DE4327102A1 - Abstimmbares optisches Filter - Google Patents

Abstimmbares optisches Filter

Info

Publication number
DE4327102A1
DE4327102A1 DE4327102A DE4327102A DE4327102A1 DE 4327102 A1 DE4327102 A1 DE 4327102A1 DE 4327102 A DE4327102 A DE 4327102A DE 4327102 A DE4327102 A DE 4327102A DE 4327102 A1 DE4327102 A1 DE 4327102A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
optical filter
tunable
filter according
waveguide
tunable optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Ceased
Application number
DE4327102A
Other languages
English (en)
Inventor
Jean-Pierre Weber
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Original Assignee
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB filed Critical Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Publication of DE4327102A1 publication Critical patent/DE4327102A1/de
Ceased legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on thermo-optic effects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
    • G02F2201/307—Reflective grating, i.e. Bragg grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
    • G02F2203/055—Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
    • H01S5/1215—Multiplicity of periods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/5045—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement having a frequency filtering function

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Optical Communication System (AREA)

Description

Gebiet der Erfindung
Die Erfindung betrifft ein optisches Filterbauelement, insbesondere ein abstimmbares optisches Filterbauelement, bei dem eine vorbestimmte Wellenlänge oder Wellenlängen eines optischen Signals aus im Wellen­ längenmultiplexverfahren verarbeiteten optischen Signalen ausgewählt werden.
Hintergrund der Erfindung
Inkoherente Lichtwellen-Nachrichtensysteme mit dichtgepackter Wellen­ längenmultiplexbildung (WDM) sind gegenüber koherenten (Überla­ gerungs-) Nachrichtensystemen attraktiver, weil das inkoherente System den großen Wellenlängen-(Frequenz-)Bereich ausnutzt, der in einer optischen Faser verfügbar ist, indem verschiedene Wellenlängen ver­ schiedenen Kanälen in dem Nachrichtensystem zugeordnet werden. Ein Schlüsselbauteil in einem inkoherenten WDM-Lichtwellen-Nachrichten­ system ist der Lichtwellenempfänger, der für ein Filtern, ein Verstärken und ein Demodulieren der Lichtwellensignale sorgt. Wird anstelle der koherenten Demodulation direkte Demodulation verwendet, benötigt man abstimmbare optische Filter zum Separieren der verschiedenen Multi­ plex-Wellenlängen (Kanäle) sowohl für Leitzwecke als auch für die endgültige Demodulation. Ein WDM-Empfänger mit direkter optischer Demodulation muß optisch das Mehrfrequenz-WDM-Signal filtern, um nur den gewünschten Kanal oder die gewünschten Kanäle zu dem direk­ ten optischen Demodulator durchzulassen. Deshalb hat ein abstimmbares optisches Filter die Funktion, ein Lichtsignal mit einer vorbestimmten Wellenlänge aus mehreren Multiplex-Lichtwellensignalen auszuwählen. Die Zielvorgabe für ein abstimmbares optisches Filter ist es also, einen Kanal (oder mehrere Kanäle) in einem ankommenden optischen Wellenlängen-Multiplexsignal auszuwählen und die übrigen Kanäle an einem Durchlaufen des Filters zu hindern.
Es wurden mehrere unterschiedliche optische Filter entwickelt. Es wurden Fabry-Perot-Filter mit mechanischer Abstimmung, d. h. einem piezoelektrischem Element, entwickelt. Allerdings hat die Verwendung mechanisch betriebener Filter mehrere Nachteile. Zunächst sind optische Filter mit beweglichen Bauteilen typischerweise voluminös und in der Herstellung teuer. Darüberhinaus besitzen optische Filter mit bewegli­ chen Bauteilen geringe Zuverlässigkeit und niedrigere Schaltgeschwin­ digkeiten als elektronisch gesteuerte optische Filter.
Optische Filter auf der Grundlage von akustooptischer TE/TM-Moden­ umsetzung und Wellenleitern wurden ebenfalls entwickelt. Allerdings erfordern diese Filter eine relativ komplexe Treiberschaltung zum Erzeu­ gen der benötigten akustischen Wellen. Ferner sind die Filter relativ groß und haben eine Länge in der Größenordnung von 1 bis 2 Zen­ timetern. Außerdem wurden optische Filter auf der Grundlage von Halb­ leiter-Laserdioden mit verteilter Rückkopplung (DFB) und mehrere Abschnitte aufweisenden Fabry-Perot-Laserdioden entwickelt. Derartige Halbleiterlaserstrukturen mit verteilter Rückkopplung werden mit einem Vorstrom betrieben, der auf einen Wert unterhalb eines Schwellenstroms für den Laserbetrieb eingestellt wird. Während diese Bauelemente den Vorteil besitzen, daß sie Verstärkung zeigen, haben sie doch auch ver­ schiedene Nachteile. Zunächst ist der Abstimmbereich dieser Halbleiter­ laservorrichtungen mit verteilter Rückkopplung nur so gering wie zwei Nanometer bei einer Wellenlänge von 1,5 Mikrometern für ein InGaAsP/InP-Bauelement. Außerdem besitzen sie eine sehr geringe Bandbreite aufgrund der Verstärkung, und sie sind empfindlich gegen­ über Sättigungserscheinungen, wenn die Leistung des ankommenden Signals zu groß ist.
Außerdem wurden optische Filter auf der Grundlage einer Laserstruktur mit verteilter Braggscher Reflexion (DBR) entwickelt. Die Laserstruktur mit verteilter Braggscher Reflexion wird eingesetzt als integrierter Empfänger innerhalb eines Lichtwellen-Nachrichtensystems. Die DBR- Laserstruktur wird elektrisch unter den Laserschwellenwert vorgespannt, um als multifunktionelles Element dadurch zu arbeiten, daß es den inte­ grierten Betrieb der Resonanzverstärkung und des Filterns der empfange­ nen Lichtwellensignale durchführt. Durch elektrisches Vorspannen des Bragg-Abschnitts der DBR-Laserstruktur ist es möglich, das Filter so abzustimmen, daß die gewünschte Wellenlänge ausgewählt wird. Die DBR-Laserstruktur hat einen größeren Abstimmbereich von bis zu 15 Nanometern im Vergleich zu DFB-Laserdioden, und sie kann unem­ pfindlich gegenüber der Leistung des Eingangssignals gemacht werden, in dem der Verstärkungsabschnitt aus den Filter entfernt wird. Aller­ dings arbeitet die DBR-Laserstruktur unter Verwendung von Reflexion, wobei das Ausgangssignal in den Eingangswellenleiter durch das Ein­ gangssignal hindurch zurückreflektiert wird, was zu Verlusten führt, wenn die Signale getrennt werden.
Offenbarung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung offenbart ein abstimmbares optisches Filter für den Einsatz in einem Wellenlängenmultiplexsystem. Das optische Filter enthält mehrere abstimmbare Reflexionsgitter, die sämtliche Kanäle der ankommenden Lichtwelle sperren. Die Gitter können derart abgestimmt werden, daß ihre Reflexionsbänder nicht übereinstimmen mit einem gewünschten Kanal oder gewünschten Kanälen, um auf diese Weise den gewünschten Kanal oder die gewünschten Kanäle durch das Filter durchlassen zu können.
In einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung besitzt das ab­ stimmbare optische Filter ein erstes Halbleitersubstrat mit einer Elektrode auf einer Oberfläche. Ein Wellenleiter ist in der Oberfläche des Substrats gebildet und seitlich definiert, um Lichtwellen zu führen. Mehrere abstimmbare Reflexionsgitter sind auf einer zweiten Fläche des Halbleitermaterials oben auf dem Wellenleiter vorgesehen. Auf beiden Seiten des Wellenleiters befindet sich ein isolierendes Substrat. Mehrere Elektroden steuern die abstimmbaren Reflexionsgitter derart, daß der effektive Brechungsindex eines Abschnitts des Wellenleiter unterhalb jedes Gitters variiert wird.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Diese und weitere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich für den Fachmann mühelos aus der nachfolgenden Beschreibung in Verbindung mit den Zeichnungen. Es zeigen:
Fig. 1 eine Querschnittansicht eines optischen Filters einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine Querschnittansicht des optischen Filters nach Fig. 1;
Fig. 3 ein veranschaulichendes Diagramm, welches das Durchlaßspektrum des Lichts darstellt, welches durch das Filter gelangt, wenn kein Strom an das Bauele­ ment gelegt wird;
Fig. 4 ein veranschaulichendes Diagramm, welches eines Wellenlängenverschiebung darstellt, die es einem Kanal gestattet, durch das Filter hindurchzugelangen;
Fig. 5 eine veranschaulichende Darstellung einer Wellen­ längenverschiebung, die ein Durchlassen mehrerer Kanäle durch das Filter gestattet;
Fig. 6 eine Querschnittdarstellung eines optischen Filters einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 7 eine Querschnittdarstellung des in Fig. 6 dargestellten optischen Filters.
Ausführliche Beschreibung der bevorzugten Ausführungsbeispiele
In Fig. 1 ist ein abstimmbares optisches Filter 10 nach einer Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Fig. 1 zeigt ein Beispiel für das optische Filter für ein Vierkanalsystem. Die Figur dient lediglich der Veranschaulichung, und der Fachmann versteht, daß die Erfindung nicht hierauf beschränkt ist. Bei dieser Ausführungsform ist das abstimmbare optische Filter aus einem InGaAsP/InP-Halbleitermate­ rial aufgebaut. Die Schichtstruktur des abstimmbaren optischen Filters umfaßt ein Substrat 14 aus n-InP-Material und einer Schicht 12 aus p- InP-Material. Zwischen der Schicht 12 und dem Substrat 14 ist ein Wellenleiter 22 ausgebildet, der aus eigenleitendem Material besteht. Zwischen dem Wellenleiter 22 und der Schicht 12 ist eine Beugungs­ gitterschicht 20 ausgebildet. Bei dieser Ausführungsform ist der Wellen­ leiter in vier Abschnitte unterteilt, da es sich um ein Vierkanalsystem handelt. In jedem Abschnitt ist die Periode des Reflexionsgitters ver­ schieden. Zwischen den verschiedenen Gitterabschnitten wird eine in Fig. 1 nicht dargestellte elektrische Isolierung benötigt. Die elektrische Isolierung kann durch Ionenimplantation gebildet werden oder durch Ersetzen der n-InP-Schicht 12 durch ein halbleitendes (mit Fe dotiertes) InP-Material zwischen den Gitterabschnitten. Um den Brechungsindex in den vier Abschnitten des Wellenleiters zu steuern, sind oben auf der Schicht 12 vier Elektroden 24, 26, 28 und 30 gebildet. Zusätzlich ist eine weitere Elektrode 16 auf dem Boden des Substrats 14 gebildet. Schließlich ist gemäß Fig. 2 eine halbisolierende InP-Schicht auf jeder Seite des Wellenleiters 22 gebildet, um die Schicht 12 vom Substrat 14 zu trennen. Der optische Wellenleiter 22 ist aus einem InGaAsP-Kern gebildet, der eine Bandlücke mit einer kürzeren Wellenlänge hat als das durchlaufende Licht, um eine Absorption zu vermeiden. Der Wellen­ leiter 22 ist umgeben von InP-Material, so daß es eine vergrabene Heterostruktur bildet. Die Braggschen Beugungsgitter sind in der Schicht 20 unter Verwendung von InGaAsP- und InP-Material ausgebildet. Dies kann nach einem der bekannten Verfahren, wie sie bei DFB-Lasern verwendet werden, geschehen, beispielsweise durch direktes Elektronen­ strahlschreiben, Ätzen und erneutes Wachstum.
Da der Wellenleiter 22 aus einem eigenleitenden Kernmaterial besteht und die zwei Substrate 12 und 14 aus p-InP-Material bzw. n-InP- Material bestehen, bildet die erhaltene Struktur eine P-I-N-Dioden­ struktur, welche die Injektion von Elektronen und Löchern in den eigen­ leitenden Wellenleiter 22 gestattet. Die halbisolierende InP-Schicht 18 dient an den Seiten des Wellenleiters 20 dazu, den Strom auf den eigen­ leitenden Wellenleiter zu begrenzen. Die injizierten Ladungsträger ändern den Brechungsindex des Wellenleiters und ermöglichen somit die Abstimmung auf die Wellenlänge des Reflexionsbandes des entsprechenden Gitters. Um ein unabhängiges Abstimmen der vier Gitterabschnitte zu ermöglichen, gibt es vier elektrische Kontakte oben auf der p-InP-Schicht.
Typische Bauelementabmessungen sind folgende: Der Wellenleiter 22 hat eine Dicke zwischen 0,2 und 0,6 Mikrometern bei einer Breite von annähernd 1 Mikrometer. Die Schicht 12 hat eine Dicke zwischen 1 und 3 Mikrometer bei einer Länge für jeden Gitterabschnitt zwischen 200 und 500 Mikrometern. Die elektrische Isolierung zwischen den Gitter­ abschnitten liegt zwischen 10 und 50 Mikrometern. Deshalb beträgt die Gesamtlänge für ein Vier-Kanal-Beispiel zwischen 1 und 2 Millimetern.
Gemäß dem oben beschriebenen Aufbau des abstimmbaren Wellenlän­ genfilters wird das Prinzip, nach dem eine durchgelassene Wellenlänge gesteuert wird, im folgenden geschildert.
Nach Fig. 3 ist die Durchlässigkeit von Licht durch das Filter als Funk­ tion der Lichtwellenlänge dargestellt. Die Braggschen Beugungsgitter unterschiedlicher Perioden sperren Licht unterschiedlicher Wellenlängen gegenüber einem Durchlaufen dieses Abschnitts des Filters. Als Ergebnis wird es durch Auswahl von vier verschiedenen Perioden für die Beu­ gungsgitter vier verschiedenen Wellenlängenbändern des in ein Filter eintretenden Lichts nicht ermöglicht, das Filter zu durchlaufen, wie in Fig. 3 dargestellt ist. Durch Auswahl der Kanäle eines Nachrichten­ systems, d. h. λ1, λ2, λ3, λ4 zwecks Übereinstimmung mit den Wellen­ längen, die nicht durch das Filter durchgelassen werden sollen, kann das optische Filter die Wellenlängensignale steuern, die das Filter durch­ laufen sollen. Beim vorliegenden Ausführungsbeispiel sind die Gitter derart ausgebildet, daß sie die Kanäle sperren, wenn kein Strom an die Elektroden 24, 26, 28 und 30 gelegt wird. Wie in Fig. 4 dargestellt ist, wird, wenn ein Strom beispielsweise an die Elektrode 28 angelegt wird, der effektive Brechungsindex des Wellenleiterabschnitts unterhalb des Abschnitts, der den dritten Kanal blockiert hatte, geändert, so daß die Wellenlänge entsprechend dem dritten Kanal nicht mehr blockiert wird und durch das Filter hindurchgelangen kann. Es kann also jeder Kanal durch Anlegen einer geeigneten Spannung an die richtige Elektrode ausgewählt werden, was den Brechungsindex im Inneren des Wellenlei­ ters ändert.
Die Gitterabstimmung basiert auf einer Änderung des effektiven Bre­ chungsindex. Diese Änderung kann auf verschiedene Weise erreicht werden. Zunächst kann von der Injektion freier Ladungsträger in den Wellenleiter Gebrauch gemacht werden. Die Injektion freier Ladungs­ träger macht Gebrauch von der Vorspannung der P-I-N-Diodenstruktur in Durchlaßrichtung, um Ladungsträger in den Wellenleiter zu injizieren. Dieses Verfahren wird bei abstimmbaren DBR-Lasern eingesetzt, wie es offenbart ist in "Semiconductor Lasers for Coherent Optical Fiber Communications", T. Koch und U. Koren, Journal of Lightwave Technology, Vol. 8 (3), März 1990, S. 274-293. Außerdem kann von einer Verarmung an freien Ladungsträgern in einem Wellenleiter Gebrauch gemacht werden, um den effektiven Brechungsindex zu ändern. In diesem Fall sollte das für den Wellenleiter 22 verwendete InGaAsP-Material dotiert werden. Das Verfahren der Verarmung an freien Ladungsträgern macht sich eine Vorspannung in Sperrichtung zunutze, um die Ladungsträger aus dem Wellenleiter zu spülen und dadurch den effektiven Brechungsindex zu ändern. Der effektive Brechungsindex läßt sich auch durch elektrooptisches Abstimmen ändern. Beim elektrooptischen Abstimmen ändert ein elektrisches Feld, welches über eine in Sperrichtung vorgespannte P-I-N-Struktur angelegt wird, den Brechungsindex des Wellenleiters. Dies kann bei dem massiven Material geschehen, jedoch sollten vorzugsweise Quantenlöcher vorgesehen werden, um eine ausreichend große Indexänderung zu erlan­ gen. Die oben angegebenen Verfahren zum Bewirken einer Abstimmung sind nicht vollzählig, da auch andere Verfahren noch möglich sind. Wenn z. B. das Filter aus dielektrischem Material gefertigt wird, z. B. SiO2 auf einem Si-Substrat, wie es unten beschrieben ist, könnte die gesamte P-I-N-Diodenstruktur ersetzt werden durch einen einfachen Aufheizwiderstand in Berührung mit dem Wellenleiter, um den effekti­ ven Brechungsindex durch den thermooptischen Effekt zu ändern.
Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist ein Reflexionsgitter für jeden Kanal in dem Nachrichtensystem vorgesehen. Die Gitter sind derart ausgebildet, daß sie jeden Kanal blockieren, wenn kein Strom über die Elektroden 24, 26, 28 und 30 zugeführt wird. Da eine präzise Fertigung jedes Gitters schwierig sein kann, treten möglicherweise kleine Fehler in der Wellenlängenpositionierung der Gitter auf, so daß ein Gitter einen Kanal, der an sich blockiert werden sollte, möglicherweise nicht blockiert; man kann das Filter kompensieren durch Abstimmung des Gitters nach einem der oben diskutierten Verfahren. Wenn ferner der Kanalabstand groß genug ist, so daß, wenn ein Kanal geöffnet wird, das verschobene Reflexionsband einen Nachbarkanal nicht sperrt, so kann das Filter mehrere Kanäle durchlassen, anstatt nur einen einzigen. Dies ist in Fig. 5 dargestellt, aus der hervorgeht, daß die Gitter entsprechend den Kanälen 2 und 3 zum Durchlassen dieser Kanäle durch das Filter abgestimmt wurden, während die Kanäle 1 und 4 gesperrt bleiben. Dies kann dann von Vorteil sein, wenn das Filterbauelement in einem System verwendet wird, in welchem eine wellenlängenabhängige Wegführung erfolgt.
In den Fig. 6 und 7 ist eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dargestellt. Die Figuren dienen lediglich als Beispiel und zeigen ein Vierkanalfilter 60, welches aus dielektrischem Material aufge­ baut ist. Bei dieser Ausführungsform ist ein Wellenleiter auf Kieselerde­ basis mit einem SiO2-GeO2-Kern 66 in einem SiO2-Mantel 62 auf einem Si-Substrat 64 vergraben. Abstimmbare Reflexionsgitter 70 sind auf der Oberseite des Kerns 66 gebildet, indem die Oberseite des Kerns 66 vor dem erneuten Aufwachsen des SiO2-Mantels 62 auf der Oberseite des Kerns 66 geätzt wurde. Bei dieser Ausführungsform ist der Wellenleiter in vier Abschnitte unterteilt, da es sich um ein Vierkanalsystem handelt. In jedem Abschnitt ist die Periode des Reflexionsgitters verschieden. Die Reflexionsgitter 70 werden durch den thermooptischen Effekt abge­ stimmt, wobei der effektive Brechungsindex des Wellenleiterabschnitts unterhalb des jeweiligen Gitters durch eine Temperaturänderung geändert wird. Oben auf dem Wellenleiterabschnitt unterhalb jedes Reflexions­ gitters befindet sich ein Heizwiderstand, so daß der effektive Brechungs­ index für jedes Reflexionsgitter unabhängig gesteuert werden kann. Der Fachmann versteht, daß auch andere dielektrische Stoffe wie z. B. Si3N4 verwendet werden können. Aufgrund der thermischen Abstimmung hat diese Ausführungsform wahrscheinlich eine längere Schaltzeit und eine größere Abmessung als die InGaAsP/InP-Ausführung. Allerdings kann ein dielektrisches Filter mit thermooptischer Abstimmung auch in eini­ gen Anwendungsfällen eingesetzt werden, da es geringere Fertigungs­ kosten erfordert.
Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung werden eine große Anzahl von Gittern mit teilweise überlappenden Reflexions­ bändern und eine entsprechende Anzahl von Elektroden in dem optischen Filter verwendet, anstatt daß für jeden Kanal ein Gitter vorgesehen ist. Die Gitter sind derart ausgebildet, daß sie ein Wellenlängenband, welches größer als das Eingangswellenlängenband ist, vollständig sperren. Durch Ausgestaltung der Gitter derart, daß sie ein Wellenlän­ genband, welches größer als das verwendete Band ist, vollständig sperren, hat das Filter eine gewisse Toleranz gegenüber Unzulänglich­ keiten bei der Fertigung des Filters. Die Elektroden können dann dazu benutzt werden, den effektiven Brechungsindex der Wellenleiterabschnit­ te zu ändern, so daß ein oder mehrere Kanäle durch das Filter hindurch­ gelangen können. Dieser Aufbau hat verschiedene Vorteile. Zunächst blockieren die Gitter das spontane Emissionsrauschen außerhalb der Kanäle, welches durch die Verstärker innerhalb des Systems verursacht wird. Als Ergebnis wird am Filter ein ruhigeres Signal ausgegeben. Ferner kann das Filter elektrisch neu konfiguriert werden, wenn sich die Kanalkonfiguration des Systems ändert.
Material und Zusammensetzung des Filters der vorliegenden Erfindung können durch andere Halbleiterstoffe ersetzt werden, beispielsweise durch Material des AlGaAs/GaAs-Systems oder dielektrisches Material wie z. B. TiO2, Al2O3, usw. Darüberhinaus ist die Struktur des optischen Wellenleiters nicht auf die Planarstruktur oder die vergrabene Struktur begrenzt. Der Fachmann versteht, daß die vorliegende Erfindung in anderen spezifischen Formen ausgebildet werden kann, ohne vom Grundgedanken oder dem wesentlichen Charakter der Erfindung abzu­ weichen. Die hier offenbarten Ausführungsbeispiele sollen deshalb in jeder Hinsicht als beispielhaft und nicht beschränkend verstanden werden. Der Schutzumfang der Erfindung ist durch die beigefügten Ansprüche definiert und nicht durch die vorausgehende Beschreibung, und sämtliche Änderungen innerhalb des Grundgedankens und des Schutzumfangs der Äquivalente sind mit eingeschlossen.

Claims (24)

1. Abstimmbares optisches Filter, umfassend:
ein erstes Halbleitersubstrat mit einer auf einer ersten Fläche von ihm vorgesehenen Elektrodenanordnung;
eine Wellenleitereinrichtung, die innerhalb der Fläche des Substrats ausgebildet und seitlich definiert ist, um Lichtwellen zu führen;
mehrere abstimmbare Reflexionsgittereinrichtungen, die auf einer zweiten Fläche des Halbleitersubstrats oben auf dem Wellenleiter vorgesehen sind;
eine isolierende Substrateinrichtung, die auf beiden Seiten des Wellenleiters vorgesehen ist; und
mehrere Elektrodeneinrichtungen, wobei jedes der abstimm­ baren Reflexionsgitter eine Elektrode aufweist, um einen effek­ tiven Brechungsindex eines Abschnitts des Wellenleiters un­ terhalb des Gitters zu variieren.
2. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem jedes abstimmbare Reflexionsgitter eine andere Periode besitzt.
3. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem jeder Kanal der ankommenden Lichtwelle durch eines der abstimm­ baren Reflexionsgitter gesperrt wird.
4. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem der effektive Brechungsindex geändert wird durch Injektion freier Ladungsträger in den Wellenleiter.
5. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem der effektive Brechungsindex geändert wird durch Verarmung an freien Ladungsträgern in dem Wellenleiter.
6. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem der effektive Brechungsindex durch elektrooptische Abstimmung geändert wird.
7. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem die Gitter derart beschaffen sind, daß sämtliche Kanäle blockiert sind, wenn zu der entsprechenden Elektrode kein Strom geführt wird.
8. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem der effektive Brechungsindex durch thermooptisches Abstimmen geändert wird.
9. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem die abstimmbaren Reflexionsgitter den gesamten Wellenlängen­ bereich eines Eingangssignals blockieren.
10. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem die abstimmbaren Reflexionsgitter sich teilweise überlappende Reflexionsbänder besitzen, um den gesamten Wellenlängen­ bereich eines Eingangssignals zu sperren.
11. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 1, bei dem die Reflexionsgitter mehrere Kanäle an einem Passieren des Filters hindern.
12. Abstimmbares optisches Filter für ein mehrere Kanäle aufwei­ sendes Nachrichtensystem, umfassend:
ein erstes Halbleitersubstrat mit einer ersten Elektrodeneinrich­ tung auf einer ersten Fläche des Substrats;
eine Wellenleitereinrichtung, die in der Fläche des Substrats ausgebildet und seitlich definiert ist, um Lichtwellen zu führen;
mehrere abstimmbare Reflexionsgittereinrichtungen, die auf einer zweiten Fläche des Halbleitersubstrats oben auf dem Wellenleiter vorgesehen sind, wobei jedes der abstimmbaren Reflexionsgitter einen speziellen Kanal des Nachrichtensystems sperrt;
eine isolierende Substrateinrichtung auf beiden Seiten der Wel­ lenleiter; und
mehrere Elektrodeneinrichtungen zum Variieren des effektiven Brechungsindex eines Abschnitts des Wellenleiters unterhalb des Gitters.
13. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem der effektive Brechungsindex geändert wird durch die Injektion freier Ladungsträger in den Wellenleiter.
14. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem der effektive Brechungsindex geändert wird durch eine Verarmung an freien Ladungsträgern innerhalb des Wellenleiters.
15. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem der effektive Brechungsindex durch elektrooptische Abstimmung geändert wird.
16. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem die Gitter sämtliche Kanäle blockieren, wenn den Elektroden kein Strom zugeleitet wird.
17. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 12, bei dem der effektive Brechungsindex durch thermooptisches Abstimmen geändert wird.
18. Abstimmbares optisches Filter, umfassend:
ein Substrat;
eine dielektrische Mantelschicht oben auf dem Substrat;
eine Wellenleitereinrichtung, die in der Fläche der Mantel­ schicht ausgebildet und seitlich definiert ist;
mehrere abstimmbare Reflexionsgittereinrichtungen, die oben auf dem Wellenleiter vorgesehen sind; und
mehrere Heizelemente oben auf der Mantelschicht, wobei jedes der abstimmbaren Reflexionsgitter ein Heizelement aufweist, um einen effektiven Brechungsindex eines Abschnitts des Wel­ lenleiters unterhalb des Gitters zu variieren.
19. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem jedes abstimmbare Reflexionsgitter eine verschiedene Periode besitzt.
20. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem jeder Kanal der ankommenden Lichtwelle von einem der ab­ stimmbaren Reflexionsgitter gesperrt wird.
21. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem der effektive Brechungsindex durch thermooptisches Abstimmen geändert wird.
22. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem die abstimmbaren Reflexionsgitter den gesamten Wellenlängen­ bereich eines Eingangssignals sperren.
23. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem die abstimmbaren Reflexionsgitter sich teilweise überlappende Reflexionsbänder besitzen, um den gesamten Wellenlängen­ bereich eines Eingangssignals zu sperren.
24. Abstimmbares optisches Filter nach Anspruch 18, bei dem die Reflexionsgitter mehrere Kanäle daran hindern, das Filter zu durchlaufen.
DE4327102A 1992-08-14 1993-08-12 Abstimmbares optisches Filter Ceased DE4327102A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US92944892A 1992-08-14 1992-08-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4327102A1 true DE4327102A1 (de) 1994-02-17

Family

ID=25457877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4327102A Ceased DE4327102A1 (de) 1992-08-14 1993-08-12 Abstimmbares optisches Filter

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5459799A (de)
JP (1) JPH06160655A (de)
CA (1) CA2101411C (de)
DE (1) DE4327102A1 (de)
FR (1) FR2694816B1 (de)
GB (1) GB2269679B (de)
SE (1) SE510040C2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10196035B4 (de) * 2001-02-15 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Anordnung zum Multiplexen und/oder Demultiplexen der Signale einer Mehrzahl optischer Datenkanäle
DE4328777B4 (de) * 1992-08-26 2007-11-22 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Optische Filtervorrichtung

Families Citing this family (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2725527B1 (fr) * 1994-10-10 1996-12-20 Talneau Anne Filtre optique pour plusieurs longueurs d'ondes guidees
US5671307A (en) * 1995-04-10 1997-09-23 Universite Laval Use of a temperature gradient to impose a chirp on a fibre bragg grating
FR2737942B1 (fr) * 1995-08-18 1997-11-07 Delorme Franck Composant d'emission laser accordable en longueur d'onde par variation d'absorption
US5699378A (en) * 1995-10-06 1997-12-16 British Telecommunications Public Limited Company Optical comb filters used with waveguide, laser and manufacturing method of same
US6198863B1 (en) 1995-10-06 2001-03-06 British Telecommunications Public Limited Company Optical filters
IL119006A (en) 1996-08-04 2001-04-30 B G Negev Technologies And App Optical filters with adjustable stay line
GB9616839D0 (en) * 1996-08-10 1996-09-25 Northern Telecom Ltd Optical waveguide bragg reflection gratings
US6078709A (en) * 1997-11-12 2000-06-20 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for monitoring multi-wavelength optical systems
KR100677011B1 (ko) 1998-02-20 2007-01-31 코닝 인코포레이티드 가변 광학 부가/하락 멀티플렉서
US6389199B1 (en) * 1999-02-19 2002-05-14 Corning Incorporated Tunable optical add/drop multiplexer
US6256428B1 (en) 1999-02-19 2001-07-03 Corning Incorporated Cascading of tunable optical filter elements
EP1075668A4 (de) * 1998-03-30 2004-07-28 Corning Inc Abstimmbares optisches bragg-gitter mit langer periode und faseroptik
GB2344657A (en) * 1998-11-06 2000-06-14 Univ Heriot Watt Wavelength selective optical filter
US6208773B1 (en) * 1999-02-18 2001-03-27 Trw Inc. Addressable, semiconductor adaptable Bragg gratings (ASABG)
AUPP930799A0 (en) * 1999-03-18 1999-04-15 University Of Sydney, The Optical planar waveguide device and method of its fabrication
US6400855B1 (en) 1999-04-16 2002-06-04 Radiant Photonics, Inc. N × N optical switching array device and system
JP3038383B1 (ja) * 1999-06-08 2000-05-08 東京大学長 光デバイス
US6411746B1 (en) 2000-01-18 2002-06-25 Corning Incorporated Thermally tunable optical devices
US6486999B1 (en) * 2000-03-15 2002-11-26 Agere Systems Inc. Using crystalline materials to control the thermo-optic behavior of an optical path
GB2362720A (en) * 2000-05-25 2001-11-28 Roke Manor Research Improvements in or relating to optical switching
US6888863B1 (en) 2000-06-30 2005-05-03 Lucent Technologies Inc. System comprising optical semiconductor waveguide device
GB2365994B (en) * 2000-08-18 2002-10-30 Marconi Comm Ltd Tunable optical filter
GB0101343D0 (en) * 2001-01-19 2001-03-07 Secr Defence Electro-optic waveguide device
GB0111049D0 (en) * 2001-05-04 2001-06-27 Bookham Technology Plc Optic device and method of operating the same
US6748125B2 (en) 2001-05-17 2004-06-08 Sioptical, Inc. Electronic semiconductor control of light in optical waveguide
US6738546B2 (en) * 2001-05-17 2004-05-18 Sioptical, Inc. Optical waveguide circuit including multiple passive optical waveguide devices, and method of making same
US6625348B2 (en) * 2001-05-17 2003-09-23 Optron X, Inc. Programmable delay generator apparatus and associated method
US6898352B2 (en) * 2001-05-17 2005-05-24 Sioptical, Inc. Optical waveguide circuit including passive optical waveguide device combined with active optical waveguide device, and method for making same
US6654511B2 (en) * 2001-05-17 2003-11-25 Sioptical, Inc. Optical modulator apparatus and associated method
US6842546B2 (en) * 2001-05-17 2005-01-11 Sioptical, Inc. Polyloaded optical waveguide device in combination with optical coupler, and method for making same
US6658173B2 (en) 2001-05-17 2003-12-02 Optronx, Inc. Interferometer and method of making same
US6646747B2 (en) 2001-05-17 2003-11-11 Sioptical, Inc. Interferometer apparatus and associated method
US6947615B2 (en) 2001-05-17 2005-09-20 Sioptical, Inc. Optical lens apparatus and associated method
US6690844B2 (en) * 2001-05-17 2004-02-10 Optronx, Inc. Optical fiber apparatus and associated method
US6608945B2 (en) 2001-05-17 2003-08-19 Optronx, Inc. Self-aligning modulator method and associated apparatus
US6760498B2 (en) * 2001-05-17 2004-07-06 Sioptical, Inc. Arrayed waveguide grating, and method of making same
US6891685B2 (en) * 2001-05-17 2005-05-10 Sioptical, Inc. Anisotropic etching of optical components
US6891985B2 (en) * 2001-05-17 2005-05-10 Sioptical, Inc. Polyloaded optical waveguide devices and methods for making same
US6690863B2 (en) 2001-05-17 2004-02-10 Si Optical, Inc. Waveguide coupler and method for making same
US6603889B2 (en) * 2001-05-17 2003-08-05 Optronx, Inc. Optical deflector apparatus and associated method
US6912330B2 (en) 2001-05-17 2005-06-28 Sioptical Inc. Integrated optical/electronic circuits and associated methods of simultaneous generation thereof
US6546167B1 (en) 2001-12-11 2003-04-08 Corning Incorporated Tunable grating optical device
JP2003195234A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Mitsubishi Electric Corp 可変分散補償装置及び可変分散補償装置用の基板
JP3938498B2 (ja) * 2001-12-28 2007-06-27 富士通株式会社 光波長フィルタ
FI114945B (fi) * 2002-09-19 2005-01-31 Nokia Corp Sähköisesti säädettävä diffraktiivinen hilaelementti
KR100472712B1 (ko) * 2002-10-30 2005-03-11 한국과학기술연구원 광섬유 격자, 그 격자의 유효굴절률 제어방법 및 이를이용한 광섬유 소자
WO2004044644A2 (en) * 2002-11-13 2004-05-27 Infoturn, Inc. Method and apparatus for a dynamically reconfigurable waveguide in an ingrated circuit
FR2848679B1 (fr) * 2002-12-16 2005-04-08 Teem Photonics Composant de filtrage en optique integree comprenant une gaine optique ainsi que son procede de realisation
US8792531B2 (en) 2003-02-25 2014-07-29 Finisar Corporation Optical beam steering for tunable laser applications
US8509582B2 (en) * 2005-08-30 2013-08-13 Rambus Delaware Llc Reducing light leakage and improving contrast ratio performance in FTIR display devices
US7962045B2 (en) 2006-12-22 2011-06-14 Finisar Corporation Optical transmitter having a widely tunable directly modulated laser and periodic optical spectrum reshaping element
US7941057B2 (en) 2006-12-28 2011-05-10 Finisar Corporation Integral phase rule for reducing dispersion errors in an adiabatically chirped amplitude modulated signal
US8131157B2 (en) 2007-01-22 2012-03-06 Finisar Corporation Method and apparatus for generating signals with increased dispersion tolerance using a directly modulated laser transmitter
EP2111678B1 (de) 2007-02-02 2015-04-08 Finisar Corporation Temperaturstabilisierende verpackung für optoelektronische komponenten in einem übertragungsmodul
US7991291B2 (en) 2007-02-08 2011-08-02 Finisar Corporation WDM PON based on DML
US8027593B2 (en) 2007-02-08 2011-09-27 Finisar Corporation Slow chirp compensation for enhanced signal bandwidth and transmission performances in directly modulated lasers
US8204386B2 (en) 2007-04-06 2012-06-19 Finisar Corporation Chirped laser with passive filter element for differential phase shift keying generation
US7991297B2 (en) 2007-04-06 2011-08-02 Finisar Corporation Chirped laser with passive filter element for differential phase shift keying generation
US7760777B2 (en) * 2007-04-13 2010-07-20 Finisar Corporation DBR laser with improved thermal tuning efficiency
US7778295B2 (en) * 2007-05-14 2010-08-17 Finisar Corporation DBR laser with improved thermal tuning efficiency
US8160455B2 (en) * 2008-01-22 2012-04-17 Finisar Corporation Method and apparatus for generating signals with increased dispersion tolerance using a directly modulated laser transmitter
US8260150B2 (en) 2008-04-25 2012-09-04 Finisar Corporation Passive wave division multiplexed transmitter having a directly modulated laser array
US8199785B2 (en) 2009-06-30 2012-06-12 Finisar Corporation Thermal chirp compensation in a chirp managed laser
US9172211B2 (en) * 2011-11-09 2015-10-27 Thorlabs Quantum Electronics, Inc. Heating elements for multi-wavelength DBR laser
US8873963B2 (en) 2012-07-25 2014-10-28 Doron Handelman Apparatus and methods for generating and receiving optical signals at substantially 100Gb/s and beyond
US10727640B2 (en) * 2018-12-27 2020-07-28 Intel Corporation Multi-wavelength laser
US20220171105A1 (en) * 2020-09-11 2022-06-02 Board Of Regents, The University Of Texas System Resonant filters having simultaneously tuned central wavelengths and sidebands

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4278327A (en) * 1979-11-26 1981-07-14 Sperry Corporation Liquid crystal matrices
GB8502013D0 (en) * 1985-01-26 1985-02-27 Plessey Co Plc Integrated optical device
JPS61255085A (ja) * 1985-05-08 1986-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
US4750801A (en) * 1985-09-30 1988-06-14 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Optical waveguide resonator filters
US4830448A (en) * 1985-10-11 1989-05-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light modulator and wave guide device
JPS62260120A (ja) * 1986-05-07 1987-11-12 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 半導体外部光変調器
JP2825508B2 (ja) * 1987-10-09 1998-11-18 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置および光通信システム
JPH01186918A (ja) * 1988-01-20 1989-07-26 Nec Corp 光分波器
NL8801561A (nl) * 1988-06-17 1990-01-16 Imec Inter Uni Micro Electr Inrichting voor optische signaalverwerking met transistorwerking.
US4930117A (en) * 1988-06-24 1990-05-29 The Boeing Company Wavelength division multiplexing system using optical switch
JPH0262501A (ja) * 1988-08-29 1990-03-02 Nec Corp 半導体可変波長フィルタ
US4923264A (en) * 1989-01-18 1990-05-08 University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education Resonance coupled optical coupler with semiconductor waveguide layer comprising a multi-quantum-well structure
EP0391334B1 (de) * 1989-04-04 1994-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Halbleiterlaser mit veränderbarer Emissionswellenlänge und selektives Wellenlängenfitter und Verfahren zum Betrieb derselben
FR2655433B1 (fr) * 1989-12-01 1992-06-26 France Etat Procede et dispositif de modulation electro-optique, utilisant la transition oblique a basse energie d'un super-reseau tres couple.
US5022730A (en) * 1989-12-12 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Wavelength tunable optical filter
US5048907A (en) * 1990-02-23 1991-09-17 Amoco Corporation Electric field induced quantum well waveguides
EP0496348B1 (de) * 1991-01-22 1997-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Lichtdetektor-Vorrichtungen für mehrere Wellenlängen mit reihenweise angeordneten Gitter-Richtkopplern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4328777B4 (de) * 1992-08-26 2007-11-22 Telefonaktiebolaget Lm Ericsson (Publ) Optische Filtervorrichtung
DE10196035B4 (de) * 2001-02-15 2005-09-08 Infineon Technologies Ag Anordnung zum Multiplexen und/oder Demultiplexen der Signale einer Mehrzahl optischer Datenkanäle

Also Published As

Publication number Publication date
SE9302543L (sv) 1994-02-15
GB2269679A (en) 1994-02-16
FR2694816A1 (fr) 1994-02-18
US5459799A (en) 1995-10-17
FR2694816B1 (fr) 1995-11-17
SE510040C2 (sv) 1999-04-12
GB9315730D0 (en) 1993-09-15
CA2101411A1 (en) 1994-02-15
GB2269679B (en) 1996-05-22
SE9302543D0 (sv) 1993-08-02
JPH06160655A (ja) 1994-06-07
CA2101411C (en) 2003-06-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4327102A1 (de) Abstimmbares optisches Filter
DE69033405T2 (de) Abstimmbare Laserdiode mit verteilter Rückkoppelung
DE4328777B4 (de) Optische Filtervorrichtung
DE69607493T2 (de) Polarisationsmodenselektiver Halbleiterlaser, Modulationsverfahren und optisches Kommunikationssystem unter Verwendung dieses Lasers
DE69612104T2 (de) Optische filter
DE69104429T2 (de) Optisches Halbleiterbauelement.
DE69420156T2 (de) Schnell abstimmbarer integrierter Laser
DE69526041T2 (de) Halbleiterlaser, Modulationsverfahren und optisches Kommunikationssystem
DE69407312T2 (de) Integrierte optische Halbleiteranordnung und Herstellungsverfahren
DE69408276T2 (de) Digital, reflektiv abstimmbarer Laser
EP0418705B1 (de) Interferometrischer Halbleiterlaser
DE69609547T2 (de) Optischer Halbleitervorrichtung, Antriebsverfahren und optisches Kommunikationssystem
DE3781931T2 (de) Halbleiterlaser mit verteilter rueckkopplung und kontinuierlich abstimmbarer wellenlaenge.
DE69111197T2 (de) Abstimmbarer Halbleiterlaser mit verteilter Rückkopplung.
DE69614602T2 (de) Optische Halbleitervorrichtung, Verfahren zu ihrer Ansteuerung, Verwendung der Vorrichtung als Lichtquelle und optisches Kommunikationssystemes mit einer derartigen Lichtquelle
DE69505064T4 (de) Wellenlängenabstimmbarer Halbleiterlaser
DE19633373A1 (de) Aufbau eines in der Wellenlänge abstimmbaren Lasers
DE3884503T2 (de) Halbleiterlaser.
DE69011921T2 (de) Halbleiterlaser mit veränderbarer Emissionswellenlänge und selektives Wellenlängenfitter und Verfahren zum Betrieb derselben.
EP0397045A2 (de) Halbleiterlaser
DE69101693T2 (de) Halbleiter-Wellenlängenwandler.
DE69029207T2 (de) Optische Halbleitervorrichtung
DE69801709T2 (de) Optisches Übertragungssystem mit dynamischer Kompensation der übertragenen Leistung
DE69611409T2 (de) Integriertes optoelektronisches Bauelement
DE69331426T2 (de) Optischer Empfänger, optische Halbleitervorrichtung und dieselbigen verwendendes optisches Kommunikationssystem

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8131 Rejection