JPS63116489A - 光集積回路 - Google Patents
光集積回路Info
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- JPS63116489A JPS63116489A JP26317286A JP26317286A JPS63116489A JP S63116489 A JPS63116489 A JP S63116489A JP 26317286 A JP26317286 A JP 26317286A JP 26317286 A JP26317286 A JP 26317286A JP S63116489 A JPS63116489 A JP S63116489A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
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- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
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- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体レーザと他の光素子を同−基板上に
集積した光集積回路に関するものである。
集積した光集積回路に関するものである。
第４図は例えば、タルチャら、アプライド フィジック
ス レターズ 第４８巻、第１号、１９８６年１月６日
発行、第１項〜第３項（Ｔａｒｕｃｈａ ｅｔ ａｌ。
ス レターズ 第４８巻、第１号、１９８６年１月６日
発行、第１項〜第３項（Ｔａｒｕｃｈａ ｅｔ ａｌ。
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓνｏ
１．４８＋ Ｎｏ、１＋ Ｊａｎ ６＋ｐｐｉ 〜３）
に示されたＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓによる従来の光集積
回路を示す斜視図である。図において、＋１＋はｎ−Ｇ
ａＡｓ基板、（２）は第１伝導型光閉じ込め層で、例え
ばｎ−ＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層、（３）は量子井戸層
で、例えばＡｌＧａＡｓ層とＧａＡｓ層により構成され
る多重量子井戸層、（４）は第２伝導型光閉じ込め層で
、例えばＰ−ＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層、（５ａ）、
（５ｂ）はコンタクト層で、Ｐ−ＧａＡｓ コンタクト
層、（７）は第１電極で、ｎ型電極、（８ａ）及び（８
ｂ）は第２電極で、例えばｐ型電極、（９ａ） 、 （
９ｂ） はへき開面、（１０ａ） 、 （１０ｂ）はエ
ツチングにより形成された鏡面である。
１．４８＋ Ｎｏ、１＋ Ｊａｎ ６＋ｐｐｉ 〜３）
に示されたＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓによる従来の光集積
回路を示す斜視図である。図において、＋１＋はｎ−Ｇ
ａＡｓ基板、（２）は第１伝導型光閉じ込め層で、例え
ばｎ−ＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層、（３）は量子井戸層
で、例えばＡｌＧａＡｓ層とＧａＡｓ層により構成され
る多重量子井戸層、（４）は第２伝導型光閉じ込め層で
、例えばＰ−ＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層、（５ａ）、
（５ｂ）はコンタクト層で、Ｐ−ＧａＡｓ コンタクト
層、（７）は第１電極で、ｎ型電極、（８ａ）及び（８
ｂ）は第２電極で、例えばｐ型電極、（９ａ） 、 （
９ｂ） はへき開面、（１０ａ） 、 （１０ｂ）はエ
ツチングにより形成された鏡面である。
次に動作について説明する。
一方のｐ型電極（８ａ）を通じて電流を注入すると、量
子井戸層（３）にキャリアが注入され、光が発生する。
子井戸層（３）にキャリアが注入され、光が発生する。
発生した光へき開面（９ａ）と鏡面（１０ａ）により反
射を受け、ファブリーベローザ発振が起こる。
射を受け、ファブリーベローザ発振が起こる。
ここで、もう一方のｐ型電極（８ｂ）に逆バイアスを加
えると、量子シュタルク効果（ＱＣ３Ｅ）により、利得
ピーク波長く入りＧＰ）即ちレーザ発振波長において、
加える逆バイアス電圧の値に応じてレーザ光の吸収係数
が変化する。この量子井戸層（３）における吸収係数ス
ペクトルの逆バイアス依存性を第２図に示す０図におい
て、縦軸は吸収係数、横軸は波長、ｖｂは加える逆バイ
アス電圧の値であり、Ｖｚ ＜Ｖ＋ ＜Ｑと電圧値を
変化させると、吸収係数は図のように変化する。これに
より、へき開面（９ｂ）より出射するレーザ光の光量を
変化させ、半導体レーザと光変調器を集積した光集積回
路として用いることができる。
えると、量子シュタルク効果（ＱＣ３Ｅ）により、利得
ピーク波長く入りＧＰ）即ちレーザ発振波長において、
加える逆バイアス電圧の値に応じてレーザ光の吸収係数
が変化する。この量子井戸層（３）における吸収係数ス
ペクトルの逆バイアス依存性を第２図に示す０図におい
て、縦軸は吸収係数、横軸は波長、ｖｂは加える逆バイ
アス電圧の値であり、Ｖｚ ＜Ｖ＋ ＜Ｑと電圧値を
変化させると、吸収係数は図のように変化する。これに
より、へき開面（９ｂ）より出射するレーザ光の光量を
変化させ、半導体レーザと光変調器を集積した光集積回
路として用いることができる。
従来の光集積回路は以上のように構成されているので、
鏡面（１０ａ） となる半導体レーザ端面をエツチン
グで形成しなければならず非常に難しい技術が必要とな
り、また半導体レーザはファプリーペローレーザ発振で
あるためにレーザ光の波長の安定性が良（ないなどの問
題点があった。
鏡面（１０ａ） となる半導体レーザ端面をエツチン
グで形成しなければならず非常に難しい技術が必要とな
り、また半導体レーザはファプリーペローレーザ発振で
あるためにレーザ光の波長の安定性が良（ないなどの問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、節単な製造工程により、安定な単一モード発
振する半導体レーザと他の光素子を同一基板上に集積し
た光集積回路を得ることを目的とする。
たもので、節単な製造工程により、安定な単一モード発
振する半導体レーザと他の光素子を同一基板上に集積し
た光集積回路を得ることを目的とする。
この発明に係る光集積回路は、第１伝導型光閉じ込め層
、この第１伝導型光閉じ込め層に設けた量子井戸層、こ
の量子井戸層に設けた第２伝導型光閉じ込め層、この第
２伝導型光閉じ込め層の界面の一部に設けた回折格子、
第２伝導型光閉じ込め層の界面の他部に設けられ、互い
に独立する複数のコンタクト層、第１伝導型光閉じ込め
層に接続する第１電極、及びコンタクト層のそれぞれに
接続する複数の第２電極を備え、少なくとも１つの第２
電極に電流を注入して量子井戸層でレーザ光を発振し、
他の少なくとも１つの第２電極に逆バイアスを印加して
発振したレーザ光の一部を吸収するようにしたものであ
る。
、この第１伝導型光閉じ込め層に設けた量子井戸層、こ
の量子井戸層に設けた第２伝導型光閉じ込め層、この第
２伝導型光閉じ込め層の界面の一部に設けた回折格子、
第２伝導型光閉じ込め層の界面の他部に設けられ、互い
に独立する複数のコンタクト層、第１伝導型光閉じ込め
層に接続する第１電極、及びコンタクト層のそれぞれに
接続する複数の第２電極を備え、少なくとも１つの第２
電極に電流を注入して量子井戸層でレーザ光を発振し、
他の少なくとも１つの第２電極に逆バイアスを印加して
発振したレーザ光の一部を吸収するようにしたものであ
る。
この発明における光集積回路の活性領域、ブラッグ反射
領域、及び光素子となる付加機能領域に量子井戸構造を
用いている。この量子井戸構造は電流注入により増幅作
用、電流注入がない場合には低損失光導波作用、逆バイ
アスにより光吸収作用をすることができ、これを利用し
て光集積回路を構成している。
領域、及び光素子となる付加機能領域に量子井戸構造を
用いている。この量子井戸構造は電流注入により増幅作
用、電流注入がない場合には低損失光導波作用、逆バイ
アスにより光吸収作用をすることができ、これを利用し
て光集積回路を構成している。
以下、この発明の一実施例をＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系
を例にとり図について説明する。第１図はこの発明の一
実施例による光集積回路を示す断面図であり、図におい
て、（１）はｎ−ＧａＡｓ基板、（２）は第１伝導型光
閉じ込め層で、例えばｎ−ＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層、
（３）は量子井戸層で、例えばＡｌＧａＡｓ層とＧａＡ
ｓ層により構成される多重量子井戸層、（４）は第２伝
導型光閉じ込め層で、ｐ−ＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層、
（５ａ）、（５ｂ）は互いに独立した複数、例えば２つ
のコンタクト層で、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、（６）
光閉じ込め層（４）の界面の一部に設けられた回折格子
、（７）は第１電極で、ｎ型電極、（８ａ）及び（８ｂ
）はそれぞれコンタクト層（５ａ） 、 （５ｂ）に接
続する第２電掻で、ｐ型電極、（９ａ） 、 （９ｂ）
はへき開面である。
を例にとり図について説明する。第１図はこの発明の一
実施例による光集積回路を示す断面図であり、図におい
て、（１）はｎ−ＧａＡｓ基板、（２）は第１伝導型光
閉じ込め層で、例えばｎ−ＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層、
（３）は量子井戸層で、例えばＡｌＧａＡｓ層とＧａＡ
ｓ層により構成される多重量子井戸層、（４）は第２伝
導型光閉じ込め層で、ｐ−ＡｌＧａＡｓ光閉じ込め層、
（５ａ）、（５ｂ）は互いに独立した複数、例えば２つ
のコンタクト層で、ｐ−ＧａＡｓコンタクト層、（６）
光閉じ込め層（４）の界面の一部に設けられた回折格子
、（７）は第１電極で、ｎ型電極、（８ａ）及び（８ｂ
）はそれぞれコンタクト層（５ａ） 、 （５ｂ）に接
続する第２電掻で、ｐ型電極、（９ａ） 、 （９ｂ）
はへき開面である。
次に動作について説明する。
一方のｐ型電極（８ａ）には順方向電圧をがけて多重量
子井戸層（３）で光を増幅させ、へき開面（９ａ） 、
（９ｂ）と回折格子（６）により光は選択的に反射さ
れ、安定な単一波長発振をする。また、多重量子井戸層
（３）は、第２図に示される様にレーザの利得ピークの
波長（入ＧＰ）において、電流を注入しない領域（図に
おいてＶｐ＝Ｏの場合）では吸収は少なく、従って回折
格子（６）の下の部分の多重量子井戸層（３）は低損失
光導波路層として働く。
子井戸層（３）で光を増幅させ、へき開面（９ａ） 、
（９ｂ）と回折格子（６）により光は選択的に反射さ
れ、安定な単一波長発振をする。また、多重量子井戸層
（３）は、第２図に示される様にレーザの利得ピークの
波長（入ＧＰ）において、電流を注入しない領域（図に
おいてＶｐ＝Ｏの場合）では吸収は少なく、従って回折
格子（６）の下の部分の多重量子井戸層（３）は低損失
光導波路層として働く。
今、ここでｎ型電極（７）ともう一方のｐ型電極（８ｂ
）の間にＶ、 、Ｖ、の逆バイアスをかけると、量子シ
ュタルク効果（ＱＣ５［りによって第２図に示す様に波
長式ＧＰでの吸収係数は増大する。従ってｐ型電極（８
ｂ）に加える逆バイアス電圧を変えることによりへき開
面（９ｂ）から出る光量を制御することができる。半導
体レーザとすなわち光変調器を集積した光集積回路とし
て用いることができる。また、ｐ型電極（８ｂ）に一定
の逆バイアスをかけ、流れる電流をモニタすることによ
り半導体レーザと光検出器を集積した光集積回路として
も用いることができる。
）の間にＶ、 、Ｖ、の逆バイアスをかけると、量子シ
ュタルク効果（ＱＣ５［りによって第２図に示す様に波
長式ＧＰでの吸収係数は増大する。従ってｐ型電極（８
ｂ）に加える逆バイアス電圧を変えることによりへき開
面（９ｂ）から出る光量を制御することができる。半導
体レーザとすなわち光変調器を集積した光集積回路とし
て用いることができる。また、ｐ型電極（８ｂ）に一定
の逆バイアスをかけ、流れる電流をモニタすることによ
り半導体レーザと光検出器を集積した光集積回路として
も用いることができる。
なお、上記実施例では２つのｐ型電極（８ａ）、 （８
ｂ）の間の光閉じ込め層（４）の界面に回折格子（６）
を設けたものを示したが、第３図のように互いに独立な
コンタクト層（５ａ） 、 （５ｂ）を隣接させて、こ
れらにｐ型電極（８ａ）、 （８ｂ）を設け、へき開面
（９ｂ）側の光閉じ込め層（４）に回折格子を設けても
よい。この場合は、ｐ型電極（８ｂ）に逆バイアスを印
加して内部光変調器として用いることができる。このよ
うに同一基板上に半導体レーザと光変調器や光検出器が
集積できるため、作製工程が従来より節単になり、また
個別の素子を結合する時の様な高精度の位置合わせが不
要となる。さらに、半導体レーザの構成と・しては分布
帰還型となり、安定な単一モード発振をする。また、第
３図の構成で、ｐ型電極（８ｂ）に逆バイアスを印加し
て可飽和吸収体として働かせることにより、双安定半導
体レーザとして用いることができる。
ｂ）の間の光閉じ込め層（４）の界面に回折格子（６）
を設けたものを示したが、第３図のように互いに独立な
コンタクト層（５ａ） 、 （５ｂ）を隣接させて、こ
れらにｐ型電極（８ａ）、 （８ｂ）を設け、へき開面
（９ｂ）側の光閉じ込め層（４）に回折格子を設けても
よい。この場合は、ｐ型電極（８ｂ）に逆バイアスを印
加して内部光変調器として用いることができる。このよ
うに同一基板上に半導体レーザと光変調器や光検出器が
集積できるため、作製工程が従来より節単になり、また
個別の素子を結合する時の様な高精度の位置合わせが不
要となる。さらに、半導体レーザの構成と・しては分布
帰還型となり、安定な単一モード発振をする。また、第
３図の構成で、ｐ型電極（８ｂ）に逆バイアスを印加し
て可飽和吸収体として働かせることにより、双安定半導
体レーザとして用いることができる。
また、上記実施例ではコンタクト層（５ａ） 、 （５
ｂ）を独立して２個設け、それぞれｐ型電極（９ａ）
、 （９ｂ）を接続しているがこれに限らず、コンタク
ト層を複数設け、それぞれに電掘を設けた構成として多
様に用いることができる。
ｂ）を独立して２個設け、それぞれｐ型電極（９ａ）
、 （９ｂ）を接続しているがこれに限らず、コンタク
ト層を複数設け、それぞれに電掘を設けた構成として多
様に用いることができる。
なお、量子井戸層（３）は多重量子井戸層を用いている
が、単一量子井戸層でもよい。
が、単一量子井戸層でもよい。
また、横方向の光と電流の閉じ込めは、リッジ導波路構
造や不純物拡散又は別の結晶成長により屈折率の低い物
質を横方向に埋め込んで、ベリード・ヘテロストラフチ
ャ−（Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
）構造を用いてもよい。
造や不純物拡散又は別の結晶成長により屈折率の低い物
質を横方向に埋め込んで、ベリード・ヘテロストラフチ
ャ−（Ｂｕｒｉｅｄ Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
）構造を用いてもよい。
また、ＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系に限らず他の材料系を
用いることもできる。
用いることもできる。
以上のようにこの発明よれば、第１伝導型光閉じ込め層
に設けた量子井戸層、この量子井戸層に設けた第２伝導
型光閉じ込め層、この第２伝導型光閉じ込め層の界面の
一部に設けた回折格子、第２伝導型光閉じ込め層の界面
の他部に設けられ、互いに独立する複数のコンタクト層
、第１伝導型光閉じ込め層に接続する第１電掻、及びコ
ンタクト層のそれぞれに接続する複数の第２電極を備え
、少なくとも１つの第２電極に電流を注入して量子井戸
層でレーザ光を発振し、他の少なくとも１つの第２電極
に逆バイアスを印加して発振したレーザ光の一部を吸収
するようにしたことにより、簡 □華な製造工程で、
安定な単一モード発振する半導体レーザと他の光素子を
同一基板上に集積した光集積回路を得ることができる効
果がある。
に設けた量子井戸層、この量子井戸層に設けた第２伝導
型光閉じ込め層、この第２伝導型光閉じ込め層の界面の
一部に設けた回折格子、第２伝導型光閉じ込め層の界面
の他部に設けられ、互いに独立する複数のコンタクト層
、第１伝導型光閉じ込め層に接続する第１電掻、及びコ
ンタクト層のそれぞれに接続する複数の第２電極を備え
、少なくとも１つの第２電極に電流を注入して量子井戸
層でレーザ光を発振し、他の少なくとも１つの第２電極
に逆バイアスを印加して発振したレーザ光の一部を吸収
するようにしたことにより、簡 □華な製造工程で、
安定な単一モード発振する半導体レーザと他の光素子を
同一基板上に集積した光集積回路を得ることができる効
果がある。
第１図はこの発明の一実施例による光集積回路を示す断
面図、第２図は量子井戸層における吸収係数スペクトル
の逆バイアス依存性を示す特性図、第３図はこの発明の
他の実施例による光集積回路を示す断面図、第４図は従
来の光集積回路を示す斜視図である。 （２）・・・第１伝導型光閉じ込め層、（３）・・・量
子井戸層、（４）・・・第２伝導型光閉じ込め層、（５
ａ）、 （５ｂ）・・・コンタクト層、（６）・・・回
折格子、（７）・・・第１電極、（８ａ） 。 （８ｂ）・・・第２電掻。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄第１図 第２図 八４Ｐ”長−
面図、第２図は量子井戸層における吸収係数スペクトル
の逆バイアス依存性を示す特性図、第３図はこの発明の
他の実施例による光集積回路を示す断面図、第４図は従
来の光集積回路を示す斜視図である。 （２）・・・第１伝導型光閉じ込め層、（３）・・・量
子井戸層、（４）・・・第２伝導型光閉じ込め層、（５
ａ）、 （５ｂ）・・・コンタクト層、（６）・・・回
折格子、（７）・・・第１電極、（８ａ） 。 （８ｂ）・・・第２電掻。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄第１図 第２図 八４Ｐ”長−
Claims (6)
- （１）第１伝導型光閉じ込め層、この第１伝導型光閉じ
込め層に設けた量子井戸層、この量子井戸層に設けた第
２伝導型光閉じ込め層、この第２伝導型光閉じ込め層の
界面の一部に設けた回折格子、第２伝導型光閉じ込め層
に界面の他部に設けられ、互いに独立する複数のコンタ
クト層、第１伝導型光閉じ込め層に接続する第１電極及
び、上記コンタクト層のそれぞれに接続する複数の第２
電極を備え、少なくとも１つの第２電極に電流を注入し
て上記量子井戸層でレーザ光を発振し、他の少なくとも
１つの第２電極に逆バイアスを印加して上記発振したレ
ーザ光の一部を吸収するようにした光集積回路。 - （２）少なくとも１つの第２電極に逆バイアスを印加し
て、発振したレーザ光の一部を吸収し、光変調器を構成
することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光集
積回路。 - （３）少なくとも１つの第２電極に逆バイアスを印加し
て発振したレーザ光の一部を吸収し、光検出器を構成す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光集積
回路 - （４）量子井戸層は、多重量子井戸層であることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに
記載の光集積回路。 - （５）横方向の光及び電流の閉じ込めは、リッジ導波路
構造であることを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第４項のいずれかに記載の光集積回路。 - （６）横方向の光及び電流の閉じ込めは、ベリード・ヘ
テロストラクチャー構造であることを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載の光集積
回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26317286A JPS63116489A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 光集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26317286A JPS63116489A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 光集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63116489A true JPS63116489A (ja) | 1988-05-20 |
Family
ID=17385775
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26317286A Pending JPS63116489A (ja) | 1986-11-05 | 1986-11-05 | 光集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63116489A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0366135A2 (de) * | 1988-10-28 | 1990-05-02 | Siemens Aktiengesellschaft | Halbleiterlaseranordnung für hohe Ausgangsleistung im lateralen Grundmodus |
| JPH02132415A (ja) * | 1988-11-14 | 1990-05-21 | Fujitsu Ltd | 光変調器 |
| JPH02164089A (ja) * | 1988-12-19 | 1990-06-25 | Nec Corp | 半導体レーザ素子 |
| JPH03239385A (ja) * | 1990-02-16 | 1991-10-24 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体レーザ装置 |
| JPH0410483A (ja) * | 1989-12-02 | 1992-01-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 半導体光変調装置及びその製法 |
| EP0583128A2 (en) * | 1992-08-03 | 1994-02-16 | Xerox Corporation | Semiconductor laser with integrated phototransistor for dynamic power stabilization |
| US5299045A (en) * | 1991-01-12 | 1994-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Light detecting apparatus having a diffraction grating |
| FR2826789A1 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-01-03 | Cit Alcatel | Laser integre a cavite de fabry perot |
| JP2010118702A (ja) * | 2002-11-20 | 2010-05-27 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
-
1986
- 1986-11-05 JP JP26317286A patent/JPS63116489A/ja active Pending
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| WO2003005511A3 (fr) * | 2001-07-02 | 2003-05-15 | Cit Alcatel | Laser integre a cavite de fabry perot |
| JP2010118702A (ja) * | 2002-11-20 | 2010-05-27 | Sharp Corp | 窒化物半導体発光素子 |
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