NL1015714C2 - Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur. - Google Patents

Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur. Download PDF

Info

Publication number
NL1015714C2
NL1015714C2 NL1015714A NL1015714A NL1015714C2 NL 1015714 C2 NL1015714 C2 NL 1015714C2 NL 1015714 A NL1015714 A NL 1015714A NL 1015714 A NL1015714 A NL 1015714A NL 1015714 C2 NL1015714 C2 NL 1015714C2
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
acid
acetylthiophenylpropanoic
antisolvent
mixture
crystallization
Prior art date
Application number
NL1015714A
Other languages
English (en)
Inventor
Franciscus Alphons Mari Lommen
Original Assignee
Dsm Nv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dsm Nv filed Critical Dsm Nv
Priority to NL1015714A priority Critical patent/NL1015714C2/nl
Priority to EP01954533A priority patent/EP1313702A1/en
Priority to PCT/NL2001/000534 priority patent/WO2002006217A1/en
Priority to US10/333,057 priority patent/US20040069208A1/en
Priority to AU2001276781A priority patent/AU2001276781A1/en
Application granted granted Critical
Publication of NL1015714C2 publication Critical patent/NL1015714C2/nl

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C329/00Thiocarbonic acids; Halides, esters or anhydrides thereof
    • C07C329/02Monothiocarbonic acids; Derivatives thereof
    • C07C329/04Esters of monothiocarbonic acids
    • C07C329/06Esters of monothiocarbonic acids having sulfur atoms of thiocarbonic groups bound to acyclic carbon atoms

Description

WERKWIJZE VOOR HET KRISTALLISEREN VAN ENANTIOMEER VERRIJKT 2-ACETYLTHIO-3-FENYLPROPAANZUUR
5 De uitvinding betreft een werkwijze voor het kristalliseren van acetylthiofenylpropaanzuur.
Acetylthiofenylpropaanzuur, in het bijzonder S-acetylthiofenylpropaanzuur, is een bekend tussenproduct in de bereiding van farmaceutica, 10 bijvoorbeeld omapatrilat.
In EP-A-0747392 wordt in een voorbeeld beschreven dat een acetylthiofenylpropaanzuur als krystallijne vaste stof wordt verkregen. In deze werkwijze wordt eerst uit het verkregen reactiemengel 15 het acetylthiofenylpropaanzuur als dicyclohexylamine zout gewonnen, vervolgens het zout weer gehydrolyseerd en vervolgens wordt het acetylthiofenylpropaanzuur in vaste vorm verkregen.
Een dergelijke werkwijze is gecompliceerd 20 en duur. Bovendien is gebleken dat op de beschreven wijze acetylthiofenylpropaanzuur wordt verkregen als een klomp aan elkaar gekoekte, gestolde olie welke niet gemakkelijk uit de reactor verwijderd kan worden. De vaste stof moet voor verwijdering weer opgelost en/of 25 gesmolten worden, bijvoorbeeld in ethylacetaat, of via speciale technieken, bijvoorbeeld flaken, worden gewonnen.
De uitvinding voorziet nu in een werkwijze waarin free flowing deeltjes van 30 acetylthiofenylpropaanzuur worden verkregen.
Dit wordt volgens de uitvinding bereikt wanneer men acetylthiofenylpropaanzuur laat * ' £ *-/ . ί 'ï - 2 - kristalliseren uit een oplossing van acetylthiofenylpropaanzuur bij een temperatuur lager dan 50°C, waarbij men een antisolvent toevoegt zodat een mengsel van antisolvent en de oplossing van 5 acetylthiofenylpropaanzuur wordt verkregen en waarbij men entkristallen toevoegt aan het mengsel voordat spontane kristallisatie optreedt. Bij voorkeur wordt bij deze werkwijze het antisolvent gedoseerd in de tijd toegevoegd gedurende de kristallisatie.
10 Bij voorkeur wordt het reactiemengsel gedurende de kristallisatie en het doseren van de entkristallen geroerd. De optimale roersnelheid hangt af van het reactiemengsel en kan door de deskundige eenvoudig experimenteel bepaald worden. De snelheid 15 waarbij de kristallisatie plaatsvindt is afhankelijk van de doseertijd. De doseersnelheid van het antisolvent gedurende de kristallisatie wordt bij voorkeur zodanig gekozen dat de doseertijd tijdens kristallisatie ligt tussen 2 en 20 uur, in het 20 bijzonder tussen 4 en 8 uur.
Gebleken is dat met de werkwijze volgens de uitvinding bij winning free flowing, in het bijzonder goed filtreerbare, acetylthiofenylpropaanzuur deeltjes worden verkregen zelfs wanneer de oplossing van 25 acetylthiofenylpropaanzuur het ruwe reactiemengsel is dat verkregen wordt bij de bereiding van het acetylthiofenylpropaanzuur. Het ruwe reactiemengsel wordt hierbij bij voorkeur, op bekende wijze, eerst onderworpen aan een of meerdere extracties, 30 bijvoorbeeld met water bij een geschikte pH. Het thiofenylpropaanzuur kan bijvoorbeeld worden bereid door reactie van 2-broom-3-fenylpropaanzuur met thioazijnzuur in aanwezigheid van een (organische of anorganische) base of met een zout, bijvoorbeeld 35 kalium- of natriumzout van thioazijnzuur in (bijvoorbeeld) een organisch oplosmiddel. Bij voorkeur - 3 - wordt daarbij in het kader van deze uitvinding een oplosmiddel toegepast met een zo laag mogelijke polariteit waarbij het acetylthiofenylpropaanzuur nog goed oplost, bijvoorbeeld een aromatische 5 koolwaterstof, in het bijzonder tolueen of xyleen, een ester, bijvoorbeeld een alkylester van azijnzuur, in het bijzonder isopropylacetaat of ethylacetaat, of een ether, bijvoorbeeld t-butyl-methylether. Dit leidt namelijk tot een zo laag mogelijke behoefte aan 10 antisolvent.
Bij voorkeur worden de entkristallen toegevoegd aan een homogeen mengsel van antisolvent en oplossing, dat wil zeggen vóórdat zich een oliefase afscheidt in het mengsel. Gebleken is dat dan 15 kristallen van acetylthiofenylpropaanzuur kunnen worden verkregen die zuiver zijn terwijl de bijproducten in oplossing blijven. Bovendien bleek dat eventueel aanwezige verontreinigingen eenvoudig en snel kunnen worden verwijderd bijvoorbeeld door wassen met 20 bijvoorbeeld oplosmiddel of antisolvent, bij voorkeur een mengsel van oplosmiddel en antisolvent.
De temperatuur waarbij de kristallisatie wordt uitgevoerd ligt meestal tussen 0 en 50°C, bij voorkeur 10 en 40°C. De optimale temperatuur voor de 25 kristallisatie volgens de uitvinding is mede afhankelijk van de verhouding van de hoeveelheid oplosmiddel ten opzichte van antisolvent. Wanneer bij het begin van de kristallisatie de verhouding oplosmiddel in het medium tot antisolvent hoger is 30 wordt bij voorkeur een lagere temperatuur gekozen, terwijl bij lagere verhoudingen oplosmiddel in het medium tot antisolvent bij voorkeur een hogere temperatuur wordt gekozen.
De concentratie van 35 acetylthiofenylpropaanzuur in het medium wordt bij voorkeur zo hoog mogelijk gekozen, waarbij er voor 015714 - 4 - gezorgd wordt dat er geen vroegtijdige kristallisatie of olievorming optreedt. Bij overigens gelijkblijvende condities bijvoorbeeld temperatuur, wordt bij een hogere concentratie bij voorkeur een hogere verhouding 5 oplosmiddel tot antisolvent gekozen.
Onder het metastabiele gebied in het fasediagram wordt in het kader van deze uitvinding verstaan het gebied waarin wel overzadiging optreedt maar, zonder toevoegen van entkristallen, nog geen 10 kristallisatie of olievorming optreedt.
Als entkristallen kunnen worden toegepast kristallen van acetylthiofenylpropaanzuur in welke vorm dan ook. Bij voorkeur worden zo zuiver mogelijke entkristallen toegevoegd bijvoorbeeld met een chemische 15 zuiverheid > 98%, bij voorkeur > 99%. Wanneer kristallen van een van de enantiomeren worden beoogd, worden bij voorkeur entkristallen van het gewenste enantiomer (S of R) van acytylthiofenylpropaanzuur toegepast met een enantiomere overmaat (ee) > 99%, in 20 het bijzonder > 99,5%.
De hoeveelheid toe te passen entkristallen ligt in de praktijk bijvoorbeeld tussen 0,01 en 10 gew.%, bij voorkeur tussen 0,1 en 10 ten opzichte van de hoeveelheid acetylthiofenylpropaanzuur.
25 Als antisolvent kunnen in de kristallisatie bijvoorbeeld worden toegepast oplosmiddelen met een lage polariteit bij voorkeur met een polariteit, uitgedrukt als de dielectrische constante, kleiner dan 2,2 in het bijzonder kleiner dan 2,0. Bij voorkeur 30 wordt als antisolvent een zo apolair mogelijk oplosmiddel bijvoorbeeld een alkaan, in het bijzonder heptaan of mengsels van alkanen, toegepast.
Met de werkwijze volgens de uitvinding worden free flowing acetylthiofenylpropaanzuur deeltjes 35 in de vorm van naaldjes verkregen, welke eenvoudig, bijvoorbeeld via centrifugeren, uit het mengsel kunnen V v - 5 - worden verkregen. Verrassenderwijze bleken de verontreinigingen eenvoudig te kunnen worden verwijderd, bijvoorbeeld via wassen met bijvoorbeeld oplosmiddel en/of antisolvent, bij voorkeur een mengsel 5 van oplosmiddel en antisolvent. Met de bekende werkwijze worden geen free flowing deeltjes verkregen.
Met de werkwijze volgens de uitvinding kunnen acetylthiofenylpropaanzuurdeeltjes worden verkregen met een gemiddelde lengte/diameterverhouding 10 tussen 3 en 5 in het bijzonder tussen 4 en 10. De lengte van de deeltjes wordt gekarakteriseerd doordat 90 gew.% van de deeltjes een lengte heeft die ligt tussen 0,05 en 2 mm, in het bijzonder tussen 0,2 en 1 mm.
15 De uitvinding wordt nu verder toegelicht aan de hand van het volgende voorbeeld, zonder evenwel daardoor te worden beperkt.
Voorbeeld: 20 Aan het reactiemengsel verkregen uit de bereiding van S-acetylthiophenylpropaanzuur uitgaande van 45,0 gram D-Phenylalanine werd 95 ml water toegevoegd en werd tot 20 °C verwarmd.
M.b.v. HCl 32 % werd het reactiemengsel op 25 pH = 3,4 gebracht. De roering werd stil gezet en de waterfase werd afgescheiden.
De organische fase werd hierna gewassen met 95 ml natriumthiosulfaat oplossing (5%) in water.
M.b.v. HCl 32 % werd het reactiemengsel op 30 pH = 0,75 gebracht. Vervolgens werd de waterfase afgescheiden en de tolueen fase nogmaals geëxtraheerd met 95 ml water.
Opbrengst S-acetylthiophenylpropaanzuur in 1015714 4 - 6 - de tolueenoplossing ten opzichte van D-Phenylalanine: 82,5 % via HPIiC analyse.
M.b.v. een Dean Stark opstelling werd het water azeotropisch afgedestilleerd bij 60 °C 100 mbar 5 druk totdat de tolueenfase watervrij was.
De tolueenfase werd vervolgens ingedampt tot 135 ml restvolume en werd gefiltreerd over een papierfilter bij een temperatuur van ca 40 °C. Het filter werd met 10 ml tolueen nagespoeld. De gefiltreerde 10 tolueenoplossing werd teruggebracht naar de reactor waarna de roering werd gestart.
Aan de gefiltreerde tolueenoplossing werd in totaal 360 ml kookpuntsbenzine (KPB; bO-110 gedoseerd. Eerst werd 108 ml gedoseerd in een half uur 15 waarbij de temperatuur boven 33 °C werd gehouden. Hierna werd de oplossing voorzichtig gekoeld tot 32,0 °C. De resterende hoeveelheid KPB 80-110 (252 ml) werd gedoseerd in 6 uur waarbij de temperatuur constant tussen 31,0 en 33,0 °C werd gehouden. Na toevoegen van 20 144 ml van de totale hoeveelheid KPB 80-110 werd geënt met 0,20 gram S-acetylthiophenylpropaanzuur. Na toevoegen van 180 ml KPB 80-110 werd nogmaals geënt met 0,20 gram S-acetylthiophenylpropaanzuur. Na 216 ml KPB 80-110 werd voor de derde maal geënt met 0,20 gram S-2 5 acetylthiophenylpropaanzuur.
Tijdens de dosering vanaf 144 ml KPB trad langzame kristallisatie op.
Het reactiemengsel werd in 11 uur gekoeld tot 0 °C: Van 32 tot 25 °C in 5 uur gevolgd door 30 afkoelen tot 15 °C in 3 uur gevolgd door koeling tot 0 °C in 3 uur. Bij 0 °C werd 2 uur nageroerd.
1 P * ï.‘ ‘i ·:>' ' SU < . . ' « - 7 - M.b.v. een Buchner trechter werd het product gefiltreerd en gewassen met 2 porties van een 40 ml tolueen KPB 80-110 mengsel (20-80 V/V) van 0 °C. De S-acetylthiophenylpropaanzuur kristallen werden 4 h 5 bij 40 °C en een druk < 20 mbar gedroogd.
Opbrengst 41,5 gram S-acetylthiophenylpropaanzuur. Dit is t.o.v. D-Phenylalanine: 68 %.
Uit microscoop-opname bleek dat de 10 deeltjesgrootte ruwweg lag tussen 0,2 en 1 mm. De gemiddelde lengte/diameterverhouding was ongeveer 7.
·.* V ‘

Claims (9)

1. Werkwijze voor het kristalliseren van 2-5 acetylthio-3-fenylpropaanzuur uit een oplossing van acetylthiofenylpropaanzuur, waarbij bij een temperatuur lager dan 50°C een antisolvent wordt toegevoegd waarbij een mengsel van antisolvent en acetylthiofenylpropaanzuur-oplossing wordt 10 gevormd, waarbij entkristallen worden toegevoegd aan het mengsel voordat spontane kristallisatie optreedt, en waarbij althans tijdens het optreden van kristallisatie het antisolvent in de tijd gedoseerd wordt.
2. Werkwijze volgens conclusie 1, waarbij als acetylthiofenylpropaanzuur bevattend medium, het ruwe reactiemengsel verkregen bij bereiding van het acetylthiofenylpropaanzuur wordt toegepast.
3. Werkwijze volgens conclusie 2 waarbij het 20 acetylthiofenylpropaanzuur is verkregen door reactie van 2-broom-3-fenylpropaanzuur met thioazijnzuur of een zout daarvan in een polair organisch oplosmiddel.
4. Werkwijze volgens een der conclusies 1-3, waarin 25 de entkristallen worden toegevoegd terwijl het mengsel in het metastabiele fasegebied ligt.
5. Werkwijze volgens een der conclusies 1-4, waarin de doseertijd van het antisolvent tijdens kristallisatie wordt tussen 2 en 20 uur.
6. Werkwijze volgens conclusie 5 waarbij de doseertijd ligt tussen 4 en 8 uur.
7. Werkwijze volgens een der conclusies 1-6, waarin een antisolvent met een diëlectrische constante kleiner dan 2,2 wordt toegepast.
8. Werkwijze volgens conclusie 7 waarbij een antisolvent met een diëlectrische constante 1015714 - 9 - kleiner dan 2,O wordt toegepast.
9. Werkwijze volgens een der conclusies 1-8, waarbij het verkregen acetylthiofenylpropaanzuur vervolgens wordt omgezet in omapatrilat. Ü S Ί ; (; SAMENWERKINGSVERDRAG (PCT) RAPPORT BETREFFENDE NIEUWHEIDSONDERZOEK VAN INTERNATIONAAL TYPE IDENTIFICATIE VAN DE NATIONALE AANVRAGE KENMERK VAN DE AANVRAGER OF VAN DE GEMACHTIGDE 4277NL Nederlands aanvraag nr. Incfianingsdatum 1015714 14 juli 2000 Ingeroepen voonangsdatum Aanvrager (Naam) DSM N.V. Datum van het verzoek voor een onderzoek van Door de Instantie voor Internationaal Onderzoek (ISA) aan internationaal type het verzoek voor een onderzoek van internationaal type toegekend nr. SN 35456 NL I. CLASSIFICATIE VAN HET ONDERWERP (bij toepassing van verschillende classificaties, alle dassificatiesyntooten opgaven) Volgens de internationale classificatie (IPC) lnt.CI.7: C07C329/06 II. ONDERZOCHTE GEBIEDEN VAN DE TECHNIEK Onderzochte minimum documentatie Classificatiesysteem Ctassfficatiesymbolen lnt.CI.7: C07C Onderzochte andere documentatie dan de minimum documentatie, voor zover dergetyke documenten in de onderzochte gebieden zgn opgenomen ^ III. □ GEEN ONDERZOEK MOGELIJK VOOR BEPAALDE CONCLUSIES (opmerkingen op aanvullingsblad) }/j IV. □GEBREK AAN EENHEID VAN UITVINDING (opmerkingen op aanvullingsblad) Form PCT/ISA 201 a (11/2000)
NL1015714A 2000-07-14 2000-07-14 Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur. NL1015714C2 (nl)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1015714A NL1015714C2 (nl) 2000-07-14 2000-07-14 Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur.
EP01954533A EP1313702A1 (en) 2000-07-14 2001-07-12 Process for crystallizing enantiomerically enriched 2-acetylthio-3-phenylpropionic acid
PCT/NL2001/000534 WO2002006217A1 (en) 2000-07-14 2001-07-12 Process for crystallizing enantiomerically enriched 2-acetylthio-3-phenylpropionic acid
US10/333,057 US20040069208A1 (en) 2000-07-14 2001-07-12 Process for crystallizing enantiomerically enriched 2-acetylthio-3-phenylpropionic acid
AU2001276781A AU2001276781A1 (en) 2000-07-14 2001-07-12 Process for crystallizing enantiomerically enriched 2-acetylthio-3-phenylpropionic acid

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL1015714 2000-07-14
NL1015714A NL1015714C2 (nl) 2000-07-14 2000-07-14 Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur.

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL1015714C2 true NL1015714C2 (nl) 2002-01-15

Family

ID=19771743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL1015714A NL1015714C2 (nl) 2000-07-14 2000-07-14 Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur.

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20040069208A1 (nl)
EP (1) EP1313702A1 (nl)
AU (1) AU2001276781A1 (nl)
NL (1) NL1015714C2 (nl)
WO (1) WO2002006217A1 (nl)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1275642A4 (en) * 2000-04-21 2004-12-08 Kaneka Corp A METHOD FOR CRYSTALLIZING 2-ACETHYLTHIO-3-PHENYL PROPANIC ACID

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5362727A (en) * 1993-07-26 1994-11-08 Bristol-Myers Squibb Substituted azepino[2,1-a]isoquinoline compounds
EP0747392A1 (en) * 1995-06-07 1996-12-11 Bristol-Myers Squibb Company 1,2-Diazepine containing dual action inhibitors

Family Cites Families (99)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1186257A (en) * 1966-09-26 1970-04-02 Toyo Kogyo Kabushiki Kaisha Sealing Means for Pistons of Rotary-Piston Internal Combustion Engines.
US3878105A (en) * 1974-05-28 1975-04-15 Gen Dynamics Corp Optical radiation transmission and detection device
US3974514A (en) * 1974-12-11 1976-08-10 Rca Corporation Electroluminescent edge-emitting diode comprising a light reflector in a groove
US3978428A (en) * 1975-06-23 1976-08-31 Xerox Corporation Buried-heterostructure diode injection laser
US4033796A (en) * 1975-06-23 1977-07-05 Xerox Corporation Method of making buried-heterostructure diode injection laser
US4110661A (en) * 1977-04-01 1978-08-29 Rockwell International Corporation Light emitting device for optical communications
US4376946A (en) * 1980-11-28 1983-03-15 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Superluminescent LED with efficient coupling to optical waveguide
US4573163A (en) * 1982-09-13 1986-02-25 At&T Bell Laboratories Longitudinal mode stabilized laser
US4636821A (en) * 1983-02-21 1987-01-13 Nec Corporation Surface-emitting semiconductor elements
JPS6042890A (ja) * 1983-08-18 1985-03-07 Mitsubishi Electric Corp 面発光形半導体レ−ザ及びその製造方法
CA1267716C (en) * 1984-02-23 1990-04-10 LATERAL EMITTING LIGHT EMITTING DIODE
US4730326A (en) * 1984-09-12 1988-03-08 Sharp Kabushiki Kaisha Semiconductor laser array device
JPS6225485A (ja) * 1985-07-25 1987-02-03 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
JPS6257275A (ja) * 1985-09-06 1987-03-12 Sharp Corp 半導体レ−ザアレイ装置
US4740481A (en) * 1986-01-21 1988-04-26 Motorola Inc. Method of preventing hillock formation in polysilicon layer by oxygen implanation
JPH0738457B2 (ja) * 1986-07-18 1995-04-26 株式会社東芝 光・電子双安定素子
US4856014A (en) * 1986-12-31 1989-08-08 Trw Inc. Angled stripe superluminescent diode
JPS63205984A (ja) * 1987-02-23 1988-08-25 Mitsubishi Electric Corp 面発光型半導体レ−ザ
US4745462A (en) * 1987-03-02 1988-05-17 Rca Corporation Image storage using separately scanned color component variables
JPS63258090A (ja) * 1987-04-15 1988-10-25 Sharp Corp 半導体レ−ザ装置
CA1337400C (en) * 1987-06-08 1995-10-24 Norma G. Delaney Inhibitors of neutral endopeptidase
JPH0646669B2 (ja) * 1987-07-28 1994-06-15 日本電気株式会社 半導体レ−ザ及びその製造方法
DE3727546A1 (de) * 1987-08-18 1989-03-02 Siemens Ag Lichtverstaerker mit ringfoermig gefuehrter strahlung, insbesondere ringlaser-diode
US4942585A (en) * 1987-12-22 1990-07-17 Ortel Corporation High power semiconductor laser
US4856017A (en) * 1987-12-22 1989-08-08 Ortel Corporation Single frequency high power semiconductor laser
JPH01264285A (ja) * 1988-04-15 1989-10-20 Omron Tateisi Electron Co 面発光型半導体レーザ
JPH069282B2 (ja) * 1988-09-09 1994-02-02 株式会社東芝 半導体レーザ装置
US4943970A (en) * 1988-10-24 1990-07-24 General Dynamics Corporation, Electronics Division Surface emitting laser
US4990466A (en) * 1988-11-01 1991-02-05 Siemens Corporate Research, Inc. Method for fabricating index-guided semiconductor laser
US5029175A (en) * 1988-12-08 1991-07-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor laser
US5436192A (en) * 1989-03-24 1995-07-25 Xerox Corporation Method of fabricating semiconductor structures via photo induced evaporation enhancement during in situ epitaxial growth
US5033053A (en) * 1989-03-30 1991-07-16 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser device having plurality of layers for emitting lights of different wavelengths and method of driving the same
US4991179A (en) * 1989-04-26 1991-02-05 At&T Bell Laboratories Electrically pumped vertical cavity laser
US5038356A (en) * 1989-12-04 1991-08-06 Trw Inc. Vertical-cavity surface-emitting diode laser
US5018157A (en) * 1990-01-30 1991-05-21 At&T Bell Laboratories Vertical cavity semiconductor lasers
US5223204A (en) * 1990-03-06 1993-06-29 Get, Inc. Method and apparatus for reversing a tubular bag
US5115442A (en) * 1990-04-13 1992-05-19 At&T Bell Laboratories Top-emitting surface emitting laser structures
US5034958A (en) * 1990-04-19 1991-07-23 Bell Communications Research, Inc. Front-surface emitting diode laser
US5289018A (en) * 1990-08-14 1994-02-22 Canon Kabushiki Kaisha Light emitting device utilizing cavity quantum electrodynamics
US5033054A (en) * 1990-08-17 1991-07-16 Spectra Diode Laboratories, Inc. Phase conjugate laser
US5088099A (en) * 1990-12-20 1992-02-11 At&T Bell Laboratories Apparatus comprising a laser adapted for emission of single mode radiation having low transverse divergence
US5115441A (en) * 1991-01-03 1992-05-19 At&T Bell Laboratories Vertical cavity surface emmitting lasers with transparent electrodes
EP0503729A3 (en) * 1991-03-15 1992-12-02 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing such a device
US5132982A (en) * 1991-05-09 1992-07-21 Bell Communications Research, Inc. Optically controlled surface-emitting lasers
US5206871A (en) * 1991-12-27 1993-04-27 At&T Bell Laboratories Optical devices with electron-beam evaporated multilayer mirror
US5216686A (en) * 1992-02-03 1993-06-01 Motorola, Inc. Integrated HBT and VCSEL structure and method of fabrication
US5231642A (en) * 1992-05-08 1993-07-27 Spectra Diode Laboratories, Inc. Semiconductor ring and folded cavity lasers
US5285466A (en) * 1992-05-20 1994-02-08 Wisconsin Alumni Research Foundation Feedback mechanism for vertical cavity surface emitting lasers
US5293392A (en) * 1992-07-31 1994-03-08 Motorola, Inc. Top emitting VCSEL with etch stop layer
US5317587A (en) * 1992-08-06 1994-05-31 Motorola, Inc. VCSEL with separate control of current distribution and optical mode
US5311533A (en) * 1992-10-23 1994-05-10 Polaroid Corporation Index-guided laser array with select current paths defined by migration-enhanced dopant incorporation and dopant diffusion
US5337327A (en) * 1993-02-22 1994-08-09 Motorola, Inc. VCSEL with lateral index guide
US5301201A (en) * 1993-03-01 1994-04-05 At&T Bell Laboratories Article comprising a tunable semiconductor laser
DE69405427T2 (de) * 1993-03-04 1998-04-02 At & T Corp Vorrichtung mit fokussierendem oberflächenemittierendem Halbleiterlaser
US5331654A (en) * 1993-03-05 1994-07-19 Photonics Research Incorporated Polarized surface-emitting laser
US5416044A (en) * 1993-03-12 1995-05-16 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for producing a surface-emitting laser
US5328854A (en) * 1993-03-31 1994-07-12 At&T Bell Laboratories Fabrication of electronic devices with an internal window
US5397917A (en) * 1993-04-26 1995-03-14 Motorola, Inc. Semiconductor package capable of spreading heat
US5397739A (en) * 1993-07-26 1995-03-14 Sandia Corporation Method for accurate growth of vertical-cavity surface-emitting lasers
US5388120A (en) * 1993-09-21 1995-02-07 Motorola, Inc. VCSEL with unstable resonator
US5420880A (en) * 1993-10-12 1995-05-30 Wisconsin Alumni Research Foundation Low threshold vertical cavity surface emitting laser
US5379312A (en) * 1993-10-25 1995-01-03 Xerox Corporation Semiconductor laser with tensile-strained etch-stop layer
US5422901A (en) * 1993-11-15 1995-06-06 Motorola, Inc. Semiconductor device with high heat conductivity
US5485014A (en) * 1993-12-30 1996-01-16 The University Of Connecticut Multiple quantum well birefringent spatial light modulator
US5412680A (en) * 1994-03-18 1995-05-02 Photonics Research Incorporated Linear polarization of semiconductor laser
US5606572A (en) * 1994-03-24 1997-02-25 Vixel Corporation Integration of laser with photodiode for feedback control
US5400356A (en) * 1994-06-28 1995-03-21 Xerox Corporation Index-guided laser on grooved (001) substrate
US5491712A (en) * 1994-10-31 1996-02-13 Lin; Hong Integration of surface emitting laser and photodiode for monitoring power output of surface emitting laser
US5530715A (en) * 1994-11-29 1996-06-25 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser having continuous grading
US5493577A (en) * 1994-12-21 1996-02-20 Sandia Corporation Efficient semiconductor light-emitting device and method
US5708674A (en) * 1995-01-03 1998-01-13 Xerox Corporation Semiconductor laser or array formed by layer intermixing
US5717707A (en) * 1995-01-03 1998-02-10 Xerox Corporation Index guided semiconductor laser diode with reduced shunt leakage currents
US5766981A (en) * 1995-01-04 1998-06-16 Xerox Corporation Thermally processed, phosphorus- or arsenic-containing semiconductor laser with selective IILD
US5513204A (en) * 1995-04-12 1996-04-30 Optical Concepts, Inc. Long wavelength, vertical cavity surface emitting laser with vertically integrated optical pump
US5638392A (en) * 1995-05-15 1997-06-10 Motorola Short wavelength VCSEL
US5596595A (en) * 1995-06-08 1997-01-21 Hewlett-Packard Company Current and heat spreading transparent layers for surface-emitting lasers
GB2303690B (en) * 1995-07-21 1999-05-26 Queenborough Rolling Mill Comp An oxy:fuel melting furnace
JPH0945993A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Sony Corp 半導体発光素子
US5712865A (en) * 1995-09-28 1998-01-27 Sandia Corporation Temperature-insensitive vertical-cavity surface-emitting lasers and method for fabrication thereof
DE19538232A1 (de) * 1995-10-13 1997-04-17 Siemens Ag Optoelektronisches Bauelement mit kodirektionaler Modenkopplung
US5706306A (en) * 1996-03-15 1998-01-06 Motorola VCSEL with distributed Bragg reflectors for visible light
US5903590A (en) * 1996-05-20 1999-05-11 Sandia Corporation Vertical-cavity surface-emitting laser device
US5719893A (en) * 1996-07-17 1998-02-17 Motorola, Inc. Passivated vertical cavity surface emitting laser
US5708669A (en) * 1996-09-24 1998-01-13 Lucent Technologies Inc. Article comprising a cladding-pumped optical fiber laser
US5719894A (en) * 1996-09-25 1998-02-17 Picolight Incorporated Extended wavelength strained layer lasers having nitrogen disposed therein
US5764676A (en) * 1996-09-26 1998-06-09 Xerox Corporation Transversely injected multiple wavelength diode laser array formed by layer disordering
US6026108A (en) * 1996-10-16 2000-02-15 The Regents Of The University Of California Vertical-cavity surface-emitting laser with an intracavity quantum-well optical absorber
US6256330B1 (en) * 1996-12-02 2001-07-03 Lacomb Ronald Bruce Gain and index tailored single mode semiconductor laser
US5732103A (en) * 1996-12-09 1998-03-24 Motorola, Inc. Long wavelength VCSEL
US5914973A (en) * 1997-02-10 1999-06-22 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser for high power operation and method of fabrication
US5898722A (en) * 1997-03-10 1999-04-27 Motorola, Inc. Dual wavelength monolithically integrated vertical cavity surface emitting lasers and method of fabrication
US5877519A (en) * 1997-03-26 1999-03-02 Picolight Incoporated Extended wavelength opto-electronic devices
US5917848A (en) * 1997-07-17 1999-06-29 Motorola, Inc. Vertical cavity surface emitting laser with phase shift mask
US5896408A (en) * 1997-08-15 1999-04-20 Hewlett-Packard Company Near planar native-oxide VCSEL devices and arrays using converging oxide ringlets
US6169757B1 (en) * 1997-09-26 2001-01-02 Scott A. Merritt Intermodal phase difference controller for beam angle modulation in index guided semiconductor devices
JPH11251685A (ja) * 1998-03-05 1999-09-17 Toshiba Corp 半導体レーザ
US6195381B1 (en) * 1998-04-27 2001-02-27 Wisconsin Alumni Research Foundation Narrow spectral width high-power distributed feedback semiconductor lasers
US6185241B1 (en) * 1998-10-29 2001-02-06 Xerox Corporation Metal spatial filter to enhance model reflectivity in a vertical cavity surface emitting laser
JP2000309557A (ja) * 1999-04-28 2000-11-07 Ajinomoto Co Inc 光学活性プロピオン酸誘導体の製法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5362727A (en) * 1993-07-26 1994-11-08 Bristol-Myers Squibb Substituted azepino[2,1-a]isoquinoline compounds
EP0747392A1 (en) * 1995-06-07 1996-12-11 Bristol-Myers Squibb Company 1,2-Diazepine containing dual action inhibitors

Also Published As

Publication number Publication date
US20040069208A1 (en) 2004-04-15
WO2002006217A1 (en) 2002-01-24
AU2001276781A1 (en) 2002-01-30
EP1313702A1 (en) 2003-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2880063B2 (ja) ラクチドの溶融結晶化精製
JPH07165753A (ja) ラクチドの精製方法
EP1276735A1 (fr) Procede de purificaction d&#39;esters cycliques
EP2054367B1 (en) Process for the preparation of sodium salt of ibuprofen of different particle sizes
JP6340471B2 (ja) アピキサバンの製造方法
NL1015714C2 (nl) Werkwijze voor het kristalliseren van enantiomeer verrijkt 2-acetylthio-3-fenylpropaanzuur.
CN100410248C (zh) R-硫辛酸的氨基丁三醇盐的变性体及其制备方法
JPH07118285A (ja) ショ糖脂肪酸エステルの製造方法
JPH10500941A (ja) アミドカルボン酸の精製
HUE028377T2 (en) Method for cleaning mesotrione
JP4089852B2 (ja) 粗製共重合ポリアミド微粒子の製造法
WO1997013775A1 (en) New crystalline form of morphine-6-glucuronide
US7067700B2 (en) Process for preparing sertraline hydrochloride polymorphic form II
ITMI20011727A1 (it) Solvati della lercanidipina cloridrato e nuove forme cristalline della lercanidipina cloridrato ottenute da essi
CN100366620C (zh) 氯雷他定的制备方法
EP0474509A2 (en) Method for purification of ibuprofen comprising mixtures
JP2571279B2 (ja) シコニンの製造方法
RU2809762C2 (ru) Способ для получения (5s)-4-[5-(3,5-дихлорфенил)-5-(трифторметил)-4h-изоксазол-3-ил]-2-метил-бензойной кислоты
JP3570759B2 (ja) 高純度の2−t−ブチルハイドロキノンと2,5−ジ−t−ブチルハイドロキノンとを同時に製造する方法
JP2559068B2 (ja) 室温で安定な水性4ーヒドロキシアセトフェノンの製造法
Perkin et al. XV.—αα-Dimethylbutane-αβδ-tricarboxylic acid, γ-keto-ββ-dimethylpentamethylene-α-carboxylic acid, and the synthesis of inactive α-campholactone of inactive α-campholytic acid and of β-campholytic acid (iso lauronolic acid)
JPH0334970A (ja) イソキノリンの精製方法
JP4321983B2 (ja) 無水ミルタザピンおよびその製法
JP2537099B2 (ja) 6―メチルアミノピリジン誘導体の製造方法
CN110256328A (zh) 一种r-米格列奈钙的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PD2B A search report has been drawn up
VD1 Lapsed due to non-payment of the annual fee

Effective date: 20050201