JPS6225485A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6225485A JPS6225485A JP60166607A JP16660785A JPS6225485A JP S6225485 A JPS6225485 A JP S6225485A JP 60166607 A JP60166607 A JP 60166607A JP 16660785 A JP16660785 A JP 16660785A JP S6225485 A JPS6225485 A JP S6225485A
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- semiconductor
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
Landscapes
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
この発明は半導体レーザ装置に関し、特に半導体レーザ
の高出力、高信頼度化を可能にするＮＡＭ （ｊｊＯｎ
５ＬｂＳＯｒｂｉｎｇｍｉｒｒｏｒ ）構造に関す８も
ノテある。
の高出力、高信頼度化を可能にするＮＡＭ （ｊｊＯｎ
５ＬｂＳＯｒｂｉｎｇｍｉｒｒｏｒ ）構造に関す８も
ノテある。
［従来の技術］
第７図は、たとえばＥ ｘｔｅｎｄｅｄ Ａ ｂｓｔｒ
ａｃｔｓ ｏｆｔｈｅ １６ ｔｈ （１９８４Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏ
ｎ ３ ｏｌｉｄ ３ ｔａｔｅ ［） ｅｖｉ
ｃｅｓ ａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ、 ｐｏ、 １５３
−１５６に示された結合導波路を有する従来の半導体レ
ーザ装置を示す断面図である。初めにこの半導体レーザ
装置の構成について説明する。図において、ｎ形Ｇａ
Ａｓ １ｓ板１ａ上に、ｎ形Ａ Ｑｏ、４ ｓ Ｑａ
Ｏ，ｓ ｉ Ａｓクラッド層２ｎ、アンドープＡ Ｑｏ
、ｏ ９ Ｇａ ｏ、９＋ ＡＳ活性層３ａ 、Ｄ形Ａ
（Ｌｏ、４ ｓ Ｇａ ｏ、 ｓ ｓ Ａｓクラッド
層４ａ 、ｎ形ＧａＡｓＩ流阻止層５がこの順序で形成
されており、ｐ形Ａ見０，４ Ｓ Ｇａ Ｏ，５ｓＡｓ
クラッド層４ａおよびｎ形Ｇａ Ａｓ Ｉ流化止１１５
にストライブ状溝２０ａが形成されている。
ａｃｔｓ ｏｆｔｈｅ １６ ｔｈ （１９８４Ｉ
ｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ）Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏ
ｎ ３ ｏｌｉｄ ３ ｔａｔｅ ［） ｅｖｉ
ｃｅｓ ａｎｄＭａｔｅｒｉａｌｓ、 ｐｏ、 １５３
−１５６に示された結合導波路を有する従来の半導体レ
ーザ装置を示す断面図である。初めにこの半導体レーザ
装置の構成について説明する。図において、ｎ形Ｇａ
Ａｓ １ｓ板１ａ上に、ｎ形Ａ Ｑｏ、４ ｓ Ｑａ
Ｏ，ｓ ｉ Ａｓクラッド層２ｎ、アンドープＡ Ｑｏ
、ｏ ９ Ｇａ ｏ、９＋ ＡＳ活性層３ａ 、Ｄ形Ａ
（Ｌｏ、４ ｓ Ｇａ ｏ、 ｓ ｓ Ａｓクラッド
層４ａ 、ｎ形ＧａＡｓＩ流阻止層５がこの順序で形成
されており、ｐ形Ａ見０，４ Ｓ Ｇａ Ｏ，５ｓＡｓ
クラッド層４ａおよびｎ形Ｇａ Ａｓ Ｉ流化止１１５
にストライブ状溝２０ａが形成されている。
また、ｐ形Ａ １１ｏ、ｎ ｓ Ｇａ Ｏ，ｓ ｓ Ａ
ｓクラッド層４ａの一部上およびｎ形Ｑａ Ａｓ電流阻
止層５上にｐ形Ａ Ｑｏ、ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，ｓ ｓ
ＡＳ光ガイド層６、ｐ形Ａ Ｉｌｏ、＊ ｓ Ｇａ Ｏ
，ｓ ｓ Ａｓクラッド層７、ｐ形Ｑａ Ａｓコンタク
ト層８がこの順序で形成されており、ｐ形Ａ ｆＬｏ、
ａ ｓ Ｇａ Ｏ，６ｓ Ａ Ｓ光ガイド層６．ｐ形
Ａ ｆＬｏ、＜ ｓ Ｇａ ａ、ｂ ｓ Ａｓクラッド
層７にもストライブ状溝２０３に対応してこの溝と同様
なストライブ状溝が形成されている。９は上側電極であ
り、１０は下側電極である。
ｓクラッド層４ａの一部上およびｎ形Ｑａ Ａｓ電流阻
止層５上にｐ形Ａ Ｑｏ、ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，ｓ ｓ
ＡＳ光ガイド層６、ｐ形Ａ Ｉｌｏ、＊ ｓ Ｇａ Ｏ
，ｓ ｓ Ａｓクラッド層７、ｐ形Ｑａ Ａｓコンタク
ト層８がこの順序で形成されており、ｐ形Ａ ｆＬｏ、
ａ ｓ Ｇａ Ｏ，６ｓ Ａ Ｓ光ガイド層６．ｐ形
Ａ ｆＬｏ、＜ ｓ Ｇａ ａ、ｂ ｓ Ａｓクラッド
層７にもストライブ状溝２０３に対応してこの溝と同様
なストライブ状溝が形成されている。９は上側電極であ
り、１０は下側電極である。
次に、この半導体レーザ装置の作成方法について簡単に
説明する。まず、ｎ形（３ａ ＡＳ基板１ａ上ニ、Ｍ
Ｏ−ＣＶ Ｄ （ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と呼ば
れる気相成長法によコテ順次ｎ形Ａ Ｑ、ｏ、＊ ｓ
Ｑａ Ｏ，５ｓ Ａｓクラッド層２ａからｎ形Ｇａ Ａ
Ｓ ’ｉ流流化止層５でをエピタキシャル成長する。次
に、写真製版技術を用いてｎ形Ｇａ Ａｓ Ｉ流化止層
５上にストライプ状に開いたレジストマスクを形成する
。この模、このレジストマスクを用いてｐ形Ａ ＩＬＯ
，ｔ ｓ Ｑａ Ｏ，５ｓＡｓクラッド層４ａ、ｎ形Ｇ
ａＡｓ電流阻止層５を硫酸系エツチング液などで化学エ
ツチングしてストライブ状溝２０ａを形成する。このと
き、ストライブ状溝２０ａの底部がアンドープＡｕｏ。
説明する。まず、ｎ形（３ａ ＡＳ基板１ａ上ニ、Ｍ
Ｏ−ＣＶ Ｄ （ｍｅｔａｌｏｒｇａｎｉｃ ｃｈｅｍ
ｉｃａｌｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法と呼ば
れる気相成長法によコテ順次ｎ形Ａ Ｑ、ｏ、＊ ｓ
Ｑａ Ｏ，５ｓ Ａｓクラッド層２ａからｎ形Ｇａ Ａ
Ｓ ’ｉ流流化止層５でをエピタキシャル成長する。次
に、写真製版技術を用いてｎ形Ｇａ Ａｓ Ｉ流化止層
５上にストライプ状に開いたレジストマスクを形成する
。この模、このレジストマスクを用いてｐ形Ａ ＩＬＯ
，ｔ ｓ Ｑａ Ｏ，５ｓＡｓクラッド層４ａ、ｎ形Ｇ
ａＡｓ電流阻止層５を硫酸系エツチング液などで化学エ
ツチングしてストライブ状溝２０ａを形成する。このと
き、ストライブ状溝２０ａの底部がアンドープＡｕｏ。
ｏ ｓ Ｇａ Ｏ，９１ＡＳ活性層３ａと０．３〜０．
５μ−の距離となるようにエツチング時間を制御する。
５μ−の距離となるようにエツチング時間を制御する。
次に、ｐ形Ａ ｉｏ、＊ ｓ Ｇａ Ｑ、ｓ ｓ Ａｓ
クラッド層４ａの一部上およびｎ形Ｑａ Ａｓ電流阻止
層５上に、再びＭＯ−ＣＶＤ法によって順次ｐ形ＡＱｏ
、ｓ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ ＡＳ光ガイド層６からｐ
形ＧａＡｓコンタクト層８までをエピタキシャル成長す
る。最後に、へき開が容易なようにｎ形ＧａＡｓＪ＆板
１ａを１００μｍ程度の厚さまで研磨し、この債、ｐ形
（３ａＡｓコンタクトＷｉ８に上側電極９を、０形Ｇａ
Ａｓ Ｗ板１ａに下ＪＲ４電橿１Ｏを形成する。次に
この半導体レーザ装置の動作について説明する。上側電
極９と下側量ｇｉｉｏとの間に、アンドープＡ Ｌｏ、
ａ ９ Ｇａ Ｏ，９＋ ＡＳ活性層３−ａとｐ形Ａ
ｎｏ６ａ ｓ Ｇａ ａ、 ｓ ｓ Ａｓクラッド！！
！４ａとの界面に形成されているｐｎ接合に順方向とな
る電圧を印加すると、ｎ形Ｑａ ＡＳ電流阻止ＦＩ５が
除去されているストライブ状溝２０ａ内のＡ域に狭窄さ
れた順方向電流がアンドープＩ＼ｆＬｏ、ｏ９Ｇａｏ、
ｓ＋Ａｓ活性ＪＩ３ａに注入されて発光が生じる。この
光は、ｎ形Ａ ｆＬｏ、＊ ｓ Ｑａ Ｑ、ｉ ｓ Ａ
ｓクラッド層２ａｉＪ３よびｐ形Ａ Ｌａ、 ４ ｓ
（３ａ ｏ、ｓ ｓ ＡＳクラッド１ｌ１４ａとアンド
ープＡ Ａｏ、ｏ ９ Ｑａ ｏ。
クラッド層４ａの一部上およびｎ形Ｑａ Ａｓ電流阻止
層５上に、再びＭＯ−ＣＶＤ法によって順次ｐ形ＡＱｏ
、ｓ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ ＡＳ光ガイド層６からｐ
形ＧａＡｓコンタクト層８までをエピタキシャル成長す
る。最後に、へき開が容易なようにｎ形ＧａＡｓＪ＆板
１ａを１００μｍ程度の厚さまで研磨し、この債、ｐ形
（３ａＡｓコンタクトＷｉ８に上側電極９を、０形Ｇａ
Ａｓ Ｗ板１ａに下ＪＲ４電橿１Ｏを形成する。次に
この半導体レーザ装置の動作について説明する。上側電
極９と下側量ｇｉｉｏとの間に、アンドープＡ Ｌｏ、
ａ ９ Ｇａ Ｏ，９＋ ＡＳ活性層３−ａとｐ形Ａ
ｎｏ６ａ ｓ Ｇａ ａ、 ｓ ｓ Ａｓクラッド！！
！４ａとの界面に形成されているｐｎ接合に順方向とな
る電圧を印加すると、ｎ形Ｑａ ＡＳ電流阻止ＦＩ５が
除去されているストライブ状溝２０ａ内のＡ域に狭窄さ
れた順方向電流がアンドープＩ＼ｆＬｏ、ｏ９Ｇａｏ、
ｓ＋Ａｓ活性ＪＩ３ａに注入されて発光が生じる。この
光は、ｎ形Ａ ｆＬｏ、＊ ｓ Ｑａ Ｑ、ｉ ｓ Ａ
ｓクラッド層２ａｉＪ３よびｐ形Ａ Ｌａ、 ４ ｓ
（３ａ ｏ、ｓ ｓ ＡＳクラッド１ｌ１４ａとアンド
ープＡ Ａｏ、ｏ ９ Ｑａ ｏ。
ｓ＋ＡＳ活性層３ａとの間の屈折率差と、ｐ形Ａｉｓ、
ｓ ｉ Ｇａ Ｑ、ｌ ｉ ＡＳクラッド層４ａおよび
ｐ形Ａ （Ｌｏ、４ ｓ Ｑａ Ｑ、ｌ Ｉ Ａｓクラ
ッド層７とｐ形Ａ Ｉｌｏ、 ｓ ｉ Ｇａ ａ、Ｉｉ
ｓ Ａ Ｓ光ガイド層６との間の屈折率差とにより構成
される結合導波路によって導波される。ｐ形Ａ ＱＱ、
ｓ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓ光ガイド１６は、ス
トライブ状溝２０ａにより屈曲した形となっているので
、実効的に成長層に水平方向の屈折率差が生じ、横モー
ドが安定となる。このような結合導波路によって導波さ
れた光は、ストライブ状溝２０ａの長手方向く紙面に垂
直な方向）に直角な対向するへき開端面によって構成さ
れるファブリ・ペロー型具＠器によってレーザ発振に至
る。
ｓ ｉ Ｇａ Ｑ、ｌ ｉ ＡＳクラッド層４ａおよび
ｐ形Ａ （Ｌｏ、４ ｓ Ｑａ Ｑ、ｌ Ｉ Ａｓクラ
ッド層７とｐ形Ａ Ｉｌｏ、 ｓ ｉ Ｇａ ａ、Ｉｉ
ｓ Ａ Ｓ光ガイド層６との間の屈折率差とにより構成
される結合導波路によって導波される。ｐ形Ａ ＱＱ、
ｓ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓ光ガイド１６は、ス
トライブ状溝２０ａにより屈曲した形となっているので
、実効的に成長層に水平方向の屈折率差が生じ、横モー
ドが安定となる。このような結合導波路によって導波さ
れた光は、ストライブ状溝２０ａの長手方向く紙面に垂
直な方向）に直角な対向するへき開端面によって構成さ
れるファブリ・ペロー型具＠器によってレーザ発振に至
る。
［発明が解決しようとする問題点］
ところで、従来のＡｆＬＧａＡｓ系半導体レーザ装置で
は、表面単位に起因してへき開端面がレーザ光の吸収領
域となっている。このため、最大光出力がへき開端面で
のＣＯＤ （ＣａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃＱｐｔｉｃａｌ
［）ａｉａｇｅ 、光学損傷）によって規定される
ので、高出力動作が制限される。また、レーザ光の吸収
による発熱によって促進されるへき開端面の酸化に起因
する緩やかな特性劣化（たとえば、光出力対電流特性の
劣化）が、半導体レーザ装置の信頼性を損なうなどの問
題点があった。
は、表面単位に起因してへき開端面がレーザ光の吸収領
域となっている。このため、最大光出力がへき開端面で
のＣＯＤ （ＣａｔａｓｔｒｏｐｈｉｃＱｐｔｉｃａｌ
［）ａｉａｇｅ 、光学損傷）によって規定される
ので、高出力動作が制限される。また、レーザ光の吸収
による発熱によって促進されるへき開端面の酸化に起因
する緩やかな特性劣化（たとえば、光出力対電流特性の
劣化）が、半導体レーザ装置の信頼性を損なうなどの問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高出力動作が可能で、しかも信頼性の高イＮ
Ａ Ｍ （ｎｏｎａｂｓｏｒｂｉｎｇ ｍ１ｒｒｏｒ
）構造を有する半導体レーザ装置を得ることを目的と
する。
たもので、高出力動作が可能で、しかも信頼性の高イＮ
Ａ Ｍ （ｎｏｎａｂｓｏｒｂｉｎｇ ｍ１ｒｒｏｒ
）構造を有する半導体レーザ装置を得ることを目的と
する。
［問題点を解決するための手段］
この発明に係る半導体レーザ装置は、第１伝導形の第１
半導体クラッド層および第２伝導形の第２半導体クラッ
ド層と半導体活性層との間の屈折率差と、第２半導体ク
ラッド層および第２伝導形の第３半導体クラッド層と半
導体光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結
合導波路を有する半導体レーザ装置において、レーザ光
の出射端面近傍で半導体活性層を半導体光ガイド層から
遠ざけるようにしたものである。
半導体クラッド層および第２伝導形の第２半導体クラッ
ド層と半導体活性層との間の屈折率差と、第２半導体ク
ラッド層および第２伝導形の第３半導体クラッド層と半
導体光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結
合導波路を有する半導体レーザ装置において、レーザ光
の出射端面近傍で半導体活性層を半導体光ガイド層から
遠ざけるようにしたものである。
［作用］
この発明においては、レーザ光の出射端面近傍では半導
体活性層が半導体光ガイド層から遠ざけられるため結合
導波路が構成されず、内部の結合導波路で導波されたレ
ーザ光は出射端面近傍では半導体光ガイド層によって導
波され、半導体活性層に結合されない。このため、レー
ザ光が反射される面域は、レーザ光の吸収されない第２
半導体クラッド層、第３半導体クラッド層および半導体
光ガイド層となるので、ＮＡＭ構造が構成できる。
体活性層が半導体光ガイド層から遠ざけられるため結合
導波路が構成されず、内部の結合導波路で導波されたレ
ーザ光は出射端面近傍では半導体光ガイド層によって導
波され、半導体活性層に結合されない。このため、レー
ザ光が反射される面域は、レーザ光の吸収されない第２
半導体クラッド層、第３半導体クラッド層および半導体
光ガイド層となるので、ＮＡＭ構造が構成できる。
［発明の実施例］
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
重複する部分については適宜その説明を省略する。
重複する部分については適宜その説明を省略する。
第１図はこの発明の一実施例である結合導波路を有する
半導体レーザ装置を示す西面斜視図である。また、第２
図は第１図のＡ−Ａｌｌ！断面図であり、第３図は第１
図のＢ−Ｂ線断面図である。初めにこの半導体レーザ装
置の構成について説明する。これらの図において、この
半導体レーザ装置は端面４０．４１．４２．４３を有し
ており、端面４０と端面４２とは対向し、端面４１と端
面４３とは対向している。ｎ形Ｇａ Ａｓ ！！板１に
は、端面４０から隔てて段差３１が、端面４２から隔て
て段差３２が形成されており、これら段着によってｎ型
ＧａＡｓ基板１は平板状凸部３０を有している。このｎ
型ＧａＡｓ基板１上にｎ形ＡＱｏ。
半導体レーザ装置を示す西面斜視図である。また、第２
図は第１図のＡ−Ａｌｌ！断面図であり、第３図は第１
図のＢ−Ｂ線断面図である。初めにこの半導体レーザ装
置の構成について説明する。これらの図において、この
半導体レーザ装置は端面４０．４１．４２．４３を有し
ており、端面４０と端面４２とは対向し、端面４１と端
面４３とは対向している。ｎ形Ｇａ Ａｓ ！！板１に
は、端面４０から隔てて段差３１が、端面４２から隔て
て段差３２が形成されており、これら段着によってｎ型
ＧａＡｓ基板１は平板状凸部３０を有している。このｎ
型ＧａＡｓ基板１上にｎ形ＡＱｏ。
４１ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓクラッド１、アンドープ
ＡｉＯ，０９Ｇａｏ、９＋ＡＳ活性層３．ｐ形ＡＩＬＯ
，ｎ５Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ ＡｓクラッドＦｊ１４、ｎ形
Ｇａ ＡＳ電流阻止層５がこの順序で形成されており、
ｐ形Ａ１１Ｏ，４Ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓクラッド
層４およびｎ形ＧａＡｓ電流阻止層５にストライブ状溝
２０が形成されティる。ここで、ｎ形Ａ Ｑ、ａ、＜
ｓ （３ａ Ｏ，Ｓ ｓＡＳＡｓクラッド層２びｐ形Ａ
Ｌｏ、ｓ ｓ Ｑａ Ｑ、 ５ｓＡｓクラッド層４の
それぞれの禁制帯幅はアンドープＡ Ａｏ、ｏ ｓ Ｑ
ａ Ｏ，９＋ ＡＳ活性層３の禁制帯幅より大きくなっ
ている。ｐ形Ａ ＩｌＧ、４ ｓ Ｇａｏ、５ｓＡＳク
ラッド層４の一部上およびｎ形（３ａＡＳ電流阻止層５
上に、ｐ形Ａ ｌａ、ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，ｓ、ＡＳ光ガ
イド層６、ｐ形Ａ ｆＬａ、ａ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ
ＡＳＡｓクラッド層７形Ｇａ ＡＳコンタクト層８がこ
の順序で形成されており、ｐ形ＡＱｏ１ｓＧａｏ、５ｓ
ＡＳ光ガイド層６．ｐ形Ａ ｕｏ、ａ ｓ Ｇａ０、ｓ
工Ａｓクラッド層７にもストライブ状溝２０に対応して
この溝と同様なストライブ状溝が形成されている。ここ
で、Ｄ ＪＦ＃Ａ Ｑ ｏ、 ｓ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ
＊ＡＳ光ガイドｌ１Ｗ６の禁制帯幅は、アンドープＡＱ
Ｏ００９Ｇａ Ｑ、９１ Ａｓ活性層３の禁制帯幅より
大きくかつｐ形Ａ ｆＬＱ、４ ｓ Ｇａ Ｏ，１ｉ
ＡＳクラッドＷＩ４の禁制帯幅より小さくなっており、
ｐ形ＡＱｏ、ａ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラッド
１１７の禁制帯幅はｐ形Ａ ｎｏ、 ｊ＋ ＧａＱ、Ｇ
ｓ Ａｓ光ガイド層６の禁制帯幅より大きくなってい
る。また、アンドープＡ ｆ）−ｏ、ｏ ｓ Ｑａ Ｇ
、！ｌ ｌ Ａｓ活性層３は段差３１゜３２の斜め上部
で屈曲しており、このため、平板状凸部３０上部のアン
ドープＡ ｆＬｏ、ｏ ｓ Ｑａ ｏ、 ｓ＋Ａｓ活性
１ｉｉ１３とｐ形Ａ ｆＬｏ−ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，Ｇｓ
Ａｓ光ガイド！！６との間隔は、端面４０Ｉ３よび４
２近傍のアンドープＡ ｉｏ、ｏ ９Ｇａ Ｏ，９＋
Ａｓ活性層３とｐ形Ａ ｆｌｏ、ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ
Ａｓ光ガイド層６との間隔より狭くなっている。また
、端面４０゜４２はレーザ光の出射面であり、光を反射
するためにへき開面からなっている。９は上側金属電極
であり、１０は下側金属電極である。
ＡｉＯ，０９Ｇａｏ、９＋ＡＳ活性層３．ｐ形ＡＩＬＯ
，ｎ５Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ ＡｓクラッドＦｊ１４、ｎ形
Ｇａ ＡＳ電流阻止層５がこの順序で形成されており、
ｐ形Ａ１１Ｏ，４Ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓクラッド
層４およびｎ形ＧａＡｓ電流阻止層５にストライブ状溝
２０が形成されティる。ここで、ｎ形Ａ Ｑ、ａ、＜
ｓ （３ａ Ｏ，Ｓ ｓＡＳＡｓクラッド層２びｐ形Ａ
Ｌｏ、ｓ ｓ Ｑａ Ｑ、 ５ｓＡｓクラッド層４の
それぞれの禁制帯幅はアンドープＡ Ａｏ、ｏ ｓ Ｑ
ａ Ｏ，９＋ ＡＳ活性層３の禁制帯幅より大きくなっ
ている。ｐ形Ａ ＩｌＧ、４ ｓ Ｇａｏ、５ｓＡＳク
ラッド層４の一部上およびｎ形（３ａＡＳ電流阻止層５
上に、ｐ形Ａ ｌａ、ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，ｓ、ＡＳ光ガ
イド層６、ｐ形Ａ ｆＬａ、ａ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ
ＡＳＡｓクラッド層７形Ｇａ ＡＳコンタクト層８がこ
の順序で形成されており、ｐ形ＡＱｏ１ｓＧａｏ、５ｓ
ＡＳ光ガイド層６．ｐ形Ａ ｕｏ、ａ ｓ Ｇａ０、ｓ
工Ａｓクラッド層７にもストライブ状溝２０に対応して
この溝と同様なストライブ状溝が形成されている。ここ
で、Ｄ ＪＦ＃Ａ Ｑ ｏ、 ｓ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ
＊ＡＳ光ガイドｌ１Ｗ６の禁制帯幅は、アンドープＡＱ
Ｏ００９Ｇａ Ｑ、９１ Ａｓ活性層３の禁制帯幅より
大きくかつｐ形Ａ ｆＬＱ、４ ｓ Ｇａ Ｏ，１ｉ
ＡＳクラッドＷＩ４の禁制帯幅より小さくなっており、
ｐ形ＡＱｏ、ａ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラッド
１１７の禁制帯幅はｐ形Ａ ｎｏ、 ｊ＋ ＧａＱ、Ｇ
ｓ Ａｓ光ガイド層６の禁制帯幅より大きくなってい
る。また、アンドープＡ ｆ）−ｏ、ｏ ｓ Ｑａ Ｇ
、！ｌ ｌ Ａｓ活性層３は段差３１゜３２の斜め上部
で屈曲しており、このため、平板状凸部３０上部のアン
ドープＡ ｆＬｏ、ｏ ｓ Ｑａ ｏ、 ｓ＋Ａｓ活性
１ｉｉ１３とｐ形Ａ ｆＬｏ−ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，Ｇｓ
Ａｓ光ガイド！！６との間隔は、端面４０Ｉ３よび４
２近傍のアンドープＡ ｉｏ、ｏ ９Ｇａ Ｏ，９＋
Ａｓ活性層３とｐ形Ａ ｆｌｏ、ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ
Ａｓ光ガイド層６との間隔より狭くなっている。また
、端面４０゜４２はレーザ光の出射面であり、光を反射
するためにへき開面からなっている。９は上側金属電極
であり、１０は下側金属電極である。
この実施例の半導体レーザ装置の作成方法は、平板状凸
部３０を有するｎ形Ｇａ Ａｓ Ｍ板１を用いる以外は
従来の半導体レーザ装置の作成方法と同様である。この
平板状凸部３０は、ｎ形ＧａＡｓ基板１の端面４０およ
び４２近傍に写真製版技術を用いた選択的な化学エツチ
ングを施すことによって形成することができる。
部３０を有するｎ形Ｇａ Ａｓ Ｍ板１を用いる以外は
従来の半導体レーザ装置の作成方法と同様である。この
平板状凸部３０は、ｎ形ＧａＡｓ基板１の端面４０およ
び４２近傍に写真製版技術を用いた選択的な化学エツチ
ングを施すことによって形成することができる。
次にこの半導体レーザ装置の動作について説明する。こ
の半導体レーザ装置の動作機構は従来の半導体レーザ装
置の動作機構とほぼ同１藁であるが、アンドープＡ （
Ｌ、ｏ ｓ Ｇａ Ｏ，９＋ Ａｓ活性層３を段差３１
．３２の斜め上部で屈曲させ、この活性層を端面４０，
４２近傍でｐ形Ａ ｆＬａ、 ｓ ｓ （３ａ Ｏ。
の半導体レーザ装置の動作機構は従来の半導体レーザ装
置の動作機構とほぼ同１藁であるが、アンドープＡ （
Ｌ、ｏ ｓ Ｇａ Ｏ，９＋ Ａｓ活性層３を段差３１
．３２の斜め上部で屈曲させ、この活性層を端面４０，
４２近傍でｐ形Ａ ｆＬａ、 ｓ ｓ （３ａ Ｏ。
ＧＩＡＳ光ガイド層６から遠ざ番プているため、内部で
はｎ形Ａ Ｊｌｏｌｓ （３ａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラ
ッド層２およびｐ形Ａ ｌｏ、４ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ
ｓ ＡＳクラッドＷ４とアンドープＡ ｆＬｏ、ｏ ９
Ｑａ Ｏ，９１Ａｓ活性層３との間の屈折率差と、ｐ
形Ａ Ｑ、ａ、４ｓ Ｇａ ａ。
はｎ形Ａ Ｊｌｏｌｓ （３ａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラ
ッド層２およびｐ形Ａ ｌｏ、４ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ
ｓ ＡＳクラッドＷ４とアンドープＡ ｆＬｏ、ｏ ９
Ｑａ Ｏ，９１Ａｓ活性層３との間の屈折率差と、ｐ
形Ａ Ｑ、ａ、４ｓ Ｇａ ａ。
５ｓＡｓクラッド層４およびｐ形Ａ Ｑｏ、＊ ｓ Ｑ
ａｏ、１ｉＡｓクラッド層７とｐ形Ａ ｆＬｏｌｓ Ｇ
ａ Ｏ。
ａｏ、１ｉＡｓクラッド層７とｐ形Ａ ｆＬｏｌｓ Ｇ
ａ Ｏ。
５ｓＡｓ光ガイド層６との間の屈折率差とにより結合導
波路が構成されるが、端面４０，４２近傍では結合導波
路は構成されない。このため、内部の結合導波路によっ
と導波されたレーザ光は、端面４０，４２近傍ではｐ形
ＡｆＬｏ、ｓ ｓ Ｑａ Ｏ，ｇ ｓＡｓ光ガイド層６
によって導波され、アンドープＡ Ｑｏ、ｏ ９Ｑａ
Ｏ，９１Ａｓ活性１ｉ１３に結合されない。したがって
、レーザ光が反射される端面４０゜４２の面域は、ｐ形
Ａ ｆＬａ、＜ ｓ （３ａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラッ
ド層４．ｐ形Ａ ｕＯ，＜ ｓ Ｑａ ａ、ｓ ｓ Ａ
ｓクラッド層７およびｐ形Ａ 庭ｏ、ｓ ｓ Ｑａ Ｏ
，１＋ ｓ Ａｓ光ガイド層６で構成される。ｐ形Ａ
ＪＩＯ，４ｉ Ｑａ ｏ。
波路が構成されるが、端面４０，４２近傍では結合導波
路は構成されない。このため、内部の結合導波路によっ
と導波されたレーザ光は、端面４０，４２近傍ではｐ形
ＡｆＬｏ、ｓ ｓ Ｑａ Ｏ，ｇ ｓＡｓ光ガイド層６
によって導波され、アンドープＡ Ｑｏ、ｏ ９Ｑａ
Ｏ，９１Ａｓ活性１ｉ１３に結合されない。したがって
、レーザ光が反射される端面４０゜４２の面域は、ｐ形
Ａ ｆＬａ、＜ ｓ （３ａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラッ
ド層４．ｐ形Ａ ｕＯ，＜ ｓ Ｑａ ａ、ｓ ｓ Ａ
ｓクラッド層７およびｐ形Ａ 庭ｏ、ｓ ｓ Ｑａ Ｏ
，１＋ ｓ Ａｓ光ガイド層６で構成される。ｐ形Ａ
ＪＩＯ，４ｉ Ｑａ ｏ。
５ｓＡＳクラッドｊ１４．＄）形Ａ ［０，４ｓ Ｑａ
Ｑ、 ５ｓＡｓクラッド層７およびｐ形Ａ Ａｏ、ｓ
ｓ Ｇａ ａ。
Ｑ、 ５ｓＡｓクラッド層７およびｐ形Ａ Ａｏ、ｓ
ｓ Ｇａ ａ。
１ｓＡＳ光ガイド層６のそれぞれのＡＡ組成比は０．４
５．０．４５および０．３５であり、これらＡｉ組成比
はアンドープＡ ｆＬｏ、ｏ ９ Ｑａ Ｏ９９＋Ａｓ
活性層３のＡｆＬ組成比０．０９よりも十分大きく、し
たがってｐ形Ａ ｌａ、＜ ｓ Ｇａ ｏ、ｓ Ａｓク
ラッド層４．＋１形Ａ Ｑｌｌ＋、４ ｓ Ｇａ ｏ、
ｓ ｓ Ａｓクラッド層７および１）ＷｅＡｉｏ、ｓ
ｓ （３ａ １＋、＋； ｓ Ａｓ光ガイド層６のそれ
ぞれの禁制帯幅はアンドープＡ ｆｔｏ、ｏ ｓ Ｇａ
ｏ、＊ 、Ａｓ活性層３の禁制帯幅より十分大きいの
で、この活性層で発光したレーザ光は端面４０．４２近
傍では全く吸収されない。
５．０．４５および０．３５であり、これらＡｉ組成比
はアンドープＡ ｆＬｏ、ｏ ９ Ｑａ Ｏ９９＋Ａｓ
活性層３のＡｆＬ組成比０．０９よりも十分大きく、し
たがってｐ形Ａ ｌａ、＜ ｓ Ｇａ ｏ、ｓ Ａｓク
ラッド層４．＋１形Ａ Ｑｌｌ＋、４ ｓ Ｇａ ｏ、
ｓ ｓ Ａｓクラッド層７および１）ＷｅＡｉｏ、ｓ
ｓ （３ａ １＋、＋； ｓ Ａｓ光ガイド層６のそれ
ぞれの禁制帯幅はアンドープＡ ｆｔｏ、ｏ ｓ Ｇａ
ｏ、＊ 、Ａｓ活性層３の禁制帯幅より十分大きいの
で、この活性層で発光したレーザ光は端面４０．４２近
傍では全く吸収されない。
すなわち、いわゆるＮ Ａ Ｍ （ｎｏｎａｂｓｏｒｂ
ｉｎｇ １ｉｒｒ。
ｉｎｇ １ｉｒｒ。
「）構造を構成できることになる。このため、ＣＯＤレ
ベルが増大し、レーザ光の吸収による発熱によって促進
される端面４０．４２の酸化などに起因するＩヤかな特
性劣化が防止でき、高出力動作でも信頼度の高いＡ！Ｌ
ＧａＡｓ系短波長半導体レーザ装置を実現することがで
きる。しかも、この実施例においては、端面４０，４２
近傍でも、ｐ形Ａ ｌ１ｏ１ｓ Ｇａ ｏ、ｓ ｓ Ａ
ｓ光ガイド層６によって垂直および水平方向の導波機構
があるため、ビームが反射面に至る前に広がることによ
る実効的反射率の低下や、アスティグマティズム（ビー
ムの垂直方向と水平方向とでビームウェストの位ばが興
なること）が生じないという特徴がある。
ベルが増大し、レーザ光の吸収による発熱によって促進
される端面４０．４２の酸化などに起因するＩヤかな特
性劣化が防止でき、高出力動作でも信頼度の高いＡ！Ｌ
ＧａＡｓ系短波長半導体レーザ装置を実現することがで
きる。しかも、この実施例においては、端面４０，４２
近傍でも、ｐ形Ａ ｌ１ｏ１ｓ Ｇａ ｏ、ｓ ｓ Ａ
ｓ光ガイド層６によって垂直および水平方向の導波機構
があるため、ビームが反射面に至る前に広がることによ
る実効的反射率の低下や、アスティグマティズム（ビー
ムの垂直方向と水平方向とでビームウェストの位ばが興
なること）が生じないという特徴がある。
なお、上記実施例ではＭＯ−ＣＶＤ法で半導体レーザ装
置な作成しているが、半導体レーザ装置の作成において
従来より用いられている結晶成長法である液相成長法で
は、ＡＱＧａＡｓ上への成長が困難であるため、上記実
施例の半導体レーザ装置を作成できない。液相成長法で
作成可能な他の実施例を以下に説明する。
置な作成しているが、半導体レーザ装置の作成において
従来より用いられている結晶成長法である液相成長法で
は、ＡＱＧａＡｓ上への成長が困難であるため、上記実
施例の半導体レーザ装置を作成できない。液相成長法で
作成可能な他の実施例を以下に説明する。
第４図はこの発明の他の実施例である結合導波路を有す
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図である。また、第
５図は第４図のＡ−Ａ線断面図であり、第６図は第４図
のＢ−Ｂ線断面図である。
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図である。また、第
５図は第４図のＡ−Ａ線断面図であり、第６図は第４図
のＢ−Ｂ線断面図である。
初めにこの半導体レーザ装置の構成について説明する。
これらの図において、ｎ形ＧａＡｓ基板１ｂには、端面
４０から隔てて段差３６が、端面４２から隔てて段差３
７が、また端面４３から隔てて段差３４が、端面４２か
ら隔てて段差３５が形成されており、これら段差によっ
てｎ型ＧａＡｓ基板１ｂはストライブ状凸部３３を有し
ている。
４０から隔てて段差３６が、端面４２から隔てて段差３
７が、また端面４３から隔てて段差３４が、端面４２か
ら隔てて段差３５が形成されており、これら段差によっ
てｎ型ＧａＡｓ基板１ｂはストライブ状凸部３３を有し
ている。
ｎ形ＧａＡｓ基板１ｂ上にストライブ状凸部３３の頂上
部を除いてＤ Ｔｆ３Ｇａ Ａｓ電流阻止層５ｂが形成
されている。ストライブ状凸部３３の頂上部上およびｐ
形Ｑａ ＡＳ電流阻止層５ｂ上にｎ形Ａ（ｌ ｏ、ａ
ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラッド層２ｂ、アンドー
プＡ （Ｌｏ、ｏ ９ Ｇａ Ｏ，９１Ａｓ活性層３ｔ
１ 、１１形Ａ ｆＬｏ、＊ ｓ Ｇａ （１，ｓ ｓ
Ａｓクラッド層４ｂ、ＥＪ形Ａ Ｑａ、 ｓ ｓ Ｇ
ａ Ｏ，Ｇ Ｓ Ａｓ光ガイド層６ｂ 、ｏ形Ａ Ｑｏ
、４ ｉ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラッド層７ｂ 、
ｐ形Ｇａ Ａｓコンタクト層８ｂがこの順序で形成さ
れている。ここで、ｎ形Ａ ＩＬｏ、ｓ ｓ Ｑａ ｏ
、ｓ ｓ Ａｓクラッド層２ｂおよびｐ形Ａ ＩＩＱ、
４ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓＡＳＡｓクラッド層４ｂれぞ
れの禁制帯幅はアンドープＡ ｆＬｏ、ｏ ｓ Ｇａ
ｏ、！１１ ＡＳ活性層３ｂの禁制帯幅より大きくなっ
ている。また、ｐ形ＡＱｏ。
部を除いてＤ Ｔｆ３Ｇａ Ａｓ電流阻止層５ｂが形成
されている。ストライブ状凸部３３の頂上部上およびｐ
形Ｑａ ＡＳ電流阻止層５ｂ上にｎ形Ａ（ｌ ｏ、ａ
ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラッド層２ｂ、アンドー
プＡ （Ｌｏ、ｏ ９ Ｇａ Ｏ，９１Ａｓ活性層３ｔ
１ 、１１形Ａ ｆＬｏ、＊ ｓ Ｇａ （１，ｓ ｓ
Ａｓクラッド層４ｂ、ＥＪ形Ａ Ｑａ、 ｓ ｓ Ｇ
ａ Ｏ，Ｇ Ｓ Ａｓ光ガイド層６ｂ 、ｏ形Ａ Ｑｏ
、４ ｉ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓクラッド層７ｂ 、
ｐ形Ｇａ Ａｓコンタクト層８ｂがこの順序で形成さ
れている。ここで、ｎ形Ａ ＩＬｏ、ｓ ｓ Ｑａ ｏ
、ｓ ｓ Ａｓクラッド層２ｂおよびｐ形Ａ ＩＩＱ、
４ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓＡＳＡｓクラッド層４ｂれぞ
れの禁制帯幅はアンドープＡ ｆＬｏ、ｏ ｓ Ｇａ
ｏ、！１１ ＡＳ活性層３ｂの禁制帯幅より大きくなっ
ている。また、ｐ形ＡＱｏ。
ｅ ｓ Ｇａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓ光ガイド層６ｂの禁制
帯幅は、アンドープＡ Ｑｏ、ｏ ｓ Ｇａ ｏ、ｓ
＋ Ａｓ活性層３ｂの禁制帯幅より大きくかつｐ形Ａ
ｆＬａ、＜ ｓ Ｑａ Ｏ。
帯幅は、アンドープＡ Ｑｏ、ｏ ｓ Ｇａ ｏ、ｓ
＋ Ａｓ活性層３ｂの禁制帯幅より大きくかつｐ形Ａ
ｆＬａ、＜ ｓ Ｑａ Ｏ。
、 、 Ａ Ｓクラッド層４ｂの禁制帯幅より小さくな
っており、ｐ形Ａ Ｑ、ｏ、＊ ｓ （３ａ Ｏ，ｓ
ｉ Ａｓクラッド層７ｂの禁制帯幅はｐ形Ａ Ｑ、ｏ、
ｓ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓＡｓＡｓ光ガイドｌ１６ｂ
制帯幅より大きくなっている。アンドープＡ ｎｏ、ｏ
ｓ Ｇａ ｏ、ｓ ＋ Ａｓ活性層３ｂ、Ｄ形Ａ Ｑ
ｏ、ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，ｉ ｓ Ａｓ光ガイドｆｆ１６
ｂ ハ段差３４．３５．３６．３７＋７）斜め上部で湾
曲しており、ストライブ状凸部３３上部のアンドープＡ
ｕｏ、ｏ ｓ Ｇａ Ｏ，９＋ Ａｓ活性１１３ｂと
ｐ形Ａ ｆＬａ、 ａ ｓ Ｇａ Ｏ，ｌｉ ｓ Ａｓ
光ガイド層６ｂとの間隔は端面４０および４２近傍のア
ンドープＡｆＬｏ、ｏ ｓ Ｑａ Ｏ，２＋ Ａｓ活性
１１３ｂとｐ形ＡＱ、ｏ。
っており、ｐ形Ａ Ｑ、ｏ、＊ ｓ （３ａ Ｏ，ｓ
ｉ Ａｓクラッド層７ｂの禁制帯幅はｐ形Ａ Ｑ、ｏ、
ｓ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓＡｓＡｓ光ガイドｌ１６ｂ
制帯幅より大きくなっている。アンドープＡ ｎｏ、ｏ
ｓ Ｇａ ｏ、ｓ ＋ Ａｓ活性層３ｂ、Ｄ形Ａ Ｑ
ｏ、ｓ ｓ Ｇａ Ｏ，ｉ ｓ Ａｓ光ガイドｆｆ１６
ｂ ハ段差３４．３５．３６．３７＋７）斜め上部で湾
曲しており、ストライブ状凸部３３上部のアンドープＡ
ｕｏ、ｏ ｓ Ｇａ Ｏ，９＋ Ａｓ活性１１３ｂと
ｐ形Ａ ｆＬａ、 ａ ｓ Ｇａ Ｏ，ｌｉ ｓ Ａｓ
光ガイド層６ｂとの間隔は端面４０および４２近傍のア
ンドープＡｆＬｏ、ｏ ｓ Ｑａ Ｏ，２＋ Ａｓ活性
１１３ｂとｐ形ＡＱ、ｏ。
ｓ ｓ Ｑａ Ｏ，ｌ、ｓ Ａｓ光ガイドｌ１６ｂとの
間隔より狭くなっている。
間隔より狭くなっている。
次にこの半導体レーザＴＡＭの作成方法について簡単に
説明する。ｎ形Ｇａ ＡＳ Ｗ板１ｂ上に、写真製版技
術を用いて一定間隔で跡切れたストライブ状の３ｉ３Ｎ
４Ｉｌｌのマスクを形成する。次に、このマスクを用い
てｎ形Ｇａ Ａｓ ！板１ｂを化学エツチングしてスト
ライブ状凸部３３を形成する。
説明する。ｎ形Ｇａ ＡＳ Ｗ板１ｂ上に、写真製版技
術を用いて一定間隔で跡切れたストライブ状の３ｉ３Ｎ
４Ｉｌｌのマスクを形成する。次に、このマスクを用い
てｎ形Ｇａ Ａｓ ！板１ｂを化学エツチングしてスト
ライブ状凸部３３を形成する。
次に、ｎ形ＧａＡｓ基板１ｂ上にｚｎを拡散することに
よってｐ形Ｇａ Ａｓ ｉ！８！阻止１ｉ１５ｂを形成
する。次に、液相成長法によって、順次ｎ形Ａ１１ｏ、
ａ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ ＡＳクラッド１ｉ２ｂ、ア
ンドープＡ Ｑｏ、ｏ ９ Ｇａ ｏ、ｓ ＋ Ａｓ活
性層３ｂ 、 Ｉ）形Ａｆｏ、＊ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ
ｓ Ａｓクラッド１Ｉ１４ｂ 、 ｐ形Ａｎｏ、 ｓ
ｓ Ｑａ Ｏ，６ｓ Ａｓ光ガイド層６ｂ 、ｐ形ＡＱ
、ａ、＊ ｓ Ｑａ Ｏｏｓ ｓ Ａｓクラッド１１７
ｂ、ｐ形ＧａＡｓコンタクト１１８ｂをエピタキシャル
成長する。
よってｐ形Ｇａ Ａｓ ｉ！８！阻止１ｉ１５ｂを形成
する。次に、液相成長法によって、順次ｎ形Ａ１１ｏ、
ａ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ ＡＳクラッド１ｉ２ｂ、ア
ンドープＡ Ｑｏ、ｏ ９ Ｇａ ｏ、ｓ ＋ Ａｓ活
性層３ｂ 、 Ｉ）形Ａｆｏ、＊ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ
ｓ Ａｓクラッド１Ｉ１４ｂ 、 ｐ形Ａｎｏ、 ｓ
ｓ Ｑａ Ｏ，６ｓ Ａｓ光ガイド層６ｂ 、ｐ形ＡＱ
、ａ、＊ ｓ Ｑａ Ｏｏｓ ｓ Ａｓクラッド１１７
ｂ、ｐ形ＧａＡｓコンタクト１１８ｂをエピタキシャル
成長する。
この半導体レーザ装置の動作橢構は上記実施例と同様で
あるが、レーザ光の横モードはアンドープＡ Ｉｌｏ、
ｏ ９ Ｇａ ｏ−ｓ Ｉ Ａｓ活性層３ｂｔ’ｊよび
ｐ形Ａ Ｑ、ｏ、 ｓ ｓ （３ａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓ
光ガイド層６ｂが湾曲していることによって安定化され
る。そして、ストライブ状凸部３３上部で、ｑ形Ａｆｏ
、４ｓＧａｏ、５ｉＡｓクラツド１２ｂおよびｐ形Ａｌ
ｔｏ、４ｓ Ｑａ ａｌｓ Ａｓクラッド層４ｂとアン
ドープＡＱｏ、ｏ ｓ Ｇａ Ｏ０９＋ Ａｓ活性層３
ｂとの間の屈折率差と、ｐ形Ａ ＩＬｏ、ａ ｓ Ｇａ
ａ、ｓ ｓ Ａｓクラッド１１４ｂおよびｐ形Ａ ｉ
ｏ、ｓ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓクラッド層７ｂと
ｐ形Ａ Ｑｏ、 ｓ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓ光カ
イト層６ｂとの間の屈折率差とにより構成される内部の
結合導波路によって導波されたレーザ光は、端面４０，
４２近傍ではｐ形Ａ ＱＯｏｓ ｓ Ｑａ Ｏ，＆ｓＡ
ｓ光ガイドＦｆｆ６ｂのみによって導波されることから
、上記実施例と同様、Ｎ Ａ Ｍ ＩＩＩ造が構成され
る。
あるが、レーザ光の横モードはアンドープＡ Ｉｌｏ、
ｏ ９ Ｇａ ｏ−ｓ Ｉ Ａｓ活性層３ｂｔ’ｊよび
ｐ形Ａ Ｑ、ｏ、 ｓ ｓ （３ａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓ
光ガイド層６ｂが湾曲していることによって安定化され
る。そして、ストライブ状凸部３３上部で、ｑ形Ａｆｏ
、４ｓＧａｏ、５ｉＡｓクラツド１２ｂおよびｐ形Ａｌ
ｔｏ、４ｓ Ｑａ ａｌｓ Ａｓクラッド層４ｂとアン
ドープＡＱｏ、ｏ ｓ Ｇａ Ｏ０９＋ Ａｓ活性層３
ｂとの間の屈折率差と、ｐ形Ａ ＩＬｏ、ａ ｓ Ｇａ
ａ、ｓ ｓ Ａｓクラッド１１４ｂおよびｐ形Ａ ｉ
ｏ、ｓ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ Ａｓクラッド層７ｂと
ｐ形Ａ Ｑｏ、 ｓ ｓ Ｑａ Ｏ，ｓ ｓ Ａｓ光カ
イト層６ｂとの間の屈折率差とにより構成される内部の
結合導波路によって導波されたレーザ光は、端面４０，
４２近傍ではｐ形Ａ ＱＯｏｓ ｓ Ｑａ Ｏ，＆ｓＡ
ｓ光ガイドＦｆｆ６ｂのみによって導波されることから
、上記実施例と同様、Ｎ Ａ Ｍ ＩＩＩ造が構成され
る。
なお、上記実施例では、活性層がＡｆＬｏ、ｏｓＧａ
Ｑ、９１ ＡＳであり、クラッド層がＡｌｏ、４−Ｇａ
ｃ、５ｓＡＳであり、光ガイド層がＡＩｏ、３基Ｇａｏ
、ｓｌ、Ａ、Ｓである場合について示したが、活性層、
クラッド層および光ガイド響のそれぞれの禁制帯幅間に
上記実施例と同様な関係があれば、活性層、クララ＋Ｓ
ｉ 、ｔ＞よび光ガイド層のそれぞれは他の組成比であ
ってもよく、これらの場合についても上記実施例と同様
の効果を奏する。
Ｑ、９１ ＡＳであり、クラッド層がＡｌｏ、４−Ｇａ
ｃ、５ｓＡＳであり、光ガイド層がＡＩｏ、３基Ｇａｏ
、ｓｌ、Ａ、Ｓである場合について示したが、活性層、
クラッド層および光ガイド響のそれぞれの禁制帯幅間に
上記実施例と同様な関係があれば、活性層、クララ＋Ｓ
ｉ 、ｔ＞よび光ガイド層のそれぞれは他の組成比であ
ってもよく、これらの場合についても上記実施例と同様
の効果を奏する。
また、この発明は第１図および第４図の各層の伝導形を
反対にした＊ｉの半導体レーザ装置についても適用でき
る。
反対にした＊ｉの半導体レーザ装置についても適用でき
る。
また、上記実施例では、活性層がアンドープＡＱＧａＡ
ｓである場合について示したが、活性層は口形またはｐ
形であってもよく、これらの場合についても上記実施例
と同様の効果を奏する。
ｓである場合について示したが、活性層は口形またはｐ
形であってもよく、これらの場合についても上記実施例
と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、活性１．／クラッドＵ／光ガイ
ド層がＡ ｆＬＧａ Ａｓ ／Ａ ｌｌＧａ Ａｓ ／
Ａ ＬＧａ Ａｓである場合について示したが、活性Ｉ
Ｉ／クラッド層／光ガイド層はｉｒ＋ Ｑａ Ａｓ Ｐ
／ １ｎＧａ Ｐ、／Ｉｎ Ｇａ Ｐ、Ｉｎ Ｇａ Ａ
ｓ Ｐ／Ｉｎ ＧａＡｓ Ｐ／Ｉｎ Ｑａ ＡＳ Ｐ、
Ｉｎ Ｑａ Ａｓ Ｐ／ＡｆＬＧａ Ａｓ ／Ａ ＱＧ
ａ Ａｓ、（ＡＩＩＧａ ）Ｉｎ Ｐ／Ａ ＩＩＬＧａ
Ａｓ ／Ａ ＩＧａ ＡＳ、（ＡＩＧａ ）ＩｎＰ／
（ＡｆｌＧａ ）Ｉｎ Ｐ／ （ＡｆＬＧａ ）Ｉｎ
Ｐなどであってもよく、これらの場合についても上記
実施例と同様の効果を奏する。
ド層がＡ ｆＬＧａ Ａｓ ／Ａ ｌｌＧａ Ａｓ ／
Ａ ＬＧａ Ａｓである場合について示したが、活性Ｉ
Ｉ／クラッド層／光ガイド層はｉｒ＋ Ｑａ Ａｓ Ｐ
／ １ｎＧａ Ｐ、／Ｉｎ Ｇａ Ｐ、Ｉｎ Ｇａ Ａ
ｓ Ｐ／Ｉｎ ＧａＡｓ Ｐ／Ｉｎ Ｑａ ＡＳ Ｐ、
Ｉｎ Ｑａ Ａｓ Ｐ／ＡｆＬＧａ Ａｓ ／Ａ ＱＧ
ａ Ａｓ、（ＡＩＩＧａ ）Ｉｎ Ｐ／Ａ ＩＩＬＧａ
Ａｓ ／Ａ ＩＧａ ＡＳ、（ＡＩＧａ ）ＩｎＰ／
（ＡｆｌＧａ ）Ｉｎ Ｐ／ （ＡｆＬＧａ ）Ｉｎ
Ｐなどであってもよく、これらの場合についても上記
実施例と同様の効果を奏する。
［発明の効果］
以上のようにこの発明によれは、第１伝導形の第１半導
体クラッド層および第２伝導形の第２半導体クラッド層
と半導体活性層との間の屈折率差と、第２半導体クラッ
ド層および第２伝導形の第３半導体クラッド層と半導体
光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結合導
波路を有する半導体レーザ装置において、レーザ光の出
射端面近傍で半導体活性層を半導体光ガイド層から遠さ
けるようにしたので、レーザ光が出射端面近傍では半導
体光ガイド層のみによって導波され、レーザ光が吸収さ
れないＮＡ〜１′ａ造が構成できる。このため、高出力
動作が可能で、しかも信頼性の高い半導体レーザＳｉ置
を得ることができる。
体クラッド層および第２伝導形の第２半導体クラッド層
と半導体活性層との間の屈折率差と、第２半導体クラッ
ド層および第２伝導形の第３半導体クラッド層と半導体
光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結合導
波路を有する半導体レーザ装置において、レーザ光の出
射端面近傍で半導体活性層を半導体光ガイド層から遠さ
けるようにしたので、レーザ光が出射端面近傍では半導
体光ガイド層のみによって導波され、レーザ光が吸収さ
れないＮＡ〜１′ａ造が構成できる。このため、高出力
動作が可能で、しかも信頼性の高い半導体レーザＳｉ置
を得ることができる。
第１図はこの発明の一実施例である結合導波路を有する
半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第２図は第１図の
Ａ−Ａｌｌ断面図、第３図は第１間のＢ−Ｂ線断面図、
第４図はこの発明の他の実施例である結合導波路を有す
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第５図は第４図
のＡ−Ａ線断面図、第６図は第４図のＢ−Ｂ ！断面図
、第７図は従来の結合導波路を有づる半導体レーザ装置
を示す断面図である。 図において、１．１ｂは口形Ｇａ Ａｓ １１板、２゜
２ｂはｎ形Ａ １１０．４ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ Ａ
ｓクラッド層、３．３ｂはアンドープＡ Ｑｏ、ａ ！
ｌ Ｑａ ０．９１ ＡＳ活性層、４，４ｂはｐ形Ａ
ｆＬＯ，４ｓ Ｇａ ｏ、 Ｋｓ Ａｓクラッド層、５
，５ｂは口形ＧａＡｓ電流阻止層、６．６ｂはｐ形ＡＡ
Ｏ１ｉ Ｑａ Ｏ，、ｊ５ Ａｓ光ガイド層、７．７ｂ
はｐ形Ａ ｆＬｏ、＜ ｓ Ｑａ Ｑ、ｓ ｓＡｓクラ
ッド層、８．８ｂは口形Ｇａ ＡＳ ｍ１２９９８層、
９は上側金属電極、１０は下側金属冨極、２０はストラ
イブ溝、３０は平板状凸部、３３はストライブ状凸部、
３１，３２，３４．３５．３６．３７は段差である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示づ。 代 理 人 大 岩 増 雄手続補
正書（自発） 昭和 年 月 日 ２、発明の名称 半導体レーザ装置 ３、補正をする者 ５．７４正の対象 明細書の特許請求の範囲の瀾および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明；Ｉｌｌ！Ｉの特許請求の範囲を別紙のとお
り。 （２） 明細書第４頁第２行ないし第３行の［クラッド
ＩＩ！２ｎ Ｊを「クラッドｌ１２ａ Ｊに訂正する。 （３） 明細書第２０頁第１３行の「この発明によれは
、コを「この発明によれば、」に訂正する。 以上 ２、特許請求の範囲 （１） 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成される第１伝導形の第１半導体
クラッド１と、 Ｉｙｉ記第１半導津クラッド層上に形成される半導体活
性層と、 前記半導体活性層上に形成される第２伝導形の第２半導
体クラッド層とを備え、 前記第１および第２半導体クラッド層のそれぞれの禁制
帯幅は前記半導体活性層の禁制帯幅より大きく、 前記第２半導体クラッド層上に形成される第２伝導形の
半導体光ガイド層とを備え、 前記半導体光ガイド層の禁制帯幅は、前記半導体活性層
の禁制帯幅より大きくかつ前記第２半導体クラッド層の
禁制帯幅より小さく、 前記半導体光ガイド層上に形成される第２伝導形の第３
半導体クラッド層とを備え、 前記第３半導体クラッド層の禁制帯幅は前記半導体光ガ
イド層の禁制帯幅より大きく、前記半導体活性層から発
光した光が、前記第１および第２半導体クラッド層と前
記半導体活性層との間の屈折率差と、前記第２および第
３半導体クラッド層と前記半導体光ガイド層との間の屈
折率差とにより構成される結合導波路によって導波され
る半導体レーザ装置において、 レーザ光の出射端面近傍で該レーザ光が前記半導体活性
層に結合されないよう、前記半導体活性層を前記半導体
光ガイド層から遠ざけることを特徴とする半導体レーザ
装置。 （２） 前記半導体基板はＧａＡｓからなり、前記半導
体活性層はＡｌＧａ Ａｓ三元混晶または（３ａＡｓか
らなり、 前記第１．第２および第３半導体クラッド層と前記半導
体光ガイド層はそれぞれＡＩＧａＡｓ三元混晶からなる
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 （３） 前記半導体活性層はＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ四元
混晶または（Ａ廷Ｇａ ）Ｉｎ Ｐ四元混晶からなる特
許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 （４） 前記半導体光ガイド層はＩｎ Ｇａ ＡｓＰ四
元混晶または＜Ａ １ｔＧａ ） Ｉ ｎ Ｐ四元混晶
からなる特許請求の馳囲第１項記載の半導体レーザ装置
。
半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第２図は第１図の
Ａ−Ａｌｌ断面図、第３図は第１間のＢ−Ｂ線断面図、
第４図はこの発明の他の実施例である結合導波路を有す
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第５図は第４図
のＡ−Ａ線断面図、第６図は第４図のＢ−Ｂ ！断面図
、第７図は従来の結合導波路を有づる半導体レーザ装置
を示す断面図である。 図において、１．１ｂは口形Ｇａ Ａｓ １１板、２゜
２ｂはｎ形Ａ １１０．４ ｓ Ｑａ ｏ、ｓ ｓ Ａ
ｓクラッド層、３．３ｂはアンドープＡ Ｑｏ、ａ ！
ｌ Ｑａ ０．９１ ＡＳ活性層、４，４ｂはｐ形Ａ
ｆＬＯ，４ｓ Ｇａ ｏ、 Ｋｓ Ａｓクラッド層、５
，５ｂは口形ＧａＡｓ電流阻止層、６．６ｂはｐ形ＡＡ
Ｏ１ｉ Ｑａ Ｏ，、ｊ５ Ａｓ光ガイド層、７．７ｂ
はｐ形Ａ ｆＬｏ、＜ ｓ Ｑａ Ｑ、ｓ ｓＡｓクラ
ッド層、８．８ｂは口形Ｇａ ＡＳ ｍ１２９９８層、
９は上側金属電極、１０は下側金属冨極、２０はストラ
イブ溝、３０は平板状凸部、３３はストライブ状凸部、
３１，３２，３４．３５．３６．３７は段差である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示づ。 代 理 人 大 岩 増 雄手続補
正書（自発） 昭和 年 月 日 ２、発明の名称 半導体レーザ装置 ３、補正をする者 ５．７４正の対象 明細書の特許請求の範囲の瀾および発明の詳細な説明の
欄 ６、補正の内容 （１） 明；Ｉｌｌ！Ｉの特許請求の範囲を別紙のとお
り。 （２） 明細書第４頁第２行ないし第３行の［クラッド
ＩＩ！２ｎ Ｊを「クラッドｌ１２ａ Ｊに訂正する。 （３） 明細書第２０頁第１３行の「この発明によれは
、コを「この発明によれば、」に訂正する。 以上 ２、特許請求の範囲 （１） 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成される第１伝導形の第１半導体
クラッド１と、 Ｉｙｉ記第１半導津クラッド層上に形成される半導体活
性層と、 前記半導体活性層上に形成される第２伝導形の第２半導
体クラッド層とを備え、 前記第１および第２半導体クラッド層のそれぞれの禁制
帯幅は前記半導体活性層の禁制帯幅より大きく、 前記第２半導体クラッド層上に形成される第２伝導形の
半導体光ガイド層とを備え、 前記半導体光ガイド層の禁制帯幅は、前記半導体活性層
の禁制帯幅より大きくかつ前記第２半導体クラッド層の
禁制帯幅より小さく、 前記半導体光ガイド層上に形成される第２伝導形の第３
半導体クラッド層とを備え、 前記第３半導体クラッド層の禁制帯幅は前記半導体光ガ
イド層の禁制帯幅より大きく、前記半導体活性層から発
光した光が、前記第１および第２半導体クラッド層と前
記半導体活性層との間の屈折率差と、前記第２および第
３半導体クラッド層と前記半導体光ガイド層との間の屈
折率差とにより構成される結合導波路によって導波され
る半導体レーザ装置において、 レーザ光の出射端面近傍で該レーザ光が前記半導体活性
層に結合されないよう、前記半導体活性層を前記半導体
光ガイド層から遠ざけることを特徴とする半導体レーザ
装置。 （２） 前記半導体基板はＧａＡｓからなり、前記半導
体活性層はＡｌＧａ Ａｓ三元混晶または（３ａＡｓか
らなり、 前記第１．第２および第３半導体クラッド層と前記半導
体光ガイド層はそれぞれＡＩＧａＡｓ三元混晶からなる
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 （３） 前記半導体活性層はＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ四元
混晶または（Ａ廷Ｇａ ）Ｉｎ Ｐ四元混晶からなる特
許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 （４） 前記半導体光ガイド層はＩｎ Ｇａ ＡｓＰ四
元混晶または＜Ａ １ｔＧａ ） Ｉ ｎ Ｐ四元混晶
からなる特許請求の馳囲第１項記載の半導体レーザ装置
。
Claims (4)
- （１）半導体基板と、 前記半導体基板上に形成される第１伝導形の第１半導体
クラッド層と、 前記第１半導体クラッド層上に形成される半導体活性層
と、 前記半導体活性層上に形成される第２伝導形の第２半導
体クラッド層とを備え、 前記第１および第２半導体クラッド層のそれぞれの禁制
帯幅は前記半導体活性層の禁制帯幅より大きく、 前記第２半導体クラッド層上に形成される半導体光ガイ
ド層とを備え、 前記半導体光ガイド層の禁制帯幅は、前記半導体活性層
の禁制帯幅より大きくかつ前記第２半導体クラッド層の
禁制帯幅より小さく、 前記半導体光ガイド層上に形成される第２伝導形の第３
半導体クラッド層とを備え、 前記第３半導体クラッド層の禁制帯幅は前記半導体光ガ
イド層の禁制帯幅より大きく、 前記半導体活性層から発光した光が、前記第１および第
２半導体クラッド層と前記半導体活性層との間の屈折率
差と、前記第２および第３半導体クラッド層と前記半導
体光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結合
導波路によって導波される半導体レーザ装置において、 レーザ光の出射端面近傍で該レーザ光が前記半導体活性
層に結合されないよう、前記半導体活性層を前記半導体
光ガイド層から遠ざけることを特徴とする半導体レーザ
装置。 - （２）前記半導体基板はＧａＡｓからなり、前記半導体
活性層はＡｌＧａＡｓ四元混晶またはＧａＡｓからなり
、 前記第１、第２および第３半導体クラッド層と前記半導
体光ガイド層はそれぞれＡｌＧａＡｓ三元混晶からなる
特許請求の範囲第１項記載の半導体レーザ装置。 - （３）前記半導体活性層はＩｎＧａＡｓＰ四元混晶また
は（ＡｌＧａ）ＩｎＰ四元混晶からなる特許請求の範囲
第１項記載の半導体レーザ装置。 - （４）前記半導体光ガイド層はＩｎＧａＡｓＰ四元混晶
または（ＡｌＧａ）ＩｎＰ四元混晶からなる特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60166607A JPS6225485A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザ装置 |
| US06/888,398 US4757509A (en) | 1985-07-25 | 1986-07-23 | Semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60166607A JPS6225485A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6225485A true JPS6225485A (ja) | 1987-02-03 |
| JPH0461514B2 JPH0461514B2 (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=15834435
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60166607A Granted JPS6225485A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4757509A (ja) |
| JP (1) | JPS6225485A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4964135A (en) * | 1988-07-22 | 1990-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0646669B2 (ja) * | 1987-07-28 | 1994-06-15 | 日本電気株式会社 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
| US5255281A (en) * | 1990-04-26 | 1993-10-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor laser having double heterostructure |
| JPH06302908A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
| JP2000323789A (ja) * | 1999-05-11 | 2000-11-24 | Nec Corp | 窓型半導体レーザおよびその製造方法 |
| US6577658B1 (en) * | 1999-09-20 | 2003-06-10 | E20 Corporation, Inc. | Method and apparatus for planar index guided vertical cavity surface emitting lasers |
| NL1015714C2 (nl) * | 2000-07-14 | 2002-01-15 | Dsm Nv | Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur. |
| US7561770B2 (en) * | 2007-07-30 | 2009-07-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Microresonator systems and methods of fabricating the same |
| EP2043209B1 (de) * | 2007-09-28 | 2011-10-26 | OSRAM Opto Semiconductors GmbH | Kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Wellenleiter |
| DE102007058950A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Wellenleiter |
| DE102015104206A1 (de) * | 2015-03-20 | 2016-09-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Laserdiode |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712581A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Nec Corp | Semiconductor laser |
| US4506366A (en) * | 1981-07-03 | 1985-03-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4185256A (en) * | 1978-01-13 | 1980-01-22 | Xerox Corporation | Mode control of heterojunction injection lasers and method of fabrication |
-
1985
- 1985-07-25 JP JP60166607A patent/JPS6225485A/ja active Granted
-
1986
- 1986-07-23 US US06/888,398 patent/US4757509A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5712581A (en) * | 1980-06-26 | 1982-01-22 | Nec Corp | Semiconductor laser |
| US4506366A (en) * | 1981-07-03 | 1985-03-19 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor laser device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4964135A (en) * | 1988-07-22 | 1990-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
| US5045500A (en) * | 1988-07-22 | 1991-09-03 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of making a semiconductor laser |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4757509A (en) | 1988-07-12 |
| JPH0461514B2 (ja) | 1992-10-01 |
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