DE10201126A1

DE10201126A1 - Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE10201126A1
Application number: DE10201126A
Authority: DE
Inventors: Bernhard Stegmueller
Original assignee: Infineon Technologies AG
Current assignee: Finisar Corp
Priority date: 2002-01-09
Filing date: 2002-01-09
Publication date: 2003-07-24
Also published as: US6917055B2; US20030218119A1

Abstract

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement mit mindestens einer monolithisch in einem Halbleitermaterial integrierten Lichtquelle (2), insbesondere einer Laserdiode, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Photodetektor (1) zur Messung der Lichtleistung mit mindestens einer Lichtquelle (2) über eine aktive Schicht (3) der mindestens einen Lichtquelle (2) gekoppelt ist. Die Erfindung umfasst auch ein Verfahren zur Herstellung des Bauelementes. Damit wird ein kompaktes und effizient zu regelndes optoelektronisches Bauelement geschaffen.

Description

Die Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 und ein Verfahren zur Herstellung des optoelektronischen Bauelementes nach Anspruch 13.
Insbesondere in der Telekommunikation besteht das Problem, immer kleinere optoelektronische Bauelemente bei immer höheren Frequenzen zu betreiben, um die Datenübertragungsraten zu steigern. Dabei ist die optische Lichtleistung einer Lichtquelle, insbesondere einer Laserdiode ein wesentlicher Parameter. Die Lichtleistung muss für einen optimalen Betrieb möglichst exakt, einfach und direkt geregelt werden. Dabei kann sowohl die Kenntnis der optischen Leistung an einer bestimmten Stelle im optoelektronischen Bauelement als auch die von diesem an einer bestimmten Stelle, z. B. an einen optischen Wellenleiter (z. B. Glasfaser), abgegebene optische Lichtleistung interessant sein.

Es aus der Veröffentlichung von U. Koren et al. (A 1.3 µm Wavelength Laser with an Integrated Output Power Monitor Using a Directional Coupler Optical Power Tap", IEEE Photonics Technology Letters, Vol. 8, No. 3, March 1996, pp. 364-366 bekannt, einen Teil der optischen Lichtleistung z. B. durch eine optische Koppeleinheit abzuzweigen. Die emittierte Lichtleistung der Laserdiode wird am zweiten Auskoppelfenster des optischen Resonators gemessen, wobei durch eine Eichmessung zur interessierenden Lichtleistung am ersten Auskoppelfenster eine Beziehung hergestellt wird. Nachteilig ist dabei, dass diese Messung indirekt und aufwendig ist.

Zwar sind auch kombinierte Light-Emission-and-Detection Dioden (LEAD) bekannt (Suzaki et al. "Novel 1.3 µm MQW lightemmission-and-detection diode with flat responsivity characteristics", Electron. Lett. Vol. 31, No. 16, 3rd August 1995, pp. 1388-1389), diese sind aber nicht für die Regelung von monolithischen integrierten Laserdioden selbst geeignet.

Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein kompaktes und effizient zu regelndes optoelektronisches Bauelement und ein Verfahren zur dessen einfacher Herstellung zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.

Dadurch, dass mindestens ein Photodetektor im Halbleitermaterial mit mindestens einer Lichtquelle über eine gemeinsame aktive Schicht der mindestens einen Lichtquelle gekoppelt ist, kann die Messung der optischen Lichtleistung direkt in der aktiven Schicht gemessen werden. Dies erlaubt eine einfache Messung und effiziente Messung.

Vorteilhaft ist es, wenn ein Messsignal des Photodetektors an eine Steuereinrichtung zur Regelung der Lichtleistung des optoelektronischen Bauelementes übertragen wird. Damit kann der Betrieb des optoelektronischen Bauelementes in besonders einfacher Weise geregelt werden. Besonders vorteilhaft ist es, wenn das Messsignal an einer vorbestimmten Stelle im Bauelement und/oder an einem Übergang vom Bauelement zu einem optischen Wellenleiter, insbesondere einer Glasfaser abgenommen wird. Im ersten Fall wird die Lichtleistung im Bauteil selbst ermittelt, im zweiten Fall wird die abgegebene Lichtleistung erfasst. Beide Fälle sind einzeln oder in Kombination von praktischer Bedeutung.

In einer weiteren vorteilhaften Ausgestaltung weist mindestens eine aktive Schicht oder eine Modulatorschicht eine Multi-Quantum-Well-Struktur aus mindestens zwei Quantum-Well- Typen und/oder eine Quantenpunktstruktur auf.

Auch ist es vorteilhaft, wenn die Lichtquelle als Laserdiode mit einer DFB-Struktur, einer DBR-Struktur oder einer zweidimensionalen photonischen Kristallstruktur ausgebildet ist. Damit kann schmalbandiges Laserlicht erzeugt werden.

Zur effizienten Einstellung der Lichtintensität ist es vorteilhaft, wenn eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Bauelementes mindestens einen elektrooptischen Modulator, insbesondere einen Elektroabsorptionsmodulator aufweist.

Vorteilhafterweise ist der Photodetektor am Auskoppelfenster des Elektroabsorptionsmodulators angeordnet, damit das zeitabhängige Lichtleistungsverhalten erfassbar ist.

Dabei ist es vorteilhaft, wenn sich der Querschnitt des Photodetektors nach dem Elektroabsorptionsmodulator in Richtung der Lichtausbreitungsrichtung kontinuierlich oder diskontinuierlich verbreitert. Durch eine solche Taperstruktur kann die optische Kopplung an einen anderen Wellenleiter verbessert und es können optische Rückreflexionen in den Wellenleiter des Bauelements vermindert werden.

Auch ist es eine vorteilhafte Ausgestaltung des erfindungsgemäßen Bauelementes, wenn es mindestens einen optischen Verstärker aufweist.

Zur starken optischen und/oder elektrischen Entkopplung mindestens zweier Komponenten ist es vorteilhaft, wenn mindestens ein Graben zwischen den mindestens zwei Komponenten in das Halbleitermaterial eingebracht ist.

Für eine schwache optische und eine starke elektrische Entkopplung mindestens zweier Komponenten ist es vorteilhaft, wenn mindestens ein Graben zwischen den Komponenten in das Halbleitermaterial eingebracht ist, wobei dieser mindestens eine Graben implantierte Ionen aufweist.

Mit Vorteil ist zur starken optischen und elektrischen Entkopplung mindestens zweier Komponenten mindestens eine Bragg- Struktur oder im Halbleitermaterial angeordnet.

Die Aufgabe wird auch durch ein Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 13 gelöst.

Dabei wird auf einem Substrat mindestens eine aktive Schicht aufgewachsen, wobei anschließend eine Photodetektor-Struktur aufgewachsen wird, wobei die aktive Schicht auch die aktive Schicht einer integrierten Lichtquelle ist.

Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Figuren der Zeichnungen an mehreren Ausführungsbeispielen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht einer ersten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes;
Fig. 2 eine schematische Schnittansicht einer zweiten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes;
Fig. 3 eine schematische Schnittansicht einer dritten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes;
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht einer vierten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes;
Fig. 5 eine schematische Schnittansicht einer fünften Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes;
Fig. 6 eine schematische Schnittansicht einer sechsten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes;
Fig. 7a-c eine schematische Draufsicht der vierten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes mit einer ersten Variante des optischen Wellenleiters;
Fig. 7d eine schematische Draufsicht der vierten Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes mit einer zweiten Variante des optischen Wellenleiters;
In Fig. 1 ist eine Schnittansicht durch eine erste Ausführungsform eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes 100 dargestellt. Diese erste Ausführungsform weist, von rechts nach links gesehen, als Komponenten eine Laserdiode 2 als Lichtquelle, einen Photodetektor 1 und einen Elektroabsorptionsmodulator 4 (EAM) auf. Alle drei Komponenten 1, 2, 4 sind monolithisch in einem Halbleitermaterial integriert.
Im folgenden wird zunächst die horizontale Abfolge der Komponenten 1, 2, 4 dargestellt, anschließend die vertikale Schichtenfolge.
In der Fig. 1 ist rechts der Bereich der Laserdiode 2 dargestellt. Die Laserdiode 2 ist hier in an sich bekannter Weise als DFB-Laser mit einem Bragg-Gitter 13 ausgebildet. Das Bragg-Gitter 13 ist dabei nur im Bereich der Laserdiode 2 angeordnet. Das Bragg-Gitter 13 muss sich dabei nicht über die gesamte Länge der Laserdiode 2 erstrecken. In einer alternativen Ausführungsform kann auch eine DBR-Laserstruktur verwendet werden.
An die Laserdiode 2 schließt sich der Photodetektor 1 an, wobei zwischen dem Bereich der Laserdiode 2 und dem Photodetektor 1 ein erster Graben 6 in das Halbleitermaterial eingebracht ist.
Links neben dem Photodetektor 1 ist in Fig. 1 ein Elektroabsorprtionsmodulator 4 angeordnet. Mit dem Elektroabsorptionsmodulator 4 ist es möglich, durch eine Änderung des elektrischen Feldes die Bandstruktur des Halbleiters zu beeinflussen, so dass die Intensität des Laserlichts der Laserdiode 2 gesteuert werden kann. Durch diese Modulation sind sehr hochfrequente Datenübertragungen möglich.
Zwischen dem Elektroabsorptionsmodulator 2 und dem Photodetektor 1 ist ein zweiter Graben 7 angeordnet.
Das optoelektronische Bauteil 100 wird in vertikaler Richtung aus Schichten aufgebaut. Dabei werden die Schichten in üblicher Weise epitaktisch abgeschieden und z. B. durch Ätzen strukturiert.
Auf n-dotierten, epitaktisch aufgewachsenen Schichten 10 als Substrat ist eine Multi-Quantum-Well-Schicht (MQW-Schicht) als Modulatorschicht 20 aufgewachsen, die für den Elektroabsorptionsmodulator 4 vorgesehen ist. Die Dicke A der Modulatorschicht 20 beträgt zwischen 0 und 500 nm.
Eine aktive Schicht 3 (ebenfalls eine MQW-Struktur) ist als aktive Schicht für die Laserdiode 2 angeordnet. Die aktive Schicht weist eine Dicke B von ca. 0 bis 500 nm auf.
Für das Verhältnis der Schichtdicken gilt:
Der minimale Wert entspricht einer gegenüber der aktiven Schicht 3 relativ dicken Modulatorschicht 20, der maximale Wert 1 entspricht einer ausschließlich aktiven Schicht 3. Diese Angaben können sinngemäß auf alle weiteren Ausführungsbeispiele übertragen werden.
Bei dieser ersten Ausführungsform werden im Gegensatz zu den bekannten integrierten Strukturen die Komponenten 1, 2, 4 des optoelektronischen Bauelementes 100 über mindestens eine gemeinsame aktive Schicht 3 funktionell gekoppelt. Insbesondere wird der Photodetektor 1 über die aktive Schicht 3 mit der Laserdiode 2 gekoppelt.
Im vorliegenden Beispiel liegen zwei Schichten vor, nämlich die Modulatorschicht 20 und die aktive Schicht 3, die eine MQW-Struktur aufweisen, wobei diese MQW-Strukturen aus unterschiedlichen Quantum-Well Typen zusammengesetzt sind. Grundsätzlich können anstelle der MQW-Strukturen oder in Kombination mit MQW-Strukturen auch Quantenpunktstrukturen verwendet werden.
Die aktive Schicht 3 und die Modulatorschicht 20 können in einem Epitaxieprozess hergestellt werden. Damit wird eine wesentliche Vereinfachung bei der Herstellung erreicht.
Oberhalb der aktiven Schicht 3 sind p-dotierte Schichten 12 angeordnet. Das optoelektronische Bauelement 100 weist Kontaktschichten 33, 34 und Kontakte 31, 32 auf. Die Kontaktschichten 33, 34 sind aus hochdotiertem Halbleitermaterial gebildet, das mit metallischen Kontakten leitend verbunden ist. Damit kann jede Komponente 1, 2, 4 gezielt mit Strominjektionen versorgt werden.
Durch die Kopplung der Laserdiode 2 und des Photodetektors 1 über die aktive Schicht 3 lässt sich das Licht im optoelektronischen Bauteil mit dem Photodetektor effizient messen. Das erhaltene Messsignal kann dann an eine hier nicht dargestellte Steuervorrichtung zur Regelung der Laserdiode 2 übermittelt werden.
Die erste Ausführungsform weist aufgrund der Gräben 6, 7 eine starke optische und starke elektrische Entkopplung der Komponenten 1, 2, 4 auf, so dass die Komponenten in einfacher Weise einzeln steuerbar sind.
Alternativ ist eine erhöhte elektrische Isolation mittels einer Ionenimplantation in den Gräben 6, 7 erreichbar, was eine schwache optische, aber eine starke elektrische Entkopplung zur Folge hat. Die Gräben 6, 7 bzw. die ionenimplantierten Bereiche können alternativ auch weiter in die Tiefe des Halbleitermaterials reichen, insbesondere bis auf die n-dotierten Schichten 10.
In Fig. 2 wird grundsätzlich der gleiche Aufbau eines optoelektronischen Bauelements beschrieben, so dass auf die obigen Ausführungen Bezug genommen wird.
Im Unterschied zur ersten Ausführungsform werden in der zweiten Ausführungsform die Komponenten 1, 2, 4 nicht durch Gräben 6, 7 getrennt, so dass eine schwache optische und eine schwache elektrische Entkopplung vorliegt. Gerade für schnelle Schaltvorgänge kann dies vorteilhaft sein.
Während bei der ersten und der zweiten Ausführungsform die Messung der Lichtleistung innerhalb des optoelektronischen Bauteils im Vordergrund steht, wird bei den dritten und vierten Ausführungsformen (Fig. 3 und 4) auch das zeitabhängige Profil des optischen Signals nach dem Elektroabsorptionsmodulator 4 erfasst.
Die dritte Ausführungsform, die in Fig. 3 dargestellt ist, ähnelt der ersten Ausführungsform, da auch hier Gräben 6, 7 zwischen den Komponenten 1, 2, 4 angeordnet sind. Allerdings ist der Photodetektor 1 hier links neben dem Elektroabsorptionsmodulator 4 angeordnet, so dass neben der Lichtleistung auch das Verhalten des Elektroabsorptionsmodulators 4 erfasst wird.
Die vierte Ausführungsform gemäß Fig. 4 ähnelt von der Reihenfolge der Komponenten 1, 2, 4 her der dritten Ausführungsform (Fig. 3). Da die Komponenten 1, 2, 4 nicht durch Gräben 6, 7 getrennt sind, liegt aber auch analog eine Ausgestaltung wie in der zweiten Ausführungsform vor. Somit kann auf die obigen Beschreibungen Bezug genommen werden.
In einer fünften Ausführungsform, die in Fig. 5 dargestellt ist, wird die vierte Ausführungsform abgewandelt. Zwischen der Laserdiode 2 und dem Elektroabsorptionsmodulator 4 ist als weitere Komponente ein zweiter Photodetektor 9 auf einer Bragg-Struktur 8 angeordnet.
Die Bragg-Struktur 8 ist zwischen 2 und 50 µm breit. Die einzelnen vertikalen Schichten der Bragg-Struktur 8 weisen eine minimale Breite von weniger als 1 µm, maximal von einigen Mikrometern auf, entsprechend der Betriebswellenlänge.
Die Bragg-Struktur 8 sorgt für eine starke optische und elektrische Entkopplung z. B. der Laserdiode 2 mit anderen Komponenten und in Längsrichtung. Die Bragg-Struktur 8 stellt auch eine Definition des Laseresonators und der Emissionswellenlänge sicher. Alternativ kann die Bragg-Struktur 8 auch zwischen anderen Komponenten 1, 2, 4, 9 angeordnet werden.
Des weiteren weist die fünfte Ausführungsform einen dritten Graben 11 auf, der zwischen dem Elektroabsorptionsmodulator 4 und dem Photodetektor 1 angeordnet ist. Der dritte Graben 11 weist eine Breite von weniger als 10 µm auf.
Die Länge des Elektroabsorptionsmodulators 4 beträgt zwischen 20 und 300 µm, die des Photodetektors 1 beträgt 2 bis 50 µm. Diese Werte können im wesentlichen auch auf die anderen Ausführungsbeispiele übertragen werden.
In Fig. 6 ist eine sechste Ausführungsform dargestellt, die eine Abwandlung der dritten Ausführungsform darstellt. Dabei ist zwischen dem Elektroabsorptionsmodulator 4 und dem Photodetektor 1 ein optischer Verstärker 5 mit einer Länge zwischen 50 und 1000 µm angeordnet.
In den Fig. 1 bis 6 sind verschiedene Ausführungsformen eines erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes dargestellt. Die optoelektronischen Bauelemente weisen dabei unterschiedliche, monolithisch integrierte Komponenten 1, 2, 4, 5, 9 wie z. B. Laserdioden, Elektroabsorptionsmodulatoren, Photodetektoren oder optische Verstärker auf. Die Kombination dieser Komponenten 1, 2, 4, 5, 9 in den Ausführungsbeispielen ist beispielhaft, so dass auch andere Zusammenstellungen der Komponenten 1, 2, 4, 5, 9 möglich sind.
Auch kann das erfindungsgemäße optoelektronische Bauelement aus jedem Halbleitermaterial mit sogenannten direkten Zustandsübergängen (wie z. B. III-V, II-IV Material) aufgebaut sein, das für die einzelnen Komponenten 1, 2, 4, 5, 9 verwendbar ist (z. B. InGaASP oder InGaAlAS).
In den Fig. 7 und 8 werden anhand der vierten Ausführungsform verschiedene Varianten der Struktuierung der Photodiode 1 dargestellt, die in analoger Weise auch auf die anderen Ausführungsformen des erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelementes anwendbar ist.
In Fig. 7a ist eine Draufsicht auf das optoelektronische Bauelement gemäß Fig. 4 dargestellt. Von rechts nach links sind eine Laserdiode 2, ein Elektroabsorptionsmodulator 4 und ein Photodetektor 1 angeordnet. Für die nähere Beschreibung wird auf die obigen Ausführungen hingewiesen.
Dabei ist der Querschnitt des optischen Wellenleiters mit dem Photodetektors 1 in einer ersten Variante gegenüber dem Querschnitt des optischen Wellenleiters mit dem Elektroabsorptionsmodulators 4 diskontinuierlich vergrößert. Damit wird erreicht, dass die Auskoppelfläche des optischen Wellenleiters besser und einfacher entspiegelt werden kann.
Damit wird die Reflexion in Richtung des Elektroabsorptionsmodulators 4 und der Laserdiode 2 verringert.
Die Fig. 7b und 7c zeigen Schnittansichten an den durch gekennzeichneten Stellen A-A, bzw. B-B. Dabei zeigt die Fig. 7b den verbreiterten Teil des optischen Wellenleiters, Fig. 7c den schmaleren Teil.
Fig. 7d zeigt eine zweite Variante der Gestaltung des optischen Wellenleiters. Hierbei erweitert sich der Querschnitt des Photodetektors 1 linear kontinuierlich in Richtung der Lichtausbreitung. Grundsätzlich sind auch andere kontinuierliche Querschnittgeometrien denkbar.
Die Erfindung beschränkt sich in ihrer Ausführung nicht auf die vorstehend angegebenen bevorzugten Ausführungsbeispiele. Vielmehr ist eine Anzahl von Varianten denkbar, die von dem erfindungsgemäßen optoelektronischen Bauelement und dem Verfahren zu dessen Herstellung auch bei grundsätzlich anders gearteten Ausführungen Gebrauch machen. Bezugszeichenliste 1 Photodetektor
2 Lichtquelle (Laserdiode)
3 aktive Schicht (MQW)
4 Elektroabsorptionsmodulator
5 optischer Verstärker
6 erster Graben
7 zweiter Graben
8 Bragg-Struktur
9 zweiter Photodetektor
11 dritter Graben
10 n-dotierte Schichten
12 p-dotierte Schichten
13 Bragg-Gitter
20 Modulatorschicht (MQW)
100 optoelektronisches Bauelement
A Dicke der Modulatorschicht
B Dicke der aktiven Schicht

Claims

1. Optoelektronisches Bauelement mit mindestens einer monolithisch in einem Halbleitermaterial integrierten Lichtquelle, insbesondere einer Laserdiode, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens ein Photodetektor (1) zur Messung der Lichtleistung mit mindestens einer Lichtquelle (2) über eine gemeinsame aktive Schicht (3) der mindestens einen Lichtquelle (2) gekoppelt ist.

2. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch, dadurch gekennzeichnet, dass ein Messsignal des Photodetektors (1) an eine Steuereinrichtung zur Regelung der Lichtleistung des optoelektronischen Bauelementes (100) übertragen wird.

3. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass das Messsignal an einer vorbestimmten Stelle im Bauelement und/oder an einem Übergang vom Bauelement (100) zu einem optischen Wellenleiter, insbesondere einer Glasfaser abgenommen wird.

4. Optoelektronisches Bauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüchen, dadurch gekennzeichnet, dass mindestens eine aktive Schicht (3) oder eine Modulatorschicht (20) eine Multi-Quantum-Well-Struktur aus mindestens zwei Quantum-Well-Typen und/oder eine Quantenpunktstruktur aufweist.

5. Optoelektronisches Bauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Lichtquelle als Laserdiode (2) mit einer DFB- Struktur, einer DBR-Struktur oder einer zweidimensionalen photonischen Kristallstruktur ausgebildet ist.

6. Optoelektronisches Bauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch mindestens einen elektrooptischen Modulator, insbesondere einen Elektroabsorptionsmodulator (4).

7. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der Photodetektor (1) am Auskoppelfenster des Elektroabsorptionsmodulators (4) angeordnet ist.

8. Optoelektronisches Bauelement nach Anspruch 6 oder 7, dadurch gekennzeichnet, dass sich der Querschnitt des Photodetektors (1) nach dem Elektroabsorptionsmodulator (4) in Richtung der Lichtausbreitungsrichtung kontinuierlich oder diskontinuierlich verbreitert.

9. Optoelektronisches Bauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet durch mindestens einen optischen Verstärker (5).

10. Optoelektronisches Bauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur starken optischen und/oder elektrischen Entkopplung mindestens zweier Komponenten (1, 2, 4, 5, 9) im Halbleitermaterial mindestens ein Graben (6, 7) zwischen mindestens zwei Komponenten (1, 2, 4, 5, 9) in das Halbleitermaterial eingebracht ist.

11. Optoelektronisches Bauelement nach mindestens einer der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass für eine schwache optische und eine starke elektrische Entkopplung mindestens zweier Komponenten (1, 2, 4, 5, 9) mindestens ein Graben (6, 7) zwischen den Komponenten (1, 2, 4, 5, 9) in das Halbleitermaterial eingebracht ist, wobei dieser mindestens ein Graben (6, 7) implantierte Ionen aufweist.

12. Optoelektronisches Bauelement nach mindestens einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass zur starken optischen und elektrischen Entkopplung mindestens zweier Komponenten (1, 2, 4, 5, 9) mindestens eine Bragg-Struktur (7) oder eine zweidimensionale photonische Kristallstruktur im Halbleitermaterial angeordnet ist.

13. Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass auf einem Substrat (10) eine aktive Schicht (3) für eine Lichtquelle (2) aufgewachsen wird, wobei anschließend eine Photodetektor-Struktur (1) aufgewachsen wird.