JPH03241885A - 干渉計半導体レーザ - Google Patents

干渉計半導体レーザ

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JPH03241885A
JPH03241885A JP2255014A JP25501490A JPH03241885A JP H03241885 A JPH03241885 A JP H03241885A JP 2255014 A JP2255014 A JP 2255014A JP 25501490 A JP25501490 A JP 25501490A JP H03241885 A JPH03241885 A JP H03241885A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、１平面において互いに隣接する３個以上の
セグメントを含み、半導体ウェハ上にモノリシックに集
積され、それぞれ１ｍ以上のレーザ活性函域およびその
自由端におけるミラーを具備し、さらにセグメントを互
いに接続するビームスプリッタを備えている電気的に同
調可能な干渉計半導体レーザに関するものである。
〔従来の技術］ 干渉計半導体レーザはマイケルソン（Ｍｉｃｈｅｌｓ。
ｎ）またはマツハツエンダ−（Ｍａｃｈ−Ｚｅｈｎｄｅ
ｒ）干渉計の原理により構成された半導体レーザである
。
ファブリベロー共振器を備えたレーザに比較して、干渉
計半導体レーザはモノモード動作で放射を行い、その一
方レーザ光のサイドモードを良好に抑制する利点を有し
ている。さらにその光学長を変化するために電流が注入
されるとき、このレーザはＤＦＢ　（分配されたフィー
ドバック）共振器を備えたレーザよりも強力に同調され
ることができる。これは、波長多重化により動作される
多重チャンネル通信システムの送信レーザ、チャンネル
波長を正確に定めるためのコヒーレント系における局部
発振器、および論理素子等のような種々の応用に適して
いる。論理素子においては論理状態“１゛および“０゛
は２つの波長λ１．λ２により表される。
文献（＾ｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓ、Ｌｅｔｔｅｒ、５２
，１９８８年７６７〜７６９頁）にはモノリシックに集
積された連続的に同調可能なレーザが記載されており、
それは電気コンタクトにより互いに独立して制御される
少なくとも３個の個別のレーザ空洞を具備している。
光学共振器として動作する４個のセグメントが十字型レ
ーザを構成し、その交差点にビームスプリッタがセグメ
ントの一つに対して４５度の角度で配置されている。
異なる長さり、、Ｌ２．Ｌ、を有する３個のセグメント
のみを備えた半導体レーザは同じ原理にしたがって構成
された。
そのような半導体レーザは金属有機物ガス相エピタキシ
により（１００）ＧａＡｓ／ＧａＡ　ＩＡｓ二重へテロ
接合構造で形成され、それにおいてセグメントはホトリ
ソグラフ的に［０１１］および［１１０］［ｓｉｃ］方
向に形成される。それからセグメントは誘電材料により
被覆され電極が取付けられる。セグメントは半導体基体
の後面において金属化され、端部で分割される。
ガリウムイオンの照射によりビームスプリッタを形成す
るように３個のセグメントの接続点において狭い溝が形
成される。この溝はレーザ活性領域から下方に０．１μ
ｍの距離まで延在し、そのためセグメント間に無視でき
ない結合が生成される。
個々のレーザのモードスペクトラムに比較して、干渉計
半導体レーザは３個のセグメントの異なる長さり、、Ｌ
２．Ｌ、によって次の式のようなｎ番目のモードの大き
な増幅を生じる。
（Ｌ２＋Ｌ３）＋　（Ｌ１＋Ｌ２）　　　ｎ個々のセグ
メントの長さり、、Ｌ２．Ｌ、が比較的長いにもかかわ
らず、レーザ空洞の長さの差（Ｌ２＋Ｌ３）−（Ｌ１＋
Ｌ２）のみがモードの分離において働き、一方ｃ／２Ｌ
の周波数差のモードがファブリペロ−共振器を含むレー
ザ中で生じる。ここでＣは光速度であり、Ｌはレーザ空
洞の長さである。レーザが十分に短いならば、その場合
にのみ単一周波数で発振するであろう。
［発明の解決すべき課題］ しかしながらこの干渉計半導体レーザは発生する光の周
波数が変化できない欠点がある。
この発明の目的は、放射周波数が変化可能であり、光デ
ータ伝送に適した、すなわち１４８ｍおよびｌ、５５μ
ｍの波長範囲で放射を行う上述の形式の半導体レーザを
提供することである。
［課題解決のための手段］ この目的は、ビームスプリッタがセグメント間のレーザ
光の透過および反射゛を電流により制御可能にする２（
Ｉｌの電極を具備している上述の形式の半導体レーザに
よって達成される。
有効な変形形態は特許請求の範囲の請求項２以下に記載
されている。レーザ活性領域として量子ウェルパケット
を備えている半導体レーザは特に有効である。それは平
坦な表面を有し、またビームスプリッタと導波体ならび
にモニターダイオード間の分離が外来原子の注入または
拡散によって行われ、そのため結晶構造が変化されるか
らである。この処理は“選択的不整化゛と呼ばれる。
別の特に有効な実施態様は第２のビームスプリッタと、
放射されたレーザ光の位相、パワーおよびフィルタ波長
を個別に制御可能にする３個のモニタダイオードとを具
備している 添付図面を参照にして以下この発明の実施例を詳細に説
明する。
［実施例］ 第１図に示された干渉計半導体レーザは３個のセグメン
ト１．２．３とモニタダイオード４とを具備し、それら
は方形半導体チップｌＯ上に互いに直角に配置されてい
る。このチップｌＯは半導体基体１１（第２図）で構成
されている。
複数の重ねられた層として構成された（第２図参照）セ
グメント１．２．３およびモニタダイオード４はビーム
スプリッタ５によって互いに接続される。しかしながら
一方では第２図に示すように溝１８が順次のＦＪＩＩ、
・・・９１６中のＨｊ１４の深さまでセグメント１．２
．３およびモニタダイオード４とビームスプリッタ５と
の間に形成されている。
セグメント２および３は半導体基体１１の［０１１１方
向に延在し、その自由端にはそれぞれ反射面２１および
３１が結晶面のエツチングまたは分割により形成されて
いる。利用されるレーザ光はセグメントｌから［１１０
］方向に放射される。
第２図に断面図で示された半導体レーザの半導体基体１
１はｎ型１ｎＰで構成されている。半導体基体１１或い
はその上に設けられたバッファ層（ここでは図示されて
いない）はビームスプリッタ５の領域中にホログラフ格
子１２１を設けられている。
この格子１２１は第１または第２の順序の周期性を有す
る。２つの周期性どちらが選択されるかは導波体１乃至
３間の相互結合の意図された強度による。半導体基体１
．１或いはその上に設けられたバッファ層上に続いてｎ
型のＩｎＧａＡｓＰ層１２が形成される。それは導波領
域を形成し、１．３０μｍの波長の光を伝送する。
この層１２上にドープされないＩ　ｎＧａＡｓ　Ｐ層１
３が形成され、それは１．５５μｍの波長の光に対して
透明であり、レーザ活性領域を構成する。
この層１３上にカバー層として作用する厚さ１ミクロン
のＰ型１ｎＰの層１４が続いて形成される。
層１５はコンタクト層であり、Ｐ０型１ｎＧａＡｓで構
成され、金属層１Ｇの下に位置する。
層１４乃至１６は縦方向および横方向でビームスプリッ
タ５を限定している溝１８によって中断されている。
セグメントｌ、　２．３およびモニタダイオード４の溝
１８の端部の４隅の領域における層１４の高さはｈｏで
ある。ビームスプリッタの上下には電極５１．５２が設
けられ、電流注入により電荷キャリア濃度の屈折率に依
存してホログラフ格子１２１の透過および反射を制御し
て導波体ｉ乃至３の結合を制御する。金属層１６の上お
よび半導体基体１１の下においてセグメント１．２．３
およびモニタダイオード４もまた電極を設けられ（ここ
では図示せず）、それによってそれらが制御される。セ
グメント１゜２．３は順方向で動作され、一方モニタダ
イオード４は逆方向で動作される。モニタダイオード４
はセグメント１．２．３に対する注入電流を制御してそ
れらの光放射を変化させる。
放射光のモードは広範囲にわたってシフトされることか
できる。モノモード放射は１．５５μｍの波長から０．
４％まで変位することができる。この変位は注入電流の
連続的同調によって行われることができる。
十分な光をビームスプリッタ５中に結合するために、セ
グメント２および３は１５０乃至２００μｍの幅を有す
る。それらにおいてＪｉｌｉ１３はいわゆる“広面積レ
ーザを形成する。しかしながらセグメント１のレーザ活
性領域（第２図参照）は２μｍの幅しか有していない。
それはリッジ導波体を構成する。セグメント１．２．３
はそれぞれ長さＬｌ、Ｌ２．Ｌｌを有する（第２図およ
び第３図参照）。
別の実施例においては、干渉計半導体レーザ２゜のビー
ムスプリッタ５はホログラフ格子の代りに部分的透明ミ
ラー５３を具備している。このような半導体レーザ２０
は、ビームスプリッタ５に対応する表面を通る角度２等
分線１ｏｏｏの一方の側の領域■はこの角度２等分線＋
０００の反対側の領域■よりも高い表面を有するように
形成される。
第４図の線Ａ−Ａに対応する断面（第５図参照）におい
て、層１４はセグメントＬおよび２の領域および領域Ｉ
に対応するビームスプリンタ５の半分の区域においては
高さｈ２を有し、導波体３、モニタダイオード４の区域
および領域Ｈに対応するビームスプリッタ５の他の半分
の区域においては高さり、を有し、セグメンｌ−１乃至
３、モニタダイオード４、およびビームスプリッタ５の
外側では高さはｈｏである。コンダクト層は設けられて
いない。領域Ｈのセグメントｌ乃至３、モニタダイオー
ド４、およびビームスプリッタ５は金属層１６を備えて
いる。
いくつかのそのような同一に構成された半導体レーザ２
０．３０．４０　（第６図）は半導体基体１１上に集積
される。それらは互いに縦方向および横方向おいてオフ
セットされており、そのため半導体レーザ２０のビーム
スプリッタ５の角度２等分線１０００は他の２個の半導
体レーザ３０．４０のビームスプリッタ５の角度２等分
線を形成している。全ビームスプリッタ５は方形のベー
ス断面形状を有しているから、それらは前記角度２等分
線１０００と４５度で交差する。
この場合に全セグメント１．２．３はリッジ導波体レー
ザを備え、それらはそれぞれ３μｍまでの幅を有する２
つのレーザ活性領域を設けられている。領域Ｉおよび１
１の異なる厚さにより、それらはそれぞれ異なった屈折
率ｎ、およびｎ２を有する。それらは半導体基体ＩＩお
よび層１２乃至１４により平均化される。屈折率の差は
セグメント１乃至３間のレーザ光の結合度の尺度である
。ビームスプリッタ５による所望の結合に応じて層１４
はエツチングされ対応する高さり、が得られる。
ホログラフ格子のものに比較してエツチングされたビー
ムスプリッタ５により与えられたセグメント１乃至３間
のレーザ光の良好な結合に基づいて、セグメント２およ
び３は広面積レーザを含む必要はなく、それ故セグメン
トｌと同様にセグメントｌと同じ幅を持つリッジ導波体
を具備している。
他方セグメント１乃至３間のビームスプリッタ５により
影響された光の結合は電気的に制御することはできない
。むしろ領域Ｉと１１の間の段差により予め定められる
。
セグメント１乃至３のリッジ導波体レーザにおいて使用
される二重へテロ構造の代りに、第３の実施例では多重
量子ウェル層が設けられる。その１０乃至１２がセグメ
ントｌ乃至３において互いに重ねられる（ｊｉ；７図）
。ｒｉｋｌＳ中の単一のレーザ活性領域（第５図）の代
りに、１０乃至１２の層が設けられており、それらは例
えば交互のＩｎＧａＡｓＰとＩｎＰの層から構成される
。
そのような多重量子ウェル層の半導体レーザの製造は、
層１２．１０乃至１２の多重量子ウェル層、および層１
４（第８図）が半導体基体ｉｔ上、或いはバッファ層（
図示せず）上に順次エピタキシャルに形成される。その
後半導体レーザの十字形表面がマスクによりリソグラフ
的に覆われ、次の注入または拡散工程において領域７０
乃至７３のみの結晶構造が外来原子、例えば亜鉛または
領域７０乃至７３が構成されている材料の原子によって
再構成される。原子によって再構成された領域１１は層
１２まで下方に延在する（第８図）。
第２の注入または波数工程において、領域２の結晶構造
のみが原子により再び再整列される。このようにしてセ
グメント３およびモニタダイオード４はセグメントｌお
よび２とは異なった屈折率を有する。この場合、再構成
力は一方ではセグメントｌおよび２間の結合、他方では
セグメント３との結合によって決定される。
別の半導体レーザは第１０図に示すように２個のビーム
スプリッタ５５．５６を備えている。これらのビームス
プリッタはセグメントｌ乃至３から３個のモニタダイオ
ード４１．４２．４３に光を結合させる。モニタダイオ
ード４１はレーザ光の位相を制御する。それは導波体２
および３に注入される電流を調整する。モニタダイオー
ド４２はレーザ光のパワーを制御（７、セグメントｉに
注入される電流の強度を調整する。フィルタ波長を調整
するためのモニタダイオード４３により発生される電流
もまたセグメント１に注入される。ビームスプリッタ５
５゜５６およびセグメント１乃至３は高さり、の層（第
１１図）１４中に表面から下方に延在する溝１８０乃至
１８２によって互いに、およびモニタダイオード４１、
４２．４３から分離されている。両ビームスプリッタは
それぞれ電極５５０．５５１および５６０．５６１を設
けられ、それによって結合が制御される。セグメント１
乃至３およびビームスプリッタ５５．５６は金属層１６
を設けられている。セグメントを乃至３、ビームスプリ
ッタ５５．５６、モ”ニラダイオード４１乃至４３およ
びそれらの間に配置された溝１８０乃至１８２の外側に
は半導体基体１１が延在し、その表面は部分的にエツチ
ングされて高さり、を有する。
第２図による層構造の代りに、２個のビームスプリッタ
５５．５８を備えた半導体層が量子ウェルレーザ（第９
図参照）により実現されることができる。
量子ウェルレーザを備えたそのような半導体レーザは特
に経済的に製造されることができる。レーザ光のために
必要な全ての制御信号は集積されたモニタダイオード４
１乃至４３によって発生され、外部制御は存在しない。
半導体基体１に集積される別の半導体レーザは第１２ｉ
Ｚに示されるようにＹ型のビームスプリッタ５を具備し
、それはセグメント１乃至３と結合し、ａｘｇｏ乃至１
８２によってセグメントｌ乃至３から分離されている。
セグメント２および３はモニタダイオード４１．４２か
ら溝１８３．１８４によって分離されている。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第３図はビームスプリッタとしてホログラフ
格子を具備する干渉計半導体レーザを示す。 第４図乃至第６図はエツチングしたビームスプリッタを
具備する干渉計半導体レーザを示す。 第７図乃至第９図は量子ウェルを具備する干渉計半導体
レーザを示す。 第１０図および第１１図は２個のビームスプリンタを具
備する干渉計半導体レーザを示す。 第１２図は、Ｙ結合器を具備する干渉計半導体レーザを
示す。 １．２．３　・セグメント、４・・モニタダイオード、
５・・ビームスプリッタ、１１・・半導体基体、１３・
レーザ活性層。

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）１平面において互いに隣接する３個以上のセグメ
    ントを含み、半導体ウェハ上にモノリシックに集積され
    、それぞれ１個以上のレーザ活性領域およびその自由端
    におけるミラーを具備し、さらにセグメントを互いに接
    続するビームスプリッタを備えている電気的に同調可能
    な干渉計半導体レーザにおいて、 ビームスプリッタはセグメント間のレーザの透過および
    反射を電流により制御する２個の電極を具備しているこ
    とを特徴とする干渉計半導体レーザ。
  2. （２）ビームスプリッタがホログラフ格子を具備してい
    ることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
  3. （３）ビームスプリッタがＹ型結合器として構成されて
    いることを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
  4. （４）セグメントの一つがリッジ導波体レーザを設けら
    れ、 他の２つのセグメントが広面積レーザを設けられている
    ことを特徴とする請求項２記載の半導体レーザ。
  5. （５）３個のセグメントのそれぞれがリッジ導波体レー
    ザを具備していることを特徴とする請求項１記載の半導
    体レーザ。
  6. （６）モニタダイオードが設けられ、それは２つの導波
    体と直角に形成され、レーザ光の出力パワーを制御する
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
  7. （７）ビームスプリッタが２つのセグメントおよびビー
    ムスプリッタの一方の半分の部分と、第３の導波体、モ
    ニタダイオード、およびビームスプリッタの他方の半分
    の部分との間において高さの差によって形成された部分
    的に透明なミラーを含んでいることを特徴とする請求項
    １記載の半導体レーザ。
  8. （８）さらに別の半導体レーザが設けられ、それは前記
    半導体レーザと同じ高さの差を有しており、そのミラー
    は高さの差により形成された線上にあることを特徴とす
    る請求項７記載の半導体レーザ。
  9. （９）導波体が量子ウェルレーザを備えていることを特
    徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
  10. （１０）２個のビームスプリッタと、 レーザ光の位相、パワーおよびフィルタ波長を制御可能
    にする３個のモニタダイオードとを具備していることを
    特徴とする請求項１記載の半導体レーザ。
JP2255014A 1989-09-22 1990-09-25 干渉計半導体レーザ Expired - Lifetime JPH0817263B2 (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3931588A DE3931588A1 (de) 1989-09-22 1989-09-22 Interferometrischer halbleiterlaser
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Publication Number Publication Date
JPH03241885A true JPH03241885A (ja) 1991-10-29
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JP2255014A Expired - Lifetime JPH0817263B2 (ja) 1989-09-22 1990-09-25 干渉計半導体レーザ

Country Status (5)

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US (1) US5105433A (ja)
EP (1) EP0418705B1 (ja)
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DE (2) DE3931588A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008227010A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Nec Corp 光源装置

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5285465A (en) * 1991-05-31 1994-02-08 Alcatel, N.V. Optically controllable semiconductor laser
DE4117866A1 (de) * 1991-05-31 1992-12-03 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum betreiben eines halbleiterlasers als modensynchronisierten halbleiterlaser und einrichtungen zur durchfuehrung des verfahrens
DE4130047A1 (de) * 1991-09-10 1993-03-18 Standard Elektrik Lorenz Ag Verfahren zum betreiben eines halbleiterbauelements als optisches filter und halbleiterbauelement zur durchfuehrung des verfahrens
US5276748A (en) * 1991-11-22 1994-01-04 Texas Instruments Incorporated Vertically-coupled arrow modulators or switches on silicon
US5325387A (en) * 1991-12-02 1994-06-28 Alcatel N.V. Method of operating a semiconductor laser as a bistable opto-electronic component
DE4212152A1 (de) * 1992-04-10 1993-10-14 Sel Alcatel Ag Durchstimmbarer Halbleiterlaser
US5488625A (en) * 1992-10-07 1996-01-30 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device having chip-mounted heating element
DE4239655A1 (de) * 1992-11-26 1994-06-01 Sel Alcatel Ag Optische Sendeeinrichtung
EP0606092A3 (en) * 1993-01-08 1995-01-04 Nippon Electric Co Diode laser element.
JPH06224406A (ja) * 1993-01-27 1994-08-12 Mitsubishi Electric Corp 光集積回路
DE59500334D1 (de) * 1994-01-19 1997-07-31 Siemens Ag Abstimmbare Laserdiode
DE4410780A1 (de) * 1994-03-28 1995-10-05 Siemens Ag Integrierte Laseranordnung in Verbindung mit einem mitintegrierten Interferometer
DE4421043A1 (de) * 1994-06-17 1995-12-21 Sel Alcatel Ag Interferometrischer Halbleiterlaser mit verlustarmer Lichtauskopplung und Anordung mit einem solchen Laser
US5504772A (en) * 1994-09-09 1996-04-02 Deacon Research Laser with electrically-controlled grating reflector
DE19502684A1 (de) * 1995-01-28 1996-08-01 Sel Alcatel Ag Verfahren zur Herstellung von Mehrsegment-Rippenwellenleitern
US5577138A (en) * 1995-08-17 1996-11-19 Lucent Technologies Inc. Integrated-circuit optical network unit
US5577139A (en) * 1995-08-17 1996-11-19 Lucent Technologies Inc. Integrated-circuit optical network unit
EP1218988A4 (en) * 1999-09-28 2005-11-23 Univ California WAVELENGTH SINGLE INTEGRATED TWO-STEP WAVELENGTH LENGTH OPTICAL CONVERTER
US7310363B1 (en) * 1999-09-28 2007-12-18 The Regents Of The University Of California Integrated wavelength tunable single and two-stage all-optical wavelength converter
US6690687B2 (en) * 2001-01-02 2004-02-10 Spectrasensors, Inc. Tunable semiconductor laser having cavity with ring resonator mirror and mach-zehnder interferometer
DE10201126A1 (de) * 2002-01-09 2003-07-24 Infineon Technologies Ag Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
US6743990B1 (en) * 2002-12-12 2004-06-01 Agilent Technologies, Inc. Volume adjustment apparatus and method for use
EP1445634B1 (en) * 2003-02-05 2007-05-02 Avago Technologies Fiber IP (Singapore) Pte. Ltd. Optical beam splitter apparatus with deformable connection between two beam splitters
US6891116B2 (en) * 2003-04-14 2005-05-10 Agilent Technologies, Inc. Substrate with liquid electrode
US6906271B2 (en) * 2003-04-14 2005-06-14 Agilent Technologies, Inc. Fluid-based switch
US7286581B2 (en) * 2004-08-20 2007-10-23 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd Self-monitoring light emitting apparatus
SE528653C2 (sv) * 2005-05-30 2007-01-09 Phoxtal Comm Ab Integrerat chip
DE102007036067B4 (de) * 2007-08-01 2010-09-16 Erwin Kayser-Threde Gmbh Abbildendes Spektrometer, insbesondere für die optische Fernerkundung
TWI624862B (zh) * 2012-06-11 2018-05-21 應用材料股份有限公司 在脈衝式雷射退火中使用紅外線干涉技術之熔化深度測定

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4331938A (en) * 1980-08-25 1982-05-25 Rca Corporation Injection laser diode array having high conductivity regions in the substrate
FR2546309B1 (fr) * 1983-05-19 1986-07-04 Yi Yan Alfredo Structure de guidage optique utilisant un reseau de diffraction
DE3571899D1 (en) * 1984-05-16 1989-08-31 Sharp Kk A compound resonator type semiconductor laser device
JPS63146791A (ja) * 1986-12-08 1988-06-18 Hitachi Ltd 酵素の固定化方法
EP0284910B1 (de) * 1987-03-30 1993-05-26 Siemens Aktiengesellschaft Integriert-optische Anordnung für die bidirektionale optische Nachrichten- oder Signalübertragung
US4888785A (en) * 1988-01-19 1989-12-19 Bell Communications Research, Inc. Miniature integrated optical beam splitter
US4878727A (en) * 1988-06-30 1989-11-07 Battelle Memorial Institute Multimode channel waveguide optical coupling devices and methods
US4877299A (en) * 1989-03-15 1989-10-31 United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Metal-insulator-semiconductor control of guided optical waves in semiconductor waveguides

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008227010A (ja) * 2007-03-09 2008-09-25 Nec Corp 光源装置

Also Published As

Publication number Publication date
AU639715B2 (en) 1993-08-05
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