JPH0410483A

JPH0410483A - 半導体光変調装置及びその製法

Info

Publication number: JPH0410483A
Application number: JP31401689A
Authority: JP
Inventors: Takeo Miyazawa; 丈夫宮澤; Koichi Wakita; 紘一脇田; Mitsuru Naganuma; 永沼　充
Original assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Current assignee: Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date: 1989-12-02
Filing date: 1989-12-02
Publication date: 1992-01-14

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

［産業上の利用分野］本発明は、分布帰還型または分布反射型半導体レーザ構
成を有する光源部と、その光源部からの光を変調する半
導体導波路型変調器構成を有する光変調部とを有する半
導体光変調装置及びその製法に関する。

【従来の技術】

従来、第１３図を伴って次に述べる半導体光変調装置が
提案されている。すなわち、例えばｎ＋型を有し且つ例えばＩｎｐでなる
半導体基板１を有する。この場合、半導体基板１の表面
に、半導体基板１の長さ方向の一半部において、半導体
基板２の幅方向に延長し且つ半導体基板１の長さ方向に
予定の周期性を有している溝による分布帰還用回折格子
２が形成されている。また、半導体基板１上に、分布帰還用回折格子２が形成
されている領域及び分布帰還用回折格子２が形成されて
いない領域の双方に口って連続延長しているとともにｎ
型を有し且つ例えばＩｎＰでなるクラッド層用半導体Ｆ
ｒＩ４が形成されている。さらに、クラッド層用半導体層４上に、分布帰還用回折
格子２が形成されている領域に対応している領域におい
て、ｎ型不純物及びｎ型不純物のいずれも意図的に導入
していず且つ例えばＧａ　Ｉ　ｎＡＳＰ系でなる、第１
の光吸収端波長λ、を有する活性層用土々体層５Ｌと、
ｐ型を有し且つ例えばＩｎＰでなるクラッド層用半導体
層６Ｌとがそれらの順に４ａ層して形成されている。また、クラッド層用半導体層４上に、分布帰還用回折格
子２が形成されていない領域に対応している領域おいて
、活性層用半導体層５Ｌと同様に、ｎ型不純物及びｎ型
不純物のいずれも意図的に導入していず且つＧａ１ｎＡ
ｓＰ系でなるが、活性層用半導体層５Ｌに比し短い第２
の光吸収端波長λ８を有する光吸収病用半導体層５Ｍと
、ｐ型を有し且つ例えばＩｎＰでなるクラッド層用半導
体層６Ｍとがそれらの順に、且つ光吸収病用半導体層５
Ｍ及びクラッド層用半導体層６Ｍの側面が活性層用半導
体層５１及びクラッド層用半導体層６Ｌの側面にそれぞ
れ接している状態に、積層して形成されている。さらに、クラッド層用半導体層６Ｌ及び６Ｍ上に、ｐ＋
型を有し且つ例えばＩｎＧａＡＳ系でなる、クラッド層
用半導体層６Ｌ及び６Ｍに共通のキャップ層用半導体層
７が形成されている。また、クラッド層用半導体層４の活性層用半導体層５Ｌ
に対応している領域（活性層用半導体層５し下の領域）
と、活性層用半導体層５Ｌと、クラッド層用半導体層６
Ｌと、キャップ層用半導体層７の活性層用半導体層５Ｌ
に対応している領域（活性層用半導体層５Ｌまたはクラ
ッド層用半導体層６Ｌ上の領域）とによる第１の半導体
積層体部３Ｌに、半導体基板１側とは反対側の面上にお
いて、第１の電極ｆ１８Ｌが形成されている。さらに、クラッド層用半導体層４の光吸収層相半導体層
５に対応している領域（光吸収層相半導体層５Ｍ下の領
域）と、光吸収層相半導体層３Ｍと、クラッド層用半導
体Ｍ６Ｍと、キャップ層用半導体層７の光吸収層相半導
体層５Ｍに対応している領域（光吸収層相半導体層また
はクラッド層用半導体１１１６Ｍ上の領域）とによる第
２の半導体積層体部３Ｍに、半導体基板１側とは反対側
の面上において、第２の電極層８Ｍが形成されている。また、半導体基板１に、第１及び第２の半導体積層体部
３Ｌ及び３Ｍ側とは反対側において、第１及び第２の電
極層８Ｌ及び８Ｍにそれぞれ対向している第３及び第４
の電極層９Ｌ及び９Ｍ、または第１及び第２の電極層８
Ｌ及び８Ｍに対向しているそれらに共通の第５の電極層
９が形成されている。ただし、図においては、第５の電
極層９が形成されている場合が示されている。従って、
以下簡単のため、第５の電極層９として述べる。以上が、従来提案されている半導体光度：Ｊ１装置の構
成である。また、従来、上述した従来の半導体光変調装置の製法と
して、第１４図Ａ〜Ｈを伴って次に述べる方法が提案さ
れている。第１４図Ａ−Ｈにおいて、第１３図との対応部分には同
一符号を付して、詳細説明を省略する。第１４図Ａ−Ｈに示す従来の半導体光変調装置の製法は
、次に述べる順次の工程をとって、第１３図で上述した
従来の半導体光変調装置を製造する。すなわち、第１３図で上述したと同様の、例えばｎ＋型
を有し且つ例えばＩｎＰでなる半導体基板１を用意する
（第１４図Ａ）。そして、その半導体基板１の表面に、半導体基板１の長
さ方向の一半部において、半導体基板１の幅方向に延長
し且つ半導体基板１の長さ方向に予定の周期性を有する
溝による分布帰還用回折格子２を、マスクを用いたエツ
チング処理によって形成する（第１４図Ｂ）。次に、半導体基板１上に、分布帰還用回折格子２が形成
されている領域及び分布帰還用回折格子２が形成されて
いない領域の双方に亘って、ｎ型を有し且つ例えばＩｎ
Ｐでなるクラッド層用半導体層４と、ｎ型不純物及びｎ
型不純物のいずれも意図的に導入していず、且つ例えば
Ｇａ１ｎＡｓＰ系でなる、爾後活性層用半導体層５Ｌに
なる半導体層５と、ｐ型を有し且つ例えばＩｎＰでなる
、爾後クラッド層用半導体層６［になる半導体層６とを
、それらの順に、エピタキシャル成長法、例えば液相エ
ピタキシャル成長法によって形成（る（第１４図Ｃ）。次に、半導体層６上に、分布帰還用回折格子２に対応す
る領域（分布帰還用回折格子２上の領域）において、例
えばｓｈｏ、、でなるマスク層２１を形成する（第１４
図Ｄ）。次に、半導体層６及び５に対するマスク層２１をマスク
とするエツチング処理によって、クラッド層用半導体層
４を、分布帰還用回折格子２に対応している領域（分布
帰還用回折格子２上以外の領域）において、外部に露呈
させるとともに、半々体層６、及び５から、クラッド層
用半導体層４上に、分布帰還用回折格子２に対応する領
域（分布帰還用回折格子２上の領域〉におけるｎ型不純
物及びｎ型不純物のいずれも意図的に導入していず且つ
例えばｌ　ｎＧａＡｓＰ系でなる、第１の光吸収端波長
λ、を有する活性層用半導体層５Ｌ、及びｐ型を有し且
つ例えばＩｎＰでなるクラッド層用半導体層６Ｌとを形
成する（第１４図Ｅ）。次に、クラッド層用半導体層４上に、外部にｎ呈してい
る領域において、ｎ型不純物及びｎ型不純物のいずれも
意図的に導入していず且つ例えばＧａ　Ｉ　ｎＡｓＰ系
でなる、第１の光吸収端波長λ、に比し短い第２の光吸
収端波長λ８を有する光吸収病用半導体層５Ｍと、ｐ型
を有し且つ例えばＩｎＰでなるクラッド層用半導体層６
Ｍとを、それらの順に、且つ光吸収病用半導体層５Ｍ及
びクラッド層用半導体層６Ｍの側面が活性層用半導体層
５Ｌ及びクラッド層用半導体層６Ｕの側面とそれぞれ接
している状態に、■ピタキジャル成長法、液相エピタキ
シャル成長法によって積層して形成する（第１４図Ｆ）
。次に、クラッド層用半導体１６Ｌ上からマスク層２１を
除去して後、クラッド層用半導体層６Ｌ及び６Ｍ上に、
ｐ＋型を有し且つ例えばＩｎＧａＡＳ系でなる、クラッ
ド層用半導体層６Ｌ及び６Ｍに共通のキャップ層用半導
体層７を、液相エピタキシャル成長法によって形成する
（第１４図Ｇ）。次に、クラッド層用半導体層４の活性層用半導体層５１
−に対応している領域（活性層用半導体層５Ｌ下の領域
）と、活性層用半導体層５Ｌと、クラッド層用半導体層
６Ｌと、キャップ層用半導体層７の活性層用半導体層５
Ｌに対応している領域（活性層用半導体層５Ｌまたはク
ラッド層用半導体層６Ｉ−上の領域）とによる第１の半
導体積層体部３Ｌに、半導体基板１側とは反対側の面上
において、第１の電極層８Ｌが形成し、また、クラッド
層用半導体層４の光吸収病用半導体層５Ｍに対応してい
る領域（光吸収層用半棚体層５Ｍ下の領域）と、光吸収
病用半導体層３Ｍと、クラッド層用半導体層６Ｍと、キ
ャップ層用半導体層７の光吸収病用半導体層５Ｍに対応
している領域（光吸収ｈ”・′１用半導体層またはクラ
ッド層用半導体層６Ｍ上の領域）とによる第２の半導体
積層体部３Ｍに、半導体基板１側とは反対側の面上にお
いて、第２の電極層８Ｍが形成し、さらに、半導体基板
１に、第１及び第２の半導体積層体部３Ｌ及び３Ｍ側と
は反対側において、第１及び第２の電極層８Ｌ及び８Ｍ
にそれぞれ対向している第３及び第４の電極層９Ｌ及び
９Ｍ、または第１及び第２の電極層８［及び８Ｍに対向
している、それらに共通の第５の電極層９を形成する（
第１４図Ｈ）。ただし、第１４図１」においては、第５
の電極層９を形成している場合を示している。以上が、第１３図で上述した従来の半導体光変調装置の
製法として従来提案されている半導体光変調装置の製法
である。上述した従来の半導体光変調装置は、半導体基板１の表
面に、第１の半導体積層体部３Ｌ下の領域において、分
布帰還用回折格子２が形成され、イして、その分布帰還
用回折格子２に、クラッド層用半導体層４と、活性層用
半導体層５Ｌと、クラッド層用半導体層６Ｌと、キャッ
プ層用半導体層７とがそれらの順に積層されている構成
を右りる第１の゛ｌ′−導体積層体部３１１．が接して
いる構成を有するので、半導体基板１と、第１の゛ｒ尋
体積Ｋ・１体部３Ｌと、第１の電極層８Ｌと、第５の電
極層９とを用いて、分布帰還型半導体レーザ構成を有す
る光源部りを構成している。従って、光源部りにｄ３いて、詳細説明は省略するが、
第１及び第５の電極層８Ｌ及び９間に第１の電極層８し
側を正とする所要の電源を接続覆ることによって、分布
帰還用回折格子２の周期によって決められた波長（例え
ば１．５５μｍ）を有するレーザ発振が得られ、そして
、それにもとずく発振光が、第１の半導体積層体部３１
を構成している活性層用゛に々体ｈη５［、から、次に
述べる光変調部Ｍを構成している第２の半導体積層体部
３Ｍにおくｆる光吸収λ゛ｉ１用γ導用層導体層５Ｍ内
する。また、″￥尋鉢体７を板１と、第２の゛１′−尋体積層
体部３Ｍと、第２の電極層８Ｍと、第５の電極層９とを
用いて、事導体導波路型光廓調器構成を有する光変調部
Ｍを構成している。従って、光変調部Ｍにおいて、詳細説明は省略するが、
第２及び第５の電極層８Ｍ及び９間に、第２の電極層８
Ｍ側を負とする変ｍ電圧を印加させることによって、光
変調部Ｍを構成している第２の半導体積層体部３Ｍにお
ける光吸収雇用半導体層５Ｍの光吸収端波長λＨ（例え
ば１．４μｍ）が、変調電圧に応じた、いわゆるフラン
ツケルデツシュ効果によって、光源部３Ｌで発振して得
られる光の波長（例えば１゜５μｍ）側の長波長側に移
動し、よって、変調電圧に応じて、光吸収雇用半導体層
５Ｍにおいて、光源部３Ｌにおける活性層用半導体層５
Ｌ側から入射して伝播する光が吸収されるＦ！ｉ％横Ｃ
・、光が変調電圧に応じて変調され、その変調された光
を外部に出射させる。　以上のことから、第１３図に示
す従来の半導体光度ｗＪ装置は、半導体光変調装置とし
ての機能を呈する。また、第１４図Ａ−Ｈで上述した従来の半導体光変調装
置の製法によれば、ｉｉｆｍｍ明は省略するが、第１３
図で上述した従来の半導体光変調装置を製造することが
できる。

【発明が解決しようとする課題】

第１３図で上述した従来の半導体光変調装置の場合、光
源部しにおける活性層用半導体層５Ｌと、光変調部Ｍに
おける光吸収雇用半導体層５Ｍとが、第１４図Ａ〜Ｈで
上述した従来の半轡体光度ｖＪ装ぬ゛の製法からも明ら
かなように、別体に形成され、そして、それらが、それ
らの側面が互に接していることによって互に光学的に結
合し、また、活性層用半導体層５［と光吸収雇用半導体
層５Ｍとが、製造上から、互に等しい厚さを有ざず且つ
それら間に段差を有し、さらに、活性層用半導体層５Ｌ
及び光吸収層用半導体１１５Ｍ上のクラッド層用半導体
層が、それら上にそれぞれ別体に形成されたクラッド層
用半導体層６Ｌ及び６Ｍでなり、そして、それら間に、
製造上から、段差を有することなどから、活性層用半導
体層５Ｌと光吸収雇用半導体層５Ｍとの間の光結合部に
おいて、予期せざる反射が生ずる。このため、光源部りを構成している分布帰還型半導体レ
ーザ構成が所期の特性で動作しないとともに、光源部り
から光変調部Ｍへの光結合が良好に１ｑられない。従って第１３図で上述した従来の半導体光変調装置の場
合、半導体光度Ｗ装置としての機能が所期の特性で得ら
れないとともに、光変調部Ｍからの変調された光が、比
較的小さなレベルを有してしか得られない、という欠点
を有していた。また、第１３図で上述した従来の半導体光変調装置の場
合、光変調部Ｍにおける光吸収雇用半導体層５Ｍが単層
構成を有していることから、光の変調が、いわゆるフラ
ンツケルデシ１効果を利用して行われているので、変調
電圧の変化間に対する光吸収端波長λ８のｌ（波長側へ
の移動かが比較的小さい。このため、１１３図で上述した従来の半導体光変調装置
の場合、変調電圧として、比較的大きな電圧を有するも
のを用意する必要がある、という欠点を有していた。また、第１４図で上述した従来の半導体光変調装置の製
法の場合、半導体基板１上に、クラッド層用半導体層４
と、爾後活性層用半導体層５Ｌとなる半導体層５と、′
ｔ１４後クラッり層用半導体層６Ｌとなる半導体層６と
をそれらの順に積層して形成する工程（第１４図Ｃ）と
、クラッド層用半導体層４の外部に露呈している領域上
に、光吸収雇用半導体層５Ｍと、クラッド層用半導体層
６Ｌとをそれらの順にｇ＋ｌｆ！シて形成する工程（第
１４図Ｆ）と、クラッド層用半導体層６Ｌ及び６Ｍ上に
キャップ層用半専体層７を形成する工程（第１５図Ｇ）
との３回の１ビタキシヤル成長法による半ど）体層の形
成を行う必要があるため、半導体光変調装置を、歩留り
良く、高精度に製造することがぎわめて国力

【゛ある、
という欠点を有していた。よって、本発明は、上述した欠点のない、新規な半導体
光度１１装置及びその製法を提案せんとするものである
。【実施例１】次に、第１図を伴って本願第１番目の発明による半導体
光変調装置の実施例を述べよう。第１図に示す本願第１番目の発明による半導体光変調装
置は、次に述べる構成を有する。すなわち、例えばｎ＋型を有し且つ例えばＩｎｐでなる
半導体基板１を有する。この場合、半導体基板１の表面
に、半導体基板１の長さ方向の一半部において、半導体
基板２の幅方向に延長し且つ半導体基板１の長さ方向に
予定の周期性を有しくいる溝による分布帰還用回折格子
２が形成されている。また、半導体基板１トに、分布帰還用回折格子２が形成
されている領域及び分布帰還用回折格子２が形成されて
いない領域の双方に亘って連続延長しているとともにｎ
型を有し且つ例えばＩｎＰでなるクラッド層用半導体層
４が形成されている。さらに、クラッド層用半棚体層４土に、障壁層用半導体
！１５ａと井戸層用半導体層１５ｂとが交ｎ順次に積層
されている量子井戸構造を有する半導体層１５が形成さ
れている。この場合、量子井戸構造を有する半導体層１５は、ｎ型
不純物及びｎ型不純物のいずれも意図的に導入させてい
ないが、第１の光吸収端波長文、を有する第１の混晶化
領域または非混晶化領域１５Ｌ（図においては、非混晶
化領域を示し、従って、以下簡単のため非屁品化領り、
！１５Ｌと述べる）と、それと連接し且つ第１の光吸収
端波長λ、に比し短い第２の光吸収端波長λ８を有する
第２の混晶化領域１５Ｍとを、半導体基板１の相対向す
る端面間に有する。ここで混晶化領域は、量子井戸構造
を有する半導体層１５の局部的な領域において、それを
構成している障壁層用半導体層を構成している原子が、
↓１戸層用半導体層内に拡散し、また、井戸層用半導体
層を構成している原子とが障壁層用半導体層内に拡散し
て混晶化が生じた領域を指称し、後述する本発明の半導
体光変調装置の製法の実施例で述べる方法によって形成
される。また、非混晶化領域は、そのような混晶化が生
じな・い領域を指称する。また、量子井戸構造を有する半導体層１５上に、ｎ型を
有し且つ例えばＩｎＰでなるクラッド層用半導体層６が
形成されている。また、クンラドｍ用゛Ｆ　２Ｊ体層６上に、ｐ＋型を有
し且つ例えばＩ　ｎＧａＡｓ系でなるキャップ層用半導
体Ｆ４７が形成されている。さらに、上述したクラッド層用半導体層４と、上述した
量子井戸構造を有する半導体Ｗ！１５と、上述したクラ
ッド層用半導体層６と、上述したキャップ層用半導体層
７とがそれらの順に積層されている構成を有する半導体
積層体３０の、量子井戸構造を有する半導体層１５の上
述した非混晶化領域１５Ｌに対応している領域でなる第
１の半導体積層体部３Ｌに、半導体基板１側とは反対側
の面上において、第１の電極層８Ｌが形成されている。また、上述した半導体積層体３０の、ｍ子弁ノ１構造を
有する半導体層１５の第２の混晶化領域１５Ｍに対応し
ている領域でなる第２の半導体積層体部３Ｍに、半導体
基板１側とは反対側の面上において、第２の電極層８Ｍ
が形成されている。さらに、半導体基板１に、第１及び第２の半導体積層体
部３Ｌ及び３Ｍ側とは反対側において、第１及び第２の
電極層８Ｌ及び８Ｍにそれぞれ対向している第３及び第
４の電Ｍ＃９Ｌ及び９Ｍ、または第１及び第２の電極層
８［及び８Ｍに対向しているそれらに共通の第５の電極
層９が形成されでいる。ただし、図においては、第５の
電極層９が形成されている場合が示されている。従って
、以下簡単のため、第５の電極層９と述べる。以上が、本願第１番目の発明による半導体光変調装置の
実施例の構成である。このような構成を有する本願第１番目の発明による了り
体光鹿調装置は、第１３図で前述した従来の半導体光変
調装置の場合に準じて、半導体基板１の表面に第１の半
とン体積ＪＭ体部３Ｌ下の領域において、分布帰還用回
折格子２が形成され、そして、その分布帰還用回折格子
２に、クラッド層用半導体層４と、量子井戸構造を有す
る半導体層１５の非混晶化領域１５　Ｌと、クラッド層
用半導体層６と、キャップ層用半導体１！ｊ７とがそれ
らの順に積層されている構成を有りる第１の゛ト導体積
層体部３Ｌが接している構成を有し、一方、量子井戸構
造を有する半導体層１５の非混晶化領域１５ｍが、第１
３図で前述した従来の半導体光変調装置の活性層用半導
体１５ｍに対応しているので、詳細説明は省略するが、
第１３図で前述した従来の半導体光変調装置の場合とｌ
１ｉｌ様に、半導体基板１と、第１の半導体積層体部３
Ｌと、第１の電極層８Ｌと、第５の電極層９とを用い（
、分イ１１帰遠型半尋休レーザ構成を有する光源部りを
構成している。従って、光源部りにおいて、詳１ｉ１１説明は省略する
が、第１及び第５の電極層８Ｌ及び９間に第１の電極層
８Ｌ側を正とする所要の電源を接続することによって、
ｍ子弁戸ｆｔＭ造を有する半導体層１５の非混晶化領１
ａ１５Ｌが活性層用半導体層として作用し、分布帰還用
回折格子２の周期によって決められた波長（Ｍえば１．
５５μｍ）を有するレーザ発振が得られ、そして、それ
にもとずく発振光が、第１の半導体積層体部３Ｌを構成
している量子井戸構造を有する半導体１ｉ１１５の非混
晶化領域１５Ｌから、次に述べる光変調部Ｍを構成して
いる第２の半導体積層体部３Ｍにおける量子井戸構造を
有する半導体層１５の第２の混晶化領域１５Ｍ内に入射
する。また、第１３図で前述した従来の半々体光変調装置の場
合に準じて、半導体基板１上に、クラッド層用半導体層
４と、ｗ子弁戸構造を有１６半導体層１５の混晶他領［
１５Ｍと、クラッド層用半導体層６とキャップ層用半導
体層７−とがそれらの順にｇ４層されている構成を有す
る第２の半導体積層体部３Ｍが形成され、そして、ｉ）
子弁戸構造を有する半導体第１５の混晶化領域１５Ｍが
、？！１３図で前述した従来の半導体光変調装置の光吸
収層相半導体ＷＪ５Ｍに対応しているので、詳細説明は
省略するが、第１３図で前述した従来の半導体光度ｗ４
装置の場合と同様に、半導体基板１と、第２の半導体積
層体部３Ｍと、第２の電極層８Ｍと、第５の電極層９と
を用いＣ１半尋休導波路Ｊ１゛！光変調器構成を有する
光変調部Ｍを構成している。従って、光変調部Ｍにおい（゛、詳細’：Ａ　ｔｌＩ　
Ｇよ省略するが、第２及び第５の電極層８Ｍ及び９間に
、第２の電極層８Ｍ側を負とする変調電圧を印加させる
ことによって、第１３図で前述した従来の半導体光変調
装置の場合にｔｌ−じＣ１光変調部Ｍを構成している第
２の半導体積層体部３Ｍにおける光吸収雇用半導体層と
し

【゛作用する量子井戸構造を有する半導体層１５の混
晶他領１４１５Ｍの光吸収端波長λＮ　（例えば１．４
μｍ）が、変調電圧に応じて、光源部３Ｌで発振して得
られる光の波長（例えば１．５５μｍ）側の長波長側に
移動し、よって、変調電圧に応じて、光吸収雇用半導体
層として作用する量子１戸構造を有する半導体ｌＩ２７
１５の混晶化領域１５Ｍにおいて、半導体積層体部３Ｌ
における活性層用半導体層として作用する量子井戸構造
をイ」する半導体層１５の非混晶化領域１５Ｌ側から入
射して伝播する光が吸収される機構で、光が変調電圧に
応じて変調され、そして、その変調された光を外部に出
射する。以上のことから、第１図に示す本願第１番目の発明によ
る半導体光変調装置の場合も、第１３図に示す従来の半
導体光変調装置の場合と同様に、半導体光変調装置とし
ての機能を呈する。しかしながら、第１図に示す本願第１番目の発明による
半導体光変調装置の場合、光源部りにおける活性層用生
様（ＡｈＹ７と１）（釣用りるら１ｒ井戸構造を有する
半導体層１５の非混晶化領域１５Ｌと、光変調部Ｍにお
ける光吸収雇用半導体層として作用する量子井戸構造を
右Ｊ゛る半導体層１５の混晶化領域１５Ｍとが、後述す
る本発明による半導体光変調装置装Ｕの製法からも明ら
かなように、同じ量子井戸Ｈ４造から、ぞれに対する混
晶化処理によって連接しで形成され、そし【、それらが
そのように連接していることによって互に光学的に結合
している。また、桔竹層用半導体層として作用する量子Ｊｔ戸構造
を有りる半導体層１５の非混晶化領域１５［と光吸収雇
用半導体層として作用する量子井戸４’４造を有する半
導体層１５の混晶化領域１５Ｍとが、上述したように形
成されることがら、互に等しい厚さを右し且つそれら間
に段差を有さず、さらに、活性層用半導体層として作用
する量子井戸構造を有する半ど）体層１５の非混晶化領
域１５Ｌ及び光吸収雇用半導体層として作用する量子井
戸構造を有する゛ｒ、４休ｋｎ　１５の混晶化領域１５
Ｍ上のクラッド層用半導体層がそれら活性層用半導体層
として作用する量子井戸構造を有する半導体層１５の非
混晶化領域１５Ｌ及び光吸収雇用半導体層として作用す
る量子井戸構造を有１６半導体層１５の混晶化領域１５
Ｍ上に連続延長しているそれらに共通のクラッド層用半
導体層６であり、そのクラッド層用半導体層６が、それ
ら活性層用半導体層として作用する信子井戸ＩＩｊ４造
を有する半導体層１５の混晶化領域１５Ｍ上の領域間で
段差を有しないことなどから、活性層用半導体層として
作用する量子井戸構造を有する半導体層１５の非混晶化
領域１５［と光吸収雇用半導体層として作用する量子井
戸構造を有する半導体層１５の混晶化領域１５Ｍとの間
の結合部におい（、予期せざる反射が生ずることが実質
的にない。このため、光源部りを構成しくいる分イＩ＋　９１１１
３ｊＪ型半導体レーザ構成が、所期の良好な特性で動作
するとともに、光源部りから光変調部Ｍへの光結合が、
第１３図で前述した従来の半導体光変調装置の場合に比
し格段的に良好に得られる。従って、本願第１番目の発明による半導体光変調装置に
よれば、半導体光変調装置としての機能が所期の特性で
得られるとともに、光変調部向からの変調された光が、
第１３図で前述した従来の半導体光変調装置の場合に比
し格段的に大きなレベルを右し−Ｃ得られる。また、第１図に示す本願第１番目の発明による半導体光
変調装置の場合、光変調部Ｍにおける光吸収雇用半導体
層として作用する半導体層が、量子井戸構造を有する半
導体領域１５の混晶化領域であるとしても、量子井戸構
造を有していることから、光の変調が、いわゆるフラン
ツケルブシュ効果を利用して行われているのではなく、
部子１１３じ込みシュタルク効果を利用して行われてい
るので、変ｗＡ電圧の変化量に対する光吸収端波長λ８
の長波長側への移動量が、第１３図で前述した従来の半
導体光変調装置の場合に比し格段的に大きい。このため、第１図に示す本願第１番目の発明による半導
体光変調装置によれば、変調電圧として、第１３図で前
述した従来の半導体光度調装第１の場合に比し十分小さ
な電圧を有するものを用意すれば？りる。【実施例２］次に、第２図を伴って本願第２番目の発明による半導体
光変調装置の実施例をｊホベよう。第２図において、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。第２図に示す本願第２番目の発明による半導体光変調装
置は、次の事項を除いて、第１図で上述した本願第１番
目の発明にょる半導体光変調装置と同様の構成を有する
。すなわち、半導体基板１上に形成されている、クラッド
層用手導体Ｍ４と、量子井戸構造を有する半導体層１５
と、クラッド層用半導体層６と、キＩ／ツブ層用半導体
層７とがそれらの順に積層されている構成を有する半導
体積層体３０に：　Ｊ３　Ｌ）る、量子井戸構造をイ１
゛する半導体層１５が、第１の光吸収端波長λ、を有す
る第１の非混晶化領域１５Ｌが、第１の光吸収端波長λ
［を有する第１の混晶化領域１５１′に置換され、また
、第１の光吸収端波長λ１に比し短い第２の光吸収端波
長λＨを有する第２の混晶化領域１５Ｍが、第２の光吸
収端波長λＨを有する第３の非混晶化領域１５Ｍ′に置
換されている。以上が、本願第２番目の発明による半導体積層体ｌＡｒ
１の構成である。このような構成を有する本願第２番目の発明による半導
体光変調装置によれば、上述した事項を除いて、本願第
１番目の発明による半導体光変調装置と同様の構成を有
するので、詳細説明は省略するが、本願第１番目の発明
による半導体光変調装置の場合と同様の侵れた作用効果
が得られる。【実施例３】次に、第３図を伴って本願第３′＃ｉ目の発明による半
導体光変調装置の実施例を述べよう。第３図において、第１図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。第３図に示す本願第３番目の発明による半導体光変調装
置は、次の事項を除いて、第１図で前述した本願第１番
目の発明による半導体光変調装置と同様の（１−１成を
右−する。され、また、第２のクラッド層用半導体層６に、量子井
戸構造を有する半導体ｗ１１５の上述した第３の混晶化
領域１５Ｒに対応する領域において、その表面側に、分
布帰還用回折格子２と同様の構成を有する分布反射用回
折格子４０が形成され

【いる。以上が、本願第３番目の発明による半導体光変調装置の
構成である。このような構成を有する本願第２ＷＩ目の発明による半
導体光変調装置によれば、上述した事項を除いて、本願
第１番目の発明による半導体光変調装置とｊ＋目にの構
成をイ螢し、そして、゛ｒ＝尋体基体基板１上クラッド
層用半導体層４と、量子井戸構造を有する半導体ｋｌ　
１５の非混晶化領域１５Ｌと、クラッド層用半導体層６
とキャップ層用半導体層７とがそれらの順に積層されて
いる構成を有する第１の半導体積層体１’１ｌ１３Ｌと
、クラッド層用半導体層４と、量子井戸構造を有する半
導体層１５の混晶化領域１５Ｍと、クラッド層用半導体
層６と、キャップ層用半導体層すなわち、半導体基板１
の表面に形成されている分布帰還用回折格子２が省略さ
れている。また、半導体基板１上に形成されている、クラッド層用
半導体層４と、量子井戸構造を有する半導体層１５と、
クラッド層用半導体Ｆｉ６と、キャップ層用半導体層７
とがそれらの順に積層されている構成を有する半導体積
層体３０にお番プる、量子井戸［＋を有する半導体層１
５が、第１の光吸収端波長λ１を有する第１の非混晶化
領域１５Ｌと、第１の光吸収端波長λ、に比し短い第２
の光吸収端波長λ８を有する第２の混晶化領域１５Ｍと
を分離して有している外、それら第１の非混晶化領域１
５Ｌ及び第２の混晶化領域１５Ｍとの間に、それらと連
接して、第２の光吸収端波長λ、に比し短い第３の光吸
収端波長λ８を有する第３の混晶化領域１５Ｒを有する
。さらに、キャップ層用半導体層７が、量子井戸構造を有
する半導体層１５の上述した第３の混晶化領域１５Ｒに
対応する領域において欠除７とがそれらの順に積層され
ている構成を有する第２の半導体積層体部３Ｍとの間に
、クラッド層用半導体層４と量子井戸構造を有する半導
体層１５の混晶化領域１５Ｒと、クラッド農用γ導体Ｗ
４６とがそれらの順に積層されている構成ろイ」Ｊる第
３の、″１′府体積層体部３Ｒが介挿されている構成を
有し、一方、第３の半導体積層体部３Ｒに、それを構成
しているクラッド層用半導体層６の、量子井戸構造を有
する半導体層１５の混晶化領域１５Ｒに対応する領域の
表向側において、分布反射用回折格子４０が形成されで
いるので、：ＴＩＩＩ説明は省略するが、光源部が、半
導体基板１と、第１の半導体積層体部３１−と、第３の
半導体積層体部３Ｒと、第１の電極層８Ｌと、第５の電
極層９とを用いて、分布反射型半導体レーザで構成され
ている。従って、光源部りにおいて、詳ｌＩＩ説明は省略するが
、第１図で前述した本願第１番目の発明による半導体光
変調装置の場合に準じて、分布反射用回折格子４０の周
期によって決められた波長（例えば１．５５μｍ）を有
するレーザ発振が得られ、そして、それにもとずく発振
光が、第３の半導体積層体部３Ｒを構成している聞子月
戸構造を有する半どｔ体層１５の非混晶化領域１５Ｒか
ら、光変調部Ｍを構成している第２の半導体積層体部３
Ｍにおける量子井戸構造を有する半導体層１５の第２の
混晶化領域１５Ｍ内に入射ケる。また、光変調部Ｍにおいて、詳細説明は省略するが、第
１図で前述した本願第１番目の発明による半導体光変調
装置の場合と同様に、第２及び第５の電極層８Ｍ及び９
間に印加される変調電圧に応じて、光吸収雇用半導体層
として作用するけ子弁戸構造を有する半導体層１５の混
晶化領域１５Ｍにおいて、半導体積層体部３Ｌにおける
活性層用半導体層として作用する量子井戸構造を有する
半導体層１５の非混晶化領域１５１−側から入射して伝
播する光が吸収されるｉ締で、光が変調電圧に応じて皮
調され、そして、その変調された光を外部に出射する。以上のことから、第３図に示１本願第３番目の発明によ
る半導体光変調装置の場合も、第１図で前述した本願第
１番目の発明による半導体光度調装ｒの場合と同様に、
半導体光変調装置としての機能を呈する。また、第３図に示寸本願第３番目の発明による半導体光
変調装置の場合、第１図で前述した本願第１番目の発明
による半導体光変調装置の場合に準じて、光源部りにお
ける活性層用半導体層として作用する量子井戸構造を有
する半導体ｈ４１５の非混晶化領域１５Ｌと、光源部り
における反射用導波路を構成する半導体層として作用す
る量子井戸構造を有する半導体層１５の混晶化領域１５
Ｒと、光変調部Ｍにおける光吸収雇用半導体層として作
用する量子井戸構造を有する半導体層１５の混晶他領１
＊１５Ｍとが、同じ量子井戸構造から、それに対する混
晶化処理によって連接して形成され、そして、それらが
、そのように連接しくいることによつＣａｌに光学的に
結合している。また、活性層用半導体層として作用する量子井戸構造を
有する半導体層１５の非混晶化領域１５ｍと、反射用導
波路を構成する半導体層としＣ作用するムトｒ井戸構造
を有する半導体層１５の混晶化領域１５Ｒと、光吸収雇
用半導体層として作用する」子弁戸構造を有する半導体
層１５の混晶化領域１５Ｍとが、上述したように形成さ
れることから、互に等しい厚さを有し且つそれら間に段
差を有さす、さらに、活性層用’ｔ’　）／＞体層とし
く°作用するｈｔ子１１戸構造を有する半導体層１５の
非混晶化領域１５Ｌ１反射川棚波路を構成り°る゛ｒ−
導体層として作用する量子井戸構造を有する半導体層１
５の混晶化領域１５Ｒ１及び光吸収雇用半導体層として
作用する量子井戸構造を有する半導体層１５の混晶化領
域１５Ｍ上のクラッド層用半導体層が、それら活性層用
半導体層として作用する量子井戸構造を有する半導体層
１５の非混晶化領域１５Ｌ、反射用導波路を構成する半
導体層として作用する量子井戸構造を有する半導体層１
５の混晶化領域１５Ｒ１及び光吸収雇用半導体層として
作用する量子井戸ＷＪ造を有する半導体層１５の混晶化
領域１５Ｍ上に連続延長しているそれらに共通のクラッ
ド層用半導体層６であり、そのクラッド層用半導体層６
が、量子井戸構造を有する」′尋体層１５側において、
それら活性層用半導体層として作用する量子井戸構造を
有する半導体層１５の混晶化領域１５Ｍ、反射用導波路
を構成する半導体層として作用する量子井戸構造を有す
る半々体層１５の混晶化領域１５Ｒ１及び光吸収層とし
て作用する量子井戸構造を有する半々体層１５の混晶化
領域１５Ｍ上の領域間で段差を有しないことなどから、
反射用導波路として作用する量子井戸構造を有する半導
体層１５の混晶化領域１５Ｒと光吸収雇用半導体層とし
て作用する量子井戸構造を有する半導体層１５の混晶化
領域１５Ｍとの間の結合部において、予期せざる反射が
生ずることが実質的にない。このため、光源部りを構成している分布反射型半導体レ
ーザ構成が、所期の良好な特性で動作するとともに、光
源部りから光変調部Ｍへの光結合が良好に得られる。従つ℃、本願第３番１１の発明による゛’ｔ′−３’Ｊ
休光変調装置によれば、第１図で前述した本願第１番目
の発明による半導体光変調装置の場合と同様に、半導体
光変調装置としての機能が所期の特性で得られるととも
に、光変調部Ｍからの変調された光が、大きなレベルを
有して得られる。また、第３図に示す本願第３番目の発明による半導体光
度ＷＡ装置の場合も、光変調部Ｍにおける光吸収履用半
導体層として作用する半導体層が、量子井戸構造を有す
る半導体領域１５の混晶化領域であるとしても、量子井
戸構造を有していることから、光の変調が、いわゆるフ
ランツケルブシュ効果を利用して行われているのではな
く、ｍ子閉じ込みシュタルク効果を利用して行われてい
るので、変調電圧の変化量に対でる光吸収端波長λ８の
長波長側への移動量が、第１図で前述した本願第１番目
の発明による半導体光変調装置の場合と同様に格段的に
大きい。このため、第３図に示す本願第３番目の発明による半導
体光変調装置による場合も、変調電圧としく、第１図Ｃ
前述ｌノた本願第１番１１の発明による半導体光変調装
置の場合と同様に十分小さな電圧を有するものを用意す
れば足りる。【実施例４】次に、第４図を伴って本願第４１目の発明による半導体
光変調装置の実施例を述べよう。第４図において、第３図との対応部分には同一符号を付
して詳細説明を省略する。第４図に示す本願第４番目の発明による半導体光変調装
置は、次の°１１項を除いて、第３図で上述した本願第
３番目の発明による半導体光変調装置と同様の構成を有
する。すなわち、半導体基板１上に形成されている、クラッド
層用半導体［１４と、量子井戸構造を有する半導体層１
５と、クラッド層用半導体Ｊ１６と、キャップ層用半導
体Ｉ１７とがそれらの順に積層されている構成を有する
半導体積層体３０にお

【）る、Ｄ子弁戸構造をｈする半
導体層１５の第１の光吸収端波長λ、を有する第１の非
混晶他領１４１５Ｌが、第１の光吸収端波長λ、を有す
る混晶化領域１５１″に置換され、また、第２の光吸収
端波長λ１．に比し短い第３の光吸収端波長λ１を有す
る第３の混晶化領域１５Ｍが、第３の光吸収端波長λ１
を有する第３の非混晶化領域１５Ｒ′に置換されている
。以上が、本願第４番目の発明による半導体光変調装置の
実施例の構成である。このＪ：うな構成を有する本願第４番目の発明による半
導体光変調装置によれば、上述した事項を除いて、本願
第３番目の発明による半導体光変調装置と同様の構成を
有するので、詳細説明は省略するが、本願第３番目の発
明による半導体光変調装置の場合と同様の優れた作用効
果が得られる。【実施例５】次に、第５図Ａ−Ｆを伴って、本願第５番目の発明によ
る半導体光変調装置の製法の実施例を、第１図に示す本
願第１番目の発明による半導休光度［１の製法に適用し
た場合の実施例で述べよう。第５図Ａ−Ｆにおいて、第１図との対応部分には同一符
号を付して、詳細説明を省略する。第１図Ａ−Ｆに示す本願第５番目の発明による半導体光
変調装置の製法は、次に述べる順次の１−稈をとって、
第１図で上述した本願第１番［１の発明による半導体光
変調装置を製造する。すなわち、第１図で上述したと同様の、例えばｎ＋型を
有し且つ例えばＩｎＰでなる半導体基板１を用意する（
第１図Ａ）。そして、その半導体基板１の表面に、半導体基板１の長
さ方向の一半部において、半導体基板１の幅方向に延長
し且つ半導体基板１の長さ方向に予定の周期性を有する
溝による分布帰還用回折格子２を、マスクを用いたエツ
ブング処理によって形成する（第１図Ｂ）。次に、半導体基板１上に、分布帰還用回折格子２が形成
されている領域及び分布帰還用回折格子２が形成されて
いない領域の双方に亘って、ｎ型を有し且つ例えばＩｎ
Ｐでなる第１のクラッド層用゛１−様体Ｐｉ　４と、爾
後第１図で前述した量子弁戸４１１′？ｉを有する半導
体層１５になる、後述する混晶化処理の施されていない
量子井戸構造を有する半導体層１５′と、ｎ型を有し且
つ例えばＩｎＰでなる、第２のクラッド層用半導体１ｉ
１６とキャップ層用半導体層７とが、それらの順に積層
されている半導体ｖ４層体５１を、エピタキシャル成長
法、例えば液相エピタキシャル成長法によって形成する
（第１図Ｃ）。次に、半導体積層体５１に、分布帰還用回折格子２に対
応していない領域（分布帰還用回折格子２以外の領域上
の領域）において、例えば二酸化■１−索または窒化１
１累Ｃなる模１６を形成する（第１図Ｄ）。次に、急速昇温によるまたはよらない短時間の熱処理に
よってまたはその繰返しによって、量子井戸構造を有す
る半導体Ｊｌｌ　５’から、第１図で前述した混晶化領
域１５Ｍ及び非混晶化領域１５Ｌを有する、量子井戸構
造を有する半導体層１５′を形成し、よって、第１のク
ラッド層用半導体層４と、量子井戸構造を４４する半導
体層１５と、第２のクラッド層用半導体層６と、キャッ
プ層用半導体層７とがそれらの順に積層されている構成
を有する半導体積層体５２を形成する（第５図Ｅ）。次に、半導体積層体５２上から、膜１６を除去して後、
第１図で前述した第１の半導体積層体部３１−を形成し
ている、その半導体積層体部３［−に、？ｌ’　１体基
板１側とは反対側の面上におい（、第１の電極層８Ｌが
形成し、また、同様に第１図で前述した第２の半導体積
層体部３Ｍを形成している、その半導体積層体部３Ｍに
、半導体基板１側とは反対側の面上において、第２の電
Ｉ４ｉ層８Ｍを形成し、さらに、半導体基板１に、第１
及び第２の半導体積層体部３Ｌ及び３Ｍ側とは反対側に
おいて、第１及び第２の電極層８Ｌ及び８Ｍにそれぞれ
対向している第３及び第４の電極層９１及び９Ｍ、また
は第１及び第２の電極Ｊｇ８Ｌ及び８Ｍに対向している
、それらに共通の第５の電極層９を形成する（第１図Ｆ
）。ただし、第１図Ｆにおいては、第５の電極層９を形
成している場合を示している。以上が、第１図で前述した本願第１番目の発明による半
導体光変調装置を製造する場合に適用し得る本願第５番
目の発明による半導体光変調装置の製法の実施例である
。このような本願第５ＷＦ目の発明による半導体光変調装
置の製法の実施例によれば、半導体基板１上に、半導体
積層体５１を形成するただ１回だけのエピタキシャル成
長法による半導体層の形成を行っているため、第１図で
前述した優れた作用効果を有する本願第１番目の発明に
よる半導体光変調装置を、第１４図で前述した従来の半
導体光変調ｖｔ１／の製法の場合に比し、歩留り良く、
＾精度に、容易に、製造することができる。

【実施例６】次に、第６図Ａ−Ｇを伴って、本願第６番目の発明によ
る半導体光変調装置の実施例を、第５図で前述した本願
第５番目の発明による半導体光変調装置の場合と同様に
、第１図で前述した本願第１番目の発明による半導体光
変調装置の製法に適用した場合の実施例で述べＪ、う。第６図において、第５図との対応部分には同一符号を（
＝Ｊ　Ｌ、、ＫＶ細説明を省略する。第６図に示す本願第６番目の発明による半導体光度調装
Ｕの製法は、次の事項を除いて、第５図で前述した本願
第５番目の発明による半導体光変調装置の製法と同様で
ある。すなわち、半導体基板１上に、クラッド層用半導体層と
、量子井戸構造を有する半導体層１５′と、クラッド層
用半導体層６と、キ１１ツブ層用半導体＠１７との半導
体積層体５１を形成した状態で、膜１６を用いたｄ１品
化処理によつ（、混晶化領域１５Ｍ及び非混晶化領域１
５ｍをイＪする、量子井戸構造を有する半導体層１５を
形成したのに代え、クラッド層用半導体層４と、量子井
戸構造を有する半導体層１５′と、適当な半導体層１７
とがそれらの順に積層されている半導体８４層体６１を
形成している状態で、躾１６を用いた混晶化処理によっ
て、混晶化領域１５Ｍ及び非混晶化領域１５ｍを有する
、量子井戸構造を右Ｊる半導体層１５を形成して、それ
を有する半導体積層体６２を形成しく第６図Ｃ及びＤ）
、次で、半導体積層体６２」−に、膜１６及び半導体基
板１７を除去して後、クラッド層用半導体層６及びキャ
ップ層用半導体層７をそれらの順に積層して形成し、第
５図で前述した本願第５番目の発明による半導体光変調
装置の製法の場合と同様の半導体積層体５２を形成する
（第６図Ｆ）。以上が、本願第６番目の発明による半導体光変調装置の
製法の実施例である。このような本願第６番目の発明による半導体光変調装置
の製法によれば、上述した事項を除いて、第５図で前述
した本願第５番目の発明による半導体光変調装置の製法
と同様ひあるので、第１図で前述した優れた作用効果を
有する本願第１番目の発明による半導体光変調装置を、
第５図で前述した本願第５番目の発明による半導体光度
ｗｊ装置の製法の場合と同様の作用効果を以って製造す
ることができる。

【実施例７】及び

【実施例８】第７図Ａ−Ｆ、及び第８図Ａ−Ｇは、ともに、第２図で
前述した本願第２番目の発明による半導体光変調装置の
製法に適用した場合の本願第７番目の発明、及び本願第
８番目の発明の製法の実施例を示し、第５図Ａ〜Ｆ、第
６図Ａ−Ｇとの対応部分には同一符号を付しているよう
に、詳細説明は省略するが、それぞれ第５図Ａ−Ｆ、及
び第６図Ａ〜Ｇで前述した本願第５番目の発明、及び本
願第６番目の発明による半導体光変調装置の製法と全く
対応している順次の工程を有する。以上が、本願第７番目の発明、及び本願第８番［ｌの発
明による半導体光変調装置の製法の実施例である。このような本願第７番目の発明、及び本願第明ａ＝の浄
書（内容に変更なし）８番目の発明による半導体光変調装置の製法の実施例に
よれば、詳細説明は省略するが、第２図で前述した優れ
た作用効果を有する本願第２番目の発明による半導体光
変調装置を第５図Ａ〜Ｆ、第６図Ａ−Ｇとの対応部分に
は同一符号をイ・１しているように、詳細説明は省略す
るが、それぞれ第５図Ａ−Ｆ、及び第６図Ａ〜Ｇで前述
した本願第５番目の発明、及び本願第６番目の発明によ
る半導体光変調装置の製法の場合と同様の作用効果を以
て製造することができる。

【実施例９】及び

【実施例１０】第９図Ａ−Ｈ，及び第１０図Ａ〜Ｉは、ともに、第３図
で前述した本願第３番目の発明による半導体光変調装置
の製法に適用した場合の本願第９番目の発明、及び本願
第１０番目の発明の製法の実施例を示し、第５図Ａ〜Ｆ
、第６図Ａ〜Ｇとの対応部分には同一符号を付している
ように、詳細説明は省略するが、それぞれ第５図Ａ−Ｆ
、及び第６図Ａ−Ｇで前述した本願第５番目の発明、及
び本願第６番目の発明による明細りの浄書（内容に変更
なし）半導体光変調装置の製法と対応している順次の工程を有
する。以上が、本願第９番目の発明、及び本願第１０番目の発
明による半導体光変調装置の製法の実施例である。このような本願第９番目の発明、及び本願第１０番目の
発明による半導体光変調装置の製法の実施例によれば、
詳細説明は省略するが、第３図で前述した優れた作用効
果を有する本願第３番目の発明による半導体光変調装置
を第５図Ａ−Ｆ、第６図Ａ〜Ｇで前述した本願第５番目
の発明、及び本願第６番目の発明による半導体光変調装
置の製法の場合と同様の作用効果を以て製造することが
できる。

【実施例１１】及び

【実施例１２】第１１図Ａ−Ｈ，及び第１２図Ａ−１は、ともに、第４
図で前述した本願第４番目の発明による半導体光度：ｇ
ｌ装置の製法に適用した場合の本願第１１番目の発明、
及び本願第１２番目の発明の製法の実施例を示し、第９
図Ａ−Ｈ１第１１Ｊ抹１１謁、の；ｖ′皓（内容に変更
なし）１０図Ａ−Ｇとの対応部分には同一符号を付して
いるように、詳細説明は省略するが、それぞれ第９図Ａ
　−Ｈｌ及び第１０図Ａ−１で前述した本願第９番目の
発明、及び本願第１０番目の発明による半導体光変調装
置の製法と全く対応している順次の工程を有する。以上が、本願第１１番目の発明、及び本願第１２番目の
発明による半導体光変調装置の製法の実施例である。このような本願第１１番目の発明、及び本願用１２１を
目の発明による半導体光変調装置の製法の実施例によれ
ば、詳細説明は省略するが、第４図で前述した優れた作
用効果を有する本願第４番目の発明による半導体光変調
装置を第９図Ａ−Ｈ１第１０図Δ〜Ｉで前述した本願第
９番目の発明、及び本願第１０番目の発明による半導体
光変調装置の製法の場合と同様の作用効果を以て製造す
ることができる。４・　＜面ｏａ単ｈａ明　明細芯の？１°信（内容に変
更なし）第１図は、本願第１番目の発明による半導体光
変調装置の実施例を示す路線的断面図である。第２図は、本願第２番目の発明による半導体光変調装置
の実施例を示す路線的断面図である。第３図は、本願第３番目の発明による半導体光変調装置
の実施例を示す路線的断面図である。第４図は、本願第４番目の発明による半導体光変調装置
の実施例を示す路線的断面図である。第５図Ａ−Ｆ、及び第６図Ａ−Ｇは、第１図に示す本願
第１番目の発明による半導体光変調装置の製法に適用し
た場合の、本願第５番目の発明、及び本願第６番目の発
明による半導体光変調装置の製法をそれぞれ示す順次の
工程における路線的断面である。第７図Ａ〜Ｆ１及び第８図Ａ−Ｇは、第２図に示す本願
第２番目の発明による半導体光変調装置の製法に適用し
た場合の、本願第７番目の発明、及び本願第８番目の発
明による半導体光変調装置の製法をそれぞれ示す順次の
工程にお明細芯の浄ＪＹ（内容に変更ないける路線的断面である。第９図Ａ〜ト１、及び第１０図Ａ−１は、第３図に示す
本願第３番目の発明による半導体光変調装置の製法に適
用した場合の、本願第９番目の発明、及び本願第１０番
目の発明による半導体光変調装置の製法をそれぞれ示す
順次の工程における路線的断面である。第１１図Ａ−Ｈ１及び第１２図は、第４図に示す本願第
４番目の発明による半導体光変調装置の製法に適用した
場合の、本願用ｉｉｉ目の発明、及び本願第１２番目の
発明による半導体光変調装置の製法をそれぞれ示す順次
の工程における路線的断面である。第１３図は、従来の半導体光変調装置を示す路線的断面
図である。第１４図Ａ−Ｈは、第１３図に示す従来の半導体光変調
装置の製法を示す順次の工程における路線的断面図であ
る。し・・・・・・・・・・・・・・・光源部Ｍ・・・・・
・・・・・・・・・・光変調部明ａ３の浄書（内容に変
更ない１・・・・・・・・・・・・・・・半導体基板２・・・
・・・・・・・・・・・・分布帰還用回折格子３Ｌ・・
・・・・・・・・・・第１の半導体積層体部３Ｍ・・・
・・・・・・・・・第２の半導体積層体部３Ｒ・・・・
・・・・・・・・第３の半導体積層体部４・・・・・・
・・・・・・・・・第１のクラッド層用半導体層５・・・・・・・・・・・・・・・活性層用半導体）Ｗ
５１−どなる半導体層６・・・・・・・・・・・・・・・クラッド層用半導体
層６Ｌとなる半導体層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１の導電型を有する半導体基板上に、（ａ）第１の導電型を有する第１のクラッド層用半導体
層と、（ｂ）第１の光吸収端波長を有する第１の混晶化領域ま
たは非混晶化領域、及びそれと連接し且つ上記第１の光
吸収端波長に比し短い第２の光吸収端波長を有する第２
の混晶化領域を有する、量子井戸構造を有する半導体層
と、（ｃ）第１の導電型とは逆の導電型を有する第２のクラ
ッド層用半導体層とがそれらの順に積層されている構成
を有する半導体積層体が形成され、上記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する半導体
層の上記第１の混晶化領域または非混晶化領域に対応し
ている領域でなる第１の半導体積層体部に、上記半導体
基板側とは反対側の面上において、第１の電極層が形成
され、上記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する
半導体層の上記第２の混晶化領域に対応している領域で
なる第２の半導体積層体部に、上記半導体基板側とは反
対側の面上において、第２の電極層が形成され、上記半導体基板に、上記半導体積層体側とは反対側の面
上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞれ対向
している第３及び第４の電極層、または上記第１及び第
２の電極図に対向している第５の電極層が形成され、上記半導体基板または上記第１の半導体積層休部に、上
記第１及び第２の半導体積層休部を結ぶ方向に周期性を
有する分布帰還用回折格子が形成され、上記半導体基板と、上記第１の半導体積層体部と、上記
第１の電極層と、上記第３または第５の電極層とを用い
て、分布帰還型半導体レーザ構成を有する光源部が構成
され、上記半導体基板と、上記第２の半導体積層体部と、上記
第２の電極層と、上記第４または第５の電極層とを用い
て、上記光源部からの光を変調する、半導体導波路型光
変調器構成を有する光変調部が構成されていることを特
徴とする半導体光変調装置。
【請求項２】第１の導電型を有する半導体基板上に、（ａ）第１の導電型を有する第１のクラッド層用半導体
層と、（ｂ）第１の光吸収端波長を有する第１の混晶化領域、
及びそれと連接し且つ上記第１の光吸収端波長に比し短
い第２の光吸収端波長を有する第２の混晶化領域または
非混晶化領域を有する、量子井戸構造を有する半導体層
と、（ｃ）第１の導電型とは逆の導電型を有する第２のクラ
ッド層用半導体層とがそれらの順に積層されている構成
を有する半導体積層体が形成され、上記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する半導体
層の上記第１の混晶化領域に対応している領域でなる第
１の半導体積層体部に、上記半導体基板側とは反対側の
面上において、第１の電極層が形成され、上記半導体積層体の上記量子井戸構造を有する半導体層
の上記第２の混晶化領域または非混晶化領域に対応して
いる領域でなる第２の半導体積層体部に、上記半導体基
板側とは反対側の面上において、第２の電極層が形成さ
れ、上記半導体基板に、上記半導体積層体側とは反対側の面
上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞれ対向
している第３及び第４の電極層、または上記第１及び第
２の電極層に対向している第５の電極層が形成され、上記第１の半導体積層体部に、上記第１及び第２の半導
体積層体部を結ぶ方向に周期性を有する分布帰還用回折
格子が形成され、上記半導体基板と、上記第１の半導体積層体部と、上記
第１の電極層と、上記第３または第５の電極層とを用い
て、分布帰還型半導体レーザ構成を有する光源部が構成
され、上記半導体基板と、上記第２の半導体積層体部と、上記
第２の電極層と、上記第４または第５の電極層とを用い
て、上記光源部からの光を変調する半導体導波路型光変
調器構成を有する光変調部が構成されていることを特徴
とする半導体光変調装置。
【請求項３】第１の導電型を有する半導体基板上に、（ａ）第１の導電型を有する第１のクラッド層用半導体
層と、（ｂ）第１の光吸収端波長を有する第１の混晶化領域ま
たは非混晶化領域、上記第１の光吸収端波長に比し短い
第２の光吸収端波長を有する第２の混晶化領域、及び上
記第２の光吸収端波長に比し短い第３の光吸収端波長を
有する第３の混晶化領域を、上記第１の混晶化領域また
は上記非混晶化領域、上記第３の混晶化領域、及び上記
第２の混晶化領域の配列順序で有する、量子井戸構造を
有する半導体層と、（ｃ）第１の導電型とは逆の導電型を有する第２のクラ
ッド層用半導体層とがそれらの順に積層されている構成
を有する半導体積層体が形成され、上記半導体積層体の上記量子井戸構造を有する半導体層
の上記第１の混晶化領域または非混晶化領域に対応して
いる領域でなる第１の半導体積層体部に、上記半導体基
板側とは反対側の面上において、第１の電極層が形成さ
れ、上記半導体積層体の上記量子井戸構造を有する半導体層
の上記第２の混晶化領域に対応している領域でなる第２
の半導体積層体部に、上記半導体基板側とは反対側の面
上において、第２の電極層が形成され、上記半導体基板に、上記半導体積層体側とは反対側の面
上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞれ対向
している第３及び第４の電極層、または上記第１及び第
２の電極層に対向している第５の電極層が形成され、上記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する半導体
層の上記第３の混晶化領域に対応している領域でなる第
３の半導体積層体部に、上記第１及び第２の半導体積層
体部を結ぶ方向に周期性を有する分布反射用回折格子が
形成され、上記半導体基板と、上記第１及び第３の半導
体積層体部と、上記第１の電極層と、上記第３または第
５の電極層とを用いて、分布反射型半導体レーザ構成を
有する光源部が構成され、上記半導体基板と、上記第２
の半導体積層体部と、上記第２の電極層と、上記第４ま
たは第５の電極層とを用いて、上記光源部からの光を変
調する半導体導波路型光変調器構成を有する光変調部が
構成されていることを特徴とする半導体光変調装置。
【請求項４】第１の導電型を有する半導体基板上に、（ａ）第１の導電型を有する第１のクラッド層用半導体
層と、（ｂ）第１の光吸収端波長を有する第１の混晶化領域、
上記第１の光吸収端波長に比し短い第２の光吸収端波長
を有する第２の混晶化領域、及び上記第２の光吸収端波
長に比し短い第３の光吸収端波長を有する第３の混晶化
領域または非混晶化領域を、上記第１の混晶化領域、上
記第２の混晶化領域、及び上記第３の混晶化領域または
上記非混晶化領域の配列順序で有する、量子井戸構造を
有する半導体層と、（ｃ）第１の導電型とは逆の導電型を有する第２のクラ
ッド層用半導体層とがそれらの順に積層されている構成
を有する半導体積層体が形成され、上記半導体積層体の上記量子井戸構造を有する半導体層
の上記第１の混晶化領域に対応している領域でなる第１
の半導体積層体部に、上記半導体基板側とは反対側の面
上において、第１の電極層が形成され、上記半導体積層体の上記量子井戸構造を有する半導体層
の上記第２の混晶化領域に対応している領域でなる第２
の半導体積層体部に、上記半導体基板側とは反対側の面
上において、第２の電極層が形成され、上記半導体基板に、上記半導体積層体側とは反対側の面
上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞれ対向
している第３及び第４の電極層、または上記第１及び第
２の電極層に対向している第５の電極層が形成され、上記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する半導体
層の上記第３の混晶化領域または非混晶化領域に対応し
ている領域でなる第３の半導体積層体部に、上記第１及
び第２の半導体積層体部を結ぶ方向に周期性を有する分
布反射用回折格子が形成され、上記半導体基板と、上記第１及び第３の半導体積層体部
と、上記第１の電極層と、上記第３または第５の電極層
とを用いて、分布反射型半導体レーザ構成を有する光源
部が構成され、上記半導体基板と、上記第２の半導体積
層体部と、上記第２の電極層と、上記第４または第５の
電極層とを用いて、上記光源部からの光を変調する半導
体導波路型光変調器構成を有する光変調部が構成されて
いることを特徴とする半導体光変調装置。
【請求項５】第１の導電型を有する半導体基板上に、第１の導電型を
有する第１のクラッド層用半導体層と、量子井戸構造を
有する第１の半導体層と、第１の導電型とは逆の第２の
導電型を有する第２のクラッド層用半導体層とがそれら
の順に積層されている構成を有する第１の半導体積層体
を形成する工程と、上記第１の半導体積層体の上記量子井戸構造を有する第
１の半導体層に対する局部的な混晶化処理によって、上
記量子井戸構造を有する第１の半導体層から、第１の光
吸収端波長を有する第１の混晶化領域または非混晶化領
域、及び上記第１の光吸収端波長に比し短い第２の光吸
収端波長を有する第２の混晶化領域を有する、量子井戸
構造を有する第２の半導体層を形成し、上記第１のクラ
ッド体用半導体層と、上記量子井戸構造を有する第２の
半導体層と、上記第２のクラッド層用半導体層とがそれ
らの順に積層されている構成を有する第２の半導体積層
体を形成する工程と、上記第２の半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する
第２の半導体層の上記第１の混晶化領域または、非混晶
化領域に対応している領域でなる第１の半導体積層体部
に、上記半導体基板側とは反対側の面上において、第１
の電極層を形成し、また、上記第２の半導体積層体の、
上記量子井戸構造を有する第２の半導体層の上記第２の
混晶化領域に対応している領域でなる第２の半導体積層
体部に、上記半導体基板側とは反対側の面上において、
第２の電極層を形成する工程と、上記半導体基板に、上記第２の半導体積層体側とは反対
側の面上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞ
れ対向している第３及び第４の電極層、または上記第１
及び第２の電極層と対向している第５の電極層を形成す
る工程とを有し、上記第１の半導体積層体を形成する工程前において、上
記半導体基板に、または上記第１の半導体積層体を形成
する工程において、上記第１の半導体積層体に、上記第
１及び第２の半導体積層体部を結ぶ方向に周期性を有す
る分布帰還用回折格子を形成する工程を有することを特
徴とする半導体光変調装置の製法。
【請求項６】第１の導電型を有する半導体基板上に、第１の導電型を
有する第１のクラッド層用半導体層と、量子井戸構造を
有する第１の半導体層とを有する第１の半導体積層体を
形成する工程と、上記第１の半導体積層体の上記量子井
戸構造を有する第１の半導体層に対する局部的な混晶化
処理によつて、上記量子井戸構造を有する第１の半導体
層から、第１の光吸収端波長を有する第１の混晶化領域
または非混晶化領域、及び上記第１の光吸収端波長に比
し短い第２の光吸収端波長を有する第２の混晶化領域を
有する、量子井戸構造を有する第２の半導体層を形成し
、上記第１のクラッド層用半導体層と、上記量子井戸構
造を有する第２の半導体層とがそれらの順に積層されて
いる構成を有する第２の半導体積層体を形成する工程と
、上記量子井戸構造を有する第２の半導体層を形成する工
程後、上記第１の半導体積層体上に、上記量子井戸構造
を有する第２の半導体層と接して、第１の導電型とは逆
の第２の導電型を有する第２のクラッド層用半導体層を
積層して形成し、上記第１のクラッド層用半導体層と、
上記量子井戸構造を有する第２の半導体層と、上記第２
の半導体層とがそれらの順に積層されている構成を有す
る第３の半導体積層体を形成する工程と、上記第３の半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する
第２の半導体層の上記第１の混晶化領域または非混晶化
領域に対応している領域でなる第１の半導体積層体部に
、上記半導体基板側とは反対側の面上において、第１の
電極層を形成し、また、上記第３の半導体積層体の、上
記量子井戸構造を有する第２の半導体層の上記第２の混
晶化領域に対応している領域でなる第２の半導体積層体
部に、上記半導体基板側とは反対側の面上において、第
２の電極層を形成する工程と、上記半導体基板に、上記第３の半導体積層体側とは反対
側の面上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞ
れ対向している第３及び第４の電極層、または上記第１
及び第２の電極層と対向している第５の電極層を形成す
る工程とを有し、上記第１の半導体積層体を形成する工程前において、上
記半導体基板に、または上記第１または第３の半導体積
層体を形成する工程において、上記第１または第３の半
導体積層体に、上記第１の半導体積層体部に対応する領
域において、上記第１及び第２の半導体積層体部を結ぶ
方向に周期性を有する分布帰還用回折格子を形成する工
程を有することを特徴とする半導体光変調装置の製法。
【請求項７】第１の導電型を有する半導体基板上に、第１の導電型を
有する第１のクラッド層用半導体層と、量子井戸構造を
有する第１の半導体層と、第１の導電型とは逆の第２の
導電型を有する第２のクラッド層用半導体層とがそれら
の順に積層されている構成を有する第１の半導体積層体
を形成する工程と、上記第１の半導体積層体の上記量子井戸構造を有する第
１の半導体層に対する局部的な混晶化処理によって、上
記量子井戸構造を有する第１の半導体層から、第１の光
吸収端波長を有する第１の混晶化領域、及び上記第１の
光吸収端波長に比し短い第２の光吸収端波長を有する第
２の混晶化領域または非混晶化領域を有する、量子井戸
構造を有する第２の半導体層を形成し、上記第１のクラ
ッド層用半導体層と、上記量子井戸構造を有する第２の
半導体層と、上記第２のクラッド層用半導体層とがそれ
らの順に積層されている構成を有する第２の半導体積層
体を形成する工程と、上記第２の半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する
第２の半導体層の上記第１の混晶化領域に対応している
領域でなる第１の半導体積層体部に、上記半導体基板側
とは反対側の面上において、第１の電極層を形成し、ま
た、上記第２の半導体積層体の、上記量子井戸構造を有
する第２の半導体層の上記第２の混晶化領域または非混
晶化領域に対応している領域でなる第２の半導体積層体
部に、上記半導体基板側とは反対側の面上において、第
２の電極層を形成する工程と、上記半導体基板に、上記第２の半導体積層体側とは反対
側の面上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞ
れ対向している第３及び第４の電極層、または上記第１
及び第２の電極層と対向している第５の電極層を形成す
る工程とを有し、上記第１の半導体積層体を形成する工程前において、上
記半導体基板に、または上記第１の半導体積層体を形成
する工程において、上記第１の半導体積層体に、上記第
１の半導体積層体部に対応する領域において、上記第１
及び第２の半導体積層体部を結ぶ方向に周期性を有する
分布帰還用回折格子を形成する工程を有することを特徴
とする半導体光変調装置の製法。
【請求項８】第１の導電型を有する半導体基板上に、第１の導電型を
有する第１のクラッド層用半導体層と、量子井戸構造を
有する第１の半導体層とを有する第１の半導体積層体を
形成する工程と、上記第１の半導体積層体の上記量子井
戸構造を有する第１の半導体層に対する局部的な混晶化
処理によつて、上記量子井戸構造を有する第１の半導体
層から、第１の光吸収端波長を有する第１の混晶化領域
、及び上記第１の光吸収端波長に比し短い第２の光吸収
端波長を有する第２の混晶化領域または非混晶化領域を
有する、量子井戸構造を有する第２の半導体層を形成し
、上記第１のクラッド層用半導体層と、上記量子井戸構
造を有する第２の半導体層とがそれらの順に積層されて
いる構成を有する第２の半導体積層体を形成する工程と
、上記量子井戸構造を有する第２の半導体層を形成する工
程後、上記第１の半導体席層体上に、上記量子井戸構造
を有する第２の半導体層と接して、第１の導電型とは逆
の第２の導電型を有する第２のクラッド層用半導体層を
積層して形成し、上記第１のクラッド層用半導体層と、
上記量子井戸構造を有する第２の半導体層と、上記第２
の半導体層とがそれらの順に積層されている構成を有す
る第３の半導体積層体を形成する工程と、上記第３の半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する
第２の半導体層の上記第１の混晶化領域に対応している
領域でなる第１の半導体積層体部に、上記半導体基板側
とは反対側の面上において、第１の電極層を形成し、ま
た、上記第３の半導体積層体の、上記量子井戸構造を有
する第２の半導体層の上記第２の混晶化領域または非混
晶化領域に対応している領域でなる第２の半導体積層体
部に、上記半導体基板側とは反対側の面上において、第
２の電極層を形成する工程と、上記半導体基板に、上記第２の半導体積層体側とは反対
側の面上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞ
れ対向している第３及び第４の電極層または上記第１及
び第２の電極層と対向している第５の電極層を形成する
工程とを有し、上記第１の半導体積層体を形成する工程前において、上記半導体基板に、または上記第１または第
３の半導体積層体を形成する工程において、上記第１ま
たは第３の半導体積層体に、上記第１の半導体積層体部
に対応する領域において、上記第１及び第２の半導体積
層体部を結ぶ方向に周期性を有する分布帰還用回折格子
を形成する工程を有することを特徴とする半導体光変調
装置の製法。
【請求項９】第１の導電型を有する半導体基板上に、第１の導電型を
有する第１のクラッド層用半導体層と、量子井戸構造を
有する第１の半導体層と、第１の導電型とは逆の第２の
導電型を有する第２のクラッド層用半導体層とがそれら
の順に積層されている構成を有する第１の半導体積層体
を形成する工程と、上記第１の半導体積層体の上記量子井戸構造を有する第
１の半導体層に対する局部的な混晶化処理によつて、上
記量子井戸構造を有する第１の半導体層から、第１の光
吸収端波長を有する第１の混晶化領域または非混晶化領
域、上記第１の光吸収端波長に比し短い第２の光吸収端
波長を有する第２の混晶化領域、及び上記第２の光吸収
端波長に比し短い第３の光吸収端波長を有する第３の混
晶化領域を、上記第１の混晶化領域または上記非混晶化
領域、上記第３の混晶化領域、及び上記第２の混晶化領
域の配列順序で有する、量子井戸構造を有する第２の半
導体層を形成し、上記第１のクラッド層用半導体層と、
上記量子井戸構造を有する第２の半導体層と、上記第２
のクラッド層用半導体層とがそれらの順に積層されてい
る構成を有する第２の半導体積層体を形成する工程と、上記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する第２の
半導体層の上記第１の混晶化領域または非混晶化領域に
対応している領域でなる第１の半導体積層体部に、上記
半導体基板側とは反対側の面上において、第１の電極層
を形成し、また、上記半導体積層体の、上記量子井戸構
造を有する第２の半導体層の上記第２の混晶化領域に対
応している領域でなる第２の半導体積層体部に、上記半
導体基板側とは反対側の面上において、第２の電極層を
形成する工程と、上記半導体基板に、上記半導体積層体側とは反対側の面
上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞれ対向
している第３及び第４の電極層、または上記第１及び第
２の電極層に対向している第５の電極層を形成する工程
とを有し、上記半導体積層体を形成する工程またはその
工程後において、上記半導体積層体に、その上記量子井
戸構造を有する第２の半導体層の上記第３の混晶化領域
に対応する領域でなる上記第３の半導体積層体部に対応
する領域において、上記第１及び第２の半導体積層体部
を結ぶ方向に周期性を有する分布反射用回折格子を形成
する工程を有することを特徴とする半導体光変調装置の
製法。
【請求項１０】第１の導電型を有する半導体基板上に、第１の導電型を
有する第１のクラッド層用半導体層と、量子井戸構造を
有する第１の半導体層と、第１の導電型とは逆の第２の
導電型を有する第２のクラッド層用半導体層とがそれら
の順に積層されている構成を有する半導体積層体を形成
する工程と、上記半導体積層体の上記量子井戸構造を有する第１の半
導体層に対する局部的な混晶化処理によって、上記量子
井戸構造を有する第１の半導体層から、第１の光吸収端
波長を有する第１の混晶化領域または非混晶化領域、上
記第１の光吸収端波長に比し短い第２の光吸収端波長を
有する第２の混晶化領域、及び上記第２の光吸収端波長
に比し短い第３の光吸収端波長を有する第３の混晶化領
域を有する、量子井戸構造を有する第２の半導体層を形
成する工程と、上記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する第２の
半導体層の上記第１の混晶化領域または非混晶化領域に
対応している領域でなる第１の半導体積層体部に、上記
半導体基板側とは反対側の面上において、第１の電極層
を形成し、また、上記半導体積層体の、上記量子井戸構
造を有する第２の半導体層の上記第２の混晶化領域に対
応している領域でなる第２の半導体積層体部に、上記半
導体基板側とは反対側の面上において、第２の電極層を
形成する工程と、上記半導体基板に、上記半導体積層体側とは反対側の面
上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞれ対向
している第３及び第４の電極層、または上記第１及び第
２の電極層に対向している第５の電極層を形成する工程
とを有し、上記半導体積層体を形成する工程またはその
工程後において、上記半導体積層体に、上記第３の半導
体積層体部に対応する領域において、上記第１及び第２
の半導体積層体部を結ぶ方向に周期性を有する分布反射
用回折格子を形成する工程を有することを特徴とする半
導体光変調装置の製法。
【請求項１１】第１の導電型を有する半導体層板上に、第１の導電型を
有する第１のクラッド層用半導体層と、量子井戸構造を
有する第１の半導体層と、第１の導電型とは逆の第２の
導電型を有する第２のクラッド層用半導体層とがそれら
の順に積層されている構成を有する半導体積層体を形成
する工程と、上記半導体積層体の上記量子井戸構造を有する第１の半
導体層に対する局部的な混晶化処理によつて、上記量子
井戸構造を有する第１の半導体層から、第１の光吸収端
波長を有する第１の混晶化領域、上記第１の光吸収端波
長に比し短い第２の光吸収端波長を有する第２の混晶化
領域、及び上記第２の光吸収端波長に比し短い第３の光
吸収端波長を有する第３の混晶化領域または非混晶化領
域を、上記第１の混晶化領域、上記第３の混晶化領域ま
たは非混晶化領域、及び上記第２の混晶化領域の配列順
序で有する、量子井戸構造を有する第２の半導体層を形
成する工程と、上記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する第２の
半導体層の上記第１の混晶化領域に対応している領域で
なる第１の半導体積層体部に、上記半導体基板側とは反
対側の面上において、第１の電極層を形成し、また、上
記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する第２の半
導体層の上記第２の混晶化領域に対応している領域でな
る第２の半導体積層体部に、上記半導体基板側とは反対
側の面上において、第２の電極層を形成する工程と、上記半導体基板に、上記半導体積層体側とは反対側の面
上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞれ対向
している第３及び第４の電極層、または上記第１及び第
２の電極層に対向している第５の電極層を形成する工程
とを有し、上記半導体積層体を形成する工程またはその
工程後において、上記半導体積層体に、その上記量子井
戸構造を有する半導体層の上記第３の混晶化領域に対応
している領域でなる第３の半導体積層体部に対応する領
域において、上記第１及び第２の半導体積層体部を結ぶ
方向に周期性を有する分布反射用回折格子を形成する工
程を有することを特徴とする半導体光変調装置の製法。
【請求項１２】第１の導電型を有する半導体基板上に、第１の導電型を
有する第１のクラッド層用半導体層と、量子井戸構造を
有する第１の半導体層と、第１の導電型とは逆の第２の
導電型を有する第２のクラッド層用半導体層とがそれら
の順に積層されている構成を有する半導体積層体を形成
する工程と、上記半導体積層体の上記量子井戸構造を有する第１の半
導体層に対する局部的な混晶化処理によつて、上記量子
井戸構造を有する第１の半導体層から、第１の光吸収端
波長を有する第１の混晶化領域または非混晶化領域、上
記第１の光吸収端波長に比し短い第２の光吸収端波長を
有する第２の混晶化領域、及び上記第２の光吸収端波長
に比し短い第３の光吸収端波長を有する第３の混晶化領
域を有する、量子井戸構造を有する第２の半導体層を形
成する工程と、上記半導体積層体の、上記量子井戸構造を有する第２の
半導体層の上記第１の混晶化領域または非混晶化領域に
対応している領域でなる第１の半導体積層体部に、上記
半導体基板側とは反対側の面上において、第１の電極層
を形成し、また、上記半導体積層体の、上記量子井戸構
造を有する第２の半導体層の上記第２の混晶化領域に対
応している領域でなる第２の半導体積層体部に、上記半
導体基板側とは反対側の面上において、第２の電極層を
形成する工程と、上記半導体基板に、上記半導体積層体側とは反対側の面
上において、上記第１及び第２の電極層とそれぞれ対向
している第３及び第４の電極層、または上記第１及び第
２の電極層に対向している第５の電極層を形成する工程
とを有し、上記半導体積層体を形成する工程またはその
工程後において、上記半導体積層体に、上記第３の半導
体積層体部に対応する領域において、上記第１及び第２
の半導体積層体部を結ぶ方向に周期性を有する分布反射
用回折格子を形成する工程を有することを特徴とする半
導体光変調装置の製法。