JPS59181317A - 光変調素子 - Google Patents
光変調素子Info
- Publication number
- JPS59181317A JPS59181317A JP58056947A JP5694783A JPS59181317A JP S59181317 A JPS59181317 A JP S59181317A JP 58056947 A JP58056947 A JP 58056947A JP 5694783 A JP5694783 A JP 5694783A JP S59181317 A JPS59181317 A JP S59181317A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- optical waveguide
- type
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 20
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 16
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 14
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 5
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 5
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 5
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 229910000927 Ge alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 230000001808 coupling effect Effects 0.000 description 1
- 238000013016 damping Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002747 voluntary effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
- G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
- G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
- G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
- G02F1/3133—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type the optical waveguides being made of semiconducting materials
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/06—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide
- G02F2201/063—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 integrated waveguide ridge; rib; strip loaded
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2202/00—Materials and properties
- G02F2202/10—Materials and properties semiconductor
- G02F2202/101—Ga×As and alloy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（７） 技 術 分 野
この発明は、化合物半導体で作られた２本の平行導波路
に光を通し、光導波路に変調電圧を加えることにより、
光強度を変化させるようにした光変調素子に係る。
に光を通し、光導波路に変調電圧を加えることにより、
光強度を変化させるようにした光変調素子に係る。
（イ） 従来技術とその問題点（１）
十分接近して平行に配置された光導波路に光を通すと、
光導波路間の結合のため、光エネルギーが導波路間でや
りとりされる。光が、先導波路内を進行するに従い、一
方の導波路の光のエネルギーの一部又は全部が他方の導
波路へ移行する。さらに光が進行すると、再ひもとの先
導波路へ光のエネルギーが戻ってくる。このように、光
の進行に伴って、光のエネルギーは、光導波路間を往復
運動する。
光導波路間の結合のため、光エネルギーが導波路間でや
りとりされる。光が、先導波路内を進行するに従い、一
方の導波路の光のエネルギーの一部又は全部が他方の導
波路へ移行する。さらに光が進行すると、再ひもとの先
導波路へ光のエネルギーが戻ってくる。このように、光
の進行に伴って、光のエネルギーは、光導波路間を往復
運動する。
光導波路が電気光学効果を有する物質で作られている場
合、光導波路に電圧を加えると、光導波路の屈折率が印
加電圧に応じて変化する。すると、結合状態も変化する
ので、印加電圧によって、光導波路間の光エネルギーの
やりとりを制御できる。
合、光導波路に電圧を加えると、光導波路の屈折率が印
加電圧に応じて変化する。すると、結合状態も変化する
ので、印加電圧によって、光導波路間の光エネルギーの
やりとりを制御できる。
一本の先導波路の出力光は、印加電圧の変動に応して変
化する。従って、互に結合した平行光導波路に電圧を印
加することにより、光変調素子を構成する事がてきる。
化する。従って、互に結合した平行光導波路に電圧を印
加することにより、光変調素子を構成する事がてきる。
このような光変調素子として第４１図りこ示すものが知
られている。
られている。
光変調素子３０は、Ｌ ｉ Ｎｂｏ ３基板３１の表面
Ｇこ、チタンＴｉを選択拡散して、屈折率の高（、ｚ部
分を作り、２本の光導波路３２．３３を形成してＧする
。
Ｇこ、チタンＴｉを選択拡散して、屈折率の高（、ｚ部
分を作り、２本の光導波路３２．３３を形成してＧする
。
光導波路３２．３３の上には電極３４．３５を設ける。
変調用電圧３６．３７を′電極３４．３５４こ印加して
、光導波路３２．３３の屈折率を相反０勺に変化させる
。
、光導波路３２．３３の屈折率を相反０勺に変化させる
。
２本の光導波路３２．３３は十分近接しており、光エネ
ルギーのやりとりがなされる。変調電圧番こ応して、結
合状態が変化し、光強度が変化する。
ルギーのやりとりがなされる。変調電圧番こ応して、結
合状態が変化し、光強度が変化する。
しかし、この光変調素子３０には次のような欠点があっ
た。
た。
（１） 印加電圧が光導波路３２．３３の部分にたけ
がある。Ｌｉｌ’ＪｂＯ３基板と、Ｔｉを選択拡散した
光導波路３２．３３の部分に、抵抗率の道かないので、
電圧の大部分はＬｉＮｂＯ３基板に加わる。変調に必要
な電圧は小さい方か良い。
がある。Ｌｉｌ’ＪｂＯ３基板と、Ｔｉを選択拡散した
光導波路３２．３３の部分に、抵抗率の道かないので、
電圧の大部分はＬｉＮｂＯ３基板に加わる。変調に必要
な電圧は小さい方か良い。
（２）光導波路３２．３３と電極３４．３５か接触して
いるため、光の吸収損失か大きい。
いるため、光の吸収損失か大きい。
（３）基板がＬｉＮｂＯ５であり、化合物半導体ではな
いから、光源、受光器なとの光回路素子とともに、この
変調素子を同一基板］二に設けることができない。すな
わちモノリシック光集積回路の構成素子として使うこと
ができない。
いから、光源、受光器なとの光回路素子とともに、この
変調素子を同一基板］二に設けることができない。すな
わちモノリシック光集積回路の構成素子として使うこと
ができない。
（つ） 従来技術とその間照点（２）
化合物半導体、例えばＧａＡｓ基板を用いた、モノリシ
ック化をめざす光変調素子が提案されている。
ック化をめざす光変調素子が提案されている。
第５図は公知の光変調素子４０の斜視１ズである。
ｎ型ＧａＡｓ基板４１の上に、ｉ型ＧａＡｓ層４２を設
け、さらに、この上に２本のｐ型ＧａＡｓよりなる線路
４３．４４を平行に形成する。基板４１と、線路４３．
４４の」二に、′電極４５．４Ｂ、４７を設ける。
け、さらに、この上に２本のｐ型ＧａＡｓよりなる線路
４３．４４を平行に形成する。基板４１と、線路４３．
４４の」二に、′電極４５．４Ｂ、４７を設ける。
ｉ型（真性半導体） ＧａＡｓ層４２は、高抵抗である
ので、光を閉じこめることができ、光導波層として機能
する。
ので、光を閉じこめることができ、光導波層として機能
する。
さらに、ｉ型ＧａＡｓ層４２の上に、ρ型ＧａＡｓの線
路４３．４４が設けられているから、この直下の領域４
９．５０は等価的に屈折率が高くなる。光は、この領域
に閉じこめられるから、４９．５０は先導波路となる。
路４３．４４が設けられているから、この直下の領域４
９．５０は等価的に屈折率が高くなる。光は、この領域
に閉じこめられるから、４９．５０は先導波路となる。
電極４５を接地し、電極４６．４７に直流負電圧を印加
し、さらに変調電圧をこれに相加する。
し、さらに変調電圧をこれに相加する。
ｐｎ接合は逆バイアスされるから電流は流れない。
光導波路４９．５０はキャリヤの少いｉ型ＧａＡｓであ
るから、電圧の大部分は、光導波路に加わり、基板４１
、線路４３．４４には殆ど電圧は加わらない。
るから、電圧の大部分は、光導波路に加わり、基板４１
、線路４３．４４には殆ど電圧は加わらない。
この光変調素子は、ＧａＡｓ基板を用いているから、モ
ノリシック光集積回路を構成すべき素子として利用でき
る。光導波路となる領域４９．５０が電極４６．４７と
離れているため、電極金属による光の吸収損失が少い。
ノリシック光集積回路を構成すべき素子として利用でき
る。光導波路となる領域４９．５０が電極４６．４７と
離れているため、電極金属による光の吸収損失が少い。
印加電圧の大部分が光導波路領域４９．５０に加わる。
このような利点があった。
しかし、欠点もあった。
光変調素子４０を製作するには、ｎ型ＧａＡｓウェハー
に、１型ＧａＡｓ １ｍ ４２及びｐ型ＧａＡｓ層をエ
ピタキシャル成長させる。この後、ｐ型ＧａＡｓ層をエ
ツチングして、２本の線路状にｐ型層を残して、線路４
３．４４とする。
に、１型ＧａＡｓ １ｍ ４２及びｐ型ＧａＡｓ層をエ
ピタキシャル成長させる。この後、ｐ型ＧａＡｓ層をエ
ツチングして、２本の線路状にｐ型層を残して、線路４
３．４４とする。
ｐ型、低型層の境界まで正確にエツチングできるのが理
想的である。しかし、同じＧａＡｓ結晶であるから、エ
ツチング速度は変らない。ｐ型、ｉ型というのは不純物
濃度の差によるもので、エツチング速度に殆と差が現わ
れない。そ、こて、エツチング時間を一定にして、ｐ型
層、ｉ型層の境界まで、ｐ型層の線路４３．４４以外の
部分をエツチング除去するようにしている。
想的である。しかし、同じＧａＡｓ結晶であるから、エ
ツチング速度は変らない。ｐ型、ｉ型というのは不純物
濃度の差によるもので、エツチング速度に殆と差が現わ
れない。そ、こて、エツチング時間を一定にして、ｐ型
層、ｉ型層の境界まで、ｐ型層の線路４３．４４以外の
部分をエツチング除去するようにしている。
エツチング過剰であると、ｉ層をエツチングしてしまう
から、２つの光導波領域４９．５１Ｊの間のｉ層がなく
なり、導波路間の結合が生じない。
から、２つの光導波領域４９．５１Ｊの間のｉ層がなく
なり、導波路間の結合が生じない。
１層が除去されないように、エツチングを過少にすると
、ｐ層が１層の上に残ってしまう。第６図はそのような
エツチング不足の状態に対応する光変調素子の断面図で
ある。
、ｐ層が１層の上に残ってしまう。第６図はそのような
エツチング不足の状態に対応する光変調素子の断面図で
ある。
ｐ型線路４３．４４の両側に、残留ｐ層５１．５２．５
３が存在する。ｐ層は、比抵抗がｉ層に比して小さいの
で、残留ｐ層５１〜５３、線路４３４４はほぼ同電位に
なる。電圧は、広く１層とｎ型基板４１の間に加わる。
３が存在する。ｐ層は、比抵抗がｉ層に比して小さいの
で、残留ｐ層５１〜５３、線路４３４４はほぼ同電位に
なる。電圧は、広く１層とｎ型基板４１の間に加わる。
もはや光導波領域４９．５０だけに、集中的に電圧を印
加する事ができない。
加する事ができない。
ｐｎ結合を逆バイアスするための直流分の電圧は、広く
、ｐ層とｎ型基板の間に加わり、ｉ層全体に印加される
。
、ｐ層とｎ型基板の間に加わり、ｉ層全体に印加される
。
変調電圧は直流分と異なり、電極４３．４４へ、反対の
極性で与えられる。この交流分は、しかしながら、抵抗
の低い、中間の残留ｐ層５２によって短絡される事にな
る。従って、変調電界は、光導波領域４９．５０へは殆
ど入ってゆかない。つまり、変調できなくなる。
極性で与えられる。この交流分は、しかしながら、抵抗
の低い、中間の残留ｐ層５２によって短絡される事にな
る。従って、変調電界は、光導波領域４９．５０へは殆
ど入ってゆかない。つまり、変調できなくなる。
このように、第５図に示す光変調素子４０は、エツチン
グ工程が微妙であって、製作が難しがった。
グ工程が微妙であって、製作が難しがった。
光導波路に要求される性質は、この変調素子に於て、
（１）光導波層に光を閉じこめることができる。
（２）印加電圧の大部分が光導波層に局所的に加わる０
という事である。第５図の公知例では、光を閉じこめる
ため、ＧａＡｓ結晶中に、キャリヤ密度の差を作り、キ
ャリヤ密度の低い部分の屈折率が高くなることを利用し
ている。このため、ｐ ｆ ｎ構造となっていた。
ため、ＧａＡｓ結晶中に、キャリヤ密度の差を作り、キ
ャリヤ密度の低い部分の屈折率が高くなることを利用し
ている。このため、ｐ ｆ ｎ構造となっていた。
条件（１）を満すため、キャリヤ密度の差を用いている
のである。
のである。
（２）の条件は、各層の比抵抗、つまりキャリヤ密度に
直接関係する。ｉ層（真性半導体）はｎ層ｐ層に比して
比抵抗が大きい。ｉ層を光導波路とする場合、これは（
２）の条件と矛盾するわけではない。
直接関係する。ｉ層（真性半導体）はｎ層ｐ層に比して
比抵抗が大きい。ｉ層を光導波路とする場合、これは（
２）の条件と矛盾するわけではない。
ρ−Ｉ −ｎ層が積層している時、ｐｎ接合に逆方向電
圧をかけた場合、ｉ層に大部分の電圧が加わるからであ
る。
圧をかけた場合、ｉ層に大部分の電圧が加わるからであ
る。
この公知技術は、（１）、（２）の条件を同時に満足す
るため、ＧａＡｓ結晶内にキャリヤ密度の差を巧妙に作
り出している。
るため、ＧａＡｓ結晶内にキャリヤ密度の差を巧妙に作
り出している。
しかし、２つの条件を満すために、ひとつのパラメータ
を使うのみであるから、パラメータが足りない。制御性
が良くない。
を使うのみであるから、パラメータが足りない。制御性
が良くない。
先に述べた、エツチング工程の難しさは、結局、パラメ
ータが足りない、という事に起因する。
ータが足りない、という事に起因する。
先導波路に要求される（１）、（２）の条件を別々のパ
ラメータを操作することにより、互に独立に満足させる
ようにすれば良い。
ラメータを操作することにより、互に独立に満足させる
ようにすれば良い。
本発明者はこう考えた。
≠）本発明の光変調素子
ＧａＡｓ単結晶と、ＧａＩ Ｘ ＡＪＩ！ｘＡｓ結晶
とは、結晶構造、格子間隔、熱膨張などがほぼ同一であ
るから、ＧａＡｓ基板の上にＧａｌ ＸＡβ、ｘＡＳ
のエピタキシャル層を設けて光素子が作られる。ＧａＡ
ｓの方が屈折率が大きいので一５ＧａＡｓをＧａ１−
ｘ ＡｌｘＡｓの層で挾むと、ＧａＡｓに光を閉じこめ
る事ができる。この性質はダブルへテロレーザダイオー
ドなどで既に利用されている。
とは、結晶構造、格子間隔、熱膨張などがほぼ同一であ
るから、ＧａＡｓ基板の上にＧａｌ ＸＡβ、ｘＡＳ
のエピタキシャル層を設けて光素子が作られる。ＧａＡ
ｓの方が屈折率が大きいので一５ＧａＡｓをＧａ１−
ｘ ＡｌｘＡｓの層で挾むと、ＧａＡｓに光を閉じこめ
る事ができる。この性質はダブルへテロレーザダイオー
ドなどで既に利用されている。
Ｘの値が増加するとともに、Ｇａｌ ｘＡ＃）（Ａｓ
の屈折率は低下する。
の屈折率は低下する。
本発明は、光を導波層内に閉じこめるために、結晶の成
分比を変える。結晶成分比をパラメータとして利用する
わけである。
分比を変える。結晶成分比をパラメータとして利用する
わけである。
先述の条件の（２）は、比抵抗の問題に帰着する。
これは光導波層の比抵抗が低いことを要求している。条
件（２）に対しては、それゆえキャリヤ密度をパラメー
タとして用いることにする。
件（２）に対しては、それゆえキャリヤ密度をパラメー
タとして用いることにする。
本発明の光変調素子はｐｎ接合部を持たない。各層に於
けるキャリヤの種類は共通である。全ての層をｎ型半導
体層で、又はｐ型半導体層で構成する。生粉体層の性質
を決定するパラメータは、Ｇａ、。
けるキャリヤの種類は共通である。全ての層をｎ型半導
体層で、又はｐ型半導体層で構成する。生粉体層の性質
を決定するパラメータは、Ｇａ、。
ＡＩの成分比と、キャリヤ密度である。
第１図は本発明の光変調素子の縦断斜視図である。
光変調素子は、下から順に、
（１） オーミック電極５
（２）基板ｎ＋（ｐ層） Ａ１１ＦＧａｘ−ｕＡｓ １
（３）基板層 ｎ”、 （ｐ” ） ＡＪ？ｘ
Ｇａ１− Ｘ Ａｓ ’１（４） 光導波層
ｎ （ｐ、） ＡｊｌｉｚＧａｌ ｚＡｓ、
３（５） バッファ層 ｎ（ρ） Ａ％Ｇ
ａ１ ｙＡｓ ４（６） ショットキー電極
６によって、構成されている
。
（３）基板層 ｎ”、 （ｐ” ） ＡＪ？ｘ
Ｇａ１− Ｘ Ａｓ ’１（４） 光導波層
ｎ （ｐ、） ＡｊｌｉｚＧａｌ ｚＡｓ、
３（５） バッファ層 ｎ（ρ） Ａ％Ｇ
ａ１ ｙＡｓ ４（６） ショットキー電極
６によって、構成されている
。
光導波層３は、光を強く閉じこめるために、これを挾む
バッファ層４、基板層２より、屈折率が十分に、少なく
とも０゜１％程度以上高くなくてはならない。これは、
２をＸ％Ｙより十分、小さくすることに等しい。
バッファ層４、基板層２より、屈折率が十分に、少なく
とも０゜１％程度以上高くなくてはならない。これは、
２をＸ％Ｙより十分、小さくすることに等しい。
基板層２があるので、基板１の成分比は任意であること
になる。基板１としてはＧａＡｓウニノー−が入手しや
すいので、例えば基板１をＧａＡｓ−、光導波路３をＧ
ａＡｓとすることもできる。このような場合、基板層２
、バッファ層４のＡ４の比率ＸＮ Ｙが正の値であれば
、光導波層３に光を強く閉じこめることができる。
になる。基板１としてはＧａＡｓウニノー−が入手しや
すいので、例えば基板１をＧａＡｓ−、光導波路３をＧ
ａＡｓとすることもできる。このような場合、基板層２
、バッファ層４のＡ４の比率ＸＮ Ｙが正の値であれば
、光導波層３に光を強く閉じこめることができる。
基板層２は、このように、基板１のＡ４の比率Ｕが、光
導波層３のＡＩの比率２より大きくすることができない
場合にはじめて必要となる。
導波層３のＡＩの比率２より大きくすることができない
場合にはじめて必要となる。
ｚ ＜ ｕとなるＡ４比率を有する基板１を使うものと
すれば、基板層２を省くこともできる。
すれば、基板層２を省くこともできる。
ｎ、ｐはそれぞれｎ型半導体、ｐ型半導体を示す。ｎ＋
、ρ十はキャリヤ密度がｎ１ｐより特に大きい部分を示
す。ｎ （ｐ）とあるのは、ｎ型でも、ρ型でもよい、
という事であるが、これらが混在してはいけない。全て
の層がｎ型である（ｎ＋−ｎ＋−ｎ−ｎ）か、又は全て
の層がｐ型である（ｐ”−ｐ十−ρ−ｐ）ことが必要で
ある。
、ρ十はキャリヤ密度がｎ１ｐより特に大きい部分を示
す。ｎ （ｐ）とあるのは、ｎ型でも、ρ型でもよい、
という事であるが、これらが混在してはいけない。全て
の層がｎ型である（ｎ＋−ｎ＋−ｎ−ｎ）か、又は全て
の層がｐ型である（ｐ”−ｐ十−ρ−ｐ）ことが必要で
ある。
キャリヤ密度は、基板層２、基板１に於て大きい。例え
ば〜１０ ／ｃｄ程度とする。
ば〜１０ ／ｃｄ程度とする。
光導波路３、バッファ層４に於て、キャリヤ密度は小さ
い。例えば、〜１０１５／Ｃ−程度とする。
い。例えば、〜１０１５／Ｃ−程度とする。
光導波層３は、上面で２本の近接した平行線路の一部に
なっており、線路部分の上に、２本の薄いバッファ層が
エピタキシャル成長して設ケチする。
なっており、線路部分の上に、２本の薄いバッファ層が
エピタキシャル成長して設ケチする。
平面状の光導波層３の中でも、バッファ層４の直下の導
波線路部分７．７の等側屈折率が高くなり、光は導波線
路部分７．７に局在する。
波線路部分７．７の等側屈折率が高くなり、光は導波線
路部分７．７に局在する。
バッファ層４とこの上の電極６はショットキー接触して
いる。電極６をショットキー電極とするため、電極６の
拐質は例えばＡＩである。
いる。電極６をショットキー電極とするため、電極６の
拐質は例えばＡＩである。
基板１につけた電極５はオーミック接触する電極でこれ
は、例えばＡｕ又はＡｕ −Ｇｅ合金を使う。
は、例えばＡｕ又はＡｕ −Ｇｅ合金を使う。
基板１の電極５に対し、ショットキー電極６には、負の
直流電源１０によってバイアス負電圧を印加する。変調
電圧源１１は、いずれか一方のショットキー電極６に、
或は異なる極性のものを２つ用意して、双方のショット
キー電極６．６に相加える。
直流電源１０によってバイアス負電圧を印加する。変調
電圧源１１は、いずれか一方のショットキー電極６に、
或は異なる極性のものを２つ用意して、双方のショット
キー電極６．６に相加える。
Ｇｔ） ・作 用
光導波層３のＡｅ比率２は、バッファ層４、基板層２の
Ａ４比率より低いから、屈折率がこれら両側の層より十
分大きいので、光を光導波層３の中へ強く閉じこめるこ
とができる。
Ａ４比率より低いから、屈折率がこれら両側の層より十
分大きいので、光を光導波層３の中へ強く閉じこめるこ
とができる。
光が通過する導波線路部分７．７は光導波層３によって
つながっているから、結合作用があり、光エネルギーを
交換できる。
つながっているから、結合作用があり、光エネルギーを
交換できる。
バッファ層４は、光と金属電極とを離隔し、金属電極に
よる光の吸収損失を低減する。
よる光の吸収損失を低減する。
この光変調素子はｐｎ接合部がない。しかし、電極６は
バッファ層４とショットキー接触しており、負の電圧は
、ショットキー電極６に加える。電流は殆ど流れない。
バッファ層４とショットキー接触しており、負の電圧は
、ショットキー電極６に加える。電流は殆ど流れない。
変調電圧は、比抵抗の大きいバッファ層と先導波層に加
わる。特に、バッファ層４．４直下の導波゛路部分７．
７に大部分の電圧が加わる。
わる。特に、バッファ層４．４直下の導波゛路部分７．
７に大部分の電圧が加わる。
（力）効 果
本発明の光変調素子は、光導波層内に光を閉じこめるた
めに、Ａ（１％ Ｇａの成分比を変化させている。印加
電圧が先導波層へ主に印加されるため、光導波層３とバ
ッファ層４のキャリヤ密度を低くしている。
めに、Ａ（１％ Ｇａの成分比を変化させている。印加
電圧が先導波層へ主に印加されるため、光導波層３とバ
ッファ層４のキャリヤ密度を低くしている。
本発明の優れた特徴は、バッファ層のエツチングに関し
、厳しい条件が課されない、という事である。バッファ
層４と光導波層３の境界まで過不足なくエツチングする
、という事は特に要求されない。
、厳しい条件が課されない、という事である。バッファ
層４と光導波層３の境界まで過不足なくエツチングする
、という事は特に要求されない。
第２図の断面図に示すように、エッチング不足で、バッ
ファ層が広く残っていたとする。電圧を電極間に印加し
た時、バッファ層４は高抵抗であるから、残留バッファ
層１２．１３．１４が、線路部分のバッファ層と同電位
にならず、従って、光導波層３の導波線路部分７以外に
は強い電界が加わらない。
ファ層が広く残っていたとする。電圧を電極間に印加し
た時、バッファ層４は高抵抗であるから、残留バッファ
層１２．１３．１４が、線路部分のバッファ層と同電位
にならず、従って、光導波層３の導波線路部分７以外に
は強い電界が加わらない。
基板層２、基板１は低抵抗であるから、電圧は、この部
分には殆ど加わらない。
分には殆ど加わらない。
バッファ層４をエツチングする工程が、より容易になる
。バッファ層４を過不足なく除去しなければならない、
という事かないからである。これが、第５図に示す従来
例の素子に勝る特長である。
。バッファ層４を過不足なく除去しなければならない、
という事かないからである。これが、第５図に示す従来
例の素子に勝る特長である。
バッファ層は光を電極から遠ざけるものであるので、極
めて薄いもので良い。
めて薄いもので良い。
バッファ層の厚みｄを変えて、光の長手方向の減衰係数
αを調べた結果を第３図に示しである。
αを調べた結果を第３図に示しである。
バッファ層、基板層のＡ４成分比ＶＥＫはともに０．０
４又は０．０８の場合のグラフである。基板、光導波層
はＧａＡｓである（ ｕ ＝ ｚ ＝ ０ ） 。光の
波長は１１−０６７ｚである。
４又は０．０８の場合のグラフである。基板、光導波層
はＧａＡｓである（ ｕ ＝ ｚ ＝ ０ ） 。光の
波長は１１−０６７ｚである。
光の減衰係数αは、光導波路を通る光の強度が長手方向
へ伝搬するに従い減衰してゆく程度を表わす（単位はｐ
ｎ ）。
へ伝搬するに従い減衰してゆく程度を表わす（単位はｐ
ｎ ）。
バッファ層の厚みが０．３μｊｎ程度以上であれば、吸
収損失が十分小さくなることが分る。
収損失が十分小さくなることが分る。
（ト） 実 施 例
ひとつの実施例を示す。各層は、
基 板 ＧａＡｓ
基板層 ＡＩ Ｇａ Ａｓ
Ｏ，８４０，９６
先導波層 ＧａＡｓ 厚さ１．５μ
ｍバ’／７ア層 Ａ、ｇ Ｇａ Ａｓ
厚さく１．４ ｔｔｔｎ００４ ００６ 線路の間隔 ５ ４μｍ 線路の幅 ＩＶＩ ４ ｌｂｍ線路の高さ
ＨＯ，５μｍ である。ｘ ＝ ｙ ＝ ０．０４、ｕ ＝ ｚ ＝
０の例である。
ｍバ’／７ア層 Ａ、ｇ Ｇａ Ａｓ
厚さく１．４ ｔｔｔｎ００４ ００６ 線路の間隔 ５ ４μｍ 線路の幅 ＩＶＩ ４ ｌｂｍ線路の高さ
ＨＯ，５μｍ である。ｘ ＝ ｙ ＝ ０．０４、ｕ ＝ ｚ ＝
０の例である。
素子の長さしは７．４１１１１である。
基板、基板層の電子密度は２Ｘ１０ ｍ である。
バッファ層、光導波層の電子密度は５Ｘ１０ｃＩＲであ
る。比抵抗はそれぞれ６Ｘ１０−３鎗、６Ｘ１０”Ωα
であった。
る。比抵抗はそれぞれ６Ｘ１０−３鎗、６Ｘ１０”Ωα
であった。
スイッチング電圧は１１ｖ１容量は２．ＯｐＦであった
。変調帯域ΔｆはＬ２ＧＨｚで、変調光出力／帯域比Ｐ
／Δｆは１００μｗ／ｌ■Ｈｚの光変調素子を得ること
ができた。
。変調帯域ΔｆはＬ２ＧＨｚで、変調光出力／帯域比Ｐ
／Δｆは１００μｗ／ｌ■Ｈｚの光変調素子を得ること
ができた。
実施例をＧａＡｓ系について説明したが−，ｌｎＰ系等
の化合物半導体についても同種構造の素子を考える小が
できる。
の化合物半導体についても同種構造の素子を考える小が
できる。
汐） 用 途
単体で、光通信の送信素子としての発光素子の外部変調
に利用することができる。
に利用することができる。
アナログ波形のサンプラ、レーザプリンタ、光ディスク
の変調素子として使用できる。
の変調素子として使用できる。
また、光集積回路の中の機能素子のひとつとして利用す
ることができる。
ることができる。
第１図は本発明の光変調素子の縦断斜視図。
第２図はバッファ層のエツチングが不足で、バッファ層
が光導波層の上に残っている状態を示す光変調素子の縦
断正面図。 第３図はバッファ層の厚みと、光の電極による吸収損失
の関係を示すグラフ。横軸はバッファ層の厚み（μＰｎ
）、縦軸は、減衰係数１１（ｍ ）である。 第４図はＬｉｌ”ＪｂＯ１基板にＴｉを選択拡散して作
った公知の光変調素子の縦断斜視図。 第５図はｐｉｎ接合を有するＧａＡｓ結晶で作製した光
変調素子の縦断斜視図。 第６図は第５図の光変調素子に於て、ρ型層のエツチン
グが不足でｉ型層の上に広く残っている状態を示す縦断
正面図。 １ ・・・・・・・・・ 基 板２
・・・・・・・・・ 基 板 層３
・・・・・・・・・ 光 導 波 層４ ・・
・・・・・・・ バッファ層 ５ ・・・・・・・・・ オーミック電極６ ・・・
・・・・・・ ショットキー電極７ ・・・・・・・・
・ 光導波線路部分１０ ・・・・・・ 直 流
電 源１１ ・・・・・・変調電圧源 ４ 手続補正書（自発） 昭和５９年２月１８、日 し −を 特許庁長官若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭 ５８ − ５６９４７ ２、発明の名称 光変調素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 居 所大阪市東区北浜５丁目１５番地 名 称（２１３）住友電気工業株式会社代表者社長 川
−ヒ 哲 部 ４、代 理 人 弓５３７ 住 所 大阪市東成区中道３丁目１５番１６号６ 補正
の内容 （１）「特許イ１１求の範囲」については別紙のとおり
。 （２） 明細書第１０頁第８行目 「比抵抗が低いととＪとあるのを 「比抵抗が大きいこと」と訂正する。 （３） 同書第１０頁第１４行目 １半へγ体層」とあるのを 「半導体層」と訂正する。 （４）同書第１２頁第１１行目 ＋７ ３ ［−〜１０７ｃｍ Ｊとあるのを ［１０７ｃｍ Ｊと訂正する。 （５）同也第１２頁第１３行目 「〜１０／ｃｒｎ」とあるのを、 「１０／ｃノｎ」と訂正する。 （６）同書第１６頁第１６行目 ５−３ ｒ２Ｘ１０側 」とあるのを、 「５×１０１７Ｃ７ｎ」ト訂正スル。 （７）同書第１６頁第１７行目 １７４ ｒ５Ｘ １０ ａｎ Ｊとあるのを ５−３ 「２×１ｏｃｍ」と訂正する。 （８）同書第１６頁第１８行目 「比抵抗はそれぞれ６×１ｏ Ωａｎ Ｊとあるのを、 「比抵抗はそれぞれ４×１ｏ ０ｃｍ Ｊと訂正する。 （９） 同書第１６頁第２１行目 「変調光出力」とあるのを、 「変調電力」と訂正する。 特許請求の範囲 化合物半導体結晶よりなり高いキャリヤ密度を有する基
板１と、爪板１の上に設けられ化合物半導体結晶よりな
り高いキャリヤ密度を有する基板層２と、基板層２の上
に設けられた化合物半導体結晶よりなり低いキャリヤ密
度を有する光導波層３と、光導波層３の上に互に平行で
十分近接して設けられ化合物半導体結晶よシなシ低いキ
ャリヤ密度を有する２本のバッファ層４．４と、基板１
にオーミック接触する電極５と、バッファ層４．４とシ
ョットキー接触する電極６．６とよシなり、基板１、基
板層２、光導波層３、バッファ層４．４は全てｎ型半導
体、又は全てｐ型半導体であって、光導波層３の屈折率
は基板層２、バッファ層よシ、０．１％程度高くしであ
る事を特徴とする光変調素子。 手続補正書旧発） 昭和５９年４月 ６１１ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿１、事件の表示 特願昭５８−５６９４７ ２、発明の名称 光変調素子 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 居 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称 （２１
３）住友電気工業株式会社代表者社長 川 上 哲
部 ４代 理 人 ＠５３７ 住 所 大阪市東成°区中道３丁目１５番１６号毎日東
ビル７０４ 雷０６ （９７４）６３２１明細書の「発
明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）「特許請求の範囲」については別紙のとおシ。 （２）明細書第１６頁第２１行目 「変調光出力」とあるのを「変調駆動電力」と訂正する
。 特許請求の範囲 化合物半導体結晶よりなシ高いキャリヤ密度を有する基
板１と、基板１の上に設けられ化合物半導体結晶よりな
り高いキャリヤ密度を有する基板層２と、基板層２の上
に設けられた化合物半導体結晶よシなシ低いキャリヤ密
度を有する光導波層３と、光導波層３の上に互に平行で
十分近接して設けられ化合物半導体結晶よシなシ低いキ
ャリヤ密度を有する２本のバッファ層４．４と、基板１
にオーミック接触する電極５と、バッファ層４．４とシ
ョットキー接触する電極６．６とよりなり、基板１、基
板層２、光導波層３、バッファ層４．４は全てｎ型半導
体、又は全てｐ型半導体であって、光導波層３の屈折率
は基板層２、バッファ層４より、少なくとも０．１％程
度以上高くしである事を特徴とする光変調素子。
が光導波層の上に残っている状態を示す光変調素子の縦
断正面図。 第３図はバッファ層の厚みと、光の電極による吸収損失
の関係を示すグラフ。横軸はバッファ層の厚み（μＰｎ
）、縦軸は、減衰係数１１（ｍ ）である。 第４図はＬｉｌ”ＪｂＯ１基板にＴｉを選択拡散して作
った公知の光変調素子の縦断斜視図。 第５図はｐｉｎ接合を有するＧａＡｓ結晶で作製した光
変調素子の縦断斜視図。 第６図は第５図の光変調素子に於て、ρ型層のエツチン
グが不足でｉ型層の上に広く残っている状態を示す縦断
正面図。 １ ・・・・・・・・・ 基 板２
・・・・・・・・・ 基 板 層３
・・・・・・・・・ 光 導 波 層４ ・・
・・・・・・・ バッファ層 ５ ・・・・・・・・・ オーミック電極６ ・・・
・・・・・・ ショットキー電極７ ・・・・・・・・
・ 光導波線路部分１０ ・・・・・・ 直 流
電 源１１ ・・・・・・変調電圧源 ４ 手続補正書（自発） 昭和５９年２月１８、日 し −を 特許庁長官若 杉 和 夫 殿 １、事件の表示 特願昭 ５８ − ５６９４７ ２、発明の名称 光変調素子 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 居 所大阪市東区北浜５丁目１５番地 名 称（２１３）住友電気工業株式会社代表者社長 川
−ヒ 哲 部 ４、代 理 人 弓５３７ 住 所 大阪市東成区中道３丁目１５番１６号６ 補正
の内容 （１）「特許イ１１求の範囲」については別紙のとおり
。 （２） 明細書第１０頁第８行目 「比抵抗が低いととＪとあるのを 「比抵抗が大きいこと」と訂正する。 （３） 同書第１０頁第１４行目 １半へγ体層」とあるのを 「半導体層」と訂正する。 （４）同書第１２頁第１１行目 ＋７ ３ ［−〜１０７ｃｍ Ｊとあるのを ［１０７ｃｍ Ｊと訂正する。 （５）同也第１２頁第１３行目 「〜１０／ｃｒｎ」とあるのを、 「１０／ｃノｎ」と訂正する。 （６）同書第１６頁第１６行目 ５−３ ｒ２Ｘ１０側 」とあるのを、 「５×１０１７Ｃ７ｎ」ト訂正スル。 （７）同書第１６頁第１７行目 １７４ ｒ５Ｘ １０ ａｎ Ｊとあるのを ５−３ 「２×１ｏｃｍ」と訂正する。 （８）同書第１６頁第１８行目 「比抵抗はそれぞれ６×１ｏ Ωａｎ Ｊとあるのを、 「比抵抗はそれぞれ４×１ｏ ０ｃｍ Ｊと訂正する。 （９） 同書第１６頁第２１行目 「変調光出力」とあるのを、 「変調電力」と訂正する。 特許請求の範囲 化合物半導体結晶よりなり高いキャリヤ密度を有する基
板１と、爪板１の上に設けられ化合物半導体結晶よりな
り高いキャリヤ密度を有する基板層２と、基板層２の上
に設けられた化合物半導体結晶よりなり低いキャリヤ密
度を有する光導波層３と、光導波層３の上に互に平行で
十分近接して設けられ化合物半導体結晶よシなシ低いキ
ャリヤ密度を有する２本のバッファ層４．４と、基板１
にオーミック接触する電極５と、バッファ層４．４とシ
ョットキー接触する電極６．６とよシなり、基板１、基
板層２、光導波層３、バッファ層４．４は全てｎ型半導
体、又は全てｐ型半導体であって、光導波層３の屈折率
は基板層２、バッファ層よシ、０．１％程度高くしであ
る事を特徴とする光変調素子。 手続補正書旧発） 昭和５９年４月 ６１１ 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿１、事件の表示 特願昭５８−５６９４７ ２、発明の名称 光変調素子 ３補正をする者 事件との関係 特許出願人 居 所 大阪市東区北浜５丁目１５番地名 称 （２１
３）住友電気工業株式会社代表者社長 川 上 哲
部 ４代 理 人 ＠５３７ 住 所 大阪市東成°区中道３丁目１５番１６号毎日東
ビル７０４ 雷０６ （９７４）６３２１明細書の「発
明の詳細な説明」の欄 ６、補正の内容 （１）「特許請求の範囲」については別紙のとおシ。 （２）明細書第１６頁第２１行目 「変調光出力」とあるのを「変調駆動電力」と訂正する
。 特許請求の範囲 化合物半導体結晶よりなシ高いキャリヤ密度を有する基
板１と、基板１の上に設けられ化合物半導体結晶よりな
り高いキャリヤ密度を有する基板層２と、基板層２の上
に設けられた化合物半導体結晶よシなシ低いキャリヤ密
度を有する光導波層３と、光導波層３の上に互に平行で
十分近接して設けられ化合物半導体結晶よシなシ低いキ
ャリヤ密度を有する２本のバッファ層４．４と、基板１
にオーミック接触する電極５と、バッファ層４．４とシ
ョットキー接触する電極６．６とよりなり、基板１、基
板層２、光導波層３、バッファ層４．４は全てｎ型半導
体、又は全てｐ型半導体であって、光導波層３の屈折率
は基板層２、バッファ層４より、少なくとも０．１％程
度以上高くしである事を特徴とする光変調素子。
Claims (1)
- 化合物半導体結晶よりなり高いキャリヤ密度を一部する
基板１と、基板１の上に設けられ化合物半導体結晶より
なり高いキャリヤ密度を有する基板層２と・基板層２の
上に設けられた化合物半導体結晶よりなり低いキャリヤ
密度を有する光導波層３と、光導波層３の上に互に平行
で十分近接して設けられ化合物半導体よりなり低いキャ
リヤ密度を有する２本のバッファ層４．４と、基板１に
オーミック接触する電極５と、バッファ層４．４とショ
ットキー接触する電極６．６とよりなり、基板１、基板
層２、光導波層３、バッファ層４．４は全てｎ型半導体
、又は全てρ型半導体であって、光導波層３の屈折率は
基板Ｊ’ｆＪ ２ 、バッファ層４より、０．１％程度
高くしである率を特徴とする光変調素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056947A JPS59181317A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 光変調素子 |
| DE8484302084T DE3472470D1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-28 | Light modulation device |
| EP84302084A EP0121401B1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-28 | Light modulation device |
| AU26226/84A AU562971B2 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-29 | Light modulation using semiconductor waveguides |
| CA000450919A CA1212749A (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Light modulation device |
| US06/902,090 US4685763A (en) | 1983-03-31 | 1986-08-27 | Light modulation device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58056947A JPS59181317A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 光変調素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59181317A true JPS59181317A (ja) | 1984-10-15 |
Family
ID=13041739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58056947A Pending JPS59181317A (ja) | 1983-03-31 | 1983-03-31 | 光変調素子 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4685763A (ja) |
| EP (1) | EP0121401B1 (ja) |
| JP (1) | JPS59181317A (ja) |
| AU (1) | AU562971B2 (ja) |
| CA (1) | CA1212749A (ja) |
| DE (1) | DE3472470D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164019A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-20 | Nec Corp | 光方向性結合素子 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2584826B1 (fr) * | 1985-07-11 | 1987-10-09 | Labo Electronique Physique | Element de commutation optique entre deux guides de lumiere et matrice de commutation optique formee de ces elements de commutation |
| US4775208A (en) * | 1986-06-06 | 1988-10-04 | Polaroid Corporation | Planar waveguide mode converter device |
| US4861130A (en) * | 1986-10-29 | 1989-08-29 | Hitachi, Ltd. | Optical modulating device utilizing polariton substance |
| CH667155A5 (de) * | 1987-08-13 | 1988-09-15 | Landis & Gyr Ag | Lichtmodulator. |
| GB8727212D0 (en) * | 1987-11-20 | 1987-12-23 | Secr Defence | Optical beam steering device |
| JPH01134430A (ja) * | 1987-11-20 | 1989-05-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | 分布結合形光スイッチ |
| US4913506A (en) * | 1988-02-26 | 1990-04-03 | Kokusai Denshin Denwa Kabushiki Kaisha | Optical modulation device |
| US4943133A (en) * | 1988-08-08 | 1990-07-24 | Bell Communications Research, Inc. | Low loss semiconductor optical phase modulator |
| US4991920A (en) * | 1988-12-27 | 1991-02-12 | Andrzej Peczalski | Optical converter |
| JPH0786624B2 (ja) * | 1989-02-28 | 1995-09-20 | 日本電気株式会社 | 方向性結合器型光スイッチ |
| DE59010811D1 (de) * | 1989-09-01 | 1998-04-23 | Siemens Ag | Integriert optische Anordnung mit wenigstens einem auf einem Substrat aus Halbleitermaterial integrierten optischen Wellenleiter |
| US5411895A (en) * | 1989-10-10 | 1995-05-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Hybrid multiple quantum well spatial light modulator |
| US5196767A (en) * | 1991-01-04 | 1993-03-23 | Optron Systems, Inc. | Spatial light modulator assembly |
| JP2739666B2 (ja) * | 1992-06-11 | 1998-04-15 | 国際電信電話株式会社 | 光変調素子 |
| IL105952A (en) * | 1993-06-08 | 1997-02-18 | Univ Ramot | Controlled semiconductor capacitors |
| US5608566A (en) * | 1995-08-11 | 1997-03-04 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Multi-directional electro-optic switch |
| IL119006A (en) | 1996-08-04 | 2001-04-30 | B G Negev Technologies And App | Optical filters with adjustable stay line |
| GB2323450A (en) * | 1997-03-20 | 1998-09-23 | Secr Defence | Optical modulator |
| US6226423B1 (en) * | 1998-09-11 | 2001-05-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Optical waveguide element |
| US6211997B1 (en) * | 1999-03-31 | 2001-04-03 | Eastman Kodak Company | Modulator for optical printing |
| JP2002174801A (ja) * | 2000-12-07 | 2002-06-21 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体光機能装置 |
| EP1730561B1 (en) * | 2004-04-02 | 2008-08-13 | Northrop Grumman Corporation | Implementation of one or more optical waveguides in reduced optical material |
| US7343054B1 (en) * | 2007-01-04 | 2008-03-11 | Fujitsu Limited | Integrated electro-optic module for high speed data transmission |
| JP4187771B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-11-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 光制御素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5498587A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light switch |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB1437067A (en) * | 1974-08-08 | 1976-05-26 | Standard Telephones Cables Ltd | Optical waveguide couplers |
| GB1529451A (en) * | 1975-02-27 | 1978-10-18 | Standard Telephones Cables Ltd | Optical waveguide couplers |
| JPS5251955A (en) * | 1975-10-23 | 1977-04-26 | Mitsubishi Electric Corp | Optical semiconductor device |
| US4093345A (en) * | 1976-05-27 | 1978-06-06 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Semiconductor rib waveguide optical modulator with heterojunction control electrode cladding |
| JPS5448569A (en) * | 1977-09-26 | 1979-04-17 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Photo switch |
| US4185256A (en) * | 1978-01-13 | 1980-01-22 | Xerox Corporation | Mode control of heterojunction injection lasers and method of fabrication |
| JPS5737327A (en) * | 1980-08-15 | 1982-03-01 | Nec Corp | Directional coupler type optical modulator |
-
1983
- 1983-03-31 JP JP58056947A patent/JPS59181317A/ja active Pending
-
1984
- 1984-03-28 DE DE8484302084T patent/DE3472470D1/de not_active Expired
- 1984-03-28 EP EP84302084A patent/EP0121401B1/en not_active Expired
- 1984-03-29 AU AU26226/84A patent/AU562971B2/en not_active Ceased
- 1984-03-30 CA CA000450919A patent/CA1212749A/en not_active Expired
-
1986
- 1986-08-27 US US06/902,090 patent/US4685763A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5498587A (en) * | 1978-01-20 | 1979-08-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor light switch |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62164019A (ja) * | 1986-01-16 | 1987-07-20 | Nec Corp | 光方向性結合素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| AU2622684A (en) | 1984-10-04 |
| EP0121401A3 (en) | 1984-11-28 |
| EP0121401B1 (en) | 1988-06-29 |
| US4685763A (en) | 1987-08-11 |
| EP0121401A2 (en) | 1984-10-10 |
| AU562971B2 (en) | 1987-06-25 |
| CA1212749A (en) | 1986-10-14 |
| DE3472470D1 (en) | 1988-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS59181317A (ja) | 光変調素子 | |
| Goossen et al. | Observation of room‐temperature blue shift and bistability in a strained InGaAs‐GaAs< 111> self‐electro‐optic effect device | |
| US6680791B2 (en) | Semiconductor device for rapid optical switch by modulated absorption | |
| US4997246A (en) | Silicon-based rib waveguide optical modulator | |
| US4889402A (en) | Electro-optic polarization modulation in multi-electrode waveguides | |
| US4093345A (en) | Semiconductor rib waveguide optical modulator with heterojunction control electrode cladding | |
| CN101592844B (zh) | 非周期宽带可调全光波长转换器的制作方法 | |
| US7599593B2 (en) | Ge-Si quantum well structures | |
| US4842376A (en) | Double-schottky diode liquid crystal light valve | |
| Lee et al. | Two-dimensional silicon/PLZT spatial light modulators: design considerations and technology | |
| US6445839B1 (en) | Optical wavelength-division-multiplexed cross-connect incorporating optically controlled optical switch | |
| JPS6214121A (ja) | 光スイツチング素子 | |
| JP2628956B2 (ja) | 光スイッチ | |
| Baek et al. | All-optical integrated Mach-Zehnder switching in lithium niobate waveguides due to cascaded nonlinearities | |
| EP0494086A2 (en) | Near bandgap radiation modulation spatial light modulators | |
| US4082419A (en) | Optical waveguide couplers | |
| JP2001305498A (ja) | 半導体光変調器 | |
| Olbright et al. | Optical switching in N× N arrays of individually addressable electroabsorption modulators based on Wannier–Stark carrier localization in GaAs/GaAlAs superlattices | |
| US5537497A (en) | Optimized electrode geometries for digital optical switches | |
| Reisinger et al. | GaAlAs Schottky directional‐coupler switch | |
| JPS5518094A (en) | Semiconductor laser device with high optical output and horizontal fundamental mode | |
| Brown et al. | An integrated, optically powered, optoelectronic'smart'logic pixel for interconnection and computing applications | |
| JP3198169B2 (ja) | 光不安定装置 | |
| JPS63229867A (ja) | チヤネル導波路形シヨツトキ・フオトダイオード | |
| JPH0263024A (ja) | 光素子 |