JPH0271573A - 分布帰還型半導体アレーレーザ - Google Patents
分布帰還型半導体アレーレーザInfo
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- JPH0271573A JPH0271573A JP63221345A JP22134588A JPH0271573A JP H0271573 A JPH0271573 A JP H0271573A JP 63221345 A JP63221345 A JP 63221345A JP 22134588 A JP22134588 A JP 22134588A JP H0271573 A JPH0271573 A JP H0271573A
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- layer
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- diffraction grating
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar
- H01S5/4031—Edge-emitting structures
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、同一の活性層より、異なる波長を安定に発す
る分布帰還型半導体アレーレーザ（ＤＦＢレーザ）に関
するものである。
る分布帰還型半導体アレーレーザ（ＤＦＢレーザ）に関
するものである。
［従来の技術］
従来、同一活性層を用いて、異なる波長を安定に発生さ
せる方法としては、に、ＡＩＫＩ、 Ｍ、ＮＡＫＡＭＵ
ＲＡａｎｄ Ｊ、ＵＭＥＤＡ、 ”Ａ Ｆｒｅｑｕｅ
ｎｃｙ−Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ ＬｉｇｈｔＳｏｕ
ｒｃｅ ｗｉｔｈ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃａｌｌｙ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｄｉｏｄｅ Ｌａ５ｅｒｓ”
ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、Ｖｏｌ、ＱＥ−１３，ＰＰ
２２０−２２３ＡＰＲ１１１９７７年発行に掲載された
論文に詳しく述べられており、１つの典型的な分布帰還
型半導体レーザと考えられている。
せる方法としては、に、ＡＩＫＩ、 Ｍ、ＮＡＫＡＭＵ
ＲＡａｎｄ Ｊ、ＵＭＥＤＡ、 ”Ａ Ｆｒｅｑｕｅ
ｎｃｙ−Ｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ ＬｉｇｈｔＳｏｕ
ｒｃｅ ｗｉｔｈ Ｍｏｎｏｌｉｔｈｉｃａｌｌｙ
Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ
Ｆｅｅｄｂａｃｋ Ｄｉｏｄｅ Ｌａ５ｅｒｓ”
ＩＥＥＥ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆＱｕａｎｔｕｍ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ、Ｖｏｌ、ＱＥ−１３，ＰＰ
２２０−２２３ＡＰＲ１１１９７７年発行に掲載された
論文に詳しく述べられており、１つの典型的な分布帰還
型半導体レーザと考えられている。
第８図〜第１Ｏ図は、その概略図である。これらの図を
使用して従来技術について、説明してゆく。第８図は、
全体図である。この報告では、同一の活性層でほぼ２０
人おきに異なる波長を安定に駆動させており、そのため
に回折格子を利用した波長安定化を行っている。これが
ＤＦＢレーザである。この装置はＤＦＢレーザ部ＩＯ！
、導波路１０２゜光ファイバ１０３よりなり、波長の異
なるレーザ光を同一のファイバ内に導くために作成され
たものである。光は、光ファイバに導かれ、＋０５に示
すように伝えられる。
使用して従来技術について、説明してゆく。第８図は、
全体図である。この報告では、同一の活性層でほぼ２０
人おきに異なる波長を安定に駆動させており、そのため
に回折格子を利用した波長安定化を行っている。これが
ＤＦＢレーザである。この装置はＤＦＢレーザ部ＩＯ！
、導波路１０２゜光ファイバ１０３よりなり、波長の異
なるレーザ光を同一のファイバ内に導くために作成され
たものである。光は、光ファイバに導かれ、＋０５に示
すように伝えられる。
ＤＦＢレーザ部の構成は第９図に示したようであり、こ
れは以下のように作製される。平坦なｎ−ＧａＡｓ基板
ＩＩＩ上に、クラッド層１１２となるｎ−Ａｌｏ、Ｇａ
ｏ、 ７ＡＳを２μｍ厚で形成し、この上に活性Ｎ１１
３となるｕｎｄｏｐｅｄ ＧａＡｓを０．１μｍ厚で形
成し、さらにその上にバッファ層１１４である）”Ａｌ
ｏ、 ｚＧａｏ、 ａＡｓをＯ，１μｍ厚で形成し、そ
の上に光ガイド層１１５となるｔ”Ａｌｏ、 ｏｔＧａ
ｏ、 ９３ＡＳを０．２μｍ厚で形成する。ここでいっ
たん成長を中断し、光ガイド層に回折格子を形成し、３
次のグレーディングを形成している。さらに、エツチン
グにより、２．５μｍ程度の段差＋２３を形成する。
れは以下のように作製される。平坦なｎ−ＧａＡｓ基板
ＩＩＩ上に、クラッド層１１２となるｎ−Ａｌｏ、Ｇａ
ｏ、 ７ＡＳを２μｍ厚で形成し、この上に活性Ｎ１１
３となるｕｎｄｏｐｅｄ ＧａＡｓを０．１μｍ厚で形
成し、さらにその上にバッファ層１１４である）”Ａｌ
ｏ、 ｚＧａｏ、 ａＡｓをＯ，１μｍ厚で形成し、そ
の上に光ガイド層１１５となるｔ”Ａｌｏ、 ｏｔＧａ
ｏ、 ９３ＡＳを０．２μｍ厚で形成する。ここでいっ
たん成長を中断し、光ガイド層に回折格子を形成し、３
次のグレーディングを形成している。さらに、エツチン
グにより、２．５μｍ程度の段差＋２３を形成する。
この上にクラッドＮ１１６となるＰ−Ａｌｏ、 ５Ｇａ
ｏ７Ａｓを２μｍ厚で形成する。クラッド層＋１６ Ｐ
−Ａｌｏ、３Ｇａｏ、 ７ＡＳは、［ｌＦＢレーザ領域
！１９では、レーザの上部クラッド層となり、導波路領
域１２０では導波路の下部クラッド層となる。さらにこ
の上に導波路層＋１７となるｕｎｄｏｐｅｄ−Ａｌａ、
＋Ｇａｏ、 ｅｋｓを２μｍ厚で形成する。ＤＦＢレ
ーザ領域１１９上に形成されたｕｎｄｏｐｅｄ Ａｌｏ
、 ＋Ｇａｏ、 ｅＡｓ １１７は電流を注入するため
にＺｎを拡散してｐ型としている。１１８．１２１はそ
れぞれｐ型およびｎ型電極である。
ｏ７Ａｓを２μｍ厚で形成する。クラッド層＋１６ Ｐ
−Ａｌｏ、３Ｇａｏ、 ７ＡＳは、［ｌＦＢレーザ領域
！１９では、レーザの上部クラッド層となり、導波路領
域１２０では導波路の下部クラッド層となる。さらにこ
の上に導波路層＋１７となるｕｎｄｏｐｅｄ−Ａｌａ、
＋Ｇａｏ、 ｅｋｓを２μｍ厚で形成する。ＤＦＢレ
ーザ領域１１９上に形成されたｕｎｄｏｐｅｄ Ａｌｏ
、 ＋Ｇａｏ、 ｅＡｓ １１７は電流を注入するため
にＺｎを拡散してｐ型としている。１１８．１２１はそ
れぞれｐ型およびｎ型電極である。
ＤＦＢレーザ内で発生した光＋２２は、ＤＦＢレーザか
ら導波路領域１１７内に伝搬し１１７の導波路を１２４
のように伝わる。（１１７，１２４は光のを示す）断面
形状を見ると、レーザと導波路は、以上のように形成さ
れており、この構成から成るレーザ部が、第８図では＋
０４に示すように６本形成されている。
ら導波路領域１１７内に伝搬し１１７の導波路を１２４
のように伝わる。（１１７，１２４は光のを示す）断面
形状を見ると、レーザと導波路は、以上のように形成さ
れており、この構成から成るレーザ部が、第８図では＋
０４に示すように６本形成されている。
波長を変える方法としては、光ガイド層１１５Ｐ−ＡＩ
Ｏ，。７Ｇａｏ、 ９３ＡＳに形成する回折格子のピッ
チを変える必要があり、この例では、異なる６波長を出
すために、回折格子を６つの異なるピッチで形成してい
る。第１Ｏ図は回折格子のピッチと、波長の関係を示し
たものである。回折は、３次の回折を利用し、ピッチを
３８００人〜３８４５人まで変え、その結果波長も、８
９１０人〜９５００人付近まで振れている。尚、各レー
ザの波長間隔は２０人となっている。このように、同一
活性層でも回折格子ピッチを変えることにより波長の異
なる安定な光源を形成することが出来るＤＦＢレーザは
従来、優れたレーザとして知られていた。
Ｏ，。７Ｇａｏ、 ９３ＡＳに形成する回折格子のピッ
チを変える必要があり、この例では、異なる６波長を出
すために、回折格子を６つの異なるピッチで形成してい
る。第１Ｏ図は回折格子のピッチと、波長の関係を示し
たものである。回折は、３次の回折を利用し、ピッチを
３８００人〜３８４５人まで変え、その結果波長も、８
９１０人〜９５００人付近まで振れている。尚、各レー
ザの波長間隔は２０人となっている。このように、同一
活性層でも回折格子ピッチを変えることにより波長の異
なる安定な光源を形成することが出来るＤＦＢレーザは
従来、優れたレーザとして知られていた。
〔発明が解決しようとする課題１
しかしながら上記従来例では、回折格子のピッチにより
異なる波長を得るために、ピッチの異なる回折格子を波
長の数だけ露光し形成しなければならない。さらに、回
折格子形成時、結晶表面はエツチング液等にさらされ、
これが複数回繰り返されるため再成長後もこの影響が残
り活性層の劣化の原因となったり、レーザの信頼性の低
下をまねくという問題があった。
異なる波長を得るために、ピッチの異なる回折格子を波
長の数だけ露光し形成しなければならない。さらに、回
折格子形成時、結晶表面はエツチング液等にさらされ、
これが複数回繰り返されるため再成長後もこの影響が残
り活性層の劣化の原因となったり、レーザの信頼性の低
下をまねくという問題があった。
本発明は上記問題点に鑑み、多波長レーザな回折格子の
ピッチを変えることなく得ることが可能な新規なりＦＢ
レーザな提供するものである。
ピッチを変えることなく得ることが可能な新規なりＦＢ
レーザな提供するものである。
本発明によれば、基板上に少なくとも活性層ＰＮ接合を
含む一層以上の半導体層が積層され、さらに波長安定化
を図るための回折格子を持ち、該半導体層に順方向電流
を通電する電極が設けられている半導体レーザにおいて
、該回折格子と活性層との距離が発振波長毎に異なって
いる構造とすることにより、すなわち基板上に積層する
結晶構造を変えることにより、１回の回折格子の露光に
より、複数の安定化したレーザ光源を得ることが可能と
なる。
含む一層以上の半導体層が積層され、さらに波長安定化
を図るための回折格子を持ち、該半導体層に順方向電流
を通電する電極が設けられている半導体レーザにおいて
、該回折格子と活性層との距離が発振波長毎に異なって
いる構造とすることにより、すなわち基板上に積層する
結晶構造を変えることにより、１回の回折格子の露光に
より、複数の安定化したレーザ光源を得ることが可能と
なる。
これは回折格子と活性層との距離を考えることにより導
波路層の伝搬定数が変化し、その結果として発振波長が
変るためである。
波路層の伝搬定数が変化し、その結果として発振波長が
変るためである。
該回折格子と活性層との距離を変える手段としては
（ａ）光ガイド層の構成を変え、たとえば一方を１層に
、他方を２層、３層とし、各層の材料を変える （ｂ）１つの光ガイド層の厚みを変える等があげられる
。ここで光ガイド層とは活性層と上部クラッド層又は下
部活性層に挟まれた層をいう。
、他方を２層、３層とし、各層の材料を変える （ｂ）１つの光ガイド層の厚みを変える等があげられる
。ここで光ガイド層とは活性層と上部クラッド層又は下
部活性層に挟まれた層をいう。
さらに前記（ａ）の場合等では、各発振波長毎に異なる
キャビティ長とし、それぞれのレーザの発振閾値を一定
としレーザの特徴を一致させることもできる。
キャビティ長とし、それぞれのレーザの発振閾値を一定
としレーザの特徴を一致させることもできる。
上記いずれの構造においても回折格子のピッチは同一で
よく、１回の露光により形成することができるため、非
常に容易に作製することができ、活性層等の劣化を抑制
することができる。
よく、１回の露光により形成することができるため、非
常に容易に作製することができ、活性層等の劣化を抑制
することができる。
本発明においては光ガイド層の構成等により回折格子と
活性層との距離を変えるが、光ガイド層としては回折格
子との結合を良くし、光を回折格子の存在する層へ導か
なければならないため、複数の組成を有する光ガイド層
を用いる場合、それぞれの光ガイド層の屈折率を適当に
設定する必要がある。すなわち、活性層の屈折率をｎ。
活性層との距離を変えるが、光ガイド層としては回折格
子との結合を良くし、光を回折格子の存在する層へ導か
なければならないため、複数の組成を有する光ガイド層
を用いる場合、それぞれの光ガイド層の屈折率を適当に
設定する必要がある。すなわち、活性層の屈折率をｎ。
１回折格子が設けである光ガイド層の屈折率をｎ＋＋該
活性層と光ガイド層の間に形成されている光ガイド層の
屈折率を活性層に近い方からｎ２． ｎ３・・・、下部
クラッド層、上部クラッド層それぞれの屈折率をｎａ＋
ｎｂとすると、ｎｏ＞ｎ＋２・・・≧ｎ、≧ｎ２＞ｎ
ａ、 ｎｂと活性層を離れ回折格子に近くなるに従いだ
んだんと増大する構成とするとよいが、光ガイド層の屈
折率が、活性層から離れるにしたがい、常に単調に増大
している必要はなく、途中で増加してもよい。目的は、
回折格子のある層になるべく光を導くために行うのであ
るから、光が導けるならば途中に屈折率の低い薄い層が
入ってもよい。すなわち上記屈折率の不可欠な関係はｎ
ｏ＋ ｎ＋＞ｎａ、 ｎｂである。
活性層と光ガイド層の間に形成されている光ガイド層の
屈折率を活性層に近い方からｎ２． ｎ３・・・、下部
クラッド層、上部クラッド層それぞれの屈折率をｎａ＋
ｎｂとすると、ｎｏ＞ｎ＋２・・・≧ｎ、≧ｎ２＞ｎ
ａ、 ｎｂと活性層を離れ回折格子に近くなるに従いだ
んだんと増大する構成とするとよいが、光ガイド層の屈
折率が、活性層から離れるにしたがい、常に単調に増大
している必要はなく、途中で増加してもよい。目的は、
回折格子のある層になるべく光を導くために行うのであ
るから、光が導けるならば途中に屈折率の低い薄い層が
入ってもよい。すなわち上記屈折率の不可欠な関係はｎ
ｏ＋ ｎ＋＞ｎａ、 ｎｂである。
また、光ガイド層は、活性層より発せられるレーザ光を
吸収しないようにするためにその禁制帯幅は、発振波長
より大きくなければならない。
吸収しないようにするためにその禁制帯幅は、発振波長
より大きくなければならない。
次に本発明のレーザの基本的構造について説明する。本
発明ではＡｌＧａＡｓ系レーザの他ＩｎＧａＡｓＰ系レ
ーザにおいても行なうことができ、さらに分布帰還型レ
ーザとして機能する構造を有するものであればＤＦＢ型
レーザのみならず、ＤＢＲ型レーザにおいても適用でき
るものであるが、以下ＡｌＧａＡｓ系ＤＦＢ型レーザに
ついて説明する。
発明ではＡｌＧａＡｓ系レーザの他ＩｎＧａＡｓＰ系レ
ーザにおいても行なうことができ、さらに分布帰還型レ
ーザとして機能する構造を有するものであればＤＦＢ型
レーザのみならず、ＤＢＲ型レーザにおいても適用でき
るものであるが、以下ＡｌＧａＡｓ系ＤＦＢ型レーザに
ついて説明する。
基本的構造としてはｎ−ＧａＡｓ基板を用いる場合、該
基板上にｎ−ＡｌｘＧａｐ−ｘＡｓ （ｘ＝０．２〜１
．’Ｏ）下部クラッド層（厚さ０．５〜３ μｍ ）
、 ｕｎｄｏｐｅｄＡｔ、Ｇａｐ−、Ａｓ （ｙ＝Ｃ）
〜１．０ ）活性層（厚み０．０５〜１．０ ｕｍ ）
あるいはＧａＡｓ基板Ｉ、・Ｇａｐ−、、Ａｓ （ｙ’
＝ ０〜１．０）又はＡｌ５ＡＩ＋−１１Ａｓ／ＡＩＲ
ＡＩＩ−ＲＡＳ （Ｓ 、 Ｒ：０〜１０ただしＳ≠
Ｒ）の量子井戸構造から成る活性層、 Ｐ−ＡＩｘＧａ
ｌ−ｚＡｓ （ｚ＝ｏ 〜！、 ０ ）光ガイド層（厚
さ０．０５〜３ μｍ ） 、およびＰ−Ａ１＊Ｇａ＋
−１ｌＡｓ上部クラッド層（厚さ０．０５〜３μｍ）が
連続的につくられており、さらに回折格子が光ガイド層
中に形成されている。上記の層の外ｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ層（厚さ０．２〜１．０μｍ）を基板と下部クラッド
層との間に、又Ｐ−ＧａＡｓコンタクトＮ（厚さ０．１
〜１．０μｍ）を上部クラッド層と電極どの間に設けて
も良い。
基板上にｎ−ＡｌｘＧａｐ−ｘＡｓ （ｘ＝０．２〜１
．’Ｏ）下部クラッド層（厚さ０．５〜３ μｍ ）
、 ｕｎｄｏｐｅｄＡｔ、Ｇａｐ−、Ａｓ （ｙ＝Ｃ）
〜１．０ ）活性層（厚み０．０５〜１．０ ｕｍ ）
あるいはＧａＡｓ基板Ｉ、・Ｇａｐ−、、Ａｓ （ｙ’
＝ ０〜１．０）又はＡｌ５ＡＩ＋−１１Ａｓ／ＡＩＲ
ＡＩＩ−ＲＡＳ （Ｓ 、 Ｒ：０〜１０ただしＳ≠
Ｒ）の量子井戸構造から成る活性層、 Ｐ−ＡＩｘＧａ
ｌ−ｚＡｓ （ｚ＝ｏ 〜！、 ０ ）光ガイド層（厚
さ０．０５〜３ μｍ ） 、およびＰ−Ａ１＊Ｇａ＋
−１ｌＡｓ上部クラッド層（厚さ０．０５〜３μｍ）が
連続的につくられており、さらに回折格子が光ガイド層
中に形成されている。上記の層の外ｎ−ＧａＡｓバッフ
ァ層（厚さ０．２〜１．０μｍ）を基板と下部クラッド
層との間に、又Ｐ−ＧａＡｓコンタクトＮ（厚さ０．１
〜１．０μｍ）を上部クラッド層と電極どの間に設けて
も良い。
前記活性層を量子井戸構造とすると、しきい電流が低く
、高効率となるので好ましい。又光ガイド層は前述光ガ
イド層がもつべき屈折率及び禁制帯幅を達成するよう混
晶比及び厚みを上記範囲内で適宜調整し、単層又は多重
層として形成すればよい。
、高効率となるので好ましい。又光ガイド層は前述光ガ
イド層がもつべき屈折率及び禁制帯幅を達成するよう混
晶比及び厚みを上記範囲内で適宜調整し、単層又は多重
層として形成すればよい。
回折格子のピッチは発振波長により適宜設定すればよく
、レーザ導波路（光ガイド領域）の屈折率を考慮して、
設定すればよい。
、レーザ導波路（光ガイド領域）の屈折率を考慮して、
設定すればよい。
以上説明した構造を作製するにはエピタキシャル成長が
可能な分子線エピタキシャル成長法、有機気相成長法等
により各層の結晶を成長させ、回折格子は通常行なわれ
る三光束干渉露光（西原春名、栖原著”光集積回路”■
オーム社発行Ｐ２＋７に記載されている。）により形成
することができ、又光ガイド層の所望の厚み、積層構造
を得るにはウェットエツチング等によるエツチングによ
り適宜調整することができる。
可能な分子線エピタキシャル成長法、有機気相成長法等
により各層の結晶を成長させ、回折格子は通常行なわれ
る三光束干渉露光（西原春名、栖原著”光集積回路”■
オーム社発行Ｐ２＋７に記載されている。）により形成
することができ、又光ガイド層の所望の厚み、積層構造
を得るにはウェットエツチング等によるエツチングによ
り適宜調整することができる。
［作用］
第２図は本発明のＤＦＢレーザの構成の１例を示すリッ
ジの断面図である。基板１上にバッファ層２、下部クラ
ッド層３．活性層４．第１ガイド層５、第２ガイド層６
．上部クラッド層９．コンタクト層ＩＯが形成させ電極
２０．１２で挟まれている場合である。尚、第２ガイド
層の屈折率は第１ガイド層のそれより大きいとする。レ
ーザ（ａ）の場合、第２ガイド層はなく、第１ガイド層
上に回折格子が形成されており、レーザ（ｂ）の場合、
第２ガイド層を有し、その上に回折格子が形成されてい
る。レーザ（ａＪ中の光１７は活性層４と光ガイド層５
を中心に左右に導波していく。該光が影響を受ける屈折
率は、等測的に該光の導波する層の屈折率及び光の存在
する割合の積によって決定される。レーザ（ｂＪ中の光
１８は第１１第２ガイド層を中心に左右に導波していく
。該光が影響を受ける屈折率は、等測的に該光の導波す
る各層の屈折率及び光の存在する割合の積を合計したも
のにより決定される。このためレーザ（ａ）と（ｂ）で
は、屈折率の比較的大きな第２クラッド層６を有してい
る（ｂ）を導波する光１８は光１７に比べ影響を受ける
屈折率が微妙に異なり、レーザ（ｂ）の等偏屈折率がよ
り大きくなる結果、伝搬定数が異なり、相対的に波長の
長い光が発振される。
ジの断面図である。基板１上にバッファ層２、下部クラ
ッド層３．活性層４．第１ガイド層５、第２ガイド層６
．上部クラッド層９．コンタクト層ＩＯが形成させ電極
２０．１２で挟まれている場合である。尚、第２ガイド
層の屈折率は第１ガイド層のそれより大きいとする。レ
ーザ（ａ）の場合、第２ガイド層はなく、第１ガイド層
上に回折格子が形成されており、レーザ（ｂ）の場合、
第２ガイド層を有し、その上に回折格子が形成されてい
る。レーザ（ａＪ中の光１７は活性層４と光ガイド層５
を中心に左右に導波していく。該光が影響を受ける屈折
率は、等測的に該光の導波する層の屈折率及び光の存在
する割合の積によって決定される。レーザ（ｂＪ中の光
１８は第１１第２ガイド層を中心に左右に導波していく
。該光が影響を受ける屈折率は、等測的に該光の導波す
る各層の屈折率及び光の存在する割合の積を合計したも
のにより決定される。このためレーザ（ａ）と（ｂ）で
は、屈折率の比較的大きな第２クラッド層６を有してい
る（ｂ）を導波する光１８は光１７に比べ影響を受ける
屈折率が微妙に異なり、レーザ（ｂ）の等偏屈折率がよ
り大きくなる結果、伝搬定数が異なり、相対的に波長の
長い光が発振される。
以上の作用は光ガイド層の層厚が厚い場合も同様であり
、厚い光ガイド層にはより多くの割合の光が存在するた
め光が影響される屈折率は相対的に大きくなり、伝搬定
数が異なり、その結果相対的に波長の長い光が発振され
る。この様に本発明では、光ガイド層の構成を変えるこ
とにより、同一の回折格子で波長の異なるかつ発振波長
の安定なレーザを得ることが出来るのである。
、厚い光ガイド層にはより多くの割合の光が存在するた
め光が影響される屈折率は相対的に大きくなり、伝搬定
数が異なり、その結果相対的に波長の長い光が発振され
る。この様に本発明では、光ガイド層の構成を変えるこ
とにより、同一の回折格子で波長の異なるかつ発振波長
の安定なレーザを得ることが出来るのである。
実施例１
第１図に本実施例で得られる製造工程を示す。
まず（ａ）において、ｌは基板であるところのｎ−Ｇａ
Ａｓである。この上に、バッファ層２のＳｉ ｄｏｐｅ
ｄＧａＡｓを０．５μｍ形成し、さらにその上に下部ク
ラッドＮ３のＳｉ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ３Ｇａｏ、 ｔ
Ａｓを１．５μｍ形成し、その上に活性層４を形成した
。活性層の構成は、ウェル層であるｕｎｄｏｐｅｄ Ｇ
ａＡｓを６０人と、バリア層であるｕｎｄｏｐｅｄ Ａ
ｌｏ、 ２Ｇａｏ、 ａＡｓを１００人交互にそれぞれ
５層と４層形成したものである。その上に、まず第１光
ガイド層５であるＢｅ ｄｏｐｅｄＡｌｏ、 ｚＧａｏ
、 Ｊｓを３０００人形成し、さらにその上に第２光ガ
イド層６であるＢｅ ｄｏｐｅｄ ＡＩＱ、 ＋Ｇａｏ
、 ａＡｓを３０００人形成した。ここで−度成長を止
め、一部の領域で第２光ガイド層６のＢｅ ｄｏｐｅｄ
Ａｌｏ、 ＋Ｇａｏ、 ９Ａｓを取り除くが、ここで
は、６のＢｅ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ＋Ｇａ（、、ｌ
ｌＡｓを取り除くためにウェットエツチングを用いた。
Ａｓである。この上に、バッファ層２のＳｉ ｄｏｐｅ
ｄＧａＡｓを０．５μｍ形成し、さらにその上に下部ク
ラッドＮ３のＳｉ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ３Ｇａｏ、 ｔ
Ａｓを１．５μｍ形成し、その上に活性層４を形成した
。活性層の構成は、ウェル層であるｕｎｄｏｐｅｄ Ｇ
ａＡｓを６０人と、バリア層であるｕｎｄｏｐｅｄ Ａ
ｌｏ、 ２Ｇａｏ、 ａＡｓを１００人交互にそれぞれ
５層と４層形成したものである。その上に、まず第１光
ガイド層５であるＢｅ ｄｏｐｅｄＡｌｏ、 ｚＧａｏ
、 Ｊｓを３０００人形成し、さらにその上に第２光ガ
イド層６であるＢｅ ｄｏｐｅｄ ＡＩＱ、 ＋Ｇａｏ
、 ａＡｓを３０００人形成した。ここで−度成長を止
め、一部の領域で第２光ガイド層６のＢｅ ｄｏｐｅｄ
Ａｌｏ、 ＋Ｇａｏ、 ９Ａｓを取り除くが、ここで
は、６のＢｅ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ＋Ｇａ（、、ｌ
ｌＡｓを取り除くためにウェットエツチングを用いた。
ＨｇＳＯ４： ）＋２０２ ： ＬＯ＝ １ ： ｌ
： １０液温１２℃で２０秒で６のＢｅ ｄｏｐｅｄ
Ａｌｏ、 ＋Ｇａａ、 ａＡｓを取り除いた。取り除
いた図が第１図（ｂ）である。
： １０液温１２℃で２０秒で６のＢｅ ｄｏｐｅｄ
Ａｌｏ、 ＋Ｇａａ、 ａＡｓを取り除いた。取り除
いた図が第１図（ｂ）である。
次に、三光束干渉露光を行い、Ｈｅ−ｃｄ ４４１６人
の波長を用い露光した。回折格子のピッチは、２次の回
折を利用し、２４３０人とした。回折格子の形成が終了
したものが第１図（Ｃ）である。回折格子７および８も
同様のピッチとした。回折格子７は、主に第２ガイド層
６のＢｅ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ＋Ｇａｏ、 ＱＡＳ
中に形成し、回折格子８は主に第１ガイド層である５の
Ｂｅ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ２Ｇａｏ、 ａＡｓ中に
形成した。
の波長を用い露光した。回折格子のピッチは、２次の回
折を利用し、２４３０人とした。回折格子の形成が終了
したものが第１図（Ｃ）である。回折格子７および８も
同様のピッチとした。回折格子７は、主に第２ガイド層
６のＢｅ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ＋Ｇａｏ、 ＱＡＳ
中に形成し、回折格子８は主に第１ガイド層である５の
Ｂｅ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ２Ｇａｏ、 ａＡｓ中に
形成した。
回折格子の底部と山の頂上部の差は１０００人であった
。活性層からの距離は活性層と山の頂上部との差を言う
。回折格子７では６０００人、回折格子８では３０００
人であった。
。活性層からの距離は活性層と山の頂上部との差を言う
。回折格子７では６０００人、回折格子８では３０００
人であった。
この様に形成したのち、この上に第１図に示す様に上部
クラッド層９のＢｅ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ５Ｇａｏ
、 ７ＡＳを１．５μｍ、その上にコンタクト層１０の
Ｂｅ ｄｏｐｅｄＧａＡｓを０．５μｍ形成し、この後
導波路を形成するためにコンタクト層ＩＯと、クラッド
層９の一部を加工し、リッジ型レーザを作成した。電流
をリッジの真下に注入するため、電流狭窄層として、絶
縁層１１であるＳｉＯ□を２０００人形成し、その上に
１２および１３の電極Ａｕ／Ｃｒを形成した。ここで２
つのレーザな独立駆動するため、電極分離領域２１を設
けた。２０はｎ型電極であるＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕであ
る。ここで１４は電源である。
クラッド層９のＢｅ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ５Ｇａｏ
、 ７ＡＳを１．５μｍ、その上にコンタクト層１０の
Ｂｅ ｄｏｐｅｄＧａＡｓを０．５μｍ形成し、この後
導波路を形成するためにコンタクト層ＩＯと、クラッド
層９の一部を加工し、リッジ型レーザを作成した。電流
をリッジの真下に注入するため、電流狭窄層として、絶
縁層１１であるＳｉＯ□を２０００人形成し、その上に
１２および１３の電極Ａｕ／Ｃｒを形成した。ここで２
つのレーザな独立駆動するため、電極分離領域２１を設
けた。２０はｎ型電極であるＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕであ
る。ここで１４は電源である。
このようにして得られたレーザは第１図（ｄ）の１５お
よび１６の線に沿った構造でみるとそれぞれ第２図の（
ａ） 、 （ｂ）に示したリッジの断面を持っている。
よび１６の線に沿った構造でみるとそれぞれ第２図の（
ａ） 、 （ｂ）に示したリッジの断面を持っている。
それぞれのレーザを発振させたところ第２図（ａ）のレ
ーザは８５００人、（ｂ）のレーザ（ま８５５０人で発
振した。
ーザは８５００人、（ｂ）のレーザ（ま８５５０人で発
振した。
尚、結晶成長は、分支線エピタキシャル成長法を用い、
基板温度６００℃、ＡＳ４とＧａの分子比は２とし、Ｇ
ａＡｓの成長速度を１μｍ／ｈｏｕｒとして成長させた
。
基板温度６００℃、ＡＳ４とＧａの分子比は２とし、Ｇ
ａＡｓの成長速度を１μｍ／ｈｏｕｒとして成長させた
。
実施例２
第３図〜第５図に本発明の実施例２を示す。
実施例１と異なる点は、発光源を３つモノリシックに形
成したことと、３つのレーザのそれぞれのキャビティ長
が異なっていることにある。ここでキャビティ長を異な
らせた理由は、各レーザの特性を一致させるためである
。すなわち、光ガイド層を増すにつれ、活性層における
光の閉じ込めが少なくなり発振閾値が高くなるが、キャ
ビティ長を短くすることにより注入面積を小さくして、
レーザの発振閾値を一定にするためである。
成したことと、３つのレーザのそれぞれのキャビティ長
が異なっていることにある。ここでキャビティ長を異な
らせた理由は、各レーザの特性を一致させるためである
。すなわち、光ガイド層を増すにつれ、活性層における
光の閉じ込めが少なくなり発振閾値が高くなるが、キャ
ビティ長を短くすることにより注入面積を小さくして、
レーザの発振閾値を一定にするためである。
本実施例のレーザ構成は第３図である。３１は基板であ
るところのｐ−ＧａＡｓ、３２はバッファ層であるＢｅ
ｄｏｐｅｄ ＧａＡｓ Ｏ，５ＬＬｍ 、 ３３はＢ
ｅ ｄｏｐｅｄ ＡＩｏ、４Ｇａｏ、Ｊｓ １．５μｍ
これは下部クラッド層である。
るところのｐ−ＧａＡｓ、３２はバッファ層であるＢｅ
ｄｏｐｅｄ ＧａＡｓ Ｏ，５ＬＬｍ 、 ３３はＢ
ｅ ｄｏｐｅｄ ＡＩｏ、４Ｇａｏ、Ｊｓ １．５μｍ
これは下部クラッド層である。
３４は活性層である。活性層の構成は、ウェル層である
ｕｎｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ｏｓＧａｏ、 、ｓＡＳを
６０人とバリア層であるｕｎｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ３
Ｇａｏ、 ７ＡＳ １００人を交互にそれぞれ５層およ
び４Ｎ形成している。３５は第１光ガイド層であるＳｉ
ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ３Ｇａｏ、 ７ＡＳ ３００
０人、３６は第２光ガイド層である Ｓｉ ｄｏｐｅｄ
Ａｌｏ、 １ｓＧａｏ、 ａｓＡｓ２０００人である
。３７は第３光ガイド層でＳｉ ｄｏｐｅｄＡｌｏ、
＋Ｇａｏ、 ｓＡｓ ３０００人である。
ｕｎｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ｏｓＧａｏ、 、ｓＡＳを
６０人とバリア層であるｕｎｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ３
Ｇａｏ、 ７ＡＳ １００人を交互にそれぞれ５層およ
び４Ｎ形成している。３５は第１光ガイド層であるＳｉ
ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、 ３Ｇａｏ、 ７ＡＳ ３００
０人、３６は第２光ガイド層である Ｓｉ ｄｏｐｅｄ
Ａｌｏ、 １ｓＧａｏ、 ａｓＡｓ２０００人である
。３７は第３光ガイド層でＳｉ ｄｏｐｅｄＡｌｏ、
＋Ｇａｏ、 ｓＡｓ ３０００人である。
尚レーザ４３では、第１光ガイド層中に回折格子を形成
し、レーザ４４では第２光ガイド層中に回折格子を形成
し、レーザ４５では第３光ガイド層中に回折格子を形成
している。
し、レーザ４４では第２光ガイド層中に回折格子を形成
し、レーザ４５では第３光ガイド層中に回折格子を形成
している。
以上の様に形成した光ガイド上に、３８の上部クラッド
であるＳｉ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ４Ｇａａ、 ７ＡＳを
１．５μｍ、つづいて６５のＳｉ ｄｏｐｅｄ ＧａＡ
ｓをコンタクト層として形成している。
であるＳｉ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ４Ｇａａ、 ７ＡＳを
１．５μｍ、つづいて６５のＳｉ ｄｏｐｅｄ ＧａＡ
ｓをコンタクト層として形成している。
本実施例での電流狭窄構造としては、リッジを利用し３
９の絶縁層であるＳｉＯ□でリッジの上部のみ電流が流
れる様に窓を形成し、最後に電極４０を電極分離溝４１
および４２を形成しながら形成した。電極はｎ型電極４
０にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを用い、ｐ型用電極６４に
はＡｕ／Ｃｒを用いた。６６は電源である。
９の絶縁層であるＳｉＯ□でリッジの上部のみ電流が流
れる様に窓を形成し、最後に電極４０を電極分離溝４１
および４２を形成しながら形成した。電極はｎ型電極４
０にはＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕを用い、ｐ型用電極６４に
はＡｕ／Ｃｒを用いた。６６は電源である。
第４図は本実施例のレーザの断面図を示したものである
。図中（ａｌ 、 （ｂ） 、 （ｃ）は、各々４６．
４７．４８の線に添った断面を示している。
。図中（ａｌ 、 （ｂ） 、 （ｃ）は、各々４６．
４７．４８の線に添った断面を示している。
さらに実施例ではレーザ発振閾値を一諸にするためにキ
ャビティ長を変えた。レーザ４５は、光ガイド層が多い
ことによる電流波がりのために閾値が上昇し、かつ光ガ
イド層構成を採用するために、活性層中への光閉じ込め
が減少するよって閾値が上昇するが、これを防ぐためで
ある。そこでレーザ４３は、キャビティ長３００μｍ、
レーザ４４はキャビティ長を２５０μｍ、レーザ４５は
キャビティ長２００μｍとして、閾値を４０ｍＡ一定と
した。
ャビティ長を変えた。レーザ４５は、光ガイド層が多い
ことによる電流波がりのために閾値が上昇し、かつ光ガ
イド層構成を採用するために、活性層中への光閉じ込め
が減少するよって閾値が上昇するが、これを防ぐためで
ある。そこでレーザ４３は、キャビティ長３００μｍ、
レーザ４４はキャビティ長を２５０μｍ、レーザ４５は
キャビティ長２００μｍとして、閾値を４０ｍＡ一定と
した。
第５図は、第３図のレーザを上面から見た図である。５
１の共振器面はヘキ開とし、５２と５１はｃｈによるド
ライエツチングによりレーザ共振器面を形成した。
１の共振器面はヘキ開とし、５２と５１はｃｈによるド
ライエツチングによりレーザ共振器面を形成した。
尚活性層３４．上下クラッド層３８．３３および光ガイ
ドＮ３５．３６．３７の屈折率ｎは厚膜結晶の値から推
測し空間波長を８００ｎｍとするとｎ、４（・３．６４
）＞ ｎ５ｙ（”３．６１） ＞ｒ＋５ｅ（＝３．５８
）＞ｎ５ｓ（３，４５）＞ｎ５ｓ（・３．４）αｎ、８
（・３．４）という関係になっている。
ドＮ３５．３６．３７の屈折率ｎは厚膜結晶の値から推
測し空間波長を８００ｎｍとするとｎ、４（・３．６４
）＞ ｎ５ｙ（”３．６１） ＞ｒ＋５ｅ（＝３．５８
）＞ｎ５ｓ（３，４５）＞ｎ５ｓ（・３．４）αｎ、８
（・３．４）という関係になっている。
それぞれのレーザを発振させたところ、発振波長は、レ
ーザ４３（第４図（ａ））では、７９５０人、レーザ４
４（同図（ｂ））は７９７５人、レーザ４５（同図（Ｃ
））は８００５人で発振した。これは光ガイド層が増す
にしたがい、光が影響を受ける屈折率も低下し、レーザ
４３の場合とレーザ４５の場合では、レーザ４５の場合
の方が屈折率は大きくなったためであり、これにより伝
搬定数が変化した結果、発振波長が変化したためである
。
ーザ４３（第４図（ａ））では、７９５０人、レーザ４
４（同図（ｂ））は７９７５人、レーザ４５（同図（Ｃ
））は８００５人で発振した。これは光ガイド層が増す
にしたがい、光が影響を受ける屈折率も低下し、レーザ
４３の場合とレーザ４５の場合では、レーザ４５の場合
の方が屈折率は大きくなったためであり、これにより伝
搬定数が変化した結果、発振波長が変化したためである
。
実施例３
第６図、第７図に本発明の実施例３を示す。この実施例
の特徴は、回折格子と活性層の距離を変えることにより
発振波長を変えるものである。
の特徴は、回折格子と活性層の距離を変えることにより
発振波長を変えるものである。
第６図（ａ）においてレーザ構成について説明する。７
１は基板であるところのｎ−ＧａＡｓ、 ７２はバッフ
ァ層であるＳｉ ｄｏｐｅｄ ＧａＡｓ ０．５μｍこ
の上にクラッド層７３としてＳｉ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ
、５Ｇａｏ、７ＡＳ １．５μｍを設け、この上に活性
Ｊｉ７４である ｕｎｄｏｐｅｄＧａＡｓ Ｏ，１μｍ
、光ガイド層７５であるＢｅ ｄｏｐｅｄＡｌｏ、
ｚＧａｏ、 ｓＡｓ Ｏ，４ｇ ｍを設けた。ここで−
度成長を止め、第６図（ｂ）の様にエツチングにより段
差を設け、エツチングの面を第６図（ｂ） ９１の様に
した。光ガイド層７５の厚みは９２では２０００人、９
３では４０００人である０次にここに三光束干渉露光に
より回折格子を形成し、第６図（ｃ）に示した７７、７
８の様にした。回折格子ピッチは、２４００人であった
、２次の回折である。
１は基板であるところのｎ−ＧａＡｓ、 ７２はバッフ
ァ層であるＳｉ ｄｏｐｅｄ ＧａＡｓ ０．５μｍこ
の上にクラッド層７３としてＳｉ ｄｏｐｅｄ Ａｌｏ
、５Ｇａｏ、７ＡＳ １．５μｍを設け、この上に活性
Ｊｉ７４である ｕｎｄｏｐｅｄＧａＡｓ Ｏ，１μｍ
、光ガイド層７５であるＢｅ ｄｏｐｅｄＡｌｏ、
ｚＧａｏ、 ｓＡｓ Ｏ，４ｇ ｍを設けた。ここで−
度成長を止め、第６図（ｂ）の様にエツチングにより段
差を設け、エツチングの面を第６図（ｂ） ９１の様に
した。光ガイド層７５の厚みは９２では２０００人、９
３では４０００人である０次にここに三光束干渉露光に
より回折格子を形成し、第６図（ｃ）に示した７７、７
８の様にした。回折格子ピッチは、２４００人であった
、２次の回折である。
次にこの第６図（Ｃ）の構造上に、クラッド層７９Ｂｅ
ｄｏｐｅｄ Ａ１０．３Ｇａｏ、 ７Ａ８１．５ μ
ｍ 、次にコンタクト層８０のＢｅ ｄｏｐｅｄ Ｇａ
Ａｓ ０．５μｍを形成し、リッジ形の導波路を形成し
た。８２．８３．８７は電極で、８２、８３はｐ型電極
であるＣｒ／Ａｕ、 ８７はｎ型電極であるＡｕＧｅ／
Ｎ ｉ／Ａｕである。８１は電極分離領域、８８は電流
狭窄層であるＳｉＯ□２０００人、８６は電源である。
ｄｏｐｅｄ Ａ１０．３Ｇａｏ、 ７Ａ８１．５ μ
ｍ 、次にコンタクト層８０のＢｅ ｄｏｐｅｄ Ｇａ
Ａｓ ０．５μｍを形成し、リッジ形の導波路を形成し
た。８２．８３．８７は電極で、８２、８３はｐ型電極
であるＣｒ／Ａｕ、 ８７はｎ型電極であるＡｕＧｅ／
Ｎ ｉ／Ａｕである。８１は電極分離領域、８８は電流
狭窄層であるＳｉＯ□２０００人、８６は電源である。
第７図は、前記レーザの断面を、第６図（Ｃ）の８４、
８５でレーザな切った状態で示したものである。第７図
（ａ）、（ｂ）の違いは、７５の光ガイド層の厚みであ
る。各層の屈折率の関係はｎ７４（・３．６５） ＞０
７、（・３．５４） ＞ ｎｙ＊ （・３．４６１さｎ
７．（・３．４６）であった。
８５でレーザな切った状態で示したものである。第７図
（ａ）、（ｂ）の違いは、７５の光ガイド層の厚みであ
る。各層の屈折率の関係はｎ７４（・３．６５） ＞０
７、（・３．５４） ＞ ｎｙ＊ （・３．４６１さｎ
７．（・３．４６）であった。
ここでｎ、４は７４に示した層のバルク状での屈折率、
ｎｙｓ、 ｎ７３＋ ｎ、ｓも同様である。
ｎｙｓ、 ｎ７３＋ ｎ、ｓも同様である。
これらのレーザを発振させたところレーザ９４は８８５
０人で、レーザ９５は８８９０人で発振した。これは第
７図（ａ）において光は７３．７４．７５．７９に渡り
分布し、同様に第７図（ｂ）においても光は７３．７４
゜７５、７９に分布するが、（ｂ）は （ａ）に比べ層
７３、７４に光が存在する割合が多いため、光の感じる
屈折率は、（ｂ）の方が大きくなり、そのため伝搬定数
が変化する結果、（ｂ）の方が発振波長が長くなること
によるものである。
０人で、レーザ９５は８８９０人で発振した。これは第
７図（ａ）において光は７３．７４．７５．７９に渡り
分布し、同様に第７図（ｂ）においても光は７３．７４
゜７５、７９に分布するが、（ｂ）は （ａ）に比べ層
７３、７４に光が存在する割合が多いため、光の感じる
屈折率は、（ｂ）の方が大きくなり、そのため伝搬定数
が変化する結果、（ｂ）の方が発振波長が長くなること
によるものである。
［発明の効果］
以上説明した様に本発明では、同一活性層を用い、単に
光ガイド層の構成を変えることにより同一回折格子で異
なる波長のレーザを安定に発振させることが出来る。
光ガイド層の構成を変えることにより同一回折格子で異
なる波長のレーザを安定に発振させることが出来る。
尚本発明では、ＤＦＢ型レーザのみ実施例としたがＤＢ
Ｒ型レーザも同様の原理で同一活性層、同一回折格子で
複数の異なる波長を持ったレーザを安定に発振出来る。
Ｒ型レーザも同様の原理で同一活性層、同一回折格子で
複数の異なる波長を持ったレーザを安定に発振出来る。
さらに各レーザのキャビティ長を調整することにより各
レーザの発振閾値を一定にし、レーザ特性が同一の多波
長半導体アレーレーザとすることも出来る。
レーザの発振閾値を一定にし、レーザ特性が同一の多波
長半導体アレーレーザとすることも出来る。
第１図は本発明の実施例１において（ａ）、（ｂ）（ｃ
）、（ｄ）の順に作製したレーザの作製手順を示した図
、第２図は実施例１で得られた２つのレーザの断面構成
図、第３図は実施例２で作製したレーザの斜面模式図、
第４図は実施例２で得られた３つのレーザの断面構成図
、第５図は実施例２で作製したレーザの平面模式図、第
６図は実施例３において得られたレーザの作製手順を示
した図、第７図は実施例３で得られた２つのレーザの断
面構成図、第８図は従来のＤＦＢレーザの斜面図、第９
図は従来のＤＦＢレーザの断面構成図、第１Ｏ図は従来
のＤＦＢレーザに設けられた回折格子のピッチと発振波
長との関係を示す図である。 １、３１．７１ 基板 ２、３２．７２ バッファ層 ３、３３．７３ 下部クラッド層４、３４．７４
活性層 ５、３５．７５ 第１光ガイド層６．３６ ７、 ８． ７７．７８ ９．３８．７９ ＋０． ６５． ８８ １１．３９ 第２光ガイド層 第３光ガイド層 回折格子 上部クラッド層 コンタクト層 絶縁層 ＋４． ６６、 ８６ 電源 ２０、６４．８７ ｎ型電極 ２１、４１．４２．８１ 電極分離領域４３、４４．
４５．９４．９５ レーザ５１、５２．５３
共振器面 ９１ エツチング面 ９２、９３ 光ガイド層厚み１０１ ＤＦ
Ｂレーザ部 １０２ 導波路 光ファイバ ６本のレーザ 発振波長 ｎ−ＧａＡｓ基板 ｎ−Ａｌｏ、 ３Ｇａｏ、 フＡｓクラッド層ｎｏｎｄ
ｏｐｅｄ ＧａＡｓ活性層 Ｐ−ＡＩｏ、 ｚＧａｏ、 ａＡｓバッファ層Ｐ−Ａｌ
ｏ、 ｏｔＧａｏ９Ｊ３光ガイド層Ｐ−Ａｌａ、 ５Ｇ
ａｏ、 ？ＡＳクラッド層ｕｎｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、
＋Ｇａｏ、 ９ＡＳ導波路層ｐ型電極 ＤＦＢレーザー領域 導波路領域 ｎ型電極 段差 回折格子ピッチ 発振波長
）、（ｄ）の順に作製したレーザの作製手順を示した図
、第２図は実施例１で得られた２つのレーザの断面構成
図、第３図は実施例２で作製したレーザの斜面模式図、
第４図は実施例２で得られた３つのレーザの断面構成図
、第５図は実施例２で作製したレーザの平面模式図、第
６図は実施例３において得られたレーザの作製手順を示
した図、第７図は実施例３で得られた２つのレーザの断
面構成図、第８図は従来のＤＦＢレーザの斜面図、第９
図は従来のＤＦＢレーザの断面構成図、第１Ｏ図は従来
のＤＦＢレーザに設けられた回折格子のピッチと発振波
長との関係を示す図である。 １、３１．７１ 基板 ２、３２．７２ バッファ層 ３、３３．７３ 下部クラッド層４、３４．７４
活性層 ５、３５．７５ 第１光ガイド層６．３６ ７、 ８． ７７．７８ ９．３８．７９ ＋０． ６５． ８８ １１．３９ 第２光ガイド層 第３光ガイド層 回折格子 上部クラッド層 コンタクト層 絶縁層 ＋４． ６６、 ８６ 電源 ２０、６４．８７ ｎ型電極 ２１、４１．４２．８１ 電極分離領域４３、４４．
４５．９４．９５ レーザ５１、５２．５３
共振器面 ９１ エツチング面 ９２、９３ 光ガイド層厚み１０１ ＤＦ
Ｂレーザ部 １０２ 導波路 光ファイバ ６本のレーザ 発振波長 ｎ−ＧａＡｓ基板 ｎ−Ａｌｏ、 ３Ｇａｏ、 フＡｓクラッド層ｎｏｎｄ
ｏｐｅｄ ＧａＡｓ活性層 Ｐ−ＡＩｏ、 ｚＧａｏ、 ａＡｓバッファ層Ｐ−Ａｌ
ｏ、 ｏｔＧａｏ９Ｊ３光ガイド層Ｐ−Ａｌａ、 ５Ｇ
ａｏ、 ？ＡＳクラッド層ｕｎｄｏｐｅｄ Ａｌｏ、
＋Ｇａｏ、 ９ＡＳ導波路層ｐ型電極 ＤＦＢレーザー領域 導波路領域 ｎ型電極 段差 回折格子ピッチ 発振波長
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上に少なくとも活性層、ＰＮ接合を含む一層以
上の半導体層が積層され、さらに波長安定化を図るため
の回折格子を持ち、該半導体層に順方向電流を通電する
電極が設けられている半導体レーザにおいて、 該回折格子と活性層との距離が発振波長毎に異なってい
る構造を有することを特徴とする分布帰還型半導体アレ
ーレーザ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221345A JPH0271573A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 分布帰還型半導体アレーレーザ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63221345A JPH0271573A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 分布帰還型半導体アレーレーザ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0271573A true JPH0271573A (ja) | 1990-03-12 |
Family
ID=16765350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63221345A Pending JPH0271573A (ja) | 1988-09-06 | 1988-09-06 | 分布帰還型半導体アレーレーザ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0271573A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351422U (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-20 | ||
| US5274660A (en) * | 1991-09-20 | 1993-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of making it |
| US5982799A (en) * | 1994-09-14 | 1999-11-09 | Xerox Corporation | Multiple-wavelength laser diode array using quantum well band filling |
-
1988
- 1988-09-06 JP JP63221345A patent/JPH0271573A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0351422U (ja) * | 1989-09-26 | 1991-05-20 | ||
| US5274660A (en) * | 1991-09-20 | 1993-12-28 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Semiconductor device and method of making it |
| US5982799A (en) * | 1994-09-14 | 1999-11-09 | Xerox Corporation | Multiple-wavelength laser diode array using quantum well band filling |
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