DE4327102A1 - Abstimmbares optisches Filter - Google Patents
Abstimmbares optisches FilterInfo
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims description 9
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 4
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
- G02F2201/307—Reflective grating, i.e. Bragg grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
- G02F2203/055—Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5045—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement having a frequency filtering function
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Description
Die Erfindung betrifft ein optisches Filterbauelement, insbesondere ein
abstimmbares optisches Filterbauelement, bei dem eine vorbestimmte
Wellenlänge oder Wellenlängen eines optischen Signals aus im Wellen
längenmultiplexverfahren verarbeiteten optischen Signalen ausgewählt
werden.
Inkoherente Lichtwellen-Nachrichtensysteme mit dichtgepackter Wellen
längenmultiplexbildung (WDM) sind gegenüber koherenten (Überla
gerungs-) Nachrichtensystemen attraktiver, weil das inkoherente System
den großen Wellenlängen-(Frequenz-)Bereich ausnutzt, der in einer
optischen Faser verfügbar ist, indem verschiedene Wellenlängen ver
schiedenen Kanälen in dem Nachrichtensystem zugeordnet werden. Ein
Schlüsselbauteil in einem inkoherenten WDM-Lichtwellen-Nachrichten
system ist der Lichtwellenempfänger, der für ein Filtern, ein Verstärken
und ein Demodulieren der Lichtwellensignale sorgt. Wird anstelle der
koherenten Demodulation direkte Demodulation verwendet, benötigt man
abstimmbare optische Filter zum Separieren der verschiedenen Multi
plex-Wellenlängen (Kanäle) sowohl für Leitzwecke als auch für die
endgültige Demodulation. Ein WDM-Empfänger mit direkter optischer
Demodulation muß optisch das Mehrfrequenz-WDM-Signal filtern, um
nur den gewünschten Kanal oder die gewünschten Kanäle zu dem direk
ten optischen Demodulator durchzulassen. Deshalb hat ein abstimmbares
optisches Filter die Funktion, ein Lichtsignal mit einer vorbestimmten
Wellenlänge aus mehreren Multiplex-Lichtwellensignalen auszuwählen.
Die Zielvorgabe für ein abstimmbares optisches Filter ist es also, einen
Kanal (oder mehrere Kanäle) in einem ankommenden optischen
Wellenlängen-Multiplexsignal auszuwählen und die übrigen Kanäle an
einem Durchlaufen des Filters zu hindern.
Es wurden mehrere unterschiedliche optische Filter entwickelt. Es
wurden Fabry-Perot-Filter mit mechanischer Abstimmung, d. h. einem
piezoelektrischem Element, entwickelt. Allerdings hat die Verwendung
mechanisch betriebener Filter mehrere Nachteile. Zunächst sind optische
Filter mit beweglichen Bauteilen typischerweise voluminös und in der
Herstellung teuer. Darüberhinaus besitzen optische Filter mit bewegli
chen Bauteilen geringe Zuverlässigkeit und niedrigere Schaltgeschwin
digkeiten als elektronisch gesteuerte optische Filter.
Optische Filter auf der Grundlage von akustooptischer TE/TM-Moden
umsetzung und Wellenleitern wurden ebenfalls entwickelt. Allerdings
erfordern diese Filter eine relativ komplexe Treiberschaltung zum Erzeu
gen der benötigten akustischen Wellen. Ferner sind die Filter relativ
groß und haben eine Länge in der Größenordnung von 1 bis 2 Zen
timetern. Außerdem wurden optische Filter auf der Grundlage von Halb
leiter-Laserdioden mit verteilter Rückkopplung (DFB) und mehrere
Abschnitte aufweisenden Fabry-Perot-Laserdioden entwickelt. Derartige
Halbleiterlaserstrukturen mit verteilter Rückkopplung werden mit einem
Vorstrom betrieben, der auf einen Wert unterhalb eines Schwellenstroms
für den Laserbetrieb eingestellt wird. Während diese Bauelemente den
Vorteil besitzen, daß sie Verstärkung zeigen, haben sie doch auch ver
schiedene Nachteile. Zunächst ist der Abstimmbereich dieser Halbleiter
laservorrichtungen mit verteilter Rückkopplung nur so gering wie zwei
Nanometer bei einer Wellenlänge von 1,5 Mikrometern für ein
InGaAsP/InP-Bauelement. Außerdem besitzen sie eine sehr geringe
Bandbreite aufgrund der Verstärkung, und sie sind empfindlich gegen
über Sättigungserscheinungen, wenn die Leistung des ankommenden
Signals zu groß ist.
Außerdem wurden optische Filter auf der Grundlage einer Laserstruktur
mit verteilter Braggscher Reflexion (DBR) entwickelt. Die Laserstruktur
mit verteilter Braggscher Reflexion wird eingesetzt als integrierter
Empfänger innerhalb eines Lichtwellen-Nachrichtensystems. Die DBR-
Laserstruktur wird elektrisch unter den Laserschwellenwert vorgespannt,
um als multifunktionelles Element dadurch zu arbeiten, daß es den inte
grierten Betrieb der Resonanzverstärkung und des Filterns der empfange
nen Lichtwellensignale durchführt. Durch elektrisches Vorspannen des
Bragg-Abschnitts der DBR-Laserstruktur ist es möglich, das Filter so
abzustimmen, daß die gewünschte Wellenlänge ausgewählt wird. Die
DBR-Laserstruktur hat einen größeren Abstimmbereich von bis zu 15
Nanometern im Vergleich zu DFB-Laserdioden, und sie kann unem
pfindlich gegenüber der Leistung des Eingangssignals gemacht werden,
in dem der Verstärkungsabschnitt aus den Filter entfernt wird. Aller
dings arbeitet die DBR-Laserstruktur unter Verwendung von Reflexion,
wobei das Ausgangssignal in den Eingangswellenleiter durch das Ein
gangssignal hindurch zurückreflektiert wird, was zu Verlusten führt,
wenn die Signale getrennt werden.
Die vorliegende Erfindung offenbart ein abstimmbares optisches Filter
für den Einsatz in einem Wellenlängenmultiplexsystem. Das optische
Filter enthält mehrere abstimmbare Reflexionsgitter, die sämtliche
Kanäle der ankommenden Lichtwelle sperren. Die Gitter können derart
abgestimmt werden, daß ihre Reflexionsbänder nicht übereinstimmen mit
einem gewünschten Kanal oder gewünschten Kanälen, um auf diese
Weise den gewünschten Kanal oder die gewünschten Kanäle durch das
Filter durchlassen zu können.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt das ab
stimmbare optische Filter ein erstes Halbleitersubstrat mit einer
Elektrode auf einer Oberfläche. Ein Wellenleiter ist in der Oberfläche
des Substrats gebildet und seitlich definiert, um Lichtwellen zu führen.
Mehrere abstimmbare Reflexionsgitter sind auf einer zweiten Fläche des
Halbleitermaterials oben auf dem Wellenleiter vorgesehen. Auf beiden
Seiten des Wellenleiters befindet sich ein isolierendes Substrat. Mehrere
Elektroden steuern die abstimmbaren Reflexionsgitter derart, daß der
effektive Brechungsindex eines Abschnitts des Wellenleiter unterhalb
jedes Gitters variiert wird.
Diese und weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung
ergeben sich für den Fachmann mühelos aus der nachfolgenden
Beschreibung in Verbindung mit den Zeichnungen. Es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittansicht eines optischen Filters einer
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine Querschnittansicht des optischen Filters nach Fig. 1;
Fig. 3 ein veranschaulichendes Diagramm, welches das
Durchlaßspektrum des Lichts darstellt, welches durch
das Filter gelangt, wenn kein Strom an das Bauele
ment gelegt wird;
Fig. 4 ein veranschaulichendes Diagramm, welches eines
Wellenlängenverschiebung darstellt, die es einem
Kanal gestattet, durch das Filter hindurchzugelangen;
Fig. 5 eine veranschaulichende Darstellung einer Wellen
längenverschiebung, die ein Durchlassen mehrerer
Kanäle durch das Filter gestattet;
Fig. 6 eine Querschnittdarstellung eines optischen Filters
einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung; und
Fig. 7 eine Querschnittdarstellung des in Fig. 6 dargestellten
optischen Filters.
In Fig. 1 ist ein abstimmbares optisches Filter 10 nach einer Ausfüh
rungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Fig. 1 zeigt ein
Beispiel für das optische Filter für ein Vierkanalsystem. Die Figur dient
lediglich der Veranschaulichung, und der Fachmann versteht, daß die
Erfindung nicht hierauf beschränkt ist. Bei dieser Ausführungsform ist
das abstimmbare optische Filter aus einem InGaAsP/InP-Halbleitermate
rial aufgebaut. Die Schichtstruktur des abstimmbaren optischen Filters
umfaßt ein Substrat 14 aus n-InP-Material und einer Schicht 12 aus p-
InP-Material. Zwischen der Schicht 12 und dem Substrat 14 ist ein
Wellenleiter 22 ausgebildet, der aus eigenleitendem Material besteht.
Zwischen dem Wellenleiter 22 und der Schicht 12 ist eine Beugungs
gitterschicht 20 ausgebildet. Bei dieser Ausführungsform ist der Wellen
leiter in vier Abschnitte unterteilt, da es sich um ein Vierkanalsystem
handelt. In jedem Abschnitt ist die Periode des Reflexionsgitters ver
schieden. Zwischen den verschiedenen Gitterabschnitten wird eine in
Fig. 1 nicht dargestellte elektrische Isolierung benötigt. Die elektrische
Isolierung kann durch Ionenimplantation gebildet werden oder durch
Ersetzen der n-InP-Schicht 12 durch ein halbleitendes (mit Fe dotiertes)
InP-Material zwischen den Gitterabschnitten. Um den Brechungsindex in
den vier Abschnitten des Wellenleiters zu steuern, sind oben auf der
Schicht 12 vier Elektroden 24, 26, 28 und 30 gebildet. Zusätzlich ist
eine weitere Elektrode 16 auf dem Boden des Substrats 14 gebildet.
Schließlich ist gemäß Fig. 2 eine halbisolierende InP-Schicht auf jeder
Seite des Wellenleiters 22 gebildet, um die Schicht 12 vom Substrat 14
zu trennen. Der optische Wellenleiter 22 ist aus einem InGaAsP-Kern
gebildet, der eine Bandlücke mit einer kürzeren Wellenlänge hat als das
durchlaufende Licht, um eine Absorption zu vermeiden. Der Wellen
leiter 22 ist umgeben von InP-Material, so daß es eine vergrabene
Heterostruktur bildet. Die Braggschen Beugungsgitter sind in der Schicht
20 unter Verwendung von InGaAsP- und InP-Material ausgebildet. Dies
kann nach einem der bekannten Verfahren, wie sie bei DFB-Lasern
verwendet werden, geschehen, beispielsweise durch direktes Elektronen
strahlschreiben, Ätzen und erneutes Wachstum.
Da der Wellenleiter 22 aus einem eigenleitenden Kernmaterial besteht
und die zwei Substrate 12 und 14 aus p-InP-Material bzw. n-InP-
Material bestehen, bildet die erhaltene Struktur eine P-I-N-Dioden
struktur, welche die Injektion von Elektronen und Löchern in den eigen
leitenden Wellenleiter 22 gestattet. Die halbisolierende InP-Schicht 18
dient an den Seiten des Wellenleiters 20 dazu, den Strom auf den eigen
leitenden Wellenleiter zu begrenzen. Die injizierten Ladungsträger
ändern den Brechungsindex des Wellenleiters und ermöglichen somit die
Abstimmung auf die Wellenlänge des Reflexionsbandes des
entsprechenden Gitters. Um ein unabhängiges Abstimmen der vier
Gitterabschnitte zu ermöglichen, gibt es vier elektrische Kontakte oben
auf der p-InP-Schicht.
Typische Bauelementabmessungen sind folgende: Der Wellenleiter 22
hat eine Dicke zwischen 0,2 und 0,6 Mikrometern bei einer Breite von
annähernd 1 Mikrometer. Die Schicht 12 hat eine Dicke zwischen 1 und
3 Mikrometer bei einer Länge für jeden Gitterabschnitt zwischen 200
und 500 Mikrometern. Die elektrische Isolierung zwischen den Gitter
abschnitten liegt zwischen 10 und 50 Mikrometern. Deshalb beträgt die
Gesamtlänge für ein Vier-Kanal-Beispiel zwischen 1 und 2 Millimetern.
Gemäß dem oben beschriebenen Aufbau des abstimmbaren Wellenlän
genfilters wird das Prinzip, nach dem eine durchgelassene Wellenlänge
gesteuert wird, im folgenden geschildert.
Nach Fig. 3 ist die Durchlässigkeit von Licht durch das Filter als Funk
tion der Lichtwellenlänge dargestellt. Die Braggschen Beugungsgitter
unterschiedlicher Perioden sperren Licht unterschiedlicher Wellenlängen
gegenüber einem Durchlaufen dieses Abschnitts des Filters. Als Ergebnis
wird es durch Auswahl von vier verschiedenen Perioden für die Beu
gungsgitter vier verschiedenen Wellenlängenbändern des in ein Filter
eintretenden Lichts nicht ermöglicht, das Filter zu durchlaufen, wie in
Fig. 3 dargestellt ist. Durch Auswahl der Kanäle eines Nachrichten
systems, d. h. λ1, λ2, λ3, λ4 zwecks Übereinstimmung mit den Wellen
längen, die nicht durch das Filter durchgelassen werden sollen, kann das
optische Filter die Wellenlängensignale steuern, die das Filter durch
laufen sollen. Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Gitter
derart ausgebildet, daß sie die Kanäle sperren, wenn kein Strom an die
Elektroden 24, 26, 28 und 30 gelegt wird. Wie in Fig. 4 dargestellt ist,
wird, wenn ein Strom beispielsweise an die Elektrode 28 angelegt wird,
der effektive Brechungsindex des Wellenleiterabschnitts unterhalb des
Abschnitts, der den dritten Kanal blockiert hatte, geändert, so daß die
Wellenlänge entsprechend dem dritten Kanal nicht mehr blockiert wird
und durch das Filter hindurchgelangen kann. Es kann also jeder Kanal
durch Anlegen einer geeigneten Spannung an die richtige Elektrode
ausgewählt werden, was den Brechungsindex im Inneren des Wellenlei
ters ändert.
Die Gitterabstimmung basiert auf einer Änderung des effektiven Bre
chungsindex. Diese Änderung kann auf verschiedene Weise erreicht
werden. Zunächst kann von der Injektion freier Ladungsträger in den
Wellenleiter Gebrauch gemacht werden. Die Injektion freier Ladungs
träger macht Gebrauch von der Vorspannung der P-I-N-Diodenstruktur
in Durchlaßrichtung, um Ladungsträger in den Wellenleiter zu injizieren.
Dieses Verfahren wird bei abstimmbaren DBR-Lasern eingesetzt, wie es
offenbart ist in "Semiconductor Lasers for Coherent Optical Fiber
Communications", T. Koch und U. Koren, Journal of Lightwave
Technology, Vol. 8 (3), März 1990, S. 274-293. Außerdem kann von
einer Verarmung an freien Ladungsträgern in einem Wellenleiter
Gebrauch gemacht werden, um den effektiven Brechungsindex zu
ändern. In diesem Fall sollte das für den Wellenleiter 22 verwendete
InGaAsP-Material dotiert werden. Das Verfahren der Verarmung an
freien Ladungsträgern macht sich eine Vorspannung in Sperrichtung
zunutze, um die Ladungsträger aus dem Wellenleiter zu spülen und
dadurch den effektiven Brechungsindex zu ändern. Der effektive
Brechungsindex läßt sich auch durch elektrooptisches Abstimmen
ändern. Beim elektrooptischen Abstimmen ändert ein elektrisches Feld,
welches über eine in Sperrichtung vorgespannte P-I-N-Struktur angelegt
wird, den Brechungsindex des Wellenleiters. Dies kann bei dem
massiven Material geschehen, jedoch sollten vorzugsweise Quantenlöcher
vorgesehen werden, um eine ausreichend große Indexänderung zu erlan
gen. Die oben angegebenen Verfahren zum Bewirken einer Abstimmung
sind nicht vollzählig, da auch andere Verfahren noch möglich sind.
Wenn z. B. das Filter aus dielektrischem Material gefertigt wird, z. B.
SiO2 auf einem Si-Substrat, wie es unten beschrieben ist, könnte die
gesamte P-I-N-Diodenstruktur ersetzt werden durch einen einfachen
Aufheizwiderstand in Berührung mit dem Wellenleiter, um den effekti
ven Brechungsindex durch den thermooptischen Effekt zu ändern.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist ein Reflexionsgitter für jeden
Kanal in dem Nachrichtensystem vorgesehen. Die Gitter sind derart
ausgebildet, daß sie jeden Kanal blockieren, wenn kein Strom über die
Elektroden 24, 26, 28 und 30 zugeführt wird. Da eine präzise Fertigung
jedes Gitters schwierig sein kann, treten möglicherweise kleine Fehler in
der Wellenlängenpositionierung der Gitter auf, so daß ein Gitter einen
Kanal, der an sich blockiert werden sollte, möglicherweise nicht
blockiert; man kann das Filter kompensieren durch Abstimmung des
Gitters nach einem der oben diskutierten Verfahren. Wenn ferner der
Kanalabstand groß genug ist, so daß, wenn ein Kanal geöffnet wird, das
verschobene Reflexionsband einen Nachbarkanal nicht sperrt, so kann
das Filter mehrere Kanäle durchlassen, anstatt nur einen einzigen. Dies
ist in Fig. 5 dargestellt, aus der hervorgeht, daß die Gitter entsprechend
den Kanälen 2 und 3 zum Durchlassen dieser Kanäle durch das Filter
abgestimmt wurden, während die Kanäle 1 und 4 gesperrt bleiben. Dies
kann dann von Vorteil sein, wenn das Filterbauelement in einem System
verwendet wird, in welchem eine wellenlängenabhängige Wegführung
erfolgt.
In den Fig. 6 und 7 ist eine weitere Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung dargestellt. Die Figuren dienen lediglich als Beispiel und
zeigen ein Vierkanalfilter 60, welches aus dielektrischem Material aufge
baut ist. Bei dieser Ausführungsform ist ein Wellenleiter auf Kieselerde
basis mit einem SiO2-GeO2-Kern 66 in einem SiO2-Mantel 62 auf einem
Si-Substrat 64 vergraben. Abstimmbare Reflexionsgitter 70 sind auf der
Oberseite des Kerns 66 gebildet, indem die Oberseite des Kerns 66 vor
dem erneuten Aufwachsen des SiO2-Mantels 62 auf der Oberseite des
Kerns 66 geätzt wurde. Bei dieser Ausführungsform ist der Wellenleiter
in vier Abschnitte unterteilt, da es sich um ein Vierkanalsystem handelt.
In jedem Abschnitt ist die Periode des Reflexionsgitters verschieden. Die
Reflexionsgitter 70 werden durch den thermooptischen Effekt abge
stimmt, wobei der effektive Brechungsindex des Wellenleiterabschnitts
unterhalb des jeweiligen Gitters durch eine Temperaturänderung geändert
wird. Oben auf dem Wellenleiterabschnitt unterhalb jedes Reflexions
gitters befindet sich ein Heizwiderstand, so daß der effektive Brechungs
index für jedes Reflexionsgitter unabhängig gesteuert werden kann. Der
Fachmann versteht, daß auch andere dielektrische Stoffe wie z. B. Si3N4
verwendet werden können. Aufgrund der thermischen Abstimmung hat
diese Ausführungsform wahrscheinlich eine längere Schaltzeit und eine
größere Abmessung als die InGaAsP/InP-Ausführung. Allerdings kann
ein dielektrisches Filter mit thermooptischer Abstimmung auch in eini
gen Anwendungsfällen eingesetzt werden, da es geringere Fertigungs
kosten erfordert.
Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden
eine große Anzahl von Gittern mit teilweise überlappenden Reflexions
bändern und eine entsprechende Anzahl von Elektroden in dem optischen
Filter verwendet, anstatt daß für jeden Kanal ein Gitter vorgesehen ist.
Die Gitter sind derart ausgebildet, daß sie ein Wellenlängenband,
welches größer als das Eingangswellenlängenband ist, vollständig
sperren. Durch Ausgestaltung der Gitter derart, daß sie ein Wellenlän
genband, welches größer als das verwendete Band ist, vollständig
sperren, hat das Filter eine gewisse Toleranz gegenüber Unzulänglich
keiten bei der Fertigung des Filters. Die Elektroden können dann dazu
benutzt werden, den effektiven Brechungsindex der Wellenleiterabschnit
te zu ändern, so daß ein oder mehrere Kanäle durch das Filter hindurch
gelangen können. Dieser Aufbau hat verschiedene Vorteile. Zunächst
blockieren die Gitter das spontane Emissionsrauschen außerhalb der
Kanäle, welches durch die Verstärker innerhalb des Systems verursacht
wird. Als Ergebnis wird am Filter ein ruhigeres Signal ausgegeben.
Ferner kann das Filter elektrisch neu konfiguriert werden, wenn sich die
Kanalkonfiguration des Systems ändert.
Material und Zusammensetzung des Filters der vorliegenden Erfindung
können durch andere Halbleiterstoffe ersetzt werden, beispielsweise
durch Material des AlGaAs/GaAs-Systems oder dielektrisches Material
wie z. B. TiO2, Al2O3, usw. Darüberhinaus ist die Struktur des optischen
Wellenleiters nicht auf die Planarstruktur oder die vergrabene Struktur
begrenzt. Der Fachmann versteht, daß die vorliegende Erfindung in
anderen spezifischen Formen ausgebildet werden kann, ohne vom
Grundgedanken oder dem wesentlichen Charakter der Erfindung abzu
weichen. Die hier offenbarten Ausführungsbeispiele sollen deshalb in
jeder Hinsicht als beispielhaft und nicht beschränkend verstanden
werden. Der Schutzumfang der Erfindung ist durch die beigefügten
Ansprüche definiert und nicht durch die vorausgehende Beschreibung,
und sämtliche Änderungen innerhalb des Grundgedankens und des
Schutzumfangs der Äquivalente sind mit eingeschlossen.
Claims (24)
1. Abstimmbares optisches Filter, umfassend:
ein erstes Halbleitersubstrat mit einer auf einer ersten Fläche von ihm vorgesehenen Elektrodenanordnung;
eine Wellenleitereinrichtung, die innerhalb der Fläche des Substrats ausgebildet und seitlich definiert ist, um Lichtwellen zu führen;
mehrere abstimmbare Reflexionsgittereinrichtungen, die auf einer zweiten Fläche des Halbleitersubstrats oben auf dem Wellenleiter vorgesehen sind;
eine isolierende Substrateinrichtung, die auf beiden Seiten des Wellenleiters vorgesehen ist; und
mehrere Elektrodeneinrichtungen, wobei jedes der abstimm baren Reflexionsgitter eine Elektrode aufweist, um einen effek tiven Brechungsindex eines Abschnitts des Wellenleiters un terhalb des Gitters zu variieren.
ein erstes Halbleitersubstrat mit einer auf einer ersten Fläche von ihm vorgesehenen Elektrodenanordnung;
eine Wellenleitereinrichtung, die innerhalb der Fläche des Substrats ausgebildet und seitlich definiert ist, um Lichtwellen zu führen;
mehrere abstimmbare Reflexionsgittereinrichtungen, die auf einer zweiten Fläche des Halbleitersubstrats oben auf dem Wellenleiter vorgesehen sind;
eine isolierende Substrateinrichtung, die auf beiden Seiten des Wellenleiters vorgesehen ist; und
mehrere Elektrodeneinrichtungen, wobei jedes der abstimm baren Reflexionsgitter eine Elektrode aufweist, um einen effek tiven Brechungsindex eines Abschnitts des Wellenleiters un terhalb des Gitters zu variieren.
2. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem jedes
abstimmbare Reflexionsgitter eine andere Periode besitzt.
3. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem jeder
Kanal der ankommenden Lichtwelle durch eines der abstimm
baren Reflexionsgitter gesperrt wird.
4. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem der
effektive Brechungsindex geändert wird durch Injektion freier
Ladungsträger in den Wellenleiter.
5. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem der
effektive Brechungsindex geändert wird durch Verarmung an
freien Ladungsträgern in dem Wellenleiter.
6. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem der
effektive Brechungsindex durch elektrooptische Abstimmung
geändert wird.
7. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem die
Gitter derart beschaffen sind, daß sämtliche Kanäle blockiert
sind, wenn zu der entsprechenden Elektrode kein Strom geführt
wird.
8. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem der
effektive Brechungsindex durch thermooptisches Abstimmen
geändert wird.
9. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem die
abstimmbaren Reflexionsgitter den gesamten Wellenlängen
bereich eines Eingangssignals blockieren.
10. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem die
abstimmbaren Reflexionsgitter sich teilweise überlappende
Reflexionsbänder besitzen, um den gesamten Wellenlängen
bereich eines Eingangssignals zu sperren.
11. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem die
Reflexionsgitter mehrere Kanäle an einem Passieren des Filters
hindern.
12. Abstimmbares optisches Filter für ein mehrere Kanäle aufwei
sendes Nachrichtensystem, umfassend:
ein erstes Halbleitersubstrat mit einer ersten Elektrodeneinrich tung auf einer ersten Fläche des Substrats;
eine Wellenleitereinrichtung, die in der Fläche des Substrats ausgebildet und seitlich definiert ist, um Lichtwellen zu führen;
mehrere abstimmbare Reflexionsgittereinrichtungen, die auf einer zweiten Fläche des Halbleitersubstrats oben auf dem Wellenleiter vorgesehen sind, wobei jedes der abstimmbaren Reflexionsgitter einen speziellen Kanal des Nachrichtensystems sperrt;
eine isolierende Substrateinrichtung auf beiden Seiten der Wel lenleiter; und
mehrere Elektrodeneinrichtungen zum Variieren des effektiven Brechungsindex eines Abschnitts des Wellenleiters unterhalb des Gitters.
ein erstes Halbleitersubstrat mit einer ersten Elektrodeneinrich tung auf einer ersten Fläche des Substrats;
eine Wellenleitereinrichtung, die in der Fläche des Substrats ausgebildet und seitlich definiert ist, um Lichtwellen zu führen;
mehrere abstimmbare Reflexionsgittereinrichtungen, die auf einer zweiten Fläche des Halbleitersubstrats oben auf dem Wellenleiter vorgesehen sind, wobei jedes der abstimmbaren Reflexionsgitter einen speziellen Kanal des Nachrichtensystems sperrt;
eine isolierende Substrateinrichtung auf beiden Seiten der Wel lenleiter; und
mehrere Elektrodeneinrichtungen zum Variieren des effektiven Brechungsindex eines Abschnitts des Wellenleiters unterhalb des Gitters.
13. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem der
effektive Brechungsindex geändert wird durch die Injektion
freier Ladungsträger in den Wellenleiter.
14. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem der
effektive Brechungsindex geändert wird durch eine Verarmung
an freien Ladungsträgern innerhalb des Wellenleiters.
15. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem der
effektive Brechungsindex durch elektrooptische Abstimmung
geändert wird.
16. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem die
Gitter sämtliche Kanäle blockieren, wenn den Elektroden kein
Strom zugeleitet wird.
17. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem der
effektive Brechungsindex durch thermooptisches Abstimmen
geändert wird.
18. Abstimmbares optisches Filter, umfassend:
ein Substrat;
eine dielektrische Mantelschicht oben auf dem Substrat;
eine Wellenleitereinrichtung, die in der Fläche der Mantel schicht ausgebildet und seitlich definiert ist;
mehrere abstimmbare Reflexionsgittereinrichtungen, die oben auf dem Wellenleiter vorgesehen sind; und
mehrere Heizelemente oben auf der Mantelschicht, wobei jedes der abstimmbaren Reflexionsgitter ein Heizelement aufweist, um einen effektiven Brechungsindex eines Abschnitts des Wel lenleiters unterhalb des Gitters zu variieren.
ein Substrat;
eine dielektrische Mantelschicht oben auf dem Substrat;
eine Wellenleitereinrichtung, die in der Fläche der Mantel schicht ausgebildet und seitlich definiert ist;
mehrere abstimmbare Reflexionsgittereinrichtungen, die oben auf dem Wellenleiter vorgesehen sind; und
mehrere Heizelemente oben auf der Mantelschicht, wobei jedes der abstimmbaren Reflexionsgitter ein Heizelement aufweist, um einen effektiven Brechungsindex eines Abschnitts des Wel lenleiters unterhalb des Gitters zu variieren.
19. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem
jedes abstimmbare Reflexionsgitter eine verschiedene Periode
besitzt.
20. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem
jeder Kanal der ankommenden Lichtwelle von einem der ab
stimmbaren Reflexionsgitter gesperrt wird.
21. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem der
effektive Brechungsindex durch thermooptisches Abstimmen
geändert wird.
22. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem die
abstimmbaren Reflexionsgitter den gesamten Wellenlängen
bereich eines Eingangssignals sperren.
23. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem die
abstimmbaren Reflexionsgitter sich teilweise überlappende
Reflexionsbänder besitzen, um den gesamten Wellenlängen
bereich eines Eingangssignals zu sperren.
24. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem die
Reflexionsgitter mehrere Kanäle daran hindern, das Filter zu
durchlaufen.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US92944892A | 1992-08-14 | 1992-08-14 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4327102A1 true DE4327102A1 (de) | 1994-02-17 |
Family
ID=25457877
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4327102A Ceased DE4327102A1 (de) | 1992-08-14 | 1993-08-12 | Abstimmbares optisches Filter |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5459799A (de) |
JP (1) | JPH06160655A (de) |
CA (1) | CA2101411C (de) |
DE (1) | DE4327102A1 (de) |
FR (1) | FR2694816B1 (de) |
GB (1) | GB2269679B (de) |
SE (1) | SE510040C2 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10196035B4 (de) * | 2001-02-15 | 2005-09-08 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zum Multiplexen und/oder Demultiplexen der Signale einer Mehrzahl optischer Datenkanäle |
DE4328777B4 (de) * | 1992-08-26 | 2007-11-22 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Optische Filtervorrichtung |
Families Citing this family (67)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2725527B1 (fr) * | 1994-10-10 | 1996-12-20 | Talneau Anne | Filtre optique pour plusieurs longueurs d'ondes guidees |
US5671307A (en) * | 1995-04-10 | 1997-09-23 | Universite Laval | Use of a temperature gradient to impose a chirp on a fibre bragg grating |
FR2737942B1 (fr) * | 1995-08-18 | 1997-11-07 | Delorme Franck | Composant d'emission laser accordable en longueur d'onde par variation d'absorption |
US5699378A (en) * | 1995-10-06 | 1997-12-16 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical comb filters used with waveguide, laser and manufacturing method of same |
US6198863B1 (en) | 1995-10-06 | 2001-03-06 | British Telecommunications Public Limited Company | Optical filters |
IL119006A (en) | 1996-08-04 | 2001-04-30 | B G Negev Technologies And App | Optical filters with adjustable stay line |
GB9616839D0 (en) * | 1996-08-10 | 1996-09-25 | Northern Telecom Ltd | Optical waveguide bragg reflection gratings |
US6078709A (en) * | 1997-11-12 | 2000-06-20 | Lucent Technologies Inc. | Method and apparatus for monitoring multi-wavelength optical systems |
KR100677011B1 (ko) | 1998-02-20 | 2007-01-31 | 코닝 인코포레이티드 | 가변 광학 부가/하락 멀티플렉서 |
US6389199B1 (en) * | 1999-02-19 | 2002-05-14 | Corning Incorporated | Tunable optical add/drop multiplexer |
US6256428B1 (en) | 1999-02-19 | 2001-07-03 | Corning Incorporated | Cascading of tunable optical filter elements |
EP1075668A4 (de) * | 1998-03-30 | 2004-07-28 | Corning Inc | Abstimmbares optisches bragg-gitter mit langer periode und faseroptik |
GB2344657A (en) * | 1998-11-06 | 2000-06-14 | Univ Heriot Watt | Wavelength selective optical filter |
US6208773B1 (en) * | 1999-02-18 | 2001-03-27 | Trw Inc. | Addressable, semiconductor adaptable Bragg gratings (ASABG) |
AUPP930799A0 (en) * | 1999-03-18 | 1999-04-15 | University Of Sydney, The | Optical planar waveguide device and method of its fabrication |
US6400855B1 (en) | 1999-04-16 | 2002-06-04 | Radiant Photonics, Inc. | N × N optical switching array device and system |
JP3038383B1 (ja) * | 1999-06-08 | 2000-05-08 | 東京大学長 | 光デバイス |
US6411746B1 (en) | 2000-01-18 | 2002-06-25 | Corning Incorporated | Thermally tunable optical devices |
US6486999B1 (en) * | 2000-03-15 | 2002-11-26 | Agere Systems Inc. | Using crystalline materials to control the thermo-optic behavior of an optical path |
GB2362720A (en) * | 2000-05-25 | 2001-11-28 | Roke Manor Research | Improvements in or relating to optical switching |
US6888863B1 (en) | 2000-06-30 | 2005-05-03 | Lucent Technologies Inc. | System comprising optical semiconductor waveguide device |
GB2365994B (en) * | 2000-08-18 | 2002-10-30 | Marconi Comm Ltd | Tunable optical filter |
GB0101343D0 (en) * | 2001-01-19 | 2001-03-07 | Secr Defence | Electro-optic waveguide device |
GB0111049D0 (en) * | 2001-05-04 | 2001-06-27 | Bookham Technology Plc | Optic device and method of operating the same |
US6748125B2 (en) | 2001-05-17 | 2004-06-08 | Sioptical, Inc. | Electronic semiconductor control of light in optical waveguide |
US6738546B2 (en) * | 2001-05-17 | 2004-05-18 | Sioptical, Inc. | Optical waveguide circuit including multiple passive optical waveguide devices, and method of making same |
US6625348B2 (en) * | 2001-05-17 | 2003-09-23 | Optron X, Inc. | Programmable delay generator apparatus and associated method |
US6898352B2 (en) * | 2001-05-17 | 2005-05-24 | Sioptical, Inc. | Optical waveguide circuit including passive optical waveguide device combined with active optical waveguide device, and method for making same |
US6654511B2 (en) * | 2001-05-17 | 2003-11-25 | Sioptical, Inc. | Optical modulator apparatus and associated method |
US6842546B2 (en) * | 2001-05-17 | 2005-01-11 | Sioptical, Inc. | Polyloaded optical waveguide device in combination with optical coupler, and method for making same |
US6658173B2 (en) | 2001-05-17 | 2003-12-02 | Optronx, Inc. | Interferometer and method of making same |
US6646747B2 (en) | 2001-05-17 | 2003-11-11 | Sioptical, Inc. | Interferometer apparatus and associated method |
US6947615B2 (en) | 2001-05-17 | 2005-09-20 | Sioptical, Inc. | Optical lens apparatus and associated method |
US6690844B2 (en) * | 2001-05-17 | 2004-02-10 | Optronx, Inc. | Optical fiber apparatus and associated method |
US6608945B2 (en) | 2001-05-17 | 2003-08-19 | Optronx, Inc. | Self-aligning modulator method and associated apparatus |
US6760498B2 (en) * | 2001-05-17 | 2004-07-06 | Sioptical, Inc. | Arrayed waveguide grating, and method of making same |
US6891685B2 (en) * | 2001-05-17 | 2005-05-10 | Sioptical, Inc. | Anisotropic etching of optical components |
US6891985B2 (en) * | 2001-05-17 | 2005-05-10 | Sioptical, Inc. | Polyloaded optical waveguide devices and methods for making same |
US6690863B2 (en) | 2001-05-17 | 2004-02-10 | Si Optical, Inc. | Waveguide coupler and method for making same |
US6603889B2 (en) * | 2001-05-17 | 2003-08-05 | Optronx, Inc. | Optical deflector apparatus and associated method |
US6912330B2 (en) | 2001-05-17 | 2005-06-28 | Sioptical Inc. | Integrated optical/electronic circuits and associated methods of simultaneous generation thereof |
US6546167B1 (en) | 2001-12-11 | 2003-04-08 | Corning Incorporated | Tunable grating optical device |
JP2003195234A (ja) * | 2001-12-27 | 2003-07-09 | Mitsubishi Electric Corp | 可変分散補償装置及び可変分散補償装置用の基板 |
JP3938498B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-06-27 | 富士通株式会社 | 光波長フィルタ |
FI114945B (fi) * | 2002-09-19 | 2005-01-31 | Nokia Corp | Sähköisesti säädettävä diffraktiivinen hilaelementti |
KR100472712B1 (ko) * | 2002-10-30 | 2005-03-11 | 한국과학기술연구원 | 광섬유 격자, 그 격자의 유효굴절률 제어방법 및 이를이용한 광섬유 소자 |
WO2004044644A2 (en) * | 2002-11-13 | 2004-05-27 | Infoturn, Inc. | Method and apparatus for a dynamically reconfigurable waveguide in an ingrated circuit |
FR2848679B1 (fr) * | 2002-12-16 | 2005-04-08 | Teem Photonics | Composant de filtrage en optique integree comprenant une gaine optique ainsi que son procede de realisation |
US8792531B2 (en) | 2003-02-25 | 2014-07-29 | Finisar Corporation | Optical beam steering for tunable laser applications |
US8509582B2 (en) * | 2005-08-30 | 2013-08-13 | Rambus Delaware Llc | Reducing light leakage and improving contrast ratio performance in FTIR display devices |
US7962045B2 (en) | 2006-12-22 | 2011-06-14 | Finisar Corporation | Optical transmitter having a widely tunable directly modulated laser and periodic optical spectrum reshaping element |
US7941057B2 (en) | 2006-12-28 | 2011-05-10 | Finisar Corporation | Integral phase rule for reducing dispersion errors in an adiabatically chirped amplitude modulated signal |
US8131157B2 (en) | 2007-01-22 | 2012-03-06 | Finisar Corporation | Method and apparatus for generating signals with increased dispersion tolerance using a directly modulated laser transmitter |
EP2111678B1 (de) | 2007-02-02 | 2015-04-08 | Finisar Corporation | Temperaturstabilisierende verpackung für optoelektronische komponenten in einem übertragungsmodul |
US7991291B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-08-02 | Finisar Corporation | WDM PON based on DML |
US8027593B2 (en) | 2007-02-08 | 2011-09-27 | Finisar Corporation | Slow chirp compensation for enhanced signal bandwidth and transmission performances in directly modulated lasers |
US8204386B2 (en) | 2007-04-06 | 2012-06-19 | Finisar Corporation | Chirped laser with passive filter element for differential phase shift keying generation |
US7991297B2 (en) | 2007-04-06 | 2011-08-02 | Finisar Corporation | Chirped laser with passive filter element for differential phase shift keying generation |
US7760777B2 (en) * | 2007-04-13 | 2010-07-20 | Finisar Corporation | DBR laser with improved thermal tuning efficiency |
US7778295B2 (en) * | 2007-05-14 | 2010-08-17 | Finisar Corporation | DBR laser with improved thermal tuning efficiency |
US8160455B2 (en) * | 2008-01-22 | 2012-04-17 | Finisar Corporation | Method and apparatus for generating signals with increased dispersion tolerance using a directly modulated laser transmitter |
US8260150B2 (en) | 2008-04-25 | 2012-09-04 | Finisar Corporation | Passive wave division multiplexed transmitter having a directly modulated laser array |
US8199785B2 (en) | 2009-06-30 | 2012-06-12 | Finisar Corporation | Thermal chirp compensation in a chirp managed laser |
US9172211B2 (en) * | 2011-11-09 | 2015-10-27 | Thorlabs Quantum Electronics, Inc. | Heating elements for multi-wavelength DBR laser |
US8873963B2 (en) | 2012-07-25 | 2014-10-28 | Doron Handelman | Apparatus and methods for generating and receiving optical signals at substantially 100Gb/s and beyond |
US10727640B2 (en) * | 2018-12-27 | 2020-07-28 | Intel Corporation | Multi-wavelength laser |
US20220171105A1 (en) * | 2020-09-11 | 2022-06-02 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Resonant filters having simultaneously tuned central wavelengths and sidebands |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4278327A (en) * | 1979-11-26 | 1981-07-14 | Sperry Corporation | Liquid crystal matrices |
GB8502013D0 (en) * | 1985-01-26 | 1985-02-27 | Plessey Co Plc | Integrated optical device |
JPS61255085A (ja) * | 1985-05-08 | 1986-11-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体レ−ザ装置 |
US4750801A (en) * | 1985-09-30 | 1988-06-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Optical waveguide resonator filters |
US4830448A (en) * | 1985-10-11 | 1989-05-16 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Light modulator and wave guide device |
JPS62260120A (ja) * | 1986-05-07 | 1987-11-12 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体外部光変調器 |
JP2825508B2 (ja) * | 1987-10-09 | 1998-11-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体レーザ装置および光通信システム |
JPH01186918A (ja) * | 1988-01-20 | 1989-07-26 | Nec Corp | 光分波器 |
NL8801561A (nl) * | 1988-06-17 | 1990-01-16 | Imec Inter Uni Micro Electr | Inrichting voor optische signaalverwerking met transistorwerking. |
US4930117A (en) * | 1988-06-24 | 1990-05-29 | The Boeing Company | Wavelength division multiplexing system using optical switch |
JPH0262501A (ja) * | 1988-08-29 | 1990-03-02 | Nec Corp | 半導体可変波長フィルタ |
US4923264A (en) * | 1989-01-18 | 1990-05-08 | University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education | Resonance coupled optical coupler with semiconductor waveguide layer comprising a multi-quantum-well structure |
EP0391334B1 (de) * | 1989-04-04 | 1994-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Halbleiterlaser mit veränderbarer Emissionswellenlänge und selektives Wellenlängenfitter und Verfahren zum Betrieb derselben |
FR2655433B1 (fr) * | 1989-12-01 | 1992-06-26 | France Etat | Procede et dispositif de modulation electro-optique, utilisant la transition oblique a basse energie d'un super-reseau tres couple. |
US5022730A (en) * | 1989-12-12 | 1991-06-11 | At&T Bell Laboratories | Wavelength tunable optical filter |
US5048907A (en) * | 1990-02-23 | 1991-09-17 | Amoco Corporation | Electric field induced quantum well waveguides |
EP0496348B1 (de) * | 1991-01-22 | 1997-07-02 | Canon Kabushiki Kaisha | Lichtdetektor-Vorrichtungen für mehrere Wellenlängen mit reihenweise angeordneten Gitter-Richtkopplern |
-
1993
- 1993-07-27 CA CA002101411A patent/CA2101411C/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-07-29 GB GB9315730A patent/GB2269679B/en not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-02 SE SE9302543A patent/SE510040C2/sv not_active IP Right Cessation
- 1993-08-12 FR FR9309903A patent/FR2694816B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1993-08-12 DE DE4327102A patent/DE4327102A1/de not_active Ceased
- 1993-08-13 JP JP5201504A patent/JPH06160655A/ja active Pending
-
1994
- 1994-08-12 US US08/288,878 patent/US5459799A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4328777B4 (de) * | 1992-08-26 | 2007-11-22 | Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) | Optische Filtervorrichtung |
DE10196035B4 (de) * | 2001-02-15 | 2005-09-08 | Infineon Technologies Ag | Anordnung zum Multiplexen und/oder Demultiplexen der Signale einer Mehrzahl optischer Datenkanäle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
SE9302543L (sv) | 1994-02-15 |
GB2269679A (en) | 1994-02-16 |
FR2694816A1 (fr) | 1994-02-18 |
US5459799A (en) | 1995-10-17 |
FR2694816B1 (fr) | 1995-11-17 |
SE510040C2 (sv) | 1999-04-12 |
GB9315730D0 (en) | 1993-09-15 |
CA2101411A1 (en) | 1994-02-15 |
GB2269679B (en) | 1996-05-22 |
SE9302543D0 (sv) | 1993-08-02 |
JPH06160655A (ja) | 1994-06-07 |
CA2101411C (en) | 2003-06-10 |
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Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
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