FR2694816A1 - Filtre optique accordable. - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 59
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 22
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000969 carrier Substances 0.000 claims description 9
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 5
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 6
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000000411 transmission spectrum Methods 0.000 description 1
Classifications
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
- G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction in an optical waveguide structure
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
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- G—PHYSICS
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on thermo-optic effects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
- G02F2201/307—Reflective grating, i.e. Bragg grating
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
- G02F2203/055—Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5045—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement having a frequency filtering function
Landscapes
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
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Abstract
L'invention concerne les filtres optiques. Un filtre optique accordable prévu pour l'utilisation dans des systèmes à multiplexage par répartition en longueur d'onde comporte un ensemble de réseaux de réflexion accordables (20) qui bloquent tous les canaux dans l'onde lumineuse entrante. Une électrode (24, 26, 28, 30) ou un élément chauffant est incorporé pour chaque réseau de réflexion (20), de façon à accorder les réseaux de réflexion pour que leurs bandes de réflexion ne coïncident pas avec un ou plusieurs canaux désirés, grâce à quoi ces canaux désirés peuvent traverser le filtre. Application aux télécommunications optiques utilisant le multiplexage par répartition en longueur d'onde.
Description
La présente invention concerne un dispositif consistant en un filtre
optique, et elle concerne plus particulièrement un filtre optique accordable dans
lecuel une ou plusieurs longueurs dl onde pré-
déterminées d'un signal optique sont sélectionnées à partir de signaux optiques multiplexés par répartition en
longueur d'onde.
Des systèmes de télécommunication par ondes lumineuses utilisant le multiplexage de longueur d'onde
(ou WDM),non cohérents et à densité élevée, sont intéres-
sants en comparaison avec des systèmes de télécommunica-
tion cohérents (de type hétérodyne), du fait que le système non cohérent utilise le grand domaine de longueurs d'onde (fréquences) qui est disponible dans une fibre optique en attribuant des longueurs d'onde différentes à différents canaux dans le système de télécommunication Le récepteur d'ondes lumineuses, qui assure le filtrage, l'amplification et la détection des signaux d'ondes lumineuses, constitue un composant clé dans un système de télécommunication par ondes lumineuses à multiplexage de longueur d'onde, de type non cohérent Si on utilise une détection directe au lieu d'une détection cohérente, il
sera nécessaire d'employer des filtres optiques accorda-
bles pour séparer les différentes longueurs d'onde
(canaux) multiplexées, à la fois dans un but d'achemine-
ment et dans un but de détection finale Un récepteur à multiplexage de longueur d'onde utilisant la détection optique directe doit filtrer de façon optique le signal à multiplexage de longueur d'onde multifréquence, pour transmettre seulement le ou les canauxdésirés au détecteur optique direct Un filtre optique accordable a donc la fonction qui consiste à sélectionner un signal de lumière de longueur d'onde prédéterminée, parmi l'ensemble de signaux d'ondes lumineuses qui sont multiplexés Par conséquent, le but d'un filtre optique accordable est de sélectionner un canal (ou plusieurs canaux) dans un signal optique à multiplexage de longueur d'onde entrant donné, et d'empêcher que les autres canaux ne traversent le filtre. On a développé plusieurs filtres optiques différents On a développé des filtres de Fabry-Pérot avec accord mécanique, c'est-à-dire des filtres utilisant un élément piézoélectrique Cependant, l'utilisation de
filtres actionnés mécaniquement présente plusieurs incon-
vénients Premièrement, des filtres optiques comportant des composants mobiles sont de façon caractéristique volumineux et leur fabrication est coûteuse De plus, des filtres optiques comportant des composants mobiles ont une
mauvaise fiabilité et des vitesses de commutation infé-
rieures à celles de filtres optiques à commande électronique.
On a également développé des filtres
optiques basés sur une conversion de modes TE/TM acousto-
optique et sur des guides d'ondes Cependant, ces filtres exigent un circuit d'attaque relativement complexe pour générer les ondes acoustiques exigées De plus, les filtres sont relativement grands, avec une longueur de l'ordre d'un à deux centimètres On a également développé
des filtres optiques basés sur des diodes lasers à semi-
conducteurs à réaction répartie (ou DFB) et sur des diodes lasers du type Fabry-Pérot à sections multiples On fait fonctionner de telles structures lasers à semiconducteurs à réaction répartie avec un courant de polarisation fixé au-dessous du courant de seuil pour l'émission laser Bien que ces dispositifs aient l'avantage d'avoir un gain, ils ont également plusieurs inconvénients Premièrement, la gamme d'accord de ces dispositifs lasers à semiconducteurs
à réaction répartie est faible, soit moins de deux nanomè-
tres à une longueur d'onde de 1,5 micromètre pour un dispositif In Ga As P/In P En outre, ils ont une largeur de bande très étroite à cause du gain, et ils sont suceptibles de faire apparaître des effets de saturation
si la puissance du signal entrant est trop élevée.
On a également développé des filtres optiques basés sur une structure laser à réflexion de Bragg répartie (ou DBR) La structure laser à réflexion de Bragg répartie est employée sous la forme d'un récepteur intégré
dans un système de télécommunication par ondes lumineuses.
La structure laser DBR est polarisée électriquement au-
dessous du seuil d'émission laser pour travailler à la manière d'un élément multifonction en accomplissant
l'opération intégrée d'amplification et de filtrage réson-
nants des signaux d'ondes lumineuses qui sont reçus En polarisant électriquement la section de Bragg de la structure laser DBR, il est possible d'accorder le filtre de façon à sélectionner la longueur d'onde désirée La structure laser DBR a une plus grande gamme d'accord que les diodes lasers DFB (jusqu'à 15 manomètres), et on peut la rendre insensible à la puissance du signal d'entrée en éliminant la section d'amplification Cependant, la structure laser DBR fonctionne en utilisant une réflexion dans laquelle le signal de sortie est réfléchi vers l'arrière dans le guide d'ondes d'entrée, à travers le
signal d'entrée, ce qui entraîne des pénalités d'atténua-
tion lorsque les signaux sont séparés.
La présente invention décrit un filtre optique accordable prévu pour l'utilisation dans un système de multiplexage par répartition en longueur d'onde Le filtre optique contient un ensemble de réseaux de réflexion accordables qui arrêtent tous les canaux de l'onde lumineuse entrante On peut accorder les réseaux de façon que leurs bandes de réflexion ne coïncident pas avec un ou plusieurs canaux désirés, pour permettre ainsi au canal ou
aux canaux désirés de traverser le filtre.
Dans un mode de réalisation de la présente invention, le filtre optique accordable comporte un premier substrat semiconducteur qui présente une électrode sur une surface Un guide d'ondes est formé dans la
surface du substrat et est défini latéralement à l'inté-
rieur de cette surface, pour acheminer des ondes lumineuses Un ensemble de réseaux de réflexion accorda-
bles sont formés sur une seconde surface du semiconduc-
teur, au sommet du guide d'ondes Un substrat isolant est placé de part et d'autre du guide d'ondes Un ensemble
d'électrodes commandent les réseaux de réflexion accorda-
bles de façon à faire varier l'indice de réfraction effectif d'une section du guide d'ondes au-dessous de
chaque réseau.
Ces caractéristiques et avantages de la présente invention, ainsi que d'autres, apparaîtront aisément à
l'homme de l'art en lisant la description écrite qui suit
et en se référant conjointement aux dessins, dans lesquels: la figure 1 est une représentation en coupe d'un filtre optique d'un mode de réalisation de la présente invention; la figure 2 est une représentation en coupe transversale du filtre optique qui est représenté sur la figure 1; la figure 3 est une représentation graphique explicative montrant le spectre de transmission de la lumière qui traverse le filtre lorsque aucun courant n'est appliqué au dispositif; la figure 4 est une représentation graphique explicative montrant un décalage de longueur d'onde pour permettre le passage d'un canal à travers le filtre; la figure 5 est une représentation graphique explicative montrant un décalage de longueur d'onde pour permettre le passage de plusieurs canaux à travers le filtre; la figure 6 est une représentation en coupe d'un filtre optique d'un autre mode de réalisation de la présente invention; et la figure 7 est une représentation en coupe transversale du filtre optique qui est représenté sur la figure 6. La figure 1 montre un filtre optique accordable conforme à un mode de réalisation de la présente invention La figure 1 illustre un exemple du filtre optique pour un système à quatre canaux La figure est donnée uniquement à titre d'illustration et l'homme de l'art comprendra que l'invention n'est pas limitée à ce cas Dans ce mode de réalisation, le filtre optique
accordable est réalisé à partir d'un matériau semiconduc-
teur In Ga As P/In P La structure de couches du filtre optique accordable comprend un substrat 14 en matériau In P de type N et une couche 12 en matériau In P de type p Un guide d'ondes 22 est formé entre la couche 12 et le substrat 14 et il est réalisé à partir d'un matériau intrinsèque Une couche de réseau de diffraction 20 est formée entre le guide d'ondes 22 et la couche 12 Dans ce mode de réalisation, le guide d'ondes est divisé en quatre sections, du fait qu'il s'agit d'un système à quatre canaux Dans chaque section, la période du réseau de réflexion est différente Une isolation électrique, qui n'est pas représentée sur la figure 1, est nécessaire entre les différentes sections de réseau L'isolation électrique peut être formée par implantation ionique ou par remplacement de la couche en In P de type n, 12, par un matériau In P semi-isolant (dopé avec Fe), entre les sections de réseau Dans le but de commander l'indice de réfraction dans les quatre sections du guide d'ondes, quatre électrodes 24, 26, 28 et 30 sont formées sur la surface supérieure de la couche 12 De plus, une autre électrode 16 est formée sur la surface inférieure du substrat 14 Enfin, comme représenté sur la figure 2, une couche consistant en In P semi-isolant est formée de part et d'autre du guide d'ondes 22 dans le but de séparer la couche 12 vis-à-vis du substrat 14 Le guide d'ondes optique 22 est réalisé à partir d'un coeur en In Ga As P qui a une bande interdite correspondant à une longueur d'onde plus courte que celle de la lumière qui passe à travers, afin d'éviter une absorption Le guide d'ondes 22 est entouré par du matériau In P de façon qu'il forme une hétérostructure enterrée Les réseaux de diffraction de Bragg sont formés dans la couche 20, en utilisant des matériaux In Ga As P et In P On peut réaliser ceci par l'un des procédés bien connus qui sont utilisés dans des lasers
du type DFB, comme l'écriture directe par faisceau d'élec-
trons, la gravure et la recroissance.
Du fait que le guide d'ondes 22 est formé à partir d'un matériau de coeur intrinsèque et que les deux substrats 12 et 14 sont respectivement formés à partir d'un matériau In P de type p et d'un matériau In P de type n, la structure résultante définit une structure de diode P-I-N qui permet l'injection d'électrons et de trous dans
le guide d'ondes intrinsèque 22 La couche en In P semi-
isolant, 18, est utilisée sur les côtés du guide d'ondes dans le but de confiner le courant au guide d'ondes intrinsèque Les porteurs injectés changeront l'indice de réfraction du guide d'ondes et ils permettront ainsi d'accorder la longueur d'onde de la bande de réflexion du
réseau correspondant Pour permettre d'accorder indépen-
damment les quatre sections de réseau, quatre contacts électriques sont formés sur la surface supérieure de la couche en In P de type p. Le dispositif décrit ci-dessus peut avoir les dimensions caractéristiques suivantes Le guide d'ondes 22
peut avoir une épaisseur comprise entre 0,2 et 0,6 micro-
mètre, avec une largeur d'environ 1 micromètre La couche
12 peut avoir une épaisseur comprise entre 1 et 3 micro-
mètres, avec une longueur pour chaque section de réseau
comprise entre 200 et 500 micromètres L'isolation élec-
trique entre les sections de réseau peut être comprise entre 10 et 50 micromètres Par conséquent, la longueur totale pour un exemple à quatre canaux peut être comprise
entre 1 et 2 millimètres.
On expliquera ci-après le principe de la com-
mande d'une longueur d'onde de transmission, en accord avec la structure décrite ci-dessus pour le filtre à
longueur d'onde accordable.
La figure 3 illustre la transmission de la lumière à travers le filtre en fonction de la longueur d'onde de la lumière Des réseaux de diffraction de Bragg ayant différentes périodes bloquent le passage de la lumière de différentes longueurs d'onde à travers la partie correspondante du filtre Il en résulte qu'en sélectionnant quatre périodes différentes pour les réseaux
de diffraction, quatre bandes de longueurs d'ondes diffé-
rentes de la lumière entrant dans un filtre ne pourront
pas traverser le filtre, comme représenté sur la figure 3.
En sélectionnant les canaux d'un système de télécommunica-
tion, c'est-à-dire > 1 ' À 2 ' 4 À 4, de façon qu'ils coïncident avec les longueurs d'onde dont la transmission à travers le filtre est interdite, le filtre optique peut commander les signaux de longueur d'onde qui traversent le filtre Dans le mode de réalisation présent, les réseaux sont conçus de façon à bloquer les canaux lorsque aucun
courant n'est appliqué aux électrodes 24, 26, 28 et 30.
Comme représenté sur la figure 4, lorsqu'un courant est appliqué, par exemple à l'électrode 28, l'indice de réfraction effectif de la section de guide d'ondes qui se trouve au-dessous de la section qui bloquait le troisième canal est changé, ce qui fait que la longueur d'onde correspondant au troisième canal n'est plus bloquée et est autorisée à traverser le filtre Il en résulte que l'on peut sélectionner n'importe quel canal en appliquant la tension appropriée à l'électrode appropriée qui change
l'indice de réfraction à l'intérieur du guide d'ondes.
L'accord du réseau est basé sur un changement de l'indice de réfraction effectif Ce changement peut être obtenu de plusieurs manières Premièrement, on peut utiliser une injection de porteurs libres dans le guide d'ondes Le procédé d'injection de porteurs libres utilise une polarisation de sens direct dans une structure de diode P-I-N pour injecter des porteurs dans le guide
d'ondes Ce procédé est utilisé dans des lasers DBR accor-
dables, comme il est indiqué dans l'article "Semiconductor Lasers for Coherent Optical Fiber Communications", T Koch et U Koren, Journal of Lightwave Technology, Vol 8 ( 3), mars 1990, pages 274-293 On peut également utiliser la désertion de porteurs libres dans un guide d'ondes pour changer l'indice de réfraction effectif Dans ce cas, le matériau In Ga As P qui est utilisé pour le guide d'ondes 22 doit être dopé Le procédé de désertion de porteurs libres utilise une polarisation inverse pour entraîner les porteurs hors du guide d'ondes, ce qui a pour effet de changer l'indice de réfraction effectif On peut également changer l'indice de réfraction effectif en utilisant l'accord électro- optique Dans l'accord électro-optique, un champ électrique appliqué par l'intermédiaire d'une structure P-I-N polarisée en inverse change l'indice de réfraction du guide d'ondes On peut effectuer ceci avec un matériau massif, mais on utilisera probablement des puits quantiques dans le but d'obtenir un changement d'indice suffisant Les procédés énumérés ci-dessus pour réaliser l'accord ne sont pas exclusifs, du fait que d'autres procédés sont également possibles Par exemple,
si le filtre était réalisé à partir d'un matériau diélec-
trique, tel que Si O 2 sur un substrat en Si, comme décrit ci- dessous, la structure de diode P-I-N complète pourrait être remplacée par une simple résistance chauffante en contact avec le guide d'ondes, pour changer l'indice de
réfraction effectif par effet thermo-optique.
Dans le mode de réalisation présent, un réseau de réflexion est employé pour chaque canal dans le système de télécommunication Les réseaux sont conçus pour bloquer chaque canal lorsque aucun courant n'est appliqué par l'intermédiaire d'électrodes 24, 26, 28 et 30 Du fait que
la fabrication précise de chaque réseau peut être diffi-
cile, c'est-à-dire que de petites erreurs dans le posi-
tionnement de longueur d'onde des réseaux peuvent se produire, ce qui fait qu'un réseau ne bloque pas un canal qu'il devrait bloquer, on peut compenser le filtre en
accordant le réseau par l'un des procédés exposés ci-
dessus En outre, si l'écartement des canaux est suffi-
samment grand pour que lorsqu'un canal est ouvert, la bande de réflexion décalée ne bloque pas un canal voisin, le filtre peut autoriser le passage de plusieurs canaux au lieu d'un seul Ceci est illustré sur la figure 5, qui montre que les réseaux correspondant aux canaux 2 et 3 ont été accordés de façon à permettre le passage de ces canaux à travers le filtre, tandis que les canaux 1 et 4 restent bloqués Ceci peut être avantageux lorsque le filtre est utilisé dans un système pour définir l'itinéraire de
signaux en fonction de la longueur d'onde.
Les figures 6 et 7 illustrent un autre mode de réalisation de la présente invention Ces figures n'ont qu'un but d'illustration et elles montrent un filtre à quatre canaux 60 qui est réalisé à partir d'un matériau diélectrique Dans ce mode de réalisation, un guide d'ondes à base de silice avec un coeur 66 en Si O 2-Ge O 2, est enterré dans une gaine 62 en Si O 2 r sur un substrat en Si, 64 Des réseaux de réflexion accordables 70 sont formés sur la surface supérieure du coeur 66 par gravure de la surface supérieure du coeur 66 avant la recroissance de la gaine 62 en Si O 2 sur le coeur 66 Dans ce mode de réalisation, le guide d'ondes est divisé en quatre sections, du fait qu'il s'agit d'un système à quatre canaux Dans chaque section, la période du réseau de réflexion est différente Les réseaux de réflexion 70 sont accordés par effet thermo-optique, dans lequel l'indice de réfraction effectif de la section de guide d'ondes se
trouvant au-dessous des réseaux est changé par un change-
ment de température Une résistance chauffante est déposée sur la surface supérieure de la section de guide d'ondes, au-dessous de chaque réseau de réflexion, de façon que l'indice de réfraction effectif pour chaque réseau de réflexion puisse être commandé indépendamment L'homme de l'art notera que l'on pourrait également utiliser d'autres matériaux diélectriques, tels que Si 3 N 4 Du fait de
l'accord thermique, ce mode de réalisation aura probable-
ment une durée de commutation plus longue et une plus grande taille que le mode de réalisation basé sur In Ga As P/
In P Cependant, un filtre diélectrique avec accord thermo-
optique peut néanmoins être utilisé dans certaines appli-
cations, du fait de coûts de fabrication inférieurs.
Dans un autre mode de réalisation de la présente invention, on utilise dans le filtre optique un grand
nombre de réseaux ayant des bandes de réflexion se recou-
vrant partiellement et un nombre correspondant d'élec-
trodes, au lieu d'avoir un réseau pour chaque canal Les réseaux sont conçus de façon à bloquer complètement une bande de longueurs d'onde qui est plus grande que la bande de longueurs d'onde d'entrée En concevant les réseaux de façon à bloquer complètement une bande de longueurs d'onde qui est plus grande que la bande utilisée, le filtre présente une certaine tolérance vis-à-vis d'imperfections
dans sa fabrication On peut ensuite utiliser les élec-
trodes pour changer l'indice de réfraction effectif des sections de guide d'ondes, pour permettre à un ou il
plusieurs canaux de traverser le filtre Cette configu-
ration offre plusieurs avantages Premièrement, les
réseaux bloquent le bruit d'émission spontanée à l'exté-
rieur des canaux qui est occasionné par les amplificateurs dans le système Il en résulte que le filtre fournit en
sortie un signal moins bruyant De plus, on peut reconfi-
gurer le filtre de manière électrique si la configuration
de canaux du système change.
On peut remplacer le matériau et la composition du filtre de la présente invention par d'autres matériaux
semiconducteurs, comme par exemple un matériau correspon-
dant au système Al Ga As/Ga As, ou un matériau diélectrique
tel que par exemple Ti O 2 p A 1203 etc En outre, la struc-
ture de guide d'ondes optique n'est pas limitée à une
structure plane et une structure enterrée.
Il va de soi que de nombreuses modifications peuvent être apportées au dispositif décrit et représenté,
sans sortir du cadre de l'invention.
Claims (20)
1 Filtre optique accordable ( 10), caractérisé en ce qu'il comprend: un premier substrat semiconducteur ( 14) ayant une première structure d'électrode ( 16) formée sur une première surface de ce substrat; un guide d'ondes ( 22) formé dans la surface du substrat ( 14) et défini
latéralement à l'intérieur de cette surface, pour achemi-
ner des ondes lumineuses; un ensemble de réseaux de réflexion accordables ( 20) formés sur une seconde surface du substrat semiconducteur ( 14) au-dessus du guide d'ondes ( 22); une structure de substrat isolant ( 18) formée de part et d'autre du guide d'ondes ( 22); et un ensemble d'électrodes ( 24, 26, 28, 30), dans lequel chacun des
réseaux de réflexion accordables ( 20) comporte une élec-
trode pour faire varier un indice de réfraction effectif d'une section du guide d'ondes ( 22) se trouvant au-dessous
de ce réseau ( 20).
2 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 1, caractérisé en ce que chaque réseau de réflexion
accordable ( 20) a une période différente.
3 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 1, caractérisé en ce que chaque canal de l'onde lumineuse entrante est bloqué par l'un des réseaux de
réflexion accordables ( 20).
4 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 1, caractérisé en ce que l'indice de réfraction effectif est changé par injection de porteurs libres dans
le guide d'ondes ( 22).
Filtre optique accordable selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que l'indice de réfraction effectif est changé par désertion de porteurs libres dans
le guide d'ondes ( 22).
6 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 1, caractérisé en ce que l'indice de réfraction
effectif est changé par accord électro-optique.
7 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 1, caractérisé en ce que les réseaux ( 20) sont tels que tous les canaux sont bloqués lorsque aucun courant
n'est appliqué à l'électrode correspondante.
8 Filtre optique accordable selon la revendi- cation 1, caractérisé en ce que l'indice de réfraction
effectif est changé par accord thermo-optique.
9 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 1, caractérisé en ce que l'ensemble de réseaux de réflexion accordables ( 20) bloquent la totalité de la
gamme de longueurs d'onde d'un signal d'entrée.
Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 1, caractérisé en ce que l'ensemble de réseaux de réflexion accordables ( 20) ont des bandes de réflexion en recouvrement partiel, pour bloquer la totalité de la gamme
de longueurs d'onde d'un signal d'entrée.
11 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 1, caractérisé en ce que les réseaux de réflexion ( 20) bloquent un ensemble de canaux pour empêcher leur
passage à travers le filtre ( 10).
12 Filtre optique accordable ( 10) pour un système de télécommunication comportant un ensemble de canaux, caractérisé en ce qu'il comprend: un premier substrat semiconducteur ( 14) ayant une première électrode ( 16) formée sur une première surface de ce substrat; un guide d'ondes ( 22) formé dans la surface du substrat ( 14), et défini latéralement à l'intérieur de cette surface, pour acheminer des ondes lumineuses; un ensemble de réseaux de réflexion accordables ( 20), formés sur une seconde surface du substrat semiconducteur ( 14) au-dessus du guide d'ondes ( 22), dans lequel chacun des réseaux de réflexion accordables ( 20) bloque un canal particulier du système de télécommunication; un substrat isolant ( 18) placé de part et d'autre du guide d'ondes ( 22); et un ensemble d'électrodes ( 24, 26, 28, 30) pour faire varier l'indice de réfraction effectif d'une section du guide
d'ondes ( 22) au-dessous du réseau ( 20).
13 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 12, caractérisé en ce que l'indice de réfraction effectif est changé par injection de porteurs libres dans
le guide d'ondes ( 22).
14 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 12, caractérisé en ce que l'indice de réfraction effectif est changé par désertion de porteurs libres dans
le guide d'ondes ( 22).
Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 12, caractérisé en ce que l'indice de réfraction
effectif est changé par accord électro-optique.
16 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 12, caractérisé en ce que les réseaux ( 20) bloquent tous les canaux lorsque aucun courant n'est appliqué aux
électrodes ( 24, 26, 28, 30).
17 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 12, caractérisé en ce que l'indice de réfraction
effectif est changé par accord thermo-optique.
18 Filtre optique accordable ( 60), caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat ( 64); une couche de gaine diélectrique ( 62) formée à la surface supérieure du substrat ( 64); un guide d'ondes ( 66) formé dans la surface de la couche de gaine ( 62) et défini latéralement à l'intérieur de cette surface; un ensemble de réseaux de réflexion accordables ( 70) formés sur le guide d'ondes ( 66); et un ensemble d'éléments chauffants ( 68) sur la surface supérieure de la couche de gaine ( 62), dans lequel chacun des réseaux de réflexion accordables ( 70) comporte un élément chauffant pour faire varier un indice de réfraction effectif d'une section du guide d'ondes ( 66) se
trouvant au-dessous du réseau considéré ( 70).
19 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 18, caractérisé en ce que chaque réseau de
réflexion accordable ( 70) a une période différente.
Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 18, caractérisé en ce que chaque canal de l'onde lumineuse entrante est bloqué par l'un des réseaux de réflexion accordables ( 70).
21 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 18, caractérisé en ce que l'indice de réfraction
effectif est changé par accord thermo-optique.
22 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 18, caractérisé en ce que l'ensemble de réseaux de réflexion accordables ( 70) bloquent la totalité de la
gamme de longueurs d'onde d'un signal d'entrée.
23 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 18, caractérisé en ce que l'ensemble de réseaux de réflexion accordables ( 70) ont des bandes de réflexion partiellement superposées, pour bloquer la totalité de la
gamme de longueurs d'onde d'un signal d'entrée.
24 Filtre optique accordable selon la revendi-
cation 18, caractérisé en ce que les réseaux de réflexion ( 70) bloquent un ensemble de canaux de façon à empêcher
leur passage à travers le filtre ( 60).
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US92944892A | 1992-08-14 | 1992-08-14 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| FR2694816B1 FR2694816B1 (fr) | 1995-11-17 |
Family
ID=25457877
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| FR9309903A Expired - Lifetime FR2694816B1 (fr) | 1992-08-14 | 1993-08-12 | Filtre optique accordable. |
Country Status (7)
| Country | Link |
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| US (1) | US5459799A (fr) |
| JP (1) | JPH06160655A (fr) |
| CA (1) | CA2101411C (fr) |
| DE (1) | DE4327102A1 (fr) |
| FR (1) | FR2694816B1 (fr) |
| GB (1) | GB2269679B (fr) |
| SE (1) | SE510040C2 (fr) |
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Also Published As
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| DE4327102A1 (de) | 1994-02-17 |
| CA2101411C (fr) | 2003-06-10 |
| SE510040C2 (sv) | 1999-04-12 |
| FR2694816B1 (fr) | 1995-11-17 |
| JPH06160655A (ja) | 1994-06-07 |
| SE9302543D0 (sv) | 1993-08-02 |
| GB9315730D0 (en) | 1993-09-15 |
| GB2269679B (en) | 1996-05-22 |
| CA2101411A1 (fr) | 1994-02-15 |
| SE9302543L (sv) | 1994-02-15 |
| US5459799A (en) | 1995-10-17 |
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