JPS6225485A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6225485A JPS6225485A JP60166607A JP16660785A JPS6225485A JP S6225485 A JPS6225485 A JP S6225485A JP 60166607 A JP60166607 A JP 60166607A JP 16660785 A JP16660785 A JP 16660785A JP S6225485 A JPS6225485 A JP S6225485A
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 134
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims abstract description 19
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 76
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 14
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract description 11
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000003776 cleavage reaction Methods 0.000 description 6
- 230000007017 scission Effects 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 240000005499 Sasa Species 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002877 acrylic styrene acrylonitrile Polymers 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 201000009310 astigmatism Diseases 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000002109 crystal growth method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/16—Window-type lasers, i.e. with a region of non-absorbing material between the active region and the reflecting surface
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- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は半導体レーザ装置に関し、特に半導体レーザ
の高出力、高信頼度化を可能にするNAM (jjOn
5LbSOrbingmirror )構造に関す8も
ノテある。
の高出力、高信頼度化を可能にするNAM (jjOn
5LbSOrbingmirror )構造に関す8も
ノテある。
[従来の技術]
第7図は、たとえばE xtended A bstr
acts ofthe 16 th (1984I
nternational)Conference o
n 3 olid 3 tate [) evi
ces andMaterials、 po、 153
−156に示された結合導波路を有する従来の半導体レ
ーザ装置を示す断面図である。初めにこの半導体レーザ
装置の構成について説明する。図において、n形Ga
As 1s板1a上に、n形A Qo、4 s Qa
O,s i Asクラッド層2n、アンドープA Qo
、o 9 Ga o、9+ AS活性層3a 、D形A
(Lo、4 s Ga o、 s s Asクラッド
層4a 、n形GaAsI流阻止層5がこの順序で形成
されており、p形A見0,4 S Ga O,5sAs
クラッド層4aおよびn形Ga As I流化止115
にストライブ状溝20aが形成されている。
acts ofthe 16 th (1984I
nternational)Conference o
n 3 olid 3 tate [) evi
ces andMaterials、 po、 153
−156に示された結合導波路を有する従来の半導体レ
ーザ装置を示す断面図である。初めにこの半導体レーザ
装置の構成について説明する。図において、n形Ga
As 1s板1a上に、n形A Qo、4 s Qa
O,s i Asクラッド層2n、アンドープA Qo
、o 9 Ga o、9+ AS活性層3a 、D形A
(Lo、4 s Ga o、 s s Asクラッド
層4a 、n形GaAsI流阻止層5がこの順序で形成
されており、p形A見0,4 S Ga O,5sAs
クラッド層4aおよびn形Ga As I流化止115
にストライブ状溝20aが形成されている。
また、p形A 11o、n s Ga O,s s A
sクラッド層4aの一部上およびn形Qa As電流阻
止層5上にp形A Qo、s s Ga O,s s
AS光ガイド層6、p形A Ilo、* s Ga O
,s s Asクラッド層7、p形Qa Asコンタク
ト層8がこの順序で形成されており、p形A fLo、
a s Ga O,6s A S光ガイド層6.p形
A fLo、< s Ga a、b s Asクラッド
層7にもストライブ状溝203に対応してこの溝と同様
なストライブ状溝が形成されている。9は上側電極であ
り、10は下側電極である。
sクラッド層4aの一部上およびn形Qa As電流阻
止層5上にp形A Qo、s s Ga O,s s
AS光ガイド層6、p形A Ilo、* s Ga O
,s s Asクラッド層7、p形Qa Asコンタク
ト層8がこの順序で形成されており、p形A fLo、
a s Ga O,6s A S光ガイド層6.p形
A fLo、< s Ga a、b s Asクラッド
層7にもストライブ状溝203に対応してこの溝と同様
なストライブ状溝が形成されている。9は上側電極であ
り、10は下側電極である。
次に、この半導体レーザ装置の作成方法について簡単に
説明する。まず、n形(3a AS基板1a上ニ、M
O−CV D (metalorganic chem
icalvapor deposition)法と呼ば
れる気相成長法によコテ順次n形A Q、o、* s
Qa O,5s Asクラッド層2aからn形Ga A
S ’i流流化止層5でをエピタキシャル成長する。次
に、写真製版技術を用いてn形Ga As I流化止層
5上にストライプ状に開いたレジストマスクを形成する
。この模、このレジストマスクを用いてp形A ILO
,t s Qa O,5sAsクラッド層4a、n形G
aAs電流阻止層5を硫酸系エツチング液などで化学エ
ツチングしてストライブ状溝20aを形成する。このと
き、ストライブ状溝20aの底部がアンドープAuo。
説明する。まず、n形(3a AS基板1a上ニ、M
O−CV D (metalorganic chem
icalvapor deposition)法と呼ば
れる気相成長法によコテ順次n形A Q、o、* s
Qa O,5s Asクラッド層2aからn形Ga A
S ’i流流化止層5でをエピタキシャル成長する。次
に、写真製版技術を用いてn形Ga As I流化止層
5上にストライプ状に開いたレジストマスクを形成する
。この模、このレジストマスクを用いてp形A ILO
,t s Qa O,5sAsクラッド層4a、n形G
aAs電流阻止層5を硫酸系エツチング液などで化学エ
ツチングしてストライブ状溝20aを形成する。このと
き、ストライブ状溝20aの底部がアンドープAuo。
o s Ga O,91AS活性層3aと0.3〜0.
5μ−の距離となるようにエツチング時間を制御する。
5μ−の距離となるようにエツチング時間を制御する。
次に、p形A io、* s Ga Q、s s As
クラッド層4aの一部上およびn形Qa As電流阻止
層5上に、再びMO−CVD法によって順次p形AQo
、s s Qa o、s s AS光ガイド層6からp
形GaAsコンタクト層8までをエピタキシャル成長す
る。最後に、へき開が容易なようにn形GaAsJ&板
1aを100μm程度の厚さまで研磨し、この債、p形
(3aAsコンタクトWi8に上側電極9を、0形Ga
As W板1aに下JR4電橿1Oを形成する。次に
この半導体レーザ装置の動作について説明する。上側電
極9と下側量giioとの間に、アンドープA Lo、
a 9 Ga O,9+ AS活性層3−aとp形A
no6a s Ga a、 s s Asクラッド!!
!4aとの界面に形成されているpn接合に順方向とな
る電圧を印加すると、n形Qa AS電流阻止FI5が
除去されているストライブ状溝20a内のA域に狭窄さ
れた順方向電流がアンドープI\fLo、o9Gao、
s+As活性JI3aに注入されて発光が生じる。この
光は、n形A fLo、* s Qa Q、i s A
sクラッド層2aiJ3よびp形A La、 4 s
(3a o、s s ASクラッド1l14aとアンド
ープA Ao、o 9 Qa o。
クラッド層4aの一部上およびn形Qa As電流阻止
層5上に、再びMO−CVD法によって順次p形AQo
、s s Qa o、s s AS光ガイド層6からp
形GaAsコンタクト層8までをエピタキシャル成長す
る。最後に、へき開が容易なようにn形GaAsJ&板
1aを100μm程度の厚さまで研磨し、この債、p形
(3aAsコンタクトWi8に上側電極9を、0形Ga
As W板1aに下JR4電橿1Oを形成する。次に
この半導体レーザ装置の動作について説明する。上側電
極9と下側量giioとの間に、アンドープA Lo、
a 9 Ga O,9+ AS活性層3−aとp形A
no6a s Ga a、 s s Asクラッド!!
!4aとの界面に形成されているpn接合に順方向とな
る電圧を印加すると、n形Qa AS電流阻止FI5が
除去されているストライブ状溝20a内のA域に狭窄さ
れた順方向電流がアンドープI\fLo、o9Gao、
s+As活性JI3aに注入されて発光が生じる。この
光は、n形A fLo、* s Qa Q、i s A
sクラッド層2aiJ3よびp形A La、 4 s
(3a o、s s ASクラッド1l14aとアンド
ープA Ao、o 9 Qa o。
s+AS活性層3aとの間の屈折率差と、p形Ais、
s i Ga Q、l i ASクラッド層4aおよび
p形A (Lo、4 s Qa Q、l I Asクラ
ッド層7とp形A Ilo、 s i Ga a、Ii
s A S光ガイド層6との間の屈折率差とにより構成
される結合導波路によって導波される。p形A QQ、
s s Qa O,s s As光ガイド16は、ス
トライブ状溝20aにより屈曲した形となっているので
、実効的に成長層に水平方向の屈折率差が生じ、横モー
ドが安定となる。このような結合導波路によって導波さ
れた光は、ストライブ状溝20aの長手方向く紙面に垂
直な方向)に直角な対向するへき開端面によって構成さ
れるファブリ・ペロー型具@器によってレーザ発振に至
る。
s i Ga Q、l i ASクラッド層4aおよび
p形A (Lo、4 s Qa Q、l I Asクラ
ッド層7とp形A Ilo、 s i Ga a、Ii
s A S光ガイド層6との間の屈折率差とにより構成
される結合導波路によって導波される。p形A QQ、
s s Qa O,s s As光ガイド16は、ス
トライブ状溝20aにより屈曲した形となっているので
、実効的に成長層に水平方向の屈折率差が生じ、横モー
ドが安定となる。このような結合導波路によって導波さ
れた光は、ストライブ状溝20aの長手方向く紙面に垂
直な方向)に直角な対向するへき開端面によって構成さ
れるファブリ・ペロー型具@器によってレーザ発振に至
る。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、従来のAfLGaAs系半導体レーザ装置で
は、表面単位に起因してへき開端面がレーザ光の吸収領
域となっている。このため、最大光出力がへき開端面で
のCOD (CatastrophicQptical
[)aiage 、光学損傷)によって規定される
ので、高出力動作が制限される。また、レーザ光の吸収
による発熱によって促進されるへき開端面の酸化に起因
する緩やかな特性劣化(たとえば、光出力対電流特性の
劣化)が、半導体レーザ装置の信頼性を損なうなどの問
題点があった。
は、表面単位に起因してへき開端面がレーザ光の吸収領
域となっている。このため、最大光出力がへき開端面で
のCOD (CatastrophicQptical
[)aiage 、光学損傷)によって規定される
ので、高出力動作が制限される。また、レーザ光の吸収
による発熱によって促進されるへき開端面の酸化に起因
する緩やかな特性劣化(たとえば、光出力対電流特性の
劣化)が、半導体レーザ装置の信頼性を損なうなどの問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高出力動作が可能で、しかも信頼性の高イN
A M (nonabsorbing m1rror
)構造を有する半導体レーザ装置を得ることを目的と
する。
たもので、高出力動作が可能で、しかも信頼性の高イN
A M (nonabsorbing m1rror
)構造を有する半導体レーザ装置を得ることを目的と
する。
[問題点を解決するための手段]
この発明に係る半導体レーザ装置は、第1伝導形の第1
半導体クラッド層および第2伝導形の第2半導体クラッ
ド層と半導体活性層との間の屈折率差と、第2半導体ク
ラッド層および第2伝導形の第3半導体クラッド層と半
導体光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結
合導波路を有する半導体レーザ装置において、レーザ光
の出射端面近傍で半導体活性層を半導体光ガイド層から
遠ざけるようにしたものである。
半導体クラッド層および第2伝導形の第2半導体クラッ
ド層と半導体活性層との間の屈折率差と、第2半導体ク
ラッド層および第2伝導形の第3半導体クラッド層と半
導体光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結
合導波路を有する半導体レーザ装置において、レーザ光
の出射端面近傍で半導体活性層を半導体光ガイド層から
遠ざけるようにしたものである。
[作用]
この発明においては、レーザ光の出射端面近傍では半導
体活性層が半導体光ガイド層から遠ざけられるため結合
導波路が構成されず、内部の結合導波路で導波されたレ
ーザ光は出射端面近傍では半導体光ガイド層によって導
波され、半導体活性層に結合されない。このため、レー
ザ光が反射される面域は、レーザ光の吸収されない第2
半導体クラッド層、第3半導体クラッド層および半導体
光ガイド層となるので、NAM構造が構成できる。
体活性層が半導体光ガイド層から遠ざけられるため結合
導波路が構成されず、内部の結合導波路で導波されたレ
ーザ光は出射端面近傍では半導体光ガイド層によって導
波され、半導体活性層に結合されない。このため、レー
ザ光が反射される面域は、レーザ光の吸収されない第2
半導体クラッド層、第3半導体クラッド層および半導体
光ガイド層となるので、NAM構造が構成できる。
[発明の実施例]
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
重複する部分については適宜その説明を省略する。
重複する部分については適宜その説明を省略する。
第1図はこの発明の一実施例である結合導波路を有する
半導体レーザ装置を示す西面斜視図である。また、第2
図は第1図のA−All!断面図であり、第3図は第1
図のB−B線断面図である。初めにこの半導体レーザ装
置の構成について説明する。これらの図において、この
半導体レーザ装置は端面40.41.42.43を有し
ており、端面40と端面42とは対向し、端面41と端
面43とは対向している。n形Ga As !!板1に
は、端面40から隔てて段差31が、端面42から隔て
て段差32が形成されており、これら段着によってn型
GaAs基板1は平板状凸部30を有している。このn
型GaAs基板1上にn形AQo。
半導体レーザ装置を示す西面斜視図である。また、第2
図は第1図のA−All!断面図であり、第3図は第1
図のB−B線断面図である。初めにこの半導体レーザ装
置の構成について説明する。これらの図において、この
半導体レーザ装置は端面40.41.42.43を有し
ており、端面40と端面42とは対向し、端面41と端
面43とは対向している。n形Ga As !!板1に
は、端面40から隔てて段差31が、端面42から隔て
て段差32が形成されており、これら段着によってn型
GaAs基板1は平板状凸部30を有している。このn
型GaAs基板1上にn形AQo。
41 Qa o、s s Asクラッド1、アンドープ
AiO,09Gao、9+AS活性層3.p形AILO
,n5Qa O,s s AsクラッドFj14、n形
Ga AS電流阻止層5がこの順序で形成されており、
p形A11O,4S Qa o、s s Asクラッド
層4およびn形GaAs電流阻止層5にストライブ状溝
20が形成されティる。ここで、n形A Q、a、<
s (3a O,S sASAsクラッド層2びp形A
Lo、s s Qa Q、 5sAsクラッド層4の
それぞれの禁制帯幅はアンドープA Ao、o s Q
a O,9+ AS活性層3の禁制帯幅より大きくなっ
ている。p形A IlG、4 s Gao、5sASク
ラッド層4の一部上およびn形(3aAS電流阻止層5
上に、p形A la、s s Ga O,s、AS光ガ
イド層6、p形A fLa、a s Qa o、s s
ASAsクラッド層7形Ga ASコンタクト層8がこ
の順序で形成されており、p形AQo1sGao、5s
AS光ガイド層6.p形A uo、a s Ga0、s
工Asクラッド層7にもストライブ状溝20に対応して
この溝と同様なストライブ状溝が形成されている。ここ
で、D JF#A Q o、 s s Qa o、s
*AS光ガイドl1W6の禁制帯幅は、アンドープAQ
O009Ga Q、91 As活性層3の禁制帯幅より
大きくかつp形A fLQ、4 s Ga O,1i
ASクラッドWI4の禁制帯幅より小さくなっており、
p形AQo、a s Qa O,s s Asクラッド
117の禁制帯幅はp形A no、 j+ GaQ、G
s As光ガイド層6の禁制帯幅より大きくなってい
る。また、アンドープA f)−o、o s Qa G
、!l l As活性層3は段差31゜32の斜め上部
で屈曲しており、このため、平板状凸部30上部のアン
ドープA fLo、o s Qa o、 s+As活性
1ii13とp形A fLo−s s Ga O,Gs
As光ガイド!!6との間隔は、端面40I3よび4
2近傍のアンドープA io、o 9Ga O,9+
As活性層3とp形A flo、s Qa O,s s
As光ガイド層6との間隔より狭くなっている。また
、端面40゜42はレーザ光の出射面であり、光を反射
するためにへき開面からなっている。9は上側金属電極
であり、10は下側金属電極である。
AiO,09Gao、9+AS活性層3.p形AILO
,n5Qa O,s s AsクラッドFj14、n形
Ga AS電流阻止層5がこの順序で形成されており、
p形A11O,4S Qa o、s s Asクラッド
層4およびn形GaAs電流阻止層5にストライブ状溝
20が形成されティる。ここで、n形A Q、a、<
s (3a O,S sASAsクラッド層2びp形A
Lo、s s Qa Q、 5sAsクラッド層4の
それぞれの禁制帯幅はアンドープA Ao、o s Q
a O,9+ AS活性層3の禁制帯幅より大きくなっ
ている。p形A IlG、4 s Gao、5sASク
ラッド層4の一部上およびn形(3aAS電流阻止層5
上に、p形A la、s s Ga O,s、AS光ガ
イド層6、p形A fLa、a s Qa o、s s
ASAsクラッド層7形Ga ASコンタクト層8がこ
の順序で形成されており、p形AQo1sGao、5s
AS光ガイド層6.p形A uo、a s Ga0、s
工Asクラッド層7にもストライブ状溝20に対応して
この溝と同様なストライブ状溝が形成されている。ここ
で、D JF#A Q o、 s s Qa o、s
*AS光ガイドl1W6の禁制帯幅は、アンドープAQ
O009Ga Q、91 As活性層3の禁制帯幅より
大きくかつp形A fLQ、4 s Ga O,1i
ASクラッドWI4の禁制帯幅より小さくなっており、
p形AQo、a s Qa O,s s Asクラッド
117の禁制帯幅はp形A no、 j+ GaQ、G
s As光ガイド層6の禁制帯幅より大きくなってい
る。また、アンドープA f)−o、o s Qa G
、!l l As活性層3は段差31゜32の斜め上部
で屈曲しており、このため、平板状凸部30上部のアン
ドープA fLo、o s Qa o、 s+As活性
1ii13とp形A fLo−s s Ga O,Gs
As光ガイド!!6との間隔は、端面40I3よび4
2近傍のアンドープA io、o 9Ga O,9+
As活性層3とp形A flo、s Qa O,s s
As光ガイド層6との間隔より狭くなっている。また
、端面40゜42はレーザ光の出射面であり、光を反射
するためにへき開面からなっている。9は上側金属電極
であり、10は下側金属電極である。
この実施例の半導体レーザ装置の作成方法は、平板状凸
部30を有するn形Ga As M板1を用いる以外は
従来の半導体レーザ装置の作成方法と同様である。この
平板状凸部30は、n形GaAs基板1の端面40およ
び42近傍に写真製版技術を用いた選択的な化学エツチ
ングを施すことによって形成することができる。
部30を有するn形Ga As M板1を用いる以外は
従来の半導体レーザ装置の作成方法と同様である。この
平板状凸部30は、n形GaAs基板1の端面40およ
び42近傍に写真製版技術を用いた選択的な化学エツチ
ングを施すことによって形成することができる。
次にこの半導体レーザ装置の動作について説明する。こ
の半導体レーザ装置の動作機構は従来の半導体レーザ装
置の動作機構とほぼ同1藁であるが、アンドープA (
L、o s Ga O,9+ As活性層3を段差31
.32の斜め上部で屈曲させ、この活性層を端面40,
42近傍でp形A fLa、 s s (3a O。
の半導体レーザ装置の動作機構は従来の半導体レーザ装
置の動作機構とほぼ同1藁であるが、アンドープA (
L、o s Ga O,9+ As活性層3を段差31
.32の斜め上部で屈曲させ、この活性層を端面40,
42近傍でp形A fLa、 s s (3a O。
GIAS光ガイド層6から遠ざ番プているため、内部で
はn形A Jlols (3a O,s s Asクラ
ッド層2およびp形A lo、4 s Qa O,s
s ASクラッドW4とアンドープA fLo、o 9
Qa O,91As活性層3との間の屈折率差と、p
形A Q、a、4s Ga a。
はn形A Jlols (3a O,s s Asクラ
ッド層2およびp形A lo、4 s Qa O,s
s ASクラッドW4とアンドープA fLo、o 9
Qa O,91As活性層3との間の屈折率差と、p
形A Q、a、4s Ga a。
5sAsクラッド層4およびp形A Qo、* s Q
ao、1iAsクラッド層7とp形A fLols G
a O。
ao、1iAsクラッド層7とp形A fLols G
a O。
5sAs光ガイド層6との間の屈折率差とにより結合導
波路が構成されるが、端面40,42近傍では結合導波
路は構成されない。このため、内部の結合導波路によっ
と導波されたレーザ光は、端面40,42近傍ではp形
AfLo、s s Qa O,g sAs光ガイド層6
によって導波され、アンドープA Qo、o 9Qa
O,91As活性1i13に結合されない。したがって
、レーザ光が反射される端面40゜42の面域は、p形
A fLa、< s (3a O,s s Asクラッ
ド層4.p形A uO,< s Qa a、s s A
sクラッド層7およびp形A 庭o、s s Qa O
,1+ s As光ガイド層6で構成される。p形A
JIO,4i Qa o。
波路が構成されるが、端面40,42近傍では結合導波
路は構成されない。このため、内部の結合導波路によっ
と導波されたレーザ光は、端面40,42近傍ではp形
AfLo、s s Qa O,g sAs光ガイド層6
によって導波され、アンドープA Qo、o 9Qa
O,91As活性1i13に結合されない。したがって
、レーザ光が反射される端面40゜42の面域は、p形
A fLa、< s (3a O,s s Asクラッ
ド層4.p形A uO,< s Qa a、s s A
sクラッド層7およびp形A 庭o、s s Qa O
,1+ s As光ガイド層6で構成される。p形A
JIO,4i Qa o。
5sASクラッドj14.$)形A [0,4s Qa
Q、 5sAsクラッド層7およびp形A Ao、s
s Ga a。
Q、 5sAsクラッド層7およびp形A Ao、s
s Ga a。
1sAS光ガイド層6のそれぞれのAA組成比は0.4
5.0.45および0.35であり、これらAi組成比
はアンドープA fLo、o 9 Qa O99+As
活性層3のAfL組成比0.09よりも十分大きく、し
たがってp形A la、< s Ga o、s Asク
ラッド層4.+1形A Qll+、4 s Ga o、
s s Asクラッド層7および1)WeAio、s
s (3a 1+、+; s As光ガイド層6のそれ
ぞれの禁制帯幅はアンドープA fto、o s Ga
o、* 、As活性層3の禁制帯幅より十分大きいの
で、この活性層で発光したレーザ光は端面40.42近
傍では全く吸収されない。
5.0.45および0.35であり、これらAi組成比
はアンドープA fLo、o 9 Qa O99+As
活性層3のAfL組成比0.09よりも十分大きく、し
たがってp形A la、< s Ga o、s Asク
ラッド層4.+1形A Qll+、4 s Ga o、
s s Asクラッド層7および1)WeAio、s
s (3a 1+、+; s As光ガイド層6のそれ
ぞれの禁制帯幅はアンドープA fto、o s Ga
o、* 、As活性層3の禁制帯幅より十分大きいの
で、この活性層で発光したレーザ光は端面40.42近
傍では全く吸収されない。
すなわち、いわゆるN A M (nonabsorb
ing 1irr。
ing 1irr。
「)構造を構成できることになる。このため、CODレ
ベルが増大し、レーザ光の吸収による発熱によって促進
される端面40.42の酸化などに起因するIヤかな特
性劣化が防止でき、高出力動作でも信頼度の高いA!L
GaAs系短波長半導体レーザ装置を実現することがで
きる。しかも、この実施例においては、端面40,42
近傍でも、p形A l1o1s Ga o、s s A
s光ガイド層6によって垂直および水平方向の導波機構
があるため、ビームが反射面に至る前に広がることによ
る実効的反射率の低下や、アスティグマティズム(ビー
ムの垂直方向と水平方向とでビームウェストの位ばが興
なること)が生じないという特徴がある。
ベルが増大し、レーザ光の吸収による発熱によって促進
される端面40.42の酸化などに起因するIヤかな特
性劣化が防止でき、高出力動作でも信頼度の高いA!L
GaAs系短波長半導体レーザ装置を実現することがで
きる。しかも、この実施例においては、端面40,42
近傍でも、p形A l1o1s Ga o、s s A
s光ガイド層6によって垂直および水平方向の導波機構
があるため、ビームが反射面に至る前に広がることによ
る実効的反射率の低下や、アスティグマティズム(ビー
ムの垂直方向と水平方向とでビームウェストの位ばが興
なること)が生じないという特徴がある。
なお、上記実施例ではMO−CVD法で半導体レーザ装
置な作成しているが、半導体レーザ装置の作成において
従来より用いられている結晶成長法である液相成長法で
は、AQGaAs上への成長が困難であるため、上記実
施例の半導体レーザ装置を作成できない。液相成長法で
作成可能な他の実施例を以下に説明する。
置な作成しているが、半導体レーザ装置の作成において
従来より用いられている結晶成長法である液相成長法で
は、AQGaAs上への成長が困難であるため、上記実
施例の半導体レーザ装置を作成できない。液相成長法で
作成可能な他の実施例を以下に説明する。
第4図はこの発明の他の実施例である結合導波路を有す
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図である。また、第
5図は第4図のA−A線断面図であり、第6図は第4図
のB−B線断面図である。
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図である。また、第
5図は第4図のA−A線断面図であり、第6図は第4図
のB−B線断面図である。
初めにこの半導体レーザ装置の構成について説明する。
これらの図において、n形GaAs基板1bには、端面
40から隔てて段差36が、端面42から隔てて段差3
7が、また端面43から隔てて段差34が、端面42か
ら隔てて段差35が形成されており、これら段差によっ
てn型GaAs基板1bはストライブ状凸部33を有し
ている。
40から隔てて段差36が、端面42から隔てて段差3
7が、また端面43から隔てて段差34が、端面42か
ら隔てて段差35が形成されており、これら段差によっ
てn型GaAs基板1bはストライブ状凸部33を有し
ている。
n形GaAs基板1b上にストライブ状凸部33の頂上
部を除いてD Tf3Ga As電流阻止層5bが形成
されている。ストライブ状凸部33の頂上部上およびp
形Qa AS電流阻止層5b上にn形A(l o、a
s Qa O,s s Asクラッド層2b、アンドー
プA (Lo、o 9 Ga O,91As活性層3t
1 、11形A fLo、* s Ga (1,s s
Asクラッド層4b、EJ形A Qa、 s s G
a O,G S As光ガイド層6b 、o形A Qo
、4 i Qa O,s s Asクラッド層7b 、
p形Ga Asコンタクト層8bがこの順序で形成さ
れている。ここで、n形A ILo、s s Qa o
、s s Asクラッド層2bおよびp形A IIQ、
4 s Qa O,s sASAsクラッド層4bれぞ
れの禁制帯幅はアンドープA fLo、o s Ga
o、!11 AS活性層3bの禁制帯幅より大きくなっ
ている。また、p形AQo。
部を除いてD Tf3Ga As電流阻止層5bが形成
されている。ストライブ状凸部33の頂上部上およびp
形Qa AS電流阻止層5b上にn形A(l o、a
s Qa O,s s Asクラッド層2b、アンドー
プA (Lo、o 9 Ga O,91As活性層3t
1 、11形A fLo、* s Ga (1,s s
Asクラッド層4b、EJ形A Qa、 s s G
a O,G S As光ガイド層6b 、o形A Qo
、4 i Qa O,s s Asクラッド層7b 、
p形Ga Asコンタクト層8bがこの順序で形成さ
れている。ここで、n形A ILo、s s Qa o
、s s Asクラッド層2bおよびp形A IIQ、
4 s Qa O,s sASAsクラッド層4bれぞ
れの禁制帯幅はアンドープA fLo、o s Ga
o、!11 AS活性層3bの禁制帯幅より大きくなっ
ている。また、p形AQo。
e s Ga O,s s As光ガイド層6bの禁制
帯幅は、アンドープA Qo、o s Ga o、s
+ As活性層3bの禁制帯幅より大きくかつp形A
fLa、< s Qa O。
帯幅は、アンドープA Qo、o s Ga o、s
+ As活性層3bの禁制帯幅より大きくかつp形A
fLa、< s Qa O。
、 、 A Sクラッド層4bの禁制帯幅より小さくな
っており、p形A Q、o、* s (3a O,s
i Asクラッド層7bの禁制帯幅はp形A Q、o、
s s Qa o、s sAsAs光ガイドl16b
制帯幅より大きくなっている。アンドープA no、o
s Ga o、s + As活性層3b、D形A Q
o、s s Ga O,i s As光ガイドff16
b ハ段差34.35.36.37+7)斜め上部で湾
曲しており、ストライブ状凸部33上部のアンドープA
uo、o s Ga O,9+ As活性113bと
p形A fLa、 a s Ga O,li s As
光ガイド層6bとの間隔は端面40および42近傍のア
ンドープAfLo、o s Qa O,2+ As活性
113bとp形AQ、o。
っており、p形A Q、o、* s (3a O,s
i Asクラッド層7bの禁制帯幅はp形A Q、o、
s s Qa o、s sAsAs光ガイドl16b
制帯幅より大きくなっている。アンドープA no、o
s Ga o、s + As活性層3b、D形A Q
o、s s Ga O,i s As光ガイドff16
b ハ段差34.35.36.37+7)斜め上部で湾
曲しており、ストライブ状凸部33上部のアンドープA
uo、o s Ga O,9+ As活性113bと
p形A fLa、 a s Ga O,li s As
光ガイド層6bとの間隔は端面40および42近傍のア
ンドープAfLo、o s Qa O,2+ As活性
113bとp形AQ、o。
s s Qa O,l、s As光ガイドl16bとの
間隔より狭くなっている。
間隔より狭くなっている。
次にこの半導体レーザTAMの作成方法について簡単に
説明する。n形Ga AS W板1b上に、写真製版技
術を用いて一定間隔で跡切れたストライブ状の3i3N
4Illのマスクを形成する。次に、このマスクを用い
てn形Ga As !板1bを化学エツチングしてスト
ライブ状凸部33を形成する。
説明する。n形Ga AS W板1b上に、写真製版技
術を用いて一定間隔で跡切れたストライブ状の3i3N
4Illのマスクを形成する。次に、このマスクを用い
てn形Ga As !板1bを化学エツチングしてスト
ライブ状凸部33を形成する。
次に、n形GaAs基板1b上にznを拡散することに
よってp形Ga As i!8!阻止1i15bを形成
する。次に、液相成長法によって、順次n形A11o、
a s Qa O,s s ASクラッド1i2b、ア
ンドープA Qo、o 9 Ga o、s + As活
性層3b 、 I)形Afo、* s Qa o、s
s Asクラッド1I14b 、 p形Ano、 s
s Qa O,6s As光ガイド層6b 、p形AQ
、a、* s Qa Oos s Asクラッド117
b、p形GaAsコンタクト118bをエピタキシャル
成長する。
よってp形Ga As i!8!阻止1i15bを形成
する。次に、液相成長法によって、順次n形A11o、
a s Qa O,s s ASクラッド1i2b、ア
ンドープA Qo、o 9 Ga o、s + As活
性層3b 、 I)形Afo、* s Qa o、s
s Asクラッド1I14b 、 p形Ano、 s
s Qa O,6s As光ガイド層6b 、p形AQ
、a、* s Qa Oos s Asクラッド117
b、p形GaAsコンタクト118bをエピタキシャル
成長する。
この半導体レーザ装置の動作橢構は上記実施例と同様で
あるが、レーザ光の横モードはアンドープA Ilo、
o 9 Ga o−s I As活性層3bt’jよび
p形A Q、o、 s s (3a o、s s As
光ガイド層6bが湾曲していることによって安定化され
る。そして、ストライブ状凸部33上部で、q形Afo
、4sGao、5iAsクラツド12bおよびp形Al
to、4s Qa als Asクラッド層4bとアン
ドープAQo、o s Ga O09+ As活性層3
bとの間の屈折率差と、p形A ILo、a s Ga
a、s s Asクラッド114bおよびp形A i
o、s s Qa o、s s Asクラッド層7bと
p形A Qo、 s s Qa O,s s As光カ
イト層6bとの間の屈折率差とにより構成される内部の
結合導波路によって導波されたレーザ光は、端面40,
42近傍ではp形A QOos s Qa O,&sA
s光ガイドFff6bのみによって導波されることから
、上記実施例と同様、N A M III造が構成され
る。
あるが、レーザ光の横モードはアンドープA Ilo、
o 9 Ga o−s I As活性層3bt’jよび
p形A Q、o、 s s (3a o、s s As
光ガイド層6bが湾曲していることによって安定化され
る。そして、ストライブ状凸部33上部で、q形Afo
、4sGao、5iAsクラツド12bおよびp形Al
to、4s Qa als Asクラッド層4bとアン
ドープAQo、o s Ga O09+ As活性層3
bとの間の屈折率差と、p形A ILo、a s Ga
a、s s Asクラッド114bおよびp形A i
o、s s Qa o、s s Asクラッド層7bと
p形A Qo、 s s Qa O,s s As光カ
イト層6bとの間の屈折率差とにより構成される内部の
結合導波路によって導波されたレーザ光は、端面40,
42近傍ではp形A QOos s Qa O,&sA
s光ガイドFff6bのみによって導波されることから
、上記実施例と同様、N A M III造が構成され
る。
なお、上記実施例では、活性層がAfLo、osGa
Q、91 ASであり、クラッド層がAlo、4−Ga
c、5sASであり、光ガイド層がAIo、3基Gao
、sl、A、Sである場合について示したが、活性層、
クラッド層および光ガイド響のそれぞれの禁制帯幅間に
上記実施例と同様な関係があれば、活性層、クララ+S
i 、t>よび光ガイド層のそれぞれは他の組成比であ
ってもよく、これらの場合についても上記実施例と同様
の効果を奏する。
Q、91 ASであり、クラッド層がAlo、4−Ga
c、5sASであり、光ガイド層がAIo、3基Gao
、sl、A、Sである場合について示したが、活性層、
クラッド層および光ガイド響のそれぞれの禁制帯幅間に
上記実施例と同様な関係があれば、活性層、クララ+S
i 、t>よび光ガイド層のそれぞれは他の組成比であ
ってもよく、これらの場合についても上記実施例と同様
の効果を奏する。
また、この発明は第1図および第4図の各層の伝導形を
反対にした*iの半導体レーザ装置についても適用でき
る。
反対にした*iの半導体レーザ装置についても適用でき
る。
また、上記実施例では、活性層がアンドープAQGaA
sである場合について示したが、活性層は口形またはp
形であってもよく、これらの場合についても上記実施例
と同様の効果を奏する。
sである場合について示したが、活性層は口形またはp
形であってもよく、これらの場合についても上記実施例
と同様の効果を奏する。
また、上記実施例では、活性1./クラッドU/光ガイ
ド層がA fLGa As /A llGa As /
A LGa Asである場合について示したが、活性I
I/クラッド層/光ガイド層はir+ Qa As P
/ 1nGa P、/In Ga P、In Ga A
s P/In GaAs P/In Qa AS P、
In Qa As P/AfLGa As /A QG
a As、(AIIGa )In P/A IILGa
As /A IGa AS、(AIGa )InP/
(AflGa )In P/ (AfLGa )In
Pなどであってもよく、これらの場合についても上記
実施例と同様の効果を奏する。
ド層がA fLGa As /A llGa As /
A LGa Asである場合について示したが、活性I
I/クラッド層/光ガイド層はir+ Qa As P
/ 1nGa P、/In Ga P、In Ga A
s P/In GaAs P/In Qa AS P、
In Qa As P/AfLGa As /A QG
a As、(AIIGa )In P/A IILGa
As /A IGa AS、(AIGa )InP/
(AflGa )In P/ (AfLGa )In
Pなどであってもよく、これらの場合についても上記
実施例と同様の効果を奏する。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれは、第1伝導形の第1半導
体クラッド層および第2伝導形の第2半導体クラッド層
と半導体活性層との間の屈折率差と、第2半導体クラッ
ド層および第2伝導形の第3半導体クラッド層と半導体
光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結合導
波路を有する半導体レーザ装置において、レーザ光の出
射端面近傍で半導体活性層を半導体光ガイド層から遠さ
けるようにしたので、レーザ光が出射端面近傍では半導
体光ガイド層のみによって導波され、レーザ光が吸収さ
れないNA〜1′a造が構成できる。このため、高出力
動作が可能で、しかも信頼性の高い半導体レーザSi置
を得ることができる。
体クラッド層および第2伝導形の第2半導体クラッド層
と半導体活性層との間の屈折率差と、第2半導体クラッ
ド層および第2伝導形の第3半導体クラッド層と半導体
光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結合導
波路を有する半導体レーザ装置において、レーザ光の出
射端面近傍で半導体活性層を半導体光ガイド層から遠さ
けるようにしたので、レーザ光が出射端面近傍では半導
体光ガイド層のみによって導波され、レーザ光が吸収さ
れないNA〜1′a造が構成できる。このため、高出力
動作が可能で、しかも信頼性の高い半導体レーザSi置
を得ることができる。
第1図はこの発明の一実施例である結合導波路を有する
半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第2図は第1図の
A−All断面図、第3図は第1間のB−B線断面図、
第4図はこの発明の他の実施例である結合導波路を有す
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第5図は第4図
のA−A線断面図、第6図は第4図のB−B !断面図
、第7図は従来の結合導波路を有づる半導体レーザ装置
を示す断面図である。 図において、1.1bは口形Ga As 11板、2゜
2bはn形A 110.4 s Qa o、s s A
sクラッド層、3.3bはアンドープA Qo、a !
l Qa 0.91 AS活性層、4,4bはp形A
fLO,4s Ga o、 Ks Asクラッド層、5
,5bは口形GaAs電流阻止層、6.6bはp形AA
O1i Qa O,、j5 As光ガイド層、7.7b
はp形A fLo、< s Qa Q、s sAsクラ
ッド層、8.8bは口形Ga AS m12998層、
9は上側金属電極、10は下側金属冨極、20はストラ
イブ溝、30は平板状凸部、33はストライブ状凸部、
31,32,34.35.36.37は段差である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示づ。 代 理 人 大 岩 増 雄手続補
正書(自発) 昭和 年 月 日 2、発明の名称 半導体レーザ装置 3、補正をする者 5.74正の対象 明細書の特許請求の範囲の瀾および発明の詳細な説明の
欄 6、補正の内容 (1) 明;Ill!Iの特許請求の範囲を別紙のとお
り。 (2) 明細書第4頁第2行ないし第3行の[クラッド
II!2n Jを「クラッドl12a Jに訂正する。 (3) 明細書第20頁第13行の「この発明によれは
、コを「この発明によれば、」に訂正する。 以上 2、特許請求の範囲 (1) 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成される第1伝導形の第1半導体
クラッド1と、 Iyi記第1半導津クラッド層上に形成される半導体活
性層と、 前記半導体活性層上に形成される第2伝導形の第2半導
体クラッド層とを備え、 前記第1および第2半導体クラッド層のそれぞれの禁制
帯幅は前記半導体活性層の禁制帯幅より大きく、 前記第2半導体クラッド層上に形成される第2伝導形の
半導体光ガイド層とを備え、 前記半導体光ガイド層の禁制帯幅は、前記半導体活性層
の禁制帯幅より大きくかつ前記第2半導体クラッド層の
禁制帯幅より小さく、 前記半導体光ガイド層上に形成される第2伝導形の第3
半導体クラッド層とを備え、 前記第3半導体クラッド層の禁制帯幅は前記半導体光ガ
イド層の禁制帯幅より大きく、前記半導体活性層から発
光した光が、前記第1および第2半導体クラッド層と前
記半導体活性層との間の屈折率差と、前記第2および第
3半導体クラッド層と前記半導体光ガイド層との間の屈
折率差とにより構成される結合導波路によって導波され
る半導体レーザ装置において、 レーザ光の出射端面近傍で該レーザ光が前記半導体活性
層に結合されないよう、前記半導体活性層を前記半導体
光ガイド層から遠ざけることを特徴とする半導体レーザ
装置。 (2) 前記半導体基板はGaAsからなり、前記半導
体活性層はAlGa As三元混晶または(3aAsか
らなり、 前記第1.第2および第3半導体クラッド層と前記半導
体光ガイド層はそれぞれAIGaAs三元混晶からなる
特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置。 (3) 前記半導体活性層はIn Ga As P四元
混晶または(A廷Ga )In P四元混晶からなる特
許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置。 (4) 前記半導体光ガイド層はIn Ga AsP四
元混晶または<A 1tGa ) I n P四元混晶
からなる特許請求の馳囲第1項記載の半導体レーザ装置
。
半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第2図は第1図の
A−All断面図、第3図は第1間のB−B線断面図、
第4図はこの発明の他の実施例である結合導波路を有す
る半導体レーザ装置を示す断面斜視図、第5図は第4図
のA−A線断面図、第6図は第4図のB−B !断面図
、第7図は従来の結合導波路を有づる半導体レーザ装置
を示す断面図である。 図において、1.1bは口形Ga As 11板、2゜
2bはn形A 110.4 s Qa o、s s A
sクラッド層、3.3bはアンドープA Qo、a !
l Qa 0.91 AS活性層、4,4bはp形A
fLO,4s Ga o、 Ks Asクラッド層、5
,5bは口形GaAs電流阻止層、6.6bはp形AA
O1i Qa O,、j5 As光ガイド層、7.7b
はp形A fLo、< s Qa Q、s sAsクラ
ッド層、8.8bは口形Ga AS m12998層、
9は上側金属電極、10は下側金属冨極、20はストラ
イブ溝、30は平板状凸部、33はストライブ状凸部、
31,32,34.35.36.37は段差である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示づ。 代 理 人 大 岩 増 雄手続補
正書(自発) 昭和 年 月 日 2、発明の名称 半導体レーザ装置 3、補正をする者 5.74正の対象 明細書の特許請求の範囲の瀾および発明の詳細な説明の
欄 6、補正の内容 (1) 明;Ill!Iの特許請求の範囲を別紙のとお
り。 (2) 明細書第4頁第2行ないし第3行の[クラッド
II!2n Jを「クラッドl12a Jに訂正する。 (3) 明細書第20頁第13行の「この発明によれは
、コを「この発明によれば、」に訂正する。 以上 2、特許請求の範囲 (1) 半導体基板と、 前記半導体基板上に形成される第1伝導形の第1半導体
クラッド1と、 Iyi記第1半導津クラッド層上に形成される半導体活
性層と、 前記半導体活性層上に形成される第2伝導形の第2半導
体クラッド層とを備え、 前記第1および第2半導体クラッド層のそれぞれの禁制
帯幅は前記半導体活性層の禁制帯幅より大きく、 前記第2半導体クラッド層上に形成される第2伝導形の
半導体光ガイド層とを備え、 前記半導体光ガイド層の禁制帯幅は、前記半導体活性層
の禁制帯幅より大きくかつ前記第2半導体クラッド層の
禁制帯幅より小さく、 前記半導体光ガイド層上に形成される第2伝導形の第3
半導体クラッド層とを備え、 前記第3半導体クラッド層の禁制帯幅は前記半導体光ガ
イド層の禁制帯幅より大きく、前記半導体活性層から発
光した光が、前記第1および第2半導体クラッド層と前
記半導体活性層との間の屈折率差と、前記第2および第
3半導体クラッド層と前記半導体光ガイド層との間の屈
折率差とにより構成される結合導波路によって導波され
る半導体レーザ装置において、 レーザ光の出射端面近傍で該レーザ光が前記半導体活性
層に結合されないよう、前記半導体活性層を前記半導体
光ガイド層から遠ざけることを特徴とする半導体レーザ
装置。 (2) 前記半導体基板はGaAsからなり、前記半導
体活性層はAlGa As三元混晶または(3aAsか
らなり、 前記第1.第2および第3半導体クラッド層と前記半導
体光ガイド層はそれぞれAIGaAs三元混晶からなる
特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置。 (3) 前記半導体活性層はIn Ga As P四元
混晶または(A廷Ga )In P四元混晶からなる特
許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置。 (4) 前記半導体光ガイド層はIn Ga AsP四
元混晶または<A 1tGa ) I n P四元混晶
からなる特許請求の馳囲第1項記載の半導体レーザ装置
。
Claims (4)
- (1)半導体基板と、 前記半導体基板上に形成される第1伝導形の第1半導体
クラッド層と、 前記第1半導体クラッド層上に形成される半導体活性層
と、 前記半導体活性層上に形成される第2伝導形の第2半導
体クラッド層とを備え、 前記第1および第2半導体クラッド層のそれぞれの禁制
帯幅は前記半導体活性層の禁制帯幅より大きく、 前記第2半導体クラッド層上に形成される半導体光ガイ
ド層とを備え、 前記半導体光ガイド層の禁制帯幅は、前記半導体活性層
の禁制帯幅より大きくかつ前記第2半導体クラッド層の
禁制帯幅より小さく、 前記半導体光ガイド層上に形成される第2伝導形の第3
半導体クラッド層とを備え、 前記第3半導体クラッド層の禁制帯幅は前記半導体光ガ
イド層の禁制帯幅より大きく、 前記半導体活性層から発光した光が、前記第1および第
2半導体クラッド層と前記半導体活性層との間の屈折率
差と、前記第2および第3半導体クラッド層と前記半導
体光ガイド層との間の屈折率差とにより構成される結合
導波路によって導波される半導体レーザ装置において、 レーザ光の出射端面近傍で該レーザ光が前記半導体活性
層に結合されないよう、前記半導体活性層を前記半導体
光ガイド層から遠ざけることを特徴とする半導体レーザ
装置。 - (2)前記半導体基板はGaAsからなり、前記半導体
活性層はAlGaAs四元混晶またはGaAsからなり
、 前記第1、第2および第3半導体クラッド層と前記半導
体光ガイド層はそれぞれAlGaAs三元混晶からなる
特許請求の範囲第1項記載の半導体レーザ装置。 - (3)前記半導体活性層はInGaAsP四元混晶また
は(AlGa)InP四元混晶からなる特許請求の範囲
第1項記載の半導体レーザ装置。 - (4)前記半導体光ガイド層はInGaAsP四元混晶
または(AlGa)InP四元混晶からなる特許請求の
範囲第1項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60166607A JPS6225485A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザ装置 |
US06/888,398 US4757509A (en) | 1985-07-25 | 1986-07-23 | Semiconductor laser apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60166607A JPS6225485A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6225485A true JPS6225485A (ja) | 1987-02-03 |
JPH0461514B2 JPH0461514B2 (ja) | 1992-10-01 |
Family
ID=15834435
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60166607A Granted JPS6225485A (ja) | 1985-07-25 | 1985-07-25 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4757509A (ja) |
JP (1) | JPS6225485A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4964135A (en) * | 1988-07-22 | 1990-10-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser |
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JPH0646669B2 (ja) * | 1987-07-28 | 1994-06-15 | 日本電気株式会社 | 半導体レ−ザ及びその製造方法 |
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JPH06302908A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-28 | Fujitsu Ltd | 半導体レーザ |
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NL1015714C2 (nl) * | 2000-07-14 | 2002-01-15 | Dsm Nv | Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur. |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US4185256A (en) * | 1978-01-13 | 1980-01-22 | Xerox Corporation | Mode control of heterojunction injection lasers and method of fabrication |
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1985
- 1985-07-25 JP JP60166607A patent/JPS6225485A/ja active Granted
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1986
- 1986-07-23 US US06/888,398 patent/US4757509A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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US4757509A (en) | 1988-07-12 |
JPH0461514B2 (ja) | 1992-10-01 |
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