SE470454B - Optisk filteranordning - Google Patents

Optisk filteranordning

Info

Publication number
SE470454B
SE470454B SE9202446A SE9202446A SE470454B SE 470454 B SE470454 B SE 470454B SE 9202446 A SE9202446 A SE 9202446A SE 9202446 A SE9202446 A SE 9202446A SE 470454 B SE470454 B SE 470454B
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
section
grating
waveguide
sections
grid
Prior art date
Application number
SE9202446A
Other languages
English (en)
Other versions
SE9202446D0 (sv
SE9202446L (sv
Inventor
Olof Goeran Sahlen
Original Assignee
Ericsson Telefon Ab L M
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ericsson Telefon Ab L M filed Critical Ericsson Telefon Ab L M
Priority to SE9202446A priority Critical patent/SE470454B/sv
Publication of SE9202446D0 publication Critical patent/SE9202446D0/sv
Priority to GB9317245A priority patent/GB2270174B/en
Priority to FR9310234A priority patent/FR2695212B1/fr
Priority to US08/111,573 priority patent/US5416866A/en
Priority to JP5247640A priority patent/JPH06194613A/ja
Priority to DE4328777A priority patent/DE4328777B4/de
Publication of SE9202446L publication Critical patent/SE9202446L/sv
Publication of SE470454B publication Critical patent/SE470454B/sv

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction in an optical waveguide structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G02B6/124—Geodesic lenses or integrated gratings
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/5045—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement having a frequency filtering function
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
    • G02F2201/307—Reflective grating, i.e. Bragg grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
    • G02F2203/055—Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
    • H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
    • H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
    • H01S5/06255—Controlling the frequency of the radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/1028—Coupling to elements in the cavity, e.g. coupling to waveguides adjacent the active region, e.g. forward coupled [DFC] structures
    • H01S5/1032—Coupling to elements comprising an optical axis that is not aligned with the optical axis of the active region
    • H01S5/1035—Forward coupled structures [DFC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
    • H01S5/1215—Multiplicity of periods

Description

$> nä] 10 15 20 25 30 35 CD 25-.
.Is 2 I ett flertal sammanhang önskar man också kunna tillverka avstämbara optiska filter i samma materialsystem som lasrar, detektorer, optiska switchmatriser och modulatorer, speciellt InGaAsP/InP för långa våglängder, 1300-1600 mn, och GaAs/AlGaAs för våglängder mellan 800 och 900 nm.
Ett problem utgörs därvid av att avstämningsområdet för Exakta värdet därför är beroende av val av materialsammansättning dylika filter av fysikaliska skäl är begränsat. (bandgap) i vågledarmaterialet, den optiska inneslutnings- faktorn (på vågledarmaterialets tjocklek och brytningsin- dex) , dopningsnivå i vågledarmaterialet och i inneslut- ningsmaterialet och komponentens värmeavledningsförmåga (termiska resistans). Ju större avstämningsområdet är, desto fler kanaler kan utnyttjas. I ett våglängdsmultiple- xerat system är den totala informationsbandbredden (antal våglängdskanaler gånger bithastighet/kanal) proportionell mot filtrets avstämningsområde. Normalt uppgår avstämnings- området för ett optiskt filter till mellan 5 och 15 nm. Det är därför av betydelse att kunna få ett avstämningsområde speciellt för en given kombination av vågledare och materialparametrar som är så stort som möjligt.
TEmIKENs STÅNDPUNKT En rad av lösningar har föreslagits genom vilka man avser utvidga det användbara våglängdsområdet hos avstämbara filter, speciellt vågledarbaserade gitterfílter.
En mängd olika typer av filter har presenterats vilka är tillverkade i olika materialsystem, såsom glas, halvledare, polymerer och litiumniobat.
Därvid utgörs ett slags filter av singel-mod vågledare med gitter som är inetsat i vågledaren, antingen i själva vågledarskiktet eller i ett separat gitterskikt som kan vara separerat från vågledarskiktet i storleksordningen 10 15 20 25 30 35 478 454 3 något 100-tal nm. Dessa filter kan användas såväl som våg- längdsselektiva komponenter i sig själva eller ingå som byggblock i våglängdsselektiva s k DBR-lasrar (Distributed Bragg Reflector). Ett gitterfilter av detta slag fungerar på så sätt att endast ljus inom ett smalt våglängdsområde centrerat kring X0 reflekteras och går bakåt i vågledaren medan resten passerar framåt. Genom placering av högindex- materialet (InGaAsP eller GaAs) i en P-I-N-övergång med P- och N- dopade lågindexskikt ovanför och under (dubbel- heterobarriärstruktur), kan ström injiceras. Med hjälp av denna ström åstadkommes en ändring, An, av brytningsindex n i vågledarmaterialet. Denna brytningsindexändring leder till att den våglängd som reflekteras skiftar mot kortare våglängd, AÄ0=()\0/n,ff) -An,ff. Resonansvåglängden X0 ges av gittrets period enligt ky=2-nfi-A, där A är gitterperioden. Ändringen av effektiva index Anfi'är därvid approximativt relaterad till ändringen av vågledarmaterialets index An enligt Anm~An-P, där P är inneslutningsfaktorn som anger hur stor del av den optiska modens effekt som ligger i vågledarskiktet. Filtrets selektivitet och reflektans bestäms väsentligen av gittrets längd, L, och gitterkopp- lings-koefficienten, x. Om produkten x-L överstiger 2 (ungefärligen), erhålles en hög reflektans, och filtrets linjebredd bestäms entydigt av värdet på x. För att man skall få en bra prestanda hos filtret i de fall att det används som en diskret komponent, d v s ej är monolitiskt integrerat med andra komponenter på samma substrat, måste speciella dielektriska skikt deponeras på båda ändytorna för reflexminimering. Exempel på filter som. beskrives närmare exempelvis i EP O 391 334.
Ett av problemen med dessa filter består i att avstämnings- området, Akomu är begränsat väsentligen till mellan 5 och 15 nm, där det exakta värdet beror på en rad av faktorer, såsom materialsammansättning, optisk inneslutningsfaktor, dopningsnivå mm. Den inherenta fysikaliska begränsningen $Ä 'M3 Cl) 10 15 20 25 30 35 ßh C51 4 beror av vilken maximal laddningsbärartäthet som kan injiceras i det aktiva skiktet. Oftast vill man ha ett så stort avstämningsområde som möjligt, speciellt större än 5- 15 nm eftersom då bl a fler kanaler kan utnyttjas i systemet. Inom telekommunikations system är det vanligt att man önskar ett avstämningsområde på ca 20-30 nm, vilket speciellt svarar mot det våglängdsfönster där optiska förstärkare, speciellt s k erbium-dopade fiber-förstärkare eller halvledarlaser-förstärkare, lätt kan användas.
I EP-A-O 391 334 beskrivs ett halvledarlaser-element som är avstämbart, där~man.utnyttjar den s k Stark-effekten. Genom denna ansökan erhålles en sänkning av förlusterna medan någon väsentlig ökning av avstämningsområdet ej erhålls.
EP-A-0 397 045 beskriver en halvledarlaser vilken kan emittera ljus i ett större våglängdsområde. Man utnyttjar därvid ett linje-gitter som åtminstone består av två olika under-gitter. Emellertid är under-gittren superponerade på varandra med hjälp av dubbelexponering på samma vågledar- sträcka. Den i detta dokument beskrivna uppfinningen hänför sig till en laser och ej till ett separat optiskt filter, vidare erhålls ej heller genom denna anordning en sådan utökning av avstämningsområdet som är önskvärd.
REDoGöRELsE FöR UPPFINNINGEN Ett mål med föreliggande uppfinning är att ange en av- stämbar optisk filteranordning i enlighet med inledningen till patentkrav 1 med ett så stort avstämningsområde som möjligt, speciellt är avstämningsområdet för en given kombination av vågledar- och materialparametrar väsentligt större än för ett konventionellt gitter-baserat filter. Det är vidare ett mål med uppfinningen att ange en anordning som är enkel att framställa och som ej blir dyr eller svår att framställa genom en hög komplexitet. Ett ytterligare mål med uppfinningen är att uppnå s k total avstämbarhet, 10 15 20 25 30 35 470 $> UT ¿> 5 vilket innebär att alla våglängder inom det avsedda våglängdsområdet skall kunna väljas ut. Ytterligare mål med uppfinningen är att skapa en anordning med en liten och välkontrollerad filterbandbredd, liten genomgångsdämpning och låg överhörning mellan olika kanaler. Vidare skall det vara. möjligt att kunna framställa anordningen i samma materialsystem som exempelvis lasrar, detektorer, optiska switchmatriser eller modulatorer. Dessutom är avsikten med uppfinningen att ange ett filter som i sig bildar en komponent. Enligt ett föredraget utförande kan anordningen enligt uppfinningen integreras med en annan komponent.
En anordning genom vilken såväl dessa som andra mål uppnås anges genom de i den kännetecknande delen av patentkravet 1 angivna kännetecknen. Föredragna utföringsformer anges genom de i underkraven angivna särdragen.
FIGURBESKRIVNING Uppfinningen skall i det följande närmare beskrivas under hänvisning till bifogade figurer i förklarande och icke på något vis begränsande syfte, där Fig. 1 visar ett schematiskt snitt av ett filter omfattande två gitter-sektioner, Fig. 2 visar ett snitt av ett andra utförande av ett filter enligt uppfinningen, Fig. 3a illustrerar schematiskt informationsbärande kanaler inom ett våglängdsområde, Fig. 3b illustrerar schematisktInnrvåglängdernai.fig. 3a täckes in av respektive av de två sektio- nerna, Fig. 4 illustrerar schematiskt en anordning enligt uppfinningen försedd med en förstärknings- sektion, Fig. 5 illustrerar en anordning enligt uppfinningen utformad såsom gitter-assisterad riktkopplare. 10 15 20 25 30 35 FÖREDRAGNA UTFöRINGsFoRMER I det i Fig. substrat 3 bestående exempelvis av indiumfosfid (InP) , i 1 illustrerade utföringsexemplet är på ett det visade exemplet n-dopat, n+, och med en tjocklek på i storleksordningen SOOum, ett aktivt lager 5, speciellt av indium gallium arsenid fosfid (InGaAsP) som är intrinsiskt, ej dopat och som alltså orsakar förändringar i brytningsin- dex. Detta aktiva lager 5 är speciellt odlat på substratet 1 liksom ett eventuellt på substratet 1 anordnat buf- fertskikt av samma material som substratet 3 för under- lättande av odlandet. Odlingen åstadkommes genom epitaxi, och storleken på det eventuellt förekommande buffertskiktet 4 kan uppgå till ca lum. Ovanpå det aktiva lagret 5 är anordnat ett skikt 6, InGaAsP, som dock har en något annan sammansättning än vid vilket företrädesvis består av det aktiva lagret 5 såsom exempelvis ett större bandgap och På detta vågledarskikt 6 är etsat ett första gitter la och ett andra gitter 2a med annorlunda brytningsindex. olika gitterperioder A, respektive A2 för bildande av en första 1 och en andra gittersektion 2. Ovanpå det första respektive det andra gittret är anordnat ett lager 7 som exempelvis kan utgöras av ren indiumfosfid, InP. Det första la, respektive det andra 2a gittret bildar en gränsyta mellan vågledarskiktet 6 och lagret 7. Ströminj iceringse- lektroder 11 respektive 12 är anordnade på lagret 7 respektive substratet 3. I figuren illustrerar Il strömmen som injiceras till den första gittersektionen 1 medan I, representerar strömmen som injiceras i gittersektion 2. Ph representerar till anordningen inkommande ljus medan Pm representerar utkommande ljus . elektriskt från varandra isolerade gittersektioner 1 respektive 2, där den I Fig. 1 illustrerar följaktligen två, första sektionen 1 har en gitterperiod A1 som är längre än gitterperioden A2 för den andra gittersektionen 2. De olika gittersektionerna kan exempelvis åstadkommas genom elek- 10 15 20 25 30 35 470 454 7 tronstrålelitografi varigenom gitter med valfri och va- rierbar period kan framställas. Den elektriska isolationen kan åstadkommas genom en kombination av etsning och implantation av exempelvis protoner eller heliumjoner.
Gittersektionerna 1 respektive 2 har vardera ett avstäm- ningsområde (Akgmfl som exempelvis kan ligga på 10 nm, där de två avstämningsområdena något överlappar varandra; i princip är det tillräckligt att de tangerar varandra men av praktiska skäl vill man ha en viss marginal i form av ett överlapp.
I det följande beskrivs på ett förenklat sätt hur anord- ningen kan användas. Det aktuella våglängdsområdet, d v s det område inom vilket de olika kanalerna ligger antages gå från ÄL'till ÄH såsom schematiskt illustreras i Fig. 3a. De två gitterperioderna Aloch Azväljs nu på ett sådant sätt, vilket illustreras i Fig. 3b, att sektion 1 går att avstämma över den övre halvan av intervallet medan sektion 2 går att avstämma under den undre halvan av intervallet.
Gitterperioden A,hos sektion 1 väljs så stor att sektionen är helt transparent när strömmen genom sektion 1 är noll vilket skall gälla för alla våglängder inom intervallet [ÄL, ÄHJ. Följaktligen gäller att om en kanal med en våglängd som ligger i den undre halvan av intervallet skall filtreras ut, injiceras ingen ström i sektion 1 så att den första sektionen 1 "parkeras" i läge A i Fig. 3b. Därefter väljs strömmen I, genom sektion 2 på ett sådant sätt att önskad kanal, exempelvis B filtreras ut. Om istället en kanal, C, inom den övre halvan av intervallet skall filtreras ut, injiceras en lämplig ström Il i sektion 1 samtidigt som strömmen genom sektion 2 väljs så stor att gittrets resonansvåglängd förskjuts till läge D, d v s till en våglängd som är kortare än någon av våglängderna som svarar mot kanalerna i intervallet [ÄL, ÄH]. Härigenam inses att det väsentligen inte är möjligt att fördubbla det totala avstämningsområdet, huvudsakligen av två skäl. Dels ëvß f=4 šu 8 är ett visst överlapp mellan gitterfiltren 1, 2 lämpligt av praktiska skäl. Ett sådant överlapp kan exempelvis uppgå till 1 nm. Vidare måste en del av respektive gittersektions eller gitterfilters 1, 2 tillgängliga avstämningsområde 5 utnyttjas för att respektive gitter skall kunna "parkeras" utanför intervallet [ÄH ÄH] . Den inbördes ordningen mellan de två sektionerna 1, 2 är betydelsefull. När en ström in- jiceras i vågledaren för ändring av brytningsindex, erhålles samtidigt en viss ökning av absorptionen, d v s 10 förlusterna ökar. Härigenom är det väsentligt att sektion 1 har en gitterperiod A1 som är längre än gitterperioden A2 för sektion 2 så att sektion 1 kan "parkeras" i sitt viloläge, läge A, utan ströminjektion, d v s utan att den våglängdskanal som filtreras ut av sektion 2 drabbas av 15 förlust vid sin dubbla passage genom sektion 1. Vidare gäller för anordningen att om båda sektionerna 1, 2 "parkeras" i sina respektive ändlägen (i Fig. 2b svarande mot A respektive D) blir hela anordningen transparent för alla våglängder inom intervallet [ku ÄH]. Genom anord- 20 ningen kan man alltså antingen filtrera ut en av samtliga kanaler eller låta alla kanaler passera anordningen oförändrade .
I det följande anges möjliga värden på våglängder m m för 25 att illustrera hur mycket avstämningsområdet för ett optiskt filter skulle ökas genom att det är uppdelat i två gittersektioner 1, 2 i jämförelse med ett enhetligt optiskt filter. I det beskrivna exemplet antages att ljussignalerna ligger centrerade omkring en våglängd på 1550 nm. Vidare 30 antages att vågledarmaterialet 6 utgörs av 300 nm odopat InGaAsP (gitteranpassat till InP) och har en luminicensvåg- längd på 1400 nm, medan respektive filtersektion 1, 2 karaktäriseras av en gitterkopplingskoefficient x på 15 c J. I detta fall blir avstämningsområdet hos en 35 gittersektion 1 respektive 2 ca 10 nm medan det minsta möjliga avståndet mellan olika kanaler ligger på ca 1 nm 'VA 10 15 20 25 30 35 ~4 LD .Es ån ï s 9 under förutsättning att överhörningen måste understiga - 10 dB. Genon\anordningen enligt.uppfinningen ökas härigenom det tillgängliga antalet kanaler från 10, som svarar mot en enda sektion, till 17 som svarar mot två sektioner 1, 2.
Följaktligen kan, beroende på den exakta utformningen av anordningen, speciellt filtrets linjebredd och. antalet kanaler inom det önskade våglängdsintervallet, det totala avstämningsområdet ökas med ca 60-80% jämfört med fallet med bara en homogen gittersektion.
Genom uppfinningen är alla våglängder inom intervallet (XL, ÄH) tillgängliga.
I Fig. 2 illustreras en anordning 20 som liksom den i Fig. 1 beskrivna anordningen 10 består av en singelmod- optisk vågledare tillverkad på ett halvledarsubstrat med två separata, elektriskt isolerade gittersektioner 1', 2'.
På ett tjockt substrat 3' som i det visade exemplet utgörs av n-dopad indiumfosfid (n*-InP), med ett buffertskikt 4' av samma material som substratet 3' är odlat, t ex med MBE (Molecular Beam Epitaxy) eller MOVPE (Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) ett aktivt lager 5' i odopad indiumgalliuma- rsenidfosfid (i-InGaAsP), vilket skikt alltså orsakar förändringen i brytningsindex, och ett lager av p-dopad indiumfosfid (p*-InP) i vilket gittret är bildat med hjälp av indiumgalliumarsenidfosfid anordnad i indiumfosfid- skiktet 6' på ett sådant sätt, att en gitterperiod A, erhålles i sektion 1 medan en annan, och mindre gitter- period Azerhålles i sektion 2. I övergången mellan de båda sektionerna 1, 2 är materialet delvis amorfiserat med hjälp t ex av protonbombardemang el dyl för att en hög elektrisk resistans skall erhållas, vilket svarar mot det omrâde som indikerats med referensbeteckning 15 i Fig. 2. Överst är två elektroder l1', ll' illustrerade svarande mot vardera sektionen 1, 2 för injicering av en ström I” IQ, medan underst en metallelektrod 12' är anordnad.
.Ira ~<1 10 15 20 25 30 35 CJ 41:.
(N .Fa 10 Generellt gäller för såväl utförandet enligt Fig. 1 som utförandet enligt Fig. 2 att anordningen tillverkas i form av en dubbelheterobarriär-struktur i halvledare (exempelvis GaAs /AlGaAs-systemet InGaAsP / InP-systemet) gittren kan definieras med hjälp av elektronstrålelitografi eller där eller någon annan likvärdig litografisk teknologi följd av etsning .
Fig. 4 visar en anordning 30 i anslutning till vilken är anordnad en optisk förstärkare i form av en extra vågle- darsektion 16, utan gitter, och med mindre bandgap än de avstämbara gittersektionerna 1, 2, vilken kan integreras monolitiskt. Denna opereras framspänd och med tillräcklig ströminjektion Ig, förstärkningsströmmen, erhålles stimule- rad förstärkning. Med hjälp av en anordning enligt Fig. 4 kan kompenseras för dämpning och förlust vid in-, och utkoppling av ljus ur komponenten för erhållande av ett förlustfritt filter. Det aktiva materialet eller skiktet 17 i förstärkningssektionen 16 har ett bandgap som är mindre än det i det aktiva materialet, skikt 5' i de mot filtret svarande gittersektionerna 1, 2 så att stimulerad för- stärkning erhålles vid signalvåglängden när ström in- jiceras. Till förstärkningssektionen 16 inj iceras en ström, Ig, till elektroden 18. Enligt ett exempel skulle bandgapet hos det aktiva materialet i förstärkaren, Eg, kunna uppgå till 0,8 eV, medan bandgapet hos det aktiva materialet i filtret 20 skulle kunna uppgå till Eg = 1,0 eV. ningssektionen omfattar ett antireflexskikt 19.
Förstärk- Enligt ytterligare ett alternativt utförande är uppfin- ningen utformad såsom en gitterassisterad riktkopplare 40.
Genom en sådan är det möjligt att separera inkommande och reflekterad signal genom utnyttjande av två kopplade vågledare 21, 22 där de två vågledarna 21, 22 kan vara parallella och den andra vågledaren 22 har en från den första vågledaren 21 skild dispersionskaraktäristik och .vä Fl 10 15 20 25 30 35 ll exempelvis i sidled eller höjdled separerad från den första vågledaren.
I Fig. 5 illustreras mycket schematiskt två parallellt kopplade vågledare, en för inkommande ljus och den andra för reflekterat som är väsentligen parallellt anordnade.
Tjockleken (WQ och materialsammansättning hos den andra vågledaren 22 skiljer sig något från den första vågledaren 21 (mg) så att dessa har en från varandra skild disper- sionskaraktäristik. Gitterperioden väljes så att reflektion erhålles i bakåtriktningen, från vågledare 21 till vågleda- re 22. I figuren har de mot olika gitterkonstanter svarande sektionerna schematiskt illustrerats och betecknats med A1 och Aq. Avståndet d mellan vågledarna kan ligga på mellan 0,5-5 pm i det visade exemplet, företrädesvis 0,2-2 um.
Enligt ett alternativt utförande är det möjligt att åstadkomma en brytningsindexförändring i form av en höjning istället genom att lägga på en backspänning, exempelvis via det s k Stark-skiftet.i kvantbrunnstrukturer. Härvid ändras alltså brytningsindex i positiv riktning med ökande backspänning samtidigt som absorptionen ökar med ökande bakåtspänning. Enligt detta utförande skall den inbördes ordningen mellan de två sektionerna kastas om så att Alär mindre än Ag för att en minimering av absorptionsförluster skall uppnås. Detta innebär alltså att sektion 1 skall kunna "parkeras" i det kortvågiga ändläget, svarande mot noll spänning på sektionens styrelektrod och därmed obetydliga förluster för signalvåglängder som går genom den första sektion för att reflekteras av den andra sektion.
Uppfinningen skall givetvis inte begränsas till visade utföringsexempel utan kan fritt varieras inom ramen för patentkraven. Således kan exempelvis olika material eller materialsystem användas, olika sektioner kan vara till 4 W 9 4 54 fogade m m, gitter åstadkommes, O.S.V. liksom principen och det 12 sätt på vilket ett kombination med andra komponenter .u

Claims (13)

10 15 20 25 30 35 .Läs ~a CJ .Fx JÄ 13 Patentkrav
1. Avstämbar optisk filteranordning omfattande ett våglängdsselektivt optiskt filter omfattande en i en vågledarstruktur anordnad gitterstruktur, k ä n n e - t e c k n a d d ä r a v,attgitterstrukturenomfattartvå reglerbara, elektriskt från varandra isolerade gittersek- tioner (1, 2), och att gittersektionerna (1, 2) har olika gitterperioder (AU Ag.
2. Anordning enligt patentkrav 1, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att vågledarstrukturen omfattar en i ett halvledarsubstrat framställd singelmod- vågledare.
3. Anordning enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att till vardera sektionen (1, 2) medel är anordnade för ändring av bryt- ningsindex i motsvarande gittersektion (1, 2).
4. Anordning enligt patentkrav 3, k ä n n e t e c k - n a d d ä r a v, att sagda medel för ändring av bryt- ningsindex omfattar medel för injicering av en ström (Il, I2) i respektive sektion.
5. Anordning enligt något av patentkraven 1-5, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att gittersektionerna (1,2 ) är anordnade såsom i utbredningsriktningen på varandra följande och att mot vardera gittersektionen (1, 2) svarar ett avstämningsområde (AÄL, AÄH). .ifs 'pil 10 15 20 25 30 35 ..{É.~.=. (51 .yx A14
6. Anordning enligt patentkrav 5, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att mot respektive gittersektion (1, 2) svarande avstämningsområden (AÄL, AÄH) något överlappar varandra.
7. Anordning enligt patentkrav 6, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att överlappet uppgår till ca 1 nm.
8. Anordning enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, attgitterperioden (A1) för den första gittersektionen (1) i utbredningsriktningen är längre än gitterperioden (A9 för den andra gittersek- tionen (2).
9. Anordning enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v,attdeolikagittersek- tionerna (1, 2) är så anordnade att förluster p g a in- ducerad absorption minimeras då en på en annan gitter- (l) (2) utfiltrering av en önskad kanal eller våglängd. sektion följande gittersektion utnyttjas för
10. k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, attdelägstarespekti- totala svarande våglängderna är mindre respektive större än (XL) respektive (ÄH) så att intervallet [XL - ÄH] helt täckes in. Anordning enligt något av föregående patentkrav, ve högsta mot anordningens avstämningsområde
11. Anordning enligt något av patentkraven 1-3, k ä n n e t e c k n a d d ä r a V, att det aktiva skiktet omfattar'kvantbrunnar istället för bulkmaterial, och att en förändring av brytningsindex i respektive gittersektion (1, 2) åstadkommes genom att en backspänning pålägges så att brytningsindex höjs. f? 10 15 f: m 479 4 15
12. Anordning enligt något av föregående patentkrav, k ä n n e t e c k n a d d ä r a v, att parallellt med en i vågledarstrukturen ingående första vågledare (21), en andra parallell vågledare (22) är anordnad vars dispersion- skaraktäristik skiljer sig från den för den första vågleda- ren (21) och vilken är separerad ett avstånd (d) i höjd-, eller sidled från den första vågledaren (21) för att bilda en gitterassisterad riktkopplare (40).
13. Anordning enligt något av föregående patentkrav, kännetecknad därav, att före den första gittersektionen (1) är anordnad en vågledarsektion (16) som bildar en förstärkningssektion (16) för åstadkommande av en anordning (30) för stimulerad förstärkning.
SE9202446A 1992-08-26 1992-08-26 Optisk filteranordning SE470454B (sv)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9202446A SE470454B (sv) 1992-08-26 1992-08-26 Optisk filteranordning
GB9317245A GB2270174B (en) 1992-08-26 1993-08-19 Optical filter device
FR9310234A FR2695212B1 (fr) 1992-08-26 1993-08-25 Dispositif a filtre optique.
US08/111,573 US5416866A (en) 1992-08-26 1993-08-25 Optical waveguide/grating device for filtering optical wavelengths
JP5247640A JPH06194613A (ja) 1992-08-26 1993-08-26 同調光フィルタデバイス
DE4328777A DE4328777B4 (de) 1992-08-26 1993-08-26 Optische Filtervorrichtung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE9202446A SE470454B (sv) 1992-08-26 1992-08-26 Optisk filteranordning

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE9202446D0 SE9202446D0 (sv) 1992-08-26
SE9202446L SE9202446L (sv) 1994-02-27
SE470454B true SE470454B (sv) 1994-04-11

Family

ID=20387011

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9202446A SE470454B (sv) 1992-08-26 1992-08-26 Optisk filteranordning

Country Status (6)

Country Link
US (1) US5416866A (sv)
JP (1) JPH06194613A (sv)
DE (1) DE4328777B4 (sv)
FR (1) FR2695212B1 (sv)
GB (1) GB2270174B (sv)
SE (1) SE470454B (sv)

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BE1006207A3 (nl) * 1992-09-24 1994-06-07 Imec Inter Uni Micro Electr Geintegreerd afstembaar optisch filter.
US5621828A (en) * 1992-09-24 1997-04-15 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Integrated tunable optical filter
GB2286057A (en) * 1994-01-21 1995-08-02 Sharp Kk Electrically controllable grating
FR2716303B1 (fr) * 1994-02-11 1996-04-05 Franck Delorme Laser à réflecteurs de Bragg distribués, accordable en longueur d'onde, à réseaux de diffraction virtuels activés sélectivement.
DE4432410B4 (de) * 1994-08-31 2007-06-21 ADC Telecommunications, Inc., Eden Prairie Optoelektronisches Multi-Wellenlängen-Bauelement
US5491762A (en) * 1994-09-09 1996-02-13 Deacon Research ATM switch with electrically-controlled waveguide-routing
US5581642A (en) * 1994-09-09 1996-12-03 Deacon Research Optical frequency channel selection filter with electronically-controlled grating structures
FR2725527B1 (fr) * 1994-10-10 1996-12-20 Talneau Anne Filtre optique pour plusieurs longueurs d'ondes guidees
GB9423105D0 (en) * 1994-11-16 1995-01-04 Northern Telecom Ltd Optical wave grating filter
US20050225860A1 (en) * 1995-03-13 2005-10-13 Thomas Mossberg Segmented complex diffraction gratings
JPH11511568A (ja) 1995-08-29 1999-10-05 アロヨ・オプティクス・インコーポレイテッド 波長選択回折格子利用型光学カプラ
US6236782B1 (en) 1995-08-29 2001-05-22 Arroyo Optics, Inc. Grating assisted coupler devices
US5875272A (en) * 1995-10-27 1999-02-23 Arroyo Optics, Inc. Wavelength selective optical devices
AU708708B2 (en) * 1995-10-27 1999-08-12 Arroyo Optics, Inc. Wavelength selective optical devices
JP3654383B2 (ja) * 1995-12-07 2005-06-02 Ｋｄｄｉ株式会社 光アド／ドロップ多重素子
US6169830B1 (en) 1996-08-26 2001-01-02 Arroyo Optics, Inc. Methods of fabricating grating assisted coupler devices
US6078597A (en) * 1996-11-19 2000-06-20 At & T Corp. Method and apparatus for optical signal processing by photo-induced loss and/or gain gratings
US5926493A (en) * 1997-05-20 1999-07-20 Sdl, Inc. Optical semiconductor device with diffraction grating structure
US6011881A (en) * 1997-12-29 2000-01-04 Ifos, Intelligent Fiber Optic Systems Fiber-optic tunable filter
US6088495A (en) * 1998-04-21 2000-07-11 Technion Research & Development Foundation Ltd. Intermediate-state-assisted optical coupler
SE520951C2 (sv) 1998-06-17 2003-09-16 Ericsson Telefon Ab L M Multivåglängdsselektiv switch för switchning och omdirigering av optiska våglängder
US6208773B1 (en) * 1999-02-18 2001-03-27 Trw Inc. Addressable, semiconductor adaptable Bragg gratings (ASABG)
JP2001215542A (ja) * 2000-02-04 2001-08-10 Kddi Corp 非線形光素子
US7058245B2 (en) * 2000-04-04 2006-06-06 Waveguide Solutions, Inc. Integrated optical circuits
GB2362720A (en) * 2000-05-25 2001-11-28 Roke Manor Research Improvements in or relating to optical switching
US6549708B2 (en) 2000-08-21 2003-04-15 Lockheed Martin Corporation Dual-side waveguide-based wavelength demultiplexer
SE518476C2 (sv) 2001-02-22 2002-10-15 Altitun Ab Metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vågledarfilter
SE0100611L (sv) * 2001-02-22 2002-08-23 Altitun Ab Förfarande för att förlustkompensera ett avstämbart filter för en laser, jämte ett dylikt filter
WO2002093203A2 (en) * 2001-05-17 2002-11-21 Optronx, Inc Integrated optical/electronic circuits and associated methods of simultaneous generation thereof
US6580740B2 (en) * 2001-07-18 2003-06-17 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device having selective absorption qualities
US7092419B2 (en) * 2001-09-10 2006-08-15 San Jose Systems, Inc. Wavelength agile laser
US7653093B2 (en) * 2001-09-10 2010-01-26 Imec Widely tunable twin guide laser structure
US20030064537A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 The Furukawa Electric Co., Ltd. Semiconductor laser device and method for effectively reducing facet reflectivity
US7189497B2 (en) * 2002-07-24 2007-03-13 Intel Corporation Method for writing a planar waveguide having gratings of different center wavelengths
TW200619712A (en) * 2004-11-15 2006-06-16 Hitachi Chemical Co Ltd Optical reflector, optical multiplexer/demultiplexer, and optical system
KR101054174B1 (ko) * 2005-07-25 2011-08-03 후지쯔 가부시끼가이샤 반도체 칩 모듈 및 모듈
EP2403079B1 (en) * 2010-06-30 2014-01-15 Alcatel Lucent Reflective semiconductor optical amplifier for optical networks
EP2437087A1 (en) * 2010-09-29 2012-04-04 Alcatel Lucent A tunable optical filter, an optical device integrating such filter and a method of filtering an optical signal
US11378864B2 (en) 2016-11-18 2022-07-05 Magic Leap, Inc. Waveguide light multiplexer using crossed gratings
JP2020500332A (ja) * 2016-11-23 2020-01-09 ロックリー フォトニクス リミテッドＲｏｃｋｌｅｙ Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ 光電気デバイス
CN110462460B (zh) 2017-01-23 2022-10-14 奇跃公司 用于虚拟、增强或混合现实系统的目镜
AU2018386296B2 (en) 2017-12-15 2023-11-23 Magic Leap, Inc. Eyepieces for augmented reality display system
CN113302546A (zh) 2018-11-20 2021-08-24 奇跃公司 用于增强现实显示系统的目镜
CN114286962A (zh) 2019-06-20 2022-04-05 奇跃公司 用于增强现实显示系统的目镜

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3814498A (en) * 1972-05-04 1974-06-04 Bell Telephone Labor Inc Integrated optical circuit devices employing optical gratings
DE2442723A1 (de) * 1974-09-06 1976-03-18 Siemens Ag Steuerbarer elektrooptischer gitterkoppler
US4775980A (en) * 1983-12-14 1988-10-04 Hitachi, Ltd. Distributed-feedback semiconductor laser device
JPS60260024A (ja) * 1984-06-07 1985-12-23 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 光変調素子
US4794346A (en) * 1984-11-21 1988-12-27 Bell Communications Research, Inc. Broadband semiconductor optical amplifier structure
GB8502013D0 (en) * 1985-01-26 1985-02-27 Plessey Co Plc Integrated optical device
US4750801A (en) * 1985-09-30 1988-06-14 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Optical waveguide resonator filters
US4730327A (en) * 1985-12-16 1988-03-08 Lytel Incorporated Dual channel fabry-perot laser
JPS62241387A (ja) * 1986-04-11 1987-10-22 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 半導体光周波数フイルタ
JP2659187B2 (ja) * 1987-04-14 1997-09-30 日本電気株式会社 光フィルタ素子
JP2749038B2 (ja) * 1987-07-31 1998-05-13 株式会社日立製作所 波長可変半導体レーザ
GB2209408B (en) * 1987-09-04 1991-08-21 Plessey Co Plc Optical waveguide device having surface relief diffraction grating
JP2825508B2 (ja) * 1987-10-09 1998-11-18 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置および光通信システム
JP2659199B2 (ja) * 1987-11-11 1997-09-30 日本電気株式会社 可変波長フィルタ
JPH01186918A (ja) * 1988-01-20 1989-07-26 Nec Corp 光分波器
EP0391334B1 (en) * 1989-04-04 1994-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and wavelength selective fitter, and methods of driving the same
DE3915625A1 (de) * 1989-05-12 1990-11-15 Standard Elektrik Lorenz Ag Halbleiterlaser
JPH0357288A (ja) * 1989-07-17 1991-03-12 Siemens Ag 半導体レーザーを有するデバイスおよびその使用方法
US5022730A (en) * 1989-12-12 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Wavelength tunable optical filter
US5007705A (en) * 1989-12-26 1991-04-16 United Technologies Corporation Variable optical fiber Bragg filter arrangement
US5016967A (en) * 1989-12-26 1991-05-21 United Technologies Corporation Multi-core optical waveguide Bragg grating light redirecting arrangement
US5011264A (en) * 1989-12-28 1991-04-30 General Dynamics Corp., Electronics Divn. Wide linear dynamic range optical modulator
JP2914741B2 (ja) * 1990-10-03 1999-07-05 株式会社東芝 分布帰還型半導体レーザ
EP0496348B1 (en) * 1991-01-22 1997-07-02 Canon Kabushiki Kaisha Multi-wavelength light detecting apparatuses having serially arranged grating directional couplers
US5233187A (en) * 1991-01-22 1993-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Multi-wavelength light detecting and/or emitting apparatuses having serially arranged grating directional couplers
US5367588A (en) * 1992-10-29 1994-11-22 Her Majesty The Queen In Right Of Canada, As Represented By The Minister Of Communications Method of fabricating Bragg gratings using a silica glass phase grating mask and mask used by same
JPH05205486A (ja) * 1991-04-26 1993-08-13 Naohiro Tanno 光導波路記録媒体及び光再生装置
US5363226A (en) * 1992-04-06 1994-11-08 Eastman Kodak Company Apparatus and method for dispersion compensation for a grating coupler using a surface relief reflection grating
CA2101411C (en) * 1992-08-14 2003-06-10 Jean-Pierre Weber Tunable optical filter
US5339157A (en) * 1993-02-19 1994-08-16 At&T Bell Laboratories Rapidly tunable integrated optical filter
US5351324A (en) * 1993-09-10 1994-09-27 The Regents Of The University Of California, Office Of Technology Transfer Fiber optic security seal including plural Bragg gratings

Also Published As

Publication number Publication date
DE4328777A1 (de) 1994-03-17
FR2695212A1 (fr) 1994-03-04
GB9317245D0 (en) 1993-10-06
GB2270174B (en) 1996-03-27
GB2270174A (en) 1994-03-02
DE4328777B4 (de) 2007-11-22
SE9202446D0 (sv) 1992-08-26
JPH06194613A (ja) 1994-07-15
SE9202446L (sv) 1994-02-27
US5416866A (en) 1995-05-16
FR2695212B1 (fr) 1995-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE470454B (sv) Optisk filteranordning
US5953479A (en) Tilted valance-band quantum well double heterostructures for single step active and passive optical waveguide device monolithic integration
DE60118035T2 (de) Resonanzreflektor zur verwendung mit optoelektronischen einrichtungen
US6563631B2 (en) Tunable gain-clamped semiconductor optical amplifier
US5151818A (en) Semiconductor optical amplifier
US5548607A (en) Article comprising an integrated laser/modulator combination
US6977954B2 (en) Semiconductor laser array device employing modulation doped quantum well structures
SE510040C2 (sv) Avstämbart optiskt filter
JPH0636457B2 (ja) 半導体レ−ザを組み込むモノリシツク集積光学デバイスの製造方法およびこの方法によつて得られたデバイス
JPH0728268B2 (ja) 光波信号を受信する方法、光波信号を介する通信方法及び光波通信システム
JPH0629628A (ja) 光カプラと半導体レーザ
EP0378098B1 (en) Semiconductor optical device
US5606573A (en) Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers
US7460576B2 (en) Semiconductor optical amplifier
JP2740169B2 (ja) 集積半導体装置
EP1774628A2 (en) Linear optical amplifier using coupled waveguide induced feedback
EP0551863B1 (en) A semiconductor optical filter and an optical communication system using the same
JPH0719928B2 (ja) 光フイルタ素子
JP2836050B2 (ja) 光波長フィルター及びそれを用いた装置
JP2655600B2 (ja) 光フィルタ素子
JP2528886B2 (ja) 半導体発光装置
JPH0345938A (ja) 波長可変光フィルタ
US6236794B1 (en) Multi-section electro-optical monolithic component
JP2901333B2 (ja) 能動型波長選択半導体素子
JPH0667126A (ja) 半導体波長フィルタ及び半導体レーザ

Legal Events

Date Code Title Description
NAL Patent in force

Ref document number: 9202446-2

Format of ref document f/p: F

NUG Patent has lapsed