SE518476C2 - Metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vågledarfilter - Google Patents

Metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vågledarfilter

Info

Publication number
SE518476C2
SE518476C2 SE0100610A SE0100610A SE518476C2 SE 518476 C2 SE518476 C2 SE 518476C2 SE 0100610 A SE0100610 A SE 0100610A SE 0100610 A SE0100610 A SE 0100610A SE 518476 C2 SE518476 C2 SE 518476C2
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
waveguide
semi
filter
waveguides
active
Prior art date
Application number
SE0100610A
Other languages
English (en)
Other versions
SE0100610D0 (sv
SE0100610L (sv
Inventor
Jan-Olof Wesstroem
Original Assignee
Altitun Ab
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Altitun Ab filed Critical Altitun Ab
Priority to SE0100610A priority Critical patent/SE518476C2/sv
Publication of SE0100610D0 publication Critical patent/SE0100610D0/sv
Priority to PCT/IB2002/000536 priority patent/WO2002067047A1/en
Priority to US10/080,491 priority patent/US6665474B2/en
Publication of SE0100610L publication Critical patent/SE0100610L/sv
Publication of SE518476C2 publication Critical patent/SE518476C2/sv

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
    • G02F1/3133—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type the optical waveguides being made of semiconducting materials
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12007—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind forming wavelength selective elements, e.g. multiplexer, demultiplexer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06—Construction or shape of active medium
    • H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/0632—Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12083—Constructional arrangements
    • G02B2006/12107—Grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/12147—Coupler
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction
    • G02F1/0151—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index
    • G02F1/0152—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements having potential barriers, e.g. having a PN or PIN junction modulating the refractive index using free carrier effects, e.g. plasma effect
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/29—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the position or the direction of light beams, i.e. deflection
    • G02F1/31—Digital deflection, i.e. optical switching
    • G02F1/313—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure
    • G02F1/3132—Digital deflection, i.e. optical switching in an optical waveguide structure of directional coupler type
    • G02F1/3135—Vertical structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/23—Arrangements of two or more lasers not provided for in groups H01S3/02 - H01S3/22, e.g. tandem arrangements of separate active media
    • H01S3/2308—Amplifier arrangements, e.g. MOPA

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)
  • Networks Using Active Elements (AREA)
  • Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)

Description

70 15 20 25 30 s1s Us' Föreliggande uppfinning hänför sig således till en metod för' att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vágledarfilter, såsom ett kopplarfilter, innefattande två vågledare, och ut- märkes av, att den ena av vågledarna är en semiaktiv vägleda- re och av att en ökad absorption av laddningsbärare som upp- kommer när ström injiceras i den semiaktiva vågledaren bring- as att i allt väsentligt kompenseras av förstärkning i vågle- daren genom att välja ett material i den semiaktiva vägleda- ren som ger en tillräckligt stor förstärkning.
Nedan beskrives uppfinningen närmare delvis i samband med ett på bifogade ritningar visade utföringsexempel, där > - figur 1 schematiskt visar ett kopplarfilter - figur 2 transmissionskurvor som funktion av frekvensen - figur 3 schematiskt visar förstärkning som funktion av bandgapsenergi.
Föreliggande uppfinning avser en metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vågledarfilter, såsom ett kopplarfilter, innefattande två vågledare 1, 2, se figur 1.
Figur 1 visar ett kopplarfilter. Emellertid kan uppfinningen tillämpas på andra avstämbara filter.
I figur 1 kommer ljuset exempelvis in vid E och leds först av den första vàgledarens 1 vàgledarlager betecknat A. Vid en viss frekvens kopplas ljuset över till den andra vågledarens 2 vàgledarlager betecknat B. Överkopplingen är beroende av ett gitter 3 med ett gitterlager D med en viss periodicitet.
Vàgledarna 1, 2 och gittret 3 omges av ett material betecknat C. Efter överkoppling lämnar ljuset kopplaren vid F. För att avstämma kopplaren till att överkoppla ljus av olika frekven- ström, ser injiceras laddningsbärare, d.v.s. i exempelvis vågledarlagret B. Härvid ändras brytningsindex i vågledarlag- ret B.
G:\Ansokn0l\O10020se.Lr.doc , 2001-10-22 10 15 20 25 30 35 sis 476 Enligt uppfinningen är den ena av vågledarna 1, 2 en semiak- tiv vågledare. En ökad absorption av laddningsbärare som upp- kommer när ström injiceras i den semiaktiva vågledaren l;2 bringas enligt uppfinningen att i allt väsentligt kompenseras av förstärkning i vàgledaren l;2 genom att välja ett material i den semiaktiva vågledaren l;2 som ger en tillräckligt stor förstärkning.
Ström kan således injiceras genom strukturen i figur l och leds därvid genom både den första 1 eller den andra 2 vägle- daren. Härvid injiceras laddningsbärare i den semiaktiva våg- ledaren på grund av att denna utgör en p-n - övergång.
Enligt en mycket väsentlig utföringsform bringas den semiak- tiva vàgledaren l;2 att ha en bandgapsenergi som är nära fotonenergin för det ljus som skall filtreras. Detta illu- streras i figur 3.
I figur 3 visas schematiskt förstärkning g som funktion av bandgapsenergi Eg för en konstant laddningsbärartäthet. För- stärkningen blir högst när bandgapsenergin valts något lägre än den aktuella optiska fotonenergin EQ, såsom EA. För för- stärkarsektionen i en laser väljs därför normalt ett sådant material.
När förstärkning sker förbrukas laddningsbärare, vilket inte är önskvärt i en avstämningssektion.
För en avstämningssektion väljs därför normalt ett material med högre bandgapsenergi ET, så att förstärkningen blir för- sumbar. _ Vid tillämpning av uppfinningen vid ett semiaktivt kopplar- filter väljs ett vågledarmaterial så att bandgapsenergin Eg 2 ligger just över den aktuella fotonenergin. Härigenom kommer G:\Ansokn0 l \0l0O20se.tr.doc , 2001-10-22 10 15 20 25 30 35 s1à 476 optisk förstärkning genom stimulerad emission att ske i Viss' mån för den aktuella frekvensen med fotonenergi E0 när ladd- ningsbärare finns i materialet. Ett sådant material möjliggör att injicerade laddningsbärare orsakar både förstärkning och avstämning. Bandgapsenergin Eg väljs så att när laddningsbä- rare injiceras förstärkningen i allt väsentligt kompenserar för förluster av de fria laddningsbärare som ofrånkomligen uppstår när laddningsbärare injiceras.
Enligt en föredragen utföringsform väljs således en bandgaps- energi som är högre än nämnda fotonenergi.
För det fall filtret skall operera i ett vàglängdsområde kring Ä = 1.55 km kan omgivande material C vara InP. Härvid väljs In(L¶,Ga,AsP(p¶, som är gitteranpassat till InP som mate- rial för de båda vågledarna l, 2 och gittret 3. De två vågle- darna har olika material, d.v.s. olika X och Y i nämnda mate- rial, så att den ena vågledaren är semiaktiv medan den andra vågledaren inte är semiaktiv.
Vid nämnda våglängd kan exempelvis fotoluminiscensvåglängden väljas till Ä = 1.48 um för att önskad förlustkompensation skall erhållas. En sådan fotoluminiscensvåglängd och gitter-' konstant motsvarar att X = 38.6 och att Y = 83.2 i nämnda formel för den semiaktiva vågledaren.
Enligt ett föredraget utförande är X ungefär lika med 40% och att Y är lika med ungefär 80%.
I figur 2 visas transmissionskurvor för ett kopplarfilter som funktion av frekvensen f.
Kurvan betecknad A visar transmissionen hos en kopplarstruk- tur med förlusten 3/cm i både den undre och den övre vågleda- ren. Kopplaren är konstruerad för att släcka ut transmissio- G:\Ansok.n0 l \0 l 0O20se.tr.doc , 200 l -10-22 70 75 20 25 s1's 476 nen 1 THz från topptransmissionen, vilket också sker. Trans-' missionen har en halvvärdesbredd av 0.91 THz.
Kurvan betecknad B visar transmissionen hos samma kopplare när den avstämts till en högre frekvens. De injicerade ladd- ningsbärarna orsakar här förluster som ger 20/cm i förluster i den övre vågledaren. Detta försämrar selektiviteten, såsom framgår av figur 2. I detta fall är transmissionen 1 THz från toppen hela 12% av transmissionen vid toppen. Dessutom är transmissionens halvvärdesbredd 1.04 THz.
Kurvan betecknad C visar fallet när ett semiaktivt material enligt uppfinningen används i den övre vågledaren 2. Härvid kompenserar stimulerad emission för de ökande förlusterna, varvid selektiviteten bibehàlles vid avstämning, eftersom vàgledarna fortsätter att ha lika stora förluster.
Det är således uppenbart att föreliggande uppfinning löser det inledningsvis nämnda problemet.
Ovan har ett antal utföringsexempel angivits, liksom exempel på material. Det är dock uppenbart för fackmannen att denne är kapabel att välja andra materialkombinationer för att uppf nå den tekniska effekt som uppfinningen ger.
Föreliggande uppfinning skall därför inte anses begränsad till de ovan angivna utföringsformerna utan kan varieras inom dess av bifogade patentkrav angivna ram.
G:\Ans0kn0 l \0 1 0020se.tr.doc , 2001-10-22

Claims (5)

70 15 20 25 518 476 Patentkrav
1. l. Metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vágledarfilter, såsom ett kopplarfilter, innefattande två vågledare, k ä n n e t e c k n a d a v, att den ena av våg- (l;2) är en semiaktiv vågledare och av att en ökad absorption av laddningsbärare som uppkommer när ström injice- (l;2) bringas att i allt ledarna ras i den semiaktiva vågledaren väsentligt kompenseras av förstärkning i vågledaren genom att välja ett material i den semiaktiva vågledaren (l;2) som ger en tillräckligt stor förstärkning.
2. Metod enligt krav 1, k ä n n e t e c k n a d a V, att den semiaktiva vàgledaren (l;2) har en bandgapsenergi (Egg som är nära fotonenergin (E0) för det ljus som skall filtre- IEIS.
3. Metod enligt krav 2, k ä n n e t.e c k n a d a v, att (E99 är högre än nämnda fotonenergi nämnda bandgapsenergi (Ed- 2 eller 3, k ä n n e t e c k n a d a v, att den semiaktiva vàgledaren (l;2) består av materialet
4. Metod enligt krav 1, Inu-MGa*AsP(b¶, som är gitteranpassat till InP. k ä n n e t e c k n a d a v, att X
5. Metod enligt krav 4, är ungefär lika med 40% och att Y är lika med ungefär 80%. G:\Ansokn0 l \Ol0020se.tr.doc , 2001-10-22
SE0100610A 2001-02-22 2001-02-22 Metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vågledarfilter SE518476C2 (sv)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0100610A SE518476C2 (sv) 2001-02-22 2001-02-22 Metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vågledarfilter
PCT/IB2002/000536 WO2002067047A1 (en) 2001-02-22 2002-02-21 A method of improving selectivity in a tuneable waveguide filter
US10/080,491 US6665474B2 (en) 2001-02-22 2002-02-22 Method of improving selectivity in a tunable waveguide filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
SE0100610A SE518476C2 (sv) 2001-02-22 2001-02-22 Metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vågledarfilter

Publications (3)

Publication Number Publication Date
SE0100610D0 SE0100610D0 (sv) 2001-02-22
SE0100610L SE0100610L (sv) 2002-08-23
SE518476C2 true SE518476C2 (sv) 2002-10-15

Family

ID=20283098

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE0100610A SE518476C2 (sv) 2001-02-22 2001-02-22 Metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vågledarfilter

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6665474B2 (sv)
SE (1) SE518476C2 (sv)
WO (1) WO2002067047A1 (sv)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE0100611L (sv) * 2001-02-22 2002-08-23 Altitun Ab Förfarande för att förlustkompensera ett avstämbart filter för en laser, jämte ett dylikt filter
US6763165B1 (en) * 2002-01-15 2004-07-13 Adc Telecommunications, Inc. Grating assisted coupler with controlled start

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH084186B2 (ja) 1987-10-28 1996-01-17 国際電信電話株式会社 半導体レーザ
US4923264A (en) * 1989-01-18 1990-05-08 University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education Resonance coupled optical coupler with semiconductor waveguide layer comprising a multi-quantum-well structure
US5140149A (en) * 1989-03-10 1992-08-18 Canon Kabushiki Kaisha Optical apparatus using wavelength selective photocoupler
DE69030831T2 (de) * 1989-03-10 1998-01-15 Canon Kk Photodetektor mit wellenlängenselektivem optischem Koppler
EP0431527B1 (en) 1989-12-04 1995-03-15 Canon Kabushiki Kaisha Optical coupling device using wavelength selective optical coupler
US5022730A (en) 1989-12-12 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Wavelength tunable optical filter
DE69125888T2 (de) * 1990-07-09 1997-11-20 Canon Kk Verfahren zur Lichtmodulation und optischer Modulator
JP3123672B2 (ja) * 1992-01-16 2001-01-15 キヤノン株式会社 光半導体素子
SE470454B (sv) * 1992-08-26 1994-04-11 Ericsson Telefon Ab L M Optisk filteranordning
BE1006207A3 (nl) 1992-09-24 1994-06-07 Imec Inter Uni Micro Electr Geintegreerd afstembaar optisch filter.
DE69415576T2 (de) * 1993-03-15 1999-06-17 Canon Kk Optische Vorrichtungen und optische Übertragungssystemen die diese verwenden
US5559912A (en) 1995-09-15 1996-09-24 International Business Machines Corporation Wavelength-selective devices using silicon-on-insulator
US6198863B1 (en) 1995-10-06 2001-03-06 British Telecommunications Public Limited Company Optical filters
KR100211064B1 (ko) 1996-12-04 1999-07-15 정선종 비선형 박막을 갖는 광도파로
KR100289042B1 (ko) * 1997-12-23 2001-05-02 이계철 쌍격자구조를갖는수직결합형파장가변광필터
US6104739A (en) 1997-12-24 2000-08-15 Nortel Networks Corporation Series of strongly complex coupled DFB lasers
SE520951C2 (sv) * 1998-06-17 2003-09-16 Ericsson Telefon Ab L M Multivåglängdsselektiv switch för switchning och omdirigering av optiska våglängder

Also Published As

Publication number Publication date
US20020113670A1 (en) 2002-08-22
US6665474B2 (en) 2003-12-16
SE0100610D0 (sv) 2001-02-22
SE0100610L (sv) 2002-08-23
WO2002067047A1 (en) 2002-08-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CA2048203C (en) Optical amplifier
US5521754A (en) Optical apparatus and a method using the apparatus, which utilizes the occurrence of a change in a both-end voltage of an amplifying region
JPH06194613A (ja) 同調光フィルタデバイス
Menon et al. Control of quality factor and critical coupling in microring resonators through integration of a semiconductor optical amplifier
Sysak et al. Integration of hybrid silicon lasers and electroabsorption modulators
DE69114282T2 (de) Optischer signalregenerator und optisches übertragungssystem, das diesen benutzt.
Numai et al. 1.5 μm tunable wavelength filter using a phase‐shift‐controlled distributed feedback laser diode with a wide tuning range and a high constant gain
US20050063044A1 (en) Variable-gain gain-clamped optical amplifiers
SE518476C2 (sv) Metod för att förbättra selektiviteten i ett avstämbart vågledarfilter
US4893162A (en) Integrated semiconductor arrangement of the coupling type between a photodetector and a light waveguide
JPH05243551A (ja) 半導体光集積素子
Takeuchi et al. High-speed, high-power and high-efficiency photodiodes with evanescently coupled graded-index waveguide
EP0316194A1 (en) A tunable wavelength filter
US5397889A (en) Guided-wave photoreceptor based on quantum wells made of semiconductor materials, particularly for coherent communications system with polarization diversity
Ishii et al. Zero insertion loss operations in monolithically integrated WDM channel selectors
US9529153B2 (en) Optical apparatus including nested resonator
Zali et al. Design and Analysis of Polarization Insensitive O-Band Bulk SOA for active-passive photonic circuits
US6633699B1 (en) Optoelectronic system comprising several sections having respective functions coupled by evanescent coupling and production process
Amann et al. Tunable laser diodes utilizing transverse tuning scheme
EP0551863A1 (en) A semiconductor optical filter and an optical communication system using the same
Fernier et al. Fast (300 ps) polarization insensitive semiconductor optical amplifier switch with low driving current (70 mA)
Vinchant et al. Monolithic integration of a thin and short metal‐semiconductor‐metal photodetector with a GaAlAs optical inverted rib waveguide on a GaAs semi‐insulating substrate
US6904065B2 (en) Method and apparatus for compensating losses in a tunable laser filter
Temkin et al. Single mode operation of 1.5‐μm cleaved‐coupled‐cavity InGaAsP lasers
Tauke-Pedretti et al. Cascaded double ring resonator filter with integrated SOAs

Legal Events

Date Code Title Description
NUG Patent has lapsed