JP3198169B2 - 光不安定装置 - Google Patents
光不安定装置Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は時間的に一定でない振
動的あるいはカオス的出力光が得られる光不安定装置に
関するものである。
動的あるいはカオス的出力光が得られる光不安定装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は例えばＡｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓ
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ （アプライド フィジックス
レターズ）４５巻 第１３頁 １９８４発行に示され
た光双安定素子を示す図であり、図において、４はＧａ
ＡｓとＡｌＧａＡｓの周期構造からなる多重量子井戸
層、３は多重量子井戸層４の表裏両面に配設したイント
リンシックＡｌＧａＡｓの中間層、１は中間層３の表面
に配置したｐ型ＡｌＧａＡｓ層（以下、ｐ型層と略称す
る）、２は中間層３の表面に配設したｎ型ＡｌＧａＡｓ
層（以下、ｎ型層と略称する）である。
ｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ （アプライド フィジックス
レターズ）４５巻 第１３頁 １９８４発行に示され
た光双安定素子を示す図であり、図において、４はＧａ
ＡｓとＡｌＧａＡｓの周期構造からなる多重量子井戸
層、３は多重量子井戸層４の表裏両面に配設したイント
リンシックＡｌＧａＡｓの中間層、１は中間層３の表面
に配置したｐ型ＡｌＧａＡｓ層（以下、ｐ型層と略称す
る）、２は中間層３の表面に配設したｎ型ＡｌＧａＡｓ
層（以下、ｎ型層と略称する）である。
【０００３】Ｐinはｐ型層１への入力光、Ｐout はｎ型
層２からの出力光、Ｖ0 は抵抗Ｒを介してｐ型層１とｎ
型層２間に電圧を印加する電源である。
層２からの出力光、Ｖ0 は抵抗Ｒを介してｐ型層１とｎ
型層２間に電圧を印加する電源である。
【０００４】次に動作について説明する。多重量子井戸
層４で吸収される波長の単色光を入力すると、この光を
多重量子井戸層４が吸収するために、抵抗Ｒを通って光
電流Ｉが流れる。従って、抵抗Ｒで電圧降下が生じ、光
双安定素子のｐ型層１とｎ型層２間の印加電圧Ｖが、電
流電圧Ｖ0 より電圧降下ＲＩだけ低下する。
層４で吸収される波長の単色光を入力すると、この光を
多重量子井戸層４が吸収するために、抵抗Ｒを通って光
電流Ｉが流れる。従って、抵抗Ｒで電圧降下が生じ、光
双安定素子のｐ型層１とｎ型層２間の印加電圧Ｖが、電
流電圧Ｖ0 より電圧降下ＲＩだけ低下する。
【０００５】ところが、上記印加電圧Ｖが低下すると、
多重量子井戸層４での光吸収量が減少し、この結果、光
電流Ｉも減少し、電圧降下ＲＩも少なくなる。このよう
な電気光学的フィードバックにより、光双安定素子にか
かる電圧が２つの安定な値を示す条件が得られる。
多重量子井戸層４での光吸収量が減少し、この結果、光
電流Ｉも減少し、電圧降下ＲＩも少なくなる。このよう
な電気光学的フィードバックにより、光双安定素子にか
かる電圧が２つの安定な値を示す条件が得られる。
【０００６】この場合、それぞれの印加電圧Ｖに対して
入力光の吸収が異なるので、光双安定素子は２つの出力
Ｐout の強度及び光電流Ｉを示す。
入力光の吸収が異なるので、光双安定素子は２つの出力
Ｐout の強度及び光電流Ｉを示す。
【０００７】図６は入力光Ｐinの強度及び波長λに対す
る出力光Ｐout の強度及び光電流Ｉの双安定特性を示し
たものである。
る出力光Ｐout の強度及び光電流Ｉの双安定特性を示し
たものである。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の光双安定素子は
以上のように構成されているので、２つの出力値を取り
得るが、条件が変わらなければ、どちらかの出力値を時
間的に安定に取り続け、他の出力値を取り得る状態に変
えるには、何かの条件を変化させなければならず、入射
光を変化させることなく、透過光を振動的あるいはカオ
ス的に変調できる光不安定装置がなかった。
以上のように構成されているので、２つの出力値を取り
得るが、条件が変わらなければ、どちらかの出力値を時
間的に安定に取り続け、他の出力値を取り得る状態に変
えるには、何かの条件を変化させなければならず、入射
光を変化させることなく、透過光を振動的あるいはカオ
ス的に変調できる光不安定装置がなかった。
【０００９】この発明は時間的に不安定な振動的あるい
はカオス的な光出力及び電流出力が得られる光不安定装
置を提供することを目的とする。
はカオス的な光出力及び電流出力が得られる光不安定装
置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る光
不安定装置は、入射光に対して出力光が２つの安定な応
答を示す２つの光双安定素子を、この２つの光双安定素
子を透過した出力光の強度が時間的に安定な応答を示さ
ないように光学的および電気的に結合させたものであ
る。
不安定装置は、入射光に対して出力光が２つの安定な応
答を示す２つの光双安定素子を、この２つの光双安定素
子を透過した出力光の強度が時間的に安定な応答を示さ
ないように光学的および電気的に結合させたものであ
る。
【００１１】請求項２の発明に係る光不安定装置は、入
射光に対して出力光が２つの安定な応答を示す２つの光
双安定素子を光学的に直列に配置し、かつ、外部負荷の
一部あるいは全部を前記２つの光双安定素子に共通に用
いるものである。
射光に対して出力光が２つの安定な応答を示す２つの光
双安定素子を光学的に直列に配置し、かつ、外部負荷の
一部あるいは全部を前記２つの光双安定素子に共通に用
いるものである。
【００１２】請求項３の発明に係る光不安定装置は、量
子井戸光吸収層を有するフォトダイオードを光双安定素
子としたものである。
子井戸光吸収層を有するフォトダイオードを光双安定素
子としたものである。
【００１３】請求項４または請求項５の発明に係る光不
安定装置は、外部負荷の一部あるいは全部に抵抗または
ダイオードを用いるものである。
安定装置は、外部負荷の一部あるいは全部に抵抗または
ダイオードを用いるものである。
【００１４】請求項６の発明に係る光不安定装置は、２
つの光双安定素子を１つに集積したｎｉｐｉｎ構造ある
いはｐｉｎｉｐ構造の素子を用いるものである。
つの光双安定素子を１つに集積したｎｉｐｉｎ構造ある
いはｐｉｎｉｐ構造の素子を用いるものである。
【００１５】
【作用】請求項１の発明における２つの光双安定素子
は、光学的、電気的結合により、ある光入力条件に対し
て、一方の光双安定素子の取り得る双安定条件と他方の
光双安定素子の取り得る双安定条件が異なるようにな
り、上記２つの光双安定素子を組合せた系全体は不安定
な状態となって振動的あるいはカオス的光出力を得るこ
とができる。
は、光学的、電気的結合により、ある光入力条件に対し
て、一方の光双安定素子の取り得る双安定条件と他方の
光双安定素子の取り得る双安定条件が異なるようにな
り、上記２つの光双安定素子を組合せた系全体は不安定
な状態となって振動的あるいはカオス的光出力を得るこ
とができる。
【００１６】請求項２の発明における２つの光双安定素
子は、光学的に直列に配置し、外部負荷を共通に接続し
たことにより、２つの光双安定素子の光学的、電気的結
合が簡単、容易である。
子は、光学的に直列に配置し、外部負荷を共通に接続し
たことにより、２つの光双安定素子の光学的、電気的結
合が簡単、容易である。
【００１７】請求項３の発明における光双安定素子は、
量子井戸光吸収層を有するフォトダイオードであるの
で、光双安定素子が容易に得られる。
量子井戸光吸収層を有するフォトダイオードであるの
で、光双安定素子が容易に得られる。
【００１８】請求項４または請求項５の発明における外
部負荷は、一部あるいは全部に抵抗またはダイオードを
用い、特にダイオードを利用した場合は不安定状態が得
やすくなる。
部負荷は、一部あるいは全部に抵抗またはダイオードを
用い、特にダイオードを利用した場合は不安定状態が得
やすくなる。
【００１９】請求項６の発明における光双安定素子は、
２つの光双安定素子を１つの集積素子としたので、部品
数が減少し、取扱いが容易である。
２つの光双安定素子を１つの集積素子としたので、部品
数が減少し、取扱いが容易である。
【００２０】
実施例１．以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１において、１００はｐ−ｉ−ｎ型の光双安定
素子であり、この光双安定素子１００はＧａＡｓとＡｌ
ＧａＡｓの周期構造からなる多重量子井戸層２４の表裏
両面にイントリンシックＡｌＧａＡｓの中間層２３を配
設し、この一方の中間層２３の表面にｐ型ＡｌＧａＡｓ
層２１を他方の中間層２３の表面にｎ型ＡｌＧａＡｓ層
２２を配設した構成である。
する。図１において、１００はｐ−ｉ−ｎ型の光双安定
素子であり、この光双安定素子１００はＧａＡｓとＡｌ
ＧａＡｓの周期構造からなる多重量子井戸層２４の表裏
両面にイントリンシックＡｌＧａＡｓの中間層２３を配
設し、この一方の中間層２３の表面にｐ型ＡｌＧａＡｓ
層２１を他方の中間層２３の表面にｎ型ＡｌＧａＡｓ層
２２を配設した構成である。
【００２１】１０１はｎ−ｉ−ｐ型の光双安定素子であ
り、この光双安定素子１０１はＧａＡｓとＡｌＧａＡｓ
の周期構造からなる多重量子井戸層２８の表裏両面にイ
ントリンシックＡｌＧａＡｓの中間層２７を配設し、こ
の一方の中間層２７の表面にｎ型ＡｌＧａＡｓ層２５を
他方の中間層２７の表面にｐ型ＡｌＧａＡｓ層２６を配
設した構成である。
り、この光双安定素子１０１はＧａＡｓとＡｌＧａＡｓ
の周期構造からなる多重量子井戸層２８の表裏両面にイ
ントリンシックＡｌＧａＡｓの中間層２７を配設し、こ
の一方の中間層２７の表面にｎ型ＡｌＧａＡｓ層２５を
他方の中間層２７の表面にｐ型ＡｌＧａＡｓ層２６を配
設した構成である。
【００２２】Ｖ1 は負極をｐ型層２１に正極を直列抵抗
Ｒ1 と共通抵抗ＲC を介してｎ型層２２に接続した電
源、Ｖ2 は負極をｐ型層２６に正極を直列抵抗Ｒ2 と共
通抵抗ＲC を介してｎ型層２５に接続した電源である。
Ｒ1 と共通抵抗ＲC を介してｎ型層２２に接続した電
源、Ｖ2 は負極をｐ型層２６に正極を直列抵抗Ｒ2 と共
通抵抗ＲC を介してｎ型層２５に接続した電源である。
【００２３】次に上記実施例の動作原理を、図２に示し
た入力光Ｐinの波長λに対する２つの光双安定素子１０
０，１０１の光電流Ｉ1 ，Ｉ2 を用いて説明する。
た入力光Ｐinの波長λに対する２つの光双安定素子１０
０，１０１の光電流Ｉ1 ，Ｉ2 を用いて説明する。
【００２４】まず、光双安定素子１００の取り得る２つ
の安定状態に対する光電流の応答をＩA 及びＩB とす
る。次に、光双安定素子１００の２つの安定状態に対し
て、それぞれ光双安定素子１０１は２つの安定状態を取
り得るので、これ等に対応する光電流出力をＩa とＩc
及びＩb とＩd とする。
の安定状態に対する光電流の応答をＩA 及びＩB とす
る。次に、光双安定素子１００の２つの安定状態に対し
て、それぞれ光双安定素子１０１は２つの安定状態を取
り得るので、これ等に対応する光電流出力をＩa とＩc
及びＩb とＩd とする。
【００２５】ここで、一般に双安定領域は、光双安定素
子に印加される電圧が低下するほど、すなわち、外部回
路に電流が多量に流れて抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 とＲC による電
圧降下が大きくなるほど短波長側にシフトする。
子に印加される電圧が低下するほど、すなわち、外部回
路に電流が多量に流れて抵抗Ｒ1 ，Ｒ2 とＲC による電
圧降下が大きくなるほど短波長側にシフトする。
【００２６】従って、図２において矢印で示したよう
に、光双安定素子１００の光電流の応答ＩB （吸収が少
ない）状態に対する光双安定素子１０１の双安定領域Ｂ
は光双安定素子１００の光電流の応答ＩA （吸収が大き
い）状態に対する光双安定素子１０１の双安定領域Ａよ
り短波長になり得る。
に、光双安定素子１００の光電流の応答ＩB （吸収が少
ない）状態に対する光双安定素子１０１の双安定領域Ｂ
は光双安定素子１００の光電流の応答ＩA （吸収が大き
い）状態に対する光双安定素子１０１の双安定領域Ａよ
り短波長になり得る。
【００２７】一方、矢印で示したように、光双安定素子
１０１の４つの状態に対応する光双安定素子１００の双
安定領域を短波長側からｂ，ａ，ｄ，ｃとすることがで
きる。
１０１の４つの状態に対応する光双安定素子１００の双
安定領域を短波長側からｂ，ａ，ｄ，ｃとすることがで
きる。
【００２８】いま、光双安定素子１０１の双安定領域Ａ
とＢの間の波長λの光が入る場合を考え、最初に図２の
レベルＬで示した光電流出力ＩC で応答したとする。こ
こで、光電流出力ＩC に対する光双安定素子１００の双
安定領域はＣなので、光双安定素子１００は光電流出力
ＩB しか応答できない。
とＢの間の波長λの光が入る場合を考え、最初に図２の
レベルＬで示した光電流出力ＩC で応答したとする。こ
こで、光電流出力ＩC に対する光双安定素子１００の双
安定領域はＣなので、光双安定素子１００は光電流出力
ＩB しか応答できない。
【００２９】ところが、この光電流応答ＩB に対する光
双安定素子１０１の双安定領域はＢなので、光双安定素
子１０１はレベルＵで示した光電流出力Ｉb で応答する
ことになり、最初に考えた光電流出力ＩC ではない。
双安定素子１０１の双安定領域はＢなので、光双安定素
子１０１はレベルＵで示した光電流出力Ｉb で応答する
ことになり、最初に考えた光電流出力ＩC ではない。
【００３０】このことはこの波長領域の光に対して、現
在のシステムは時間的に安定な出力を示さないことを意
味する。この光電流の不安定性は吸収状態の不安定性に
寄因しているので出力光Ｐoutの強度も不安定になる。
在のシステムは時間的に安定な出力を示さないことを意
味する。この光電流の不安定性は吸収状態の不安定性に
寄因しているので出力光Ｐoutの強度も不安定になる。
【００３１】実施例２． なお、上記実施例１では、別個独立した２つの光双安定
素子１００，１０１を光学的に直列に配設したものであ
るが、この２つの光双安定素子１００，１０１のｐ層ま
たはｎ層同志を接合して、ｐ−ｉ−ｎ−ｉ−ｐ構造また
はｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ構造とした集積素子１０２を用い
てもよい。
素子１００，１０１を光学的に直列に配設したものであ
るが、この２つの光双安定素子１００，１０１のｐ層ま
たはｎ層同志を接合して、ｐ−ｉ−ｎ−ｉ−ｐ構造また
はｎ−ｉ−ｐ−ｉ−ｎ構造とした集積素子１０２を用い
てもよい。
【００３２】以下、より一般的に説明する。図４は実施
例１及び実施例２の等価回路を示すもので、いま、光双
安定素子１００，１０１に印加される電圧をそれぞれ
Ｖ’，Ｖ”とし、両光双安定素子１００，１０１での吸
収により、光電流Ｉ1 ，Ｉ2 が流れる率（吸収係数に対
応）をそれぞれａ1 ，ａ2 、光電流Ｉ1 を吸収係数に変
換する係数をｂとする。
例１及び実施例２の等価回路を示すもので、いま、光双
安定素子１００，１０１に印加される電圧をそれぞれ
Ｖ’，Ｖ”とし、両光双安定素子１００，１０１での吸
収により、光電流Ｉ1 ，Ｉ2 が流れる率（吸収係数に対
応）をそれぞれａ1 ，ａ2 、光電流Ｉ1 を吸収係数に変
換する係数をｂとする。
【００３３】このとき、光双安定素子１００，１０１の
吸収特性の波長依存性を示す関数をそれぞれｆ1 ，ｆ2
とすれば、 Ｉ1 ＝ａ1 Ｐ1 ｆ1 （λ，Ｖ′）・・・・・・・・・・・・・・・（１） Ｉ2 ＝ａ2 Ｐ1 （１−ｂＩ1 ）ｆ2 （λ，Ｖ”）・・・・・・・・（２） ここで、 Ｖ′＝Ｖ1 −Ｉ1 Ｒ1 −（Ｉ1 ＋Ｉ2 ）ＲC ・・・・・・・・・・（３） Ｖ”＝Ｖ2 −Ｉ2 Ｒ2 −（Ｉ1 ＋Ｉ2 ）ＲC ・・・・・・・・・・（４） となり、光電流Ｉ1 とＩ2 が解をもたない条件に設定す
れば、不安定状態が得られることになる。
吸収特性の波長依存性を示す関数をそれぞれｆ1 ，ｆ2
とすれば、 Ｉ1 ＝ａ1 Ｐ1 ｆ1 （λ，Ｖ′）・・・・・・・・・・・・・・・（１） Ｉ2 ＝ａ2 Ｐ1 （１−ｂＩ1 ）ｆ2 （λ，Ｖ”）・・・・・・・・（２） ここで、 Ｖ′＝Ｖ1 −Ｉ1 Ｒ1 −（Ｉ1 ＋Ｉ2 ）ＲC ・・・・・・・・・・（３） Ｖ”＝Ｖ2 −Ｉ2 Ｒ2 −（Ｉ1 ＋Ｉ2 ）ＲC ・・・・・・・・・・（４） となり、光電流Ｉ1 とＩ2 が解をもたない条件に設定す
れば、不安定状態が得られることになる。
【００３４】なお、上記各実施例では、負荷として抵抗
を用いたが、一般的には、ダイオードのような能動素子
でもよくその特性をｇ1 、ｇ2 、ｇC とすれば、 Ｖ′＝Ｖ1 −ｇ1 （Ｉ1 ）−ｇC （Ｉ1 ＋Ｉ2 ）・・・・・・・・（３）′ Ｖ”＝Ｖ2 −ｇ2 （Ｉ2 ）−ｇC （Ｉ1 ＋Ｉ2 ）・・・・・・・・（４）′ となり、特性ｇ1 ，ｇ2 ，ｇ3 をうまく選ぶことで、よ
り不安定状態を得やすくなる。
を用いたが、一般的には、ダイオードのような能動素子
でもよくその特性をｇ1 、ｇ2 、ｇC とすれば、 Ｖ′＝Ｖ1 −ｇ1 （Ｉ1 ）−ｇC （Ｉ1 ＋Ｉ2 ）・・・・・・・・（３）′ Ｖ”＝Ｖ2 −ｇ2 （Ｉ2 ）−ｇC （Ｉ1 ＋Ｉ2 ）・・・・・・・・（４）′ となり、特性ｇ1 ，ｇ2 ，ｇ3 をうまく選ぶことで、よ
り不安定状態を得やすくなる。
【００３５】光通信や光情報処理の分野では、光の強度
を変えて（変調して）、一般的には光を通すか切るかの
スイッチングにより信号を処理、伝達する。ところが、
上記実施例１あるいは実施例２に示す光不安定装置を光
あるいは電気振動素子またはカオス発生器として使用し
て、光の強度を振動的あるいはカオス的に変調し、より
高度な情報処理を行なうことができる。
を変えて（変調して）、一般的には光を通すか切るかの
スイッチングにより信号を処理、伝達する。ところが、
上記実施例１あるいは実施例２に示す光不安定装置を光
あるいは電気振動素子またはカオス発生器として使用し
て、光の強度を振動的あるいはカオス的に変調し、より
高度な情報処理を行なうことができる。
【００３６】
【発明の効果】以上のように、請求項１の発明によれ
ば、２つの光双安定素子を光学的、電気的結合により、
一方の光双安定素子の取り得る安定条件と他方の光双安
定素子の取り得る安定条件が異なるようにすれば、振動
的あるいはカオス的に光出力する光不安定装置を得るこ
とができる。
ば、２つの光双安定素子を光学的、電気的結合により、
一方の光双安定素子の取り得る安定条件と他方の光双安
定素子の取り得る安定条件が異なるようにすれば、振動
的あるいはカオス的に光出力する光不安定装置を得るこ
とができる。
【００３７】また、請求項２の発明によれば、２つの光
双安定素子は、光学的に直列に配置し、この両素子に外
部負荷を共通に接続したことにより、２つの光双安定素
子の光学的、電気的結合が簡単、容易である。
双安定素子は、光学的に直列に配置し、この両素子に外
部負荷を共通に接続したことにより、２つの光双安定素
子の光学的、電気的結合が簡単、容易である。
【００３８】請求項３の発明によれば、量子井戸光吸収
層を有するフォトダイオードを光双安定素子とするので
安価である。
層を有するフォトダイオードを光双安定素子とするので
安価である。
【００３９】請求項４または請求項５の発明によれば、
外部負荷の一部あるいは全部に抵抗またはダイオードを
用いたので、入手が容易で安価である。
外部負荷の一部あるいは全部に抵抗またはダイオードを
用いたので、入手が容易で安価である。
【００４０】請求項６の発明によれば、２つの光双安定
素子を１つの集積素子としたので、部品数が減少し、取
扱いが容易である。
素子を１つの集積素子としたので、部品数が減少し、取
扱いが容易である。
【図１】この発明の実施例１を示す光不安定装置の概要
図である。
図である。
【図２】この発明の動作原理を説明する入力光の波長に
対する光電流の特性図である。
対する光電流の特性図である。
【図３】この発明の実施例２を示す光不安定装置の概要
図である。
図である。
【図４】この発明の光不安定装置の等価回路図である。
【図５】従来の光双安定素子の概要図である。
【図６】従来の光双安定素子の特性図である。
１００ 光双安定素子 １０１ 光双安定素子 ２１，２６ ｐ型ＡｌＧａＡｓ層 ２２，２５ ｎ型ＡｌＧａＡｓ層 ２３，２７ イントリンシックＡｌＧａＡｓの中間層 ２４，２８ 多重量子井戸層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏ ｌ．59，Ｎｏ．９，ｐ．ｐ．1016−1018 （1991) 電子情報通信学会技術研究報告 Ｖｏ ｌ．91，Ｎｏ．２，ｐ．43−48（ＯＱＥ 91−８) Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖ ｏｌ．23，Ｎｏ．７（1984）ｐ．ｐ. 789−801 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 3/02 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (5)
- 【請求項１】 入射光に対して出力光が２つの安定な応
答を示す２つの光双安定素子を光学的に直列に配置し、
かつ、外部負荷の一部あるいは全部を前記２つの光双安
定素子に共通に用いることを特徴とする光不安定装置。 - 【請求項２】 量子井戸光吸収層を有するフォトダイオ
ードを光双安定素子としたことを特徴とする請求項１記
載の光不安定装置。 - 【請求項３】 外部負荷の一部あるいは全部に抵抗を用
いることを特徴とする請求項１または請求項２記載の光
不安定装置。 - 【請求項４】 外部負荷の一部あるいは全部にダイオー
ドを用いることを特徴とする請求項１または請求項２記
載の光不安定装置。 - 【請求項５】 ２つの光双安定素子を１つに集積したｎ
ｉｐｉｎ構造あるいはｐｉｎｉｐ構造の素子を用いるこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に
記載の光不安定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27769292A JP3198169B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光不安定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27769292A JP3198169B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光不安定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06102557A JPH06102557A (ja) | 1994-04-15 |
| JP3198169B2 true JP3198169B2 (ja) | 2001-08-13 |
Family
ID=17586977
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27769292A Expired - Fee Related JP3198169B2 (ja) | 1992-09-24 | 1992-09-24 | 光不安定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3198169B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09183626A (ja) * | 1995-12-28 | 1997-07-15 | Central Glass Co Ltd | 薄板強化ガラス |
| EP1394130A4 (en) | 2001-05-15 | 2007-07-11 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | GLASS PANEL FOR PROTECTION AND THERMAL INSULATION |
-
1992
- 1992-09-24 JP JP27769292A patent/JP3198169B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．Ｖｏｌ．５９，Ｎｏ．９，ｐ．ｐ．１０１６−１０１８（１９９１） |
| Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．２３，Ｎｏ．７（１９８４）ｐ．ｐ．７８９−８０１ |
| 電子情報通信学会技術研究報告 Ｖｏｌ．９１，Ｎｏ．２，ｐ．４３−４８（ＯＱＥ９１−８） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06102557A (ja) | 1994-04-15 |
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