性層86、活性層と同じ導電形を有する境
界層88、基体82と同じ半導体物質から成るが、その
導電形が異なる接触層90とから成っている。層84.
86及び88は、ヘテロ接合85及び87を形成する。
絶縁層92は、金属接触層94の蒸着時に一つのストラ
イプ96及び98を設けるように形成される。
イプ96及び98を設けるように形成される。
金属蒸着技術のほかに、他のストライプ形成方法、たと
えば、尚業界に周知の選択的イオン注入(1rrlpl
antatlon )技術、選択的拡散技術又は選択的
化学エツチング技術等を、第6図及び第7図のストライ
プ接触部を形成するのに用いてよい。
えば、尚業界に周知の選択的イオン注入(1rrlpl
antatlon )技術、選択的拡散技術又は選択的
化学エツチング技術等を、第6図及び第7図のストライ
プ接触部を形成するのに用いてよい。
たとえばSn −Auの層から成る接触層95を基体8
2上に形成してもよい。ストライプ96−は直線状であ
り、一方スドライブ98は、ストライプ96と近接して
いる領域100を形成するよう彎曲している。この二重
ストライプ接触部構造により活性層86に領域91及び
93でテすコつの出力ビームを発生する導波放射線のた
めの一つの制限路を与える。第1図の場合のように、縦
方向モード選択度が高められる。というのは、2つのス
トライプ96及び98の構造が異なることにより放射波
共振に対して一つの光路の長さが異なって、領域100
の下にある活性層86内にブランチ方向性結合が形成さ
れる。光路が異なるので、各光路に異なる共振が生じ、
その結果第20図について述べたように所定の波長にお
いて反射強度が一致する。 ゛ 活性層86にはダつの光路が形成される0これらは第6
図の文字A、B、C及びDで表わされ、各ストライプ9
6及び98の手部分を示している。
2上に形成してもよい。ストライプ96−は直線状であ
り、一方スドライブ98は、ストライプ96と近接して
いる領域100を形成するよう彎曲している。この二重
ストライプ接触部構造により活性層86に領域91及び
93でテすコつの出力ビームを発生する導波放射線のた
めの一つの制限路を与える。第1図の場合のように、縦
方向モード選択度が高められる。というのは、2つのス
トライプ96及び98の構造が異なることにより放射波
共振に対して一つの光路の長さが異なって、領域100
の下にある活性層86内にブランチ方向性結合が形成さ
れる。光路が異なるので、各光路に異なる共振が生じ、
その結果第20図について述べたように所定の波長にお
いて反射強度が一致する。 ゛ 活性層86にはダつの光路が形成される0これらは第6
図の文字A、B、C及びDで表わされ、各ストライプ9
6及び98の手部分を示している。
ダつの光路は、AとBSAとC,BとDl及びCとDで
紹介わせることができる。
紹介わせることができる。
ストライプ構造は活性層86内の光路長を決定するので
、多くの異なるストライプ形状を試みる・ことができる
。これらの形状のいくつかを第7図に示す。第7A図及
び第7B図は、第6図に図示する形の並置ストライプ構
造の他の例を示す。第7C図、第7D図、第7E図及び
第7F図は、連結ストライプ構造を示している。
、多くの異なるストライプ形状を試みる・ことができる
。これらの形状のいくつかを第7図に示す。第7A図及
び第7B図は、第6図に図示する形の並置ストライプ構
造の他の例を示す。第7C図、第7D図、第7E図及び
第7F図は、連結ストライプ構造を示している。
第7A図では、ストライプ102及び104は、レーザ
活性層中に異なる光路を与え、それらのストライプが領
域106において近接することにより活性層中に結合領
域が形成される。第7B図では、ストライプ108及び
110は、異なる光路長を与え、領域112においてス
トライプが近接することにより結合が生じる。ストライ
プ幅の違いが幅の広いスト2イf108により形成され
た光路に異なる等価屈折車を与える。このように、光路
長及び等価屈折車の累積効果が異なる共振空胴を生じて
縦モード選択度を高める。
活性層中に異なる光路を与え、それらのストライプが領
域106において近接することにより活性層中に結合領
域が形成される。第7B図では、ストライプ108及び
110は、異なる光路長を与え、領域112においてス
トライプが近接することにより結合が生じる。ストライ
プ幅の違いが幅の広いスト2イf108により形成され
た光路に異なる等価屈折車を与える。このように、光路
長及び等価屈折車の累積効果が異なる共振空胴を生じて
縦モード選択度を高める。
第7C図では、ブランチストライプ部分114は、11
6においてブランチストライプ部分118と交わり、二
叉のストライプ形状を形成する。一つの異なる光路がレ
ーデの活性層内に形成されて各光路が7つの光路部分を
分かち合う。第り0図及び第7E図では、レーデの活性
層に3つの光路を形成する3つのブランチが1つに交わ
っている。第7D図では、ブランチストライプ部分12
0.122及び124は、同一点126で連結してスト
ライプ部分128を分かち合う。第7E図では、ブラン
チストライプ部分130.132及び134が異なる点
136及び138においてそれぞれ連結して、ストライ
プ部分140を分かち合う。
6においてブランチストライプ部分118と交わり、二
叉のストライプ形状を形成する。一つの異なる光路がレ
ーデの活性層内に形成されて各光路が7つの光路部分を
分かち合う。第り0図及び第7E図では、レーデの活性
層に3つの光路を形成する3つのブランチが1つに交わ
っている。第7D図では、ブランチストライプ部分12
0.122及び124は、同一点126で連結してスト
ライプ部分128を分かち合う。第7E図では、ブラン
チストライプ部分130.132及び134が異なる点
136及び138においてそれぞれ連結して、ストライ
プ部分140を分かち合う。
第7F図では、二叉ストライプ部分142及び144が
点146において連結してストライプ部分148を分か
ち谷う。このストライブ形状は、ブランチストライプ部
分144がブランチストライプ部分142よシも広い幅
を有することを除けば第7C図とかなシ類似している。
点146において連結してストライプ部分148を分か
ち谷う。このストライブ形状は、ブランチストライプ部
分144がブランチストライプ部分142よシも広い幅
を有することを除けば第7C図とかなシ類似している。
このように、ストライブ部分144は、第7B図の幅広
いストライプ108について前述したのと同様に作用す
る。
いストライプ108について前述したのと同様に作用す
る。
第1図は、本発明の理解の上で参考となる縦モード動作
用メサ付性人形レーデの概略的な斜視図である。 第一五図は、第1図のレーデにおいて、活性導波空胴の
影響のない場合I/cおける受動導波空胴の縦モード反
射スペクトルのグラフである。 第28図は、第1図のレーデにおいて、受動導波空胴の
影響のない場合にシける活性導波空胴の縦モード反射ス
ペクトルのグラフである。 第一0図は、第1図のレーデにおいて活性導波空胴と受
動導波空胴との結合効果による結合縦モードスペクトル
のグラフである。 第3図は、本発明に係る、横モード制御に適したメサ付
性人形レーデの概略的な斜視図である。 第ダ図は、本発明に係る第一の実施例としての、横モー
ド制御に適する活性導波空胴を備え九メサ付注人形レー
ザの概略的な正面図である。 第3図、第6図、第7A図ないし第7F図は本発明の理
解を助ける例を示してお染、第3面は、メサを基体上に
形成しかつ活性導波空胴を有する横モード制御に適する
注入形レーデの概略的な斜視図である。 第6図は、活性導波空胴を備えかつ縦モーF制御用隣接
ストライプ形状を有する注入形レーデの概略的な斜視図
である。 第7A図ないし第7F図は、第6図の注入形レーザとと
もに用いる他のストライプ形状の概略的な平面図である
。 10.50.60・・・レーデ、 12・・・基体、1
4・・・メサ、 13.15・・・へき開面、24.6
4・・・活性層、 28・・・受動層、38.65・・
・絶縁層、 54.69・・・ストライプ。 43C 一 x、w、z > Y、V FIG、 I
Y)V渡:lLtλ) FIG、7D FIG、7A 11(y;、 /L FIG、7C
用メサ付性人形レーデの概略的な斜視図である。 第一五図は、第1図のレーデにおいて、活性導波空胴の
影響のない場合I/cおける受動導波空胴の縦モード反
射スペクトルのグラフである。 第28図は、第1図のレーデにおいて、受動導波空胴の
影響のない場合にシける活性導波空胴の縦モード反射ス
ペクトルのグラフである。 第一0図は、第1図のレーデにおいて活性導波空胴と受
動導波空胴との結合効果による結合縦モードスペクトル
のグラフである。 第3図は、本発明に係る、横モード制御に適したメサ付
性人形レーデの概略的な斜視図である。 第ダ図は、本発明に係る第一の実施例としての、横モー
ド制御に適する活性導波空胴を備え九メサ付注人形レー
ザの概略的な正面図である。 第3図、第6図、第7A図ないし第7F図は本発明の理
解を助ける例を示してお染、第3面は、メサを基体上に
形成しかつ活性導波空胴を有する横モード制御に適する
注入形レーデの概略的な斜視図である。 第6図は、活性導波空胴を備えかつ縦モーF制御用隣接
ストライプ形状を有する注入形レーデの概略的な斜視図
である。 第7A図ないし第7F図は、第6図の注入形レーザとと
もに用いる他のストライプ形状の概略的な平面図である
。 10.50.60・・・レーデ、 12・・・基体、1
4・・・メサ、 13.15・・・へき開面、24.6
4・・・活性層、 28・・・受動層、38.65・・
・絶縁層、 54.69・・・ストライプ。 43C 一 x、w、z > Y、V FIG、 I
Y)V渡:lLtλ) FIG、7D FIG、7A 11(y;、 /L FIG、7C
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 /)第7組成物でなる半導体物質のいくつかの層が第一
組成物の基体上に付着され、前記第1組成物層の1つが
隣接層とへテロ接合を形成してレーデ発光状態で光波伝
播用の活性層を形成し、゛さらに前記活性層において電
流閉込め作用を行なう手段が上面に設けられたヘテロ接
合注入形レーザにおいて、前記基体の表面上に細長いメ
サが形成されておシ、第7組成物層はそれぞれ前記メサ
上の領域とそのメサの両側の隣接領域との間において厚
さが変えられて前記メサ上の領域において最も薄い断面
厚さを有しており、前記電流閉込め手段は、前記メサの
長手方向に沿って平行に延び且つメサ上の領域ではある
が該メサからずれていることを特徴とする前記レーザ。 コ)第1組成物でなる半導体物質のいくつかの層が第1
組成物の基体上に付着され、前記第1組成物層が隣接層
とへテロ接合を形成してレーデ発光状態で光波伝播用の
導波層を形成し、さら゛に前記導波層において電流閉込
め作用を行なう手段が上面に設けられたへテロ接合注入
形レーデにおいて、前記導波層は、広いバンドギャップ
を有する前記第1組成物層の/っKよって隔てられた一
つの層を含み、該導波層の一方が他方よシ低いバンドギ
ャップで成り、前記基体の表面には細長いメサが形成さ
れて、おり、第1組成物層はそれぞれ前記メサ上の領竣
とそのメサの両側の隣接領域との間において厚さが変わ
り、前記メサ上領域において最も薄い断面厚さを有して
おυ、前記電流閉込め手段は、前記メサの長手方向に沿
って平行に延び、且つメサ上の領域ではあるが該メサか
もずれていることを特徴とする前記レーデ。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/869,190 US4185256A (en) | 1978-01-13 | 1978-01-13 | Mode control of heterojunction injection lasers and method of fabrication |
US869190 | 1978-01-13 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS59988A true JPS59988A (ja) | 1984-01-06 |
JPS6327879B2 JPS6327879B2 (ja) | 1988-06-06 |
Family
ID=25353090
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53156766A Expired JPS5846075B2 (ja) | 1978-01-13 | 1978-12-19 | ヘテロ接合注入形レ−ザ |
JP58096855A Pending JPS58222588A (ja) | 1978-01-13 | 1983-05-31 | ヘテロ構造注入レ−ザ |
JP58096854A Granted JPS59988A (ja) | 1978-01-13 | 1983-05-31 | ヘテロ接合注入形レ−ザ |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP53156766A Expired JPS5846075B2 (ja) | 1978-01-13 | 1978-12-19 | ヘテロ接合注入形レ−ザ |
JP58096855A Pending JPS58222588A (ja) | 1978-01-13 | 1983-05-31 | ヘテロ構造注入レ−ザ |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4185256A (ja) |
JP (3) | JPS5846075B2 (ja) |
CA (1) | CA1100216A (ja) |
NL (1) | NL7900225A (ja) |
Families Citing this family (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA1127282A (en) * | 1978-05-22 | 1982-07-06 | Takashi Sugino | Semiconductor laser and method of making the same |
US4347486A (en) * | 1979-10-12 | 1982-08-31 | Rca Corporation | Single filament semiconductor laser with large emitting area |
US4347612A (en) * | 1980-08-25 | 1982-08-31 | Xerox Corporation | Semiconductor injection laser for high speed modulation |
JPS57115892A (en) * | 1981-01-12 | 1982-07-19 | Agency Of Ind Science & Technol | Semiconductor laser element |
NL8101409A (nl) * | 1981-03-23 | 1982-10-18 | Philips Nv | Halfgeleiderlaser met tenminste twee stralingsbundels, en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
JPS57170584A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-20 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser device |
JPS586191A (ja) * | 1981-07-03 | 1983-01-13 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
JPS58132986A (ja) * | 1982-02-03 | 1983-08-08 | Hitachi Ltd | 半導体レ−ザ装置 |
GB2129211B (en) * | 1982-10-21 | 1987-01-14 | Rca Corp | Semiconductor laser and a method of making same |
FR2535121B1 (fr) * | 1982-10-25 | 1989-01-06 | Rca Corp | Laser a semi-conducteur et son procede de fabrication |
JPS59181317A (ja) * | 1983-03-31 | 1984-10-15 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 光変調素子 |
NL8301331A (nl) * | 1983-04-15 | 1984-11-01 | Philips Nv | Halfgeleiderinrichting voor het opwekken of versterken van electromagnetische straling en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
JPS61102087A (ja) * | 1984-10-25 | 1986-05-20 | Sharp Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPS61222188A (ja) * | 1985-02-28 | 1986-10-02 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ素子 |
JPS6225485A (ja) * | 1985-07-25 | 1987-02-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
JPS6235689A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Sharp Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
JPS6297467U (ja) * | 1985-12-10 | 1987-06-22 | ||
US5087587A (en) * | 1986-02-13 | 1992-02-11 | Sharp Kabushiki Kaisha | Epitaxial growth process for the production of a window semiconductor laser |
JP2539406B2 (ja) * | 1987-02-04 | 1996-10-02 | 株式会社日立製作所 | 固体光ピツクアツプ |
JPH01199486A (ja) * | 1988-07-15 | 1989-08-10 | Hitachi Ltd | 半導体レーザー素子 |
US4906837A (en) * | 1988-09-26 | 1990-03-06 | The Boeing Company | Multi-channel waveguide optical sensor |
DE59010811D1 (de) * | 1989-09-01 | 1998-04-23 | Siemens Ag | Integriert optische Anordnung mit wenigstens einem auf einem Substrat aus Halbleitermaterial integrierten optischen Wellenleiter |
FR2663435B1 (fr) * | 1990-06-13 | 1992-09-11 | Commissariat Energie Atomique | Filtre optique spatial monomode integre et son procede de fabrication. |
US5276699A (en) * | 1992-11-05 | 1994-01-04 | Eastman Kodak Company | Depressed-index ridge waveguide laser diode containing a stabilizing region |
US5307361A (en) * | 1992-11-05 | 1994-04-26 | Eastman Kodak Company | Ridge waveguide laser diode with a depressed-index cladding layer |
JPH09289352A (ja) * | 1996-02-22 | 1997-11-04 | Sharp Corp | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
JP2009054636A (ja) * | 2007-08-23 | 2009-03-12 | Panasonic Corp | 半導体レーザ装置の製造方法および半導体レーザバーの検査方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5411117B2 (ja) * | 1972-02-23 | 1979-05-11 | ||
US3993963A (en) * | 1974-06-20 | 1976-11-23 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Heterostructure devices, a light guiding layer having contiguous zones of different thickness and bandgap and method of making same |
US3948583A (en) * | 1974-12-09 | 1976-04-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Isolation of passive devices and integration with active devices in optical waveguiding circuits |
JPS5442592B2 (ja) * | 1975-02-18 | 1979-12-14 | ||
US3978426A (en) * | 1975-03-11 | 1976-08-31 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Heterostructure devices including tapered optical couplers |
JPS5299792A (en) * | 1976-02-18 | 1977-08-22 | Agency Of Ind Science & Technol | Production of semiconductor light emitting device |
JPS52127085A (en) * | 1976-04-16 | 1977-10-25 | Hitachi Ltd | Semiconductor laser |
US4326176A (en) * | 1976-04-16 | 1982-04-20 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
-
1978
- 1978-01-13 US US05/869,190 patent/US4185256A/en not_active Expired - Lifetime
- 1978-10-30 CA CA314,962A patent/CA1100216A/en not_active Expired
- 1978-12-19 JP JP53156766A patent/JPS5846075B2/ja not_active Expired
-
1979
- 1979-01-11 NL NL7900225A patent/NL7900225A/xx not_active Application Discontinuation
-
1983
- 1983-05-31 JP JP58096855A patent/JPS58222588A/ja active Pending
- 1983-05-31 JP JP58096854A patent/JPS59988A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CA1100216A (en) | 1981-04-28 |
NL7900225A (nl) | 1979-07-17 |
JPS6327879B2 (ja) | 1988-06-06 |
US4185256A (en) | 1980-01-22 |
JPS54101686A (en) | 1979-08-10 |
JPS58222588A (ja) | 1983-12-24 |
JPS5846075B2 (ja) | 1983-10-14 |
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